JP3064997B2

JP3064997B2 - 図形一括露光データ用検証方法

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Publication number: JP3064997B2
Application number: JP9309881A
Authority: JP
Inventors: 貴央田村
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-10-24
Filing date: 1997-10-24
Publication date: 2000-07-12
Anticipated expiration: 2017-10-24
Also published as: JPH11135405A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線によって微
細パターンを形成する電子線描画用パターンデータの検
証方法に関し、特に、高速に微細パターンを形成する図
形一括方式に用いて好適な描画パターンの検証方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた描画方式は、今後必要となる０．２５μｍ以
下のパターンを形成できる有効な露光方法である。

【０００３】図１２に、現在、用いられている電子線描
画装置の概略構成を示す。図１２に示した電子線描画装
置は、第１アパーチャー３と複数個の開口パターン６Ａ
を設けた第２アパーチャー６とで電子ビーム５０Ａを複
数個のパターンを有する電子ビーム５０Ｂに成形し、レ
ジストを塗布した半導体ウエハ１１上に照射して微細パ
ターンを形成する装置である。

【０００４】図１２を参照すると、電子銃１を発した電
子ビーム５０がブランキング電極２、第１アパーチャー
３、成形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャー
６、縮小レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レン
ズ１０を通って試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射
される。第１アパーチャー３には、四角の開口３Ａが形
成されており、矩形ビーム５０Ａが形成される。第２ア
パーチャー６上には複数個の開口パターン６Ａを一括セ
ルとして予め作成しておき、第１アパーチャー３を通し
て、四角形に形成された電子ビーム５０Ａを第２アパー
チャー６上の一括セル上に照射し、この内の複数個のパ
ターンを有する電子ビーム５０Ｂを半導体ウエハ上１１
に塗布してあるレジストに照射して、複数個のパターン
を一度に転写する。すなわち、一回のショットにより１
個もしくは複数のパターンの潜像をレジストに形成する
ことができる。

【０００５】図形データは記憶装置１５に保存されてお
り、計算機１４により図形データ用メモリ１７に読み出
された後、データの展開、ソート等の必要な処理が行わ
れる。これらのデータは、制御装置１６を通して、ブラ
ンキング電極２、成形偏向器５、主偏向器８、副偏向器
９に転送され、半導体ウエハ１１上の所望の位置に所望
の形状の電子ビーム５０Ｂを照射することが出来る。

【０００６】この図形一括描画方式の方法により、同様
のパターンを描画するのに必要なショット数は、従来用
いられてきた可変成形方式の電子ビーム露光装置に比
べ、約１／１０〜１／１００となる。この結果、電子線
露光を行うのに必要な時間は減少し、スループットを改
善することが出来る。

【０００７】図形一括描画方式では、上述したように予
め複数の開口パターンを設けた第２アパーチャ（ＥＢマ
スク）を使用する。このＥＢマスク上に形成する開口パ
ターンは、ＬＳＩの設計データから基本繰り返し部を抽
出することにより得られる。ここでは、これを「基本開
口図形」と呼ぶ。

【０００８】抽出された基本開口図形にはセル番号が与
えられ、図６（ｃ）に示すようなセル番号−基本開口図
形の対応関係を記述したＥＢマスクデータを作成する。
このＥＢマスクデータを基に第２アパーチャ（ＥＢマス
ク）６を作成する。図７、及び図１１は、このようにし
て得られたＥＢマスクの例である。

【０００９】一方、ウエハ上の描画位置を示す座標と描
画するセル番号の関係を記した図形一括用直描データ
を、図５（ｂ）に示すように作成する。

【００１０】上記２つのデータを用いることにより、所
望の位置（ｘ，ｙ）に所望の基本開口図形を描画する図
形一括描画を行うことが可能になる。しかしながら、上
記２つのデータの内、もし１箇所でも誤りがあると、配
線のショート、断線、デバイス特性の劣化等、個々の問
題を引き起こすため、図形一括用直描データ、及びＥＢ
マスクデータが元のＣＡＤデータと相違なく変換されて
いるかどうかを検証する必要がある。

