JP3191710B2 - 図形一括電子線描画用マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに図形一括電子線描画装置 - Google Patents
図形一括電子線描画用マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに図形一括電子線描画装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線によって微
細パターンを形成する電子線描画装置に関し、特により
高速に微細パターンを形成する図形一括方式の描画装置
に用いるマスクに関する。
細パターンを形成する電子線描画装置に関し、特により
高速に微細パターンを形成する図形一括方式の描画装置
に用いるマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方式は、今後必要となる０．２５μｍ以
下のパターンを形成できる有効な露光方法である。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方式は、今後必要となる０．２５μｍ以
下のパターンを形成できる有効な露光方法である。
【０００３】電子線露光装置としては、図３に示すよう
な電子ビーム露光装置が用いられている。図３に示す電
子露光装置は、第１アパーチャ３と複数個の開口パター
ン６Ａを設けた第２アパーチャ６とにより電子ビーム５
０Ａを複数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂに成
形し、レジストを塗布した半導体ウエハ１１上に照射し
て微細パターンを形成する装置である。
な電子ビーム露光装置が用いられている。図３に示す電
子露光装置は、第１アパーチャ３と複数個の開口パター
ン６Ａを設けた第２アパーチャ６とにより電子ビーム５
０Ａを複数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂに成
形し、レジストを塗布した半導体ウエハ１１上に照射し
て微細パターンを形成する装置である。
【０００４】図３において、電子銃１を発した電子ビー
ム５０がブランキング電極２，第１アパーチャ３，成形
レンズ４，成形偏向器５，第２アパーチャ６，縮小レン
ズ７，主偏向器８，副偏向器９，投影レンズ１０を通っ
て試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。第１
アパーチャ３には四角の開口３Ａが形成されており、矩
形ビーム５０Ａが形成される。第２アパーチャ６上には
複数個の開口パターン６Ａを一括セルとして予め作って
おき、第１アパーチャ３を通して、四角形に成形された
電子ビーム５０Ａを第２アパーチャ６上の一括セル上に
照射し、この内の複数個のパターンを有する電子ビーム
５０Ｂを半導体ウエハ上に塗布してあるレジストに照射
して、複数個のパターンを一度に転写する。すなわち、
一回のショットにより１個もしくは複数のパターンの潜
像をレジストに形成することができる。
ム５０がブランキング電極２，第１アパーチャ３，成形
レンズ４，成形偏向器５，第２アパーチャ６，縮小レン
ズ７，主偏向器８，副偏向器９，投影レンズ１０を通っ
て試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。第１
アパーチャ３には四角の開口３Ａが形成されており、矩
形ビーム５０Ａが形成される。第２アパーチャ６上には
複数個の開口パターン６Ａを一括セルとして予め作って
おき、第１アパーチャ３を通して、四角形に成形された
電子ビーム５０Ａを第２アパーチャ６上の一括セル上に
照射し、この内の複数個のパターンを有する電子ビーム
５０Ｂを半導体ウエハ上に塗布してあるレジストに照射
して、複数個のパターンを一度に転写する。すなわち、
一回のショットにより１個もしくは複数のパターンの潜
像をレジストに形成することができる。
【０００５】図形データは記憶装置１５に保存されてお
り、計算機１４により図形データ用メモリ１７に読み出
された後、データの展開，ソート等の必要な処理が行わ
れる。これらのデータは、制御装置１６を通してブラン
キング電極２，成形偏向器５，主偏向器８，副偏向器９
に転送され、半導体ウエハ１１上の所望位置に所望形状
の電子ビーム５０Ｂが照射される。
り、計算機１４により図形データ用メモリ１７に読み出
された後、データの展開，ソート等の必要な処理が行わ
れる。これらのデータは、制御装置１６を通してブラン
キング電極２，成形偏向器５，主偏向器８，副偏向器９
に転送され、半導体ウエハ１１上の所望位置に所望形状
の電子ビーム５０Ｂが照射される。
【０００６】この図形一括描画方式の方法により、同様
