CN114415475B - 掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端 - Google Patents
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Abstract
一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端，所述方法包括：在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数。本发明可以提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端。
背景技术
随着集成电路制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小。在集成电路制造过程中，对不同膜层之间套刻精度的要求也越来越高。芯片的器件和结构是通过生产工艺一层一层的形成的，因此对于每一片已经完成某一道曝光工艺的晶圆而言，关键层之间的套刻(Overlay)结果可以用于衡量本层图案与前层图案的偏离程度，就成为半导体生产过程中最重要的工艺控制参数之一，直接影响到产品良率的高低。
参照图1，图1是现有技术中本层图案与前层图案的偏离类型示意图。
如图1所示，对于单个图形而言，本层图案与前层图案的偏离类型主要体现在：水平或者垂直方向的位移、放大或缩小以及转角。
在确定掩膜版(Photo Resist，PR，又称为光罩)的最优套刻补偿参数的过程中，可以是先量化掩膜版本身造成的套刻偏移，然后在曝光工艺阶段进行补偿，从而获得本层图形与前层图层的最小偏离度的补偿条件。
在现有技术中，需要依靠试生产的结果对套刻补偿参数进行优化，然后再次试生产、再优化，如此进行多轮后得到最优套刻补偿参数，导致流程操作复杂、时间长、成本高。
亟需一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法，提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端，可以提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。也可以应用在基于已有的掩膜版，预测在此基础上修改的其他掩膜版的套刻补偿参数。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法，包括：在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数；其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。
可选的，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值包括：将所述多个定位点的第二坐标以及对应的偏差向量代入套刻补偿公式，以计算所述套刻补偿参数偏差值，其中，所述第二坐标为每一个定位点在所述第二掩膜版的坐标。
可选的，所述套刻补偿参数选自以下一项或多项：用于表示晶圆与掩膜版之间的水平或垂直位移的第一参数；用于表示晶圆微观形变引起的放大系数的第二参数；用于表示掩膜版微观形变引起的放大系数的第三参数；用于表示晶圆对准时的角度偏移或转角的第四参数；用于表示掩膜版引起的角度偏移或转角的第五参数。
可选的，所述套刻补偿公式为至少包含N个多元方程的方程组，其中，N为套刻补偿参数的数量；其中，所述多元方程中含有未知数的项选自以下一项或多项：用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第一参数的差值在X、Y方向的分量；用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第二参数的差值在X、Y方向的分量分别与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的乘积；用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在X方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的乘积；用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在Y方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的乘积；用于表示第二掩膜版与第一掩膜版之间的第四参数的差值在X、Y方向的分量分别与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的负数的乘积；用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在X方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的负数的乘积；用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在Y方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的负数的乘积。
可选的，N等于5；每5个定位点中的第二坐标以及对应的偏差向量代入下述五元一次方程的套刻补偿公式，确定一组套刻补偿参数偏差值：
△Xno＝△Tx+△Mx×XA-△Rx×YA+△mx×XA-△rx×YA
△Yno＝△TY+△MY×XA-△RY×YA+△mY×YA-△rY×XA
其中，△Xno以及△Yno用于表示单个定位点的第二坐标与第一坐标的偏差向量在X、Y方向的分量，其中，所述第一坐标为每一个定位点在所述第一掩膜版的坐标；XA以及YA用于表示该定位点在第二掩膜版中的第二坐标；△Tx以及△TY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第一参数的差值在X、Y方向的分量；△Mx以及△MY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第二参数的差值在X、Y方向的分量；△mx以及△mY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在X、Y方向的分量；△Rx以及△RY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第四参数的差值在X、Y方向的分量；△rx以及△rY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在X、Y方向的分量。
