CN115826349A - 光学邻近修正方法、系统、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光学邻近修正方法、系统及计算机可读存储介质，包括：获取第一设计版图、第二设计版图以及第一设计版图的第一掩膜版图，其中，第一掩膜版图由对第一设计版图数据转换得到；将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；根据待修正区域信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。本发明实施例中，能够自动比较第二设计版图与第一设计版图的差异，提高光学修正效率。

Description

光学邻近修正方法、系统、电子设备及存储介质

技术领域

本发明属于计算机辅助技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

光刻是集成电路制造的核心步骤，光刻的好坏以及分辨率决定了集成电路所能达到的尺寸的关键工艺。其中，在光刻过程中会产生光学邻近效应，原因是用于深亚微米工艺节点光刻的光源波长一般大于所制造的芯片的线宽，器件中最小线宽越来越逼近光刻投影系统的极限，光的衍射效应使设计图形的成像产生光学影像退化，从而导致实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变。

为了解决光学邻近效应带来的影响，光学临近修正技术(Opt ica l ProximityCorrect ion，OPC)应运而生，光学邻近修正技术通过计算优化掩膜图形来解决传统光刻分辨率极限的问题，版图设计完成后，需要做物理验证、可制造性检查，之后完成光学临近修正和光学仿真验证，确保芯片在光刻制造中不会出现坏点。然而，上述场景都涉及版图经过光学临近修正处理后，当有局部单元电路或者布线重新修改，需要再次进行光学临近修正计算和验证。这就导致了在制作超大规模版图中，增加光学临近修正计算量，重复计算耗时耗力的问题发生。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种光学邻近修正方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质，能够自动比较第二设计版图与第一设计版图的差异，提高光学修正效率。

第一方面，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：

获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；

将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；

根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；

根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。

根据本发明实施例提供的光学邻近修正方法，至少有如下有益效果：首先，获取第一设计版图、第二设计版图以及对第一设计版图进行数据转换得到的第一掩膜版图，并将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，从而生成待修正区域信息，便于后续基于待修正区域信息进行修正，提高光学修正效率，实现自动比较第一设计版图与第二设计版图之间的差异，之后，根据待修正信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，从而确保芯片在光刻制造中不会出现坏点，减少光学邻近修正的时间成本，最后，根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，实现对第二设计版图的修正，并降低设计版图局部修改后重新生成掩膜图形的计算量和时间成本。

根据本发明的一些实施例，所述将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，包括：

将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，得到差异信息；

对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息。

根据本发明的一些实施例，所述对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息，包括：

基于预设的空间聚类算法对所述差异信息进行计算，得到多边形区域信息，其中，所述多边形区域信息用于表征多个多边形区域的亲疏关系；

对所述多边形区域信息进行区域划分，得到所述待修正区域信息。

根据本发明的一些实施例，所述根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，包括：

根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域；

在所述目标矩形区域内对所述第二设计版图进行数据提取，得到第二设计版图切片；

在所述目标矩形区域内对所述第一掩膜版图进行数据提取，得到掩膜图形数据；

根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果。

根据本发明的一些实施例，所述根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域，包括：

根据所述区域坐标信息确定待修正区域面积；

对所述待修正区域面积进行扩大光学直径操作，得到所述目标矩形区域。

根据本发明的一些实施例，所述根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果，包括：

基于预设的光刻模型以及预配置的配方参数对所述第二设计版图切片进行修正，得到切片修正结果；

根据所述掩膜图形数据对所述切片修正结果进行图形修正，得到所述修正结果。

根据本发明的一些实施例，所述根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，包括：

根据所述区域坐标信息在所述第一掩膜版图中确定与所述修正结果对应的缝合区域；

根据所述修正结果对所述第一掩膜版图中的缝合区域进行替换，得到所述第二掩膜版图。

第二方面，本发明提供一种光学邻近修正系统，包括：

版图获取模块，用于获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；

版图比较模块，用于将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；

光学修正模块，用于根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；

数据替换模块，用于根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。

第三方面，本发明提供一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面所述的光学邻近修正方法。

第四方面，本发明提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如第一方面所述的光学邻近修正方法。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1是本发明一实施例提供的光学邻近修正方法的流程图；