のパターンを描画するのに必要なショット数は、従来用
いられてきた可変成形方式の電子ビーム露光装置に比
べ、約１／１０〜１／１００となる。この結果、電子ビ
ーム露光を行うのに必要な時間は減少し、スループット
を改善することができる。
のパターンを描画するのに必要なショット数は、従来用
いられてきた可変成形方式の電子ビーム露光装置に比
べ、約１／１０〜１／１００となる。この結果、電子ビ
ーム露光を行うのに必要な時間は減少し、スループット
を改善することができる。
【０００７】図形一括描画方式では、上述したように予
め複数の開口パターンを設けた第２アパーチャ（ＥＢマ
スク）を使用する。このＥＢマスク上に形成する開口パ
ターンは、ＬＳＩの設計データから基本的な繰返し部分
を抽出し、これを基本開口パターンとしている。従来
は、ＬＳＩ設計データにおいて参照される回数が多いセ
ルから順に基本開口パターンの候補として選択し、その
中からチップ全体のショット数が極力少なくなるように
基本開口パターンを決定してきた。
め複数の開口パターンを設けた第２アパーチャ（ＥＢマ
スク）を使用する。このＥＢマスク上に形成する開口パ
ターンは、ＬＳＩの設計データから基本的な繰返し部分
を抽出し、これを基本開口パターンとしている。従来
は、ＬＳＩ設計データにおいて参照される回数が多いセ
ルから順に基本開口パターンの候補として選択し、その
中からチップ全体のショット数が極力少なくなるように
基本開口パターンを決定してきた。
【０００８】さらに、基本開口パターンとしてできるだ
け多くの図形が含まれるように抽出した方がチップ全体
のショット数を減らすことができるため、ＥＢマスク上
の開口部として許容されるサイズに近くなるまで、基本
開口パターンを形成してきた。図５は、このような方法
で作成したＥＢマスクの例である。６は第２アパーチ
ャ，６Ａ，６Ｂは第２アパーチャ開口部である。
け多くの図形が含まれるように抽出した方がチップ全体
のショット数を減らすことができるため、ＥＢマスク上
の開口部として許容されるサイズに近くなるまで、基本
開口パターンを形成してきた。図５は、このような方法
で作成したＥＢマスクの例である。６は第２アパーチ
ャ，６Ａ，６Ｂは第２アパーチャ開口部である。
【０００９】特開平５−１３３１３号公報では、ＥＢマ
スクに形成するパターンを抽出する場合に、まず候補パ
ターンを抽出し、その中から総ショット数が少なくなる
ように有効度を設定して所定数のブロックパターンを抽
出する方法を提案している。
スクに形成するパターンを抽出する場合に、まず候補パ
ターンを抽出し、その中から総ショット数が少なくなる
ように有効度を設定して所定数のブロックパターンを抽
出する方法を提案している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＥＢマスク
上に形成するパターンの開口面積が大きくなると、第２
アパーチャ６を通過した電子ビーム５０Ｂのビーム電流
が増大し、ビーム同士の反発によりビームぼけが生じ、
解像度が劣化する、いわゆるクーロン効果の問題があ
る。
上に形成するパターンの開口面積が大きくなると、第２
アパーチャ６を通過した電子ビーム５０Ｂのビーム電流
が増大し、ビーム同士の反発によりビームぼけが生じ、
解像度が劣化する、いわゆるクーロン効果の問題があ
る。
【００１１】図９は、ビーム電流とビームだれとの関係
を表したもので、ビーム電流が大きくなると、電子ビー
ム５０Ｂのビームだれが大きくなるため、微細パターン
の形成が困難になる。これまでの抽出方法では、ＥＢマ
スク上に形成した基本開口パターンの開口面積を考慮し
ておらず、クーロン効果によるパターンの解像度の劣化
を防止することができない。
を表したもので、ビーム電流が大きくなると、電子ビー
ム５０Ｂのビームだれが大きくなるため、微細パターン
の形成が困難になる。これまでの抽出方法では、ＥＢマ
スク上に形成した基本開口パターンの開口面積を考慮し
ておらず、クーロン効果によるパターンの解像度の劣化
を防止することができない。
【００１２】本発明の目的は、解像度の劣化を伴うこと
なく、微細なパターンを形成する図形一括電子線描画用
マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに
図形一括電子線描画装置を提供することにある。
なく、微細なパターンを形成する図形一括電子線描画用
マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに
図形一括電子線描画装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る図形一括電子線描画用マスク作成方法
は、電子光学系に複数パターンが形成されたマスクを設
置し、電子ビームをショットする毎に前記マスクの複数
