JP3762244B2 - 図形データ展開方法 - Google Patents

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    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、数値データを取り扱う各種の製造装置及び検査装置などに使用されるデータ展開装置に係わり、特に半導体素子や液晶ディスプレイパネルを製作するときに使用されるフォトマスク或いはウェハや液晶基板などに形成されるパターンを描画或いは検査する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
大規模集積回路(LSI)のパターンの高精細化が進むなか、パターンの描画に使用する設計データの記述方法に様々な工夫がなされている。例えば、図20(a)(b)に示すように、一つのパターンを形成するにもより多数で微細な図形を組み合わせて微妙なパターン形状を表現する需要が高まっている。このため、図形数が膨大になり設計データのデータサイズが増大している。
【0003】
また、もう一つの事例として、データ記述を階層化して、適切な矩形領域(チップ領域)のデータ(チップデータ)とチップを配置するデータ(レイアウトデータ)とを定義し、レイアウトデータはチップの配置位置とチップ寸法から成り、チップデータは複数の設計ストライプの集合、設計ストライプデータはセルの集合、セルは図形の集合とする概念を用いて、操り返しパターンを効率良く表現する工夫がなされている。
【0004】
一般に、パターン描画装置やパターン検査装置では、マスクはXYステージに載置され、電子ビームを照射したり検査露光しながらステージを駆動してマスク全面を走査する。描画や検査の際に装置に読み込まれる設計データは上述したチップデータを複数の装置ストライプ領域に分割された状態で用いられる。即ち、従来の描画装置又は検査装置で用いるデータ展開方法は、設計のチップデータは計算機の磁気ディスク等に格納されていて、装置用のストライプデータに切り出す処理までは計算機上のソフトウェアで行い、ハードウェアの受け口のハード入力メモリに出力して,パターン発生,ショット図形発生といったハードウェア処理に引き継いでいた。
【0005】
ハードウェアの受け口のハード入力メモリの容量は装置用のストライプデータを1本分格納できるよう、1バンク当り数十〜数百Mbyte程度で装置設計していた。装置ストライプデータは、描画装置の電子ビームの偏向幅程度の幅とその幅と直交方向のチップサイズの長さを持った細長い短冊状の領域であり、チップデータを隙間や重なりなく短冊状に分割したものである。従って、装置ストライプと設計ストライプとは異なる切り方をする場合もあるが、描画装置に合わせて設計ストライプを定義すれば、同一のストライプ形状を指すことになる。マスクを走査する方法は、装置ストライプデータを読み込み描画や検査を行いながらストライプ長さ方向に連続移動させて、ストライプ終端でストライプ幅分ステップ移動して、折り返し反対方向に連続移動する行程を繰り返していく。
【0006】
上述の通り、最近のLSIのパターンの設計データの記述方法はより複雑になり、チップデータ及び設計ストライプ(装置ストライプ)のデータサイズが爆発的に増大してきたが、従来の描画装置や検査装置では,ハードウェアの受け口のハード入力メモリの容量を拡充することは困難になっている。このため、所望のマスク全面のデータを1つのチップとしてまとめて記述することがデータサイズの点で困難になってきて、1枚のマスクの描画や検査を行うために複数のチップデータを配置,結合する方法が必要になってきた。
【0007】
従来の描画装置や検査装置は、チップデータの単位で処理するよう構成されているので、設計データが複数チップで生成されている場合には、チップ毎に装置ストライプを定義してチップ毎にステージを折り返し走査を行っている。即ち、チップAの処理後改めてチップBかチップCに処理を進める工程となり、ステージの折り返し回数が2倍に増大してしまう。ステージをストライプ終端で折り返す行為は、連続移動方向のステージを減速,停止し、ステップ移動のうえ反対方向に加速,走行する必要があり、装置のスループットを向上させるためのネックとなっている。
【0008】
また、描画装置でこのように折り返しを行った場合には、描画時刻の時間差とステージなど機械的な精度や再現性の誤差,経時変化により、いわゆる描画つなぎ精度に悪影響を受けやすくなる。
【0009】
検査装置でこのように折り返しを行った場合には、チップAとチップBの境目でそれぞれのチップデータの検査不能領域が発生する。これは、検査基準の参照データを発生する過程でぼかし処理には実際に検査判定する画素の周囲の画素のパターンデータから演算する部分があり、チップの境目では互いに他方のチップに属した画素データが得られずに正確な検査基準データが発生できないためである。このため、この数画素に及ぶ検査不能領域帯では、擬似欠陥を生じないよう欠陥判定を避けるよう、意図的に、欠陥があっても検出しないように動作させている。
【0010】
設計データが複数チップで生成されている場合には、チップAとチップBを貫通して処理することが望ましいが、上述した装置側のハードウェアの受け口のハード入力メモリの容量が限界となり、従来の描画装置や検査装置では複数のチップを貫通した装置ストライプデータを作成してもハードウェアに引き渡すことができないという制約があった。
【0011】
ハードウェアの受け口のハード入力メモリの容量の限界が取り除かれた場合、チップを合成する前処理、即ち、例えば装置稼動前にチップAとチップBを計算機上の予備処理で合成して、貫通した装置ストライプデータを作成できるようにする方法も考えられるが、複雑で大規模なデータ構造を取り扱う必要があり、データを一時的に記憶するための主記憶領域確保が不足していわゆるスワップなど計算機のリソース不足に伴う副作用が生じるために、実用的な処理時間では終えられないという改善すべき課題もあった。具体的には、チップを合成するには上述した階層化したデータ記述のレイアウトデータのみでなくチップデータ内の図形データまでアクセスして図形位置や辺の長さまで整合をとる必要があるためである。
【0012】
