CN113359386A - 掩模板的参数分析方法及装置 - Google Patents

掩模板的参数分析方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113359386A
CN113359386A CN202010141623.6A CN202010141623A CN113359386A CN 113359386 A CN113359386 A CN 113359386A CN 202010141623 A CN202010141623 A CN 202010141623A CN 113359386 A CN113359386 A CN 113359386A
Authority
CN
China
Prior art keywords
deviation
mask
mask pattern
vector
alignment mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010141623.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113359386B (zh
Inventor
祖江娇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202010141623.6A priority Critical patent/CN113359386B/zh
Priority to PCT/CN2021/078850 priority patent/WO2021175245A1/zh
Priority to US17/373,899 priority patent/US20210341847A1/en
Publication of CN113359386A publication Critical patent/CN113359386A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113359386B publication Critical patent/CN113359386B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种掩模板的参数分析方法及装置，通过获取至少一个掩模图形的检测参数，且该检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度，并由掩模图形中各对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成掩模板的品质分析数据。本发明实施例的掩模板的参数分析方法操作简单、效率高、生成的分析数据准确度高。

Description

掩模板的参数分析方法及装置
技术领域
本发明实施例涉及半导体制程技术领域，尤其涉及一种掩模板的参数分析方法及装置。
背景技术
掩模板是一种图形信息的载体，通过曝光过程，将图形转移到被曝光产品上，从而实现图形的转移。例如在芯片的制程中，通过光刻技术，将掩模板上图形复制于硅片上，以形成相应的器件。
通常硅片和掩模板上均设置有对位标记，在进行曝光时，掩模板的对位标记与硅片上的对位标记进行对准后，才能使掩模板上的图形能够准确地复制于硅片上的对应位置，即对位标记在光掩模制作中起到对准的作用，是衡量光掩模的关键要素之一。现有技术中，在掩模板制作完成后，会对掩模板的对位标记的坐标信息进行检测，以获取掩模板实际的对位标记与设计版图的对位标记之间的偏差量，并将批量生产的掩模板对位标记的检测数据生成检测报告，以供查阅筛选出合格或不合格的掩模板。
但是，现有技术中对掩模板的对位数据的检测报告进行分析的方式为人工查阅，并由人工对掩模板是否合格进行判断，如此现有技术的人工判断主观性强，会对掩模板的品质造成误判，且判断方式效率较低。
发明内容
针对上述存在问题，本发明实施例提供一种掩模板的参数分析方法及装置，以提高对掩模板对位数据的分析效率，以及提高分析结果的准确度。
第一方面，本发明实施例提供了一种掩模板的参数分析方法，包括：
获取至少一个掩模图形的检测参数；其中，所述检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该所述掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；
根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；
根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据。
第二方面，本发明实施例还提供了一种掩模板的参数分析装置，包括：
检测参数获取模块，用于获取至少一个掩模图形的检测参数；其中，所述检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该所述掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；
偏差向量获取模块，用于根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；
分析数据生成模块，用于根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据。
本发明实施例提供了一种掩模板的参数分析方法及装置，通过掩模图形的检测参数，获得采用掩模板所制备的掩模图形中各对位标记与该掩模图形的版图中各对位标记之间的偏差坐标，并由该偏差坐标获得掩模图形中各对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成制备该掩模图形的掩模板的品质分析数据，以能够对掩模板的品质进行分析，从而通过掩模图形的检测参数，自动获取掩模板的品质分析数据，能够提高掩模板的分析效率，以及能够消除主观因素所带来的品质分析误差；同时，能够节省品质分析的人工成本，降低对掩模板的品质分析的成本。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种掩模板的参数分析方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种偏差向量示意图；
