CN117111400B - 光学邻近修正方法及系统 - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 90
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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Abstract
本申请涉及一种光学邻近修正方法及系统,方法包括:获取初始版图图形,其包括至少一个目标边,并在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条;其中,第一方向与目标边的延伸方向垂直,散射条的延伸方向与目标边的延伸方向相同;通过设计规则检查语法检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条;若否,则检测目标区域内是否具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条;若否,则检测离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;若位于预设冲突距离之内,则判定散射条的添加无遗漏;反之,则判定有遗漏。上述方法能够提高检测的准确度及光学邻近修正的效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造集成电路领域,特别是涉及一种光学邻近修正方法及系统。
背景技术
随着集成电路器件工艺节点的不断缩小,图形特征尺寸越来越小,在光学邻近修正(Optical Proximity Correction,简称OPC)处理中,利用亚分辨率辅助图形技术(Sub-Resolution Assist Feature,简称SRAF)在掩膜图形中图形稀疏区域内插入亚分辨率辅助图形,即散射条(Scattering Bar,简称SB),使得图形稀疏区域具有图形密集区域的特性。散射条已经广泛应用于小技术节点的关键层次出版过程中,其本身不会在硅片上成像,通过对部分工艺窗口偏小图形添加合适的光学散射条,从而提高焦深和所有图形的共同工艺窗口。
然而,在光学邻近修正的流程中,不能完全检查出散射条的添加是否遗漏,且检查过程耗时成本较高,从而影响工艺良率及效率。因此,如何优化散射条的添加过程是亟需解决的问题。
发明内容
基于此,有必要针对上述背景技术中的问题,提供一种光学邻近修正方法及系统,以提高散射条添加的准确率,从而优化光学邻近修正的流程,提高光学邻近修正的良率及效率。
为实现上述目的及其他相关目的,本申请的一方面提供了一种光学邻近修正方法,包括:获取初始版图图形,初始版图图形包括至少一个目标边,并在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条;其中,第一方向与目标边的延伸方向垂直,散射条的延伸方向与目标边的延伸方向相同;通过设计规则检查语法检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条;若否,则检测目标区域内是否具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条;若否,则检测离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;若最小距离位于预设冲突距离之内,则判定散射条的添加无遗漏;反之,则判定散射条的添加有遗漏。
于上述实施例中的光学邻近修正方法中,在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条之后,接着检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条,从而能够检测出散射条的添加状况,当不具有与目标边对应的散射条时,就检测是否因目标区域内有其他的散射条,而导致新的散射条会与其他散射条重叠而无法添加;若目标区域内无其他散射条,则检测是否因邻近的散射条与目标区域的距离太近,而导致新的散射条会与其他散射条发生冲突而无法添加;若邻近的散射条与目标区域的距离太近,并位于预设冲突距离之内,则本次的散射条添加被判定为无遗漏,反之,则本次散射条的添加被判定为有遗漏。上述光学邻近修正方法中,本申请意想不到的效果是,通过在散射条添加之后,对目标区域及其附近的散射条存在状态进行三次不同的排查过程,从而能够准确判断与目标边对应的散射条是否有遗漏。在相关技术中,普遍在散射条添加之后就对初始版图图形进行光学邻近修正,在整体修正过程结束后,通过散射条添加与否会影响到光刻工艺窗口的原理对散射条是否遗漏进行间接检测,从而基于光学邻近修正的程式来检查随着工艺变化所导致的光学邻近修正结果的变化范围,通过结果的变化范围能够检查散射条的遗漏与否,但此方法的检测结果准确度较低,不能够完全检测出散射条遗漏的位置,且当检测出散射条遗漏后,还需重新进行光学邻近修正,浪费了大量的时间及修正成本。本申请提供的光学邻近修正方法中,通过在散射条添加后,直接检测其是否遗漏,并通过三次不同的检测过程提高了检测的准确度,节省了多次光学邻近修正所占用的时间,从而提高了光学邻近修正的良率及效率。
在其中一些实施例中,当目标区域内具有与目标边对应的散射条时,则判定散射条的添加无遗漏。
在其中一些实施例中,当目标区域内具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条时,则判定散射条的添加无遗漏。
在其中一些实施例中,在判定散射条的添加有遗漏之后,进行如下步骤:在遗漏散射条所对应的目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条。