パターンに対応する潜像パターンをレジストの一領域に
繰り返し形成する図形一括描画方式に用いる図形一括電
子線描画用マスク作成方法であって、セル内に含まれる
パターンの最小寸法と、パターン間のピッチにより、パ
ターンの許容開口面積をあらかじめ設定し、前記許容開
口面積と、設計パターンから抽出した基本パターンの開
口面積とを比較して、繰返しパターンを作成するもので
ある。また本発明に係る図形一括電子線描画用マスク作
成方法は、電子光学系に複数パターンが形成されたマス
クを設置し、電子ビームをショットする毎に前記マスク
の複数パターンに対応する潜像パターンをレジストの一
領域に繰り返し形成する図形一括描画方式に用いる図形
一括電子線描画用マスク作成方法であって、 設計パター
ンから抽出したパターンのセル内に含まれる開口面積を
算出し、 セル内に含まれるパターンの最小寸法と、パタ
ーン間のピッチにより、パターンの許容開口面積をあら
かじめ設定し、 前記許容開口面積と、前記算出した開口
面積とを比較して、繰返しパターンを作成するものであ
る。またセル内に含まれるパターンの最小寸法、ライン
間のピッチ、開口面積を考慮してキャラクタ図形そのも
ののリサイズ処理を行うものである。
め、本発明に係る図形一括電子線描画用マスク作成方法
は、電子光学系に複数パターンが形成されたマスクを設
置し、電子ビームをショットする毎に前記マスクの複数
パターンに対応する潜像パターンをレジストの一領域に
繰り返し形成する図形一括描画方式に用いる図形一括電
子線描画用マスク作成方法であって、セル内に含まれる
パターンの最小寸法と、パターン間のピッチにより、パ
ターンの許容開口面積をあらかじめ設定し、前記許容開
口面積と、設計パターンから抽出した基本パターンの開
口面積とを比較して、繰返しパターンを作成するもので
ある。また本発明に係る図形一括電子線描画用マスク作
成方法は、電子光学系に複数パターンが形成されたマス
クを設置し、電子ビームをショットする毎に前記マスク
の複数パターンに対応する潜像パターンをレジストの一
領域に繰り返し形成する図形一括描画方式に用いる図形
一括電子線描画用マスク作成方法であって、 設計パター
ンから抽出したパターンのセル内に含まれる開口面積を
算出し、 セル内に含まれるパターンの最小寸法と、パタ
ーン間のピッチにより、パターンの許容開口面積をあら
かじめ設定し、 前記許容開口面積と、前記算出した開口
面積とを比較して、繰返しパターンを作成するものであ
る。またセル内に含まれるパターンの最小寸法、ライン
間のピッチ、開口面積を考慮してキャラクタ図形そのも
ののリサイズ処理を行うものである。
【００１４】また本発明に係る図形一括電子線描画用マ
スクは、パターンの最小寸法と、パターン間のピッチに
より、パターンの許容開口面積をあらかじめ設定し、前
記許容開口面積と、設計パターンから抽出した基本パタ
ーンの開口面積とを比較して、繰り返しパターンを作成
することにより作成されたものである。また本発明に係
る図形一括電子線描画装置は、電子光学系に複数パター
ンが形成されたマスクを設置し、電子ビームをショット
する毎に前記マスクの複数パターンに対応する潜像パタ
ーンをレジストの一領域に繰り返し形成する図形一括電
子線描画装置であって、許容開口面積算出部と、最小寸
法・ピッチ検索部と、許容開口面積検索部と、開口面積
算出部と、開口面積比較部とを有し、許容開口面積算出
部は、パターンの最小寸法とパターン間のピッチによっ
て決定される開口面積の許容値を求めるものであり、最
小寸法・ピッチ検索部は、候補として抽出した基本開口
パターンデータに存在するパターンの最小寸法とパター
ン間のピッチを検索するものであり、許容開口面積検索
部は、検索されたパターンの最小寸法とパターン間のピ
ッチの値から予め設置された許容開口面積を求めるもの
であり、開口面積算出部は、候補として抽出した基本開
口パターンの開口面積を求めるものであり、開口面積比
較部は、基本開口パターンの開口面積と許容開口面積と
を比較するものである。
スクは、パターンの最小寸法と、パターン間のピッチに
より、パターンの許容開口面積をあらかじめ設定し、前
記許容開口面積と、設計パターンから抽出した基本パタ
ーンの開口面積とを比較して、繰り返しパターンを作成
することにより作成されたものである。また本発明に係
る図形一括電子線描画装置は、電子光学系に複数パター
ンが形成されたマスクを設置し、電子ビームをショット
する毎に前記マスクの複数パターンに対応する潜像パタ
ーンをレジストの一領域に繰り返し形成する図形一括電
子線描画装置であって、許容開口面積算出部と、最小寸
法・ピッチ検索部と、許容開口面積検索部と、開口面積
算出部と、開口面積比較部とを有し、許容開口面積算出
部は、パターンの最小寸法とパターン間のピッチによっ
て決定される開口面積の許容値を求めるものであり、最
