JPH0468519A - 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［目　次］ 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第１０図） 発明が解決しようとする課題（第１１図〜第１６図）課
題を解決するための手段（第１図〜第３図）作用 実施例 （ｉ）第１の実施例の説明（第４図〜第７図）（１１）
第２の実施例の説明（第８図）（ｉｉｉ）第３の実施例
の説明（第９図）発明の効果 ［概　要］ 荷電粒子ビーム露光装置、特に複数のブロックパターン
が設けられたビーム通過部に矩形電子ビーム等を照射し
、半導体集積回路装置（以下ＬＳＩという）の屈曲配線
パターンを露光する装置に関し、 該ＬＳＩの屈曲配線パターン等を多種類の屈曲ブロック
パターンに依存して露光処理することなく、該ブロック
パターンの形状を工夫し、最少限のブロックパターンを
用いて、効率良く該配線パターンの露光処理をすること
を目的とし、その装置は、少なくとも、被露光対象に矩
形荷電粒子ビームを出射する荷電粒子発生手段と、前記
矩形荷電粒子ビームを偏向する偏向手段と、前記矩形荷
電粒子ビームを整形する複数のブロックパターンから成
るビーム整形手段と、前記ブロックパターンのビーム通
過部の一部を遮断するビーム遮断手段と、前記荷電粒子
発生手段、偏向手段ビーム整形手段及びビーム遮断手段
の入出力を制御する制御手段とを具備し、前記ブロック
パターン又は前記遮断されたビーム通過部以外のプロ。

クパターンを前記被露光対象にパターン露光することを
含み構成し、 前記装置において、前記ブロックパターンの一つが複数
のビーム通過部から成り、前記ビーム通過部の各長さが
順次増加する一定の関係に規定され、かつ、前記複数の
ビーム通過部が台形状に並べられていることを含み構成
する。

［産業上の利用分野］ 本発明は、荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム
露光方法に関するものであり、更に詳しく言えば、複数
のブロックパターンが設けられたビーム通過マスクに矩
形電子ビームを照射し、ＬＳＩの屈曲配線パターンを露
光する装置及び方法に関するものである。

近年、ＬＳＩの高集積化、高密度化に伴い微細パターン
露光は、ホトリソグラフィに代わって、荷電粒子線を用
いる方法９例えば、電子ビームやＸ線によるパターン露
光に移行されつつある。

ところで、メモリセルのワード線、ビット線や排他論理
ゲート回路の配線パターンは、繰り返しパターンとなっ
ている。このため、ステンシルマスク（ビーム通過マス
ク）に設けられた複数のブロックパターンの一つを選択
し、それに矩形電子ビームを照射し、ＬＳＩの屈曲配線
パターンを露光するブロック露光方式が採用され、その
露光処理の効率向上が図られている。

しかし、ＬＳＩの屈曲配線パターン、例えば、コンタク
トホールや他のトランジスタ等の障害物を回避する迂回
配線パターンを露光処理する場合、多種類の屈曲ブロッ
クパターンが必要となる。また、給電点に対して階段状
に電源を供給する階段状給電配線パターンを露光処理す
る場合には、階段状のブロックパターンが必要となる。

これにより、屈曲ブロックパターンや階段状のブロック
パターン等がステンシルマスク（ビーム通過マスク）を
多く占有し、他の露光処理に必要な多種類のブロックパ
ターンの設置の妨げとなること、及びブロックパターン
の選択に多くの時間を要し、高速露光の妨げとなるとい
う問題がある。

そこで、ＬＳＩの屈曲配線パターン等を多種類の屈曲ブ
ロックパターンに依存して露光処理することなく、該ブ
ロックパターンの形状を工夫して、最少限のブロックパ
ターンを用いて、効率良く該配線パターンのブロック露
光処理をすることができる装置及び方法が望まれている
。

