JP2004303834A - 露光データ生成方法及び露光データ生成プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光データ生成方法は、設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する各段階を含む。
【選択図】図7
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般にブロックマスクとウエハを製造する露光データの生成方法に関し、詳しくは、パターン一括露光に用いられるブロックマスクを製造するための露光データを生成する方法と、そのブロックマスクを使用した一括露光によりウエハを製造するための露光データを生成する方法に関する。
【従来の技術】
半導体集積回路(IC:Integrated Circuit)を製造する過程において、ウエハに所望のパターンを形成する露光処理が実行される。この露光の手段として、微細なパターンを形成することが可能な電子ビーム露光がある。電子ビーム露光は、ビーム断面の形状を変化させることが可能な可変成形ビームを使用して、露光対象のパターンを1つ1つ塗りつぶしてゆく。電子ビーム露光は一筆書きでパターンを塗りつぶしてゆくので、パターンが微細になるほど、ウエハ作成のスループットが低下するという問題がある。
【0002】
これに対しパターン一括露光は、電子ビーム露光装置の第2アパーチャの位置に複数のパターン形状の開口を有したブロックマスクを配置し、このブロックマスクに電子ビームを照射することで、複数の開口パターンをウエハに一括して露光する方法である。
【0003】
図1は、従来のパターン一括露光処理を示すフローチャートである。
【0004】
ステップS1で、ICデータ(レイアウトデータ)1からウエハ製造用露光データ2とブロックマスク製造用露光データ3を作成する。ブロックマスク製造用露光データ3は、一括露光する一纏めのパターンが含まれるブロックを複数搭載したブロックマスク4を製造するためのデータである。ブロックマスク4には、例えば、5ミクロン四方の大ささを有するブロックが100個搭載されており、各ブロックにはパターン形状の開口が形成されている。ウエハ製造用露光データ2は、露光時にブロックマスク4の何れのブロックのパターンを用いて、ウエハ5の何処の領域を露光するのかを指示するデータである。
【0005】
ステップS2において、露光装置の電子ビーム発生源から射出された電子ビームを、ウエハ製造用露光データ2が示すブロックマスク4上のブロックに照射する。このブロックのパターン形状の開口を透過した電子ビームを、ウエハ製造用露光データ2が示すウエハ5上の位置に照射することで、選択されたパターンを指定位置に露光する。
【0006】
上記処理の基本となるICデータ1は、回路を形成する基本図形の階層構造で構築されている。露光データ作成時には、このICデータ1に含まれる基本図形のうちで、一括露光の対象とする基本図形を指定しなければならない。これについて図2を用いて説明する。
【0007】
図2(a)は、ICデータの例を示し、このICデータは基本図形A〜Eの階層構造で構築されている。基本図形Aは基本図形BとCを1個ずつ含み、基本図形Bは基本図形Dを1個、基本図形Cは基本図形Eを1OOO個含む。スループットを最大限に向上させるために、配置数が最も多い基本図形Eを一括露光する基本図形として選択する。
【0008】
図2(b)は、基本図形Eとそれに対応するブロックとを示す図である。図2(b)に示されるように、パターン7が複数個並んだ配列として基本図形Eが構成され、この図形をブロック8として抽出する。
【0009】
図3は、ブロックマスクを使用して電子ビームで一括露光する処理を説明するための図である。ICデータ1から、例えば、複数のパターン11を有するブロック10(例えば5マイクロ四方)を抽出する。ブロックマスク12に、パターン11の形状の開口を複数個形成したブロック10を搭載する。電子銃13から放射された電子ビームは、第一アパチャ14で例えば5マイクロ四方の大きさの矩形に成形された後、偏向器15によって進行方向が曲げられ、指定したブロックに照射される。偏向器15は更に、指定のブロックヘの電子ビームの焦点合わせを行う。ブロックを通過した電子ビームは、偏向器16によって進行方向が曲げられ、ウエハ17の所定の位置に露光される。
【0010】
以上のような処理によって、1ブロック内の複数のパターンを一括露光し、スループットを向上させることができる。
【0011】
【特許文献1】
特開平5−13313号公報
【発明が解決しようとする課題】
異なるICでは、ICデータに異なる基本図形が含まれる。同一の基本図形が含まれていても、その配置数が異なれば、一方のICではブロック作成対象となるが、他方のICではブロック作成対象とはならない場合がある。しかしIC毎に専用のブロックマスクを作成すると、コストが増大し、IC製造のスループットが低下してしまう。
【0012】
また一般に、ICを製造する場合に配線密度が基板上の位置によって大きく異なると、位置によって最適なエッチング条件が異なってしまい、場合によっては配線がくびれて配線抵抗が著しく増大するなどの弊害が生じる。これを防いで種々の配線を所望の精度でエッチングするためには、ウェハ面積に占めるレジストパターンの面積の比を適切な所定の割合に設定すればよい。この目的のために、一般にダミーパターンが挿入される。
【0013】
しかしダミーパターンの配置数は膨大になるため、露光時間が長時間に及んでしまうという問題がある。またダミーパターン露光のためのブロックを、回路内の各ダミーパターン配置領域からそれぞれ抽出するとすると、ブロックの数は膨大なものになる。場合によっては、ブロック内にダミーパターンを配置する全ての異なる組み合わせが必要になってしまう。その結果、ブロックマスク上に他のブロックを搭載できる余地がなくなり、スループットが低下してしまう。