【００１１】この種の電子線描画におけるデータの検証
方法として、例えば特開平７−１３０５９６号公報に
は、図形一括ショットに対応する箇所にＥＢマスク上の
開口位置に対応するセル番号をグラフィックディスプレ
イ上に表示し、図形一括用パターンデータを目視チェッ
クする方法が提案されている。

【００１２】また、例えば特開平６−３４９７１７号公
報には、露光量の大小に応じて図形を重ね書きし、層間
演算を用いて露光量のチェックを行う方法が提案されて
いる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法は、下記記載の問題点を有している。

【００１４】すなわち、グラフィックディスプレイ上で
目視確認するという従来の検証方法では、検証漏れが発
生する可能性は否めない。また、近年の最先端デバイス
のように高集積化されたパターンでは必要なショット数
も莫大なものになるため、検証に膨大な時間とともに多
大な労力を要する。

【００１５】また、上記特開平６−３４９７１７号公報
に提案されている方法では、図形一括ショットの位置ず
れ、基本開口図形の選択ミス等が検知できないため、図
形一括用直描データの検証方法には向かない。

【００１６】そして、図形一括ショット内に含まれる複
数図形を可変成形用の個々の図形に展開し、元のＣＡＤ
データと比較、検証する方法等も考えられるが、図形数
が多くなるため検証に多大な時間を要する。

【００１７】さらに、ＣＡＤデータで斜め線であった図
形を矩形近似した場合には、斜め線の輪郭と近似矩形の
輪郭の差がすべて差異図形として抽出されるため、デー
タ変換時のエラーか矩形近似誤差か判断がつかない。

【００１８】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、図形一括描画方式
に用いる直描データの検証において、各図形一括ショッ
トに含まれる複数図形を１つの座標で表すことを可能と
し、図形一括露光データの検証を高速化、効率化、作業
工数を削減する、検証方法を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、データ変換前のＣＡＤデータから得られる図
形一括ショット内の特定位置の座標（Ｘ，Ｙ）と、ＥＢ
マスク上に形成する基本開口図形の形状を記したＥＢマ
スクデータとデータ変換後の図形一括用直描データの両
者から得られる図形一括ショット内の特定位置の座標
（Ｘ′、Ｙ′）とを比較することにより、図形一括用直
描データの検証を行うようにしたものである。

【００２０】本発明は、好ましくは、ＣＡＤデータから
図形一括用直描データに変換する際に、各図形一括ショ
ット内に含まれる複数図形の中から、特定位置の座標を
記した図形一括用中間データを準備する第１の工程と、
図形一括ショットに含まれる複数図形の内、特定位置を
表す座標を検索し、この座標と図形一括ショットの原点
との間のシフト量を算出してＥＢマスクデータを作成す
る第２の工程と、変換後の図形一括と可変成形が混在し
たＥＢ直描データから図形一括データと可変成形データ
に分離する第３の工程と、図形一括用直描データから描
画位置とセル番号を読み出す第４の工程と、ＥＢマスク
データからセル番号と上記第２の工程で算出したシフト
量を読み出す第５の工程と、上記第４の工程と第５の工
程で得られた値から、各図形一括ショット内に含まれる
複数図形の特定位置の座標を算出する第６の工程と、上
記第１の工程で作成した図形一括用中間データから各図
形一括ショット内に含まれる図形の特定位置の座標を読
み出す第７の工程と、上記第６の工程で得られた特定位
置の座標と上記第７の工程で得られた特定位置の座標を
比較、検証する第８の工程から構成される。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明の図形一括露光データ用検証方法
は、その好ましい実施の形態において、まずＣＡＤデー
タから図形一括と可変成形とが混在したＥＢ直描データ
を作成する。各図形一括ショット内に含まれる複数図形
の中から特定位置の座標を記した図形一括用中間データ
（図２の２８）を作成する工程と、図形一括ショットに
含まれる複数図形の内、特定位置を表す座標を検索し、
この座標と図形一括ショットの原点との間のシフト量
（図２の２５）を算出してＥＢマスクデータ（図２の２
７）を作成する工程と、を含む。