従来の描画装置や検査装置では、装置稼働中の特定の装置ストライプデータが装置側のハードウェアの受け口のハード入力メモリの容量を超えてしまうことが判った時点で、装置ストライプの幅を狭くする、或いは装置ストライプの長さを短くするなどの方法で、装置ストライプデータ容量をハード入力メモリ容量に収めることは可能であった。この場合であっても、チップ毎に装置ストライプを定義してチップ毎にステージを折り返し走査を行っていることには変わりなく、ステージの折り返し回数を滅らして装置のスループット改善には至らなかった。
【0013】
これらの設計データの記述に伴う、装置ストライプデータ及びチップデータの増大,複雑化の問題は検査装置と描画装置に共通した問題で、設計データが複数チップに分割された場合でも効率の良いストライプデータ発生方法が必要になってきた。
【0014】
一方、LSI製造における歩留まり低下の大きな原因の一つにフォトマスクのパターン欠陥が挙げられている。フォトマスクの欠陥は、これを元にして露光,現像を経て基板上に形成する全てのパターンに欠陥が連鎖してしまうため、マスク製造プロセス上の問題は大きい。そのため、フォトマスクの検査は必須であり、より高速な検査技術が求められている。
【0015】
以下は、具体的な従来例としてマスク検査装置を中心に説明する。一般に、マスクの製造は図21に示すように、CAD200から出力された設計データ201を用いて電子ビーム描画装置202でパターンを描画し、適切なプロセスを経て製造されたマスク205をマスク欠陥検査装置203で検査して不良な箇所は修整装置204で修正して出荷する工程が採られている。なお、図中の206は欠陥マスク、207は修正済みマスク、208は出荷マスクを示している。
【0016】
この工程でマスク欠陥検査装置203には、図22(a)に示すように、マスク205内で同じパターンが描画された別々のチップや繰り返しパターンの別々の領域の観測像同士を比較器212により比較するダイ対ダイ検査方式と、図22(b)に示すように、パターン描画時に使用した設計データ201を展開して基準データを得て、比較器212により観測像を基準データと比較するデータベース比較方式の二通りがある。
【0017】
ダイ対ダイ検査方式は基準データを発生する機構が不要なため、比較的高速化しやすく装置の構造もシンプルになるが、二つのダイに共通して存在する欠陥を指摘できないという問題がある。データベース比較方式では、設計パターン通りにマスクパターンが形成されているかを厳密に検査できるが、検査速度を高速化するには検査基準パターンを発生する機構が装置全体を律速しないように、充分な余裕率を見込んだデータ処理速度で装置設計する必要がある。
【0018】
データベース比較方式の場合には、図21に示すように、描画装置202で描画する際に使用する設計データ201と、マスク欠陥検査装置203で検査する際に使用するデータとを同じデータにすることで効率の良いシステムを構築できる。
【0019】
図23において、ハード入力メモリ120に格納されたストライプデータは、ビットパターン発生回路12でビットパターンに展開され、図形イメージデータとして参照データ発生回路13に送られる。参照データ発生回路13では、測定パターンデータに含まれる、検出光学系の解像特性やフォトダイオードアレイの隣接画素間の電荷結合効果などの影響を考慮し、設計データに適切なぼかし処理を加え、参照データである検査基準パターンデータを生成する。
【0020】
比較回路14は、測定パターンデータと適切なフィルタ処理が施された設計側のデータとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥ありと判断する。欠陥があった部分はその部分の座標データ、補足したセンサ観測像と対応する参照パターンデータなどを付加して計算機のハードディスクなどに保存する。
【0021】
展開回路(ビットパターン発生回路)12から比較回路14までのハードウェアが動作中にも、装置用のストライプデータを補充できるように、ハード入力メモリは120の複数バンクを装備してバンク切り換えをしながら動作させる。ハード入力メモリ120のサイズは装置用のストライプデータを1本分格納できるよう、1バンク当り数十〜数百Mbyte程度の容量が必要になる。
【0022】
以上の具体的な説明は検査装置の例だか、チップデータを装置ストライプデータに分割して、ストライプ終端でストライプ福分ステップ移動を行う行為は描画装置でも検査装置と同様に必要である。
【0023】
データベース比較方式の検査装置においてパターン展開回路の動作速度は、パターン密度が最も高くなる事態を予想し、その場合でも装置速度を律速しないように充分な安全率を見込んで設計している。しかし、装置ストライプ全長に渡ってその最も厳しいパターン密度が連続することは無く、平均的にはオーバースペックな装置設計を強いていることになる。従来ビットパターン発生回路は、図23に示すように現在検査中の装置ストライプのパターンイメージを発生していた。測定パターンデータはステージの進行により一定の速度で得られるため、ビットパターン発生回路は予想される最もパターン密度の濃いところでも間に合うように設計されている。逆にパターン密度の若いところでは休んでいる。
【0024】
さらに、検査装置ではマスクの一部のみの検査、或いは一部分を除外して短時間で効率の良い検査をしたい場合でも、検査基準データ発生は上述のチップデータ及びそのチップデータから求まる装置ストライプデータを実施単位としているため、不要な部分まで検査することが必要になり、検査時間を短縮するには所望の領域のみを抽出した設計データを作り直す必要があった。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のパターン描画装置又はパターン検査装置で用いるデータ展開方法においては、設計データは計算機の磁気ディスク等に格納されていて、装置用のストライプデータに切り出す処理までは計算機上のソフトウェアで行い、ハードウェアの受け口のハード入力メモリに出力して、パターン発生,ショット図形発生といったハードウェア処理に引き継いでいた。
【0026】
LSIパターンの設計データの記述方法は益々複雑になり、所望のマスク全面のデータを1つのチップとしてまとめて記述することは困難になっている。このため、1枚のマスクの描画や検査のために複数のチップデータを配置,結合する方法が必要となり、このようなデータを単に展開したのでは、描画や検査の際のステージの折り返し回数が多くなる問題があった。また、ステージの折り返し回数を少なくして描画時間や検査時間を短縮するためには、設計データを作り直す必要があるが、設計データを作り直すことは多大な時間と手間を要することになり実質的に困難であった。
