JP3133139B2 - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置に係り、
とくにＩＣ、ＬＳＩ等の精緻なパターン図形の描画精度
を向上した電子線描画装置に関する。
とくにＩＣ、ＬＳＩ等の精緻なパターン図形の描画精度
を向上した電子線描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線描画装置においては、半導
体ウエハ面を図２に示すように区分して各区分内を順次
描画していくようにしていた。
体ウエハ面を図２に示すように区分して各区分内を順次
描画していくようにしていた。
【０００３】すなわち、ウエハ面をまず同図（ａ）のよ
うに電子線描画装置の電磁偏向器で偏向可能な範囲であ
るフィールド〔１，１〕〜〔３，３〕等に区分し、さら
に、各フィールド内を電子光学系の静電偏向器の最大偏
向範囲に対応する複数のサブフィールド（１，１）〜
（５，５）等に区分し、一つのフィールド内のサブフィ
ールドを順次描画してから次のフィールドの描画に移る
ようにしていた。
うに電子線描画装置の電磁偏向器で偏向可能な範囲であ
るフィールド〔１，１〕〜〔３，３〕等に区分し、さら
に、各フィールド内を電子光学系の静電偏向器の最大偏
向範囲に対応する複数のサブフィールド（１，１）〜
（５，５）等に区分し、一つのフィールド内のサブフィ
ールドを順次描画してから次のフィールドの描画に移る
ようにしていた。
【０００４】各サブフィールド内は静電偏向器により描
画され、サブフィールド間の移動には電磁偏向器が用い
られ、フィールド間の移動にはステージが用いられる。
画され、サブフィールド間の移動には電磁偏向器が用い
られ、フィールド間の移動にはステージが用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
描画順序では一つのフィールドから隣接するフィールド
に移るまでに（一つのフィールドが描画されるまでに）
時間がかかるので、その間にビームドリフトが発生し、
フィールド間に跨るパターンに段差が発生するという問
題があった。
描画順序では一つのフィールドから隣接するフィールド
に移るまでに（一つのフィールドが描画されるまでに）
時間がかかるので、その間にビームドリフトが発生し、
フィールド間に跨るパターンに段差が発生するという問
題があった。
【０００６】上記ビームドリフトは例えば図３のように
時間変化し、描画開始時点６から時間が経過するとビー
ムドリフトは９の大きさに達する。
時間変化し、描画開始時点６から時間が経過するとビー
ムドリフトは９の大きさに達する。
【０００７】そこで、従来の電子線描画装置ではビーム
ドリフト量を予測して定期的あるいはフィールド移行時
に補正するようにしていたが、必ずしも十分に補償でき
ないという問題があった。
ドリフト量を予測して定期的あるいはフィールド移行時
に補正するようにしていたが、必ずしも十分に補償でき
ないという問題があった。
【０００８】とくにフィールド間に跨る幅の小さいパタ
ーンでは、上記のようにフィールド移行時にビームドリ
フト量が補正されたとしても、一つのフィールドが描画
されるのに時間を要することからその間に発生するわず
かなビームドリフトに基づくドリフト補償誤差によりパ
ターンの段差が顕在化し、最悪の場合にはパターンが切
れることがあった。
ーンでは、上記のようにフィールド移行時にビームドリ
フト量が補正されたとしても、一つのフィールドが描画
されるのに時間を要することからその間に発生するわず
かなビームドリフトに基づくドリフト補償誤差によりパ
ターンの段差が顕在化し、最悪の場合にはパターンが切
れることがあった。
【０００９】図４は、上記ドリフトの影響を示すパター
ン図である。
ン図である。
【００１０】図４では、フィールド〔２，１〕内のサブ
フィールド（５，５）とフィールド〔３，１〕内のサブ
フィールド（１，５）間には太いパターン１４と細いパ
ターン１５が存在するが、上記ドリフト補償誤差により
パターンの段差ｅが発生している。太いパターン１４で
はパターン幅に対する段差ｅの比率が小さいので問題は
少ないが、細いパターン１５の場合には段差ｅの比率が
大きく、このためこの段差部でパターンがやせ、場合に
よっては断線が生じることになる。
フィールド（５，５）とフィールド〔３，１〕内のサブ
フィールド（１，５）間には太いパターン１４と細いパ
ターン１５が存在するが、上記ドリフト補償誤差により
パターンの段差ｅが発生している。太いパターン１４で
はパターン幅に対する段差ｅの比率が小さいので問題は