在其中一些实施例中,目标区域为目标边从所在位置开始,沿第一方向远离初始版图图形的一侧,移动到与目标边的初始位置具有目标距离的位置结束,所覆盖的区域。
在其中一些实施例中,在判定散射条的添加无遗漏之后,进行如下步骤:对初始版图图形进行光学邻近修正,以获得目标图形。
在其中一些实施例中,在遗漏散射条所对应的目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条之后,进行如下步骤:通过设计规则检查语法再次检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条。
在其中一些实施例中,预设冲突距离为任意两个散射条之间的最小容忍距离。
本申请的另一方面提供一种光学邻近修正系统,包括:图形获取模块、散射条添加模块、第一检测模块、第二检测模块、第三检测模块及结果模块。其中,图形获取模块用于获取初始版图图形,初始版图图形包括至少一个目标边;散射条添加模块与图形获取模块连接,用于在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条;其中,第一方向与目标边的延伸方向垂直,散射条的延伸方向与目标边的延伸方向相同;第一检测模块与散射条添加模块连接,用于通过设计规则检查语法检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条;第二检测模块与第一检测模块连接,用于当目标区域内不具有与目标边对应的散射条时,检测目标区域内是否具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条;第三检测模块与第二检测模块连接,用于当目标区域内不具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条时,检测离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;结果模块与第三检测模块连接,用于当最小距离位于预设冲突距离之内时,判定散射条的添加无遗漏;反之,则判定散射条的添加有遗漏。
于上述实施例中的光学邻近修正系统中,在散射条添加模块于目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条之后,第一检测模块能够检测出散射条的添加状况;第二检测模块能够检测是否因目标区域内有其他的散射条,而导致新的散射条会与其他散射条重叠而无法添加;第三检测模块能够检测是否因邻近的散射条与目标区域的距离太近,而导致新的散射条会与其他散射条发生冲突而无法添加。上述光学邻近修正方法中,本申请意想不到的效果是,通过在散射条添加之后,第一检测模块、第二检测模块及第三检测模块对目标区域及其附近的散射条存在状态进行三次不同的排查过程,从而能够准确判断与目标边对应的散射条是否有遗漏;因此,本申请避免了相关技术中对散射条是否遗漏进行间接检测的检测结果准确度较低、浪费大量的时间及修正成本等问题;本申请提供的光学邻近修正方法中,通过第一检测模块、第二检测模块及第三检测模块直接检测散射条是否遗漏,提高了检测的准确度,节省了多次光学邻近修正所占用的时间,从而提高了光学邻近修正的良率及效率。
在其中一些实施例中,光学邻近修正系统还包括补充模块,其与结果模块连接,用于在判定散射条的添加有遗漏之后,在遗漏散射条所对应的目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条。
附图说明
为了更好地描述和说明这里公开的那些申请的实施例和/或示例,可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的申请、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些申请的最佳模式中的任何一者的范围的限制。
图1显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正方法的流程示意图;
图2显示为本申请另一实施例中提供的一种光学邻近修正方法的流程示意图;
图3显示为本申请又一实施例中提供的一种光学邻近修正方法的流程示意图;
图4显示为本申请一实施例中提供的一种初始版图图形与其目标边对应的散射条的位置示意图;
图5显示为本申请一实施例中提供的一种光学邻近修正系统的连接关系的示意图;
图6显示为本申请另一实施例中提供的一种光学邻近修正系统的连接关系的示意图。
附图标记说明:
10、初始版图图形;101、目标边;11、散射条;12、目标区域;21、图形获取模块;22、散射条添加模块;30、第一检测模块;40、第二检测模块;50、第三检测模块;60、结果模块;d、目标边与散射条的距离;s、目标距离;w、散射条的宽度。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参考相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本申请教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样,可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此,本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状,而是包括由于例如制造导致的形状偏差,图中显示的区实质上是示意性的,它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本申请的范围。