可选的，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值包括：采用每N个定位点确定一组套刻补偿参数偏差值；对各组套刻补偿参数偏差值中的同一个套刻补偿参数偏差值取平均值或者取中位数，以作为所述套刻补偿参数偏差值的最优解；其中，N为套刻补偿参数的数量。
可选的，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版的图案密度的差值小于预设密度阈值。
可选的，所述第二掩膜版是基于所述第一掩膜版对应的设计修改后重新制作的掩膜版。
可选的，根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数包括：计算所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值的和；将所计算的和作为所述第二掩膜版的套刻补偿参数。
可选的，所述定位点选自预设的定位图形的中心点。
可选的，所述定位图形选自：矩形以及空心十字形。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版的套刻补偿参数的确定装置，包括：第一位置确定模块，用于在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；第二位置确定模块，用于确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；偏差向量确定模块，用于基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；偏差值确定模块，用于基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；套刻补偿参数确定模块，用于根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数；其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的步骤。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的步骤。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
在本发明实施例中，通过计算定位点(Registration Point)在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量，可以结合定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值，进而确定第二掩膜版的套刻补偿参数，对于重新制作的新掩膜版，可以在首次试生产前就预测出更为准确的套刻补偿参数，从而避免了反复进行试生产、反复找最优刻套参数所花费的资源和时间，提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。也可以应用在基于已有的掩膜版，预测在此基础上修改的其他掩膜版的套刻补偿参数。
进一步，采用套刻补偿公式计算所述套刻补偿参数偏差值，所述套刻补偿公式为至少包含N个多元方程的方程组，每个多元方程中含有未知数的项选自各个套刻补偿参数与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标的分量的正数或负数的乘积，从而可以根据具体情况选择适当的套刻补偿参数构建多元方程，有效提高预测的灵活性。进一步，对各组套刻补偿参数偏差值中的同一个套刻补偿参数偏差值取平均值或者取中位数，以作为所述套刻补偿参数偏差值的最优解，可以利用超出套刻补偿参数的数量的更多的多元方程，确定多个套刻补偿参数偏差值，进而得到最优解，有效提高预测准确性。
进一步，在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版的图案密度(Pattern Density)的差值小于预设密度阈值时采用本发明实施例中的方案，由于第一掩膜版与第二掩膜版的图案密度接近，因此套刻性能差异也较小，在第一掩膜版的套刻补偿参数的基础上确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数具有更好的效果。
进一步，所述定位点选自预设的定位图形(Registration Pattern)的中心点，相比于选择定位图形的边缘点，较小的转角会产生较大的位移，选择定位图形的中心点可以在一定程度上抵消偏移量，降低定位图形的形状对参数预测的影响。
附图说明
图1是现有技术中本层图案与前层图案的偏离类型示意图；
图2是本发明实施例中一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的流程图；
图3是本发明实施例中一种定位点在设计版图、第一掩膜版以及第二掩膜版上的位置偏离示意图；
图4是本发明实施例中一种定位点在掩膜版上的分布位置示意图；
图5是本发明实施例中一种定位图形的示意图；
图6是本发明实施例中一种掩膜版的套刻补偿参数的确定装置的结构示意图。
具体实施方式
在现有技术中，对于一个产品的某一层已经确定好最优套刻参数的掩膜版，可能会需要重新制作掩膜版。例如当原有掩膜版有严重缺陷或者设计版图需要修改时，原有掩膜版会被废弃，需要按照新的版图制作新的掩膜版，或者当原有掩膜版老化需要重新制作时，需要安装旧的版图制作新的掩膜版，也需要为新制作掩膜版重新确定最优套刻补偿参数。
本发明的发明人经过研究发现，在现有技术中，需要依靠试生产的结果对套刻补偿参数进行优化，然后再次试生产、再优化，每次试生产，晶圆的曝光工艺都需要重工，同时用户需要花费时间优化曝光工艺中的套刻补偿参数，如此进行多轮后得到最优套刻补偿参数，导致流程操作复杂、时间长、成本高。
