JP3413110B2 - パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体 - Google Patents
パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体Info
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- JP3413110B2 JP3413110B2 JP27371798A JP27371798A JP3413110B2 JP 3413110 B2 JP3413110 B2 JP 3413110B2 JP 27371798 A JP27371798 A JP 27371798A JP 27371798 A JP27371798 A JP 27371798A JP 3413110 B2 JP3413110 B2 JP 3413110B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン検査技術
に関し、特に半導体素子や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
を製作するときに使用されるフォトマスク上、あるいは
ウエハや液晶基板の上などに形成された極めて小さなパ
ターンの欠陥を検査するパターン検査装置、パターン検
査方法、パターン検査プログラムを格納した記録媒体に
関わる。
に関し、特に半導体素子や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
を製作するときに使用されるフォトマスク上、あるいは
ウエハや液晶基板の上などに形成された極めて小さなパ
ターンの欠陥を検査するパターン検査装置、パターン検
査方法、パターン検査プログラムを格納した記録媒体に
関わる。
【０００２】
【従来の技術】ギガビットＤＲＡＭに代表されるよう
に、大規模集積回路（ＬＳＩ）のパターンは、サブクォ
ーターミクロンからナノメータオーダになろうとしてい
る。このようにパターンの微細化が進む中、ＬＳＩ製造
における歩留まり低下の大きな原因の一つとして、半導
体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術
で露光・転写する際に使用するフォトマスク自身のパタ
ーン欠陥が挙げられる。
に、大規模集積回路（ＬＳＩ）のパターンは、サブクォ
ーターミクロンからナノメータオーダになろうとしてい
る。このようにパターンの微細化が進む中、ＬＳＩ製造
における歩留まり低下の大きな原因の一つとして、半導
体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術
で露光・転写する際に使用するフォトマスク自身のパタ
ーン欠陥が挙げられる。
【０００３】このため、このようなＬＳＩのパターン及
びＬＳＩを製作する際に使用されるフォトマスクの微細
パターン欠陥を検査するパターン検査装置の開発が盛ん
に行われている。
びＬＳＩを製作する際に使用されるフォトマスクの微細
パターン欠陥を検査するパターン検査装置の開発が盛ん
に行われている。
【０００４】図１０は、従来のフォトマスクパターン検
査装置の構成を示すブロック図である。このパターン検
査装置では、顕微鏡と同様な光学系を用いてフォトマス
ク等の被測定試料１の上に形成されているパターンを所
定の倍率に拡大して検査する。
査装置の構成を示すブロック図である。このパターン検
査装置では、顕微鏡と同様な光学系を用いてフォトマス
ク等の被測定試料１の上に形成されているパターンを所
定の倍率に拡大して検査する。
【０００５】すなわち、試料台（ＸＹθテーブル）２上
に被測定試料（フォトマスク）１を載置し、適切な光源
３及び集光レンズ７によってフォトマスク１に形成され
ているパターンをほぼ１画素分をカバーする大きさのビ
ームで照射する。図１１（ａ）に示すように、被測定試
料１上のパターンは細長い短冊Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，……Ｔn
に分割し、各短冊Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，……Ｔn上を図中矢印
に示すように連続的にビーム走査することによってパタ
ーン欠陥が検査される。具体的には図１１（ｂ）に示す
ように、１画素分の幅Ｐで試料台２を駆動して、たとえ
ば２０００画素分の長さＷをスキャンし、これを単位ス
キャンとする。このようにして、次々と単位スキャン
（２０００画素毎に）を逐次移動して、短冊Ｔ1をスキ
ャンする。同様にして図１１（ａ）に示すように短冊Ｔ
2，Ｔ3，Ｔ4，……Ｔnを往復走査（スキャン）する。
に被測定試料（フォトマスク）１を載置し、適切な光源
３及び集光レンズ７によってフォトマスク１に形成され
ているパターンをほぼ１画素分をカバーする大きさのビ
ームで照射する。図１１（ａ）に示すように、被測定試
料１上のパターンは細長い短冊Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，……Ｔn
に分割し、各短冊Ｔ1，Ｔ2，Ｔ3，……Ｔn上を図中矢印
に示すように連続的にビーム走査することによってパタ
ーン欠陥が検査される。具体的には図１１（ｂ）に示す
ように、１画素分の幅Ｐで試料台２を駆動して、たとえ
ば２０００画素分の長さＷをスキャンし、これを単位ス
キャンとする。このようにして、次々と単位スキャン
（２０００画素毎に）を逐次移動して、短冊Ｔ1をスキ
ャンする。同様にして図１１（ａ）に示すように短冊Ｔ
2，Ｔ3，Ｔ4，……Ｔnを往復走査（スキャン）する。
【０００６】図１０に示すように、フォトマスク１を透
過した光は拡大光学系４を介して、フォトダイオードア
レイ５に入射し、フォトダイオードアレイ５上にパター
ンの光学像を結像する。フォトダイオードアレイ５上に
結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ５
によって光電変換され、測定信号を出力する。
過した光は拡大光学系４を介して、フォトダイオードア
レイ５に入射し、フォトダイオードアレイ５上にパター
ンの光学像を結像する。フォトダイオードアレイ５上に
結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ５
によって光電変換され、測定信号を出力する。
【０００７】この測定信号はさらにセンサ回路６によっ
てＡ／Ｄ変換され、測定パターンデータを生成する。こ
の測定パターンデータは、比較回路１３に入力される。
一方、試料台２上におけるフォトマスク１の位置はレー
ザ測長システム１６によって測定され、位置回路１４に
入力される。位置回路１４から出力されたフォトマスク
１の位置データも、測定パターンデータと共に比較回路
１３に送られる。
てＡ／Ｄ変換され、測定パターンデータを生成する。こ
の測定パターンデータは、比較回路１３に入力される。
一方、試料台２上におけるフォトマスク１の位置はレー
ザ測長システム１６によって測定され、位置回路１４に
入力される。位置回路１４から出力されたフォトマスク
１の位置データも、測定パターンデータと共に比較回路
１３に送られる。
【０００８】一方、フォトマスク１へのパターン形成時
に用いたパターン設計データが、磁気ディスク等のデー
タメモリ２１からホスト計算機であるＣＰＵ１０を通し
て、設計側データ生成部１２に送られる。パターン設計
データは、ここでまずデータ展開回路３１により展開さ
れ、設計パターンイメージデータにされ、フィルター回
路３２に送られる。フィルター回路３２では測定パター
ンデータが伴う、拡大光学系４の解像特性やフォトダイ
オードアレイ５のアパーチャ効果等の影響を考慮し、設
計側データに適切なぼかし処理を加える。
に用いたパターン設計データが、磁気ディスク等のデー
タメモリ２１からホスト計算機であるＣＰＵ１０を通し
て、設計側データ生成部１２に送られる。パターン設計
データは、ここでまずデータ展開回路３１により展開さ
れ、設計パターンイメージデータにされ、フィルター回
路３２に送られる。フィルター回路３２では測定パター
ンデータが伴う、拡大光学系４の解像特性やフォトダイ
オードアレイ５のアパーチャ効果等の影響を考慮し、設
計側データに適切なぼかし処理を加える。
【０００９】比較回路１３は、測定パターンデータと適
切なフィルタ処理の施された設計データとを適切なアル
ゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パター
ン欠陥ありと判定する。
切なフィルタ処理の施された設計データとを適切なアル
ゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パター
ン欠陥ありと判定する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】微細なパターンを有す
るフォトマスクの多くは、電子ビームを用いた描画によ
るリソグラフィ法で作製されている。近年のマスクパタ
ーンの微細化に伴い、リソグラフィそのものの限界によ
りマスク作製に用いる設計データと作製されたフォトマ
スクのパターンデータとの間に不一致が発生するように
なってきた。特に、パターンコーナ部分では光リソグラ
フィ特有の問題である光近接効果により、作製されたフ
ォトマスクパターンが丸まりやすく、このままで従来の
パターン検査装置にかけると、設計側データと測定パタ
ーンデータとが一致しないため、欠陥と判定されてしま
う。このような疑似欠陥の存在は、真のパターン欠陥の
発見を困難なものとし、検査精度の低下をもたらす。
るフォトマスクの多くは、電子ビームを用いた描画によ
るリソグラフィ法で作製されている。近年のマスクパタ
ーンの微細化に伴い、リソグラフィそのものの限界によ
りマスク作製に用いる設計データと作製されたフォトマ
スクのパターンデータとの間に不一致が発生するように
なってきた。特に、パターンコーナ部分では光リソグラ
フィ特有の問題である光近接効果により、作製されたフ
ォトマスクパターンが丸まりやすく、このままで従来の
パターン検査装置にかけると、設計側データと測定パタ
ーンデータとが一致しないため、欠陥と判定されてしま
う。このような疑似欠陥の存在は、真のパターン欠陥の
発見を困難なものとし、検査精度の低下をもたらす。
【００１１】そこで、最近のパターン検査方法では、設
計データに対しコーナパターン部分に丸め処理補正を加
え、補正後の設計側データと測定パターンデータとを比
較する方法が検討されている。この方法では、例えば、
図１４（ａ）に示すような４種のテンプレートを用いて
図１４（ｂ）に示す設計イメージデータの有する４つの
コーナ（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を検出し、各コーナに