【００２２】そして、本発明の実施の形態においては、
データの検証方法として、変換後の図形一括、可変成形
混在直描データ（図３の３２）から図形一括用直描デー
タと可変成形データに分離する工程（図３の３３）と、
図形一括用直描データ（図１の３０）から描画位置（図
１の３６）とセル番号（図１の３７）を読み出し、また
ＥＢマスクデータ（図１の２７）からセル番号（図１の
３７）とシフト量（図１の２５）を読み出し、各図形一
括ショット内に含まれる複数図形の特定位置の座標を算
出するの工程（図１の３９）と、上記図形一括用中間デ
ータから各図形一括ショット内に含まれる図形の特定位
置の座標を読み出す工程（図１の４０）と、これらの特
定位置の座標を比較、検証する工程（図１の４１）と、
を含む。

【００２３】本発明の実施の形態によれば、各図形一括
ショットに含まれる複数図形を１つの座標で表すことが
できるので、高速に図形一括露光データを検証すること
ができる。

【００２４】

【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。

【００２５】図２は、本発明の一実施例の処理フローを
説明するための図である。図２を参照して、ＣＡＤデー
タから図形一括と可変成形とが混在したＥＢ直描データ
を作成するデータ変換の工程について説明する。

【００２６】まず、ＣＡＤデータ２０から、図形一括を
適用するパターンと可変成形を適用するパターンに分離
する（ステップ２１）。

【００２７】図形一括適用部として抽出されたＣＡＤデ
ータ２２は、図形一括ショットの基本単位である基本開
口図形に分解される（ステップ２４）。このとき、各基
本開口図形にはセル番号が与えられるとともに、図形一
括ショットに含まれる複数図形の内、特定位置を表す座
標を検索し、この座標と図形一括ショットの原点との間
のシフト量を算出する（ステップ２５）。各セル番号と
基本開口図形の対応関係、及びシフト量は、ＥＢマスク
データ２７として保存される。

【００２８】また、基本開口図形に分解された図形一括
適用部のＣＡＤデータ２３に対しては、図形一括ショッ
トに含まれる複数図形の内、特定位置を示す座標を算出
する（ステップ２６）。この座標データを付加したＣＡ
Ｄデータを、図形一括用中間データ２８として保存す
る。

【００２９】さらに図形一括用中間データ２８は、図形
一括描画装置に適したフォーマットに変換され、図形一
括用直描データ３０として保存される。

【００３０】一方、可変成形用として抽出されたＣＡＤ
データ２３は、可変成形用中間データ２９を経て可変成
形用直描データ３１に変換される。

【００３１】図形一括用直描データ３０と可変成形用直
描データ３１は、それぞれ合成されて、図形一括、可変
成形混在直描データ３２として保存される。

【００３２】上記データ変換フローの内、図形一括適用
部に対する処理について、図４を用いて具体的に説明す
る。図４（ａ）はＣＡＤデータ（図形一括適用部）、図
４（ｂ）は基本開口図形への分解、図４（ｃ）は図形一
括用中間データ、図４（ｄ）はＥＢマスクデータ、図４
（ｅ）は図形一括用直描データの一例を説明するための
図である。

【００３３】図４（ａ）に示す図形一括適用部として抽
出されたＣＡＤデータの中から繰り返しパターンを抽出
し、図４（ｂ）に示すように、基本開口図形に分解す
る。

【００３４】抽出された基本開口図形には、図４（ｄ）
に示すように、セル番号が与えられると共に、図形一括
ショットの原点（Ｘ_0M ⁱ，Ｙ_0M ⁱ）と基本開口図形内に含
まれる複数図形の内、特定座標（本実施例では左下座標
とする）（Ｘ_M ⁱ，Ｙ_M ⁱ）との差をシフト量（Ｓ_x ⁱ，
Ｓ_y ⁱ）として算出し、ＥＢマスクデータ２７として保存
する。