［従来の技術］ 第１０〜１６図は、従来例に係る説明図である。

第１０図は、従来例ムこ係る電子ビーム露光装置の構成
図である。

図において、矩形電子ビーム１ａにより、半導体ウェハ
７にＬＳＩのブロックパターンの露光処理をする装置は
、電子発生源１．偏向駆動回路２ａ、矩形整形アパーチ
ャ２ｂ、第１．第２の偏向Ｂ２ｃ、２ｄ、ステンシルマ
スク３．マスク移動回路４．露光制御計軍機５及びステ
ージ駆動回路６から成る。

なお、ステンシルマスク３は、同図の破線円内図に示す
ように複数のブロックパターン３ａ〜３ｄ・・・から成
り、例えば、ＬＳＩの屈曲配線パターンやコンタクトホ
ールパターン等の基本露光パターンが設けられている。

また、当該露光装置の機能は、電子発生ｆ１１から出射
された電子ビームが矩形整形アパーチャ２ｂにより矩形
電子ビーム１ａに整形され、該矩形電子ビーム１ａが偏
向駆動回路２ａを介して、偏向器２ｃにより偏向される
。この偏向処理により、マスク移動回路４を介してステ
ンシルマスク３の一つのブロックパターン、例えば、屈
曲ブロックパターン３ａが選択される。また、該ブロッ
クパターン３ａを通過した矩形電子ビームＩａが第２の
偏向器２ｄにより半導体ウェハ７で偏向走査される。こ
れにより、該ウェハ７にＬＳＩの屈曲配線パターンを露
光処理することができる。

その後、半導体ウェハ７の被露光領域を変えるためにス
テージ駆動回路６によりステージ移動がされる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、従来例によれば、第１１〜１６図に示すよう
に、ＬＳＩの屈曲配線パターンの露光処理をする場合に
、ステンシルマスク３に設けられた複数のブロックパタ
ーンＢ１１−８２０の一つを選択し、それに矩形電子ビ
ーム１ｂの照射処理をし−Ｃいるにのため、ＬＳＩの屈
曲配線パターン専用のブロックパターンがステンシルマ
スク３に多く占有したり、その選択に多くの時間を要し
、高速露光の妨げとなることがある。

すなわち、第１の問題点を説明する第１１図（ａ）にお
いて、迂回配線パターンのＬ１、Ｌ３の直線部分は、ス
テンシルマスク３のブロックパターンＢ１４（第１２図
参照）が選択されて、矩形電子ビームｌｂを照射処理す
ることにより露光処理される。

また、該配線パターンＬ２の屈曲部分は、ステンシルマ
スク３のブロックパターンＢ１１　（’ｔＲ１２図参照
）が選択されて、矩形電子ビーム１ｂを照射処理するこ
とにより露光処理される。

同様に、同図（ｂ）、　　（ｃ）においては、迂回配線
パターンＬ２の屈曲部分は、ステンシルマスク３のブロ
ックパターンＢ１２及びＢ１３（第１２図参照）がそれ
ぞれ選択されて、矩形電子ビーム１ｂを照射処理するこ
とにより露光処理される。なお、ブロックパターンＢ１
１〜Ｂ１３は、Ｌ型屈曲パターンとクランク型屈曲パタ
ーンとの合成パターンである。

これにより、配線の長さや幅が制限されたブロックパタ
ーンＢ１１〜Ｂ１４の４種類が必要となる。

なお、このような迂回配線パターンは、メモリセルのワ
ード線、ビット線や排他論理和ゲート回路の配線がコン
タクトホールや他のトランジスタ等の障害物８を迂回す
るパターンに見られ、そのパターンは平行に同間隔を保
った状態で折れ曲がる繰り返しパターンとなっている。

第１３図（ａ）、　　（ｂ）は、従来例に係る第２の問
題点を説明する階段状給電配線パターン図を示している
。

同図（ａ）において、階段状給電配線パターンの階段状
給電部９は、ステンシルマスク３のプロッタパターンＢ
１５（第１４図参照）が選択されて、矩形電子ビーム１
ｂを照射処理することにより露光処理される。