小寸法・ピッチ検索部は、候補として抽出した基本開口
パターンデータに存在するパターンの最小寸法とパター
ン間のピッチを検索するものであり、許容開口面積検索
部は、検索されたパターンの最小寸法とパターン間のピ
ッチの値から予め設置された許容開口面積を求めるもの
であり、開口面積算出部は、候補として抽出した基本開
口パターンの開口面積を求めるものであり、開口面積比
較部は、基本開口パターンの開口面積と許容開口面積と
を比較するものである。
【００１５】
【作用】本発明では、ＬＳＩ設計データからＥＢマスク
上に形成する図形一括露光用基本開口パターンを抽出す
る際に、抽出した基本開口パターンデータから開口面積
を算出し、これが許容条件を満たすかどうかを判定す
る。具体的には、（ａ）パターンの最小寸法とパターン
間のピッチによって決定される開口面積の許容値を求
め、デーフルとして保存し、（ｂ）候補として抽出した
基本開口パターンデータに存在するパターンの最小寸法
とパターン間のピッチを検索し、（ｃ）これらの値から
予め設定しておいたテーブルより許容開口面積を求め、
（ｄ）候補として抽出した基本開口パターンの開口面積
を求め、（ｅ）基本開口パターンの開口面積を許容開口
面積と比較する。
上に形成する図形一括露光用基本開口パターンを抽出す
る際に、抽出した基本開口パターンデータから開口面積
を算出し、これが許容条件を満たすかどうかを判定す
る。具体的には、（ａ）パターンの最小寸法とパターン
間のピッチによって決定される開口面積の許容値を求
め、デーフルとして保存し、（ｂ）候補として抽出した
基本開口パターンデータに存在するパターンの最小寸法
とパターン間のピッチを検索し、（ｃ）これらの値から
予め設定しておいたテーブルより許容開口面積を求め、
（ｄ）候補として抽出した基本開口パターンの開口面積
を求め、（ｅ）基本開口パターンの開口面積を許容開口
面積と比較する。
【００１６】本発明によれば、図形一括露光の基本開口
セルの開口面積を考慮しながら、最適な基本開口セルの
抽出を行うため、解像度の劣化を伴うことなく、微細な
パターンを形成することができる。
セルの開口面積を考慮しながら、最適な基本開口セルの
抽出を行うため、解像度の劣化を伴うことなく、微細な
パターンを形成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。図４は、本発明に係る図形一括描画装置
を示す構成図である。
より説明する。図４は、本発明に係る図形一括描画装置
を示す構成図である。
【００１８】図４に示すように、本発明の図形一括描画
装置に用いる計算機１４は、許容開口面積算出部１４ａ
と、最小寸法・ピッチ検索部１４ｂと、許容開口面積検
索部１４ｃと、開口面積算出部１４ｄと、開口面積比較
部１４ｅとを有している。
装置に用いる計算機１４は、許容開口面積算出部１４ａ
と、最小寸法・ピッチ検索部１４ｂと、許容開口面積検
索部１４ｃと、開口面積算出部１４ｄと、開口面積比較
部１４ｅとを有している。
【００１９】許容開口面積算出部１４ａにおいて、ＥＢ
マスク６上に作成する図形一括用基本開口パターンの許
容開口面積Ｓｍａｘは、含まれるパターンの最小寸法Ｌ
ｍｉｎとパターン間のピッチＰによって決定される。そ
こで、予め想定されるＬｍｉｎとＰの値から許容開口面
積算出部１４ａによりＳｍａｘの値を求めておき、図８
（ａ）に示すようなテーブルとして保存しておく。
マスク６上に作成する図形一括用基本開口パターンの許
容開口面積Ｓｍａｘは、含まれるパターンの最小寸法Ｌ
ｍｉｎとパターン間のピッチＰによって決定される。そ
こで、予め想定されるＬｍｉｎとＰの値から許容開口面
積算出部１４ａによりＳｍａｘの値を求めておき、図８
（ａ）に示すようなテーブルとして保存しておく。
【００２０】次に最小寸法・ピッチ検索部１４ｂによ
り、候補となる基本開口パターン内の最小寸法Ｌｍｉ
ｎ，パターン間ピッチＰを検索する。
り、候補となる基本開口パターン内の最小寸法Ｌｍｉ
ｎ，パターン間ピッチＰを検索する。
【００２１】さらに許容開口面積検索部１４ｃにより、
Ｌｍｉｎ，Ｐの値から許容開口面積を図８（ａ）のテー
ブルから検索する。さらに開口面積算出部１４ｄによ
り、候補となる基本開口パターンの開口面積を算出す
る。
Ｌｍｉｎ，Ｐの値から許容開口面積を図８（ａ）のテー
ブルから検索する。さらに開口面積算出部１４ｄによ
り、候補となる基本開口パターンの開口面積を算出す
る。
【００２２】次に開口面積比較部１４ｅにより、候補と
なる基本開口パターンの開口面積と許容開口面積を比較
する。
なる基本開口パターンの開口面積と許容開口面積を比較
する。
【００２３】ＥＢマスク６に搭載する図形一括用基本開
口パターンの抽出方法を図１を用いて説明する。ステッ
プ２０において、ＬＳＩ説計データを構成しているセル
