CN101458448A - 光学近距修正及制作光掩模版的方法 - Google Patents

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Abstract

一种光学近距修正的方法，包括：将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边......第N分割边；分别对第一分割边......第N分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正。本发明降低了制作光掩模版的时间，提高了效率。

Description

光学近距修正及制作光掩模版的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及光学近距修正(OPC，OpticalProximity Correction)及制作光掩模版的方法。
背景技术
随着半导体制造技术的飞速发展，为了半导体器件达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高，则半导体器件的临界尺寸(CD，Critical Dimension)越小。
为了实现微小的CD，必须使光掩模版上更加精细的图像聚焦在半导体衬底的光刻胶上，并且必须增强光学分辨率，以制造接近光掩模工艺中光学分辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括利用短波长光源、相移掩模方法和利用轴外照射(OAI，Off-Axis Illumination)的方法。申请号为02131645.7的中国专利申请公开了一种轴外照射方法，理论上讲，在利用OAI的情况下，分辨率大约比利用传统照射时的分辨率高约1.5倍，并且能够增强聚焦深度(DOF，depth of focus)。通过OAI技术，由光学系统印制在半导体衬底上CD的最小空间周期可以被进一步缩短，但是会产生光学近距效应(OPE，Optical Proximity Effect)。光学近距效应源于当光掩模上节距非常靠近的电路图形以微影方式转移到半导体衬底的光刻胶上时，由于相邻图形的光波互相作用，亦即干涉，而造成最后转移到光刻胶上的图形扭曲失真，产生依图形形状而定的变动。在深亚微米器件中，由于电路图形非常密集，光学近距效应会降低光学系统对于曝光图形的分辨率。
现行的半导体器件制作工艺均是先利用计算机系统来对布局电路图形进行光学近距修正以消除光学近距效应，然后再依据修正过的布局电路图形制作电路图形，形成于光掩模版上。如图1所示，在布局电路图形100的各边上形成分割点W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8、W9、W10，将各边分成长度接近曝光工艺临界尺寸的分割边，其中分割点W1和W2之间的是第一分割边U1，分割点W2和W3之间的是第二分割边U2，分割点W3和W4之间的是第三分割边U3，分割点W4和W5之间的是第四分割边U4，分割点W5和W6之间的是第五分割边U5，分割点W6和W7之间的是第六分割边U6，分割点W7和W8之间的是第七分割边U7，分割点W8和W9之间的是第八分割边U8，分割点W9和W10之间的是第九分割边U9，分割点W10和W1之间的是第十分割边U10。
在第一分割边U1上选取第一评估点S1，其中第一评估点S1位于第一分割边中间点±第一分割边长10％；用OPC模型对第一评估点S1进行光强计算，如果第一评估点S1上的光强值正好等于与具体工艺相关的光强阈值，就不需要移动第一分割边U1，将第一分割边U1视为第一边一次修正边U11，所述光强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量；而当评估点S1光强值小于光强阈值，那么就需要将第一分割边U1向外移动，形成第一边一次修正边U11；评估点S1光强值大于光强阈值，那么就需要将第一分割边U1向内移动，形成第一边一次修正边U11；计算第一边一次修正边U11的边缘设置误差(EPE)，所述边缘设置误差为晶圆上实际电路图形的临界尺寸与在计算机运用光学临近修正模型模拟出的电路图形临界尺寸的误差。
用上述方法，在第二分割边U2选取第一评估点S2后进行光强计算，形成第二边一次修正边U12，计算第二边一次修正边U12的边缘设置误差；在第三分割边U3选取第一评估点S3后进行光强计算，形成第三边一次修正边U13，计算第三边一次修正边U13的边缘设置误差；在第四分割边U4选取第一评估点S4后进行光强计算，形成第四边一次修正边U14，计算第四边一次修正边U14的边缘设置误差；在第五分割边U5选取第一评估点S5后进行光强计算，形成第五边一次修正边U15，计算第五边一次修正边U15的边缘设置误差；在第六分割边U6选取第一评估点S6后进行光强计算，形成第六边一次修正边U16，计算第六边一次修正边U16的边缘设置误差；在第七分割边U7选取第一评估点S7后进行光强计算，形成第七边一次修正边U17，计算第七边一次修正边U17的边缘设置误差；在第八分割边U8选取第一评估点S8后进行光强计算，形成第八边一次修正边U18，计算第八边一次修正边U18的边缘设置误差；在第九分割边U9选取第一评估点S9后进行光强计算，形成第九边一次修正边U19，计算第九边一次修正边U19的边缘设置误差；在第十分割边U10选取第一评估点S10后进行光强计算，形成第十边一次修正边U20，计算第十边一次修正边U20的边缘设置误差。