在本发明实施例中，通过计算定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量，可以结合定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值，进而确定第二掩膜版的套刻补偿参数，对于重新制作的新掩膜版，可以在首次试生产前就预测出更为准确的套刻补偿参数，从而避免了反复进行试生产、反复找最优刻套参数所花费的资源和时间，提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。也可以应用在基于已有的掩膜版，预测在此基础上修改的其他掩膜版的套刻补偿参数。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参照图2，图2是本发明实施例中一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的流程图。所述掩膜版的套刻补偿参数的确定方法可以包括步骤S21至步骤S25：
步骤S21：在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；
步骤S22：确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；
步骤S23：基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；
步骤S24：基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；
步骤S25：根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数。
其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。在步骤S21的具体实施中，定位点可以是在设计阶段确定的，例如可以为在掩膜版中选取的点，还可以为预设的定位图形中的预设点。
具体地，掩膜版制作工厂为了量化和确认掩膜版的质量，会在掩膜版上设计一些“定位图形”，并把这些定位图形与原有的芯片版图一起实现(或者称“写”)在掩膜版上。掩膜版完成后，掩膜版制作工厂会对这些定位图形进行量测，通过比较每个定位图形的设计版图位置和实际掩膜版位置，就可以知晓每个具体点的位置偏移量，这样的数据即称为掩膜版的定位数据(Mask Registration data)，而掩膜版制作工厂就是依据这样的数据与质量管控的规格的关系来判定此掩膜版是否属于质量合格的掩膜版。
需要指出的是，定位图形及其定位数据在现有技术中本用于检测光罩的质量水平，在本发明实施例中，通过采用定位图形对套刻补偿参数偏差值进行确定，在新场景中得到了充分利用，且无需光罩制造企业或者芯片生产企业做出任何工艺或者量测改变，有效降低研发复杂度，并减少对现有工艺的变动。
在具体实施中，各个掩膜版的尺寸(如长度、宽度)均为已知，因此可以确定每一个定位点在第一掩膜版的位置，例如坐标。
进一步地，所述多个定位点的数量可以不小于套刻补偿参数的数量，从而可以在后续采用模拟计算的方式，确定套刻补偿参数偏差值。
在步骤S22的具体实施中，确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置。
具体地，例如可以根据第二掩膜版的尺寸(如长度、宽度)，确定每个定位点在第二掩膜版的坐标。
其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。
具体地，在掩模版被真正制作出来以前，每个图形应该出现在掩模版的位置可以被称为预想位置，还可以被称为设计位置。与之相对的是每个图形实际出现在掩膜版的位置，可以被称为实际位置。由于在掩模版制造的过程也不是绝对精准的，微观上的实际位置与设计位置之间可以存在偏离。
进一步地，所述定位点可以选自预设的定位图形上的点。
在本发明实施例中，所述定位点选自预设的定位图形上的点，在后续试生产之后，采用定位图形收集套刻偏离的实际表现时，由于预先确定的套刻补偿参数就是基于定位图形确定的，因此能够更好地对其进行验证。
在步骤S23的具体实施中，可以基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量。
具体地，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量的步骤可以包括：根据该定位点在设计版图中的位置和其在第二掩膜版上的位置，得到第二掩膜版位置向量；根据该定位点在设计版图中的位置和其在第一掩膜版上的位置，得到第一掩膜版位置向量；根据第二掩膜版位置向量与第一掩膜版位置向量的差值，作为该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量。
参照图3，图3是本发明实施例中一种定位点在设计版图、第一掩膜版以及第二掩膜版上的位置偏离示意图。
在图3中，以4个定位点为例进行说明。对于第一个定位点，根据其在设计版图中的位置和其在第二掩膜版上的位置，可以得到这两个位置所形成的偏移距离和方向，也即形成第二掩膜版位置向量A＝(XA,YA)，根据其在设计版图中的位置和其在第一掩膜版上的位置，可以得到第一掩膜版位置向量A’＝(XA’,YA’),进而得到第一个定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量△no＝(XA-XA’,YA-YA’)。
依此类推，第二个定位点的第二掩膜版位置向量B＝(XB,YB)，第一掩膜版位置向量B’＝(XB’,YB’),第二个定位点的偏差向量△no＝(XB-XB’,YB-YB’)；第三个定位点的第二掩膜版位置向量C＝(XC,YC)，第一掩膜版位置向量C’＝(XC’,YC’),第二个定位点的偏差向量△no＝(XC-XC’,YC-YC’)；第四个定位点的第二掩膜版位置向量D＝(XD,YD)，第一掩膜版位置向量D’＝(XD’,YD’),第二个定位点的偏差向量△no＝(XD-XD’,YD-YD’)。
继续参照图2，在步骤S24的具体实施中，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值。
进一步地，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值的步骤可以包括：将所述多个定位点的第二坐标以及对应的偏差向量代入套刻补偿公式，以计算所述套刻补偿参数偏差值，其中，所述第二坐标为每一个定位点在所述第二掩膜版的坐标。
更进一步地，所述套刻补偿参数可以选自以下一项或多项：用于表示晶圆与掩膜版之间的水平或垂直位移的第一参数；用于表示晶圆微观形变引起的放大系数的第二参数；用于表示掩膜版微观形变引起的放大系数的第三参数；用于表示晶圆对准时的角度偏移或转角的第四参数；用于表示掩膜版引起的角度偏移或转角的第五参数。