少ないが、細いパターン１５の場合には段差ｅの比率が
大きく、このためこの段差部でパターンがやせ、場合に
よっては断線が生じることになる。
【００１１】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
一つのフィールドを描画するのに要する時間の間に生じ
る僅かなビームドリフトの影響を受けることなく、フィ
ールド間に跨る幅の小さい細いパターンに生じる段差を
減少させて描画することができるようにした電子線描画
装置を提供することにある。
一つのフィールドを描画するのに要する時間の間に生じ
る僅かなビームドリフトの影響を受けることなく、フィ
ールド間に跨る幅の小さい細いパターンに生じる段差を
減少させて描画することができるようにした電子線描画
装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体ウエハ等の描画試料面を複数のフ
ィールドに分割し、さらに各フィールド内を複数のサブ
フィールドに細分割し、これら分割された複数のフィー
ルドについては描画順序に従って移行させ、さらに各フ
ィールド内を細分割された複数のサブフィールドについ
ては描画順序に従って順次描画する電子線描画装置にお
いて、隣接するフィールド間に跨って細い描画パターン
が存在するか否かを検索する検索手段と、該検索手段に
よって隣接するフィールド間に跨って細い描画パターン
が存在すると検索されたとき、上記隣接するフィールド
の各々において、サブフィールドの描画順序を再設定
し、該再設定されたサブフィールドの描画順序に従って
順次描画する描画手段とを備えたことを特徴とする。
に、本発明は、半導体ウエハ等の描画試料面を複数のフ
ィールドに分割し、さらに各フィールド内を複数のサブ
フィールドに細分割し、これら分割された複数のフィー
ルドについては描画順序に従って移行させ、さらに各フ
ィールド内を細分割された複数のサブフィールドについ
ては描画順序に従って順次描画する電子線描画装置にお
いて、隣接するフィールド間に跨って細い描画パターン
が存在するか否かを検索する検索手段と、該検索手段に
よって隣接するフィールド間に跨って細い描画パターン
が存在すると検索されたとき、上記隣接するフィールド
の各々において、サブフィールドの描画順序を再設定
し、該再設定されたサブフィールドの描画順序に従って
順次描画する描画手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、上記検索手段において、
描画パターンの幅を予め定めた基準幅と比較することに
よって、上記細い描画パターンを検索するように構成し
たことを特徴とする。
描画パターンの幅を予め定めた基準幅と比較することに
よって、上記細い描画パターンを検索するように構成し
たことを特徴とする。
【００１４】また、本発明は、上記描画手段において、
各フィールド内におけるサブフィールドの描画順序を規
定するサブフィールド番地表を備え、上記検索手段にお
いて検索された隣接するフィールドの各々において、上
記細い描画パターンが、前に描画されるフィールドに跨
る場合には前段部に、後に描画されるフィールドに跨る
場合には後段部に、上記細い描画パターンを描画するた
めのデータを上記サブフィールド番地表に付加する付加
手段を備え、該付加手段によって付加された新サブフィ
ールド番地表により上記サブフィールドの描画順序を再
設定するように構成したことを特徴とする。
各フィールド内におけるサブフィールドの描画順序を規
定するサブフィールド番地表を備え、上記検索手段にお
いて検索された隣接するフィールドの各々において、上
記細い描画パターンが、前に描画されるフィールドに跨
る場合には前段部に、後に描画されるフィールドに跨る
場合には後段部に、上記細い描画パターンを描画するた
めのデータを上記サブフィールド番地表に付加する付加
手段を備え、該付加手段によって付加された新サブフィ
ールド番地表により上記サブフィールドの描画順序を再
設定するように構成したことを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、上記付加手段において、
付加するデータが、隣接するフィールドの境界部のサブ
フィールド番号列で示されることを特徴とする。
付加するデータが、隣接するフィールドの境界部のサブ
フィールド番号列で示されることを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、上記描画手段において、