如图2所示，对各一次修正边的边缘设置误差进行比较，无论相邻一次修正边的边缘设置误差的差值是否小于等于预定值(0～5纳米)，对每条第一次修正边都进行进一步修正；首先在第一边一次修正边U11上选取第二评估点S11，所述第二评估点S11位于第一边一次修正边U11中间点±第一边一次修正边U11长度10％，用OPC模型对第二评估点S11进行光强计算，并将光强值与光强阈值比较，通过比较结果移动第一边一次修正边U11，形成第一边二次修正边U21，计算第一边二次修正边U21的边缘设置误差；在第二边一次修正边U12选取第二评估点S12后进行光强计算，形成第二边二次修正边U22，计算第二边二次修正边U22的边缘设置误差；在第三边一次修正边U13选取第二评估点S13后进行光强计算，形成第三边二次修正边U23，计算第三边二次修正边U23的边缘设置误差；在第四边一次修正边U14选取第二评估点S14后进行光强计算，形成第四边二次修正边U24，计算第四边二次修正边U24的边缘设置误差；在第五边一次修正边U15选取第二评估点S15后进行光强计算，形成第五边二次修正边U25，计算第五边二次修正边U25的边缘设置误差；在第六边一次修正边U16选取第二评估点S16，后进行光强计算，形成第六边二次修正边U26，计算第六边二次修正边U26的边缘设置误差；在第七边一次修正边U17选取第二评估点S17后进行光强计算，形成第七边二次修正边U27，计算第七边二次修正边U27的边缘设置误差；在第八边一次修正边U18选取第二评估点S18后进行光强计算，形成第八边二次修正边U28，计算第八边二次修正边U28的边缘设置误差；在第九边一次修正边U19选取第二评估点S19后进行光强计算，形成第九边二次修正边U29，计算第九边二次修正边U29的边缘设置误差；在第十边一次修正边U20选取第二评估点S20后进行光强计算，形成第十边二次修正边U30，计算第十边二次修正边U30的边缘设置误差。
循环上述图2步骤，直至修正至预定次数，即大概循环6～8次，结束修正。
然后，将修正后的布局电路图形的按照每条修正边一个一个片断转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。
现有技术由于对每条分割边进行多次修正后，形成对应的修正边，然后将每条修正边分别转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。因此转移布局电路图形至光掩模版上花费时间长。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种光学近距修正及制作光掩模版的方法，节省将布局电路图形转移至光掩模版上的时间。
为解决上述问题，本发明提供一种光学近距修正的方法，包括下列步骤：将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边、第二分割边......第N分割边；分别对第一分割边、第二分割边......第N分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；将第一分割边、第二分割边......第N分割边的修正边的边缘设置误差进行比较；如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正。
可选的，所述修正包括如下步骤：在第一分割边上选取第一评估点，并对第一评估点进行光强计算；将第一评估点光强值与光强阈值进行比较，根据比较值对第一分割边进行修正形成第一分割边对应修正边；以此类推修正第二分割边、第三分割边......第N分割边，形成对应的修正边。
可选的，所述修正还包括如下步骤：第一评估点光强值小于光强阈值，将对应分割边向外移动，形成对应的修正边；当第一评估点光强值大于光强阈值，将对应分割边向内移动，形成对应修正边；当第一评估点光强值等于光强阈值，将分割边作为对应的修正边。
可选的，第一评估点位置＝分割边中间点±分割边长10％。
可选的，所述光强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量。
本发明提供一种制作光掩模版的方法，包括：将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边、第二分割边......第N分割边；分别对第一分割边、第二分割边......第N分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；将第一分割边、第二分割边......第N分割边的修正边的边缘设置误差进行比较；如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正；将修正后的布局电路图形转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。