作为一个非限制性的例子，所述第一参数可以用参数T表示，第二参数可以用参数M表示，第三参数可以用参数m表示，第四参数可以用参数R表示，第五参数可以用参数r表示。
进一步地，所述套刻补偿公式为至少包含N个多元方程的方程组，其中，N为套刻补偿参数的数量；其中，所述多元方程中含有未知数的项选自以下一项或多项：
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第一参数的差值在X、Y方向的分量△Tx以及△TY；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第二参数的差值在X、Y方向的分量分别与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的乘积△Mx×XA、△MY×XA；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在X方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的乘积△mx×XA；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在Y方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的乘积△mY×YA；
用于表示第二掩膜版与第一掩膜版之间的第四参数的差值在X、Y方向的分量分别与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的负数的乘积-△Rx×YA以及-△RY×YA；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在X方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的负数的乘积-△rx×YA；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在Y方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的负数的乘积-△rY×XA。
在本发明实施例中，采用套刻补偿公式计算所述套刻补偿参数偏差值，所述套刻补偿公式为至少包含N个多元一次方程的方程组，每个多元一次方程中含有未知数的项选自各个套刻补偿参数与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标的分量的正数或负数的乘积，从而可以根据具体情况选择适当的套刻补偿参数构建多元方程，有效提高预测的灵活性。
在本发明实施例的一种具体实施方式中，基于上述5个套刻补偿参数，设置多元方程中含有上述列出的所有项。
进一步地，N等于5；每5个定位点中的第二坐标以及对应的偏差向量代入下述五元一次方程的套刻补偿公式，确定一组套刻补偿参数偏差值：
△Xno＝△Tx+△Mx×XA-△Rx×YA+△mx×XA-△rx×YA
△Yno＝△TY+△MY×XA-△RY×YA+△mY×YA-△rY×XA
其中，△Xno以及△Yno用于表示单个定位点的第二坐标与第一坐标的偏差向量在X、Y方向的分量，其中，所述第一坐标为每一个定位点在所述第一掩膜版的坐标。具体地，△Xno可以是△no在X方向的分量，△Yno可以是△no在Y方向的分量。
其中，XA以及YA用于表示该定位点在第二掩膜版中的第二坐标；△Tx以及△TY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第一参数的差值在X、Y方向的分量；△Mx以及△MY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第二参数的差值在X、Y方向的分量；△mx以及△mY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在X、Y方向的分量；△Rx以及△RY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第四参数的差值在X、Y方向的分量；△rx以及△rY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在X、Y方向的分量。
进一步地，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值的步骤可以包括：采用每N个定位点确定一组套刻补偿参数偏差值；对各组套刻补偿参数偏差值中的同一个套刻补偿参数偏差值取平均值或者取中位数，以作为所述套刻补偿参数偏差值的最优解；其中，N为套刻补偿参数的数量。
可以理解的是，如果需要确定N个套刻补偿参数偏差值，则需要基于N个定位点的位置，设置N元一次方程，且每N个N元一次方程能够得到一组N个套刻补偿参数偏差值。具体地，可以将每N个的X方向的N元一次方程看作一个矩阵方程，求这个矩阵方程的解。
需要指出的是，在选取每N个定位点的过程中，每次选取的定位点可以存在部分重合，只要不完全相同即可。
同理可得Y方向的套刻补偿参数偏差值，此处不再赘述。
参照图4，图4是本发明实施例中一种定位点在掩膜版上的分布位置示意图。
具体地，定位点的量测位置可以为多个，还可以在掩膜版上均匀排列，如图所示的定位点可以有几十到上百个。在具体求解时，可以每5个位置求解一次，然后把所有的Tx的解进行取平均或者取中位数，可以作为Tx的最优解，其它参数依次类推。
在本发明实施例中，对各组套刻补偿参数偏差值中的同一个套刻补偿参数偏差值取平均值或者取中位数，以作为所述套刻补偿参数偏差值的最优解，可以利用超出套刻补偿参数的数量的更多的多元方程，确定多个套刻补偿参数偏差值，进而得到最优解，有效提高预测准确性。
进一步地，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版的图案密度的差值小于预设密度阈值。
在本发明实施例中，在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版的图案密度的差值小于预设密度阈值时采用本发明实施例中的方案，由于第一掩膜版与第二掩膜版的图案密度接近，因此套刻性能差异也较小，在第一掩膜版的套刻补偿参数的基础上确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数具有更好的效果。
更进一步地，所述第二掩膜版是基于所述第一掩膜版对应的设计修改后重新制作的掩膜版。