また、該給電配線パターンの平行線部Ｌ４は、ステンシ
ルマスク３のブロックパターンＢ１７（第１４図参照）
が選択されて、矩形電子ビーム１ｂを照射処理すること
により露光処理される。

同様に、同図（ｂ）において、階段状給電部９とミラ一
対称パターンとなる部分は、ステンシルマスク３のブロ
ックパターン８１６（第１４図参照）が選択されて、矩
形電子ビーム１ｂを照射処理することにより露光処理さ
れる。

これにより、ブロックパターンＢＩ５〜ＢＩＴの３種類
が必要となる。なお、このような階段状給電配線パター
ンは、多層配線の上下層間の接続点等に見られる。

第１５図は、従来例に係る第３の問題点を説明する迂回
配線パターン図を示している。

同図（ａ）において、第１の問題点の迂回配線パターン
との相違点は、第３の問題点の迂回配線パターンの障害
物に沿う平行線部分Ｌ５が長いため、該配線パターンの
屈曲部Ｌ６〜Ｌ８にＬ型屈曲ブロックパターンＢ１８〜
Ｂ２０等を用いるものである。

これにより、ＬＳＩの屈曲配線パターン専用の屈曲ブロ
ックパターンＢ１１−Ｂ１０．　　Ｂ１７〜Ｂ２０や階
段状のブロックパターンＢ１５．　８１６等がステンシ
ルマスク３に多く占有し、他の露光処理に必要な多種類
のブロックパターンの設置の妨げとなったり、そのブロ
ックパターンの選択に多くの時間を要し、高速露光の妨
げとなるという問題がある。

本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたもの
であり、ＬＳＩの屈曲配線パターン等を多種類の屈曲ブ
ロックパターンに依存して露光処理することなく、該ブ
ロックパターンの形状を工夫し、最少銀のブロックパタ
ーンを用いて、効率良く該配線パターンの露光処理をす
ることが可能となる荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒
子ビーム露光方法の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１．第２図は、本発明に係る荷電粒子ビーム露光装置
の原理図、第３図は、本発明に係る荷電粒子ビーム露光
方法の原理図をそれぞれ示している。