图3是本发明实施例提供的一种不同掩模图形的对比统计结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种不同掩模图形的对比统计结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种获取偏差向量的具体方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的一种绘制偏差向量的掩模图形的俯视结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种绘制向量矩阵的掩模图形的俯视结构示意图；
图8是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析方法的流程图；
图9是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析方法的流程图；
图10是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析方法的流程图；
图11是本发明实施例提供的一种掩模板的分析装置的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种掩模板的参数分析方法，该方法可适用于对掩模板的性能和质量进行分析的情况。本发明实施例提供的掩模板的参数分析方法可以由本发明实施例提供的掩模板的参数分析装置来执行，该装置可由软件和/或硬件来实现。图1是本发明实施例提供的一种掩模板的参数分析方法的流程图。如图1所示，该方法包括：
S110、获取至少一个掩模图形的检测参数；其中，检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标。
具体的，在半导体器件的制程中，采用掩模板进行曝光显影后可形成相应的掩模图形，以使器件的结构形成于集成芯片的相应的位置，而掩模板通常可采用掩模图形的版图进行制备。为使各器件准确地形成于对应的位置，在设计掩模图形的版图时，会在该掩模图形上设计相应的对位标记，以及在掩模板上设置对位标记，以在曝光显影时利用该对位标记进行掩模板的位置对准；相应的，采用该掩模板所形成的掩模图形中不仅包括器件的结构，还包括相应的对位标记，该对位标记通常设置于采用同一晶圆制备的多个集成芯片之间的切割道区，以防对位标记影响集成芯片中器件的结构。如此，通过对采用掩模板所制备的掩模图形上的对位标记的位置坐标进行测量，可获知采用掩模板所制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标，并将该测量坐标与掩模图形的版图上的对位标记的预设坐标进行一一比对，即可获得采用掩模板实际制得的掩模图形中各对位标记与该掩模图形的版图中各对位标记的偏差坐标。每一掩模图形都会形成一个对位标记的偏差坐标的检测报告，作为该掩模图形的检测参数，通过获取掩模图形的检测数据，可对掩模板的性能和质量进行检测。
其中，获取至少一个掩模图形的检测数据可以为获取一个掩模图形的检测数据，或者获取多个掩模图形的检测数据，该多个掩模图形的可以为采用同一掩模板进行多次曝光显影后形成的多个掩模图形，也可以为采用不同掩模板进行曝光显影后形成多个掩模图形，本发明实施对此不做具体限定。
S120、根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度。
具体的，向量是一种具有方向和大小的矢量，通过向量的方向能够确定向量坐标的正负值，以及通过向量长度的大小能够确定出向量坐标与原点之间的偏差量。由于掩模图形的检测参数为采用掩模板所制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标，该偏差坐标的坐标值可以包括正向坐标值和/或负向坐标值，即在平面的X方向或Y方向上，当采用掩模板所制备的掩模图形中对位标记的坐标值大于掩模图形的版图中对位标记的坐标值时，该偏差坐标的坐标值为正值；而当采用掩模板所制备的掩模图形中对位标记的坐标值小于掩模图形的版图中对位标记的坐标值时，该偏差坐标的坐标值为负值。因此，可根据掩模图形中各对位标记的偏差坐标中坐标值的正负，即可获得该掩模图形中各对位标记的偏差向量的偏离方向，同时由偏差坐标可获得该偏差向量的向量长度。其中，偏差向量的方向和向量长度的获取方式可以为根据检测参数通过相应的算法获得，或者建立相应的坐标系将该偏差向量标注于掩模图形的版图中。
示例性的，图2是本发明实施例提供的一种偏差向量的结构示意图。如图2所示，在获取掩模板所制备的掩模图形中对位标记的偏差坐标后，可将各偏差坐标对应的偏差向量标注于该掩模图形的版图中。此时，以该掩模图形的版图中对位标记的预设坐标作为坐标原点O建立坐标系，并以该坐标原点O作为偏差向量的起点O，以及以偏差坐标作为偏差向量的终点，即可获得偏差坐标对应的偏差向量以及该偏差向量所在的象限、偏差向量的方向，并由偏差向量的坐标获得该偏差向量的向量长度。如图2(a)所示，当采用掩模板所制备的掩模图形中对位标记的测量坐标为(x11，y11)，而该掩模图形的版图中对位标记的预设坐标为(x12，y12)时，偏差坐标(x1，y1)为(x11-x12，y11-y12)，若x11-x12和y11-y12均大于0，则偏差向量位于坐标系的第一象限，据此可获知该偏差向量的方向，以及通过偏差坐标(x1，y1)计算获得该偏差向量的长度；如图2(b)所示，当采用掩模板所制备的掩模图形中对位标记的测量坐标为(x21，y21)，而该掩模图形的版图中对位标记的预设坐标为(x22，y22)时，偏差坐标(x2，y2)为(x21-x22，y21-y22)，若x21-x22小于0而y21-y22大于0，则偏差向量位于坐标系的第二象限，据此可获知该偏差向量的方向，以及通过偏差坐标(x2，y2)计算获得该偏差向量的长度；如图2(c)所示，当采用掩模板所制备的掩模图形中对位标记的测量坐标为(x31，y31)，而该掩模图形的版图中对位标记的预设坐标为(x32，y32)时，偏差坐标(x3，y3)为(x31-x32，y31-y32)，若x31-x32和y31-y32均小于0，则偏差向量位于坐标系的第三象限，据此可获知该偏差向量的方向，以及通过偏差坐标(x3，y3)计算获得该偏差向量的长度；如图2(d)所示，，当采用掩模板所制备的掩模图形中对位标记的测量坐标为(x41，y41)，而该掩模图形的版图中对位标记的预设坐标为(x42，y42)时，偏差坐标(x4，y4)为(x41-x42，y41-y42)，若x41-x42大于0而y41-y42小于0，则偏差向量位于坐标系的第四象限，据此可获知该偏差向量的方向，以及通过偏差坐标(x4，y4)计算获得该偏差向量的长度。
S130、根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据。