可选的，所述修正包括如下步骤：在第一分割边上选取第一评估点，并对第一评估点进行光强计算；将第一评估点光强值与光强阈值进行比较，根据比较值对第一分割边进行修正形成第一分割边对应修正边；以此类推修正第二分割边、第三分割边......第N分割边，形成对应的修正边。
可选的，所述修正还包括如下步骤：第一评估点光强值小于光强阈值，将对应分割边向外移动，形成对应的修正边；当第一评估点光强值大于光强阈值，将对应分割边向内移动，形成对应修正边；当第一评估点光强值等于光强阈值，将分割边作为对应的修正边。
可选的，第一评估点位置＝分割边中间点±分割边长10％。
可选的，所述光强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量。
与现有技术相比，上述方案具有以下优点：如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差。将合并修正边作为一个片断转移至光掩模版上，使转移的修正边数目减少，因此降低了将布局电路图形转移至光掩模版上的时间，提高了效率。
附图说明
图1至图2是现有技术对待曝光电路图形进行光学近距修正的示意图；
图3是本发明对布局电路图形进行光学近距修正的具体实施方式流程图；
图4至图6是本发明对布局电路图形进行光学近距修正的实施例示意图；
图7为本发明对待曝光电路图形进行光学近距修正过程中分割边及修正边移动距离同光强与光强阈值差值的关系图；
图8是本发明制作光掩模版的具体实施方式流程图。
具体实施方式
现有技术由于对每条分割边进行多次修正后，形成对应的修正边，然后将每条修正边分别转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。因此转移布局电路图形至光掩模版上花费时间长。本发明如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差。将合并修正边作为一个片断转移至光掩模版上，使转移的修正边数目减少，因此降低了将布局电路图形转移至光掩模版上的时间，提高了效率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图3是本发明对布局电路图形进行光学近距修正的流程图。如图3所示，执行步骤S201，将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边、第二分割边......第N分割边。
执行步骤S202，分别对第一分割边、第二分割边......第N分割边进行修正，获得对应的一次修正边，并计算一次修正边的边缘设置误差。
本步骤中，所述修正包括：在第一分割边上选取第一评估点，并对第一评估点进行光强计算；将第一评估点光强值与光强阈值进行比较，根据比较值对第一分割边进行修正形成第一分割边对应修正边；以此类推修正第二分割边、第三分割边......第N分割边，形成对应的修正边。
所述修正还包括：第一评估点光强值小于光强阈值，将对应分割边向外移动，形成对应的修正边；当第一评估点光强值大于光强阈值，将对应分割边向内移动，形成对应修正边；当第一评估点光强值等于光强阈值，将分割边作为对应的修正边。
第一评估点位置＝分割边中间点±分割边长10％。
执行步骤S203，将第一分割边、第二分割边......第N分割边的修正边的边缘设置误差进行比较。
执行步骤S204，判断是否有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值？
本步骤中，所述预定值为3～5纳米，具体例如3纳米、4纳米或5纳米等。
执行步骤S205，如果没有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，即所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；然后再重复执行步骤S204。
执行步骤S206，如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差。
执行步骤S207，修正满足预定次数？如修正不满足预定次数，则重复执行步骤S203～S206。
执行步骤S208，如果修正满足预定次数，则结束修正。
图4至图6是本发明对布局电路图形进行光学近距修正的实施例示意图。如图4所示，在布局电路图形200的各边上形成分割点W101、W102、W103、W104、W105、W106、W107、W108、W109、W110，将各边分成长度接近曝光工艺临界尺寸的分割边；其中分割点W101和W102之间的分割边为第一分割边U101，分割点W102和W103之间的分割边为第二分割边U102，分割点W103和W104之间的分割边是第三分割边U103，分割点W104和W105之间的分割边是第四分割边U104，分割点W105和W106之间的分割边是第五分割边U105，分割点W106和W107之间的分割边是第六分割边U106，分割点W107和W108之间的分割边是第七分割边U107，分割点W108和W109之间的分割边是第八分割边U108，分割点W109和W110之间的分割边是第九分割边U109，分割点W110和W101之间的分割边是第十分割边U110。