【0027】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、設計時のデータを作り直さなくても描画装置や検査装置の内部でデータを再構築してステージの折り返し時間を省くことができるデータ展開方法を提供することにある。
【0028】
また、本発明の他の目的は、上記のデータ展開方法を搭載したパターン描画装置又はパターン検査装置を提供することにある。
【0029】
【課題を解決するための手段】
(構成)
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【0030】
即ち本発明は、設計データが複数の矩形領域毎のデータで構成されている場合に、設計データを取り込んで所望ストライプ幅の図形データを作成する図形データ展開方法であって、領域演算を行って、隣接する矩形領域を一定方向に貫通したカラム領域に再構成するステップと、前記カラム領域を予め定められた幅の短冊状の領域である装置ストライプに切り分けるステップと、設計データを構成する階層記述の単位情報を装置ストライプ毎に抽出するステップとを含み、前記矩形領域を一定方向に貫通したカラム領域に再構成するステップとして、カラム貫通方向をX、その直交方向をYとし、各矩形領域の第1から第4の頂点座標を(X1,Y1),(X2,Y1),(X2,Y2),(X1,Y2)とした場合の第1及び第4の頂点座標情報(X1,Y1),(X1,Y2)を持った矩形領域開始符号と、第2及び第3の頂点座標情報(X2,Y1),(X2,Y2)を持った矩形領域終了符号を、全ての矩形領域に定義して、各々の矩形領域開始符号と矩形領域終了符号を他の矩形領域の第1から第4の頂点のY座標に照らし合わせ、他の矩形領域のいずれかのY座標にて分割可能であれば分割し、二つのY座標が共に等しい矩形領域開始符号と矩形領域終了符号同士を演算することを特徴とする。
【0031】
また本発明は、設計データが複数の矩形領域毎のデータで構成されている場合に、設計データを取り込んで所望ストライプ幅の図形データを作成する図形データ展開方法であって、領域演算を行って、隣接する矩形領域を一定方向に貫通したカラム領域に再構成するステップと、前記カラム領域を予め定められた幅の短冊状の領域である装置ストライプに切り分けるステップと、設計データを構成する階層記述の単位情報を装置ストライプ毎に抽出するステップとを含み、前記矩形領域を一定方向に貫通したカラム領域に再構成するステップとして、カラム貫通方向をX、その直交方向をYとし、各矩形領域の第1から第4の頂点座標を(X1,Y1),(X2,Y1),(X2,Y2),(X1,Y2)とした場合の第1又は第4の頂点座標(X1,Y1),(X1,Y2)及び第1と第4の頂点座標間のY寸法から成る矩形領域開始符号と、第2又は第3の頂点座標(X2,Y1),(X2,Y2)及び第2と第3の頂点座標間のY寸法から成る矩形領域終了符号を、全ての矩形領域に定義して、各々の矩形領域開始符号と矩形領域終了符号を他の矩形領域の第1から第4の頂点のY座標に照らし合わせ、他の矩形領域のいずれかのY座標にて分割可能であれば分割し、Y寸法が共に等しく且つY方向位置が実質的に等しい矩形領域開始符号と矩形領域終了符号同士を演算することを特徴とする。
【0032】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
(1) 矩形領域はチップ領域であり、矩形領域毎のデータはチップデータであること。
(2) データ生成条件が異なるために合成不能なチップ(異種チップ)が設計データ内に含まれている場合に、これらを別カラムとして領域演算を行うこと。
(3) 設計データのチップが配置された領域又はカラム領域に対して、実際に展開したい領域を指定しカラム領域を再構成すること。
(4) 設計データのチップが配置された領域又はカラム領域に対して、展開しない領域と展開しないチップを指定し、カラム領域を再構成すること。
(5) 設計データのチップ周辺部まで含む領域を、チップ本体と周辺部分との領域演算によりカラム領域を拡大することで再構成すること。
【0033】
また本発明は、被検査試料のパターン検査を行うためのパターン検査装置において、上記構成のデータ展開方法を用いて検査基準データを作成し、この検査記述データと実際に被検査試料のパターンを測定して得られる測定データとを比較することによりパターン検査を行うことを特徴とする。
【0034】
また本発明は、試料上に半導体マスクのパターンを描画するためのパターン描画装置において、上記構成のデータ展開方法を用いて図形データを作成し、作成した図形データから描画図形を抽出してパターン描画を行うことを特徴とする。
【0035】
(作用)
本発明のデータ展開方法は、設計データが矩形領域(チップ領域)のデータ(チップデータ)とチップを配置するデータ(レイアウトデータ)とを定義して、レイアウトデータはそれぞれのチップの配置位置とチップ寸法から成り、チップデータは複数の設計ストライプの集合、設計ストライプデータはセルの集合,セルは図形の集合とする概念に基づくものであり、複数の矩形領域(チップ領域)毎のデータ(チップデータ)で構成されている設計データを取り込み、設計データ内の隣接するチップ領域をカラム領域に再構成するカラム領域作成手段と、カラム領域を1回のステージ移動で操作可能な領域(装置ストライプ領域)に分割するストライプ領域作成手段と、設計データを構成する階層記述の適当な単位(セル)情撮を装置ストライプ毎に抽出するストライプデータ作成手段とから構成される。
【0036】
より具体的には、カラム領域作成手段として、カラム貫通方向をX、その直交方向をYとし、各矩形領域の第1から第4の頂点座標を(X1,Y1),(X2,Y1),(X2,Y2),(X1,Y2)とした場合に、次のようにすることを特徴とする。
【0037】
(a)第1及び第4の頂点座標情報(X1,Y1),(X1,Y2)を持った矩形領域開始符号と、第2及び第3の頂点座標情報(X2,Y1),(X2,Y2)を持った矩形領域終了符号を、全ての矩形領域に定義して、各々の矩形領域開始符号と矩形領域終了符号を他の矩形領域の第1から第4の頂点のY座標に照らし合わせ、他の矩形領域のいずれかのY座標にて分割可能であれば分割し、二つのY座標が共に等しい矩形領域開始符号と矩形領域終了符号同士を演算すること。
【0038】