その露光装置は、第１図に示すように、少なくとも、被
露光対象１６に矩形荷電粒子ビーム１１ａを出射する荷
電粒子発生手段１１と、前記矩形荷電粒子ビーム１１ａ
を偏向する偏向手段１２と、前記矩形荷電粒子ビーム１
１ａを整形する複数のブロックパターンＢＩ　　Ｂ２・
・・Ｂｎから成るビーム整形手段Ｉ３と、前記ブロック
パターンＢ１．Ｂ２・・・Ｂｎのビーム通過部Ｈ１，Ｈ
２・・・Ｈｎの一部を遮断するビーム遮断手段１４と、
前記荷電粒子発生手段１１．偏向手段１２．　ビーム整
形手段１３及びビーム遮断手段１４の入出力を制御する
制御手段１５とを具備し、前記ブロックパターンＢＩＢ
２・・・Ｂｎ又は前記遮断されたビーム通過部ＨＩＨ２
・・・Ｈｎ以外のブロックパターンＢ１、Ｂ２・・・Ｂ
ｎを前記被露光対象１６に露光することを特徴とし、 前記露光装置において、第２図（ａ）に示すように前記
ブロックパターンＢ１、Ｂ２・・・Ｂｎの一つが複数の
ビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎから成り、前記ビー
ム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの長さ２１．１２・・・
ｉｎが順次増加をする一定の関係１１〈１２〈・・・＜
ｉｎに規定され、かつ、前記複数のビーム通過部Ｈ１，
Ｈ２・・・Ｈｎが台形状に並べられていることを特徴と
し、 また、前記露光装置において、前記複数のビーム通過部
Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの台形状の内部挟角θが所望する
屈曲パターンＰＮの折れ曲がり角φの１／２にされるこ
とを特徴とし、 さらに、前記露光装置において、第２図（ｂ）に示すよ
うに前記ブロックパターンＢ１、Ｂ２・・・Ｂｎは、少
なくとも、４種類のブロックパターン８１〜Ｂ４から成
り、前記ブロックパターン８１〜Ｂ４が、前記台形状に
並べられた複数のビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎを
９０度づつ回転した４つの形状パターンから成ることを
特徴とし、前記露光装置において、第２図（ｃ）に示す
ように前記４種類のブロックパターン８１〜Ｂ４の複数
のビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの最小長さ１１は
、前記矩形荷電粒子ビーム１１ａの一辺の幅Ｗよりも長
くすることを特徴とし、 その露光方法は、第３図（ａ）に示すように前記台形状
のブロックパターンＢｉを用いて、被露光対象１６にＬ
ＳＩパターン露光をする方法であって、同図（ｂ）にお
いて、まず、ステップＰ１で前記ブロックパターンＢｉ
の一部を覆うビーム遮断処理をし、次いで、ステ、ブＰ
２で前記ビーム遮断処理されたブロックパターンＢ１に
荷電粒子ビーム１１ａを照射する第１の照射処理と、ス
テップＰ３で前記ブロックパターンＢｉの一部領域を選
択する選択処理をし、ステップＰ４で前記選択処理され
たブロックパターンＢｉの一部領域に荷電粒子ビーム１
１ａを照射する第２の照射処理とに基づいて、ステップ
Ｐ５で複数の直線パターンＰＳ及び屈曲パターンＰＣの
合成露光処理をすることを特徴とし、上記目的を達成す
る。

〔作　用〕

本発明の装置によれば、第１．２図に示すように、複数
のビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎが台形状に並べら
れ、その内部挟角θが所望する屈曲パターンＰＮの折れ
曲がり角φの１／２にされているブロックパターンＢ１
．Ｂ２・・・Ｂ４から成るビーム整形手段１３と、ブロ
ックパターンＢ１、Ｂ２・・・Ｂ４のビーム通過部Ｈ１
，Ｈ２−・・Ｈｎの一部を遮断するビーム遮断手段１４
とが設けられている。

例えば、任意の配線パターンから折れ曲がり角φの屈曲
パターンＰＮを介して他の配線パターンに至る迂回配線
パターンを露光処理する場合、まず、荷電粒子発生手段
１１から被露光対象１６に矩形荷電粒子ビーム１１ａが
出射されると、偏向手段１２により該矩形荷電粒子ビー
ム１１ａがビーム整形手段１３に偏向される。この際に
、内部挟角θの台形状に並べられた複数のビーム通過部
ＨＩＨ２・・・Ｈｎ、　　これを第１のブロックパター
ンＢ１とすれば、該ブロックパターンＢ１を矩形荷電粒
子ビーム１１ａが通過する。これにより、整形された矩
形荷電粒子ビーム１１ａが被露光対象１６に偏向照射さ
れ、内部挟角θの台形状に並べられ、かつ、その長さ１
、１２・・・ｊｌ！ｎが順次増加をする一定の関係Ｎｌ
＜１！２＜・・・〈ｉｎに規定された複数の相位形パタ
ーンを被露光対象１６に露光処理をすることができる。

次に、第１のブロックパターンＢ１を９０度。

時計方向に回転した第２のブロックパターンＢ２が選択
され、該第２のブロックパターンＢ２のビーム通過部Ｈ
１，Ｈ２・・・Ｈｎの一部がビーム遮断手段１４により
遮断される。この一部遮断されたビーム通過部Ｈ１，Ｈ
２・・・Ｈｎを矩形荷電粒子ビーム１１ａが通過する。