具体的，根据采用掩模板所制备的掩模图形中各对位标记的偏差向量，可获取采用掩模板所制备的掩模图形中各对位标记相较于该掩模图形的版图中对位标记的偏离量和偏离方向。由于采用掩模板所制备的掩模图形的对位标记与掩模板上的对位标记具有一一对应的关系，因此通过掩模图形中对位标记的偏离量和偏离方向，能够确定出制备该掩模图形的掩模板中对位标记的偏离量和偏离方向，以根据该偏离量和偏离方向生成掩模板的品质分析数据。
其中，该品质分析数据可以包括偏差向量的向量长度的平均值与基准值之间的关系数据、偏差向量中向量长度最大的偏差向量的向量长度与基准值之间的关系数据、偏差向量中向量长度最小的偏差向量的向量长度与基准值之间的关系数据中的一种或多种。由此，可根据偏差向量的最值和/或平均，分析评价对应的掩模板的品质。示例性的，当掩模图形的偏差向量中向量长度最大的偏差向量的向量长度小于基准值，且基准值与该向量长度最大的偏差向量的向量长度之间的差值越大时，可获知制备该掩模图形的掩模板的性能越优异；或者，可以结合掩模图形中偏差向量的向量长度的平均值和向量长度最大的偏差向量的向量长度，判断制备该掩模图形的掩模板的性能。当所获取的为多个掩模图形的检测参数时，该多个掩模图形可以为采用同一掩模板所制备的不同器件的掩模图形，或者采用不同掩模板所制备的同一器件的不同膜层的掩模图形，此时掩模板的品质分析数据可以为不同掩模图形之间的对比统计数据，该对比统计数据可以表格、柱形图或百分比等形式呈现。
本实施例通过掩模图形的检测参数，获得采用掩模板所制备的掩模图形中各对位标记与该掩模图形的版图中各对位标记之间的偏差坐标，并由该偏差坐标获得掩模图形中各对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成制备该掩模图形的掩模板的品质分析数据，以能够对掩模板的品质进行分析，从而通过掩模图形的检测参数，自动获取掩模板的品质分析数据，能够提高掩模板的分析效率，以及能够消除主观因素所带来的品质分析误差；同时，能够节省品质分析的人工成本，降低对掩模板的品质分析的成本。
可选的，当所获取的至少一个掩模图形的检测参数为多个掩模图形的检测参数时，可分别根据各掩模图形的检测参数，获得各掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度。而根据各掩模图形中各对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成掩模板的品质分析数据具体为：根据各掩模图形中各对位标记的偏差向量的向量长度平均值，生成各掩模图形的向量长度的平均值与基准值的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的偏差向量中最大向量长度，生成各掩模图形的最大向量长度与基准值的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的偏差向量中最小向量长度，生成各掩模图形的最小向量长度与基准值的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的向量长度最大的偏差向量的偏差坐标，生成各掩模图形中向量长度最大的偏差向量的偏差坐标与基准坐标的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的向量长度最小的偏差向量的偏差坐标，生成各掩模图形中向量长度最小的偏差向量的偏差坐标与基准坐标的关系图。
示例性的，图3是本发明实施例提供的一种不同掩模图形的对比统计结构示意图。如图3所示，通过统计掩模图形M1～M8的偏差向量，可生成相应的柱形图。该柱形图中的高度可以表示不同掩模图形的最大的向量长度、最小的向量长度、各向量长度的平均值、相应偏差向量在X方向上或Y方向上的坐标值，而虚线L可以表示基准坐标中的X坐标绝对值或Y坐标绝对值，由此能够通过该柱形图直观地获取各掩模图形的检测参数信息，由此能够分析出制备各掩模图形的掩模板的品质。其中，基准值可以为4，基准坐标可以为(4，4)，该基准值或基准坐标为符合集成芯片中各器件位置偏差的数值。图3的柱形图中各掩模图形M1～M8的各柱形的高度均小于基准值，即可获知制备各掩模图形M1～M8的掩模板均为合格的掩模板。
需要说明的是，掩模图形M1～M8可表示为掩模图形M1、掩模图形M2、掩模图形M3、掩模图形M4、掩模图形M5、掩模图形M6、掩模图形M7和掩模图形M8。图3仅为本发明实施例示例性的附图，图3中示例性示出了8个掩模图形而在本发明实施例中对比统计的掩模图形可以大于或小于8，本发明实施对所能统计的掩模图形以及对应的掩模板的数量不做具体限定。
示例性的，图4是本发明实施例提供的又一种不同掩模图形的对比统计结构示意图。如图4所示，M1'～M8'表示不同的集成芯片，M11～M81分别表示各集成芯片M1'～M8'的第一膜层的掩模图形，而M12～M82分别表示各集成芯片M1'～M8'的第二膜层的掩模图形。其中，第一膜层的掩模图形和第二膜层的掩模图形分别采用不同的掩模板形成。如此，可通过掩模图形M11～M81对应的柱形图的高度分析出制备第一膜层的掩模板的品质，以及通过掩模图形M12～M82分析出制备第二膜层的掩模板的品质。
需要说明的是，图3和图4均以柱形图表示不同掩模图形的偏差向量的长度、X方向的坐标值或Y方向上的坐标值与基准值之间的关系，在本发明实施例还可以百分比、直方图或折线图的等形式形成各掩模图形的偏差向量的长度、X方向的坐标值或Y方向上的坐标值与基准值之间的关系图，本发明实施例对此不做具体限定。
在本发明实施例中，当获取的为多个掩模图形的检测数据时，各多个掩模图形的检测数据可以为分别采用不同掩模板制备的同一集成芯片中不同膜层的掩模图形，或者同一掩模板制备的不同集成芯片的掩模图形。
可选的，当多个掩模图形分别为采用不同掩模板制备的同一集成芯片中不同膜层的掩模图形时，可将多个掩模图形的检测参数的其中一个掩模图形的检测参数作为参考检测参数，以及将其它各掩模图形的检测参数作为自身检测参数；相应的，图5是本发明实施例提供的一种获取偏差向量的具体方法的流程图。如图5所示，根据检测参数，获取掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方法包括：
S121、根据参考检测参数以及各所述掩模图形的自身检测参数，绘制各所述掩模图形中各所述对位标记的自身偏差向量，并获取自身偏差向量的方向和向量长度。