(b)第1又は第4の頂点座標(X1,Y1),(X1,Y2)及び第1と第4の頂点座標間のY寸法から成る矩形領域開始符号と、第2又は第3の頂点座標(X2,Y1),(X2,Y2)及び第2と第3の頂点座標間のY寸法から成る矩形領域終了符号を、全ての矩形領域に定義して、各々の矩形領域開始符号と矩形領域終了符号を他の矩形領域の第1から第4の頂点のY座標に照らし合わせ、他の矩形領域のいずれかのY座標にて分割可能であれば分割し、Y寸法が共に等しく且つY方向位置が実質的に等しい矩形領域開始符号と矩形領域終了符号同士を演算すること。
【0039】
これらの処理は、通常は設計データを格納している計算機上のソフトウェアで実施することができる。カラム領域作成手段は、図7(a)に示すように、設計データからステージ進行方向に境目のない領域(カラム領域)を求める。データ内の隣接するチップ領域をカラム領域に再構成カラム領域情報は、図7(b)に示すデータ構造とする。
【0040】
装置ストライプ領域作成手段は、図7(c)に示すように、カラム領域情報により、装置が1回のステージ移動で処理可能な短冊状の領域(装置ストライプ領域)に分割する。装置ストライプデータ作成手段は、装置ストライプ領域内に配畳されるセルを設計ストライプデータから抽出して装置ストライプデータを作成する。作成された装置ストライプデータは、装置のハードウェア入力メモリに書き込まれる。データを転送する方法は、例えばPCIバスやVMEバスなど、計算機に備わっている汎用の規格のバスから適切なインターフェースを用いて行えばよい。
【0041】
ハードウェア入力メモリに転送されることで装置に格納されたデータは、装置の回路ハードウェア或いは所定のソフトウェア・プログラムを組み込んだボードコンピュータが読み込んで、描画装置或いは検査装置など、それぞれに適した処理に引き継がれる。これらのカラム領域作成手段,ストライプ領域作成手段,ストライプデータ作成手段は、独立した計算機上で動作するソフトウェアで実現できるほか、装置の一部に組み込まれた例えばボードコンピュータなどの計算機でも実現可能である。
【0042】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【0043】
図1は、本発明の各実施形態に使用したフォトマスクのパターン検査装置の全体構成を示すブロック図である。
【0044】
被検査試料(フォトマスク)1は、試料台(XYθテーブル)2上に載置されている。試料台2は、CPU10から指令を受けたテーブル制御回路11によりX,Y方向の移動及びθ回転が可能である。試料台2の位置座標は、例えばレーザ波長システム16により測定され、その出力が位置回路15に送られる。位置回路15から出力された位置座標は、テーブル制御回路11にフィードバックされる。
【0045】
試料台2の上方には光源3が設けられ、この光源3からの光は集光レンズ7を介してフォトマスク1に照射される。フォトマスク1及び試料台2を通過した光は、拡大光学系4及び光電変換部(フォトダイオードアレイ)5の受光面に結像照射される。光電変換部としてのフォトダイオードアレイ5は、フォトマスク1の被検査パターンに対応した測定信号を検出する。
【0046】
被検査パターンに対応した測定信号は、数十MHz程度のクロック周波数に同期してフォトダイオードアレイ5から読み出され、センサ回路6でデジタルデータに変換され、さらにラインバッファで整列された後、測定パターンデータとして比較回路14に送られる。測定パターンデータは、例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさを表現しているものとする。なお、比較回路14には、位置回路15を経て測定箇所の位置情報も送られる。
【0047】
比較回路14では、測定パターンデータと検査基準パターンデータをレベル比較や微分値を比較するなどの適切なアルゴリズムにより比較して、欠陥判定が行われる。検出した欠陥の情報はCPU10に取り込まれる。取り込む情報は欠陥の発生した座標やその際の測定パターンデータと検査基準パターンデータ、比較回路14で判定した欠陥種別などがある。これらの情報は、検査進行中或いは検査終了後にディスプレイ装置などの出力装置24に表示したり、ハードディスクなどの記憶メディアに保存したりする。
【0048】
なお、本実施形態に係わるパターン検査装置は、操作者からデータや命令などの入力を受け付ける入力装置23、検査結果を出力する出力装置24、設計パターンデータなどを格納したハードディスク21、及びパターン検査プログラムなどを格納したハードディスク22等を有している。
【0049】
測定パターンデータに関する処理は、適当なストライプ幅とその幅と直交方向のチップサイズの長さを持った細長い短冊状の装置ストライプを処理単位としている。即ち、図2(a)に示すように、被測定試料上のパターンは細長い短冊T1,T2,T3,…,Tnの装置ストライプに分割され,各短冊に対応するマスクパターンを撮像するようにステージをX方向矢印に示すように連続的に移動させることと、Y方向にフォトダイオードアレイの画素方向のスキャン取り込みをすることによって観測像を取り込む。さらに具体的には、図2(b)に示すように、1画素分の幅Pの区間をステージがX方向に試料台を駆動して連続移動する間に、フォトダイオードアレイのW画素をスキャンし、これをX方向のストライプ長さ分を逐次移動して、短冊T1をスキャンする。同様に図2(a)に示すように、短冊T2,T3,…,Tnを折り返し走査する。
【0050】
図2(b)はマスク1のある程度の範囲に光を照射してマスクの透過,反射像をフォトダイオードアレイ5上に結像させる方法を説明しているが、代わりに、検出したい欠陥寸法に応じた細さのビームを照射して透過,反射する光を検出する方法もある。この場合は、ほぼ1画素分の領域をカバーする大きさのビームを照射して、連続移動方向(X)にpの区間移動する間に装置ストライプ幅Wをスキャンして透過,反射する光を検出する。
【0051】
このように、検査動作中はステージのX方向への連続移動とフォトダイオードアレイのスキャンは途切れずに同期している必要がある。データベース方式の検査装置では、比較回路での比較タイミングエラーを起こさないよう、検出パターンの取得速度に対して充分なタイミングマージンを持った検査基準データ発生を行う必要がある。
【0052】