これにより、整形された矩形荷電粒子ビーム１１ａが被
露光対象１６に偏向照射され、折れ曲がり角φの同一の
長さの屈曲パターンＰＮを被露光対象１６に露光処理を
することができる。

さらに、第２のブロックパターンＢ２を、さらに９０度
１時計方向に回転した第３のブロックバターンＢ３が選
択され、該第３のブロックパターンＢ３のビーム通過部
Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎを矩形荷電粒子ビーム１１ａが通
過する。これにより、整形された矩形荷電粒子ビーム１
１ａが被露光対象１６に偏向照射され、内部挟角θの台
形状に並べられ、かつ、その長さ１１．１２・・・ｉｎ
が順次増加をする一定の関係１１〈１２〈・・・〈ｌｎ
に規定された複数の迂回配線パターンを先の屈曲パター
ンＰＮに合成露光処理をすることができる。

このため、４種類の台形状ブロックパターンＢ１−８４
を用いて従来例と同様なＬＳＩの屈曲配線パターンの露
光処理をすることが可能となる。

これにより、ＬＳＩの屈曲配線パターン専用の屈曲ブロ
ックパターンや階段状のブロックパターン等の設置数の
削減化を図ることが可能となる。

また、本発明の露光方法によれば、第３図（ｂ）に示す
ようにステップＰｉ、Ｐ２による第１の照射処理と、ス
テップＰ３．Ｐ４による第２の照射処理とに基づいて、
複数の直線パターンＰＬ及び屈曲パターンＰＣの合成露
光処理をしている。

このため、少種類のブロックパターンＢ１〜Ｂ４を用い
て、従来例のような迂回配線パターンや階段状給電配線
パターンを効率良く、かつ、高速に露光処理することが
可能となる。

これにより、荷電粒子ビーム露光装置のスループット及
びブロック露光機能の向上を図ることが可能となる。

（実施例］ 次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。

第４〜９図は、本発明の実施例に係る荷電粒子ビーム装
置及び荷電粒子ビーム方法を説明する図である。

（ｉ）第１の実施例の説明 第４図は、本発明の各実施例に係る電子ビーム露光装置
の構成図を示している。

図において、荷電粒子ビームの一実施例となる電子ビー
ムを用いた電子ビーム露光装置は、矩形電子ビーム発生
系２１．第１の偏向系２２Ａ、第２の偏向系２２Ｂ、ス
テンシルマスク２３．ビーム遮断機構２４及び露光制御
系２５等から成る。

すなわち、２１は荷電粒子発生手段１１の一実施例とな
る矩形電子ビーム発注系であり、電子銃２１Ａ　　グリ
ッド電極２１Ｂ、アノード電極２１Ｃ１矩形整形アパー
チヤ２ＬＤ、第１の電子レンズ２１Ｅ及びアライメント
コイル２１Ｆ等から成る。該矩形電子ビーム発生系２１
の機能は、電子銃２１Ａで発生した電子ビーム２１ａを
グリッドｔＦｊ２１　Ｂ及びアノード電極２１Ｃを介し
て加速し、矩形整形アパーチャ２１Ｄにより、該電子ビ
ーム２１ａを矩形状に整形し、それを第１の電子レンズ
２１Ｅにより、適当な照射面積の矩形電子ビーム２１ａ
を出射するものである。

２２Ａは偏向手段１２の一部を構成する第１の偏向系で
あり、スリットデフレクタ２２１及び第２の電子レンズ
２２２等から成る。第１の偏向系２２Ａの機能は、ステ
ンシルマスク２４に複数設けられたブロックパターン８
１〜Ｂｎに矩形電子ヒーム２１ａを位置合わせするもの
である。

２３は、ビーム整形手段１３の一実施例となるステンシ
ルマスクであり、被露光対象１６の一例となる半導体ウ
ェハ２７に基本露光パターンを露光するブロックパター
ン８１〜Ｂｎが複数設けられている。なお、本発明の実
施例では、ＬＳＩの迂回配線パターンや階段状給電配線
パターンを露光するための特別のブロックパターン８１
〜Ｂ４が設けられている。該プロ、クパターン８１〜Ｂ
４については、第５図において詳述する。