具体的，由于同一集成芯片包括多个膜层，且每一膜层的掩模图形具有差异，因此需采用多个掩模板对集成芯片的各膜层进行掩模，形成相应的掩模图形。其中，可将参考层的掩模图形的检测参数作为参考检测参数，其它膜层的掩模图形的检测参数作为自身检测参数。示例性的，图6是本发明实施例提供的一种绘制偏差向量的掩模图形的俯视结构示意图。如图6所示，通过参考检测参数中对位标记的偏差坐标确定出参考层的各对位标记的偏差向量的终点，并将参考层的掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标作为偏差向量的起点，能够将参考层中各对位标记的偏差坐标的偏差向量绘制于该参考层的掩模图形的版图中。同时，可采用不同颜色的线条对大小不同的偏差向量进行标注，例如偏差向量的向量长度越长，绘制偏差向量的线条颜色越深，如此能够直观的确定出各偏差向量的方向和向量长度。
示例性的，图7是本发明实施例提供的一种绘制向量矩阵的掩模图形的俯视结构示意图。如图7所示，在完成偏差向量的绘制后，还可在绘制有偏差向量的图中绘制出向量矩阵图，以能够更直观的确定出各对位标记的偏差坐标对集成芯片中器件结构的影响，便于后续的分析和调整。
S122、根据各掩模图形的自身检测参数与所述参考检测参数之间的差值，获取各掩模图形的相对检测参数；
S123、根据相对检测参数，绘制各掩模图形中各对位标记的相对偏差向量，并获取相对偏差向量的方向和向量长度。
具体的，以参考层掩模图形的参考检测数据为基准，可通过其它膜层掩模图形的自身检测数据与参考检测数据的差值，获得各掩模图形的相对检测参数，该相对检测参数即为其它掩模图形中对位标记的偏差坐标(x，y)与参考层掩模图形中对位标记的偏差坐标(x'，y')之间的相对坐标(x-x'，y-y')，即相对坐标(Δx，Δy)。
示例性的，表1为集成芯片中非参考层的掩模图形的自身检测参数和相对检测参数。表1中的序号表示掩模图形中各对位标记的序号，上表仅示例性的示出了掩模图形中的6个对位标记的自身偏差坐标和相对偏差坐标，在本发明实施例每个掩模图形可以并不限于包括6个对位标记，还可以为64个对位标记等，本发明实施例对掩模图形中对位标记的数量不做具体限定。
表1
Figure BDA0002398502720000121
如此，由掩模图形的自身检测参数和参考检测参数，获得该掩模图形的相对检测参数后，并根据该相对检测参数中各相对偏差坐标在该掩模图形的版图中绘制出相对偏差向量。在绘制相对偏差向量时，可采用不同的颜色的线条进行绘制，以表示不同向量长度的相对偏差向量。同样地，在相对偏差向量绘制完成后，可根据该相对偏差向量绘制相应的向量矩阵，以能够直观地确定出相对偏差对器件结构的影响，便于后续的分析和调整。
可选的，当多个掩模图形分别为采用同一掩模板制备的不同集成芯片的相同膜层的掩模图形时，可直接根据各掩模图形的检测参数获取相应的偏差向量。其中，根据检测参数，获取掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度的方法可以为：根据各掩模图形的检测参数，绘制各掩模图形中各对位标记的偏差向量，并获取偏差向量的方向和向量长度。如此，可在掩模图形的版图中采用不同颜色的线条分别绘制出不同方向和/或向量长度的各掩模图形的偏差向量，从而能够直观地获取各偏差向量的方向和向量长度，便于后续的分析和调整。
可选的，获取至少一个掩模图形的方式例如可以为直接导入掩模图形的检测数据。图8是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析方法的流程图。如图8所示，该方法包括：
S210、获取导入掩模图形的检测参数的导入指令；
S220、根据导入指令，导入掩模图形的检测参数。
具体的，掩模板制备完成后，需要对掩模板进行检测。可采用该掩模板制备相应的掩模图形，并测量出掩模图形中各对位标记的测量坐标，并将该掩模图形的对位标记的测量坐标与该掩模图形的版图中对位标记的预设坐标进行比对后，生成相应的掩模图形的检测数据。该掩模图形的检测数据可以检测数据表的形式呈现，在对掩模板的性能进行分析时，可将采用该掩模板制备的掩模图形的检测数据表直接导入。如此，无需手动输入各对位标记的偏差坐标，简化操作，防止手动输入时出错，使得本发明实施例提供的掩模板的分析方法操作简单，从而能够提高掩模板的分析效率，以及准确度。
S230、根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度。
S240、根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据。
可选的，在获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度，可先判断各对位标记的偏差坐标的坐标值是否大于基准值。图9是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析方法的流程图。如图9所示，该方法包括：
S310、获取至少一个掩模图形的检测参数；
S320、判断所述掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值是否小于基准值；若是，则执行S330；若否，则执行S350；
S330、根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；
S340、根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据；
S350、生成超出所述基准值的反馈数据。
具体的，在获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量前，可对该掩模图形的各对位标记的偏差坐标的坐标值是否小于基准值进行判断，以在偏差坐标大于基准值时，可确定出该掩模板制备的掩模图形无法满足实际器件的要求，可直接生成反馈数据，不再执行后续的步骤；而在偏差坐标小于基准值时，再进行后续的步骤，获取相应的偏差向量以及根据该偏差向量生成掩模板的品质分析数据。如此，能够在掩模板不满足器件的需求时，直接反馈，提高检测效率。其中，偏差坐标可以为正向偏差坐标或负向偏差坐标，例如偏差坐标(x，y)中的x和y可以均为大于等于0的数；或者，偏差坐标(x，y)中的x和y可以均为小于等于0的数；偏差坐标(x，y)中的x和y中的一个为大于等于0的数，另一个为小于等于0的数；而偏差坐标的坐标值可以为x的和y绝对值。
可选的，在生成掩模板的品质分析数据后，还能够根据该掩模板的品质分析数据，生成调整该掩模板的反馈数据。图10是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析方法的流程图。如图10所示，该方法包括：