充分な処理速度を得るため、設計データから参照パターンを発生する処理は専用回路のハードウェアで行っている。但し、設計のチップデータは計算機の磁気ディスク21等に格納されているので、装置用のストライプデータに切り出す処理までは計算機上のソフトウェアで行い、ハードウェアの受け口のハード入力メモリに出力している。
【0053】
図3は、本実施形態に係わるパターン検査装置の要部回路構成を示すブロック図である。ハード入力メモリ120に格納されたストライプデータは、ビットパターン発生回路12でビットパターンに展開され、図形イメージデータとしてストライプメモリ121に送られる。
【0054】
本装置では図3に示すように、ビットパターン発生回路12と参照データ発生回路13の間に装置ストライプ1本分のパターンイメージデータを保持できるストライプメモリ121を複数個設けた。これにより、本装置のビットパターン発生回路12は、検査中のバックグラウンド処理で、次の装置ストライプ領域のパターンイメージを展開可能となった。これは、ビットパターン発生回路12の性能を最大限に生かすことに繋がり、バックグラウンド処理のため、展開途中でのハード入力メモリ120のバンク切り替え制御も容易となった。つまり、1本の装置ストライプデータをハード入力メモリ120の複数のバンクに分けて格納可能とした。
【0055】
ビットパターン発生回路12は、ハード入力メモリ120内の装置ストライプデータを展開して、検査基準データとなるビットパターンデータをストライプメモリ121に生成する。このビットパターンデータは、イメージデータとして参照データ発生回路13に送られ、データ全体にパターン検査装置での測定誤差などを考慮したぼかし処理等が加えられ、最終的な検査基準パターンデータとして比較回路14に送られる。
【0056】
なお、参考のために、図4に本実施形態におけるデータ展開方法の流れを示し、図5及び図6に装置ストライプ作成のためのフローチャートを示しておく。従来装置と本装置との違いは、図4に示すカラム領域作成手段61、装置ストライプ領域作成手段62、及び装置ストライプデータ作成手段63を備えていることである。これらは、ホスト計算機(CPU)10にて処理可能なため、本実施形態に係わるパターン検査装置の基本構成は、従来のパターン検査装置とほぼ共通する。
【0057】
次に、本発明の特徴である設計データの構成、データ展開方法の流れ、カラム領域作成手段、装置ストライプ領域作成手段、装置ストライプデータ作成手段について説明する。
【0058】
[設計データの構成]
まず、本発明のデータ展開方法が使用する設計データ(ハードディスク21に格納されている)について説明する。
【0059】
設計データは図8(a)に示すように矩形領域(チップ)毎のデータ(チップデータ)とチップを配置するデータ(レイアウトデータ)とで構成される。レイアウトデータは図8(b)に示す通り、それぞれのチップの配置位置とチップ寸法から成る。チップデータは図8(c)に示す短冊状の領域(ストライプ)毎の独立したデータ(ストライプデータ)の集まりである。後述するカラム内のストライプデータ(装置ストライプデータ)と区別するため、これを設計ストライプデータと呼ぶ。
【0060】
設計ストライプデータは、図8(d)に示すように図形情報の集合であるセルを配置する構造で、図8(e)に示す通りセルの配置情報の集合であるセル配置データ部とセル図形情報の集合であるセル図形データ部から成る。セル配置情報は、設計ストライプ内のセルの配置位置とセル図形情報へのポインタから成る。セル図形情報は、セル内に配置される図形情報の集合である。図形情報は、セル内の図形位置と形状とサイズとから成る。
【0061】
[データ展開方法の流れ]
前記図4に示したデータ展開方法の流れのように、設計データからカラム領域作成手段61、装置ストライプ領域作成手段62、装置ストライプデータ作成手段63を介してデータ展開を行う。
【0062】
カラム領域作成手段61は、設計データ内のレイアウトデータより、カラム領域情報を作成する。カラム領域情報は、図7(b)に示すデータ構造とする。装置ストライプ領域作成手段62は、各カラム領域を装置が1回のステージ移動により処理可能な短冊状の領域(装置ストライプ領域)に分割する(図7(c))。装置ストライプデータ作成手段63は、各装置ストライプ領域内に配置されるセルを設計ストライプデータから抽出して装置ストライプデータを作成する。
【0063】
[カラム領域作成手段]
カラム領域作成手段61は、設計データに含まれるレイアウトデータ(図8(b))を領域演算することで、ステージ進行方向に境目のない領域(カラム領域)を求めるプログラムである。カラム領域作成手段61には、領域のOR演算,減算,AND演算の機能を持つ。これらの組み合わせ実行及び繰り返し実行可能である。具体的な使用法は後述の各実施形態で説明する。
【0064】
以下に、領域演算手法を記す。
【0065】
〈領域OR演算〉
図9に示す例に従い説明する。横方向をX軸、縦方向をY軸とする。
【0066】
手順1)各領域の開始位置(X座標の小さい方)をXY座標とY長さの上向きベクトルで表し、終了位置(X座標の大きい方)をXY座標とY長さの下向きベクトルで表す。
【0067】
手順2)各ベクトルを全てのベクトルの頂点種類(ベクトルの始点終点のY座標)で分割する。即ち、ベクトルの長さが揃ったスリット領域に分ける。
【0068】
手順3)スリット毎に上向きベクトルを+1、下向きベクトルを−1として、X座標の小さい方(同じ座標の場合上向きベクトルが先)から累積加算する。そして、累積加算結果が1となる上向きベクトルと、0となる下向きベクトルのみを残す。
【0069】
手順4)ベクトル表現を配置位置と辺の長さ(XY座標とX長さ、Y長さ)で表す領域情報に戻す。このとき、隣のスリットでX座標とX長さが同じものを合成する。
【0070】
〈領域減算〉
図10に示す例に従い説明する。横方向をX軸、縦方向をY軸とする。
【0071】
手順1)被減領域の開始位置(X座標の小さい方)をXY座標とY長さの上向きベクトルで表し、終了位置(X座標の大きい方)をXY座標とY長さの下向きベクトルで表す。そして、減領域の開始位置をXY座標とY長さの下向きベクトルで表し、終了位置をXY座標とY長さの上向きベクトルで表す。
【0072】
手順2)〜手順4)は、上述した領域OR演算と同じ処理を行う。
【0073】
〈領域AND演算〉
図11に示す例に従い説明する。横方向をX軸、繊方向をY軸とする。
【0074】
手順1)〜手順2)は、上述した領域OR演算と同じ処理を行う。
【0075】