具体地，当原有掩膜版有严重缺陷或者设计版图需要修改时，原有掩膜版会被废弃，需要按照新的版图制作新的掩膜版，或者当原有掩膜版老化需要重新制作时，需要安装旧的版图制作新的掩膜版，也需要为新制作掩膜版重新确定最优套刻补偿参数。
在本发明实施例中，在第二掩膜版是基于第一掩膜版对应的设计修改后重新制作的时候采用本发明实施例中的方案，由于第一掩膜版与第二掩膜版的设计版图接近，因此套刻性能差异也较小，在第一掩膜版的套刻补偿参数的基础上确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数具有更好的效果。
进一步地，所述定位点可以选自预设的定位图形的中心点。
在本发明实施例中，所述定位点选自预设的定位图形的中心点，相比于选择定位图形的边缘点，较小的转角会产生较大的位移，选择定位图形的中心点可以在一定程度上抵消偏移量，降低定位图形的形状对参数预测的影响。
更进一步地，所述定位图形可以选自：矩形以及空心十字形。
参照图5，图5是本发明实施例中一种定位图形的示意图。其中，所述定位图形为空心十字形。
具体地，所述定位点可以选自空心十字形的中心点，在图中以五角星表示。
继续参照图2，在步骤S25的具体实施中，根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数包括：计算所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值的和；将所计算的和作为所述第二掩膜版的套刻补偿参数。
具体地，由于第一掩膜版的套刻补偿参数是已知的，又采用上述方法求得了两张掩膜版在每个套刻补偿参数的差值，则可以求得第二掩膜版的套刻补偿参数。
以套刻补偿参数在X方向的分量为例，可以采用下述公式，计算求得第二掩膜版的套刻补偿参数在X方向的分量：
Txn＝Txo+△Tx
其中Txn用于表示第二掩膜版的套刻补偿参数在X方向的分量，Txo用于表示第一掩膜版的套刻补偿参数在X方向的分量，△Tx用于表示第二掩膜版与第一掩膜版之间第一参数的差值在X方向的分量。
同理可得第二掩膜版的套刻补偿参数在Y方向的分量：
TYn＝TYo+△TY
其中TYn用于表示第二掩膜版的套刻补偿参数在Y方向的分量，TYo用于表示第一掩膜版的套刻补偿参数在Y方向的分量，△TY用于表示第二掩膜版与第一掩膜版之间第一参数的差值在Y方向的分量。
在本发明实施例中，通过计算定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量，可以结合定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值，进而确定第二掩膜版的套刻补偿参数，对于重新制作的新掩膜版，可以在首次试生产前就预测出更为准确的套刻补偿参数，从而避免了反复进行试生产、反复找最优刻套参数所花费的资源和时间，提高确定掩膜版的套刻补偿参数的效率，降低成本。也可以应用在基于已有的掩膜版，预测在此基础上修改的其他掩膜版的套刻补偿参数。
参照图6，图6是本发明实施例中一种掩膜版的套刻补偿参数的确定装置的结构示意图。所述确定装置可以包括：
第一位置确定模块61，用于在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；
第二位置确定模块62，用于确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；
偏差向量确定模块63，用于基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；
偏差值确定模块64，用于基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；
套刻补偿参数确定模块65，用于根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数；
其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。
关于该掩膜版的套刻补偿参数的确定装置的原理、具体实现和有益效果请参照前文所述的关于掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的相关描述，此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述方法的步骤。所述计算机可读存储介质例如可以包括非挥发性存储器(non-volatile)或者非瞬态(non-transitory)存储器，还可以包括光盘、机械硬盘、固态硬盘等。
本发明实施例还提供了一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述方法的步骤。所述终端包括但不限于服务器、手机、计算机、平板电脑等终端设备。
具体地，在本发明实施例中，所述处理器可以为中央处理单元(centralprocessing unit，简称CPU)，该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，简称DSP)、专用集成电路(application specificintegrated circuit，简称ASIC)、现成可编程门阵列(field programmable gate array，简称FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
还应理解，本申请实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，简称ROM)、可编程只读存储器(programmable ROM，简称PROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable PROM，简称EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electricallyEPROM，简称EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random accessmemory，简称RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的随机存取存储器(random access memory，简称RAM)可用，例如静态随机存取存储器(staticRAM，简称SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronousDRAM，简称SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(doubledata rate SDRAM，简称DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced SDRAM，简称ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink DRAM，简称SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus RAM，简称DR RAM)。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (14)