図１４（ｃ）に示すような丸め処理を加える。
計データに対しコーナパターン部分に丸め処理補正を加
え、補正後の設計側データと測定パターンデータとを比
較する方法が検討されている。この方法では、例えば、
図１４（ａ）に示すような４種のテンプレートを用いて
図１４（ｂ）に示す設計イメージデータの有する４つの
コーナ（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）を検出し、各コーナに
図１４（ｃ）に示すような丸め処理を加える。
【００１２】図１２（ａ）は、大きさの異なる２種の矩
形の設計パターンデータ５１Ｌ、５１Ｓのパターンイメ
ージ例を示す。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す設
計パターンを用いて作製したフォトマスクを従来のパタ
ーン検査装置を用いて得た測定パターンのデータイメー
ジを示す。各パターンのコーナ部分は、上述するような
フォトリソグラフィ上の問題に加え、パターン検査装置
のセンサ感度等の影響により丸まる。
形の設計パターンデータ５１Ｌ、５１Ｓのパターンイメ
ージ例を示す。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示す設
計パターンを用いて作製したフォトマスクを従来のパタ
ーン検査装置を用いて得た測定パターンのデータイメー
ジを示す。各パターンのコーナ部分は、上述するような
フォトリソグラフィ上の問題に加え、パターン検査装置
のセンサ感度等の影響により丸まる。
【００１３】大きい方の矩形パターン５１Lを用いて作
製したフォトマスクの測定パターンは、４つのコーナが
同じように丸まった測定パターン５２Lとなる。このよ
うに、比較的大きなパターンでは、コーナ部分で一様な
パターンの丸まりが起こるため上述するような設計デー
タに対するコーナパターン部分への簡易な丸め処理補正
をすれば、測定データと一致させることができる。
製したフォトマスクの測定パターンは、４つのコーナが
同じように丸まった測定パターン５２Lとなる。このよ
うに、比較的大きなパターンでは、コーナ部分で一様な
パターンの丸まりが起こるため上述するような設計デー
タに対するコーナパターン部分への簡易な丸め処理補正
をすれば、測定データと一致させることができる。
【００１４】しかしながら、設計パターンの一辺が１μ
ｍ以下の微小な矩形パターン５１Ｓの場合は、これに対
応する測定パターンデータ５２Ｓは大きさ、形状ともま
ちまちとなりやすい。なかには小さくなりすぎて、欠陥
そのものとなってしまう場合さえある。よって、微細な
パターンでは、設計データのコーナ部分に一様に丸め処
理する補正方法では十分な対応ができない。
ｍ以下の微小な矩形パターン５１Ｓの場合は、これに対
応する測定パターンデータ５２Ｓは大きさ、形状ともま
ちまちとなりやすい。なかには小さくなりすぎて、欠陥
そのものとなってしまう場合さえある。よって、微細な
パターンでは、設計データのコーナ部分に一様に丸め処
理する補正方法では十分な対応ができない。
【００１５】一方、フォトマスクを作製する際に用いる
設計パターン自身に、予め光近接効果によるパターン変
形を見込んで、パターンコーナ部分に、光近接効果補正
付加パターンを設ける手法も最近採用されるようになっ
てきている。図１３（ａ）〜図１３（ｃ）にその例を示
す。
設計パターン自身に、予め光近接効果によるパターン変
形を見込んで、パターンコーナ部分に、光近接効果補正
付加パターンを設ける手法も最近採用されるようになっ
てきている。図１３（ａ）〜図１３（ｃ）にその例を示
す。
【００１６】例えば、この方法では、図１３（ａ）に示
すような微細な正四角形のパターンを形成することを目
標とする場合、フォトマスク作製の際、設計データパタ
ーンとして、図１３（ｂ）に示すように、予め各コーナ
部分に光近接効果補正用の微小矩形パターンを付加した
光近接効果補正パターンを用いる。
すような微細な正四角形のパターンを形成することを目
標とする場合、フォトマスク作製の際、設計データパタ
ーンとして、図１３（ｂ）に示すように、予め各コーナ
部分に光近接効果補正用の微小矩形パターンを付加した
光近接効果補正パターンを用いる。
【００１７】しかし、この設計パターンを用いて作製し
たフォトマスクを図１０に示した従来のパターン検査装
置を用いて得た測定パターンデータは、フォトマスク作
製に使用した電子ビーム描画装置の性能等に依存する。
例えば、図１３（ｃ）左図に示すように補正付加パター
ンに対応する部分が丸い凸状パターンに変形したり、あ
るいは、図１３（ｃ）に示すように補正付加パターンが
ほとんど跡形もなくなって単にコーナの丸まった四角い
パターンとなったりと極めてまちまちのデータとなり易
い。
たフォトマスクを図１０に示した従来のパターン検査装
置を用いて得た測定パターンデータは、フォトマスク作
製に使用した電子ビーム描画装置の性能等に依存する。
例えば、図１３（ｃ）左図に示すように補正付加パター
ンに対応する部分が丸い凸状パターンに変形したり、あ
るいは、図１３（ｃ）に示すように補正付加パターンが
ほとんど跡形もなくなって単にコーナの丸まった四角い
パターンとなったりと極めてまちまちのデータとなり易
い。
【００１８】また、図１５（ａ）に示すように、光近接
効果補正パターンを付加した設計パターンデータに対
し、上述したような「コーナ丸め処理」を施しても、微
小な矩形である付加パターンの丸め処理補正後の設計側
パターンデータは、図１５（ｂ）に示すように、変形比
率が実体にそぐわないか（左図）、あるいは従来のコー
ナパターン検出方法では、微小な付加パターンをそもそ
も検出できず、丸め処理補正がなされない場合（右図）
も多い。
効果補正パターンを付加した設計パターンデータに対
し、上述したような「コーナ丸め処理」を施しても、微
小な矩形である付加パターンの丸め処理補正後の設計側
パターンデータは、図１５（ｂ）に示すように、変形比
率が実体にそぐわないか（左図）、あるいは従来のコー
ナパターン検出方法では、微小な付加パターンをそもそ
も検出できず、丸め処理補正がなされない場合（右図）
も多い。
【００１９】このように、従来のような設計パターンデ
ータに対する一律のコーナ丸め処理補正では、最近の微
細パターン、特に微細な光近接効果補正パターンに対応
できず、本来的欠陥でないコーナパターン部でのパター
ン変形を欠陥として検出してしまう虞れが高い。
ータに対する一律のコーナ丸め処理補正では、最近の微
細パターン、特に微細な光近接効果補正パターンに対応
できず、本来的欠陥でないコーナパターン部でのパター
ン変形を欠陥として検出してしまう虞れが高い。
【００２０】本発明の目的は、上述する課題に鑑み、パ
ターンの微細化に伴いパターン検査措置で発生する疑似
欠陥の検出を抑制し、パターン欠陥検出の精度向上を図
ることである。
ターンの微細化に伴いパターン検査措置で発生する疑似
欠陥の検出を抑制し、パターン欠陥検出の精度向上を図
ることである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン検査装
置の第１の特徴は、設計パターンデータにもとづいて設
計側データを生成する設計側データ生成部と、被測定試
料のパターンに対応した測定パターンデータを生成する
測定データ生成部と、前記設計側データと測定データを
比較する比較回路とを有するパターン検査装置におい
て、前記設計側データ生成部が、設計パターンデータを
展開する設計データ展開手段と、前記設計データ展開手
段で展開された設計パターンのイメージデータから光近
接補正用付加パターン部分を検出し、当該部分に付加パ
ターンに応じた修正を加える設計データ修正手段とを有
することである。
置の第１の特徴は、設計パターンデータにもとづいて設
計側データを生成する設計側データ生成部と、被測定試
料のパターンに対応した測定パターンデータを生成する
測定データ生成部と、前記設計側データと測定データを
比較する比較回路とを有するパターン検査装置におい
て、前記設計側データ生成部が、設計パターンデータを
展開する設計データ展開手段と、前記設計データ展開手
段で展開された設計パターンのイメージデータから光近
接補正用付加パターン部分を検出し、当該部分に付加パ
ターンに応じた修正を加える設計データ修正手段とを有
することである。
【００２２】なお、上述する測定データ生成部は、例え
ば、パターンが形成された被測定試料に光を照射する光
学系と、その透過光もしくは反射光より該パターンに応
じた画像を検出する受光素子と、画像データを電気信号
に変換する回路とを有していてもよい。
ば、パターンが形成された被測定試料に光を照射する光
学系と、その透過光もしくは反射光より該パターンに応
じた画像を検出する受光素子と、画像データを電気信号
に変換する回路とを有していてもよい。
【００２３】本発明のパターン検査方法の第１の特徴
は、被測定試料のパターンに対応した測定パターンデー
タを生成するステップと、設計データにもとづいて設計
データをイメージデータに展開するステップと、展開さ
れた設計データのイメージデータから光近接補正用付加
パターン部分を検出するステップと、前記光近接補正用
付加パターン部分のイメージデータに修正を加え設計側
データを生成するステップと、前記設計側データと前記
測定パターンデータとを比較するステップとを有するこ
とである。
は、被測定試料のパターンに対応した測定パターンデー
タを生成するステップと、設計データにもとづいて設計
データをイメージデータに展開するステップと、展開さ
れた設計データのイメージデータから光近接補正用付加
パターン部分を検出するステップと、前記光近接補正用
付加パターン部分のイメージデータに修正を加え設計側
データを生成するステップと、前記設計側データと前記
測定パターンデータとを比較するステップとを有するこ
とである。
【００２４】本発明のプログラムが記録された機械読み
とり可能な記録媒体の第１の特徴は、被測定試料のパタ
ーンに対応した測定パターンデータを生成するステップ
と、設計データにもとづいて設計データをイメージデー
タに展開するステップと、展開された設計データのイメ
ージデータから光近接補正用付加パターン部分を検出す
るステップと、前記光近接補正用付加パターン部分のイ
メージデータに修正を加えて設計側データを生成するス
テップと、前記設計側データと前記測定パターンデータ
を比較するステップとを有するパターン検査プログラム
を格納した記録媒体であることである。なお、上記記録
媒体には、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気
ディスク装置、磁気ドラム装置、磁気テープ装置等が含
まれる。
とり可能な記録媒体の第１の特徴は、被測定試料のパタ
ーンに対応した測定パターンデータを生成するステップ