【００３５】ＥＢマスクデータは、図５（ｃ）に示すよ
うに、セル番号ｉ、基本開口図形データ、及びシフト量
Ｓ_x ⁱ，Ｓ_y ⁱの組を基本開口図形として使用する数だけ順
番に並べた形式を取る。

【００３６】一方、図形一括用中間データは、図４
（ｃ）に示すように、図形一括ショットの原点（Ｘ_i，
Ｙ_i）と図形一括ショット内に含まれる複数図形の内、
特定座標（Ｘ_i′，Ｙ_i′）を保持する。本データは、図
５（ａ）に示すように、図形一括ショットの原点
（Ｘ_i，Ｙ_i）と、描画するセル番号、及び図形一括ショ
ット内に含まれる複数図形の内、特定座標（Ｘ_i′，
Ｙ_i′）の組を図形一括ショットの数だけ順番に並べた
形式をとる。

【００３７】図形一括用直描データ３０は、図４（ｅ）
に示すように、図形一括ショット位置（Ｘ_i，Ｙ_i）とセ
ル番号ｉの値を保持している。本データは、図５（ｂ）
に示すように、これらの値（描画座標とセル番号）を、
図形一括ショットの数だけ順番に並べた形式をとる。

【００３８】また、可変成形用直描データ３１には、描
画位置（ｘ，ｙ）と図形幅Ｗ、図形高さＨ、及び可変成
形用データであることを示すセル番号０の組が順番に並
べられている。

【００３９】次に、変換後のＥＢ直描データが元のＣＡ
Ｄデータと相違ないかどうかを確認するデータ検証の工
程について説明する。図３に、このデータ検証工程に用
いる処理フローを示す。

【００４０】図３を参照すると、まず、図形一括と可変
成形が混在した直描データ３２からセル番号を検索し、
セル番号０を持つ可変成形データとセル番号０以外の値
を持つ図形一括データに分離する（ステップ３３）。

【００４１】図形一括用直描データ３０と、ＥＢマスク
データ２７の両者から図形一括用直描データの検証を行
う（ステップ３４）。

【００４２】一方、可変成形用直描データ３１に対して
は、可変成形用中間データ２９との間で層間演算により
可変成形用直描データの検証を行う（ステップ３５）。

【００４３】上記データ検証フローの内、部分一括用直
描データに関する処理について、図１を参照して具体的
に説明する。

【００４４】図形一括用直描データには、図５（ｂ）に
示すように、図形一括ショットの描画位置（Ｘ_i，Ｙ_i）
とセル番号ｉが並んでいるので、これらの値を１組ずつ
読み出す。

【００４５】一方、ＥＢマスクデータ２７には、図５
（ｃ）に示すように、セル番号ｉとシフト量（Ｓ_x ⁱ，Ｓ
_y ⁱ）が保存されているので、描画するセル番号に対応す
るシフト量を知ることができる。さらに、この描画位置
（Ｘ_i，Ｙ_i）とシフト量（Ｓ_x ⁱ，Ｓ_y ⁱ）から、各図形一
括ショット内に含まれる図形の特定座標（Ｘ_i′，
Ｙ_i′）（本実施例では左下）を算出することができる
（ステップ３９）。

【００４６】一方、図形一括用中間データ２８には、図
５（ａ）に示すように、各図形一括ショットにおける特
定座標（Ｘ_i′，Ｙ_i′）（本実施例では左下）が保存さ
れているので、これを読み出す（ステップ４０）。

【００４７】さらに、ステップ３９で算出した
（Ｘ_i′，Ｙ_i′）と、ステップ４０で読み出した
（Ｘ_i′，Ｙ_i′）の値を、図形一括ショットの数だけ検
証する（ステップ４１）。これにより、全図形一括ショ
ットのデータ検証が行える。

【００４８】次に、本発明の第２の実施例について図面
を用いて説明する。ここでは、図８（ａ）に示すような
斜め線を含むＣＡＤデータに対してデータ変換を行う。

【００４９】まず、ＣＡＤデータの中から繰り返しパタ
ーンを抽出し、図８（ｂ）に示すように、基本開口図形
に分解する。通常、可変成形では、斜め線を描画できな
いため、このような斜め線を含むパターンは、極力、図
形一括を用いるようにデータ変換を行う。