图2是图1中的步骤S102的具体方法流程图；

图3是图2中的步骤S202的具体方法流程图；

图4是图1中的步骤S103的具体方法流程图；

图5是图4中的步骤S401的具体方法流程图；

图6是图4中的步骤S404的具体方法流程图；

图7是图1中的步骤S104的具体方法流程图；

图8是本发明一实施例提供的光学邻近修正系统的结构示意图；

图9是本发明一个具体示例提供的光学邻近修正方法的示例图；

图10是本发明另一个具体示例提供的光学邻近修正方法的示例图；

图11是本发明另一个具体示例提供的光学邻近修正方法的示例图；

图12是本申请实施例提供的电子设备的硬件结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

本发明提供了一种光学邻近修正方法、系统及计算机可读存储介质，首先，获取第一设计版图、第二设计版图以及对第一设计版图进行数据转换得到的第一掩膜版图，并将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，从而生成待修正区域信息，便于后续基于待修正区域信息进行修正，提高光学修正效率，实现自动比较第一设计版图与第二设计版图之间的差异，之后，根据待修正信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，从而确保芯片在光刻制造中不会出现坏点，减少光学邻近修正的时间成本，最后，根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，实现对第二设计版图的修正，并降低设计版图局部修改后重新生成掩膜图形的计算量和时间成本。

下面结合附图，对本发明实施例作进一步阐述。

参照图1，图1是本发明一个实施例提供的光学邻近修正方法的流程图，光学邻近修正方法包括但不限于步骤S101至S104。

步骤S101：获取第一设计版图、第二设计版图以及第一设计版图的第一掩膜版图；

需要说明的是，第一掩膜版图由对第一设计版图数据转换得到。

在一些实施例中，获取第一设计版图、第二设计版图以及第一设计版图的第一掩膜版图，其中，第一掩膜版图用于加工掩膜版，第一掩膜版图由对第一设计版图数据转换得到，从而便于后续对第二设计版图的修正。

需要说明的是，第一设计版图数据转换得到第一掩膜版图的过程包括但不限于包括对图层的逻辑运算、光学邻近修正等，其中，图层逻辑运算是每个图层的多边形进行加减、异或、放大缩小等运算，光学邻近修正为采用模型的方法计算修正后的掩膜图形，具体是把第一设计版图的边缘提取出来，拆成多段，每段可以自由移动，移动边缘，并在图形空隙插入辅助曝光图形，通过光学模型和光刻胶化学反应模型，来计算曝光后的模拟图形，计算模拟图形与期望图形的边缘误差，反复迭代多次，直到边缘误差小于特定值，边缘移动后的图形集合为得到的掩膜图形集合，再根据掩膜图形集合得到第一掩膜版图。

步骤S102：将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息；

需要说明的是，待修正区域信息包括区域坐标信息。

在一些实施例中，将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，从而能够实现对待修正区域的准确划分，提高修正的准确性，准确求出第一设计版图与第二设计版图之间的差异。

步骤S103：根据待修正区域信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；

在一些实施例中，根据待修正区域信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，实现在光学邻近修正的过程中，避免邻近图形的干扰。

步骤S104：根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。

在一些实施例中，根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，从而实现对版图的局部修改，降低设计版图局部修改后重新生成掩膜图形的计算量和时间成本。

参照图2，图2是图1中的步骤S102的具体方法流程图，步骤S102包括但不限于包括步骤S201至步骤S202。

步骤S201：将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，得到差异信息；

在一些实施例中，将第一设计版图与第二设计版图进行布尔异或运算，求出第一设计版图与第二设计版图之间的图形差异，得到差异信息，便于后续生成待修正区域信息。

需要说明的是，差异信息可以以几何图形数据表示，本实施例不做具体限制。

步骤S202：对差异信息进行空间聚类处理，生成待修正区域信息。

在一些实施例中，对差异信息进行空间聚类处理，生成待修正区域信息，从而准确确定需要修正的区域，避免出现修正偏差的情况。

参照图3，图3是图2中的步骤S202的具体方法流程图，步骤S202包括但不限于包括步骤S301至步骤S302。

步骤S301：基于预设的空间聚类算法对差异信息进行计算，得到多边形区域信息；

需要说明的是，多边形区域信息用于表征多个多边形区域的亲疏关系。

步骤S302：对多边形区域信息进行区域划分，得到待修正区域信息。

在一些实施例的步骤S301至步骤S302中，基于预设的空间聚类算法对差异信息进行区域划分，得到至少一个区域信息，其中，多边形区域信息用于表征多个多边形区域的亲疏关系，之后再根据多边形区域的亲疏关系对多边形区域信息进行区域划分，得到待修正区域信息，从而准确确定需要修正的区域。