上記サブフィールドの描画順序を上記細い描画パターン
を優先して描画するように再設定することを特徴とす
る。
上記サブフィールドの描画順序を上記細い描画パターン
を優先して描画するように再設定することを特徴とす
る。
【００１７】
【作用】本発明に係る電子線描画装置においては、上述
したように、従来の電子線描画装置と同様に、フィール
ド移行時にはビームドリフト量が補正されるものとす
る。従って、本発明に係る電子線描画装置によれば、隣
接するフィールド間に跨って細い描画パターンが存在す
るとき、隣接するフィールドの各々において、細い描画
パターンを優先して描画するようにサブフィールドの描
画順序を再設定することにより、一つのフィールドを描
画する間に生じるビームドリフトの影響を低減して上記
細い描画パターンを描画することが可能となる。
したように、従来の電子線描画装置と同様に、フィール
ド移行時にはビームドリフト量が補正されるものとす
る。従って、本発明に係る電子線描画装置によれば、隣
接するフィールド間に跨って細い描画パターンが存在す
るとき、隣接するフィールドの各々において、細い描画
パターンを優先して描画するようにサブフィールドの描
画順序を再設定することにより、一つのフィールドを描
画する間に生じるビームドリフトの影響を低減して上記
細い描画パターンを描画することが可能となる。
【００１８】
【実施例】図２（ａ）において各フィールドの描画順序
が例えば、 〔１，１〕→〔１，２〕→〔１，３〕→ 〔２，３〕→〔２，２〕→〔２，１〕→ 〔３，１〕→〔３，２〕→〔３，３〕 （１） のように決められていたとすると、図４に示したパター
ン１４、１５を上述した従来の電子線描画装置により描
画する場合には、フィールド移行時にビームドリフト量
を補正しつつ、まず、フィールド〔２，１〕内の最後の
サブフィールド（５，５）においてパターン１４、１５
の部分を描画してからフィールド〔３，１〕内の比較的
初めに近いサブフィールド（１，５）においてパターン
１４、１５の残りの部分を描画することになり、これら
サブフィールド間に生じるドリフト変化による段差ｅが
発生するという問題があった。
が例えば、 〔１，１〕→〔１，２〕→〔１，３〕→ 〔２，３〕→〔２，２〕→〔２，１〕→ 〔３，１〕→〔３，２〕→〔３，３〕 （１） のように決められていたとすると、図４に示したパター
ン１４、１５を上述した従来の電子線描画装置により描
画する場合には、フィールド移行時にビームドリフト量
を補正しつつ、まず、フィールド〔２，１〕内の最後の
サブフィールド（５，５）においてパターン１４、１５
の部分を描画してからフィールド〔３，１〕内の比較的
初めに近いサブフィールド（１，５）においてパターン
１４、１５の残りの部分を描画することになり、これら
サブフィールド間に生じるドリフト変化による段差ｅが
発生するという問題があった。
【００１９】なお、各フィールド内はサブフィールドの
描画順序にしたがって描画されるものとする。
描画順序にしたがって描画されるものとする。
【００２０】上記段差ｅを抑えるためには、フィールド
間に跨る細いパターンは、各フィールドにおいてできる
だけ時間をおかずに描画する必要がある。
間に跨る細いパターンは、各フィールドにおいてできる
だけ時間をおかずに描画する必要がある。
【００２１】そこで本発明においては、 （１）フィールド間に跨る細いパターンの存在を予め検
索して登録し、 （２）上記細いパターンの存在する両フィールド内のサ
ブフィールドの描画順序を変更して、この細いパターン
をできるだけ時間をおかずに描画するようにする。
索して登録し、 （２）上記細いパターンの存在する両フィールド内のサ
ブフィールドの描画順序を変更して、この細いパターン
をできるだけ時間をおかずに描画するようにする。
【００２２】以下、上記（１）と（２）の詳細について
逐次説明する。
逐次説明する。
【００２３】図５はフィールド内の描画パターンデータ
の一例である。
の一例である。
【００２４】先頭にそのフィールドの番地を格納し、次
いでそのフィールド内のサブフィールド番地表、サブフ
ィールド単位の描画パターンデータが描画順に格納され
る。
いでそのフィールド内のサブフィールド番地表、サブフ
ィールド単位の描画パターンデータが描画順に格納され
る。
【００２５】サブフィールドの描画順序はサブフィール
ド番地表順に従い、サブフィールド内の描画順序は上記
描画パターンデータの順序に従う。
ド番地表順に従い、サブフィールド内の描画順序は上記
描画パターンデータの順序に従う。
【００２６】図６は上記各サブフィールド内の描画パタ