【００５０】抽出された基本開口図形には、図８（ｄ）
に示すように、セル番号が与えられると共に、図形一括
ショットの原点（Ｘ_0M ⁱ，Ｙ_0M ⁱ）と基本開口図形内に含
まれる複数図形の内、特定座標（本実施例ではＸ座標の
最小値、Ｙ座標の最小値とする）（Ｘ_M ⁱ，Ｙ_M ⁱ）の差を
シフト量（Ｓ_x ⁱ，Ｓ_y ⁱ）として算出し、ＥＢマスクデー
タとして保存する。ＥＢマスクデータは、図１０（ｃ）
に示すように、セル番号ｉ、基本開口図形データ、及び
シフト量Ｓ_x ⁱ，Ｓ_y ⁱの組を基本開口図形として使用する
数だけ順番に並べた形式を取る。

【００５１】一方、図形一括用中間データは、図８
（ｃ）に示すように、図形一括ショットの原点（Ｘ_i，
Ｙ_i）と図形一括ショット内に含まれる複数図形の内、
特定座標（Ｘ_i′，Ｙ_i′）、あるいは（Ｘ_i′，
Ｙ_i″）、あるいは（Ｘ_i″，Ｙ_i′）、あるいは
（Ｘ_i″，Ｙ_i″）を保持する。本データは、図９（ａ）
に示すように、図形一括ショットの原点（Ｘ_i，Ｙ_i）と
描画するセル番号、及び図形一括ショット内に含まれる
複数図形の内、特定座標（Ｘ_i′，Ｙ_i′）、あるいは
（Ｘ_i′，Ｙ_i″）、あるいは（Ｘ_i″，Ｙ_i′）、あるい
は（Ｘ_i″，Ｙ_i″）の組を図形一括ショットの数だけ順
番に並べた形式をとる。

【００５２】図形一括用直描データは、図８（ｅ）に示
すように、図形一括ショットの位置（Ｘ_i，Ｙ_i）とセル
番号ｉの値を保持している。本データは、図９（ｂ）に
示すように、これらの値を、図形一括ショットの数だけ
順番に並べた形式をとる。

【００５３】また、可変成形用直描データ３１には、描
画位置（ｘ，ｙ）と図形幅Ｗ、図形高さＨ、及び可変成
形用データであることを示すセル番号０の組が順番に並
べられている。

【００５４】次に、変換後のＥＢ直描データが元のＣＡ
Ｄデータと相違ないかどうかを確認するデータ検証の工
程について、図１を参照して説明する。

【００５５】まず、図形一括と可変成形が混在した直描
データ３２からセル番号を検索し、セル番号０を持つ可
変成形データとセル番号０以外の値を持つ図形一括デー
タに分離する（ステップ３３）。

【００５６】図形一括用直描データには、図９（ｂ）に
示すように、図形一括ショットの描画位置（Ｘ_i，Ｙ_i）
とセル番号ｉが並んでいるので、これらの値を１組ずつ
読み出す。

【００５７】一方、ＥＢマスクデータ２７には、図１０
（ｃ）に示すように、セル番号ｉとシフト量（Ｓ_x ⁱ，Ｓ
_y ⁱ）が保存されているので、描画するセル番号に対応す
るシフト量を知ることができる。

【００５８】さらにこの描画位置（Ｘ_i，Ｙ_i）とシフト
量（Ｓ_x ⁱ，Ｓ_y ⁱ）から、各図形一括ショット内に含まれ
る図形の特定座標（本実施例ではＸ座標の最小値、Ｙ座
標の最小値）（Ｘ_i′，Ｙ_i′）、あるいは（Ｘ_i′，
Ｙ_i″）、あるいは（Ｘ_i″，Ｙ_i′）、あるいは
（Ｘ_i″，Ｙ_i″）を算出することができる（ステップ３
９）。