请参阅图1-图6。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想,虽图示中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
由于图形特征尺寸越来越小,其所容许的尺寸误差范围也越小,对应的工艺条件浮动范围也越小,半导体光刻制程中微影成像的工艺窗口越来越受重视。然而,工艺机台所能达到的控制工艺条件浮动范围并没有明显提高,因此,提高图形转移过程中的所有图形的共同工艺窗口就尤为重要。目前,普遍采用亚分辨率辅助图形技术,其被广泛应用于小技术节点以下的关键层次OPC出版过程中,亚分辨率辅助图形技术的原理是在掩膜图形中图形稀疏区域内插入亚分辨率辅助图形,即散射条,使得图形稀疏区域具有图形密集区域的特性,从而提高焦深和增加工艺窗口。
目前,在相关技术中,普遍采用的光学邻近修正过程为:获取版图文件后对版图图形进行添加散射条的处理,然后对添加完散射条的版图图形进行光学邻近修正,最后对修正后的版图图形进行结果验证,以检查出修正产生的问题或散射条有没有遗漏。如果发现散射条添加的有遗漏,则需要重新添加散射条,再重新进行光学邻近修正;如果散射条添加没有遗漏,光学邻近修正产生问题,则需要重新进行修正,直到结果验证后没有发现问题,修正过程结束。
然而,随着节点的逐步推进,版图图形变得越来越密集,上述使用对结果验证的方法来检查散射条有没有遗漏是通过间接方法来进行检查,其原理为:散射条的添加与否会影响到光刻工艺窗口(Process Window,简称PW),所以在光学邻近修正的检查程式里面会包括检查随着工艺变化所导致的修正结果的变化范围(Process Variation band,简称PVband),若某处的PV band越大,则说明此处对工艺过程发生的变化越敏感,而没有添加散射条的位置通常也会对变化敏感,因此,可以利用上述方法间接检查到散射条有没有遗漏。但是由于PV band的具体范围无法准确界定,导致上述方法不能完全检查出散射条有没有遗漏,检测的准确性较低。另外,即使检查出了散射条有遗漏,也要重新进行光学邻近修正,光学邻近修正是整个修正过程中花费时间最长的一步,且随着节点的逐步推进,计算难度逐级增加,光学邻近修正的运行时间也随之大幅增长,因此,重复的工作会导致浪费大量时间。
基于上述背景技术中的问题,本申请提供一种光学邻近修正方法及系统,以提高散射条添加的准确率,从而优化光学邻近修正的流程,提高光学邻近修正的良率及效率,进而推进芯片研发进度。
作为示例,请参阅图1,本申请的一方面提供了一种光学邻近修正方法,包括:
步骤S2:获取初始版图图形,初始版图图形包括至少一个目标边,并在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条;其中,第一方向与目标边的延伸方向垂直,散射条的延伸方向与目标边的延伸方向相同;
步骤S4:通过设计规则检查语法检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条;
步骤S6:若否,则检测目标区域内是否具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条;
步骤S8:若否,则检测离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;
步骤S10’:若最小距离位于预设冲突距离之内,则判定散射条的添加无遗漏;
步骤S10:反之,则判定散射条的添加有遗漏。
于上述实施例中的光学邻近修正方法中,在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条之后,接着检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条,从而能够检测出散射条的添加状况,当不具有与目标边对应的散射条时,就检测是否因目标区域内有其他的散射条,而导致新的散射条会与其他散射条重叠而无法添加;若目标区域内无其他散射条,则检测是否因邻近的散射条与目标区域的距离太近,而导致新的散射条会与其他散射条发生冲突而无法添加;若邻近的散射条与目标区域的距离太近,并位于预设冲突距离之内,则本次的散射条添加被判定为无遗漏,反之,则本次散射条的添加被判定为有遗漏。上述光学邻近修正方法中,本申请意想不到的效果是,通过在散射条添加之后,对目标区域及其附近的散射条存在状态进行三次不同的排查过程,从而能够准确判断与目标边对应的散射条是否有遗漏。在相关技术中,普遍在散射条添加之后就对初始版图图形进行光学邻近修正,在整体修正过程结束后,通过散射条添加与否会影响到光刻工艺窗口的原理对散射条是否遗漏进行间接检测,从而基于光学邻近修正的程式来检查随着工艺变化所导致的光学邻近修正结果的变化范围,通过结果的变化范围能够检查散射条的遗漏与否,但此方法的检测结果准确度较低,不能够完全检测出散射条遗漏的位置,且当检测出散射条遗漏后,还需重新进行光学邻近修正,浪费了大量的时间及修正成本。本申请提供的光学邻近修正方法中,通过在散射条添加后,直接检测其是否遗漏,并通过三次不同的检测过程提高了检测的准确度,节省了多次光学邻近修正所占用的时间,从而提高了光学邻近修正的良率及效率。
作为示例,请参阅图1中的步骤S2,在步骤S2中,初始版图图形为还未进行光学邻近修正且至少未对目标边添加散射条的版图文件。其中,一个初始版图图形中,目标边可以有一条、两条或多条。
作为示例,请参阅图1中的步骤S4,在步骤S4中,检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条。由于在步骤S2中,虽然对应的程序执行了添加散射条的命令,但在实际制程中,散射条的添加并不是完全成功的,因此,此步骤在添加完散射条之后,立即进行检测,以避免在光学邻近修正之后的检查程序中才发现散射条遗漏的问题,以节省工艺步骤及成本。