ーンデータの構造を示す図である。上記描画パターンデ
ータ構造には、描画パターンの図種と、その座標値（Ｘ
0，Ｙ0）と、幅Ｗ、高さＨと、照射量テーブル番号等を
格納する。
ーンデータの構造を示す図である。上記描画パターンデ
ータ構造には、描画パターンの図種と、その座標値（Ｘ
0，Ｙ0）と、幅Ｗ、高さＨと、照射量テーブル番号等を
格納する。
【００２７】また、電子線の照射量は照射量テーブル番
号を用いて照射量テーブルを索引して決定する。
号を用いて照射量テーブルを索引して決定する。
【００２８】また、上記図種欄には図種の他に、図４の
１４，１５に示したように隣接フィールドの境界を越え
て当該サブフィールド内にはみ出しているパターンの幅
ｗｉを分類するインデックスｉｄを設定する。
１４，１５に示したように隣接フィールドの境界を越え
て当該サブフィールド内にはみ出しているパターンの幅
ｗｉを分類するインデックスｉｄを設定する。
【００２９】パターン幅ｗｉを予め定めた基準値ｗと比
較し、ｗｉがｗよりも小さい場合にはインデックスｉｄ
を１に設定し、大きい場合には０に設定する。
較し、ｗｉがｗよりも小さい場合にはインデックスｉｄ
を１に設定し、大きい場合には０に設定する。
【００３０】 Ｗｉ＞ｗ → ｉｄ＝１ ｗｉ≦ｗ → ｉｄ＝０ （２） ｉｄ＝１の場合にはパターン幅ｗｉがドリフトによって
やせたり断線したりする危険があるので、描画順序を変
更して二つの当該サブフィールドの描画間隔を短縮する
ようにする。また、ｉｄ＝０の場合には描画順序の変更
は行なわない。
やせたり断線したりする危険があるので、描画順序を変
更して二つの当該サブフィールドの描画間隔を短縮する
ようにする。また、ｉｄ＝０の場合には描画順序の変更
は行なわない。
【００３１】図１は上記処理のアルゴリズムを説明する
フローチャートである。
フローチャートである。
【００３２】図１において、処理１では変換済みの描画
パターンデータを磁気ディスク等のメモリから呼出して
フィールド境界に接する全サブフィールドを抽出し、そ
の個数（ｋ）をカウントする。
パターンデータを磁気ディスク等のメモリから呼出して
フィールド境界に接する全サブフィールドを抽出し、そ
の個数（ｋ）をカウントする。
【００３３】次いで上記個数（ｋ）のカウンタの値ｉに
１をセットし、処理２にてｉ＝１番目のサブフィールド
内の全描画パターンを抽出する。
１をセットし、処理２にてｉ＝１番目のサブフィールド
内の全描画パターンを抽出する。
【００３４】次いで処理３にて、処理２にて抽出した各
描画パターンがフィールド境界線で切断されるかを判別
し、切断される場合にははみ出したパターンの幅ｗｉを
セットする。
描画パターンがフィールド境界線で切断されるかを判別
し、切断される場合にははみ出したパターンの幅ｗｉを
セットする。
【００３５】処理４では上記各パターン幅ｗｉと基準値
ｗとを比較し、その比較結果により図７のインデックス
ｉｄを式（２）のようにして設定する。
ｗとを比較し、その比較結果により図７のインデックス
ｉｄを式（２）のようにして設定する。
【００３６】上記処理３と同４をサブフィールドｉ内の
全描画パターンについて実施する。
全描画パターンについて実施する。
【００３７】次いでサブフィールド番号ｉが全サブフィ
ールド数ｋより小さければｉ＝ｉ＋１にして処理２に戻
り、同様の処理を繰り返す。
ールド数ｋより小さければｉ＝ｉ＋１にして処理２に戻
り、同様の処理を繰り返す。
【００３８】上記ｉがｋに達したならば、処理５にて得
られた結果にもとづいてフィールド内サブフィールドの
並べ替えを行なう。
られた結果にもとづいてフィールド内サブフィールドの
並べ替えを行なう。
【００３９】図７は上記サブフィールドの並び替え処理
のアルゴリズムである。
のアルゴリズムである。
【００４０】まず、処理５．１にてフィールド内のサブ
フィールド番地表を取り出し、図１の処理１にて求めて
おいたフィールド境界に接する全サブフィールドの番地
を検索する。
フィールド番地表を取り出し、図１の処理１にて求めて
おいたフィールド境界に接する全サブフィールドの番地
を検索する。
【００４１】ついで処理５．２にて、上記フィールド境
界に接する全サブフィールド内の描画パターンの中でｉ
ｄ=１のものを描画パターンデータの中から外して別
途、登録する。このとき当該サブフィールド番地も同時
に別途、登録しておく。
界に接する全サブフィールド内の描画パターンの中でｉ
ｄ=１のものを描画パターンデータの中から外して別
途、登録する。このとき当該サブフィールド番地も同時
に別途、登録しておく。