手順3)スリット毎に上向きベクトルを+1、下向きベクトルを−1として、X座標の小さい方(同じ座標の場合下向きベクトルが先)から累積加算する。そして、累積加算結果が2となる上向きベクトルと、1となる下向きベクトルのみを残す。
【0076】
手順4)は、上述した領域OR演算と同じ処理を行う。
【0077】
〈装置ストライプ領域作成手段〉
図7(c)に示すように、各カラム領域を1回のステージ移動で装置が処理できる短冊状の領域(装置ストライプ領域)に分割する。装置ストライプ領域情報は、装置ストライプデータ作成時のほか、装置のステージ(試料台2)の制御などに利用する。
【0078】
(装置ストライプデータの作成手段)
図12に手順の概念図を示す。
【0079】
手順1)装置ストライプ領域内に含まれる設計ストライプを求め、それぞれ装置ストライプ原点からの相対座標を求める。
【0080】
手順2)装置ストライプ内に含まれる各設計ストライプのセル情報を順次読み出し、装置ストライプ領域内に存在するセル情報に対し、装置ストライプデータに登緑処理を行う。セル図形データの内容には修正を加えず登録し、セル配置データの配置座標は、装置ストライプ原点からの相対座標に変換する。この座標変換は手順1で求めた設計ストライプの座標を加算するだけでよい。また、セル配置データのセル図形情報へのポインタは、装置ストライプデータ内の登録先とする。
【0081】
装置ストライプデータは、図7(d)に示すように図形情報の集合であるセルを配置する構造で、図7(e)に示すようにセルの配置情報の集合であるセルの配置データ部と各セルの図形情報の集合であるセル図形データ部から成る。要するに設計ストライプデータ図8(e)と同じ構造とする。
【0082】
以下、本発明の各実施形態について説明する。
【0083】
(第1の実施形態)
まず、本発明の展開方法を使用した検査装置の例を説明する。
【0084】
前記図1に示すように、本実施形態に係わるパターン検査装置は、ホスト計算機(CPU)10と、設計データより検査基準パターンデータを生成する検査データ生成部と、被測定試料1であるフォトマスクに対応した測定パターンデータを生成する測定データ生成部と、測定パターンデータと検査基準パターンデータとを比較する比較回路14とを少なくとも備えている。
【0085】
図1に示す装置において、ハードディスク21に格納されている設計データは、従来の電子ビーム描画装置202及びパターン検査装置203でも使用しているデータである。設計データの構成は、図8に示した通りである。この設計データより前述したカラム領域作成手段61がカラム領域を作成する。
【0086】
図13(a)に示すように設計データが複数のチップデータで構成されている場合、カラム領域作成手段61は、領域OR演算の機能を使用してカラム領域(図13(b))を作成する。装置ストライプ領域作成手段62は、カラム領域を1回のステージ移動で検査できる短冊状の領域(装置ストライプ領域)に分割する。装置ストライプデータ作成手段63は、装置ストライプ領域に含まれるセルを抽出して、ビットパターン発生回路12のハード入力メモリ120(図3)に装置ストライプデータを順次作成する。
【0087】
図13(c)は、従来のパターン検査装置と本実施形態によるパターン検査装置との検査時間の比較である。本装置では、従来装置では必要なかったカラム領域作成、装置ストライプ領域作成、装置ストライプデータ作成の処理時間が余分に必要であるが、2本目以降の装置ストライプデータ作成処理は、検査実行中に並列動作可能なため、余分にかかる処理時間は図13(c)のC:S:Ts1の部分である。この時間は、装置ストライプ1本分の検査時間より短くできる。図13の例の場合、本装置は従来装置よりステージの折り返し回数が半分で済む。
【0088】
具体的に数値を示すと、チップサイズがそれぞれ100mm角で、装置ストライプの幅は約200μm(フォトダイオードアレイの有効画素数は約2000画素で画素サイズが0.1μmの場合)だった場合、従来装置での装置ストライプ数は1000本であるが、本装置では500本で済む。ステージの折り返し時間は、1〜2秒かかるため、500秒〜1000秒の時間短縮となる。また、ステージ進行方向により多くのチップが並んでいる設計データの場合や、より高精度の検査をするために画素サイズを小さくした場合、この時間短縮の効果は更に大きくなる。
【0089】
(第2の実施形態)
次に、図14を参照しながら、第2の実施形態におけるカラム領域作成方法について説明する。
【0090】
上述した第1の実施形態は、全てのチップ領域の領域OR演算してカラム領域を求めている。そのため、データ生成条件(アドレスユニットやミラーなど)が異なるチップ(異種チップ)も同じカラムとなる。この場合、装置ストライプ領域にデータ生成条件の異なる設計ストライプが配置されるため、装置ストライプデータ作成手段63にデータ生成条件を揃える処理が必要になる。つまり、装置ストライプデータ作成手段63が、セル図形データ内の個々の図形データ対して変換を行う必要がある。この処理を行うと、装置ストライプデータ作成時間が大幅に伸びるため処理時間の短縮には繋がらない。このような場合には、同じデータ生成条件のチップ(同種チップ)毎に、カラム領域を作成する。
【0091】
図14(a)に示すように、チップA,チップB,チップCの3種類のチップが配置されている場合でチップCのデータ生成条件が異なる場合は、図14(b)に示すように、チップA,チップBの領域で作成したカラム領域(カラム1,カラム2)と、チップCの領域で作成したカラム領域(カラム3)とする。ここで、カラム1はチップA,チップBを貫通して処理するため、従来装置のチップ毎の処理より折り返し回数を減らすことができる。
【0092】
(第3の実施形態)
次に、図15を参照しながら、第3の実施形態のおけるカラム領域作成方法について説明する。
【0093】
本実施形態は、設計データの一部のみを処理したい場合に設計データを作り直すことなく、カラムの領域演算でこれを実現する方法である。
【0094】
図15(a)に示す設計データを、図15(b)で指定した領域のみ処理したい場合、図15(c)に示すように、上述した実施形態と同様にチップ領域からカラム領域を作成する。このカラム領域に対して、図15(b)で示す指定領域と領域AND演算を行って得られる領域を実際のカラム領域(1〜3)とする(図15(d))。
【0095】
(第4の実施形態)