と、設計データにもとづいて設計データをイメージデー
タに展開するステップと、展開された設計データのイメ
ージデータから光近接補正用付加パターン部分を検出す
るステップと、前記光近接補正用付加パターン部分のイ
メージデータに修正を加えて設計側データを生成するス
テップと、前記設計側データと前記測定パターンデータ
を比較するステップとを有するパターン検査プログラム
を格納した記録媒体であることである。なお、上記記録
媒体には、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気
ディスク装置、磁気ドラム装置、磁気テープ装置等が含
まれる。
【００２５】上記記録媒体に記録されたプログラムによ
れば、上述のパターン検査方法を実現することができ
る。
れば、上述のパターン検査方法を実現することができ
る。
【００２６】上記パターン検査装置、または上記パター
ン検査方法の特徴によれば、設計データ中の光近接補正
用付加パターン部分を検出し、当該パターン部分に他の
パターンとは独立に、当該付加パターンに応じた修正を
加えることができる。これにより、特にフォトリソグラ
フィプロセス上等の理由により回避できない多様なパタ
ーン変形が起こりやすい上記付加パターン領域の設計デ
ータに対して専用の修正をかけることができる。これに
より、近接補正用付加パターン部分設計データを測定デ
ータに近づける補正を行い、疑似欠陥判定の発生を抑制
することができる。
ン検査方法の特徴によれば、設計データ中の光近接補正
用付加パターン部分を検出し、当該パターン部分に他の
パターンとは独立に、当該付加パターンに応じた修正を
加えることができる。これにより、特にフォトリソグラ
フィプロセス上等の理由により回避できない多様なパタ
ーン変形が起こりやすい上記付加パターン領域の設計デ
ータに対して専用の修正をかけることができる。これに
より、近接補正用付加パターン部分設計データを測定デ
ータに近づける補正を行い、疑似欠陥判定の発生を抑制
することができる。
【００２７】なお、上述したパターン検査装置におい
て、前記設計側データ生成部が、さらに、設計パターン
のイメージデータよりコーナパターン部分を検出して該
コーナパターンに丸め処理を行うコーナ丸め回路を有
し、前記設計データ修正手段が、前記コーナ丸め回路に
よる丸め処理がなされる前の設計パターンのイメージデ
ータに対して、光近接補正用付加パターン部分を検出
し、当該部分に付加パターンに応じた修正を加えるもの
であってもよい。
て、前記設計側データ生成部が、さらに、設計パターン
のイメージデータよりコーナパターン部分を検出して該
コーナパターンに丸め処理を行うコーナ丸め回路を有
し、前記設計データ修正手段が、前記コーナ丸め回路に
よる丸め処理がなされる前の設計パターンのイメージデ
ータに対して、光近接補正用付加パターン部分を検出
し、当該部分に付加パターンに応じた修正を加えるもの
であってもよい。
【００２８】また、上述したパターン検査方法におい
て、前記設計側データを生成するステップで、さらにイ
メージデータよりコーナパターンに対しコーナ丸め処理
を行うパターン検査方法であり、前記光近接補正用付加
パターン部分のイメージデータの修正処理を、前記コー
ナ丸め処理より先に行うものであってもよい。
て、前記設計側データを生成するステップで、さらにイ
メージデータよりコーナパターンに対しコーナ丸め処理
を行うパターン検査方法であり、前記光近接補正用付加
パターン部分のイメージデータの修正処理を、前記コー
ナ丸め処理より先に行うものであってもよい。
【００２９】本発明のパターン検査装置の第２の特徴
は、設計パターンデータにもとづいて設計側データを生
成する設計側データ生成部と、被測定試料のパターンに
対応した測定パターンデータを生成する測定データ生成
部と、前記設計側データと測定データを比較する比較回
路とを有するパターン検査装置において、前記設計側デ
ータ生成部が、設計パターンデータを展開する設計デー
タ展開手段と、前記設計データ展開手段で展開された設
計パターンのイメージデータからコーナパターンを検出
するとともに、前記コーナパターンの大きさを測定する
手段とを有することである。
は、設計パターンデータにもとづいて設計側データを生
成する設計側データ生成部と、被測定試料のパターンに
対応した測定パターンデータを生成する測定データ生成
部と、前記設計側データと測定データを比較する比較回
路とを有するパターン検査装置において、前記設計側デ
ータ生成部が、設計パターンデータを展開する設計デー
タ展開手段と、前記設計データ展開手段で展開された設
計パターンのイメージデータからコーナパターンを検出
するとともに、前記コーナパターンの大きさを測定する
手段とを有することである。
【００３０】なお、上記第２の特徴を有するパターン検
査装置において、前記設計側データ生成部が、さらに、
前記コーナパターンの大きさを測定する手段により測定
された各コーナパターンの大きさに応じた丸め処理を各
コーナパターンに行うコーナ丸め回路とを有してもよ
い。
査装置において、前記設計側データ生成部が、さらに、
前記コーナパターンの大きさを測定する手段により測定
された各コーナパターンの大きさに応じた丸め処理を各
コーナパターンに行うコーナ丸め回路とを有してもよ
い。
【００３１】本発明のパターン検査方法の第２の特徴
は、被測定試料のパターンに対応した測定パターンデー
タを生成する測定パターンデータ生成ステップと、設計
データにもとづいて設計データをイメージデータに展開
するステップと、展開された設計データのイメージデー
タからコーナパターン箇所とその大きさを検出するステ
ップと、前記コーナパターン部分の設計イメージデータ
に当該コーナの大きさに応じた丸め処理を加えて設計側
データを生成するステップと、前記設計側データと前記
測定パターンデータを比較するステップとを有すること
である。
は、被測定試料のパターンに対応した測定パターンデー
タを生成する測定パターンデータ生成ステップと、設計
データにもとづいて設計データをイメージデータに展開
するステップと、展開された設計データのイメージデー
タからコーナパターン箇所とその大きさを検出するステ
ップと、前記コーナパターン部分の設計イメージデータ
に当該コーナの大きさに応じた丸め処理を加えて設計側
データを生成するステップと、前記設計側データと前記
測定パターンデータを比較するステップとを有すること
である。
【００３２】本発明のプログラムが記録された機械読み
とり可能な記録媒体の第２の特徴は、被測定試料のパタ
ーンに対応した測定パターンデータを生成するステップ
と、設計データにもとづいて設計データをイメージデー
タに展開するステップと、展開された設計データのイメ
ージデータからコーナパターン箇所とその大きさを検出
するステップと、当該コーナパターン部分の設計イメー
ジデータに当該コーナの大きさに応じた丸め処理を加え
設計側データを生成するステップと、前記設計側データ
と前記測定パターンデータを比較するステップとを有す
るパターン検査プログラムを格納した記録媒体であるこ
とである。なお、上記記録媒体には、磁気ディスク装
置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置、磁気テープ装置等が含まれる。上記記録媒体に記
録されたプログラムによれば、上述の第２の特徴を有す
るパターン検査方法を実現することができる。
とり可能な記録媒体の第２の特徴は、被測定試料のパタ
ーンに対応した測定パターンデータを生成するステップ
と、設計データにもとづいて設計データをイメージデー
タに展開するステップと、展開された設計データのイメ
ージデータからコーナパターン箇所とその大きさを検出
するステップと、当該コーナパターン部分の設計イメー
ジデータに当該コーナの大きさに応じた丸め処理を加え
設計側データを生成するステップと、前記設計側データ
と前記測定パターンデータを比較するステップとを有す
るパターン検査プログラムを格納した記録媒体であるこ
とである。なお、上記記録媒体には、磁気ディスク装
置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置、磁気テープ装置等が含まれる。上記記録媒体に記
録されたプログラムによれば、上述の第２の特徴を有す
るパターン検査方法を実現することができる。
【００３３】上記パターン検査装置、およびパターン検
査方法の第２の特徴によれば、プロセス上不可避なパタ
ーン変形、特にコーナ部分の丸まりは、コーナパターン
の大きさに依存し易いため、コーナパターンの大きさを
把握することにより、適切な丸め処理修正を設計側デー
タに加えることができる。
査方法の第２の特徴によれば、プロセス上不可避なパタ
ーン変形、特にコーナ部分の丸まりは、コーナパターン
の大きさに依存し易いため、コーナパターンの大きさを
把握することにより、適切な丸め処理修正を設計側デー
タに加えることができる。
【００３４】なお、上述するパターン検査方法におい
て、光近接効果補正用付加パターンの検出或いはコーナ
パターンの検出の際、テーブル参照方式を用いてもよ
い。
て、光近接効果補正用付加パターンの検出或いはコーナ
パターンの検出の際、テーブル参照方式を用いてもよ
い。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について説明する。
明の実施の形態について説明する。
【００３６】（第１の実施の形態）図１は、第１の実施
の形態に係るパターン検査装置の構成を示す模式的なブ
ロック図である。同図に示すように、本実施の形態に係
るパターン検査装置は、ホスト計算機（ＣＰＵ）１０
と、被測定試料であるフォトマスク１のパターンに対応
した測定パターンデータを生成する観測データ生成部
（２、３、４、５、６、７）と、検査の基準となる設計
側データを生成する設計側データ生成部１２と、測定パ
ターンデータと設計側データとを比較する比較回路１３
とを少なくとも備えている。
の形態に係るパターン検査装置の構成を示す模式的なブ
ロック図である。同図に示すように、本実施の形態に係
るパターン検査装置は、ホスト計算機（ＣＰＵ）１０
と、被測定試料であるフォトマスク１のパターンに対応
した測定パターンデータを生成する観測データ生成部
（２、３、４、５、６、７）と、検査の基準となる設計
側データを生成する設計側データ生成部１２と、測定パ
ターンデータと設計側データとを比較する比較回路１３
とを少なくとも備えている。
【００３７】第１の実施の形態に係るパターン検査装置
の主な特徴は、設計側データ生成部１２が、データ展開
回路３１とフィルター回路３５に加え、光近接効果補正
パターン検出修正回路３３とコーナ丸め回路３４とを有
していることである。
の主な特徴は、設計側データ生成部１２が、データ展開
回路３１とフィルター回路３５に加え、光近接効果補正