【００４２】次いで処理５．３にて、元のサブフィール
ド番地表に前述の別途登録したサブフィールド番地を付
加して新たなサブフィールド番地表を作成する。
ド番地表に前述の別途登録したサブフィールド番地を付
加して新たなサブフィールド番地表を作成する。
【００４３】ついで処理５．４にて、上記新たに作成し
たサブフィールド番地表に対応する描画パターンを格納
する。
たサブフィールド番地表に対応する描画パターンを格納
する。
【００４４】上記処理５．３と処理５．４により新しい
サブフィールド番地表がえられる。
サブフィールド番地表がえられる。
【００４５】上記新しいサブフィールド版地表では、予
め定められた各フィールド内のサブフィールドを予め定
められた順序で描画することにし、そのフィールドと隣
接フィールド間に跨ってｉｄ＝１の細いパターンが存在
する場合には上記サブフィールド番地表の前段または後
段に当該隣接フィールドの存在を示す前段部または後段
部を付加する。
め定められた各フィールド内のサブフィールドを予め定
められた順序で描画することにし、そのフィールドと隣
接フィールド間に跨ってｉｄ＝１の細いパターンが存在
する場合には上記サブフィールド番地表の前段または後
段に当該隣接フィールドの存在を示す前段部または後段
部を付加する。
【００４６】また、上記隣接フィールドがそのフィール
ドの前に描画される場合には上記前段部を付加し、後に
描画される場合には上記後段部を付加する。
ドの前に描画される場合には上記前段部を付加し、後に
描画される場合には上記後段部を付加する。
【００４７】上記前段部と後段部の内容は当該隣接フィ
ールドが上下左右の何れの側に存在するかを識別できる
ものであればよいから、例えば隣接フィールドの隣接サ
ブフィールド列を記入したり、或いはそのフィールドの
隣接フィールド側のサブフィールド列を記入するように
する。
ールドが上下左右の何れの側に存在するかを識別できる
ものであればよいから、例えば隣接フィールドの隣接サ
ブフィールド列を記入したり、或いはそのフィールドの
隣接フィールド側のサブフィールド列を記入するように
する。
【００４８】一例として上記フィールド内の予め定めら
れたサブフィールド描画順序を下記のように定める（図
２参照）。
れたサブフィールド描画順序を下記のように定める（図
２参照）。
【００４９】 （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５） （３） 図４の場合は、隣接するフィールド〔２，１〕と同
〔３，１〕間にｉｄ＝１の細いパターン１５が存在し、
式（１）に示したように、フィールド〔３，１〕は同
〔２，１〕の後に描画されるので、フィールド〔２，
１〕においては式（３）の後に式（５）で示すような後
段部が付加され、フィールド〔３，１〕においては式
（３）の前に式（４）のような前段部が付加される。
〔３，１〕間にｉｄ＝１の細いパターン１５が存在し、
式（１）に示したように、フィールド〔３，１〕は同
〔２，１〕の後に描画されるので、フィールド〔２，
１〕においては式（３）の後に式（５）で示すような後
段部が付加され、フィールド〔３，１〕においては式
（３）の前に式（４）のような前段部が付加される。
【００５０】 （１，５）→（１，４）→（１，３）→（１，２）→（１，１） （４） （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５） （５） 式（４）は、フィールド〔３，１〕において、前段部に
付加されたフィールド〔２，１〕側のサブフィールド列
である。
付加されたフィールド〔２，１〕側のサブフィールド列
である。
【００５１】式（５）は、フィールド〔２，１〕におい
て、後段部に付加されるフィールド〔３，１〕側のサブ
フィールド列である。
て、後段部に付加されるフィールド〔３，１〕側のサブ
フィールド列である。
【００５２】ここで、隣接フィールド〔２，１〕、
〔３，１〕に跨って細いパターン１５が存在すると、各
々のフィールドにおける新しいサブフィールド番地表に
おいて、前段部または後段部に付加されたサブフィール
ド列を先に優先して描画するが、その時にｉｄ＝１と指
定されている細いパターンのみを描画する。その後、予
め定められた上記式（３）で示される描画順序に従って
描画を行う。
〔３，１〕に跨って細いパターン１５が存在すると、各
々のフィールドにおける新しいサブフィールド番地表に
おいて、前段部または後段部に付加されたサブフィール
ド列を先に優先して描画するが、その時にｉｄ＝１と指