の中から、参照回数の多いセルを抽出する。次にステッ
プ２１において、抽出したセルの大きさＣｘ，Ｃｙ記憶
する。さらに、ステップ２２において、セル内の最小寸
法Ｌｍｉｎ，パターン間のピッチＰを記憶する。
口パターンの抽出方法を図１を用いて説明する。ステッ
プ２０において、ＬＳＩ説計データを構成しているセル
の中から、参照回数の多いセルを抽出する。次にステッ
プ２１において、抽出したセルの大きさＣｘ，Ｃｙ記憶
する。さらに、ステップ２２において、セル内の最小寸
法Ｌｍｉｎ，パターン間のピッチＰを記憶する。
【００２４】次にステップ２３に示すように、ステップ
２０で抽出した候補基本開口セル内に含まれるパターン
のＬｍｉｎ，Ｐの値からＳｍａｘを検索する。ステップ
２４において、セルの大きさＣｘ，Ｃｙが許容開口部の
大きさＣｍａｘより大きいかどうかを判定し、ステップ
２５において、セルの大きさＣｘ，Ｃｙがセルの大きさ
Ｃｍａｘより大きい場合は、セルの分割を行う。
２０で抽出した候補基本開口セル内に含まれるパターン
のＬｍｉｎ，Ｐの値からＳｍａｘを検索する。ステップ
２４において、セルの大きさＣｘ，Ｃｙが許容開口部の
大きさＣｍａｘより大きいかどうかを判定し、ステップ
２５において、セルの大きさＣｘ，Ｃｙがセルの大きさ
Ｃｍａｘより大きい場合は、セルの分割を行う。
【００２５】次にステップ２６において、分割後のセル
内の開口面積Ｓを計算し、ステップ２３で検索したＳｍ
ａｘとの大小を比較する（ステップ２７）。ＳがＳｍａ
ｘより小さい場合は、このまま図形一括用基本セルデー
タとし、ＳがＳｍａｘより大きい場合は、さらにセル分
割を行う（ステップ２８）。
内の開口面積Ｓを計算し、ステップ２３で検索したＳｍ
ａｘとの大小を比較する（ステップ２７）。ＳがＳｍａ
ｘより小さい場合は、このまま図形一括用基本セルデー
タとし、ＳがＳｍａｘより大きい場合は、さらにセル分
割を行う（ステップ２８）。
【００２６】このセル分割は、ＳがＳｍａｘより小さく
なるまで繰り返し行う。Ｃｘ，ＣｙがＣｍａｘより小さ
い場合は直接そのセルに対し、開口面積Ｓを求める（ス
テップ２８）。さらにＳをステップ２３で検索したＳｍ
ａｘと比較し（ステップ２９）、ＳがＳｍａｘより小さ
い場合は、そのまま図形一括用基本開口セルデータと
し、ＳがＳｍａｘより大きい場合はセル分割を行う（ス
テップ３０）。このセル分割は、ＳがＳｍａｘより小さ
くなるまで繰り返し行う。
なるまで繰り返し行う。Ｃｘ，ＣｙがＣｍａｘより小さ
い場合は直接そのセルに対し、開口面積Ｓを求める（ス
テップ２８）。さらにＳをステップ２３で検索したＳｍ
ａｘと比較し（ステップ２９）、ＳがＳｍａｘより小さ
い場合は、そのまま図形一括用基本開口セルデータと
し、ＳがＳｍａｘより大きい場合はセル分割を行う（ス
テップ３０）。このセル分割は、ＳがＳｍａｘより小さ
くなるまで繰り返し行う。
【００２７】以上の方法で抽出した図形一括用基本開口
セルデータの情報を用いて、ＥＢマスク６を作成する。
一方、図８（ｂ）に示すように、この図形一括用基本開
口セルデータの情報を基にＬＳＩ設計データから電子ビ
ーム直描用データを作成する。図６は、図１のフローチ
ャートに従って作成したＥＢマスクの一例である。
セルデータの情報を用いて、ＥＢマスク６を作成する。
一方、図８（ｂ）に示すように、この図形一括用基本開
口セルデータの情報を基にＬＳＩ設計データから電子ビ
ーム直描用データを作成する。図６は、図１のフローチ
ャートに従って作成したＥＢマスクの一例である。
【００２８】
【実施形態２】ＥＢマスク６に搭載する図形一括用基本
開口パターンの抽出方法の別の例を図２を用いて説明す
る。ステップ２０において、ＬＳＩ設計データを構成し
ているセルの中から、参照回数の多いセルを抽出する。
次にステップ２１において、抽出したセルの大きさＣ
ｘ，Ｃｙを記憶する。さらにステップ２２において、セ
ル内の最小寸法Ｌｍｉｎ，パターン間のピッチＰを記憶
する。次にステップ２３に示すように、ステップ２０で
抽出した候補基本開口セル内に含まれるパターンのＬｍ
ｉｎ，Ｐの値からＳｍａｘを検索する。Ｃｘ，Ｃｙが許
容開口部の大きさＣｍａｘより大きいかどうかを判定し
（ステップ２４）、Ｃｘ，ＣｙがＣｍａｘより大きい場
合はセルのリサイズを行う（ステップ３１）。
開口パターンの抽出方法の別の例を図２を用いて説明す
る。ステップ２０において、ＬＳＩ設計データを構成し
ているセルの中から、参照回数の多いセルを抽出する。
次にステップ２１において、抽出したセルの大きさＣ
ｘ，Ｃｙを記憶する。さらにステップ２２において、セ
ル内の最小寸法Ｌｍｉｎ，パターン間のピッチＰを記憶
する。次にステップ２３に示すように、ステップ２０で
抽出した候補基本開口セル内に含まれるパターンのＬｍ
ｉｎ，Ｐの値からＳｍａｘを検索する。Ｃｘ，Ｃｙが許