【0014】
以上を鑑みて、本発明は、ブロックマスク作成のコスト削減とIC製造のスループット向上が可能な露光データ生成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
本発明による露光データ生成方法は、設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する各段階を含むことを特徴とする。
【0015】
上記方法によれば、パターン一括露光を行うブロックマスクを使用した半導体装置の製造方法において、半導体設計規則で決められているパターンのサイズおよびパターン間のサイズを満たすようにパターンをブロック内に配置し、その後、マスク上のブロックと一致するパターンを半導体装置のレイアウトデータから抽出して半導体装置の露光データを作成する。従って、IC毎にブロックマスクを作成する場合と比較して、ブロックマスク作成のコストを削減し、IC製造のスループットを向上させることができる。
【0016】
また本発明は更に、上記方法を実行する露光データ生成プログラムを提供する。
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の原理及び実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。
【0017】
図4は、同一テクノロジの基本図形に共通に使用できるブロックについて説明するための図である。
【0018】
図4(a)は基本図形Fを示し、図4(b)は基本図形Gを示す。それぞれの基本図形には、半導体設計規則としてパターンサイズとパターン間距離が55乃至62として規定される。これらのサイズ及び距離はテクノロジ(例えば0.13マイクロ・テクノロジ等)毎に決められている。例えば基本図形Fにおいて、各パターン間のX方向の距離57は場所によらず一定であり、Y方向の距離58も一定である。また基本図形Gにおいても、各パターン間のX方向の距離61は場所によらず一定であり、Y方向の距離62も一定である。
【0019】
基本図形Fと基本図形Gのテクノロジが同一とすれば、サイズ55とサイズ59、サイズ56とサイズ60、距離57と距離61、距離58と距離62はそれぞれ同一である。
【0020】
図4(c)に示すブロック67は、基本図形Fと基本図形Gのテクノロジが同一であるとして、その半導体設計規則どおりにパターンを配置して作成したブロックである。従って、ブロック67のサイズ63と64及び距離65と66は、基本図形F及び基本図形Gのそれぞれ対応するサイズ及び距離と同一である。
【0021】
図5は、基本図形Fと基本図形Gとをブロック67を用いて露光する方法を示す図である。
【0022】
図5(a)に示す基本図形Fを領域68〜70に分割する。領域68はブロック67に電子ビーム71を照射して露光する(図5(b))。また領域69はブロック67に電子ビーム72を照射して露光する(図5(c))。更に領域70は、ブロック67に電子ビーム73を照射して露光する(図5(d))。
【0023】
図5(e)に示す基本図形Gについても同様であり、領域74〜76に分割し、図5(f)乃至図5(h)に示すようにブロック67に電子ビーム77〜79を照射して露光する。
【0024】
以上のように、共通のテクノロジの半導体設計規則に従ってブロックを作成してマスクに搭載すれば、単一のブロックを使用して、異なるIC又は異なる基本図形の露光を行うことができる。
【0025】
図6は、異なるダミーパターンを単一のブロックを用いて露光する方法を示す図である。
【0026】
テクノロジ毎にダミーパターンのサイズとパターン間の距離が決められている場合、そのテクノロジの規則に従って、図6(a)に示されるようなブロック90を作成する。ダミーパターン89のサイズ91及び92はダミーパターンに依らず同一である。また各ダミーパターン間のX方向の距離93は場所に依らず一定であり、Y方向の距離94もまた一定である。例えば図6(b)乃至(h)に示されるように、ブロック90に電子ビーム95乃至101を照射することで、種々のダミーパターン配置を露光できる。
【0027】
以上のようにして、種々の異なる配置のダミーパターンについて、少数のブロックを用いて一括露光することが可能となり、スループットを向上させることができる。
【0028】
図7は、本発明による露光データ生成処理と電子ビーム露光処理を説明するための図である。
【0029】
図7(a)において、ブロック作成処理201を実行し、制御ファイル200からブロックマスク製造用露光データ202を生成する。更にこのデータ202に基づいてブロックマスク203を作成する。
【0030】
図7(b)に示されるように、ICデータ(レイアウトデータ)204とブロックマスク製造用露光データ202とに基づいて、ウエハ製造用露光データ処理207を実行することで、ウエハ製造用露光データ208を生成する。次に露光処理211が、ウエハ製造用露光データ208を使用して図3で説明したように電子ビームの偏向を制御し、ブロックマスク203を通過した電子ビームによりウエハ212を露光する。
【0031】