需要说明的是，多边形区域信息包括多种区域信息，例如，每个矩形区域的面积、矩形边缘坐标等，待修正区域信息包括多种待修正区域的区域信息，例如，待修正区域的数量、待修正区域的坐标等，其中，待修正区域信息包括至少一个本实施例不做具体限制。

参照图4，图4是图1中的步骤S103的具体方法流程图，步骤S103包括但不限于包括步骤S401至步骤S404。

步骤S401：根据待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域；

在一些实施例中，根据待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域，其中，目标矩形区域相互不相交。

步骤S402：在目标矩形区域内对第二设计版图进行数据提取，得到第二设计版图切片；

步骤S403：在目标矩形区域内对第一掩膜版图进行数据提取，得到掩膜图形数据；

步骤S404：根据掩膜图形数据对第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到修正结果。

在一些实施例的步骤S401至步骤S404中，首先根据待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域，之后在确定的目标矩形区域内对分别对第二设计版图以及第一掩膜版图进行数据提取，得到第二设计版图切片和掩膜图形数据，从而能够根据掩膜图形数据对第二设计版图切片进行光学邻近修正，实现对第二设计版图的修正，得到修正结果，节省修正时间和修正资源。

参照图5，图5是图4中的步骤S401的具体方法流程图，步骤S401包括但不限于包括步骤S501至步骤S502。

步骤S501：根据区域坐标信息确定待修正区域面积；

在一些实施例中，根据待修正区域信息中的区域坐标信息确定待修正区域面积，从而准确划分需要修正的区域。

步骤S502：对待修正区域面积进行扩大光学直径操作，得到目标矩形区域。

在一些实施例中，由于光学邻近修正受到光刻模型的影响，在光学修正过程中，待修正区域附近一定距离范围内的图形在曝光时会对图形的成像产生影响，因此需要对带修正区域面积进行扩大光学直径操作，得到目标矩形区域，从而避免图形曝光时对图形成像的影响。

需要说明的是，超过光学直径以外的区域对图形成像的影响可以忽略不计，其中，扩大光学直径的值取决于光刻模型，例如，193nm波长的光刻，光学影响距离约1um，因此扩大光学直径的值可根据光刻模型的波长自行设置，本实施例不做具体限制。

参照图6，图6是图4中的步骤S404的具体方法流程图，步骤S404包括但不限于步骤S601-S602。

步骤S601：基于预设的光刻模型以及预配置的配方参数对第二设计版图切片进行修正，得到切片修正结果；

步骤S602：根据掩膜图形数据对切片修正结果进行图形修正，得到修正结果。

在一些实施例的步骤S601至步骤S602中，基于预设的光刻模型以及预配置的配方参数对第二设计版图切片进行修正，得到切片修正结果，之后再根据掩膜图形数据对切片修正结果进行图形修正，从而得到最终的修正结果，其中，根据光刻模型以及配方参数对第二设计版图切片进行修正的过程中，由于图形之间距离小于光学直径范围，图形在曝光时会对邻近图形的成像产生影响，需要提取目标矩形区域内的掩膜图形数据对切片修正结果进行参考，从而得到修正结果。

参照图7，图7是图1中的步骤S104的具体方法流程图，步骤S104包括但不限于步骤S701-S702。

步骤S701：根据区域坐标信息在第一掩膜版图中确定与修正结果对应的缝合区域；

步骤S702：根据修正结果对第一掩膜版图中的缝合区域进行替换，得到第二掩膜版图。

在一些实施例的步骤S701至步骤S702中，根据区域坐标信息在第一掩膜版图中确定与修正结果对应的缝合区域，从而准确确定需要进行缝合替换的区域，之后再根据修正结果对第一掩膜版图中的缝合区域进行替换，得到与第二设计版图对应的第二掩膜版图，实现对特定位置的版图进行修正，节省版图缝合替换的资源和时间，降低设计版图局部修改后重新生成掩膜图形的计算量和时间成本。