次に、図16を参照しながら、第4の実施形態におけるカラム領域作成方法について説明する。
【0096】
本実施形態は、設計データの一部のみを処理から除外したい場合に設計データを作り直すことなく、カラム領域演算でこれを実現する方法である。
【0097】
図16(a)に示す設計データを、図16(b)で指定した領域のみを処理から除外したい場合、図16(c)に示すように、上述した実施形態と同様にチップ領域からカラム領域を作成する。このカラム領域に対して、図16(b)で示す領域を領域減算して求まる領域を実際のカラム領域(1〜4)とする(図16(d))。
【0098】
(第5の実施形態)
次に、図17を参照しながら、第5の実施形態におけるカラム領域作成方法について説明する。
【0099】
本実施形態は、設計データに配置されたチップの周辺部分も同時に処理したい場台に設計データを作り直すことなく、カラム領域演算でこれを実現する方法である。
【0100】
例えば、図17(a)に示す設計データで作成されたフォトマスクのチップ周辺領域も一緒に検査したい場合などに使用する。図17(b)に示すように、設計データに配置されているチップの領域を処理したい周辺サイズ分拡大してから、上述した実施形態と同様にカラム領域を作成する(図17(c))。
【0101】
(第6の実施形態)
次に、図18を参照しながら、第6の実施形態におけるカラム領域作成方法について説明する。
【0102】
本実施形態は、設計データに配置されたチップの周辺部分も同時に処理したい場合で、設計データに異種チップが含まれるときに、設計データを作り直すことなくカラム領域演算でこれを実現する方法である。
【0103】
図18(a)で示す設計データで作成されたフォトマスクのチップ周辺領域を検査したい場合、配置されているチップの領域を検査したい周辺サイズ分拡大してカラム領域を作成するが、異種チップを含むため図18(b)に示すように、第2の実施形態と同様に同種チップ毎にカラム領域を作成する。このとき、チップ領域を拡大しているために、カラム領域が異種チップと重なっている。これを除くために、図18(c)に示すように、カラム領域から異種チップ領域を領域減算する。この状態では、カラム領域内に異種チップが含まれないため処理可能であるが、チップ周辺部分でカラムが重なっているため2重に処理する部分が生じる。
【0104】
これを避けるには、図18(d)に示すように、チップA側のカラム領域からチップB側のカラム領域を領域減算した結果をチップA側のカラム領域とすればよい。その逆でも可能である。そして、図18(e)に示すチップA側のカラム領域(カラム1,カラム3,カラム5)とチップB側のカラム領域(カラム2,カラム4)を実際のカラム領域とする。
【0105】
(第7の実施形態)
図19は、この発明の更に別の実施形態であるパターン描画装置の全体構成を示す図である。
【0106】
描画すべき設計データは、磁気ディスク220に格納されている。設計データは、上述したパターン検査装置の実施形態と同様に1枚のマスクを複数のチップに分割してあるとする。本発明のデータ展開方法による一連の処理は、装置全体を制御する計算機(CPU1)223とは別に、描画データを取り扱うための専用計算機(CPU2)221上のソフトウェア(プログラム)232で実施される。
【0107】
パターンの描画は、電子線源226から発射された荷電粒子ビームをアパーチャ227で成形し、比較的大きな偏向ができる主偏向器228及び比較的小さな偏向幅を高速で行うことができる副偏向器229を経てマスク230に照射することにより行われる。マスク230は、XY方向に駆動可能なステージ231上に載置され、このステージ231により片方向(図ではX方向)に連続移動し、連続移動終端でその直交方向(図ではY方向)にステップ移動する。これにより、マスク全面のビーム照射が可能になっている。
【0108】
描画データ用計算機221は、磁気ディスク220に格納された設計データを読み出し、ソフトウェア232に基づいて第1〜第6の実施形態で説明したようにしてこれを処理する。そして、カラム領域作成,ストライプ領域作成,ストライプデータ作成のステップを経て作成した装置ストライプデータを、描画装置制御計算機223に接続された磁気ディスク224に転送する。描画装置制御計算機223は、描画進行中に磁気ディスク224を読み出して図形展開処理235を行い、照射する図形の形状,位置,辺の長さなどの図形情報を読み出して偏向制御器225に送り、成形偏向器234や主偏向器228及び副偏向器229を制御している。
【0109】
描画データ用計算機221が描画装置制御計算機223に接続された磁気ディスク224に書き込むインターフェース236は、イーサネットなどの汎用ネットワークを想定して図示したが、専用のインターフェースやディスクの共有,クロスコールなどの手段でも可能である。
【0110】
このようなパターン描画装置においても、領域演算を行って隣接する矩形領域を一定方向に貫通したカラム領域に再構成するステップと、カラム領域を予め定められた幅の短冊状の領域である装置ストライプに切り分けるステップと、設計データを構成する階層記述の単位情報を装置ストライプ毎に抽出するステップとを順次行うことにより、装置に適した描画データを作成することができる。このため、設計時のデータを作り直す必要もなく、ステージの折り返し時間を極力少なくすることができ、描画スループットの向上に寄与することが可能となる。
【0111】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【0112】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明のデータ展開方法は、複数のチップデータで構成される設計データを展開する場合において、領域演算手法によりカラム領域を作成するステップと、カラム領域を装置ストライプ領域に分割するステップと、装置ストライプ毎にセル情報を抽出するステップを介して図形を処理する。
【0113】