作为示例,请参阅图2,当步骤S4之后,检测到目标区域内具有与目标边对应的散射条时,则执行步骤S10’判定散射条的添加无遗漏的步骤。在执行了步骤S10’后,对初始版图文件添加散射条的步骤即为合格,无需进一步执行其他与散射条有关的命令,在后续对光学邻近修正过程进行检验时也无需检查散射条添加状况,因此,节省了后续制程的时间成本。
作为示例,请参阅图2中的步骤S6,在步骤S6中,当目标区域内不具有与目标边对应的散射条时,不能直接判断为散射条有遗漏,因为在实际制程中,若散射条之间可能会发生交叠或距离过近等冲突情况,散射条的遗漏是被允许的,因此,此步骤的检测能够进一步排查散射条的遗漏状况。
作为示例,请继续参阅图2,当步骤S6之后,目标区域内具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条时,则执行步骤S10’判定散射条的添加无遗漏的步骤。与上述实施例相同,在执行了步骤S10’后,对初始版图文件添加散射条的步骤即为合格。
作为示例,请参阅图2中的步骤S8、S10,在步骤S8、S10中,若目标区域内无其他散射条,则还要确保离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离是否位于冲突距离之外,若位于冲突距离之内,则说明散射条会发生冲突,则此种情况下散射条的遗漏也是被允许的,反之,当排除了上述多个步骤的情况之后,则散射条的添加在此时可被判定为有遗漏。因此,散射条的遗漏情况能够立即被发现并及时补救。
作为示例,预设冲突距离为任意两个散射条之间的最小容忍距离,即当离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离达到预设冲突距离,则表示目标边对应的散射条与离目标区域最近的散射条的距离位于最小容忍距离之内,此时目标边对应的散射条的遗漏是被允许的。
作为示例,请参阅图3,在步骤S10中判定散射条的添加有遗漏之后,进行如下步骤:
步骤S12:在遗漏散射条所对应的目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条。
作为示例,在步骤S12添加散射条之后,进行如下步骤:通过设计规则检查语法再次检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条;即再从步骤S4开始进行检测,直到判定散射条的添加无遗漏为止,再对初始版图文件进行光学邻近修正的步骤,以防止由于散射条添加遗漏的问题而导致修正结果出现失误。
作为示例,请继续参阅图3,在步骤S4、步骤S6、步骤S8、步骤S10及步骤S10’中,可以采用设计规则检查(Design Rule Check,简称DRC)语法进行检测,以直接检查有没有遗漏与目标边对应的散射条。
作为示例,请参阅图4,可以采用设计规则检查语法,检测目标区域12内是否具有与初始版图图形10中的目标边101对应的散射条11,其中,目标区域12为目标边101从所在位置开始,沿第一方向远离初始版图图形10的一侧,移动到与目标边101的初始位置具有目标距离s的位置结束,所覆盖的区域。
作为示例,请继续参阅图4,目标距离s为目标边101与散射条11的距离d与散射条11的宽度w的和。
作为示例,在步骤S10’中判定散射条的添加无遗漏之后,进行如下步骤:
步骤S14:对初始版图图形进行光学邻近修正,以获得目标图形。
在步骤S14中,对初始版图图形进行光学邻近修正后,对修正结果进行检查时,若结果有误差,由于在此前已对散射条的添加状况进行了检测并校正,因此,可以省略相关技术中对散射条的添加状况进行检查的步骤,并仅对修正过程进行检测即可,省略了由于散射条添加失误而导致重新进行光学邻近修正的步骤,进而节省了工艺制程及成本。应该理解的是,除非本文中有明确的说明,本申请图1-图3中所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图1-图3中所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
作为示例,请参阅图5,本申请的另一方面提供一种光学邻近修正系统,包括:图形获取模块21、散射条添加模块22、第一检测模块30、第二检测模块40、第三检测模块50及结果模块60。其中,图形获取模块21用于获取初始版图图形,初始版图图形包括至少一个目标边;散射条添加模块22与图形获取模块21连接,用于在目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条;其中,第一方向与目标边的延伸方向垂直,散射条的延伸方向与目标边的延伸方向相同;第一检测模块30与散射条添加模块22连接,用于通过设计规则检查语法检测与初始版图图形邻接且共用目标边的目标区域内是否具有与目标边对应的散射条;第二检测模块40与第一检测模块30连接,用于当目标区域内不具有与目标边对应的散射条时,检测目标区域内是否具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条;第三检测模块50与第二检测模块40连接,用于当目标区域内不具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条时,检测离目标区域最近的散射条与目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;结果模块60与第三检测模块50连接,用于当最小距离位于预设冲突距离之内时,判定散射条的添加无遗漏;反之,则判定散射条的添加有遗漏。