S410、获取至少一个掩模图形的检测参数；
S420、根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；
S430、根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据；
S440、根据掩模板的品质分析数据，生成调整掩模板的反馈数据。
示例性的，当品质分析数据包括采用该掩模板所制备的掩模图形中向量长度最大的偏差向量的向量长度时，可判断该向量长度最大的偏差向量的向量长度是否大于基准值。当该向量长度最大的偏差向量的向量长度是大于基准值时，可将制备该掩模图形的掩模板确定为不合格的掩模板，并将采用该掩模板所制备的掩模图形中偏差向量的向量长度大于基准值的各偏差向量对应的偏差坐标和/或对位坐标的位置生成反馈数据反馈至掩模板的生产设备或生产厂商，以在后续制备新的掩模板时，及时调整掩模板中的各数据。
示例性的，当品质分析数据包括采用不同掩模板所制备的同一集成芯片的不同膜层的各掩模图形中向量长度最大的偏差向量的向量长度，以及采用不同掩模板制备的同一集成芯片的不同膜层的掩模图形中向量长度最大的偏差向量的向量长度对比统计数据时，若各掩模图形中向量长度最大的偏差向量的向量长度小于基准值，则可将其中一个膜层的掩模图形的检测参数作为参考检测参数，其它膜层的掩模图形的检测参数可以该参考检测参数为基准，生成其它各膜层的掩模图形的检测参数的补偿值，以使补偿后的其它各掩模图形的检测参数与参考检测参数之和为0，例如将第一膜层的掩模图形的检测参数作为参考参数时，若该第一膜层的掩模图形中对位标记的偏差坐标在X方向的值为-0.2，则可将第二膜层的掩模图形中对应位置的对位标记的偏差坐标在X方向上的补偿值设置为+0.2，使得在X方向上，第二膜层的掩模图形中对位标记的偏差坐标相对于第一膜层的掩模图形的对位标记的偏差坐标的偏差为0；并将该补偿值反馈至制备掩模板的设备或者掩模板的制备厂商，以能够根据该补偿值对各膜层对应的掩模板进行补偿。
本发明实施例还提供一种掩模板的参数分析装置，该装置可适用于对掩模板的性能和质量进行分析的情况。本发明实施提供的掩模板的参数分析装置可由软件和/或硬件来实现。该掩模板的参数分析装置可用于执行本发明实施例提供的掩模板的参数分析方法，因此该掩模板的参数分析装置具备掩模板的参数分析方法的有益效果。本发明实施例提供的掩模板的参数分析装置的有益效果，可参照上述对掩模板的参数分析方法的描述，在此不再赘述。
示例性的，图11是本发明实施例提供的一种掩模板的参数分析装置的结构示意图。如图11所示，该掩模板的分析装置包括检测参数获取模块10、偏差向量获取模块20和分析数据生成模块30。其中，检测参数获取模块10用于获取至少一个掩模图形的检测参数；其中，检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；偏差向量获取模块20用于根据上述检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；分析数据生成模块30用于根据掩模图形中各对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成掩模板的品质分析数据。
可选的，图12是本发明实施例提供的又一种掩模板的分析装置的结构示意图。如图12所示，掩模板的分析装置还包括：坐标值判断模块40和反馈数据生成模块50。其中，坐标值判断模块40用于在根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度之前，判断掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值是否小于基准值，且在掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值小于基准值时，控制偏差向量获取模块执行获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度的步骤；反馈数据生成模块50用于在掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值大于等于基准值时，生成超出基准值的反馈数据。
可选的，继续参考图12，掩模板的分析装置的反馈数据生成模块50还用于根据掩模板的品质分析数据，生成调整掩模板的反馈数据。
可选的，继续参考图12，检测参数获取模块10所获取的至少一个掩模图形的检测参数可以为多个掩模图形的检测参数。此时，分析数据生成模块30具体用于根据各掩模图形中各对位标记的偏差向量的向量长度平均值，生成各掩模图形的向量长度的平均值与基准值的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的偏差向量中最大向量长度，生成各掩模图形的最大向量长度与基准值的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的偏差向量中最小向量长度，生成各掩模图形的最小向量长度与基准值的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的向量长度最大的偏差向量的偏差坐标，生成各掩模图形中向量长度最大的偏差向量的偏差坐标与基准坐标的关系图；或者，根据各掩模图形的各对位标记的向量长度最小的偏差向量的偏差坐标，生成各掩模图形中向量长度最小的偏差向量的偏差坐标与基准坐标的关系图。
可选的，继续参考图12，检测参数获取模块10所获取的多个掩模图形可以分别为采用不同掩模板制备的同一集成芯片中不同膜层的掩模图形；将多个掩模图形的检测参数的其中一个掩模图形的检测参数作为参考检测参数，以及将其它各掩模图形的检测参数作为自身检测参数。此时，偏差向量获取模块20具体用于：根据参考检测参数以及各掩模图形的自身检测参数，绘制各掩模图形中各对位标记的自身偏差向量，并获取自身偏差向量的方向和向量长度；根据各掩模图形的自身检测参数与参考检测参数之间的差值，获取各掩模图形的相对检测参数；根据相对检测参数，绘制各掩模图形中各对位标记的相对偏差向量，并获取相对偏差向量的方向和向量长度。
可选的，继续参考图12，检测参数获取模块10所获取的多个掩模图形可以分别为采用同一掩模板制备的不同集成芯片的相同膜层的掩模图形。偏差向量获取模块20具体用于：根据各掩模图形的检测参数，绘制各掩模图形中各所述对位标记的偏差向量，并获取偏差向量的方向和向量长度。
可选的，继续参考图12，该掩模板的参数分析装置的检测参数获取模块10具体用于：获取导入掩模图形的检测参数的导入指令，并根据导入指令，导入掩模图形的检测参数。