本発明においては、前述のように1つのブロックマスク上に設けられた同一のブロックを用いて、複数の異なるICについて露光処理を行うことが可能である。図7(c)はこれを示すものであり、図7(b)のICデータ204とは異なるICデータ(レイアウトデータ)205を用いて、図7(b)のウエハ製造用露光データ208とは異なるウエハ製造用露光データ209を生成する。但し、ウエハ製造用露光データを生成する際に使用するブロックマスク製造用露光データ202は、図7(b)の場合と図7(c)の場合とで同一である。その後図7(c)において、ウエハ製造用露光データ209と、図7(b)の場合と図7(c)の場合とで共通に使用するブロックマスク203とを使用して、ウエハ213に対する露光処理を実行する。
【0032】
図8は、図7(a)に示すブロック作成処理においてブロックマスク製造用露光データを作成する処理を示すフローチャートである。
【0033】
ステップST220で、制御ファイルを入力する。制御ファイルは決められたフォーマットで作成され、パターンサイズ、パターン間距離、ブロック名称、最大ビーム照射範囲等のパラメタを記述する。
【0034】
ステップST221で、パラメタテーブルを作成する。パラメタテーブルは、制御ファイルに記述されたパターンサイズ、パターン間サイズ(パターン間距離)、及びブロック名称を含むテーブルである。このパラメタテーブルを、コンタクト/ビアパターン抽出用、配線パターン抽出用、及びダミーパターン抽出用にそれぞれ作成する。
【0035】
ステップST222で、ブロックを作成する。図9は、パラメタテーブルとそれに基づいて作成されるブロックの例を示す図である。図9(a)乃至(c)に示すとおり、各パラメタテーブルからブロックが作成される。ブロック230は、コンタクト/ビアパターン抽出用ブロックであり、ブロック名称はVIAである。ブロック230において、対応パラメタテーブルに格納されているサイズa1及びa2を有するパターン231が、対応パラメタテーブルに格納されているサイズ(距離)a3及びa4に従って配置される。
【0036】
ブロック232及び234は、配線パターン抽出用ブロックであり、ブロック名称はWIREである。ブロック232において、対応パラメタテーブルに格納されているサイズb1を有するパターン233が、対応パラメタテーブルに格納されているサイズ(距離)b2に従って配置される。またブロック234において、対応パラメタテーブルに格納されているサイズb1を有するパターン233が、対応パラメタテーブルに格納されているサイズ(距離)b3に従って配置される。
【0037】
ブロック236は、ダミーパターン抽出用ブロックであり、ブロック名称はDUMMYである。ブロック236において、対応パラメタテーブルに格納されているサイズc1及びc2を有するパターン237が、対応パラメタテーブルに格納されているサイズ(距離)c3及びc4に従って配置される。
【0038】
なお図8のステップST222における「ブロックを作成する」処理とは、具体的には、図9に示されるようなブロックのデータを作成することを意味する。このブロックのデータをブロックテーブルと呼ぶ。
【0039】
図10は、ブロックテーブルの構造を示す図である。
【0040】
ブロック種類フラグには、コンタクト/ビアパターン抽出用、配線パターン抽出用、ダミーパターン抽出用の何れかを区別する値を格納する。ブロック名称は、例えばコンタクト/ビアパターン抽出用であればVIA1或いはVIA2等のように、各ブロックに固有に与えられる名称である。ブロックテーブルは更に、パターンの全種類の数、各パターンの種類毎の頂点の数(個々のパターンの数)、各パターンの頂点の座標を格納する。ここで頂点の座標とは、例えば個々のパターンの左下の座標である。なおパターン座標の原点は、例えばブロックの左下の角に設定する。
【0041】
図8を再び参照し、ステップST223で、制御ファイルで指定した全てのブロックの作成を終了したか否かを判定する。終了した場合には、処理はステップST224に進む。終了していない場合には、処理はステップST222に戻り、次のブロックを作成する。
【0042】
ステップST224で、ブロックテーブルを基にして、フォーマットに従いブロックマスク製造用露光データを作成・出力する。なお各ブロックのブロック名称は、ブロックマスク製造用露光データにも格納しておく。
【0043】
以上で処理を終了する。
【0044】
以下に、ウエハ製造用露光データを生成する処理について説明する。
【0045】
図11は、図7(b)に示すウエハ製造用露光データ処理においてウエハ製造用露光データを作成する処理を示すフローチャートである。
【0046】
ステップST250で、制御ファイルを入力する。この制御ファイルは決められたフォーマットで作成されたものであり、一括露光処理に使用するブロックの名称を記述してある。
【0047】
ステップST251で、製造する回路のICデータを入力する。
【0048】
ステップST252で、ブロックマスク製造用露光データを入力する。このブロックマスク製造用露光データは、図8の処理手順で生成されたものである。更に、入力されたウエハ製造用露光データに格納されている情報から、ブロックテーブルを作成する。
【0049】
ステップST253で、パターンテーブルを作成する。即ち、一括露光処理の対象となるパターンを、パターンテーブルとしてICデータから抽出する。
【0050】
ステップST254で、パターンテーブルからウエハ上におけるブロックの露光位置を示すブロック配置テーブルを作成する。
【0051】
ステップST255で、ブロック配置テーブルを基にして、フォーマットに従いウエハ製造用露光データを作成し出力する。
【0052】
以上で処理を終了する。
【0053】
以下に、上記ステップST253乃至ST255の処理を詳細に説明する。
【0054】
図12は、図11のステップST253のパターンテーブル作成処理を示すフローチャートである。
【0055】
ステップST260で、図11のステップST252で作成したブロックテーブルを入力する。