于上述实施例中的光学邻近修正系统中,在散射条添加模块22于目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条之后,第一检测模块30能够检测出散射条的添加状况;第二检测模块40能够检测是否因目标区域内有其他的散射条,而导致新的散射条会与其他散射条重叠而无法添加;第三检测模块50能够检测是否因邻近的散射条与目标区域的距离太近,而导致新的散射条会与其他散射条发生冲突而无法添加。上述光学邻近修正方法中,本申请意想不到的效果是,通过在散射条添加之后,第一检测模块30、第二检测模块40及第三检测模块50对目标区域及其附近的散射条存在状态进行三次不同的排查过程,从而能够准确判断与目标边对应的散射条是否有遗漏;因此,本申请避免了相关技术中对散射条是否遗漏进行间接检测的检测结果准确度较低、浪费大量的时间及修正成本等问题;本申请提供的光学邻近修正方法中,通过第一检测模块30、第二检测模块40及第三检测模块50直接检测散射条是否遗漏,提高了检测的准确度,节省了多次光学邻近修正所占用的时间,从而提高了光学邻近修正的良率及效率。
作为示例,请参阅图6,结果模块60还用于当检测到第一检测模块30中目标区域内具有与目标边对应的散射条时,则执行判定散射条的添加无遗漏的步骤。在执行了判定散射条的添加无遗漏的步骤后,对初始版图文件添加散射条的步骤即为合格,无需进一步执行其他与散射条有关的命令,在后续对光学邻近修正过程进行检验时也无需检查散射条添加状况,因此,节省了后续制程的时间成本。
作为示例,请继续参阅图6,结果模块60还用于当检测到第二检测模块40中目标区域内具有除了与目标边对应的散射条之外的散射条时,则执行判定散射条的添加无遗漏的步骤。与上述实施例相同,在执行了判定散射条的添加无遗漏的步骤后,对初始版图文件添加散射条的步骤即为合格。
作为示例,请继续参阅图6,光学邻近修正系统还包括补充模块,其与结果模块60连接,用于在判定散射条的添加有遗漏之后,在遗漏散射条所对应的目标边沿第一方向远离初始版图图形的一侧添加散射条。
作为示例,补充模块还可以与第一检测模块30连接,第一检测模块30、第二检测模块40、第三检测模块50及结果模块60还用于在补充模块中添加散射条后,对其添加状况进行再次检测,直到判定散射条的添加无遗漏为止,再对初始版图文件进行光学邻近修正的步骤,以防止由于散射条添加遗漏的问题而导致修正结果出现失误。
作为示例,本申请的又一方面提供一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器存储有计算机程序,处理器执行计算机程序时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
作为示例,本申请的再一方面提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现本申请实施例中任一项所述的方法的步骤。
作为示例,本申请还提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述方法中任一项所述的方法的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性、易失性存储器或其组合。非易失性存储器可以包括只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magneto resistive Random Access Memory,MRAM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory,PCM)或石墨烯存储器等。易失性存储器可以包括随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限,RAM可以是多种形式,比如静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory,SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可以包括关系型数据库、非关系型数据库或其组合。非关系型数据库可以包括基于区块链的分布式数据库等,不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可以为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器或基于量子计算的数据处理逻辑器等,不限于此。
于上述光学邻近修正方法及系统中,提供了能够直接检查散射条有没有遗漏的流程,避免了通常只是凭有经验的工程师用肉眼检查或者是在光学邻近修正后检查的结果出现失误的情况,本申请对散射条添加状况检查结果更为准确;并且,由于使用了DRC基础语法,能够直接对目标区域内的散射条进行检查,准确性更高,另外,DRC基础语法中未涉及模型仿真计算,所以效率更高,能够减少不必要的修正流程,缩短光学邻近修正的时间,进而加快研发进度。
请注意,上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本申请的限制。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,所述方法包括:
获取初始版图图形,所述初始版图图形包括至少一个目标边,并在所述目标边沿第一方向远离所述初始版图图形的一侧添加散射条;其中,所述第一方向与所述目标边的延伸方向垂直,所述散射条的延伸方向与所述目标边的延伸方向相同;
通过设计规则检查语法检测与所述初始版图图形邻接且共用所述目标边的目标区域内是否具有与所述目标边对应的散射条;
若否,则检测所述目标区域内是否具有除了与所述目标边对应的散射条之外的散射条;