1.一种掩膜版的套刻补偿参数的确定方法，其特征在于，包括：
在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；
确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；
基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；
基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数；
其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值包括：
将所述多个定位点的第二坐标以及对应的偏差向量代入套刻补偿公式，以计算所述套刻补偿参数偏差值，其中，所述第二坐标为每一个定位点在所述第二掩膜版的坐标。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述套刻补偿参数选自以下一项或多项：
用于表示晶圆与掩膜版之间的水平或垂直位移的第一参数；
用于表示晶圆微观形变引起的放大系数的第二参数；
用于表示掩膜版微观形变引起的放大系数的第三参数；
用于表示晶圆对准时的角度偏移或转角的第四参数；
用于表示掩膜版引起的角度偏移或转角的第五参数。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对于每一个定位点，所述套刻补偿公式为至少包含N个多元方程的方程组，其中，N为套刻补偿参数的数量；
其中，所述多元方程中含有未知数的项选自以下一项或多项：
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第一参数的差值在X、Y方向的分量；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第二参数的差值在X、Y方向的分量分别与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的乘积；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在X方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的乘积；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在Y方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的乘积；
用于表示第二掩膜版与第一掩膜版之间的第四参数的差值在X、Y方向的分量分别与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的负数的乘积；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在X方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在Y方向的分量的负数的乘积；
用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在Y方向的分量与该定位点在第二掩膜版中的第二坐标在X方向的分量的负数的乘积。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，N等于5；
每5个定位点中的第二坐标以及对应的偏差向量代入下述五元一次方程的套刻补偿公式，确定一组套刻补偿参数偏差值：
△Xno＝△Tx+△Mx×XA-△Rx×YA+△mx×XA-△rx×YA
△Yno＝△TY+△MY×XA-△RY×YA+△mY×YA-△rY×XA
其中，△Xno以及△Yno用于表示单个定位点的第二坐标与第一坐标的偏差向量在X、Y方向的分量，其中，所述第一坐标为每一个定位点在所述第一掩膜版的坐标；
XA以及YA用于表示该定位点在第二掩膜版中的第二坐标；
△Tx以及△TY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第一参数的差值在X、Y方向的分量；
△Mx以及△MY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第二参数的差值在X、Y方向的分量；
△mx以及△mY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第三参数的差值在X、Y方向的分量；△Rx以及△RY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第四参数的差值在X、Y方向的分量；
△rx以及△rY用于表示所述第二掩膜版与第一掩膜版之间的第五参数的差值在X、Y方向的分量。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值包括：
采用每N个定位点确定一组套刻补偿参数偏差值；
对各组套刻补偿参数偏差值中的同一个套刻补偿参数偏差值取平均值或者取中位数，以作为所述套刻补偿参数偏差值的最优解；
其中，N为套刻补偿参数的数量。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版的图案密度的差值小于预设密度阈值。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜版是基于所述第一掩膜版对应的设计修改后重新制作的掩膜版。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数包括：