【0056】
ステップST261で、全てのブロックテーブルを参照したか否かを判定する。全てのブロックテーブルを参照した場合には処理を終了し、まだ参照していないブロックテーブルがある場合には、そのうちの1つのブロックテーブルに対して以下の処理を実行する。
【0057】
ステップST262で、一括露光処理に使用するブロックの名称を記述してある制御ファイルを参照し、この制御ファイルに記述されたブロック名称とブロックテーブルのブロック名称が一致するか否かを判定する。
【0058】
ステップST263で、ブロックテーブルがコンタクト/ビアパターン抽出用、ダミーパターン抽出用、又は配線パターン抽出用の何れであるのかを判定する。コンタクト/ビアパターン抽出用又はダミーパターン抽出用である場合は、処理はステップST264に進む。配線パターン抽出用である場合は、処理はステップST266に進む。
【0059】
ステップST264(コンタクト/ビアパターン抽出用又はダミーパターン抽出用の場合)において、一括露光の対象となるパターンをICデータから抽出する。
【0060】
ステップST265で、ステップST264で抽出されたパターン同士の位置関係を解析して、マトリクスパターンテーブルを作成する。
【0061】
図13は、マトリクスパターンテーブルの作成例を示す図である。パターン270とパターン271のうちで、パターン270のサイズがブロックテーブルに格納された座標から計算して得られたサイズと同一であるとする。この場合、パターン270同士のパターン間サイズ272乃至284と、ブロックテーブルに格納された座標から計算して得られたパターン間サイズとを比較する。
【0062】
例えば、パターン間サイズ272〜275が、ブロックテーブルから計算されたパターン間サイズと同一であったとする。この場合、3x3のマトリクスパターンテーブル501を作成する。
【0063】
またパターン間サイズ276〜278が、ブロックテーブルから計算されたパターン間サイズとは同一でないとする。従って、この場合マトリクスパターンテーブルは作成しない。
【0064】
またパターン間サイズ279とパターン間サイズ280は、ブロックテーブルから得られたパターン間サイズと同一であるが、パターン間サイズ281は同一ではない。従って、3x1のマトリクスパターンテーブル502及び503を作成する。
【0065】
更に、パターン間サイズ282は、ブロックテーブルから得られたパターン間サイズと同一ではないが、パターン間サイズ283及び284は同一である。この場合、1x3のマトリクスパターンテーブル504及び505を作成する。
【0066】
図14は、マトリクスパターンテーブルの具体的な構造の一例を示す図である。
【0067】
マトリクスパターンテーブルは、パターンを一括露光するブロック毎に作成する。マトリクスパターンテーブルには、まず対応するブロックの名称を格納する。ブロック名称に続いて、X方向パターン数及びY方向パターン数を記述する。図13のマトリクスパターンテーブル501を例とすれば、パターン数はX方向及びY方向共に3となる。マトリクス開始X座標及びY座標としては、例えば左下隅に位置するパターンの左下角の座標510を格納する。更に、X方向パターンサイズ(s1)、Y方向パターンサイズ(s2)、X方向パターン間サイズ(s3)、及びY方向パターン間サイズ(s4)を格納する。
【0068】
例えば図13の例では、マトリクスパターンテーブル501乃至505は全て、1つのブロックテーブルに対して作成されたものである。従って、図14に示すマトリクスパターンテーブルには、当該ブロックの名称に続いて、マトリクスパターン501乃至505のデータが順次格納されることになる。
【0069】
図13において、パターン271とマトリクスパターンテーブルを作成できなかったパターン270とについては、ブロックを使用した一括露光ではなく可変矩形露光を実行する。
【0070】
図12を再び参照し、配線パターン抽出用ブロックの場合には、ステップST266で、一括露光の対象となるパターンをICデータから抽出する。
【0071】
更にステップST267で、ステップST266で抽出されたパターン同士の位置関係を解析して、パターンテーブルを作成する。
【0072】
図15は、パターンテーブル作成の一例を示す図である。
【0073】
短辺のサイズ300と短辺のサイズ301のうちで短辺のサイズ300が、ブロックテーブルに格納された座標から計算されたサイズと同一であるとする。この場合、パターン304〜309がブロック抽出の対象となる。パターン間サイズ302とパターン間サイズ303のうち、パターン間サイズ302がブロックテーブルに格納された座標から計算されるサイズと同一であるとする。この場合、パターン304〜308をブロック抽出の対象として、パターンテーブルを作成する。
【0074】
図16は、パターンテーブルの構造の一例を示す図である。
【0075】
パターンテーブルは一括露光するブロック毎に作成されるので、当該ブロックの名称が格納される。それに続いて、図15のパターンテーブルを例とすれば、短辺サイズとしてサイズ300、パターン間サイズとしてサイズ302が格納される。「長辺サイズのXY方向フラグ」には、長辺がX方向であれば例えば“0”を格納しY方向であれば“1”を格納する。X座標及びY座標としては、パターンの左下座標311(図15)を格納する。長辺サイズとしては、図15のサイズ312のように、短辺サイズでない方の辺のサイズを格納する。
【0076】
なおパターン309とパターン310等のように、パターンテーブルが作成されなかったパターンに対しては、ブロック一括露光を使用せずに可変矩形露光を実行する。
【0077】