【００５９】一方、図形一括用中間データ２８には、図
９（ａ）に示すように、各図形一括ショットにおける特
定座標（本実施例ではＸ座標の最小値、Ｙ座標の最小
値）（Ｘ_i′，Ｙ_i′）、あるいは（Ｘ_i′，Ｙ_i″）、あ
るいは（Ｘ_i″，Ｙ_i′）、あるいは（Ｘ_i″，Ｙ_i″）が
保存されているので、これを読み出す（ステップ４
０）。さらに、ステップ３９で算出した（（Ｘ_i′，
Ｙ_i′）と、ステップ４０で算出した（（Ｘ_i′，
Ｙ_i′）、あるいは（Ｘ_i′，Ｙ_i″）、あるいは
（Ｘ_i″，Ｙ_i′）、あるいは（Ｘ_i″，Ｙ_i″）の値を図
形一括ショットの数だけ検証する（ステップ４１）。こ
れにより、全図形一括ショットのデータ検証が行える。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
図形一括描画方式に用いる直描データの検証において、
各図形一括ショットに含まれる複数図形を１つの座標で
表すことを可能とし、図形一括露光データの検証作業の
高速化、効率化、作業工数の削減すを達成する、という
効果を奏する。

【００６１】その理由は、本発明においては、データ変
換前のＣＡＤデータから得られる図形一括ショット内の
特定位置の座標（Ｘ，Ｙ）と、ＥＢマスク上に形成する
基本開口図形の形状を記したＥＢマスクデータと、デー
タ変換後の図形一括用直描データの両者から得られる図
形一括ショット内の特定位置の座標（Ｘ′、Ｙ′）とを
比較することにより、図形一括用直描データの検証を行
うようにしたことによる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における図形一括適用部に対
する検証の処理フローを説明するための図である。