パターン検出修正回路３３とコーナ丸め回路３４とを有
していることである。
【００３８】データ展開回路３１は、ＣＰＵ１０のデー
タバスを介して、データメモリ２１およびプログラムメ
モリ２２に接続されている。データメモリ２１内に格納
されている設計パターンデータは、ＣＰＵ１０に制御さ
れて、データ展開回路３１に順次転送される。転送され
た設計パターンデータは、データ展開回路３１で展開さ
れ、設計パターンイメージとなる。
タバスを介して、データメモリ２１およびプログラムメ
モリ２２に接続されている。データメモリ２１内に格納
されている設計パターンデータは、ＣＰＵ１０に制御さ
れて、データ展開回路３１に順次転送される。転送され
た設計パターンデータは、データ展開回路３１で展開さ
れ、設計パターンイメージとなる。
【００３９】この設計パターンイメージデータはさらに
光近接効果補正パターン検出修正回路３３に送られる。
ここでは、設計パターン中の光近接効果補正のために加
えられた付加パターン箇所が検出され、この付加パター
ン部分に対し、フォトマスク作製の際に用いた描画装置
等の特性等を考慮した後述するような適切な補正が加え
られる。補正された設計パターンデータはさらにコーナ
丸め回路３４に移され、設計パターン中のコーナパター
ンに対し一様な丸め処理が加えられる。丸め処理が行わ
れた設計データはさらにフィルター回路３５に送られ、
設計データ全体にパターン検査装置での測定誤差等を考
慮したぼかし処理等が加えられる。こうして生成された
最終的な設計側データは比較回路１３に送られる。
光近接効果補正パターン検出修正回路３３に送られる。
ここでは、設計パターン中の光近接効果補正のために加
えられた付加パターン箇所が検出され、この付加パター
ン部分に対し、フォトマスク作製の際に用いた描画装置
等の特性等を考慮した後述するような適切な補正が加え
られる。補正された設計パターンデータはさらにコーナ
丸め回路３４に移され、設計パターン中のコーナパター
ンに対し一様な丸め処理が加えられる。丸め処理が行わ
れた設計データはさらにフィルター回路３５に送られ、
設計データ全体にパターン検査装置での測定誤差等を考
慮したぼかし処理等が加えられる。こうして生成された
最終的な設計側データは比較回路１３に送られる。
【００４０】観測データ生成部の基本構成は、図１０に
示す従来の構成とほぼ共通する。即ち、被測定試料（フ
ォトマスク）１に形成されたパターンに対応する光学像
を取得する光学像取得部（３、７、２、４）、この光学
像を電気信号に変換する光電変換部（フォトダイオード
アレイ）５、光電変換されたアナログ電気信号をデジタ
ル電気信号からなる測定パターンデータに変換するセン
サ回路６等から構成される。
示す従来の構成とほぼ共通する。即ち、被測定試料（フ
ォトマスク）１に形成されたパターンに対応する光学像
を取得する光学像取得部（３、７、２、４）、この光学
像を電気信号に変換する光電変換部（フォトダイオード
アレイ）５、光電変換されたアナログ電気信号をデジタ
ル電気信号からなる測定パターンデータに変換するセン
サ回路６等から構成される。
【００４１】フォトマスク１を載置する試料台２は、Ｃ
ＰＵ１０から指令を受けたテーブル制御回路１１によ
り、各モータを介して、Ｘ方向、Ｙ方向の移動およびθ
方向の回転が可能な３軸（Ｘ−Ｙ−θ）マニピュレータ
である。試料台２の位置座標は、例えばレーザ測長シス
テム１８により測定され、その出力が位置回路１４に送
られる。位置回路１４から出力された位置座標はテーブ
ル制御回路１１にフィードバックされる。
ＰＵ１０から指令を受けたテーブル制御回路１１によ
り、各モータを介して、Ｘ方向、Ｙ方向の移動およびθ
方向の回転が可能な３軸（Ｘ−Ｙ−θ）マニピュレータ
である。試料台２の位置座標は、例えばレーザ測長シス
テム１８により測定され、その出力が位置回路１４に送
られる。位置回路１４から出力された位置座標はテーブ
ル制御回路１１にフィードバックされる。
【００４２】試料台２の上方には、光源３および集光レ
ンズ７からなる光照射部が配置されている。光源３から
の光は集光レンズ７を介してフォトマスク１に照射され
る。フォトマスク１および試料台２を透過した光は、拡
大光学系４及び光電変換部（フォトダイオードアレイ）
５の受光面に結像照射される。拡大光学系４はピエゾ素
子等の焦点調整装置で自動的に焦点調整がなされる。こ
の焦点調整は別途設けられた観察スコープでモニタリン
グしてもよい。
ンズ７からなる光照射部が配置されている。光源３から
の光は集光レンズ７を介してフォトマスク１に照射され
る。フォトマスク１および試料台２を透過した光は、拡
大光学系４及び光電変換部（フォトダイオードアレイ）
５の受光面に結像照射される。拡大光学系４はピエゾ素
子等の焦点調整装置で自動的に焦点調整がなされる。こ
の焦点調整は別途設けられた観察スコープでモニタリン
グしてもよい。
【００４３】光電変換部としてのフォトダイオードアレ
イ５は、複数の光センサを配設したラインセンサもしく
はエリアセンサである。試料台２をＸ軸方向に連続的に
移動させることにより、フォトダイオードアレイ５はフ
ォトマスク１の被検査パターンに対応した測定信号を検
出する。この測定信号はセンサ回路６でデジタルデータ
に変換され、さらにラインバッファで整列された後、測
定パターンデータとして比較回路１３に送られる。測定
パターンデータは、例えば８ビットの符合なしデータで
あり、各画素の明るさを表現しているものとする。な
お、比較回路１３には、位置回路１４を経て測定箇所の
位置情報も送られる。
イ５は、複数の光センサを配設したラインセンサもしく
はエリアセンサである。試料台２をＸ軸方向に連続的に
移動させることにより、フォトダイオードアレイ５はフ
ォトマスク１の被検査パターンに対応した測定信号を検
出する。この測定信号はセンサ回路６でデジタルデータ
に変換され、さらにラインバッファで整列された後、測
定パターンデータとして比較回路１３に送られる。測定
パターンデータは、例えば８ビットの符合なしデータで
あり、各画素の明るさを表現しているものとする。な
お、比較回路１３には、位置回路１４を経て測定箇所の
位置情報も送られる。
【００４４】通常、これらのパターンデータは１０〜３
０ＭＨｚ程度のクロック周波数に同期してフォトダイオ
ードアレイ５から読み出し、適当なデータ並び替えを経
て、ラスター走査された２次元画像データとして取り扱
う。
０ＭＨｚ程度のクロック周波数に同期してフォトダイオ
ードアレイ５から読み出し、適当なデータ並び替えを経
て、ラスター走査された２次元画像データとして取り扱
う。
【００４５】比較回路１３では、設計側データ生成部１
２で生成された設計側データと測定パターンデータ測定
信号（測定パターンデータ）とを適当な比較アルゴリズ
ムを用いて比較する。その結果、測定信号（測定パター
ンデータ）と設計側データ（設計パターンデータ）とが
異なる場合にパターン欠陥と判定する。
２で生成された設計側データと測定パターンデータ測定
信号（測定パターンデータ）とを適当な比較アルゴリズ
ムを用いて比較する。その結果、測定信号（測定パター
ンデータ）と設計側データ（設計パターンデータ）とが
異なる場合にパターン欠陥と判定する。
【００４６】なお、本実施の形態に係るパターン検査装
置は、操作者からのデータや命令などの入力を受け付け
る入力装置２３、検査結果を出力する出力装置２４、設
計パターンデータなどを格納したデータメモリ２１、及
びパターン検査プログラムなどを格納したプログラムメ
モリ２２等を有している。入力装置２３は、キーボー
ド、マウス、ライトペンまたはフロッピーディスク装置
などで構成される。また、出力装置２４はディスプレイ
装置やプリンタ装置などにより構成される。
置は、操作者からのデータや命令などの入力を受け付け
る入力装置２３、検査結果を出力する出力装置２４、設
計パターンデータなどを格納したデータメモリ２１、及
びパターン検査プログラムなどを格納したプログラムメ
モリ２２等を有している。入力装置２３は、キーボー
ド、マウス、ライトペンまたはフロッピーディスク装置
などで構成される。また、出力装置２４はディスプレイ
装置やプリンタ装置などにより構成される。
【００４７】図２は、上述した第１の実施の形態に係る
パターン検査装置を用いて行うパターン検査方法を示す
フローチャートである。このフローチャートに沿って、
以下、第１の実施の形態に係るパターン検査方法につい
て説明する。
パターン検査装置を用いて行うパターン検査方法を示す
フローチャートである。このフローチャートに沿って、
以下、第１の実施の形態に係るパターン検査方法につい
て説明する。
【００４８】まず、ステップ１１１（Ｓ１１１）で、描
画用の設計データを、設計データ展開回路１２で適当な
画素を単位とするマップ上にパターン展開する。図３
（ａ）は、各コーナに光近接効果補正用のパターンが付
加された設計データをマップ上に展開した例を示す。
画用の設計データを、設計データ展開回路１２で適当な
画素を単位とするマップ上にパターン展開する。図３
（ａ）は、各コーナに光近接効果補正用のパターンが付
加された設計データをマップ上に展開した例を示す。
【００４９】次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）で、テ
ンプレートを用いたテーブル参照方式により、光近接効
果補正用に付加されたパターン部分を検出する。例え
ば、ここで使用するテンプレートとしては、図３（ｂ）
に示すように、光近接効果補正用に付加されたパターン
によって発生する小さいコーナパターン部分（図中破線
で囲む）をも含めるように広い範囲のコーナパターンに
対応したテンプレートを用いる。より広い範囲のデータ
を参照することにより確実に光近接効果補正用に付加さ
れた微小パターンを検出する。
ンプレートを用いたテーブル参照方式により、光近接効
果補正用に付加されたパターン部分を検出する。例え
ば、ここで使用するテンプレートとしては、図３（ｂ）
に示すように、光近接効果補正用に付加されたパターン
によって発生する小さいコーナパターン部分（図中破線
で囲む）をも含めるように広い範囲のコーナパターンに
対応したテンプレートを用いる。より広い範囲のデータ
を参照することにより確実に光近接効果補正用に付加さ
れた微小パターンを検出する。
【００５０】なお、図３（ａ）に示すパターンに対して
は、図３（ｂ）に示すテンプレートを９０度づつ回転さ
せた４種のテンプレートを用意する必要がある。マップ
上に展開した設計データのパターンに対し図３（ｂ）に
示すような５×５画素程度のウィンドウを全面に走査さ
せ、光近接効果補正用に加えられた付加パターンを検出
する。
は、図３（ｂ）に示すテンプレートを９０度づつ回転さ
せた４種のテンプレートを用意する必要がある。マップ
上に展開した設計データのパターンに対し図３（ｂ）に