図17は、図11のブロック配置テーブル作成処理(ステップST254)においてブロックテーブルがコンタクト/ビアパターン抽出用及びダミーパターン抽出用の場合のフローチャートを示す。
【0078】
ステップST320で、図11のステップST252で作成したブロックテーブルを入力する。
【0079】
ステップST321で、図11のステップST253(図12の処理手順)で作成したマトリクスパターンテーブルを入力する。
【0080】
ステップST322で、ブロックヘの最大ビーム照射範囲を決定する。電子ビームの電流量が大きくなると、互いに負の電荷を有する電子同士が反発する電子間の相互作用(クーロン相互作用)が大きくなり、ビームを収束することが困難になる。従ってブロックに電子ビームを照射する場合、クーロン相互作用の影響が出ないようにするためには、電子ビームの電流密度に応じて照射可能な最大照射範囲が制限される。この最大ビーム照射範囲は、X方向の最大照射範囲とY方向の最大照射範囲として制御ファイルに記述されている。
【0081】
図18は、最大ビーム照射範囲の例を示す図である。
【0082】
図18(a)の例では、331がX方向の最大範囲、332がY方向の最大範囲を示している。この331と332のサイズ以下の範囲で電子ビーム334をブロック330に照射する。図18(a)の例では、電子ビーム334は最大の範囲で照射されている。この範囲を超えて、例えば図18(d)の電子ビーム337のようにブロックを照射すると、ブロック通過後の電子ビームの電流量が大きくなり過ぎて、ビームを収束させることが困難になる。
【0083】
図18(b)及び(c)は、それぞれ別の例であり、同様に331がX方向の最大範囲、332がY方向の最大範囲を示している。それぞれの例において、電子ビーム335及び336は最大の範囲で照射されている。
【0084】
また図18(e)に示される電子ビーム338のように、最大範囲とパターンとが重なっていた場合、電子ビーム339のように最大範囲を縮小して再決定する。
【0085】
図17を再び参照し、ステップST323で、マトリクスパターンが最大ビーム照射範囲で一括露光できるか否かを判定する。図19は、最大ビーム照射範囲の制限の下で一括露光する処理の説明をするための図である。図19(a)において、パターン340が配置されているブロック341のX方向パターン数とY方向パターン数は共に5であり、また最大ビーム照射範囲はブロックサイズと同一とする。従って、マトリクスパターンのX方向パターン数とY方向パターン数が共に5以上であれば、マトリクスパターンを最大ビーム照射範囲で一括露光できる。一括露光できる場合には、処理はステップST324に進む。なお一括露光できない場合には、処理はステップST326に進む。
【0086】
ステップST324で、最大ビーム照射範囲で一括露光するブロックの配置テーブルを作成する。図19の例では、(b)に示すマトリクスパターン10x10についてはブロックマトリクスを2×2で4回一括露光し、(c)に示すマトリクスパターン10×5についてはブロックマトリクスを2×1で2回一括露光する。また(d)に示すマトリクスパターン5×5については、ブロックマトリクスを1×1で1回一括露光する。更に(e)に示すマトリクスパターン12×12については、ブロックマトリクスを2×2で4回一括露光することができる。残りの部分345及び346については、最大ビーム照射範囲以下で複数回一括露光を繰り返すことになる。
【0087】
図20の例では、(a)に示されるように電子ビーム347については、X方向の最大照射範囲348及びY方向の最大照射範囲349であるとする。この場合、(b)に示すマトリクスパターン9×8についてはブロックマトリクスを3×2で6回一括露光し、(c)に示すマトリクスパターン3×10についてはブロックマトリクスを1×2で2回一括露光することができる。残りの部分350については、最大ビーム照射範囲以下で一括露光することになる。
【0088】
図21は、ブロック配置テーブルの構造の一例を示す図である。
【0089】
ブロック名称はマトリクスパターンテーブルを参照して格納する。X方向ビーム照射範囲とY方向ビーム照射範囲としては、例えば図19(a)の例ではブロックサイズを格納し、図20(a)の例ではX方向ビーム照射範囲348のサイズ及びY方向ビーム照射範囲349のサイズを格納する。X方向配置数とY方向配置数は、ブロックマトリクスの配置数をそれぞれ格納する。マトリクス開始X座標とマトリクス開始Y座標としては、図19及び図20に示されるマトリクス左下の点342の座標を格納する。X方向ピッチサイズは、図19及び図20に示される343のサイズ、Y方向ピッチサイズは344のサイズを格納する。X方向配置数及びY方向配置数が1の場合は、ピッチサイズとして0を格納する。
【0090】
図17を再び参照し、ステップST325で、最大ビーム照射範囲で一括露光でさないマトリクスパターンが存在するか否かを判定する。例えば図19(e)のマトリクスパターン345と346、図20(c)のマトリクスパターン350がこれに該当する。
【0091】
ステップST326で、最大ビーム照射範囲で一括露光できないマトリクスパターンのブロック配置テーブルを作成する。図22は、最大ビーム照射範囲で一括露光できないマトリクスパターンの例を示す図である。図22(a)において、パターン360が配置されているブロック361において、サイズ362がX方向の最大照射範囲であり、サイズ363がY方向の最大照射範囲とする。即ち、マトリクスパターンの配置数がX方向とY方向との何れか一方が4未満であれば、最大照射範囲で一括露光することができない。
【0092】