定されている細いパターンのみを描画する。その後、予
め定められた上記式（３）で示される描画順序に従って
描画を行う。
【００５３】また、図８のように、隣接するフィールド
〔２，１〕とその上部のフィールド〔２，２〕間にもｉ
ｄ＝１の細いパターン１６が存在する場合には、フィー
ルド〔２，１〕はフィールド〔２，２〕の後に描画され
るので、フィールド〔２，２〕においては式（３）の後
に式（６）で示すような後段部が付加され、フィールド
〔２，１〕においては式（３）の前に式（７）で示すよ
うな前段部が付加される。
〔２，１〕とその上部のフィールド〔２，２〕間にもｉ
ｄ＝１の細いパターン１６が存在する場合には、フィー
ルド〔２，１〕はフィールド〔２，２〕の後に描画され
るので、フィールド〔２，２〕においては式（３）の後
に式（６）で示すような後段部が付加され、フィールド
〔２，１〕においては式（３）の前に式（７）で示すよ
うな前段部が付加される。
【００５４】 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （６） （１，５）→（２，５）→（３，５）→（４，５）→（５，５） （７） 以上により、図７の処理５．３で生成される図８のフィ
ールド〔２，１〕に対する新しいサブフィールド番地表
は、式（３）に例えば式（７）の前段部と式（５）の後
段部が付加されて式（８）のようになる。当然、図８の
フィールド〔２，２〕における新しいサブフィールド番
地表には、式（３）に例えば式（６）の後段部が付加さ
れることになる。また、図８のフィールド〔３，１〕に
おける新しいサブフィールド番地表には、式（３）に例
えば式（４）の前段部が付加されることになる。
ールド〔２，１〕に対する新しいサブフィールド番地表
は、式（３）に例えば式（７）の前段部と式（５）の後
段部が付加されて式（８）のようになる。当然、図８の
フィールド〔２，２〕における新しいサブフィールド番
地表には、式（３）に例えば式（６）の後段部が付加さ
れることになる。また、図８のフィールド〔３，１〕に
おける新しいサブフィールド番地表には、式（３）に例
えば式（４）の前段部が付加されることになる。
【００５５】 （１，５）→（２，５）→（３，５）→（４，５）→（５，５） （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５）→ （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （８） なお、上記の処理は図９に示すようにサブフィールド内
をパターン１７が貫通する場合にも同様に適用すること
ができる。
をパターン１７が貫通する場合にも同様に適用すること
ができる。
【００５６】また、隣接フィールドの境界部にｉｄ＝１
に該当する複数のクロスパターンが存在する場合には、
上述した如く、幅の細いクロスパターンを優先的に描画
する必要がある。この場合には複数のｉｄを設定して上
記幅の大きさを順序づける必要がある。
に該当する複数のクロスパターンが存在する場合には、
上述した如く、幅の細いクロスパターンを優先的に描画
する必要がある。この場合には複数のｉｄを設定して上
記幅の大きさを順序づける必要がある。
【００５７】また、とくに幅の細いクロスパターンが存
在する場合には、そのクロスパターンが跨るフィールド
の各々において、付加したサブフィールドをとくに優先
して描画する。
在する場合には、そのクロスパターンが跨るフィールド
の各々において、付加したサブフィールドをとくに優先
して描画する。
【００５８】図１０は上記本発明による処理を実行する
電子線描画装置のブロック図である。
電子線描画装置のブロック図である。
【００５９】描画パターンデータ変換システム１は描画
パターンデータを作成して描画パターンデータファイル
２に格納する。
パターンデータを作成して描画パターンデータファイル
２に格納する。
【００６０】制御用計算機４７はＣＰＵバス４８を介し
てデータファイル２の描画パターンデータを図形データ
用メモリ４９に送り、描画シーケンス命令に従ってステ
ージ制御系５０、ローダ制御系５１、真空排気系５２等
を制御して描画する。
てデータファイル２の描画パターンデータを図形データ
用メモリ４９に送り、描画シーケンス命令に従ってステ
ージ制御系５０、ローダ制御系５１、真空排気系５２等
を制御して描画する。
【００６１】同時に制御用計算機４７は、ステージ制御
系５０、ローダ制御系５１、真空排気系５２、電源制御
系５３等にも各描画シーケンスに応じた制御指令を送
る。
系５０、ローダ制御系５１、真空排気系５２、電源制御