示すような５×５画素程度のウィンドウを全面に走査さ
せ、光近接効果補正用に加えられた付加パターンを検出
する。
【００５１】次に、ステップ１１３（Ｓ１１３）で、検
出された光近接効果補正用付加パターンの各部分に適切
な修正を加える。ここで加える修正は必ずしも一様では
なく、付加パターンの大小や形状、マスク作製に用いた
描画装置の特性等に応じ適切なものとする。これらの情
報は多様なため、ＲＡＭ等でハードウェアを構成してお
けば柔軟に対応できる。
出された光近接効果補正用付加パターンの各部分に適切
な修正を加える。ここで加える修正は必ずしも一様では
なく、付加パターンの大小や形状、マスク作製に用いた
描画装置の特性等に応じ適切なものとする。これらの情
報は多様なため、ＲＡＭ等でハードウェアを構成してお
けば柔軟に対応できる。
【００５２】続けて、ステップ１１４（Ｓ１１４）で、
コーナ丸め回路３４において、従来と同様な方法を用い
てコーナパターンの丸め処理を行う。ここでは、例え
ば、図１４（ａ）に示すようなテンプレートを用いて、
設計データ上のコーナパターンを検出し、一律にコーナ
の丸め処理を行う。
コーナ丸め回路３４において、従来と同様な方法を用い
てコーナパターンの丸め処理を行う。ここでは、例え
ば、図１４（ａ）に示すようなテンプレートを用いて、
設計データ上のコーナパターンを検出し、一律にコーナ
の丸め処理を行う。
【００５３】図４は、このステップ（Ｓｔｅｐ）１１２
からステップ１１４に対応する設計パターン処理の具体
例を図示したものである。即ち、ステップ１１２では、
光近接効果補正付加パターンが検出され、ステップ１１
３で、光近接効果補正パターンの縮小化修正が加えら
る。さらに、ステップ１１４で縮小化されたコーナ部分
に丸め処理が加えられる。
からステップ１１４に対応する設計パターン処理の具体
例を図示したものである。即ち、ステップ１１２では、
光近接効果補正付加パターンが検出され、ステップ１１
３で、光近接効果補正パターンの縮小化修正が加えら
る。さらに、ステップ１１４で縮小化されたコーナ部分
に丸め処理が加えられる。
【００５４】さらに、ステップ１１５（Ｓ１１５）で、
フィルター回路３５において、設計データ全体にパター
ン検査装置での測定誤差等を考慮したぼかし処理等のフ
ィルター処理が加えられ、最終的な設計側データとな
る。
フィルター回路３５において、設計データ全体にパター
ン検査装置での測定誤差等を考慮したぼかし処理等のフ
ィルター処理が加えられ、最終的な設計側データとな
る。
【００５５】一方、測定データ生成部では、ステップ１
０１（Ｓ１０１）でフォトマスク１に光を照射し、フォ
トマスク１を透過した光をフォトダイオードアレイ５で
光電変換し、画像を取得する。画像データは、ステップ
１０２（Ｓ１０２）でさらにセンサ回路６によりＡ／Ｄ
変換され、ステップ１０３（Ｓ１０３）でのフィルター
処理を経て、測定データとなる。
０１（Ｓ１０１）でフォトマスク１に光を照射し、フォ
トマスク１を透過した光をフォトダイオードアレイ５で
光電変換し、画像を取得する。画像データは、ステップ
１０２（Ｓ１０２）でさらにセンサ回路６によりＡ／Ｄ
変換され、ステップ１０３（Ｓ１０３）でのフィルター
処理を経て、測定データとなる。
【００５６】こうして、それぞれ生成された設計側デー
タと測定データは、ステップ１０４（Ｓ１０４）で、比
較回路１３に送られ、ここで適当なアルゴリズムを用い
て比較され、異なる場合にはパターン欠陥と判定され
る。
タと測定データは、ステップ１０４（Ｓ１０４）で、比
較回路１３に送られ、ここで適当なアルゴリズムを用い
て比較され、異なる場合にはパターン欠陥と判定され
る。
【００５７】上述する第１の実施の形態に係る装置およ
び方法によれば、光近接効果補正用のため、付加パター
ンが加えられている場合に、付加パターンに適した補正
を設計データに加えることができる。これにより、設計
側データを測定データに近づけることができるため、疑
似欠陥の発生を大幅に減らし、より正確なパターン欠陥
の検出が可能となる。また、設計側データの修正処理等
は、高速制御回路を用いることにより、リアルタイム処
理が可能であるため、処理速度上の問題もない。
び方法によれば、光近接効果補正用のため、付加パター
ンが加えられている場合に、付加パターンに適した補正
を設計データに加えることができる。これにより、設計
側データを測定データに近づけることができるため、疑
似欠陥の発生を大幅に減らし、より正確なパターン欠陥
の検出が可能となる。また、設計側データの修正処理等
は、高速制御回路を用いることにより、リアルタイム処
理が可能であるため、処理速度上の問題もない。
【００５８】（第２の実施の形態）図５は、第２の実施
の形態に係るパターン検査装置の構成を示す模式的なブ
ロック図である。第２の実施の形態に係るパターン検査
装置の主な特徴は、設計側データ生成部１２が、データ
展開回路３１と、フィルター回路３５に加え、光近接効
果補正パターン検出修正丸め回路３６を有していること
である。
の形態に係るパターン検査装置の構成を示す模式的なブ
ロック図である。第２の実施の形態に係るパターン検査
装置の主な特徴は、設計側データ生成部１２が、データ
展開回路３１と、フィルター回路３５に加え、光近接効
果補正パターン検出修正丸め回路３６を有していること
である。
【００５９】同図に示すように、本実施の形態に係るパ
ターン検査装置は、上述する設計側データ生成部１２以
外に、ホスト計算機（ＣＰＵ）１０と、被測定試料であ
るフォトマスク１のパターンに対応した測定パターンデ
ータを生成する観測データ生成部（２、３、４、５、
６、７）と、測定パターンデータと設計側データとを比
較する比較回路１３とを少なくとも備えており、これら
の構成は、第１の実施の形態に係るパターン検査装置と
ほぼ共通する。よって、ここでは重複を避け、第２の実
施の形態に係る設計側データ生成部１２について主に説
明する。
ターン検査装置は、上述する設計側データ生成部１２以
外に、ホスト計算機（ＣＰＵ）１０と、被測定試料であ
るフォトマスク１のパターンに対応した測定パターンデ
ータを生成する観測データ生成部（２、３、４、５、
６、７）と、測定パターンデータと設計側データとを比
較する比較回路１３とを少なくとも備えており、これら
の構成は、第１の実施の形態に係るパターン検査装置と
ほぼ共通する。よって、ここでは重複を避け、第２の実
施の形態に係る設計側データ生成部１２について主に説
明する。
【００６０】データ展開回路３１は、ＣＰＵ１０のデー
タバスを介して、データメモリ２１およびプログラムメ
モリ２２に接続されている。データメモリ２１内に格納
されている設計パターンデータは、ＣＰＵ１０に制御さ
れて、データ展開回路３１に順次転送される。転送され
た設計パターンデータは、データ展開回路３１でマップ
上に展開され、設計パターンイメージとなる。
タバスを介して、データメモリ２１およびプログラムメ
モリ２２に接続されている。データメモリ２１内に格納
されている設計パターンデータは、ＣＰＵ１０に制御さ
れて、データ展開回路３１に順次転送される。転送され
た設計パターンデータは、データ展開回路３１でマップ
上に展開され、設計パターンイメージとなる。
【００６１】この設計パターンイメージデータはさらに
光近接効果補正パターン検出修正丸め回路３６に送られ
る。ここでは、光近接効果補正のための付加パターンを
検出し、これにフォトマスク作製の際に用いた描画装置
等の特性等を考慮し、補正を加える。このとき、補正付
加パターン部には、丸め処理も含めた修正を加える。
光近接効果補正パターン検出修正丸め回路３６に送られ
る。ここでは、光近接効果補正のための付加パターンを
検出し、これにフォトマスク作製の際に用いた描画装置
等の特性等を考慮し、補正を加える。このとき、補正付
加パターン部には、丸め処理も含めた修正を加える。
【００６２】修正後の設計データはさらに、コーナ丸め
回路３４に送られる。このとき、すでに丸め処理が加え
られている光近接効果補正のための付加パターン部分
は、もはやコーナパターンとしては検出されないため、
通常の丸め処理は加えられない。よって、光近接効果補
正のための付加パターン部分を除くコーナパターンに対
してのみ丸め処理が加えられる。
回路３４に送られる。このとき、すでに丸め処理が加え
られている光近接効果補正のための付加パターン部分
は、もはやコーナパターンとしては検出されないため、
通常の丸め処理は加えられない。よって、光近接効果補
正のための付加パターン部分を除くコーナパターンに対
してのみ丸め処理が加えられる。
【００６３】さらに、設計イメージデータはフィルター
回路３５に送られ、ここで設計データ全体にパターン検
査装置での測定誤差等を考慮したぼかし処理等が加えら
れ、最終的な設計側データが生成される。
回路３５に送られ、ここで設計データ全体にパターン検
査装置での測定誤差等を考慮したぼかし処理等が加えら
れ、最終的な設計側データが生成される。
【００６４】図６は、上述した第２の実施の形態に係る
パターン検査装置を用いて行うパターン検査方法を示す
フローチャートである。このフローチャートに沿って、
以下、第２の実施の形態に係るパターン検査方法につい
て説明する。
パターン検査装置を用いて行うパターン検査方法を示す
フローチャートである。このフローチャートに沿って、
以下、第２の実施の形態に係るパターン検査方法につい
て説明する。
【００６５】まず、設計データを、データ展開回路３１
で適当な画素を単位とするマップ上にパターン展開する
（Ｓ１２１）。このパターンでは、各コーナに光近接効
果補正用のパターンが付加されている。
で適当な画素を単位とするマップ上にパターン展開する
（Ｓ１２１）。このパターンでは、各コーナに光近接効
果補正用のパターンが付加されている。
【００６６】次に、第１の実施の形態と同様にテンプレ
ートを用いたテーブル参照方式により、光近接効果補正
用に付加されたパターンを検出する（Ｓ１２２）。
ートを用いたテーブル参照方式により、光近接効果補正
用に付加されたパターンを検出する（Ｓ１２２）。
【００６７】次に、検出された付加パターン部分に修正
を加える（Ｓ１２３）。このとき、同時に検出パターン
に含まれるコーナ領域に丸め処理を行う。
を加える（Ｓ１２３）。このとき、同時に検出パターン
に含まれるコーナ領域に丸め処理を行う。
【００６８】図７は、ステップ１２２とステップ１２３
に対応する設計パターンイメージ例を示す。同図に示す
ように、ステップ１２３（Ｓｔｅｐ１２３）では、一度
に光近接効果補正用付加パターン部分の縮小修正とコー
ナ部分の丸め処理を行っている。
に対応する設計パターンイメージ例を示す。同図に示す
ように、ステップ１２３（Ｓｔｅｐ１２３）では、一度
に光近接効果補正用付加パターン部分の縮小修正とコー
ナ部分の丸め処理を行っている。
【００６９】この後、コーナ丸め回路３４において、従