図22(b)に示されるように、8×2のマトリクスパターンに対しては、X方向ビーム照射範囲をサイズ362としY方向ビーム照射範囲をサイズ364として電子ビーム365を照射し、ブロックマトリクスを2×1として2回一括露光する。また図22(c)に示されるように、3×8のマトリクスパターンに対しては、X方向ビーム照射範囲をサイズ366としY方向ビーム照射範囲をサイズ363として電子ビーム367を照射し、ブロックマトリクスを1×2として2回一括露光する。また図22(d)に示されるように、2×3のマトリクスパターンに対しては、X方向ビーム照射範囲をサイズ368としY方向ビーム照射範囲をサイズ369として電子ビーム370を照射し、ブロックマトリクスを1×1として1回一括露光する。
【0093】
上記の例のように、最大照射範囲で一括露光できない場合には、以下の式を用いてX方向ビーム照射範囲とY方向ビーム照射範囲とを求める。
【0094】
パターン配置数とパターンサイズ及びパターン間サイズは、それぞれX方向又はY方向の値である。またNは任意の値である。
【0095】
図21のブロック配置テーブルには、上記のようにして求めたX方向ビーム照射範囲とY方向ビーム照射範囲とを格納し、更に前述の例と同様に各テーブルエントリの値を格納する。
【0096】
図17を再び参照し、ステップST327で、全てのマトリクスパターンテーブルについてブロック配置テーブルを作成したか否かを判定する。全てのマトリクスパターンテーブルについてブロック配置テーブルを作成していない場合には、ステップST322に戻り、次のマトリクスパターンに対して上記の処理を繰り返す。ステップST327の判断がYESの場合には処理を終了する。
【0097】
図23は、図11のブロック配置テーブル作成処理(ステップST254)においてブロックテーブルが配線パターン抽出用の場合のフローチャートを示す。
【0098】
ステップST380で、図11のステップST252で作成したブロックテーブルを入力する。
【0099】
ステップST381で、図16に示されるように作成したパターンテーブルを入力する。
【0100】
ステップST382で、ブロック抽出するパターンのグループを作成する。図24は、グループ作成の一例を示す図である。(a)に示すブロック390には、パターン391がパターン間サイズ392で配置されている。また(b)に示すブロック393には、パターン394がパターン間サイズ392で配置されている。ここでパターングループは、同一のパターン間サイズで配置されており、且つパターンテーブルの長辺サイズのXY方向フラグが同一のパターン同士で作成する。従って、パターングループ395、396、397、398、399の5つのグループが作成される。
【0101】
図23を再び参照し、ステップST383で、ブロックヘの最大ビーム照射範囲を決定する。
【0102】
次にステップST384で、各パターングループからブロック配置テーブルを作成する。図25は、パターングループからブロック配置テーブルを作成する処理を説明するための図である。図25において、パターングループ410からブロック配置テーブルを作成する例を示す。図25(b)に示されるように、対象となるブロック390の最大照射範囲はブロックサイズと同一とする。
【0103】
図25(a)に示されるようにX方向領域において、パターンが最も多く存在する領域を求める。この例の場合には、領域415と416に最多の5個のパターンが存在している。領域415と416とにおいて、最大照射範囲のブロック411とブロック413とを作成し、残りの領域については最大照射範囲以外で一括露光するブロック412とブロック414を作成する。ブロック411とブロック413は、(b)に示す電子ビーム419のように照射して一括露光する。ブロック412とブロック414については、(c)に示す電子ビーム420のように照射して一括露光する。次に、残りの領域からパターンが最も多く存在する領域を求めて、ブロックを作成する。これを繰り返すことにより、ブロック417及び418が作成される。これらブロック417とブロック418については、(d)に示す電子ビーム421のようにブロックを部分照射して一括露光する。
【0104】
上記のようにして、図21に示すブロック配置テーブルに、前述の例と同様にして各値を格納する。
【0105】
図23を再び参照し、ステップST385で、全パターングループからブロック配置テーブルを作成したか否かを判定する。全パターングループについて処理されていない場合には、ステップST384に戻り、次のパターングループに対して上述の処理を繰り返す。全パターングループについて処理された場合には、処理を終了する。
【0106】
図26は、電子ビームの焦点合わせ回数を考慮したブロックマトリクス作成の方法を説明するための図である。
【0107】
図26(a)に示すようにパターン430が配置されているブロック431を用いて、(b)に示すパターングループ432と(c)に示すパターングループ436を一括露光する。なお最大ビーム照射範囲はブロックサイズと同一とする。パターングループ432は、ブロック433とブロック434又はブロック435として一括露光できる。
【0108】
図3において、ブロックマスク12の指定ブロックに電子ビームを照射するとき、偏向器15によってブロック12への焦点合わせを行う必要がある。焦点合わせは、ブロック12に照射する電子ビームの位置毎に行う。図26(b)に示すパターングループ432の場合、1種類のブロック435で2回一括露光した場合には焦点合わせの回数が1回ですむが、2種類のブロック433及び434を使用して2回一括露光する場合には焦点合わせの回数が2回必要になる。従って、1種類のブロック435で一括露光した方が焦点合わせの回数を少なくすることができる。同様に、図26(c)に示すパターングループ436は、4種類のブロック437〜440で一括露光するよりは、一種類のブロック441で一括露光する方が焦点合わせの回数を少なくすることができる。