系５３等にも各描画シーケンスに応じた制御指令を送
る。
【００６２】描画パターンデータファイル２の描画パタ
ーンデータはデータ制御系／信号処理系３に信号を送ら
れ、上記した本発明の各処理が施されて、各フィールド
毎の上記新サブフィールド番地表が作成される。
ーンデータはデータ制御系／信号処理系３に信号を送ら
れ、上記した本発明の各処理が施されて、各フィールド
毎の上記新サブフィールド番地表が作成される。
【００６３】制御用計算機４７は上記新サブフィールド
番地表に基づいて各フィールドの描画順序を決定する。
番地表に基づいて各フィールドの描画順序を決定する。
【００６４】また、本体５内の反射電子センサ５５によ
りステージ５の位置や半導体デバイス、マスク、レチィ
クル等の試料に照射される電子線の状態を検知してデー
タ制御系／信号処理系３に信号を送り描画補正を行な
う。
りステージ５の位置や半導体デバイス、マスク、レチィ
クル等の試料に照射される電子線の状態を検知してデー
タ制御系／信号処理系３に信号を送り描画補正を行な
う。
【００６５】また、反射電子センサ５５により電子線描
画装置の本体５内の電子光学系やステージ５４の移動方
向、移動量、移動時間等によって発生するビームドリフ
トが検出される。
画装置の本体５内の電子光学系やステージ５４の移動方
向、移動量、移動時間等によって発生するビームドリフ
トが検出される。
【００６６】
【発明の効果】本発明によりクロスパターンが跨るフィ
ールド間の各々におけるサブフィールドの描画順序が繰
り上げられ、とくに細い幅のクロスパターンの描画順序
が優先的に繰り上げられるので、ビームドリフトにより
上記クロスパターンがフィールド境界にてやせたり、断
線したりすることを防止することができ、フィールド接
続精度を向上した電子線描画装置を提供することができ
る。
ールド間の各々におけるサブフィールドの描画順序が繰
り上げられ、とくに細い幅のクロスパターンの描画順序
が優先的に繰り上げられるので、ビームドリフトにより
上記クロスパターンがフィールド境界にてやせたり、断
線したりすることを防止することができ、フィールド接
続精度を向上した電子線描画装置を提供することができ
る。
【図１】本発明による描画データ処理のフローチャート
である。
である。
【図２】ウエハ上のフィールドとサブフィールドの配列
図である。
図である。
【図３】ビームドリフト量の時間変化量を示す図であ
る。
る。
【図４】フィールド間に跨るクロスパターンの描画例で
ある。
ある。
【図５】本発明によるフィールド内の描画データファイ
ルである。
ルである。
【図６】本発明によるサブフィールド内の描画データフ
ァイルである。
ァイルである。
【図７】本発明による新サブフィールド番地表の作成過
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
【図８】フィールド間に跨るクロスパターンの描画例で
ある。
ある。
【図９】フィールド間に跨るクロスパターンの描画例で
ある。
ある。
【図１０】本発明による電子線描画装置のブロック図で
ある。
ある。
１…描画パターンデータ変換システム、２…描画パター
ンデータファイル、３…描画データ制御系／信号処理
系、４…ビームドリフト補正処理系、５…本体、１４…
太いパターン、１５、１６、１７…細いパターン、４７
…制御用計算機、４８…ＣＰＵバス、４９…図形データ
用メモリ、５０…ステージ制御系、５１…ローダ制御
系、５２…真空排気系、５３…電源制御系、５４…ステ
ージ、５５…反射電子センサ。
ンデータファイル、３…描画データ制御系／信号処理
系、４…ビームドリフト補正処理系、５…本体、１４…
太いパターン、１５、１６、１７…細いパターン、４７
…制御用計算機、４８…ＣＰＵバス、４９…図形データ
用メモリ、５０…ステージ制御系、５１…ローダ制御
系、５２…真空排気系、５３…電源制御系、５４…ステ
ージ、５５…反射電子センサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 利彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株式会社日立製作所 半導体設計開発セ ンタ内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】半導体ウエハ等の描画試料面を複数のフィ
ールドに分割し、さらに各フィールド内を複数のサブフ
ィールドに細分割し、これら分割された複数のフィール
ドについては描画順序に従って移行させ、さらに各フィ