来と同様な方法を用いてコーナパターンの丸め処理を行
う（Ｓ１２４）。すでに丸め処理が加えられている光近
接効果補正のための付加パターン領域は、もはやコーナ
パターンとしては検出されず、通常の丸め処理は加えら
れない。
来と同様な方法を用いてコーナパターンの丸め処理を行
う（Ｓ１２４）。すでに丸め処理が加えられている光近
接効果補正のための付加パターン領域は、もはやコーナ
パターンとしては検出されず、通常の丸め処理は加えら
れない。
【００７０】コーナ丸め処理が終わった設計データに
は、さらにフィルター回路３５において、設計データ全
体にパターン検査装置での測定誤差等を考慮したぼかし
処理等のフィルター処理が加えられ、最終的な設計側デ
ータとなる（Ｓ１２５）。
は、さらにフィルター回路３５において、設計データ全
体にパターン検査装置での測定誤差等を考慮したぼかし
処理等のフィルター処理が加えられ、最終的な設計側デ
ータとなる（Ｓ１２５）。
【００７１】一方、測定データ生成部では、フォトマス
ク１のパターンに対応する画像がフォトダイオードアレ
イ５上に結像され、画像を取得する（Ｓ１０１）。さら
に取得された画像データは、センサ回路６によりＡ／Ｄ
変換され（Ｓ１０２）、フィルター処理（Ｓ１０３）を
経て、測定データとされる。
ク１のパターンに対応する画像がフォトダイオードアレ
イ５上に結像され、画像を取得する（Ｓ１０１）。さら
に取得された画像データは、センサ回路６によりＡ／Ｄ
変換され（Ｓ１０２）、フィルター処理（Ｓ１０３）を
経て、測定データとされる。
【００７２】それぞれ生成された設計側データと測定デ
ータは、で、比較回路１３に送られ、ここで適当なアル
ゴリズムを用いて比較され、異なる場合にはパターン欠
陥と判定される（Ｓ１０４）。
ータは、で、比較回路１３に送られ、ここで適当なアル
ゴリズムを用いて比較され、異なる場合にはパターン欠
陥と判定される（Ｓ１０４）。
【００７３】第２の実施の形態に係るパターン検査方法
では、設計データに対し、光近接効果補正のための付加
パターンの有するコーナ部分と通常のコーナ部分に、そ
れぞれ独立に丸め処理を加えることができるので、それ
ぞれの丸め処理の条件や基準を独立に定めることができ
る。例えば、コーナ部分の丸まりはコーナパターンの大
きさによっても異なるので丸め処理を独立に行うことに
より、より適切な丸め処理を行うことができる。この結
果、設計側データと測定データがより一致し易くなり、
疑似欠陥判定が減り、欠陥検出精度が向上する。
では、設計データに対し、光近接効果補正のための付加
パターンの有するコーナ部分と通常のコーナ部分に、そ
れぞれ独立に丸め処理を加えることができるので、それ
ぞれの丸め処理の条件や基準を独立に定めることができ
る。例えば、コーナ部分の丸まりはコーナパターンの大
きさによっても異なるので丸め処理を独立に行うことに
より、より適切な丸め処理を行うことができる。この結
果、設計側データと測定データがより一致し易くなり、
疑似欠陥判定が減り、欠陥検出精度が向上する。
【００７４】（第３の実施の形態）図８は、第３の実施
の形態に係るパターン検査装置の構成を示す模式的なブ
ロック図である。第３の実施の形態に係るパターン検査
装置の主な特徴は、設計側データ生成部１２が、データ
展開回路３１とフィルター回路３５に加え、コーナサイ
ズ検出回路３７とコーナ丸め回路３８とを有しているこ
とである。
の形態に係るパターン検査装置の構成を示す模式的なブ
ロック図である。第３の実施の形態に係るパターン検査
装置の主な特徴は、設計側データ生成部１２が、データ
展開回路３１とフィルター回路３５に加え、コーナサイ
ズ検出回路３７とコーナ丸め回路３８とを有しているこ
とである。
【００７５】同図に示すように、本実施の形態に係るパ
ターン検査装置は、上述する設計側データ生成部１２以
外に、ＣＰＵ１０と、被測定試料であるフォトマスク１
のパターンに対応した測定パターンデータを生成する観
測データ生成部（２、３、４、５、６、７）と、測定パ
ターンデータと設計側データとを比較する比較回路１３
とを少なくとも備えており、これらの基本構成は、第１
の実施の形態に係るパターン検査装置と共通する。よっ
て、ここでは第３の実施の形態に係る設計側データ生成
部１２について主に説明する。
ターン検査装置は、上述する設計側データ生成部１２以
外に、ＣＰＵ１０と、被測定試料であるフォトマスク１
のパターンに対応した測定パターンデータを生成する観
測データ生成部（２、３、４、５、６、７）と、測定パ
ターンデータと設計側データとを比較する比較回路１３
とを少なくとも備えており、これらの基本構成は、第１
の実施の形態に係るパターン検査装置と共通する。よっ
て、ここでは第３の実施の形態に係る設計側データ生成
部１２について主に説明する。
【００７６】データ展開回路３１は、ＣＰＵ１０のデー
タバスを介して、データメモリ２１およびプログラムメ
モリ２２に接続されている。データメモリ２１内に格納
されている設計パターンデータは、ＣＰＵ１０に制御さ
れて、データ展開回路１２に順次転送される。転送され
た設計パターンデータは、データ展開回路１２で展開さ
れ、設計パターンイメージとなる。
タバスを介して、データメモリ２１およびプログラムメ
モリ２２に接続されている。データメモリ２１内に格納
されている設計パターンデータは、ＣＰＵ１０に制御さ
れて、データ展開回路１２に順次転送される。転送され
た設計パターンデータは、データ展開回路１２で展開さ
れ、設計パターンイメージとなる。
【００７７】この設計パターンイメージデータはコーナ
サイズ検出回路３７に送られる。ここで、光近接効果補
正のための付加パターンを含め、設計パターン中の種々
のコーナ部分を検出するとともに、各コーナの大きさを
も検出する。
サイズ検出回路３７に送られる。ここで、光近接効果補
正のための付加パターンを含め、設計パターン中の種々
のコーナ部分を検出するとともに、各コーナの大きさを
も検出する。
【００７８】設計データは、さらに、コーナ丸め回路３
８に送られ、ここで各コーナの大きさに対応したコーナ
丸め処理を加える。例えば、小さいコーナに対しては、
コーナの大きさに対する丸め処理の比率を大きくすると
いったコーナサイズに対応した丸め処理を加える。
８に送られ、ここで各コーナの大きさに対応したコーナ
丸め処理を加える。例えば、小さいコーナに対しては、
コーナの大きさに対する丸め処理の比率を大きくすると
いったコーナサイズに対応した丸め処理を加える。
【００７９】さらに、設計データはフィルター回路３５
に送られ、ここで設計データ全体にパターン検査装置で
の測定誤差等を考慮したぼかし処理等が加え、最終的な
設計側データを生成する。設計側データは、比較回路１
３に送られ、ここで測定データと適切なアルゴリズムに
より比較され、一致しない場合は欠陥と判定される。
に送られ、ここで設計データ全体にパターン検査装置で
の測定誤差等を考慮したぼかし処理等が加え、最終的な
設計側データを生成する。設計側データは、比較回路１
３に送られ、ここで測定データと適切なアルゴリズムに
より比較され、一致しない場合は欠陥と判定される。
【００８０】図９は、上述した第３の実施の形態に係る
パターン検査装置を用いて行うパターン方法を示すフロ
ーチャートである。このフローチャートに沿って、以
下、第３の実施の形態に係るパターン検査方法について
説明する。
パターン検査装置を用いて行うパターン方法を示すフロ
ーチャートである。このフローチャートに沿って、以
下、第３の実施の形態に係るパターン検査方法について
説明する。
【００８１】まず、描画用の設計データを、設計データ
展開回路１２で適当な画素を単位とするマップ上にパタ
ーン展開する（Ｓ１３１）。このパターンでは、各コー
ナに光近接効果補正用のパターンが付加されている。
展開回路１２で適当な画素を単位とするマップ上にパタ
ーン展開する（Ｓ１３１）。このパターンでは、各コー
ナに光近接効果補正用のパターンが付加されている。
【００８２】テンプレートを用いたテーブル参照方式に
より、コーナパターン部分を検出する（Ｓ１３２）。こ
のとき、テンプレートを予めある程度の大きさまで任意
に拡張できる構造にしておくことにより、コーナ部分を
検出するとともに、その大きさを計測できるようにす
る。コーナ部分は、光近接効果補正用に付加されたパタ
ーンも含めて全てのコーナを検出できるようにする。
より、コーナパターン部分を検出する（Ｓ１３２）。こ
のとき、テンプレートを予めある程度の大きさまで任意
に拡張できる構造にしておくことにより、コーナ部分を
検出するとともに、その大きさを計測できるようにす
る。コーナ部分は、光近接効果補正用に付加されたパタ
ーンも含めて全てのコーナを検出できるようにする。
【００８３】次に、コーナ丸め回路で各コーナに応じた
丸め処理を加える。一般に、フォトマスク作製の際に起
こるコーナ部分の変形、即ち丸まりは、コーナの大きさ
に依存していることが多い。特に微小なコーナでは、コ
ーナ大きさに対する変形の依存度が高い。そこで、検出
したコーナパターンの大きさに依存した丸め処理を各コ
ーナに加える。
丸め処理を加える。一般に、フォトマスク作製の際に起
こるコーナ部分の変形、即ち丸まりは、コーナの大きさ
に依存していることが多い。特に微小なコーナでは、コ
ーナ大きさに対する変形の依存度が高い。そこで、検出
したコーナパターンの大きさに依存した丸め処理を各コ
ーナに加える。
【００８４】一方、測定パターンデータ生成部では、第
１、第２の実施の形態の場合と同様に、フォトマスク１
のパターンに対応する画像をフォトダイオードアレイ５
上に結像し、画像を取得する（Ｓ１０１）。さらにセン
サ回路６によりＡ／Ｄ変換し（Ｓ１０２）、フィルター
処理（Ｓ１０３）を経て、測定データを得る。
１、第２の実施の形態の場合と同様に、フォトマスク１
のパターンに対応する画像をフォトダイオードアレイ５
上に結像し、画像を取得する（Ｓ１０１）。さらにセン
サ回路６によりＡ／Ｄ変換し（Ｓ１０２）、フィルター
処理（Ｓ１０３）を経て、測定データを得る。
【００８５】比較回路１３で、設計側データと測定デー
タを適切なアルゴリズムを用いて比較し、パターン欠陥
を判定する（Ｓ１０４）。
タを適切なアルゴリズムを用いて比較し、パターン欠陥
を判定する（Ｓ１０４）。
【００８６】第３の実施の形態に係るパターン検査方法
では、コーナの大きさを計測し、大きさに応じた丸め処
理を加えるため、光近接効果補正のために付加された微
小パターンにも十分対応しうる丸め処理を加えることが
できる。また、光近接効果補正のために付加されたパタ
ーンであるか否かにかかわらず、種々のコーナについて
その大きさに適した補正を加えることができる。
では、コーナの大きさを計測し、大きさに応じた丸め処
理を加えるため、光近接効果補正のために付加された微
小パターンにも十分対応しうる丸め処理を加えることが