【0109】
焦点合わせの回数を最小化するには、以下の式で最小化を満たすブロックのX方向配置数(Nx)とY方向配置数(Ny)を求めることができる。
【0110】
Px=パターングループのX方向パターン配置数
Py=パターングループのY方向パターン配置数
Bx=最大ビーム照射範囲におけるX方向ブロック内パターン配置数
By=最大ビーム照射範囲におけるY方向ブロック内パターン配置数
Rx=Px/Bx
Ry=Py/By
Nx=Px/(Rx+1)
Ny=Py/(Ry+1)
但し
(Px/Bx)が割り切れる場合:Nx=Bx
(Py/By)が割り切れる場合:Ny=By
図27は、本発明による露光データ生成方法を実行する装置の構成を示す図である。
【0111】
図27に示されるように、本発明による露光データ生成方法を実行する装置は、例えばパーソナルコンピュータやエンジニアリングワークステーション等のコンピュータにより実現される。図27の装置は、コンピュータ510と、コンピュータ510に接続されるディスプレイ装置520、通信装置523、及び入力装置よりなる。入力装置は、例えばキーボード521及びマウス522を含む。コンピュータ510は、CPU511、RAM512、ROM513、ハードディスク等の二次記憶装置514、可換媒体記憶装置515、及びインターフェース516を含む。
【0112】
キーボード521及びマウス522は、ユーザとのインターフェースを提供するものであり、コンピュータ510を操作するための各種コマンドや要求されたデータに対するユーザ応答等が入力される。ディスプレイ装置520は、コンピュータ510で処理された結果等を表示すると共に、コンピュータ510を操作する際にユーザとの対話を可能にするために様々なデータ表示を行う。通信装置523は、遠隔地との通信を行なうためのものであり、例えばモデムやネットワークインターフェース等よりなる。
【0113】
本発明による露光データ生成方法は、コンピュータ510が実行可能なコンピュータプログラムとして提供される。このコンピュータプログラムは、可換媒体記憶装置515に装着可能な記憶媒体Mに記憶されており、記憶媒体Mから可換媒体記憶装置515を介して、RAM512或いは二次記憶装置514にロードされる。或いは、このコンピュータプログラムは、遠隔地にある記憶媒体(図示せず)に記憶されており、この記憶媒体から通信装置523及びインターフェース516を介して、RAM512或いは二次記憶装置514にロードされる。
【0114】
キーボード521及び/又はマウス522を介してユーザからプログラム実行指示があると、CPU511は、記憶媒体M、遠隔地記憶媒体、或いは二次記憶装置514からプログラムをRAM512にロードする。CPU511は、RAM512の空き記憶空間をワークエリアとして使用して、RAM512にロードされたプログラムを実行し、適宜ユーザと対話しながら処理を進める。なおROM513は、コンピュータ510の基本動作を制御するための制御プログラムが格納されている。
【0115】
上記コンピュータプログラムを実行することで、上記実施例で説明されたように、露光データ生成方法を実行する。
【0116】
以上説明したように本発明においては、パターン一括露光を行うブロックマスクを使用した半導体装置の製造方法において、半導体設計規則で決められているパターンのサイズおよびパターン間のサイズを満たすようにパターンをブロック内に配置し、その後、マスク上のブロックと一致するパターンを半導体装置のレイアウトデータから抽出して半導体装置の露光データを作成する。従って、IC毎にブロックマスクを作成する場合と比較して、ブロックマスク作成のコストを削減し、IC製造のスループットを向上させることができる。
【0117】
またブロックに対する電子ビームの最大照射範囲を指定し、この範囲内で一括露光するように半導体装置のレイアウトデータからパターンを抽出する。これによりブロックを透過する電子ビームサイズを制限することが可能になり、ブロック全体に電子ビームを照射する場合と比較して、クーロン相互作用を抑えてパターンの解像度を向上させることができる。
【0118】
また電子ビームの再焦点合わせ回数が少なくなるように半導体装置からパターンを抽出するので、一括露光のたびに焦点合わせを行う場合と比較して、スループットを向上させることができる。またブロックに名称を付けて、そのブロックを搭載したマスクを製造する露光データを作成し、マスクに搭載されたブロックのうちで名称が指定されたブロックと一致するパターンを半導体装置から抽出する。従って、マスクに搭載されている全ブロックとICデータのパターンとが一致するかどうか処理を行う場合と比較して、スループットを向上させることができる。
【0119】
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。
【発明の効果】
上記説明した露光データ生成方法によれば、パターン一括露光を行うブロックマスクを使用した半導体装置の製造方法において、半導体設計規則で決められているパターンのサイズおよびパターン間のサイズを満たすようにパターンをブロック内に配置し、その後、マスク上のブロックと一致するパターンを半導体装置のレイアウトデータから抽出して半導体装置の露光データを作成する。従って、IC毎にブロックマスクを作成する場合と比較して、ブロックマスク作成のコストを削減し、IC製造のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のパターン一括露光処理を示すフローチャートである。