参考图8，本发明实施例还提供一种光学邻近修正系统，可以实现上述光学邻近修正方法，该系统包括：

版图获取模块801，用于获取第一设计版图、第二设计版图以及第一设计版图的第一掩膜版图，其中，第一掩膜版图由对第一设计版图数据转换得到；

版图比较模块802，用于将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，待修正区域信息包括区域坐标信息；

光学修正模块803，用于根据待修正区域信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；

数据替换模块804，用于根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。

该光学邻近修正系统的具体实施方式与上述光学邻近修正方法的具体实施例基本相同，在此不再赘述。

为了更加清楚的说明本发明实施例提供的光学邻近修正方法，下面以具体的示例进行说明。

示例一：

在半导体制造中，许多芯片工艺步骤采用光刻技术，用于这些步骤的图形“底片”称为掩膜。掩膜以图层为单位，制造掩膜的图形数据是由一层或多层设计版图数据转换而来。设计版图的每一层数据是由平面几何图形数据描述，包含了器件与布线的拓扑定义等物理信息数据。

当集成电路特征尺寸小于光刻系统光源波长时,由于光的干涉衍射效应等造成制造图形的严重失真，最终在硅片上经过光刻图形与设计图形不同，硅片表面的成像相对于原始版图出现线宽不均，线端缩短，边角圆化等光学邻近效应，因此，实际设计版图图形必须做邻近效应修正。

参考图9，图9是一个具体示例提供的光学邻近修正方法的示意图。

可以理解的是，在集成电路产品研发过程中，产品开发中的迭代或者版图中经过光刻修正和验证中发现有难以修复的坏点，可能涉及多次迭代修改版图。原始设计版图为第一设计版图，经过光学修正计算出的掩膜版图为第一掩膜版图；在第一版图基础上局部修改的版图为第二设计版图。

需要说明的是，图9中101为第一设计版图，102是经过光学邻近修正后的第一掩膜版图，其中，第一掩膜版图102需要经过曝光刻蚀后，图形才能逼近目标图形。

本实施例提供的光学邻近修正方法，利用第一设计版图及第一掩膜版图，增量修正第二设计版图，得到第二掩膜版图。具体方法如下：

步骤一：加载第一设计版图及第一掩膜版图，加载第二设计版图；

需要说明的是，第一掩膜图形是第一设计图形经过光学邻近修正技术处理后的版图数据。

步骤二：将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，将异或结果进行空间聚类，生成待修正区域坐标范围。

需要说明的是，通过对几何图形进行布尔异或操作，可以得到两组图形的差异结果，结果以多边形的形式存储，差异多边形覆盖的范围即为两个设计版图不同的区域。将上述差异多边形按照空间亲疏关系进行空间聚类，形成一个或多个不交叠的矩形区域，这些矩形区域为待修正区域。

参考图10，图10是另一个具体示例提供的光学邻近修正方法的示意图；

值得注意的是，空间聚类算法以多边形之间的边缘距离为参数，当边缘距离小于一定值的图形划分在一起，形成集合,如图10中第一多边形201和第二多边形202分别为两个图形集合中的两个图形，取图形集合中的第一多边形201的最小外接矩形，构成一个矩形区域203，矩形区域203覆盖范围为待修正区域。

参考图11，图11是另一个具体示例提供的光学邻近修正方法的示意图；

需要说明的是，差异多边形构成的区域可能是异性结构，例如，图11中差异多边形301覆盖的范围是L型，若最小外接矩形的覆盖面积超过特定数值，同时差异多边形覆盖的范围远小于最小外接矩形，可用多个外接矩形，即，第一外接矩形302及第二外接矩形303覆盖差异多边形，第一外接矩形302及第二外接矩形303为待修正区域；进一步地，多个差异多边形通过空间聚类后的多边形集合，其覆盖区域近似L型，也采用上述方法处理。

步骤三：根据待修正区域扩大光学直径距离提取第二设计版图切片，并进行OPC修正。

可以理解的是，光学邻近修正中使用光学直径来定量描述邻近的这个范围，即附近多少距离范围内的图形在曝光时会对图形的成像产生影响。超过光学直径以外的区域对图形成像的影响可以忽略不计。计算待修正区域时，按照待修正区域切片第二设计版图时，需要将受光学作用距离影响的邻近图形一并选出进行OPC计算。