できる。また、光近接効果補正のために付加されたパタ
ーンであるか否かにかかわらず、種々のコーナについて
その大きさに適した補正を加えることができる。
【００８７】以上第１から第３の実施の形態について述
べたが、以上の実施の形態におけるコーナパターンと
は、角度９０度のコーナのみならず、９０度未満の鋭角
から９０度を越える鈍角まで、種々のコーナが含まれ
る。また、凸パターンのみならず、凹パターンも含めて
コーナとして扱う。
べたが、以上の実施の形態におけるコーナパターンと
は、角度９０度のコーナのみならず、９０度未満の鋭角
から９０度を越える鈍角まで、種々のコーナが含まれ
る。また、凸パターンのみならず、凹パターンも含めて
コーナとして扱う。
【００８８】なお、光近接効果補正用の付加パターン部
分の変形は、コーナの丸まりにかぎるものではない。例
えば、図１３（ｃ）の右側に示す図のように、フォトマ
スク作製に使用する描画装置の種類によっては、付加パ
ターン部分が測定データでは、丸々消失してしまう場合
もある。このような場合には、設計データに付加パター
ン部分を削除する修正を加えることが好ましい。このよ
うに、光近接効果補正用の付加パターンに加える修正
は、パターン縮小処理や丸め処理に限らず、種々の場合
に応じて適切な修正を加えることが望ましい。
分の変形は、コーナの丸まりにかぎるものではない。例
えば、図１３（ｃ）の右側に示す図のように、フォトマ
スク作製に使用する描画装置の種類によっては、付加パ
ターン部分が測定データでは、丸々消失してしまう場合
もある。このような場合には、設計データに付加パター
ン部分を削除する修正を加えることが好ましい。このよ
うに、光近接効果補正用の付加パターンに加える修正
は、パターン縮小処理や丸め処理に限らず、種々の場合
に応じて適切な修正を加えることが望ましい。
【００８９】なお、第１の実施の形態から第３の実施の
形態に係る各パターン検査方法を実現するための検査プ
ログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存
し、この記録媒体に格納されたパターン検査プログラム
をホスト計算機（ＣＰＵ）１０によってプログラムメモ
リ２２に読み込ませてるとよい。また、プログラムの実
行に際しては、プログラムメモリに格納された各プログ
ラムをＣＰＵ１０上で実行して上述した各パターン検査
方法を実行することもできる。なお、ここで記録媒体と
は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の半導体メモリ、磁気ディスク、
光ディスク、光磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ
等のプログラムを記録できる媒体を意味する。
形態に係る各パターン検査方法を実現するための検査プ
ログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存
し、この記録媒体に格納されたパターン検査プログラム
をホスト計算機（ＣＰＵ）１０によってプログラムメモ
リ２２に読み込ませてるとよい。また、プログラムの実
行に際しては、プログラムメモリに格納された各プログ
ラムをＣＰＵ１０上で実行して上述した各パターン検査
方法を実行することもできる。なお、ここで記録媒体と
は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等の半導体メモリ、磁気ディスク、
光ディスク、光磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ
等のプログラムを記録できる媒体を意味する。
【００９０】上述した実施の形態は、被測定試料として
フォトマスクを用いた場合を主に述べているが、フォト
マスク以外にもＬＩＳやＬＣＤ等、フォトリソグラフィ
プロセスでパターン形成される種々のものを被測定試料
宇として応用できる。
フォトマスクを用いた場合を主に述べているが、フォト
マスク以外にもＬＩＳやＬＣＤ等、フォトリソグラフィ
プロセスでパターン形成される種々のものを被測定試料
宇として応用できる。
【００９１】
【発明の効果】上述するように、本発明のパターン検査
装置の主な特徴は、設計パターンデータにもとづいて設
計側データを生成する設計側データ生成部と、被測定試
料のパターンに対応した測定パターンデータを生成する
測定データ生成部と、前記設計側データと測定データを
比較する比較回路とを有するパターン検査装置におい
て、前記設計側データ生成部が、設計パターンデータを
展開する設計データ展開手段と、前記設計データ展開手
段で展開された設計パターンのイメージデータから光近
接補正用付加パターン部分を検出し、当該部分に付加パ
ターンに応じた修正を加える設計データ修正手段とを有
することである。
装置の主な特徴は、設計パターンデータにもとづいて設
計側データを生成する設計側データ生成部と、被測定試
料のパターンに対応した測定パターンデータを生成する
測定データ生成部と、前記設計側データと測定データを
比較する比較回路とを有するパターン検査装置におい
て、前記設計側データ生成部が、設計パターンデータを
展開する設計データ展開手段と、前記設計データ展開手
段で展開された設計パターンのイメージデータから光近
接補正用付加パターン部分を検出し、当該部分に付加パ
ターンに応じた修正を加える設計データ修正手段とを有
することである。
【００９２】また、本発明のパターン検査方法の主な特
徴は、被測定試料のパターンに対応した測定パターンデ
ータを生成するステップと、設計データにもとづいて設
計データをイメージデータに展開するステップと、展開
された設計データのイメージデータから光近接補正用付
加パターン部分を検出するステップと、前記光近接補正
用付加パターン部分のイメージデータに修正を加えるス
テップと、前記光近接補正用付加パターン部分に、付加
パターンに応じた修正を加えた設計側データと前記測定
パターンデータを比較するステップとを有する。
徴は、被測定試料のパターンに対応した測定パターンデ
ータを生成するステップと、設計データにもとづいて設
計データをイメージデータに展開するステップと、展開
された設計データのイメージデータから光近接補正用付
加パターン部分を検出するステップと、前記光近接補正
用付加パターン部分のイメージデータに修正を加えるス
テップと、前記光近接補正用付加パターン部分に、付加
パターンに応じた修正を加えた設計側データと前記測定
パターンデータを比較するステップとを有する。
【００９３】これらの特徴により、設計データ中の光近
接補正用付加パターン部分を検出し、当該パターン部分
に他のパターンとは独立に、付加パターンに応じた修正
を加えることができる。このように、光近接効果補正用
パターン対応処理を入れることにより、パターンの微細
化によりプロセス上等の理由により回避できない近接補
正用付加パターン部分で生じる設計データと測定データ
との不一致による疑似欠陥判定の発生を抑制し、検査精
度の向上を図ることができる。
接補正用付加パターン部分を検出し、当該パターン部分
に他のパターンとは独立に、付加パターンに応じた修正
を加えることができる。このように、光近接効果補正用
パターン対応処理を入れることにより、パターンの微細
化によりプロセス上等の理由により回避できない近接補
正用付加パターン部分で生じる設計データと測定データ
との不一致による疑似欠陥判定の発生を抑制し、検査精
度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るパターン検査
装置の構成を示すブロック図である。
装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るパターン検査
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るパターン検査
方法で用いる光近接効果補正用付加パターンと付加パタ
ーン検出に用いるテンプレートを示す平面図である。
方法で用いる光近接効果補正用付加パターンと付加パタ
ーン検出に用いるテンプレートを示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るパターン検査
方法の各ステップにおける設計パターンを示す平面図で
ある。
方法の各ステップにおける設計パターンを示す平面図で
ある。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るパターン検査
装置の構成を示すブロック図である。
装置の構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るパターン検査
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るパターン検査
方法の各ステップにおける設計パターンを示す平面図で
ある。
方法の各ステップにおける設計パターンを示す平面図で
ある。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係るパターン検査
装置の構成を示すブロック図である。
装置の構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係るパターン検査
方法を示すフローチャートである。
方法を示すフローチャートである。
【図１０】従来のパターン検査装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１１】フォトマスクパターンの検査時のステージス
キャン方法を示す図である。
キャン方法を示す図である。
【図１２】従来のパターン検査方法を用いた場合の設計
イメージパターンと対応する測定イメージデータを示す
図である。
イメージパターンと対応する測定イメージデータを示す
図である。
【図１３】従来のパターン検査方法を用いた場合の光近
接効果補正パターンを付加した設計イメージパターンと
対応する測定イメージデータを示す図である。
接効果補正パターンを付加した設計イメージパターンと
対応する測定イメージデータを示す図である。
【図１４】テンプレートを用いたコーナパターンの検出
と丸め処理の例を示す図である。
と丸め処理の例を示す図である。
【図１５】光近接効果補正パターンに対する従来の丸め
処理の例を示す図である。
処理の例を示す図である。
１ フォトマスク
２ ＸＹθテーブル
３ 光源
４ 拡大光学系
５ フォトダイオードアレイ
６ センサ回路
７ 位置回路
８ 比較回路
９ 磁気ディスク装置
１０ ＣＰＵ
１１ データ制御回路
１２ 設計側データ生成部
２１ データメモリ
２２ プログラムメモリ
２３ 入力装置
２４ 出力装置
３１ データ展開回路
３３ 光近接効果補正パターン検出修正回路
３４ コーナ丸め回路
３５ フィルター回路