【図２】本発明の一実施例におけるデータ変換の処理フ
ローを説明するための図である。

【図３】本発明の一実施例における図形一括適用部と可
変成形適用部に対する検証の処理フローを説明するため
の図である。

【図４】本発明の一実施例におけるデータ変換方法を具
体的に例示する説明図である。

【図５】本発明の一実施例におけるデータフォーマット
を具体的に例示する説明図である。

【図６】本発明の一実施例におけるデータフォーマット
を具体的に例示する説明図である。

【図７】図形一括用ＥＢマスクの一例を示す説明図であ
る。

【図８】本発明の第２の実施例における、データ変換方
法を具体的に例示する説明図である。

【図９】本発明の第２の実施例で用いる、データフォー
マットを具体的に例示する説明図である。

【図１０】本発明の第２の実施例で用いる、データフォ
ーマットを具体的に例示する説明図である。

【図１１】図形一括用ＥＢマスクの他の一例を示す説明
図である。

【図１２】従来の図形一括型電子線描画装置の概略構成
を模式的に示す説明図である。

【符号の説明】

１電子銃２ブランキング電極３第１アパーチャー３Ａ第１アパーチャー開口部４成形レンズ５成形偏向器６第２アパーチャー６Ａ，６Ｂ第２アパーチャー開口部７縮小レンズ８主偏向器９副偏向器１０投影レンズ１１半導体ウエハ１１Ａ、１１Ｂレジスト内の潜像１２試料台１３図形データ用メモリ１４計算機１５記憶装置１６制御装置２０，２２，２３ＣＡＤデータ２７ＥＢマスクデータ２８，２９中間データ３０，３１，３２直描データ２１，２４，２５，２６，３４，３５，３９，４０，４
１処理ステップ３６描画位置データ３７セル番号データ３８シフト量データ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電子光学系に複数パターンが形成されたマ
スクを設け、電子線をショットする毎に前記マスク機能
の複数パターンに対応する潜像パターンをレジストの一
領域に繰り返し形成する図形一括描画方式に用いるデー
タの検証方式であって、（ａ）各図形一括ショット内に含まれる複数図形の中か
ら、特定位置の座標を記した図形一括用中間データを用
意する工程と、（ｂ）図形一括ショットに含まれる複数図形の内、特定
位置を表す座標を検索し、この座標と図形一括ショット
の原点との間のシフト量を算出してＥＢマスクデータを
作成する工程と、（ｃ）データ変換後の図形一括と可変成形が混在したＥ
Ｂ直描データから図形一括用直画データと可変成形デー
タに分離する工程と、（ｄ）前記図形一括用直描データから描画位置とセル番
号を読み出す工程と、（ｅ）前記ＥＢマスクデータからセル番号と前記工程
（ｂ）で算出したシフト量を読み出す工程と、（ｆ）前記工程（ｄ）、（ｅ）で得られた値から、各図
形一括ショット内に含まれる複数図形の特定位置の座標
を算出する工程と、（ｇ）前記工程（ａ）で作成した図形一括用中間データ
から各図形一括ショット内に含まれる図形の特定位置の
座標を読み出す工程と、（ｈ）前記工程（ｆ）で得られた特定位置の座標と前記
工程（ｇ）で得られた特定位置の座標を比較、検証する
工程と、を含むことを特徴とする図形一括描画方式に用いるデー
タの検証方法。
【請求項２】データ変換前のＣＡＤデータから得られる
図形一括ショット内に含まれる図形の特定位置の座標
と、ＥＢマスク上に形成する基本開口図形の形状を記し
たＥＢマスクデータと図形一括描画装置向きに変換した
後の図形一括用直描データの両者から得られる図形一括
ショット内に含まれる図形の特定位置の座標と、を比較
することにより、図形一括用直描データの検証を行う、
ことを特徴とする図形一括露光データ用検証方法。
【請求項３】電子光学系に複数パターンが形成されたマ
スクを設け、電子線をショットする毎に前記マスク機能
の複数パターンに対応する潜像パターンをレジストの一
領域に繰り返し形成する図形一括描画方式に用いるデー
タの検証方法であって、（ａ）ＣＡＤデータから、図形一括を適用するパターン
と、可変成形を適用するパターンと、に分離する工程
と、（ｂ）図形一括適用部として抽出されたＣＡＤデータを
図形一括ショットの基本単位である基本開口図形に分解
し、その際、前記各基本開口図形にはセル番号が与えら
れるとともに、前記図形一括ショットに含まれる複数図
形の内、特定位置を表す座標を検索し、この座標と前記
図形一括ショットの原点との間のシフト量を算出し、前
記各セル番号と前記基本開口図形の対応関係、及び前記
シフト量を、ＥＢマスクデータとして保存する工程と、（ｃ）前記基本開口図形に分解された図形一括適用部の
ＣＡＤデータに対しては、図形一括ショットに含まれる
複数図形の内、特定位置を示す座標を算出し、該座標デ
ータを付加したＣＡＤデータを、図形一括用中間データ
として保存すると共に、前記図形一括用中間データを図
形一括描画装置に適したフォーマットに変換して図形一
括用直描データとして保存する工程と、（ｄ）可変成形用として抽出されたＣＡＤデータは、可
変成形用中間データを経て可変成形用直描データに変換
する工程と、（ｅ）前記図形一括用直描データと前記可変成形用直描
データを合成し、図形一括、可変成形混在直描データと
して保存する工程と、（ｆ）前記図形一括、可変成形混在直描データからセル
番号を検索し、可変成形データと図形一括データに分離
する工程と、（ｇ）前記図形一括用直描データから描画位置とセル番
号を読み出し、前記ＥＢマスクデータからセル番号と前
記シフト量を読み出し、各図形一括ショット内に含まれ
る複数図形の特定位置の座標を算出し、前記図形一括用
中間データから各図形一括ショット内に含まれる図形の
特定位置の座標を読み出し、これらの特定位置の座標を
比較、検証する工程と、（ｈ）前記可変成形用直描データに対しては、前記可変
成形用中間データとの間で層間演算により可変成形用直
描データの検証を行う工程と、を含む、ことを特徴とする図形一括露光データ用検証方
法。