特に、カラム領域を作成するステップとして、(a)第1及び第4の頂点座標情報(X1,Y1),(X1,Y2)を持った矩形領域開始符号と、第2及び第3の頂点座標情報(X2,Y1),(X2,Y2)を持った矩形領域終了符号を全ての矩形領域に定義し、各々の矩形領域開始符号と矩形領域終了符号を他の矩形領域の第1から第4の頂点のY座標に照らし合わせ、他の矩形領域のいずれかのY座標にて分割可能であれば分割し、二つのY座標が共に等しい矩形領域開始符号と矩形領域終了符号同士を演算する、(b)第1又は第4の頂点座標(X1,Y1),(X1,Y2)及び第1と第4の頂点座標間のY寸法から成る矩形領域開始符号と、第2又は第3の頂点座標(X2,Y1),(X2,Y2)及び第2と第3の頂点座標間のY寸法から成る矩形領域終了符号を全ての矩形領域に定義し、各々の矩形領域開始符号と矩形領域終了符号を他の矩形領域の第1から第4の頂点のY座標に照らし合わせ、他の矩形領域のいずれかのY座標にて分割可能であれば分割し、Y寸法が共に等しく且つY方向位置が実質的に等しい矩形領域開始符号と矩形領域終了符号同士を演算する、ことを特徴とする。
【0114】
そして、上記3つのスチップを介してデータ展開を行うことで、ステージの折り返し回数減らし、処理時間を短縮できる。また、カラム領域の領域演算処理でデータ展開領域を変更できるため、領域を限定した処理や領域を除外した処理及び領域を拡大した処理などを行う場合に設計データを作成し直す必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の各実施形態に使用したパターン検査装置の全体構成を示す図。
【図2】被測定試料の検査方法を説明するための図。
【図3】図1のパターン検査装置の要部構成を示すブロック図。
【図4】本発明におけるデータ展開方法の流れを説明するための図。
【図5】本発明における装置ストライプデータ作成方法を説明するためのフローチャート。
【図6】本発明における装置ストライプデータ作成方法を説明するためのフローチャート。
【図7】本発明におけるデータ展開方法の概略を示す図。
【図8】本発明における設計データの構成を示す図。
【図9】カラム領域作成手段における領域OR演算の手法を説明するための図。
【図10】カラム領域作成手段における領域減算の手法を説明するための図。
【図11】カラム領域作成手段における領域AND演算の手法を説明するための図。
【図12】本発明における装置ストライプデータ作成手段を説明するための図。
【図13】第1の実施形態におけるカラム領域作成手段と検査処理時間を説明するための図。
【図14】第2の実施形態におけるカラム領域作成手段を説明するための図。
【図15】第3の実施形態におけるカラム領域作成手段を説明するための図。
【図16】第4の実施形態におけるカラム領域作成手段を説明するための図。
【図17】第5の実施形態におけるカラム領域作成手段を説明するための図。
【図18】第6の実施形態におけるカラム領域作成手段を説明するための図。
【図19】第7の実施形態に係わるパターン描画装置の全体構成を示す図。
【図20】図形微細化の例を示す図。
【図21】フォトマスク製造の流れを説明するための図。
【図22】ダイ対ダイ検査方式及びデータベース比較方式のパターン検査装置を説明するための図。
【図23】従来のパターン検査装置の回路構成を説明するための図。
【符号の説明】
1,230…被測定試料(フォトマスク)
2,231…試料台
3…光源
4…拡大光学系
5…フォトダイオードアレイ
6…センサ回路
7…集光レンズ
10…ホスト計算機(CPU)
11…テーブル制御回路
12…ビットパターン発生回路
13…参照データ発生回路
14…比較回路
15…位置回路
16…レーザ測長システム
21,220…磁気ディスク(設計データ)
22,233…磁気ディスク(制御プログラム)
23…入力装置
24…出力装置
61…カラム領域作成手段
62…装置ストライプ領域作成手段
63…装置ストライプデータ作成手段
120…ハード入力メモリ
121…ストライプメモリ
221…描画データ用計算機
222…メモリ
223…描画装置制御計算機
224…磁気ディスク
225…偏向制御器
226…電子線源
227…アパーチャ
228…主偏向器
229…副偏向器
232…磁気ディスク(データ関連ソフトウェア)
234…成形偏向器
235…図形展開処理
236…インターフェース

Claims (7)

  1. 設計データが複数のチップデータで構成されている場合に、設計データを取り込んで1回のステージ移動により処理可能な幅である装置ストライプ幅の図形データを作成する図形データ展開方法であって、
    領域演算を行って、隣接するチップデータ領域をステージ連続移動方向に貫通したカラム領域に再構成するステップと、前記カラム領域を予め定められた幅の短冊状の領域である装置ストライプに切り分けるステップと、設計データを構成する階層記述の単位情報を装置ストライプ毎に抽出するステップとを含み、
    前記チップデータ領域を貫通したカラム領域に再構成するステップとして、
    カラム貫通方向をX、その直交方向をYとし、各チップデータ領域の第1から第4の頂点座標を(X1,Y1),(X2,Y1),(X2,Y2),(X1,Y2)とした場合の第1及び第4の頂点座標から求める開始ベクトルと、第2及び第3の頂点座標から求める終了ベクトルを、全てのチップデータ領域に定義して、各々の開始ベクトルと終了ベクトルを他のチップデータ領域のY座標で分割可能であれば分割し、Y方向位置が等しい開始ベクトルと終了ベクトルを加減演算してカラム領域として再構成することを特徴とするデータ展開方法。
  2. データ生成条件が異なるために合成不能なチップ(異種チップ)が設計データ内に含まれている場合に、これらを別カラムとして領域演算を行うことを特徴とする請求項記載のデータ展開方法。
  3. 設計データのチップが配置された領域又はカラム領域に対して、実際に展開したい領域を指定しカラム領域を再構成することを特徴とする請求項記載のデータ展開方法。
  4. 設計データのチップが配置された領域又はカラム領域に対して、展開しない領域と展開しないチップを指定し、カラム領域を再構成することを特徴とする請求項記載のデータ展開方法。
  5. 設計データのチップ周辺部まで含む領域を、チップ本体と周辺部分との領域演算によりカラム領域を拡大することで再構成することを特徴とする請求項記載のデータ展開方法。
  6. 請求項1〜の何れかに記載のデータ展開方法を用いて検査基準データを作成し、被検査試料のパターン検査を行うことを特徴とするパターン検査装置。
  7. 請求項1〜の何れかに記載のデータ展開方法を用い、得られた図形データから描画図形を抽出して半導体マスクのパターンを描画することを特徴とするパターン描画装置。
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