本实施例中，所述接近曝光工艺临界尺寸的分割边为分割边长度是曝光工艺临界尺寸的80％～120％，具体第一分割边U101......第十分割边U110的长度可以为曝光工艺临界尺寸的80％、90％、100％、110％或120％。
在第一分割边U101上选取第一评估点S101，其中第一评估点S101位于第一分割边U101中间点±第一分割边U101长度10％；用OPC模型对第一评估点S101进行光强计算，如果第一评估点S101上的光强值正好等于与具体工艺相关的光强阈值，就不需要移动第一分割边U101，将第一分割边U101作为第一边一次修正边U111，所述光强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量；而当评估点S101光强值小于光强阈值，那么就需要将第一分割边U101向外移动，形成第一边一次修正边U111；当评估点S101光强值大于光强阈值，那么就需要将第一分割边U101向内移动，形成第一边一次修正边U111；具体移动距离根据光强值与光强阈值的比值大小来决定，即：移动距离的大小同光强与光强阈值之间的差值成正比(如图7所示)；计算第一边一次修正边U111的边缘设置误差，所述边缘设置误差为电路图形在晶圆上的临界尺寸与图形在光学近距修正模型中的临界尺寸的误差。
用上述方法，在第二分割边U102上选取第一评估点S102，对第一评估点S102进行光强计算，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第二分割边U102，形成第二边一次修正边U112，计算第二边一次修正边U112的边缘设置误差；在第三分割边U103上选取第一评估点S103，对第一评估点S103进行光强计算，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第三分割边U103，形成第三边一次修正边U113，计算第三边一次修正边U113的边缘设置误差；在第四分割边U104上选取第一评估点S104，计算第一评估点S104光强，比较光强值与光强阈值，根据比较值修正第四分割边U104，形成第四边一次修正边U114，计算第四边一次修正边U114的边缘设置误差；在第五分割边U105上选取第一评估点S105，计算第一评估点S105光强，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第五分割边U105，形成第五边一次修正边U115，计算第五边一次修正边U115的边缘设置误差；在第六分割边U106上选取第一评估点S106，计算第一评估点S106光强，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第六分割边U106，形成第六边一次修正边U116，计算第六边一次修正边U116的边缘设置误差；在第七分割边U107上选取第一评估点S107，计算第一评估点S107光强，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第七分割边U107，形成第七边一次修正边U117，计算第七边一次修正边U117的边缘设置误差；在第八分割边U108上选取第一评估点S108，计算第一评估点S108光强，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第八分割边U108，形成第八边一次修正边U118，计算第八边一次修正边U118的边缘设置误差；在第九分割边U109上选取第一评估点S109，计算第一评估点S109光强，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第九分割边U109，形成第九边一次修正边U119，计算第九边一次修正边U119的边缘设置误差；在第十分割边U110上选取第一评估点S110，计算第一评估点S110光强，并将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第十分割边U110，形成第十边一次修正边U120，计算第十边一次修正边U120的边缘设置误差。
本实施例中，第一评估点S102位于第二分割边U102中间点±第二分割边U102长度10％、第一评估点S103位于第三分割边U103中间点±第三分割边U103长度10％、第一评估点S104位于第四分割边U104中间点±第四分割边U104长度10％、第一评估点S105位于第五分割边U105中间点±第五分割边U105长度10％、第一评估点S106位于第六分割边U106中间点±第六分割边U106长度10％、第一评估点S107位于第七分割边U107中间点±第七分割边U107长度10％、第一评估点S108位于第八分割边U108中间点±第八分割边U108长度10％、第一评估点S109位于第九分割边U109中间点±第九分割边U109长度10％、第一评估点S110位于第十分割边U110中间点±第十分割边U110长度10％。
