JPS6017917A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体装Ｗノの製造に用いるマスク又はウ
ェーハに微細パターンを形成する電子ビームの露光精度
を検査できるようにした、電子ビーム露光方法に関する
。

〔従来技術〕

集積回路などの半導体装置を製造する場合、一般にフォ
トリングラフィ技術によりパターン形成が行なわれる。

近年この種の半導体装置の集積度が高くなる一方、パタ
ーン精度１重ね合せ精度等、捷すますフォトマスクの品
質精度が向上し、製造工程も複雑化している。このため
、微細加工が容易であり、高精度かつ、高速でマスク作
成が可能な電子ビーム露光装置ｉｔが使用され始めてい
る。電子ビーム露光装置ｉＴは、電子ビームデータに従
い所定のスキャン幅で各チップ部を連続的に露光するこ
とにより、フォトマスクを作成するようしている０ この種の従来の電子ビーム露光方法は、次のようにして
いた。第１図にフォトマスクの説明図に示すように、ラ
スメスキャン形の電子ビーム露光装置は、フォトマスク
［１の各チップ部（２）を所定のスキャン幅ＷでＸ軸方
向に走査し、これを順次Ｙ軸方向に進めていくことによ
りフォトマスク＋１）全面の各テップ部（２）を露光し
それぞれパターン（３）を形成している。第２図に第１
図のチップ部（２）のＡ部を拡大して示し、所定のスキ
ャン幅Ｗで走査しストライプ（４）をなしている。

このようＯこ、１チップ部（２）のデータは伺ストライ
ブ（４）分にも分割され露光されるので、必ずチップ部
（２）内は、ストライプ（４）の継ぎ部分が問題となっ
てくる。また、元方法によるフォトマスク作成方法とは
異なり、毎回電子ビームデータに従い作成するので、パ
ターンの保障が問題となる。このように所定のスキャン
幅Ｗで走査し、順次Ｙ軸方向に進めていっているので、
パターンの継ぎ部の検査は毎回不可欠であり、全ストラ
イブ（４）についてそれが保障されなければならない。

上記従来の方法では、スキャン幅Ｗを正確に測る方法が
なく、測定が不可能であり、ストライブ（４）の継ぎ部
分の測定、スキャン幅Ｗの測定及び電子ヒームの異常状
態について、フォトマスク（１）の全チップ部（２）に
ついて行うことができず、精度のよいフォトマスクを作
成することができなかった。

〔発明の概要〕

この発明は、上記従来の方法の欠点をなくするためにな
されたもので、マスク又は半導体ウェーハの各チップ部
内に正規の本パターンの外に、電子ビームの継ぎ部の位
置を確認できる継ぎ部パターンをそれぞれ配ｊｆ７．ｌ
、、継ぎ目の精度がチェックでき、高精度な本パターン
の精度が確認できる電子ビーム露光方法を提供すること
を目的としている。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例による電子ビーム露光方法を
、第３図に示すフ第１・マスクの説明図により説明する
。ラスメスキャン形の電子ビーム露光装置では、Ｙ方向
に分割された電子ビーム露光データに従い１ストライプ
（４）を描画する。Ｙ＠、方向にいくつものストライブ
（４）に分割され、順次露光されていく。コ、ストライ
プ（４）のスキャン幅は露光装置及び露光データによっ
て異なるが、ｌストライブは５１２アドレスユニツトが
１単位として構成されているものが多く、マた、露光デ
ータは０．５ミクロン／アドレスユニットが多く使用さ
れているため、１ストライプは２５６ミクロンとなる。

このストライブでＸ軸方向に進行し、次の上段のチップ
部（２）に及ぼし、こうしてマスク（１）の全チップ部
（２）の露光を一循する。

つづいて、次の段のストライプブ（４）に移り、マスク
ｆｉ＋の全チップ（２）部の露光を一循する。

このラスメスキャン形の露光装置は、Ｙ軸方向に分割さ
れたデータに従い描画されるので、次のストライブ（４
）との継なぎ部分ができる。したがって、第４図に拡大
図で示すように、チップ部（２１の１ストライプ（４）
と次のストライプ（４）との継ぎ目の部分には、本パタ
ーンの左端に継ぎ目であることを示す微小な四角形の継
ぎ部パターン（１０）を配置させる。このようにして、
マスク＋１１の全チップ部（２）にわたり、ストライブ
（４）の継ぎ目を示す継ぎ部パターン（ｌＯ）をそれぞ
れ露光しつつ本パターンを露光していく。

上記一実施例の方法によれば、各チップ部（２）内のス
トライプ（４）の継ぎ部分には必ず継ぎ部を示すパター
ン（ｌＯ）が配置されているので、継ぎ部パターン（ｌ
Ｏ）のずれにより継ぎ部分の双方のストライプのずれが
わかり、この継ぎ部分の精度によりマスクｆｉｌの全チ
ップ部（２）にわたり精度が確認できる。また、継ぎ部
パターン（１０）は、マスクｆｉ＋の全チップ（２）部
に配置されてあり、電子ビームの長時間にわたる偏向量
も把握できる。