容開口部の大きさＣｍａｘより大きいかどうかを判定し
（ステップ２４）、Ｃｘ，ＣｙがＣｍａｘより大きい場
合はセルのリサイズを行う（ステップ３１）。
【００２９】次にステップ２６において、リサイズ後の
セル内の開口面積Ｓを計算し、ステップ２７において、
ステップ２３で検索したＳｍａｘとの大小を比較する。
ＳがＳｍａｘより小さい場合は、そのまま図形一括用基
本セルデータとし、ＳがＳｍａｘより大きい場合は、さ
らにセルのリサイズ処理を行う（ステップ３１）。この
リサイズ処理はＳがＳｍａｘより小さくなるまで繰り返
し行う。セルの大きさＣｘ，Ｃｙがセルの大きさＣｍａ
ｘより小さい場合は、直接そのセルに対し、開口面積ｓ
を求める（ステップ２８）。
セル内の開口面積Ｓを計算し、ステップ２７において、
ステップ２３で検索したＳｍａｘとの大小を比較する。
ＳがＳｍａｘより小さい場合は、そのまま図形一括用基
本セルデータとし、ＳがＳｍａｘより大きい場合は、さ
らにセルのリサイズ処理を行う（ステップ３１）。この
リサイズ処理はＳがＳｍａｘより小さくなるまで繰り返
し行う。セルの大きさＣｘ，Ｃｙがセルの大きさＣｍａ
ｘより小さい場合は、直接そのセルに対し、開口面積ｓ
を求める（ステップ２８）。
【００３０】さらにＳをステップ２３で検索したＳｍａ
ｘと比較し（ステップ２９）、ＳがＳｍａｘより小さい
場合はそのまま図形一括用基本セルデータとし、ＳがＳ
ｍａｘより大きい場合はセルのリサイズ処理を行う（ス
テップ３２）。このセルのリサイズ処理は、ＳがＳｍａ
ｘより小さくなるまで繰り返し行う。
ｘと比較し（ステップ２９）、ＳがＳｍａｘより小さい
場合はそのまま図形一括用基本セルデータとし、ＳがＳ
ｍａｘより大きい場合はセルのリサイズ処理を行う（ス
テップ３２）。このセルのリサイズ処理は、ＳがＳｍａ
ｘより小さくなるまで繰り返し行う。
【００３１】以上の方法で抽出した図形一括用基本セル
データの情報を用いて、ＥＢマスク６を作成する。一
方、図８（ｂ）に示すように、この図形一括用基本セル
データの情報を元にＬＳＩ説計データから電子ビーム直
描用データを作成する。図７は、図２のフローチャート
に従って作成したＥＢマスクの一例である。
データの情報を用いて、ＥＢマスク６を作成する。一
方、図８（ｂ）に示すように、この図形一括用基本セル
データの情報を元にＬＳＩ説計データから電子ビーム直
描用データを作成する。図７は、図２のフローチャート
に従って作成したＥＢマスクの一例である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、図
形一括露光の基本開口セルの開口面積を考慮しながら、
最適な基本開口セルの抽出を行うため、解像度の劣化を
伴うことなく、微細なパターンを形成することができ
る。
形一括露光の基本開口セルの開口面積を考慮しながら、
最適な基本開口セルの抽出を行うため、解像度の劣化を
伴うことなく、微細なパターンを形成することができ
る。
【図１】本発明の実施形態１において基本開口パターン
を抽出する過程を説明する図である。
を抽出する過程を説明する図である。
【図２】本発明の実施形態２において基本開口パターン
を抽出する過程を説明する図である。
を抽出する過程を説明する図である。
【図３】図形一括描画装置を示す構成図である。
【図４】本発明の実施形態に係る図形一括描画装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図５】従来技術の図形一括描画用ＥＢマスクを示す構
成図である。
成図である。
【図６】本発明の実施形態１における図形一括描画用Ｅ
Ｂマスクを示す構成図である。
Ｂマスクを示す構成図である。
【図７】本発明の実施形態２における図形一括描画用Ｅ
Ｂマスクを示す構成図である。
Ｂマスクを示す構成図である。
【図８】（ａ）は本発明の実施形態における基本開口セ
ルの最大許容開口面積を示す表、（ｂ）は、設計データ
を電子線直描用データに変換する過程を示す説明図であ
る。
ルの最大許容開口面積を示す表、（ｂ）は、設計データ
を電子線直描用データに変換する過程を示す説明図であ
る。
【図９】ビーム電流とビームだれの関係を示す説明図で
ある。
ある。
１ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 第１アパーチャ ３Ａ 第１アパーチャ開口部 ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパーチャ ６Ａ，６Ｂ 第２アパーチャ開口部 ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １１Ａ，１１Ｂ レジスト内の潜像 １２ 試料台 １３ 図形データ用メモリ １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野末 寛 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−153658（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−182899（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267834（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (5)
- 【請求項１】 電子光学系に複数パターンが形成された
マスクを設置し、電子ビームをショットする毎に前記マ
スクの複数パターンに対応する潜像パターンをレジスト
の一領域に繰り返し形成する図形一括描画方式に用いる
図形一括電子線描画用マスク作成方法であって、セル内に含まれるパターンの最小寸法と、パターン間の
ピッチにより、パターンの許容開口面積をあらかじめ設
定し、前記許容開口面積と、設計パターンから抽出した
基本パターンの開口面積とを比較して、繰返しパターン
を作成する ことを特徴とする図形一括電子線描画用マス
ク作成方法。 - 【請求項２】 電子光学系に複数パターンが形成された
マスクを設置し、電子ビームをショットする毎に前記マ
スクの複数パターンに対応する潜像パターンをレジスト
の一領域に繰り返し形成する図形一括描画方式に用いる
図形一括電子線描画用マスク作成方法であって、設計パターンから抽出したパターンのセル内に含まれる
開口面積を算出し、 セル内に含まれるパターンの最小寸法と、パターン間の
ピッチにより、パターンの許容開口面積をあらかじめ設
定し、 前記許容開口面積と、前記算出した開口面積とを比較し
て、繰返しパターンを作成する ことを特徴とする図形一
括電子線描画用マスク作成方法。 - 【請求項３】 セル内に含まれるパターンの最小寸法、
ライン間のピッチ、開口面積を考慮してキャラクタ図形
そのもののリサイズ処理を行うことを特徴とする請求項
１又は２に記載の図形一括電子線描画用マスク作成方
法。 - 【請求項４】 図形一括電子線描画用マスクであって、 パターンの最小寸法と、パターン間のピッチにより、パ
ターンの許容開口面積をあらかじめ設定し、前記許容開
口面積と、設計パターンから抽出した基本パターンの開
口面積とを比較して、繰り返しパターンを作成すること
により作成されたことを特徴とする図形一括電子線描画
用マスク。 - 【請求項５】 電子光学系に複数パターンが形成された
マスクを設置し、電子ビームをショットする毎に前記マ
スクの複数パターンに対応する潜像パターンをレジスト
の一領域に繰り返し形成する図形一括電子線描画装置で
あって、 許容開口面積算出部と、最小寸法・ピッチ検索部と、許
容開口面積検索部と、開口面積算出部と、開口面積比較
部とを有し、 許容開口面積算出部は、パターンの最小寸法とパターン
間のピッチによって決定される開口面積の許容値を求め
るものであり、 最小寸法・ピッチ検索部は、候補として抽出した基本開
口パターンデータに存在するパターンの最小寸法とパタ
ーン間のピッチを検索するものであり、 許容開口面積検索部は、検索されたパターンの最小寸法
とパターン間のピッチの値から予め設置された許容開口
面積を求めるものであり、 開口面積算出部は、候補として抽出した基本開口パター
ンの開口面積を求めるものであり、 開口面積比較部は、基本開口パターンの開口面積と許容
開口面積とを比較するものであることを特徴とする図形
一括電子線描画装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP783397A JP3191710B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 図形一括電子線描画用マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに図形一括電子線描画装置 |
| US09/006,503 US6042971A (en) | 1997-01-20 | 1998-01-14 | Method of manufacturing an EB mask for electron beam image drawing and device for manufacturing an EB mask |
| KR1019980001054A KR100285925B1 (ko) | 1997-01-20 | 1998-01-15 | 전자선묘화용eb마스크제조방법및eb마스크제조장치 |