２４はビーム遮断手段１４の一実施例となるビーム遮断
機構であり、ブロックパターン８１〜Ｂｎに位置合わせ
された矩形荷電粒子ビーム２１ａの一部を遮断するもの
である。なお、ビーム遮断機構２４については、第６図
において詳述する。

２２Ｂは偏向手段１２の他の部分を構成する第２の偏向
系であり、第３〜第５の電子レンズ２２３〜２２５、ブ
ランキング偏向器２２６．アパーチャ２２７メインデフ
コイル２２８及びサブデフレクタ２２９等から成る。第
２の偏向系２２Ａの機能は、ステンシルマスク２３で選
択された任意のブロックパターンＢｉを通過した矩形電
子ビーム２１ａを偏向するものである。これにより、半
導体ウェハ２７にブロックパターンＢｉを通過した矩形
電子ビーム２】ａに基づくパターンが露光処理される。

２５は制御手段１５の一実施例となる露光制御系であり
、データメモリ５１．パターン制御コントローラ５２．
第１〜第４のデジタル／アナログ変換増幅回路〔以下Ｄ
ＡＣ／ＡＭＰという）５３，５７゜５１０．５１１　、
遮断部駆動回路５４．マスク移動回路５５、ブランキン
グ制御回路５６．シーケンスコントローラ５Ｂ、偏向制
御回路５９．インターフェイス回路５１２．露光データ
記憶装置５１３及び中央演算処理装置（以下ＣＰＵとい
う）５１４等から成る。

露光制御系２５の動作は、まず、露光データ記憶装置５
１３からの露光データＤ１がＣＰＵ５１４゜インターフ
ェイス回路５１２を介して、データメモ’Ｊ　５１及び
シーケンスコントローラ５８に入力される。また、デー
タメモリ５１からのパターンデータＰＤがパターン制御
コントローラ５２を介して、ＤＡＣ／ＡＭＰ　５３　、
遮断部駆動回路５４及びマスク移動回路５５に人力され
、これにより、第１の偏向系２２Ａのスリットデフレク
タ２２１．ステンシルマスク２３及びビーム遮断機構２
４がそれぞれ駆動制御される。さらに、該パターンデー
タＰＤに基づいてブランキング制御回路５６及びＤＡＣ
／Ａ！ＩＰ５７により、ブランキング偏向器２２６が駆
動制御される。

一方、シーケンスコントローラ５８からの偏向データＤ
Ｄが偏向制御回路５９とステージ駆動系２６に入力され
る。また、偏向制御回路５９からのＸ、Ｙ偏向データＤ
Ｘ、ＤＹがＤＡＣ／ＡＭＰ　５１０，５１１に入力され
、これにより、第２の偏向系のメインデフコイル２２８
及びサブデフレクタ２２９等が駆動制御される。

なお、２６はステージ駆動系であり、ステージ移動機構
２６Ａ、ステージ２６Ｂ及びレーザ干渉計等から成る。

ステージ駆動系２６の機能は、シーケンスコントローラ
５８からのステージ駆動データＳＤに基づいて半導体ウ
ェハ２７を載置したステージ２６Ｂの駆動制御やその移
動位置の計測制御をするものである。

第５図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の各実施例に係るプロ
・２クパターンを説明する図であり、同図（ａ）は、そ
のビーム通過部の上面図を示している。

同図（ａ）において、Ｈ１〜Ｈｎはビーム通過部であり
、ステンシルマスク２３に設けられた一つのブロックパ
ターンＢｉに開口された複数の開口形状を示している０
本発明の実施例では、ビーム通過部Ｈ１〜ＨｎがＬＳＩ
の迂回配線パターンや階段状給電配線パターンを露光す
るための特別のブロックパターン８１〜Ｂ４を形成する
ものである。

