JP2006339469A - 半導体装置の製造方法、荷電粒子ビーム露光データ作成方法、荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム、及び、ブロックマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のL字状パターン及び逆L字状パターン、並びに、これら複数のL字状パターン及び逆L字状パターンを90度、180度、270度回転させた複数のL字状パターン及び逆L字状パターンの各1個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造し、このブロックマスクを使用してウエハ上のレジストにパターンを電子ビームで転写する。
【選択図】 図5
Description
84−1、84−2、84−N…ブロック
85−1、85−2、85−N…ブロック
86−1、86−2、86−N…ブロック
87−1、87−2、87−N…L字状パターン
88−1、88−2、88−N…L字状パターン
89−1、89−2、89−N…L字状パターン
90−1、90−2、90−N…L字状パターン
100−1、100−2、100−N…ブロック
101−1、101−2、101−N…ブロック
102−1、102−2、102−N…ブロック
103−1、103−2、103−N…ブロック
104−1、104−2、104−N…逆L字状パターン
105−1、105−2、105−N…逆L字状パターン
106−1、106−2、106−N…逆L字状パターン
107−1、107−2、107−N…逆L字状パターン
130…L字状パターン
133…電子ビーム
Claims (5)
- 縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のL字状パターン及び逆L字状パターン、並びに、該複数のL字状パターン及び逆L字状パターンを90度、180度、270度回転させた複数のL字状パターン及び逆L字状パターンの各1個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成し、該ブロックマスク製造用露光データを使用して前記ブロックマスクを製造する工程と、
製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成し、該荷電粒子ビーム露光データと前記ブロックマスクを使用して前記ウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行う工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記荷電粒子ビーム露光データを作成する場合において、
前記設計データからブロック露光するL字状パターン又は逆L字状パターンを抽出する場合に複数通りの方法がある場合、抽出し得るL字状パターン又は逆L字状パターンのうち、面積が最も小さいL字状パターン又は逆L字状パターンを抽出することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のL字状パターン及び逆L字状パターン、並びに、該複数のL字状パターン及び逆L字状パターンを90度、180度、270度回転させた複数のL字状パターン及び逆L字状パターンの各1個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、
製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を含む
ことを特徴とする荷電粒子ビーム露光データ作成方法。 - コンピュータに、
縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のL字状パターン及び逆L字状パターン、並びに、該複数のL字状パターン及び逆L字状パターンを90度、180度、270度回転させた複数のL字状パターン及び逆L字状パターンの各1個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、
製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を
実行させるプログラムを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム。 - 縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のL字状パターン及び逆L字状パターン、並びに、該複数のL字状パターン及び逆L字状パターンを90度、180度、270度回転させた複数のL字状パターン及び逆L字状パターンの各1個が形成された複数のブロックを有する
ことを特徴とするブロックマスク。
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