上述实施例中提供的掩模板的参数分析装置可执行本发明任意实施例所提供的掩模板的参数分析方法，具备执行该掩模板的参数分析方法相应的功能模块和有益效果。未在上述实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例所提供的掩模板的参数分析方法。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种掩模板的参数分析方法，其特征在于，包括：
获取至少一个掩模图形的检测参数；其中，所述检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该所述掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；
根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；
根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取至少一个掩模图形的检测参数，包括：
获取多个掩模图形的检测参数；
根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据，包括：
根据各所述掩模图形中各对位标记的偏差向量的向量长度平均值，生成各所述掩模图形的向量长度的平均值与基准值的关系图；或者，
根据各所述掩模图形的各对位标记的偏差向量中最大向量长度，生成各所述掩模图形的最大向量长度与基准值的关系图；或者，
根据各所述掩模图形的各对位标记的偏差向量中最小向量长度，生成各所述掩模图形的最小向量长度与基准值的关系图；或者，
根据各所述掩模图形的各对位标记的向量长度最大的偏差向量的偏差坐标，生成各所述掩模图形中向量长度最大的偏差向量的偏差坐标与基准坐标的关系图；或者，
根据各所述掩模图形的各对位标记的向量长度最小的偏差向量的偏差坐标，生成各所述掩模图形中向量长度最小的偏差向量的偏差坐标与基准坐标的关系图。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，多个所述掩模图形分别为采用不同掩模板制备的同一集成芯片中不同膜层的掩模图形；将多个掩模图形的检测参数的其中一个掩模图形的检测参数作为参考检测参数，以及将其它各所述掩模图形的检测参数作为自身检测参数；
根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度，包括：
根据所述参考检测参数以及各所述掩模图形的自身检测参数，绘制各所述掩模图形中各所述对位标记的自身偏差向量，并获取所述自身偏差向量的方向和向量长度；
根据各所述掩模图形的自身检测参数与所述参考检测参数之间的差值，获取各所述掩模图形的相对检测参数；
根据所述相对检测参数，绘制各所述掩模图形中各所述对位标记的相对偏差向量，并获取所述相对偏差向量的方向和向量长度。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，多个所述掩模图形分别为采用同一掩模板制备的不同集成芯片的相同膜层的掩模图形；
根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度，包括：
根据各所述掩模图形的检测参数，绘制各所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量，并获取所述偏差向量的方向和向量长度。
5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，获取至少一个掩模图形的检测参数，包括：
获取导入所述掩模图形的检测参数的导入指令；
根据所述导入指令，导入所述掩模图形的检测参数。
6.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，在根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度之前，还包括：
判断所述掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值是否小于基准值；
若是，则执行根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的步骤；
若否，则生成超出所述基准值的反馈数据。
7.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
根据所述掩模板的品质分析数据，生成调整所述掩模板的反馈数据。
8.一种掩模板的参数分析装置，其特征在于，包括：
检测参数获取模块，用于获取至少一个掩模图形的检测参数；其中，所述检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该所述掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；
偏差向量获取模块，用于根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度；
分析数据生成模块，用于根据所述掩模图形中各所述对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成所述掩模板的品质分析数据。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：
坐标值判断模块，用于在根据所述检测参数，获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度之前，判断所述掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值是否小于基准值，且在所述掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值小于基准值时，控制所述偏差向量获取模块执行获取所述掩模图形中各所述对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度的步骤；
反馈数据生成模块，用于在所述掩模图形中各对位标记的偏差坐标的坐标值大于等于基准值时，生成超出所述基准值的反馈数据。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：
反馈数据生成模块，用于根据所述掩模板的品质分析数据，生成调整所述掩模板的反馈数据。