すなわち、ビーム通過部Ｈ−Ｈｎの一つの開口部は、幅
数μｍ、長さ数十μｍの線状形を有し、その長さ１１．
１２・・・ｉｎが順次増加をする一定の関係１１＜１２
＜・・・＜ｉｎに規定され、がっ、複数のビーム通過部
Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎが台形状に並べられるものである
。

また、台形状のプロ、クパターン８１〜Ｂ４の内部挟角
θが所望する屈曲パターンＰＮの折れ曲がり角φの１／
２に規定されるものである。例えば、第１１図（ｂ）に
示すような任意の配線バタンから折れ曲がり角φ−９０
度の屈曲パターンＰＮを介して他の配線パターンに至る
迂回配線パターンを露光処理する場合には、台形状の内
部挟角θを４５度に規定する。

また、第５図（ｂ）は、４つの台形状のブロックパター
ン８１〜Ｂ４の基本形状を示している。

同図（ｂ）において、Ｂ１は第１のブロックパターンで
あり、複数のビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎが台形
状に並べられたブロックパターンが、例えば、最長ビー
ム通過部Ｈｎを電子ビーム光学系の座標Ｙ軸に平行に設
けられていると仮定した場合、その上下部分に階段状パ
ターンが形成され、その中間部分に複数の平行線パター
ンが形成されるものである。

なお、８２〜Ｂ４は第２〜第４のプロノクパタンであり
、第１のブロックパターンＢ】を時計方向に９０．１８
０　、２７０度回転させたブロックパターンをそれぞれ
示している。

また、第５図（ｃ）は、台形状のブロックパターン８１
〜Ｂ４と矩形電子ビーム２１ａとの関係を説明する上面
図である。

同図（Ｃ）において、Ｗは矩形電子ビーム２１ａの幅で
あり、台形状のブロックパターン８１〜Ｂ４の複数のビ
ーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの最小長さ！１に対し
てｗ＜４２１の関係にされるものである。これは、ビー
ム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの中間部分の複数の平行
線パターンを使用して複数の直線配線パターンを露光す
るためである。例えば、当該露光装置の偏向系に基づき
矩形電子ビーム２１ａの最大幅ｗ＋ｗａｘが規定される
場合に、最小長さ１１が最大幅ｗｍａｘに対してｗｍａ
ｘ＜１１となるように、該長さ！１のビーム通過部Ｈ１
を形成するものである。

第６図（ａ）、（ｂ）は、本発明の各実施例に係るビー
ム遮断機構を説明する図であり、同図（ａ）は、その上
面図を示している。

同図（ａ）において、ビーム遮断機構２４は、４つの台
形状のブロックパターン８１〜Ｂ４の直上に設けられ、
矩形電子ビーム２１ａの一部通過を阻止する一対のビー
ム一部遮断マスク２４Ａ、　２４Ｂと、その駆動をする
Ｘ、　　Ｙ微少駆動機構２４Ｃ（Ｙ方向は不図示）から
成る。なお、本発明の実施例では、台形状の内部挟角θ
を４５度に規定したために、ビーム一部遮断マスク２３
Ａのマスク角θｍを４５度の規定している。

同図（ｂ）は、２つの台形状のブロックパターンＢ２．
Ｂ４とビーム遮断機構２４により露光される配線パター
ンを示している。

同図（ｂ）において、ＰＮＩ、ＰＮ２は平行四辺形状パ
ターン群をそれぞれ示している。これは、台形状のブロ
ックパターンＢ２．Ｂ４上にＸ微少駆動機構２４Ｃを介
して、ビーム一部遮断マスク２４ＡをＹ軸に平行に移動
することにより露光される配線パターン群を示している
。なお、同様に、台形状のブロックパターンＢ１、Ｂ３
上にＹ微少駆動機構を介して、ビーム一部遮断マスク２
４ＢをＹ軸に平行に移動することにより９０度回転した
配線パターン群が得られるものである。