如图5所示，计算第一边一次修正边U111至第十边一次修正边U120的边缘设置误差，将边缘设置误差的差值在0～5纳米之间的相邻一次修正边进行合并，作为一次合并修正边，与未合并的一次修正边进行进一步修正。
由于第一边一次修正边U111与第二边一次修正边U112的边缘设置误差不一致，因此无需合并，在第一边一次修正边U111上选取第二评估点S111，所述第二评估点S111位于第一边一次修正边U111中间点±第一边一次修正边U111长度10％；用OPC模型对第二评估点S111进行光强计算，如果第二评估点S111上的光强值正好等于与具体工艺相关的光强阈值，就不需要移动第一边一次修正边U111，将第一边一次修正边U111作为第一边二次修正边U121；而当第二评估点S111光强值小于光强阈值，那么就需要将第一边一次修正边U111向外移动，形成第一边二次修正边U121；当第二评估点S111光强值大于光强阈值，那么就需要将第一边一次修正边U111向内移动，形成第一边二次修正边U121；计算第一边二次修正边U121的边缘设置误差。
由于第二边一次修正边U112与第三边一次修正边U113的边缘设置误差相同，因此将这两边合并，作为第二三边一次合并修正边H111；在第二三边一次合并修正边H111上选取第二评估点S112，所述第二评估点S112位于第二三边一次合并修正边H111中间点±第二三边一次合并修正边H111长度10％；用OPC模型对第二评估点S112进行光强计算，如果第二评估点S112上的光强值正好等于与具体工艺相关的光强阈值，就不需要移动二三边一次合并修正边H111，将第二三边一次合并修正边H111作为第二三边二次修正边U122；而当第二评估点S112光强值小于光强阈值，那么就需要将第二三边一次合并修正边H111向外移动，形成第二三边二次修正边U122；当第二评估点S112光强值大于光强阈值，那么就需要将第二三边一次合并修正边H111向内移动，形成第二三边二次修正边U122；计算第二三边二次修正边U122的边缘设置误差。
由于第四边一次修正边U114与第三边一次修正边U113及第五边一次修正边U115的边缘设置误差不一致，因此无需合并，在第四边一次修正边U114上选取第二评估点S114，第二评估点S114位于第四边一次修正边U114中间点±第四边一次修正边U114长度10％，计算第二评估点S114的光强，比较光强值与光强阈值，并根据比较结果形成第四边二次修正边U124，计算第四边二次修正边U124的边缘设置误差；由于第五边一次修正边U115与其两边的一次修正边的边缘设置误差不一致，在第五边一次修正边U115上选取第二评估点S115，第二评估点S115位于第五边一次修正边U115中间点±第五边一次修正边U115长度10％，计算第二评估点S115的光强，根据光强值与光强阈值的比较结果形成第五边二次修正边U125，计算第五边二次修正边U125的边缘设置误差。
由于第六边一次修正边U116与第七边一次修正边U117的边缘设置误差相同，因此将这两边合并，作为第六七边一次合并修正边H112；在第六七边一次合并修正边H112上选取第二评估点S116，所述第二评估点S116位于第六七边一次合并修正边H112中间点±第六七边一次合并修正边H112长度10％；计算第二评估点S116的光强，根据光强值与光强阈值比较结果形成第六七边二次修正边U126；计算第六七边二次修正边U126的边缘设置误差。
由于第八边一次修正边U118与第九边一次修正边U119的边缘设置误差相同，因此将这两边合并，作为第八九边一次合并修正边H113；在第八九边一次合并修正边H113上选取第二评估点S118，所述第二评估点S118位于第八九边一次合并修正边H113中间点±第八九边一次合并修正边H113长度10％；计算第二评估点S118的光强，根据光强值与光强阈值比较结果形成第八九边二次修正边U128；计算第八九边二次修正边U128的边缘设置误差。
由于第十边一次修正边U120与其两边的一次修正边的边缘设置误差不一致，在第十边一次修正边U120上选取第二评估点S120，第二评估点S120位于第十边一次修正边U120中间点±第十边一次修正边U120长度10％，计算第二评估点S120的光强，根据光强值与光强阈值比较结果形成第十边二次修正边U130，计算第十边二次修正边U130的边缘设置误差。
除本实施例外，一般对第一分割边U101......第十分割边U110进行一次修正后，所获得的对应一次修正边中存在相邻两条一次修正边的边缘设置误差的差值小于等于5纳米的情况较少。因此，在对第一分割边U101......第十分割边U110进行三次或以上修正后，在三次修正边中存在相邻三次修正边的边缘设置误差的差值小于等于5纳米的情况，合并这些三次修正边，形成三次合并修正边，与未合并的三次修正边进行后续修正。
如图6所示，在第一边二次修正边U121上选取第三评估点S121，所述第三评估点S121位于第一边二次修正边U121中间点±第一边二次修正边U121长度10％；用OPC模型对第三评估点S121进行光强计算，如果第三评估点S121上的光强值正好等于与具体工艺相关的光强阈值，就不需要移动第一边二次修正边U121，将第一边二次修正边U121作为第一边三次修正边U131；而当第三评估点S121光强值小于光强阈值，那么就需要将第一边二次修正边U121向外移动，形成第一边三次修正边U131；当第三评估点S121光强值大于光强阈值，那么就需要将第一边二次修正边U121向内移动，形成第一边三次修正边U131；计算第一边三次修正边U131的边缘设置误差。
在第二三边二次修正边U122上选取第三评估点S122，所述第三评估点S122位于第二三边二次修正边U122中间点±第二三边二次修正边U122长度10％；用OPC模型对第三评估点S122进行光强计算，将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第二三边二次修正边U122，形成第二三边三次修正边U132；计算第二三边三次修正边U132的边缘设置误差。
在第四边二次修正边U124上选取第三评估点S124，所述第三评估点S124位于第四边二次修正边U124中间点±第四边二次修正边U124长度10％，对第三评估点S124进行光强计算，根据光强值与光强阈值的比较结果修正第四边二次修正边U124，形成第四边三次修正边U134，并计算第四边三次修正边U134的边缘设置误差。在第五边二次修正边U125上选取第三评估点S125，所述第三评估点S125位于第五边二次修正边U125中间点±第五边二次修正边U125长度10％，对第三评估点S125进行光强计算，根据光强值与光强阈值的比较结果修正第五边二次修正边U125，形成第五边三次修正边U135，并计算第五边三次修正边U135的边缘设置误差。
在第六七边二次修正边U126上选取第三评估点S126，所述第三评估点S126位于第六七边二次修正边U126中间点±第六七边二次修正边U126长度10％；用OPC模型对第三评估点S126进行光强计算，将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第六七边二次修正边U126，形成第六七边三次修正边U136；计算第六七边三次修正边U136的边缘设置误差。在第八九边二次修正边U128上选取第三评估点S128，所述第三评估点S128位于第八九边二次修正边U128中间点±第八九边二次修正边U128长度10％；用OPC模型对第三评估点S128进行光强计算，将光强值与光强阈值比较，根据比较结果修正第八九边二次修正边U128，形成第八九边三次修正边U138；计算第八九边三次修正边U138的边缘设置误差。
在第十边二次修正边U130上选取第三评估点S130，所述第三评估点S130位于第十边二次修正边U130中间点±第十边二次修正边U130长度10％，对第三评估点S130进行光强计算，根据光强值与光强阈值的比较结果修正第十边二次修正边U130，形成第十边三次修正边U140，并计算第十边三次修正边U140的边缘设置误差。
继续将第一边三次修正边U131、第二三边三次修正边U132、第四边三次修正边U134、第五边三次修正边U135、第六七边三次修正边U136、第八九边三次修正边U138和第十边三次修正边U140进行修正.......直到M次修正满足预定修正次数，结束修正。
本实施例中，所述预定修正次数为6～8次。
本实施例中，M次修正包括如下步骤：在M-1次修正边上选取第M-1评估点，并对第M-1评估点进行光强计算；将第M-1评估点光强值与光强阈值进行比较，根据比较值对相应的M-1次修正边进行修正，形成对应M次修正边，其中M为自然数。
M次修正还包括如下步骤：第M-1评估点光强值小于光强阈值，将对应M-1次修正边向外移动，形成对应的M次修正边；第M-1评估点光强值大于光强阈值，将对应M-1次修正边向内移动，形成对应的M次修正边；第M-1评估点光强值等于光强阈值，将M-1次修正边作为对应的M次修正边，其中M为自然数。
本实施例中，对修正边进行1～2次合并即可，如果进行2次以上合并，会造成修正边过长，光强分布更不均匀，使前续部分对布局电路图形的各边进行分割就没有任何意义。
在实施例中，如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差。将合并修正边作为一个片断转移至光掩模版上，使转移的修正边数目减少，因此降低了将布局电路图形转移至光掩模版上的时间，提高了效率。
图8是本发明制作光掩模版的具体实施方式流程图。如图8所示，执行步骤S301，将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边、第二分割边......第N分割边。
执行步骤S302，分别对第一分割边、第二分割边......第N分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差。
执行步骤S303，将第一分割边、第二分割边......第N分割边的修正边的边缘设置误差进行比较。
执行步骤S304，判断是否有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值？
执行步骤S305，如果没有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，即所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；然后再重复执行步骤S304。
执行步骤S306，如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差。
执行步骤S307，修正满足预定次数？如修正不满足预定次数，则重复执行步骤S303～S306。
执行步骤S308，如果修正满足预定次数，则结束修正。
执行步骤S309，将修正后的布局电路图形转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。
用电子束写入装置或激光束写入装置将布局软件中的布局电路图形写至光掩模版上。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种光学近距修正的方法，其特征在于，包括下列步骤：
将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边、第二分割边......第N分割边；
分别对第一分割边、第二分割边......第N分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；
将第一分割边、第二分割边......第N分割边的修正边的边缘设置误差进行比较；
如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；
重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正。
2.根据权利要求1所述的光学近距修正的方法，其特征在于，所述修正包括如下步骤：
在第一分割边上选取第一评估点，并对第一评估点进行光强计算；将第一评估点光强值与光强阈值进行比较，根据比较值对第一分割边进行修正形成第一分割边对应修正边；以此类推修正第二分割边、第三分割边......第N分割边，形成对应的修正边。
3.根据权利要求2所述的光学近矩修正的方法，其特征在于：所述修正还包括如下步骤：
第一评估点光强值小于光强阈值，将对应分割边向外移动，形成对应的修正边；当第一评估点光强值大于光强阈值，将对应分割边向内移动，形成对应修正边；当第一评估点光强值等于光强阈值，将分割边作为对应的修正边。
4.根据权利要求3所述的光学近矩修正的方法，其特征在于：第一评估点位置＝分割边中间点±分割边长10％。
5.根据权利要求2至4任何一项所述的光学近距修正的方法，其特征在于：所述光强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量。
6.一种制作光掩模版的方法，其特征在于，包括下列步骤：
将布局电路图形的各边分割成尺寸为曝光工艺临界尺寸80％～120％的第一分割边、第二分割边......第N分割边；
分别对第一分割边、第二分割边......第N分割边进行修正，获得对应的修正边，并计算修正边的边缘设置误差；
将第一分割边、第二分割边......第N分割边的修正边的边缘设置误差进行比较；
如果所有相邻修正边的边缘设置误差的差值大于预定值，对各修正边进行再次修正，获得对应的再次修正边，并计算再次修正边对应边缘设置误差；如果有相邻修正边的边缘设置误差的差值小于等于预定值，合并相邻修正边，形成合并修正边，与未合并的修正边进行再次修正，得到对应的再次修正边，并计算再次修正边的边缘设置误差；
重复上述步骤，至修正满足预定次数，结束修正；
将修正后的布局电路图形转移至光掩模版上，形成掩模电路图形。
7.根据权利要求6所述的制作光掩模版的方法，其特征在于，所述修正包括如下步骤：
在第一分割边上选取第一评估点，并对第一评估点进行光强计算；将第一评估点光强值与光强阈值进行比较，根据比较值对第一分割边进行修正形成第一分割边对应修正边；以此类推修正第二分割边、第三分割边......第N分割边，形成对应的修正边。
8.根据权利要求7所述的制作光掩模版的方法，其特征在于：所述修正还包括如下步骤：
第一评估点光强值小于光强阈值，将对应分割边向外移动，形成对应的修正边；当第一评估点光强值大于光强阈值，将对应分割边向内移动，形成对应修正边；当第一评估点光强值等于光强阈值，将分割边作为对应的修正边。
9.根据权利要求8所述的制作光掩模版的方法，其特征在于：第一评估点位置＝分割边中间点±分割边长10％。
10.根据权利要求7至9任何一项所述的制作光掩模版的方法，其特征在于：所述光强阈值是光刻胶被显影时所需要的光强剂量。
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