３６ 光近接効果補正パターン検出修正丸め回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 1/08
Claims (9)
- 【請求項１】 設計パターンデータにもとづいて設計側
データを生成する設計側データ生成部と、 被測定試料のパターンに対応した測定パターンデータを
生成する測定データ生成部と、 前記設計側データと測定データを比較する比較回路とを
有するパターン検査装置において、 前記設計側データ生成部が、 設計パターンデータを展開する設計データ展開手段と、 前記設計データ展開手段で展開された設計パターンのイ
メージデータから光近接補正用付加パターン部分を検出
し、当該部分に付加パターンに応じた修正を加える設計
データ修正手段とを有することを特徴とするパターン検
査装置。 - 【請求項２】 前記設計側データ生成部が、さらに、設
計パターンのイメージデータよりコーナパターン部分を
検出して該コーナパターンに丸め処理を行うコーナ丸め
回路を有する請求項１に記載のパターン検査装置にあっ
て、 前記設計データ修正手段が、 前記コーナ丸め回路による丸め処理がなされる前の設計
パターンのイメージデータに対して、光近接補正用付加
パターン部分を検出し、当該部分に付加パターンに応じ
た修正を加えるものであることを特徴とするパターン検
査装置。 - 【請求項３】 設計パターンデータにもとづいて設計側
データを生成する設計側データ生成部と、 被測定試料のパターンに対応した測定パターンデータを
生成する測定データ生成部と、 前記設計側データと測定データを比較する比較回路とを
有するパターン検査装置において、 前記設計側データ生成部が、 設計パターンデータを展開する設計データ展開手段と、 前記設計データ展開手段で展開された設計パターンのイ
メージデータからコーナパターンを検出するとともに前
記コーナパターンの大きさを計測するコーナサイズ検出
手段とを有することを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のパターン検査装置にお
いて、 前記設計側データ生成部が、 さらに、前記コーナパターンの大きさを測定する手段に
より測定された各コーナパターンの大きさに応じた丸め
処理を各コーナパターンに行うコーナ丸め回路とを有す
ることを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項５】 被測定試料のパターンに対応した測定パ
ターンデータを生成するステップと、 設計データにもとづいて設計データをイメージデータに
展開するステップと、 展開された設計データのイメージデータから光近接補正
用付加パターン部分を検出するステップと、 前記光近接補正用付加パターン部分のイメージデータに
修正を加え、設計側データを生成するステップと、 前記設計側データと前記測定パターンデータを比較する
ステップとを有するパターン検査方法。 - 【請求項６】 前記設計側データを生成するステップ
で、さらにイメージデータよりコーナパターンに対しコ
ーナ丸め処理を行う請求項５に記載のパターン検査方法
であって、 前記光近接補正用付加パターン部分のイメージデータの
修正処理を、前記コーナ丸め処理より先に行うことを特
徴とするパターン検査方法。 - 【請求項７】 被測定試料のパターンに対応した測定パ
ターンデータを生成するステップと、 設計データにもとづいて設計データをイメージデータに
展開するステップと、 展開された設計データのイメージデータからコーナパタ
ーン箇所とその大きさを検出するステップと、 前記コーナパターン部分の設計イメージデータに当該コ
ーナの大きさに応じた丸め処理を加えた設計側データを
生成するステップと、 前記設計側データと前記測定パターンデータを比較する
ステップとを有するパターン検査方法。 - 【請求項８】 被測定試料のパターンに対応した測定パ
ターンデータを生成するステップと、 設計データにもとづいて設計データをイメージデータに
展開するステップと、 展開された設計データのイメージデータから光近接補正
用付加パターンを検出するステップと、 前記光近接補正用付加パターン部分のイメージデータに
修正を加え、設計側データを生成するステップと、 前記設計側データと前記測定パターンデータを比較する
ステップとを有するパターン検査プログラムを格納した
記録媒体。 - 【請求項９】 被測定試料のパターンに対応した測定パ
ターンデータを生成する生成ステップと、 設計データにもとづいて設計データをイメージデータに
展開するステップと、 展開された設計データのイメージデータからコーナパタ
ーン箇所とその大きさを検出するステップと、 前記コーナパターン部分の設計イメージデータに当該コ
ーナの大きさに応じた丸め処理を加え、設計側データを
生成するステップと、 前記設計側データと前記測定パターンデータを比較する
ステップとを有するパターン検査プログラムを格納した
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27371798A JP3413110B2 (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27371798A JP3413110B2 (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000106336A JP2000106336A (ja) | 2000-04-11 |
| JP3413110B2 true JP3413110B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=17531589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27371798A Expired - Fee Related JP3413110B2 (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | パターン検査装置、パターン検査方法およびパターン検査プログラムを格納した記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3413110B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7630535B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-12-08 | Advanced Mask Inspection Technology Inc. | Die-to-die photomask defect detection using region data to modify inspection thresholds |
| US7639863B2 (en) | 2005-08-31 | 2009-12-29 | Advanced Mask Inspection Technology Inc. | Die-to-database photomask defect detection using region data to modify inspection thresholds |
| US7664308B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Advanced Mask Inspection Technology Inc. | Photomask inspection apparatus comparing optical proximity correction patterns to minimum and maximum limits |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4044297B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2008-02-06 | 株式会社東芝 | パターン欠陥検査装置 |
| JP2005026360A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | フォトマスクの欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、およびフォトマスクの製造方法 |
| JP4193760B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2008-12-10 | 日本電気株式会社 | 画像パターン補正方法、及びそれを適用した模擬画像生成方法、並びにパターン外観検査方法 |
| KR100642417B1 (ko) | 2005-09-20 | 2006-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레이어 대 레이어 검사방법을 이용한 광학근접보정검증방법 |
-
1998
- 1998-09-28 JP JP27371798A patent/JP3413110B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7639863B2 (en) | 2005-08-31 | 2009-12-29 | Advanced Mask Inspection Technology Inc. | Die-to-database photomask defect detection using region data to modify inspection thresholds |
| US7664308B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Advanced Mask Inspection Technology Inc. | Photomask inspection apparatus comparing optical proximity correction patterns to minimum and maximum limits |
| US7630535B2 (en) | 2005-09-26 | 2009-12-08 | Advanced Mask Inspection Technology Inc. | Die-to-die photomask defect detection using region data to modify inspection thresholds |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000106336A (ja) | 2000-04-11 |
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