ールド内を細分割された複数のサブフィールドについて
は描画順序に従って順次描画する電子線描画装置におい
て、隣接するフィールド間に跨って細い描画パターンが存在
するか否かを検索する検索手段と、 該検索手段によって隣接するフィールド間に跨って細い
描画パターンが存在すると検索されたとき、上記隣接す
るフィールドの各々において、サブフィールドの描画順
序を再設定し、該再設定されたサブフィールドの描画順
序に従って順次描画する描画手段とを備えた ことを特徴
とする電子線描画装置。 - 【請求項２】請求項１記載の検索手段において、描画パ
ターンの幅を予め定めた基準幅と比較することによっ
て、上記細い描画パターンを検索するように構成したこ
とを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載の描画手段におい
て、各フィールド内におけるサブフィールドの描画順序
を規定するサブフィールド番地表を備え、上記検索手段
において検索された隣接するフィールドの各々におい
て、上記細い描画パターンが、前に描画されるフィール
ドに跨る場合には前段部に、後に描画されるフィールド
に跨る場合には後段部に、上記細い描画パターンを描画
するためのデータを上記サブフィールド番地表に付加す
る付加手段を備え、該付加手段によって付加された新サ
ブフィールド番地表により上記サブフィールドの描画順
序を再設定するように構成したことを特徴とする電子線
描画装置。 - 【請求項４】請求項３記載の付加手段において、付加す
るデータが、隣接するフィールドの境界部のサブフィー
ルド番号列で示されることを特徴とする電子線描画装
置。 - 【請求項５】請求項１〜４記載の描画手段において、上
記サブフィールドの描画順序を上記細い描画パターンを
優先して描画するように再設定することを特徴とする電
子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04100871A JP3133139B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04100871A JP3133139B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299327A JPH05299327A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3133139B2 true JP3133139B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=14285383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04100871A Expired - Fee Related JP3133139B2 (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133139B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10517387B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-12-31 | Savant GmbH | Brush cap |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3125724B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法 |
| JP2023042359A (ja) | 2021-09-14 | 2023-03-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP04100871A patent/JP3133139B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10517387B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-12-31 | Savant GmbH | Brush cap |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299327A (ja) | 1993-11-12 |
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