CN202010141623.6A 2020-03-03 2020-03-03 掩模板的参数分析方法及装置 Active CN113359386B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010141623.6A CN113359386B (zh) 2020-03-03 2020-03-03 掩模板的参数分析方法及装置
PCT/CN2021/078850 WO2021175245A1 (zh) 2020-03-03 2021-03-03 掩模板的参数分析方法及装置
US17/373,899 US20210341847A1 (en) 2020-03-03 2021-07-13 Method and apparatus for analyzing parameter of mask plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010141623.6A CN113359386B (zh) 2020-03-03 2020-03-03 掩模板的参数分析方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113359386A true CN113359386A (zh) 2021-09-07
CN113359386B CN113359386B (zh) 2023-01-31

Family

ID=77523204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010141623.6A Active CN113359386B (zh) 2020-03-03 2020-03-03 掩模板的参数分析方法及装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210341847A1 (zh)
CN (1) CN113359386B (zh)
WO (1) WO2021175245A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114415475A (zh) * 2021-12-29 2022-04-29 全芯智造技术有限公司 掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端
CN115808849A (zh) * 2021-09-13 2023-03-17 无锡迪思微电子有限公司 掩模版的图形精度的确定方法以及确定装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114200790A (zh) * 2022-01-12 2022-03-18 澳芯集成电路技术(广东)有限公司 一种降低晶圆套刻偏差的方法及装置
CN115470741B (zh) * 2022-11-14 2023-02-10 全芯智造技术有限公司 用于光源掩模协同优化的方法、电子设备和存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100211352A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Hiroyuki Morinaga Mark arrangement inspecting method, mask data, and manufacturing method of semiconductor device
US20120202142A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of exposure mask, shipment judgment method and manufacturing method of semiconductor device using exposure mask
US20130245971A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Lasertec Corporation Defect coordinates measurement device, defect coordinates measurement method, mask manufacturing method, and reference mask
WO2019021154A1 (en) * 2017-07-26 2019-01-31 Carl Zeiss Sms Ltd. METHOD AND APPARATUS FOR COMPENSATING DEFECTS IN A MASK DRAFT

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4675854B2 (ja) * 2006-07-25 2011-04-27 株式会社東芝 パターン評価方法と評価装置及びパターン評価プログラム
CN102566291B (zh) * 2010-12-29 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 投影掩膜版的测试系统
JP5970021B2 (ja) * 2013-08-20 2016-08-17 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
CN105573047B (zh) * 2014-10-10 2019-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种侦测掩膜图形保真度的系统及方法
US10572990B2 (en) * 2017-04-07 2020-02-25 Nuflare Technology, Inc. Pattern inspection apparatus, pattern position measurement apparatus, aerial image measurement system, method for measuring aerial image, pattern position repairing apparatus, method for repairing pattern position, aerial image data processing apparatus, method for processing aerial image data, pattern exposure apparatus, method for exposing pattern, method for manufacturing mask, and mask manufacturing system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100211352A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Hiroyuki Morinaga Mark arrangement inspecting method, mask data, and manufacturing method of semiconductor device