第５図はこの発明の他の実施例による電子ビーム露光方
法を示す、マスクのチップ部の拡大図である。マスクの
チップ部（１１）の寸法が大きなパターンでは、露光装
置の記憶容量に従いある部分ですブチツブ部（１２）に
分割される。そのためストライプ（４）の継ぎ部と同様
に、ザブチップ部（１２）に分割された部分での継なぎ
精度も問題となってくる。ラスメスキャン形の場合、１
ストライプ露光後上のストライプへ移るため、サブチッ
プ部（１２）間でのストライプ（４）は必ず分断される
。したがって、継ぎ部を示すパターンを、ストライプ（
４）の継ぎ部パターン（１０）の外に、ザブチップ部（
１ｚの継ぎ部にも継ぎ部パターン（＋３＋　、　（＋４
）を配置ト１シ、精度がチェックできるようにしている
。ザブチップ部（１２）の継き゛は、電子ビーム露光デ
ータ作成時にＸ方向、Ｙ方向共に理論的に位置座標を計
算できるので、その個所に継ぎ部パターン（＋３）、　
（＋４を配置すればよい。また、電子ビーム作図データ
を作成する場合、任意にザブチップに分割することがあ
るが、その場合も同様である。

第６図はこの発明の他の異なる実施例による電子ビーム
露光方法を示す、マスクのチップ部の拡大図であり、ベ
クタースキャン形の電子ビーム露光装置による場合であ
る。チップ部（＋５１の露光フィールド部分の分割部分
に、この部分を示す継ぎ部パターン（１６）、（１７′
ｌを配置している。

上記継き゛部パターン（川＋　、　（＋３）　、　（１
４）、　（１Ｇ）　、　（１７）を実際に作図露光する
のに要する時間は極めて短く、本パターンを作図露光す
るのに何ら支障をきたさない。捷だ、継ぎ部パターンは
微小寸法であり、チップ部の一部に配ｆｆ、ｔ　しても
、チップ部寸法は大きくすることを要しない。

なお、上記実施例では、継ぎ部パターン（ｌＯ）をチッ
プ部内の左端に配置したが、他の位置に配してもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。

また、上記実施例では継ぎ部パターンの形状は四角形に
したが、これに限らず、双方のストライプの継ぎ目のず
れがチェックできれば、他の形状にしてもよい。

さらに、上記実施例では電子ビーム露光はホトマスクに
パターンを形成する場合を示したが、光学的露光の外の
種の露光で使用するマスクのパターン形成の場合にも適
用でき、あるいは、半導体ウェーハに直接電子ビーム露
光によりパターン形成する場合にも適用できるものであ
る。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明の方法によれば、各チップ部内
に各ストライプの継ぎ部分を示す継ぎ部パターンを配置
したので、このパターンをチェックすることにより、電
子ビーム露光装置により作成された、フォトマスク又は
半導体ウェーハに形成された本パターンの精度が正確に
定量的に把握され、高精度なフォトマスク又は半導体ウ
ェーハの本パターン作成ができる。特に、電子ビーム露
光装置で問題となるスキャン幅、ストライプ継ぎ部の精
度が、マスク又はウェーハの全体にわたる各チップ部内
に配置された継ぎ部を示す継ぎ部パターンをチェックす
ることにより正確に把握でき、露光装置及び形成された
本パターンの精度が確認される。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子ビーム露光方法を示すホトマスクの
説明図、第２図は第１図のチップ部のＡ部拡大図、第３
図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光方法を示
すホトマスクの説明図、第４図は第３図のチップ部のＢ
部拡大図、第５図はこの発明の他の実施例を示すチップ
部の拡大図、第６図はこの発明の他の異なる実施例を示
すチップ部の拡大図である。 図において、ｌ・・・ホトマスク、２・・・チップ部、
３・・・本パターン部、４・・・ストライプ、１０・・
・継ぎ部パターン、１１・・・チップ部、１２・・・サ
ブチップ部、１３．１４，１６．１７・・・継ぎ部パタ
ーン、１５・・・チップ部。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人　大岩増雄 （晃 Ｎ　＼ 手続補正書（自発） １、事件の表示　特願昭５８−１２’／４５４号３、補
正をする者 事件との関係　１，１−許出願人 住　所　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名　称　
（６０１，）三菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 ５、　補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６、補正の内容 （１）　明細書第５ページ第１４．１６行の「−循」を
「−巡」に補正する。 （２）明細書第５ページ第］９行、第１ページ第３行の
「継なぎ」を「継ぎ」に補正する。 以　」ニ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）被パターン形成体の各チップ部を所定のストライ
   プで順次電子ビーム露光し、この露光により各チップ部
   には本パターンの外に、上記ストライブの継ぎ部分を示
   す微小の継ぎ部パターンを配置し、これらの継ぎ部パタ
   ーンの確認により上記本パターンの露光精度が検査され
   るようにする電子ビーム露光方法。
2. （２）各チップ部はザブチップ部に分割され、各ザブテ
   ップ部のＸ軸及びＹ軸の継ぎ部にも継ぎ部パターンを配
   Ｎｔすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   電子ビーム露光方法。
3. （３）　電子ビーム露光はベクタースキャン形により施
   し、各チップ部の露光フィールド＆５分割される部分の
   分割部を判別できる継ぎ部パターンを配置することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光方
   法。
4. （４）被パターン形成体はマスクからなることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項ないし第３項のいづれかの項
   記載の電子ビーム露光方法。
5. （５）　被パターン形成体は半導体ウェーハからなるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
   づれかの項記載の電子ビーム露光方法。