| TW087100545A TW364157B (en) | 1997-01-20 | 1998-01-16 | Method of manufacturing an EB mask for electron beam image drawing and device for manufacturing an EB mask |
| CN98100057A CN1133201C (zh) | 1997-01-20 | 1998-01-20 | 制作用于电子束绘图的电子束掩模的方法和制作该掩模的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP783397A JP3191710B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 図形一括電子線描画用マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに図形一括電子線描画装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10207043A JPH10207043A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3191710B2 true JP3191710B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=11676615
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP783397A Expired - Fee Related JP3191710B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 図形一括電子線描画用マスク及び図形一括電子線描画用マスク作成方法並びに図形一括電子線描画装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3191710B2 (ja) |
| KR (1) | KR100285925B1 (ja) |
| CN (1) | CN1133201C (ja) |
| TW (1) | TW364157B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4745089B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2011-08-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法、描画データ作成方法及びプログラム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3295855B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2002-06-24 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
| US5249197A (en) * | 1991-11-15 | 1993-09-28 | Amoco Corporation | Mounting for an optical component |
-
1997
- 1997-01-20 JP JP783397A patent/JP3191710B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-14 US US09/006,503 patent/US6042971A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-15 KR KR1019980001054A patent/KR100285925B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-01-16 TW TW087100545A patent/TW364157B/zh active
- 1998-01-20 CN CN98100057A patent/CN1133201C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1133201C (zh) | 2003-12-31 |
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| US6042971A (en) | 2000-03-28 |
| CN1189684A (zh) | 1998-08-05 |
| JPH10207043A (ja) | 1998-08-07 |
| TW364157B (en) | 1999-07-11 |
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