US20120202142A1 (en) * 2011-02-07 2012-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of exposure mask, shipment judgment method and manufacturing method of semiconductor device using exposure mask
US20130245971A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Lasertec Corporation Defect coordinates measurement device, defect coordinates measurement method, mask manufacturing method, and reference mask
WO2019021154A1 (en) * 2017-07-26 2019-01-31 Carl Zeiss Sms Ltd. METHOD AND APPARATUS FOR COMPENSATING DEFECTS IN A MASK DRAFT

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115808849A (zh) * 2021-09-13 2023-03-17 无锡迪思微电子有限公司 掩模版的图形精度的确定方法以及确定装置
CN114415475A (zh) * 2021-12-29 2022-04-29 全芯智造技术有限公司 掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端
CN114415475B (zh) * 2021-12-29 2024-04-02 全芯智造技术有限公司 掩膜版的套刻补偿参数的确定方法及装置、终端

Also Published As

Publication number Publication date
US20210341847A1 (en) 2021-11-04
CN113359386B (zh) 2023-01-31
WO2021175245A1 (zh) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113359386B (zh) 掩模板的参数分析方法及装置
US7539552B2 (en) Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data
US9589086B2 (en) Method for measuring and analyzing surface structure of chip or wafer
CN110799907B (zh) 确定变形的方法
CN112561873B (zh) 一种基于机器学习的cdsem图像虚拟测量方法
CN115963710A (zh) 套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质
CN102902167B (zh) 一种检测光刻机的掩模板遮光板精度的方法
US20050188342A1 (en) Method of determining the overlay accuracy of multiple patterns formed on a semiconductor wafer
CN114300377A (zh) 无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法
JP2011066323A (ja) 露光処理の補正方法
CN111128829B (zh) 对准方法及校准方法
TWI409661B (zh) 物體製造缺陷的應用方法
US20100021040A1 (en) Pattern evaluation apparatus and pattern evaluation method
CN107221507B (zh) 一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法
US20220043360A1 (en) Method for accurately obtaining photolithography parameter
CN117666297B (zh) 光刻图形量测检测方法及其系统
CN114241048B (zh) 特征尺寸一致性分析方法及装置、计算机可读存储介质
WO2024045204A1 (zh) 光罩生产监控点定位方法、装置与电子设备
WO2022028077A1 (zh) 准确获取光刻参数的方法
CN117234039B (zh) 晶圆套刻对象的灰度值变化测量方法及系统
CN117276104B (zh) 应用于集成电路的套刻量测方法
CN117276105B (zh) 半导体套准误差的量测方法
US20170139329A1 (en) Lithography system and semiconductor processing process
CN118329948A (zh) 扫描电镜量测程式建立方法
Baderot et al. Metrospection holistic AI-driven process control software platform dedicated to metrology and defectivity for patterning process at die and wafer levels

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant