JP2011071393A - 露光パターン生成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】2つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供する。
【解決手段】平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、(X2−X1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、(Y2−Y1)を分割数Nで、割り幅Yを算出し、X方向の幅を平行四辺形のX方向の幅として、Y方向の幅を算出する幅Yとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n+平行四辺形のX方向の幅/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。
【選択図】図1
【解決手段】平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、(X2−X1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、(Y2−Y1)を分割数Nで、割り幅Yを算出し、X方向の幅を平行四辺形のX方向の幅として、Y方向の幅を算出する幅Yとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n+平行四辺形のX方向の幅/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光パターン生成方法に関し、特に、半導体デバイスパターンを露光するためのフォトマスク並びに半導体基板などの他の基板への直接描画もしくはインプリントするためのモールド等を製造する際に使用する露光パターン生成方法に関する。
これまで、半導体デバイスの製造プロセス等の微細加工が要求されるパターンの形成にはレチクルと呼ばれる縮小露光を行い半導体基板上にパターンを転写するいわゆるフォトリソグラフィ法が使われている。なお、レチクルとは、半導体デバイスの製造工程でウエハ上に高集積な電気回路パターンを露光するために使用されるフォトマスクをいう。
近年、プロセッサ、メモリやシステムLSIにおいては、高速化と大容量化を図るために電子デバイスの高集積化が進んでいる。そのため、特にLSI製造時の原版となるレチクルの超微細化に拍車がかかっている。このようなレチクルを形成する際には、可変成形方式のベクター型電子描画装置(以下、「EB描画装置」という)が用いられている。EB描画装置は、矩形、30°や45°等の特定角度の斜め線を有する三角形に成形されたビームを用いて、パターン部のみを走査し描画する装置である。このため、EB描画装置は、解像性能、描画速度の観点から微細パターンを形成したレチクル作製に必要不可欠なものとなっている。
フォトリソグラフィ法は、形成するパターンのサイズや形状が露光する光の波長に大きく依存する。例えば、昨今の先端半導体デバイスの製造においては、露光波長が150nm以上であるのに対し、最小線幅は65nm以下となってきており、光の回折現象による解像限界に達している。レジストの解像度を上げるために、近接効果補正(OPC:Optical Proximy Correction)、位相シフトマスクや変形照明等の超解像技術を用いているものの、レチクル上パターンを半導体基板上に忠実に転写することが困難となってきている。
これらの問題を解決する次世代リソグラフィ技術として、インプリント法が候補の1つに挙げられている。インプリント法は、最終的に転写すべきパターンをネガポジ反転画像に対応するパターンが形成されたモールドと呼ばれる型をレジスト等のパターン形成したい材料に型押しし、その状態で熱あるいは紫外線等によって材料を硬化させることでパターン転写するものである。例えば、非特許文献1及び非特許文献2には、熱硬化による熱インプリント法について開示されている(非特許文献1及び非特許文献2参照)。また、例えば、特許文献1には、紫外線硬化による光インプリント法について開示されている(特許文献1参照)。
インプリント法で用いられるモールドは、半導体用途以外にも回折格子、偏光板、細胞培養シート等の光学やバイオの分野での機能性部材の開発、生産への適用が検討されている。これらの分野で適用されるモールドの形状には、半導体デバイスパターンに比べ、斜め線、特に特定の角度を持たない斜め線を含む多角形や円形のパターンが多いという特徴がある。
ナノメータレベルの微細パターンを有するモールドを作製するためには、同じナノメータレベルの超微細レジストパターンの作製が必要となる。半導体デバイスの高速化と大容量化を進めるため、ナノメータレベルのレチクルを形成する場合、EB描画装置には極限的な解像性と大面積への高速描画という両方の性能が要求される。また、実用的な大面積のモールドを低コストで供給する必要があることから、レチクル同様に描画速度の観点から可変成形方式のEB描画装置を用いたプロセス開発が行われている場合がある。
変成形方式のEB描画装置の場合、必要に応じてOPC処理されたレチクル用データまたはインプリント用データは、まず図形の重なり部分を消去するため輪郭抽出がなされた後、所定のアルゴリズムに従い水平、垂直方向に分割線が入れられて四角形以下の図形群に再分割処理され、描画データとなる。なお、このデータ処理プロセスをフラクチャという。多角形を四角形以下の図形に分割するための分割線は、多角形の頂点を通る場合が多い。特に斜め線を含む多角形の設計データに対してフラクチャを行うと、垂直、水平方向の分割線と斜め線とが交差する部分で三角形や台形が発生することになる。こうして作製された四角形以下の図形群のみを含む描画データを元に、可変成形方式のEB描画装置は描画可能な大きさの矩形ショット(最大1辺数μm)を敷き詰めるように基板上に描画していく。
1辺の長さが最大ショットサイズよりも長い斜め線を含む平行四辺形パターン101の例を図9に示す。図9に示す平行四辺形パターン1に対して、矩形ショット102を重ね合わせた結果を図10に示す。図2において、各矩形ショット102の外周部のパターン領域は三角形103となる。各三角形103の領域を描画するには、斜め線を有する特定の角度の三角形ショット又は細長い短冊状の矩形ショットを敷き詰めて描画することになる。
特に、インプリントモールド用のパターンデータには、特定の角度を持たない斜め線や円形のパターンが多い。このため、細長い短冊状の矩形ショットで斜め線パターンの描画を行えば、斜め線パターンの角度に依存しない描画が可能になる。以下、可変成形方式のEB描画装置において、斜め線を含む描画データに対して矩形ショットで描画する方法について説明する。
図10に示す各矩形ショット102の外周部の各パターン領域に細長い短冊状の矩形ショット104を重ねた結果を図11に示す。図11に示すように、斜め線を含むパターンを描画する場合は通常の矩形ショット102で描画可能な領域と、それ以外の斜め線隣接領域に分けることができる。斜め線隣接領域を描画する細長い短冊状の直角四角形パターン群の幅は、EB描画装置のパラメータにより変更可能である。特に、転写パターンと同サイズの微細パターンとの形成が必要なインプリントモールドの場合、半導体用レチクルに比べてより微細な分割幅での描画が必要となる。このため、斜め部分の描画精度(線幅、ラフネス等)を精度良くパターンニングするために短冊状の矩形ショットの分割幅の調整が必要となる。
短冊状の矩形ショットの長辺の長さに起因する描画不良が生じた場合のレジスト形状の模式図を図12に示す。これを良くするために矩形ショットの分割幅を狭くするとEB描画装置でパターンを描画する短冊状の矩形ショットが増えるので結果的にスループットが低下する。逆に広くするとスループットは向上するが図12のように描画不良が生じる。
またこのような矩形ショットに変換する方法は、例えば、特許文献2及び特許文献3にEB描画装置で分割幅を調整する方法以外にデータで予め矩形化する方法が開示されている(特許文献2及び特許文献3参照)。
データで予め矩形化する手法は描画図形の総数を減らし、描画時間のスループットを向上させることを目的とするものである。
Appl.Phys.Lett.vol.67、1995年、P3314
「ナノインプリント技術徹底解説」、Electric Journal、2004年11月22日、P20−38
しかしながら、従来のEB描画装置及びデータでの矩形変更方法は、図13の110に示すように矩形を構成する110の幅と110を繰返すピッチを規定するものであった。従って図13の120と130に示す図形では角度、幅が異なっていて、どちらも同じ8図形への分割となり、結果的にスループットを向上させることが出来ない問題があった。
本発明は、2つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供するものである。
本発明の請求項1に係る発明は、XY平面上においてX軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、(X2−X1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、(Y2−Y1)を分割数Nで、割り幅Yを算出し、X方向の幅を平行四辺形のX方向の幅として、Y方向の幅を算出する幅Yとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n+平行四辺形のX方向の幅/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項2に係る発明は、短冊状矩形ショット群の重なり合うエッジの長さが予め指定された幅B以下になる場合、(X2−X1)を幅Bで分割した分割数Nを算出し、(Y2−Y1)を分割数Nで割り幅Yを算出し、X方向の幅を平行四辺形のX方向の幅として、Y方向の幅を算出された幅Yとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n+平行四辺形のX方向の幅/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする請求項1に記載の露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項3に係る発明は、XY平面上においてY軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、(Y2−Y1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、(X2−X1)を分割数Nで、割り幅Xを算出し、Y方向の幅を平行四辺形のY方向の幅として、X方向の幅を算出する幅Xとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n−((X2−X1)/N/2)+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n+平行四辺形のY幅/2+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項4に係る発明は、短冊状矩形ショット群の重なり合うエッジの長さが予め指定された幅B以下になる場合、(Y2−Y1)を幅Bで分割した分割数Nを算出し、(X2−X1)を分割数Nで割り幅Xを算出し、Y方向の幅を平行四辺形のY方向の幅として、X方向の幅を算出された幅Xとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n−((X2−X1)/N/2)+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n+平行四辺形のY幅/2+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする請求項3に記載の露光パターンの生成方法としたものである。
本発明の請求項5に係る発明は、XY平面上の構成される矩形の2点が同一の座標で、XYで構成される頂点の1つが90度である矩形すなわち直角三角形である露光パターン生成方法において、90度の角を持たない頂点を結んだ斜め線エッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、(X2−X1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、(Y2−Y1)を分割数Nで割り幅Yを算出して、n=1〜Nで、幅XをX2−(((Y2−Y1)/N×(n−0.5)−Y1)×(X2−X1))/(Y2−Y1)と、幅Yで決定された矩形の90度の角を持つ平行なエッジに接触する中点を1〜NまでN個X2、(Y2−Y1)/N×n+(Y2−Y1)/N/2の座標に短冊状に配置することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項6に係る発明は、XY平面上の構成される矩形の2点が同一の座標で、XYで構成される頂点の1つが90度である矩形すなわち直角三角形である露光パターン生成方法において、90度の角を持たない頂点を結んだ斜め線エッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、(Y2−Y1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、(X2−X1)を分割数Nで割り幅Xを算出して、n=1〜Nで、幅Yを((Y2−Y1)/(X2−X1))×((X2−X1)/N×n−(X2−X1)/N/2)と、幅Xで決定された矩形の90度の角を持つ平行なエッジに接触する中点を1〜NまでN個(X2−X1)/N×n+(X2−X1)/N/2、Y1の座標に短冊状に配置することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項7に係る発明は、請求項5及び請求項6に記載の露光パターン生成方法を用いて、総図形数を求め図形数の少なくなる方を選択することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項8に係る発明は、XY平面上で90度角2つ、90度より大きな角(鈍角)を1つ、90度未満の角(鋭角)を1つで構成される矩形すなわち台形に分割する露光パターン生成方法おいて、鈍角を90度+αの角度に分割する補助エッジを追加して直角三角形と四角形に分割し、分割された直角三角形を請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の露光パターン生成方法で分割した短冊状矩形ショットと補助エッジを含む四角形との和で構成される図形へ分割することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項9に係る発明は、XY平面上のX軸またはY軸に平行な辺を持たないエッジで構成された矩形の露光パターン生成方法において、X軸またはY軸に平行な辺を補助エッジとして追加する分割を繰り返し行い、XY平面に対して直角なエッジを持つ直角三角形またはX軸またはY軸に平行な向かい合う2つのエッジをとそれらを直角で結ぶエッジを有する矩形に変換して、分割することを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項10に係る発明は、XY平面上においてX軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、鈍角からY軸に平行な補助エッジを追加して図形を2つの直角三角形とXY平面上においてY軸と平行な向かい合うエッジを2つ有する平行四辺形に分割し、直角三角形を請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の方法で分割した図形個数と、平行四辺形を請求項3及び請求項4に記載の方法で分割した図形個数の和と、請求項1及び請求項2に記載の方法で分割した個数を比較し、図形数が少なくなる方を選択することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項11に係る発明は、XY平面上においてY軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、鈍角からX軸に平行な補助エッジを追加して図形を2つの直角三角形とXY平面上においてX軸と平行な向かい合うエッジを2つ有する平行四辺形に分割し、直角三角形を請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の方法で分割した図形個数と、平行四辺形を請求項1及び請求項2に記載の方法で分割した図形個数の和と、請求項3及び請求項4に記載の方法で分割した個数を比較し、図形数が少なくなる方を選択することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項12に係る発明は、斜めエッジをもつ矩形と斜めエッジをもたない矩形とを分割し、斜めエッジをもつ矩形を請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の方法で斜めエッジをもたない矩形に変換し、元々斜めエッジをもたない矩形との和で最終的な矩形群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法としたものである。
本発明の請求項13に係る発明は、請求項12に記載の露光パターン生成方法を用いることを特徴とするソフトウェアとしたものである。
本発明の請求項14に係る発明は、請求項12に記載の露光パターン生成方法を用いて、フォトマスクのパターンが形成されることを特徴とする描画装置としたものである。
本発明の請求項15に係る発明は、請求項12に記載の露光パターン生成方法を用いて形成されたフォトマスクにより作製された半導体デバイスとしたものである。
本発明によれば、短冊状の矩形群の図形数を元台形、元平行四辺形の線幅、角度により変化させることができ、可変形成方式描画装置のパターンショットの総数を低減させることができ、EB描画装置のスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
本発明の実施の形態に係る露光パターン生成方法は、図1の21及び22のような角度と幅の異なる図形に図1の23を規定(これを幅Aという。)して図形分割を行い、露光パターンを生成する方法である。この方法を用いると図1の21は、24の4つの矩形群に変換でき、図1の22は、25の2つの矩形群に変換することができる。よって総描画図形数が減りスループットを向上させることが出来る。
しかしながら、幅Aのみの規定で図形分割を行うと図2の31のように幅Aより狭い幅を持つ矩形の場合、図2の32の矩形群のように頂点で接触した図形群、あるいは図形群同士が接触点、接触辺を持たない矩形群への変換される場合がある。
そこで、本発明の実施の形態に係る露光パターン生成方法では、図3の41に示すように、矩形群同士のつなぎ目を規定(これを幅Bという。)して階段状の図形群の接触辺の非接触部分の幅Aを規定値以下、階段状の図形群の接触辺の接触部分を幅B以上となる条件で短冊状矩形群を生成する露光パターン生成方法である。
図8は、本発明の実施の形態に係るに係る露光パターン生成方法を示すブロック図である。図8に示す本発明の実施の形態に係るに係る露光パターン生成方法は、設計データ記憶装置90、処理後データの記憶装置91、矩形選択手段92、規定値入力手段93、矩形群生成手段94、最終矩形群選択手段95を備える。
設計データ記憶装置90は、全ての矩形データ群の座標を格納している記憶装置である。処理後データの記憶装置91は、全てXY平面に平行となった矩形データ群の座標を格納する処理後データの記憶装置である。
矩形選択手段92は、座標情報からXY平面に元々平行である矩形とXY平面に平行でないエッジを有する矩形を分ける手段である。XY平面に元々平行である矩形は本発明の実施の形態の対象外となり、そのまま処理後データの記憶装置91へ座標情報を格納する。
規定値入力手段93は、本発明の実施の形態で利用する規定値、幅A及び幅Bを入力する手段である。ここで規定した値を基準にXY平面に平行な矩形へ変換する。
矩形群生成手段94は、規定値入力手段93で規定された矩形となるよう計算する手段である。ここでは複数の解を出力する。
最終矩形群選択手段95は、矩形群生成手段94で決定した矩形群の中から図形数が一番少ないものを選択する手段である。ここで選択された矩形群の座標情報を処理後データの記憶装置91へ格納する。
図3の23の幅Aと図3の41の幅Bとを規定することで角度と幅に応じて、図3の42に示す図形群の接触辺に垂直な方向の幅(これを幅Cという。)が決定される。
最初に、図4の51の頂点座標(X1,Y1)、52の頂点座標(X2,Y2)、53の頂点座標(X3,Y3)、54の頂点座標(X4,Y4)とした時、最終の矩形群の1つの矩形の幅αを(X3−X1)で算出する。
(X3−X1)−幅A23を実施して短冊状の接触辺の接触部分の幅b’を算出する。
幅b’が幅B以上を満たすなら(X2−X1)/幅A23を実施して短冊状矩形群の個数Nを算出する。
次に、(Y2−Y1)/Nを実施して矩形の幅Cを決定して、1つの矩形の一辺を幅α、もう一辺を幅Cと決定する。
ここで、決定された1つの矩形の中心をn=1〜NでX座標(X2−X1)/N×n+(X3−X1)/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の座標に配置して図形群を決定する。
幅b’が幅B以上を満たさないなら(X2−X1)/幅B41を実施して短冊状矩形群の個数Nを算出する。
次に、(X2−X1)/Nを実施して幅a’を算出する。この結果、幅a’が幅Aの規定を満たさないようであればエラーとして処理を中断し、規定値幅A、規定値幅Bの見直しを行う。
次に、(Y2−Y1)/Nを実施して矩形の幅Cを決定して、1つの矩形の一辺を幅α、もう一辺を幅Cと決定する。
ここで、決定された1つの矩形の中心をn=1〜NでX座標(X2−X1)/N×n+(X3−X1)/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の座標に配置して図形群を決定する。
ところが、前記手法にて決定された図形群の個数Nは最小になるとは限らない。そのため本発明の実施例では矩形の鈍角を90度+β度となるように向かい合う平行線と垂直にXY平面に平行な2つの補助線を入れて三角形と平行四辺形に分割する。
図5の60のような平行四辺形の場合、前記手法では62のように分割された15の矩形群となるが、61の補助線を入れて三角形を幅A23で分割し、平行四辺形を90度回転して前記手法で分割すると63に示すように合計13の矩形群で構成できる場合がある。
直角三角形を分割する場合、最終の矩形群の同士の重なり合うエッジは必ずXY平面に接触するので矩形群同士が接触点、接触辺を持たない矩形群となることは無い。よって幅Bを配慮せず矩形群を求める。
本発明の実施例では、図5の60のような平行四辺形の矩形の場合、62と63の分割方法で矩形群の数が少なくなる方を最終の矩形群と決定する。もし数が同じ場合はどちらでも可とする。
図6の70に示すXY平面上に対して平行で、かつ両端が90度の角を持つエッジが1つある台形の場合、鈍角を90度+β度となるように向かい合う平行線に垂直になるように補助線71を入れ全て直角のみの矩形72と直角三角形73に分割する。
直角三角形部分を図6の75と77の2通りの図形群で算出し、図6の74、75の合計と、図6の76、77の合計を計算し、合計が少なくなる方を最終の矩形群と決定する。
図7の80のように直角を持たない矩形の場合、81、82、83、84、85、の補助線を追加して必ず直角を持つ三角形または矩形に変換し、前記の処理を行うことで全部XY平面に平行なエッジしか持たない矩形群に変更することができる。
以上、説明したように、本発明の露光パターン生成方法は、斜め線が多いために長時間かけてEB描画装置で作製していたフォトマスクを同等の性能で高速に作製できるようになり、大幅なスループット向上及びコストダウンができる。また、本発明の露光パターン生成方法を用いてフォトマスクを作製し、そのフォトマスクにより半導体デバイスを作製できる。
Claims (15)
- XY平面上においてX軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、
平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、
前記(X2−X1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、
前記(Y2−Y1)を前記分割数Nで、割り幅Yを算出し、
X方向の幅を前記平行四辺形のX方向の幅として、Y方向の幅を算出する幅Yとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n+前記平行四辺形のX方向の幅/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。 - 前記短冊状矩形ショット群の重なり合うエッジの長さが予め指定された幅B以下になる場合、前記(X2−X1)を前記幅Bで分割した分割数Nを算出し、
前記(Y2−Y1)を前記分割数Nで割り幅Yを算出し、
X方向の幅を前記平行四辺形のX方向の幅として、Y方向の幅を算出された幅Yとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n+前記平行四辺形のX方向の幅/2+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n−((Y2−Y1)/N/2)+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする請求項1に記載の露光パターン生成方法。 - XY平面上においてY軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、
平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、
前記(Y2−Y1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、
前記(X2−X1)を前記分割数Nで、割り幅Xを算出し、
Y方向の幅を前記平行四辺形のY方向の幅として、X方向の幅を算出する幅Xとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n−((X2−X1)/N/2)+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n+前記平行四辺形のY幅/2+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。 - 前記短冊状矩形ショット群の重なり合うエッジの長さが予め指定された幅B以下になる場合、(Y2−Y1)を幅Bで分割した分割数Nを算出し、
(X2−X1)を前記分割数Nで割り幅Xを算出し、
Y方向の幅を前記平行四辺形のY方向の幅として、X方向の幅を算出された幅Xとして構成される矩形の中心をn=1〜Nとして、X座標(X2−X1)/N×n−((X2−X1)/N/2)+X1、Y座標(Y2−Y1)/N×n+前記平行四辺形のY幅/2+Y1の式で求められる座標にN個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする請求項3に記載の露光パターンの生成方法。 - XY平面上の構成される矩形の2点が同一の座標で、XYで構成される頂点の1つが90度である矩形すなわち直角三角形である露光パターン生成方法において、
90度の角を持たない頂点を結んだ斜め線エッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、
前記(X2−X1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、
前記(Y2−Y1)を前記分割数Nで割り幅Yを算出して、n=1〜Nで、幅XをX2−(((Y2−Y1)/N×(n−0.5)−Y1)×(X2−X1))/(Y2−Y1)と、幅Yで決定された矩形の90度の角を持つ平行なエッジに接触する中点を1〜NまでN個X2、(Y2−Y1)/N×n+(Y2−Y1)/N/2の座標に短冊状に配置することを特徴とする露光パターン生成方法。 - XY平面上の構成される矩形の2点が同一の座標で、XYで構成される頂点の1つが90度である矩形すなわち直角三角形である露光パターン生成方法において、
90度の角を持たない頂点を結んだ斜め線エッジを構成する端部のXY頂点を(X1、Y1)、(X2、Y2)と規定し、
前記(Y2−Y1)を予め指定された幅Aで割り、分割数Nを算出し、
前記(X2−X1)を前記分割数Nで割り幅Xを算出して、n=1〜Nで、幅Yを((Y2−Y1)/(X2−X1))×((X2−X1)/N×n−(X2−X1)/N/2)と、幅Xで決定された矩形の90度の角を持つ平行なエッジに接触する中点を1〜NまでN個(X2−X1)/N×n+(X2−X1)/N/2、Y1の座標に短冊状に配置することを特徴とする露光パターン生成方法。 - 請求項5及び請求項6に記載の露光パターン生成方法を用いて、総図形数を求め図形数の少なくなる方を選択することを特徴とする露光パターン生成方法。
- XY平面上で90度角2つ、90度より大きな角(鈍角)を1つ、90度未満の角(鋭角)を1つで構成される矩形すなわち台形に分割する露光パターン生成方法おいて、
鈍角を90度+αの角度に分割する補助エッジを追加して直角三角形と四角形に分割し、
分割された直角三角形を請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の露光パターン生成方法で分割した短冊状矩形ショットと補助エッジを含む四角形との和で構成される図形へ分割することを特徴とする露光パターン生成方法。 - XY平面上のX軸またはY軸に平行な辺を持たないエッジで構成された矩形の露光パターン生成方法において、
X軸またはY軸に平行な辺を補助エッジとして追加する分割を繰り返し行い、XY平面に対して直角なエッジを持つ直角三角形またはX軸またはY軸に平行な向かい合う2つのエッジをとそれらを直角で結ぶエッジを有する矩形に変換して、分割することを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の露光パターン生成方法。 - XY平面上においてX軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、
鈍角からY軸に平行な補助エッジを追加して図形を2つの直角三角形とXY平面上においてY軸と平行な向かい合うエッジを2つ有する平行四辺形に分割し、
直角三角形を請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の方法で分割した図形個数と、平行四辺形を請求項3及び請求項4に記載の方法で分割した図形個数の和と、請求項1及び請求項2に記載の方法で分割した個数を比較し、図形数が少なくなる方を選択することを特徴とする露光パターン生成方法。 - XY平面上においてY軸と平行なエッジが2つ向かい合って存在する平行四辺形を用いる露光パターン生成方法において、
鈍角からX軸に平行な補助エッジを追加して図形を2つの直角三角形とXY平面上においてX軸と平行な向かい合うエッジを2つ有する平行四辺形に分割し、
直角三角形を請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の方法で分割した図形個数と、平行四辺形を請求項1及び請求項2に記載の方法で分割した図形個数の和と、請求項3及び請求項4に記載の方法で分割した個数を比較し、図形数が少なくなる方を選択することを特徴とする露光パターン生成方法。 - 斜めエッジをもつ矩形と斜めエッジをもたない矩形とを分割し、
斜めエッジをもつ矩形を請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の方法で斜めエッジをもたない矩形に変換し、元々斜めエッジをもたない矩形との和で最終的な矩形群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。 - 請求項12に記載の露光パターン生成方法を用いることを特徴とするソフトウェア。
- 請求項12に記載の露光パターン生成方法を用いて、フォトマスクのパターンが形成されることを特徴とする描画装置。
- 請求項12に記載の露光パターン生成方法を用いて形成されたフォトマスクにより作製された半導体デバイス。
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