计算所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值的和；
将所计算的和作为所述第二掩膜版的套刻补偿参数。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位点选自预设的定位图形的中心点。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述定位图形选自：矩形以及空心十字形。
12.一种掩膜版的套刻补偿参数的确定装置，其特征在于，包括：
第一位置确定模块，用于在第一掩膜版上确定多个定位点，并获取每一个定位点在所述第一掩膜版的位置，所述多个定位点的数量不小于一预设数量；
第二位置确定模块，用于确定所述多个定位点中的每一个定位点在第二掩膜版的位置；
偏差向量确定模块，用于基于每一个定位点，确定该定位点在所述第一掩膜版与所述第二掩膜版上所形成的偏差向量；
偏差值确定模块，用于基于所述多个定位点在所述第二掩膜版的位置，计算套刻补偿参数偏差值；
套刻补偿参数确定模块，用于根据所述第一掩膜版的套刻补偿参数以及所述套刻补偿参数偏差值，确定所述第二掩膜版的套刻补偿参数；
其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版中的定位点一一对应且具有相同的设计位置。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器运行时执行权利要求1至11任一项所述掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的步骤。
14.一种终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至11任一项所述掩膜版的套刻补偿参数的确定方法的步骤。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9625831B1 (en) * | 2015-11-25 | 2017-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of semiconductor device |
| CN107092167A (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于无布局套刻控制的方法及系统 |
| CN112015056A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-12-01 | 中国科学院微电子研究所 | 套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质 |
| CN113359386A (zh) * | 2020-03-03 | 2021-09-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩模板的参数分析方法及装置 |
| US11137673B1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | EUV exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI281115B (en) * | 2005-01-25 | 2007-05-11 | Promos Technologies Inc | Integration system for managing photolithography tools and the method for operating the same |
| US7586609B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-09-08 | Macronix International Co., Ltd. | Method for analyzing overlay errors |
| US9772561B2 (en) * | 2015-02-13 | 2017-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor manufacturing method and tool |
-
2021
- 2021-12-29 CN CN202111647487.9A patent/CN114415475B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9625831B1 (en) * | 2015-11-25 | 2017-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of semiconductor device |
| CN107092167A (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于无布局套刻控制的方法及系统 |
| CN113359386A (zh) * | 2020-03-03 | 2021-09-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 掩模板的参数分析方法及装置 |
| US11137673B1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | EUV exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same |
| CN112015056A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-12-01 | 中国科学院微电子研究所 | 套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质 |
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| Publication number | Publication date |
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