步骤四：提取待修正区域的OPC结果按照空间坐标位置缝合替换到第一掩膜版图中。所有待修正区域按照上述步骤处理后，得到第二掩膜版图。

本申请实施例还提供了一种电子设备，电子设备包括：存储器、处理器、存储在存储器上并可在处理器上运行的程序以及用于实现处理器和存储器之间的连接通信的数据总线，程序被处理器执行时实现上述的光学邻近修正方法。该电子设备可以为包括平板电脑、车载电脑等任意智能终端。

请参阅图12，图12示意了另一实施例的电子设备的硬件结构，电子设备包括：

处理器901，可以采用通用的CPU(Centra l Process ing Un it，中央处理器)、微处理器、应用专用集成电路(App l icat ion Speci ficI ntegrated Ci rcu it，ASIC)、或者一个或多个集成电路等方式实现，用于执行相关程序，以实现本申请实施例所提供的技术方案；

存储器902，可以采用只读存储器(Read On ly Memory，ROM)、静态存储设备、动态存储设备或者随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)等形式实现。存储器902可以存储操作系统和其他应用程序，在通过软件或者固件来实现本说明书实施例所提供的技术方案时，相关的程序代码保存在存储器902中，并由处理器901来调用执行本申请实施例的的光学邻近修正方法；

输入/输出接口903，用于实现信息输入及输出；

通信接口904，用于实现本设备与其他设备的通信交互，可以通过有线方式(例如USB、网线等)实现通信，也可以通过无线方式(例如移动网络、WI FI、蓝牙等)实现通信；

总线905，在设备的各个组件(例如处理器901、存储器902、输入/输出接口903和通信接口904)之间传输信息；

其中处理器901、存储器902、输入/输出接口903和通信接口904通过总线905实现彼此之间在设备内部的通信连接。

此外，本发明的一个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个处理器或控制器执行，例如，被上述系统实施例中的一个处理器执行，可使得上述处理器执行上述实施例中的光学邻近修正方法。

本申请实施例描述的实施例是为了更加清楚的说明本申请实施例的技术方案，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的限定，本领域技术人员可知，随着技术的演变和新应用场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

本领域技术人员可以理解的是，图1-7中示出的技术方案并不构成对本申请实施例的限定，可以包括比图示更多或更少的步骤，或者组合某些步骤，或者不同的步骤。

以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、设备中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。

本申请的说明书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应当理解，在本申请中，“至少一个(项)”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：只存在A，只存在B以及同时存在A和B三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，“a和b”，“a和c”，“b和c”，或“a和b和c”，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，例如，上述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，系统或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括多指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例的方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-On ly Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序的介质。

以上参照附图说明了本申请实施例的优选实施例，并非因此局限本申请实施例的权利范围。本领域技术人员不脱离本申请实施例的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本申请实施例的权利范围之内。

Claims (10)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，所述方法包括：

获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；

将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；

根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；

根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，包括：

将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，得到差异信息；

对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息。

3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息，包括：

基于预设的空间聚类算法对所述差异信息进行计算，得到多边形区域信息，其中，所述多边形区域信息用于表征多个多边形区域的亲疏关系；

对所述多边形区域信息进行区域划分，得到所述待修正区域信息。

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，包括：

根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域；

在所述目标矩形区域内对所述第二设计版图进行数据提取，得到第二设计版图切片；

在所述目标矩形区域内对所述第一掩膜版图进行数据提取，得到掩膜图形数据；

根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果。

5.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域，包括：

根据所述区域坐标信息确定待修正区域面积；

对所述待修正区域面积进行扩大光学直径操作，得到所述目标矩形区域。

6.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果，包括：

基于预设的光刻模型以及预配置的配方参数对所述第二设计版图切片进行修正，得到切片修正结果；

根据所述掩膜图形数据对所述切片修正结果进行图形修正，得到所述修正结果。

7.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，包括：

根据所述区域坐标信息在所述第一掩膜版图中确定与所述修正结果对应的缝合区域；

根据所述修正结果对所述第一掩膜版图中的缝合区域进行替换，得到所述第二掩膜版图。

8.一种光学邻近修正系统，其特征在于，包括：

版图获取模块，用于获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；

版图比较模块，用于将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；

光学修正模块，用于根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；

数据替换模块，用于根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7任一项所述的光学邻近修正方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至7任意一项所述的光学邻近修正方法。

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