若否,则检测离所述目标区域最近的散射条与所述目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;
若所述最小距离位于所述预设冲突距离之内,则判定所述散射条的添加无遗漏;
当所述目标区域内具有与所述目标边对应的散射条时,则判定所述散射条的添加无遗漏;
当所述目标区域内具有除了与所述目标边对应的散射条之外的散射条时,则判定所述散射条的添加无遗漏。
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述初始版图图形为还未进行光学邻近修正且至少未对目标边添加散射条的版图文件。
3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述检测与所述初始版图图形邻接且共用所述目标边的目标区域内是否具有与所述目标边对应的散射条的步骤,包括:
在添加完散射条之后,立即进行所述检测。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光学邻近修正方法,其特征在于,在判定所述散射条的添加有遗漏之后,进行如下步骤:
在遗漏所述散射条所对应的目标边沿所述第一方向远离所述初始版图图形的一侧添加散射条。
5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述目标区域为所述目标边从所在位置开始,沿所述第一方向远离所述初始版图图形的一侧,移动到与所述目标边的初始位置具有目标距离的位置结束,所覆盖的区域。
6.根据权利要求1-3任一项所述的光学邻近修正方法,其特征在于,在判定所述散射条的添加无遗漏之后,进行如下步骤:
对所述初始版图图形进行光学邻近修正,以获得目标图形。
7.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法,其特征在于,在遗漏所述散射条所对应的目标边沿所述第一方向远离所述初始版图图形的一侧添加所述散射条之后,进行如下步骤:
通过设计规则检查语法再次检测与所述初始版图图形邻接且共用所述目标边的目标区域内是否具有与所述目标边对应的散射条。
8.根据权利要求1-3任一项所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述预设冲突距离为任意两个所述散射条之间的最小容忍距离。
9.一种光学邻近修正系统,其特征在于,包括:
图形获取模块,用于获取初始版图图形,所述初始版图图形包括至少一个目标边,
散射条添加模块,与所述图形获取模块连接,用于在所述目标边沿第一方向远离所述初始版图图形的一侧添加散射条;其中,所述第一方向与所述目标边的延伸方向垂直,所述散射条的延伸方向与所述目标边的延伸方向相同;
第一检测模块,与所述散射条添加模块连接,用于通过设计规则检查语法检测与所述初始版图图形邻接且共用所述目标边的目标区域内是否具有与所述目标边对应的散射条;
第二检测模块,与所述第一检测模块连接,用于当所述目标区域内不具有与所述目标边对应的散射条时,检测所述目标区域内是否具有除了与所述目标边对应的散射条之外的散射条;
第三检测模块,与所述第二检测模块连接,用于当所述目标区域内不具有除了与所述目标边对应的散射条之外的散射条时,检测离所述目标区域最近的散射条与所述目标区域的最小距离是否达到预设冲突距离;
结果模块,与所述第三检测模块连接,用于当所述最小距离位于所述预设冲突距离之内时,判定所述散射条的添加无遗漏;所述结果模块还用于
当所述目标区域内具有与所述目标边对应的散射条时,则判定所述散射条的添加无遗漏;
当所述目标区域内具有除了与所述目标边对应的散射条之外的散射条时,则判定所述散射条的添加无遗漏。
10.根据权利要求9所述的光学邻近修正系统,其特征在于,还包括:
补充模块,与所述结果模块连接,用于在判定所述散射条的添加有遗漏之后,在遗漏所述散射条所对应的目标边沿所述第一方向远离所述初始版图图形的一侧添加散射条。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311388432.XA CN117111400B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 光学邻近修正方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311388432.XA CN117111400B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 光学邻近修正方法及系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117111400A CN117111400A (zh) | 2023-11-24 |
CN117111400B true CN117111400B (zh) | 2024-02-20 |
Family
ID=88809664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311388432.XA Active CN117111400B (zh) | 2023-10-25 | 2023-10-25 | 光学邻近修正方法及系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117111400B (zh) |
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---|---|
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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