【図2】(a)はICデータの例を示し、(b)は基本図形Eとそれに対応するブロックとを示す図である。
【図3】ブロックマスクを使用して電子ビームで一括露光する処理を説明するための図である。
【図4】同一テクノロジの基本図形に共通に使用できるブロックについて説明するための図である。
【図5】複数の異なる基本図形を共通のブロックを用いて露光する方法を示す図である。
【図6】異なるダミーパターンを単一のブロックを用いて露光する方法を示す図である。
【図7】本発明による露光データ生成処理と電子ビーム露光処理を説明するための図である。
【図8】ブロックマスク製造用露光データを作成する処理を示すフローチャートである。
【図9】パラメタテーブルとそれに基づいて作成されるブロックの例を示す図である。
【図10】ブロックテーブルの構造を示す図である。
【図11】ウエハ製造用露光データを作成する処理を示すフローチャートである。
【図12】パターンテーブル作成処理を示すフローチャートである。
【図13】マトリクスパターンテーブルの作成例を示す図である。
【図14】マトリクスパターンテーブルの具体的な構造の一例を示す図である。
【図15】パターンテーブル作成の一例を示す図である。
【図16】パターンテーブルの構造の一例を示す図である。
【図17】ブロック配置テーブル作成処理においてブロックテーブルがコンタクト/ビアパターン抽出用及びダミーパターン抽出用の場合のフローチャートを示す。
【図18】最大ビーム照射範囲の例を示す図である。
【図19】最大ビーム照射範囲の制限の下で一括露光する処理の説明をするための図である。
【図20】最大ビーム照射範囲の制限の下で一括露光する処理の説明をするための図である。
【図21】ブロック配置テーブルの構造の一例を示す図である。
【図22】最大ビーム照射範囲で一括露光できないマトリクスパターンの例を示す図である。
【図23】ブロック配置テーブル作成処理においてブロックテーブルが配線パターン抽出用の場合のフローチャートを示す。
【図24】グループ作成の一例を示す図である。
【図25】パターングループからブロック配置テーブルを作成する処理を説明するための図である。
【図26】電子ビームの焦点合わせ回数を考慮したブロックマトリクス作成の方法を説明するための図である。
【図27】本発明による露光データ生成方法を実行する装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 ICデータ
2 ウエハ製造用露光データ
3 ブロックマスク製造用露光データ
4 ブロックマスク
5 ウエハ
10 ブロック
11 パターン
12 ブロックマスク
13 電子銃
14 第一アパチャ
15 偏向器
16 偏向器
17 ウエハ
Claims (10)
- 設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、
該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する
各段階を含むことを特徴とする露光データ生成方法。 - 該ブロックマスク製造用露光データを生成する段階は、該レイアウトデータを参照することなく該ブロックマスク製造用露光データの該ブロックを生成することを特徴とする請求項1記載の露光データ生成方法。
- 該ブロックマスク製造用露光データの該ブロックには、該パターンが該パターンサイズ及び該パターン間距離で該ブロックの領域全体に規則正しく敷き詰められていることを特徴とする請求項2記載の露光データ生成方法。
- 該ウエハ製造用露光データを生成する段階は、
該レイアウトデータから抽出される該パターン配置を1つ又は複数の部分領域に分割し、
該1つ又は複数の部分領域の1つずつを該ブロックによる一括露光の対象として割り当てる
各段階を含むことを特徴とする請求項1記載の露光データ生成方法。 - 該一括露光の対象は該ブロックの一部分を使用して一括露光する対象を含むことを特徴とする請求項4記載の露光データ生成方法。
- 該ウエハ製造用露光データを生成する段階は、該ブロックへの最大ビーム照射範囲を決定する段階を更に含み、該1つ又は複数の部分領域の1つずつを該最大ビーム照射範囲を超えずに一括露光可能なように該1つ又は複数の部分領域を決定することを特徴とする請求項4記載の露光データ生成方法。
- 該ウエハ製造用露光データを生成する段階は、該一括露光をする際の再焦点合わせの回数が少なくなるように該1つ又は複数の部分領域を決定することを特徴とする請求項4記載の露光データ生成方法。
- 該ブロックマスク製造用露光データを生成する段階は該ブロックに名称をつける段階を更に含み、該ウエハ製造用露光データを生成する段階は、該ブロックマスクに搭載されたブロックのうち名称が指定されたブロックに対して該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を該レイアウトデータから抽出することを特徴とする請求項1記載の露光データ生成方法。
- 該ブロックは、該半導体集積回路の回路動作に直接に関係するパターンが配置されたブロックと、該半導体集積回路の回路動作に直接には関係しないダミーパターンが配置されたブロックとを含むことを特徴とする請求項1記載の露光データ生成方法。
- 設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、
該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する
各段階をコンピュータに実行させることを特徴とする露光データ生成プログラム。
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