このようにして、本発明の実施例に係る露光装置によれ
ば、第５図（ａ）〜（Ｃ）に示すように、複数のビーム
通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎが台形状に並べられ、その
内部挟角θ−４５度が所望する屈曲パターンＰＮの折れ
曲がり角φ−９０度の１／２にされるブロックパターン
Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂ４がら成るステンシルマスク２３と
、ブロックパターンＢ１、Ｂ２・・・Ｂ４のビーム通過
部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの一部を遮断するビーム遮断機
構２４が設けられている。

例えば、任意の配線パターンから折れ曲がり角φ−９０
度の屈曲パターンＰＮを介して他の配線パターンに至る
迂回配線パターンを露光処理する場合、まず、矩形電子
発生形２１がら半導体ウェハ２７に矩形電子ビーム２１
ａが出射されると、第１の偏向系２２Ａにより該矩形電
子ビーム２１ａがステンシルマスク２３に偏向される。

この際に、内部挟角θ−４５度の台形状に並べられた複
数のビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎを有する第１の
ブロックパターンＢｌを矩形電子ビーム２１ａが通過す
る。これにより、整形された矩形電子ビーム２１ａが半
導体ウェハ２７上に偏向照射され、内部挟角θ−４５度
の台形状に並べられ、かつ、その長さＮ１．Ａ２・・・
ｌｎが順次増加をする一定の関係１１＜ｆｆ２＜・・・
＜ｊｌ！ｎに規定された複数の相似形パターンが露光処
理される。

次に、第１のブロックパターンＢ１を９０度時計方向に
回転した第２のブロックパターンＢ２が選択され、該第
２のブロックパターンＢ２のビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・
・・Ｈｎの一部がビーム遮断機１２４により遮断される
。この一部遮断されたビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈ
ｎを矩形電子ビーム２１ａが通過する。これにより、整
形された矩形電子ビーム２１ａが半導体ウェハ２７上に
偏向照射され、折れ曲がり角φ＝９０度１かつ線分長同
一の屈曲パターンＰＮを該ウェハ２７に露光処理をする
ことができる。

さらに、第２のフ゛ロンクパターンＢ２を、さらに９０
度１時計方向に回転した第３のブロックパターンＢ３が
選択され、該第３のブロックパターンＢ３のビーム通過
部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎを矩形電子ビーム２１ａが通過
する。これにより、整形された矩形電子ビーム２１ａが
半導体ウエノ飄２７上に偏向照射され、内部挟角θ＝４
５度の台形状に並べられ、かつ、その長さｎ１、ｆ２・
・・ｉｎが順次増加をする一定の関係１１〈Ｉ！２〈・
・・＜ｆｌｎに規定された複数の迂回配線パターンを先
の屈曲パタンＰＮに合成露光処理をすることができる。

このため、４種類の台形状ブロックパターンＢ１−８４
を用いて従来例と同様なＬＳＩの屈曲配線パターンの露
光処理をすることが可能となる。

これにより、ＬＳＩの屈曲配線パターン専用の屈曲ブロ
ックパターンや階段状のブロックパターン等の設置数の
削減化を図るこ５が可能となる。

次に、本発明の各実施例に係る電子ビーム露光方法につ
いて、当該装置の動作を補足しながら説明をする。

第７図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施例に係る
迂回配線パターンの露光工程図であり、ブロックパター
ンＢ１〜Ｂ４及び矩形電子ビーム２１ａの偏向照射と半
導体ウェハ２７に露光された配線パターンとの関係を示
している。

図において、例えば、第１１回のような障害物８を迂回
する迂回配線パターンを露光処理する場合、まず、ステ
ンシルマスク２３の第１のブロノクノぐターンＢｌの領
域選択処理をする。この際の領域選択処理は、パターン
制御コントローラ５２からパターンデータＰＤがＤＡＣ
／ＡＭＰ　５３　、遮断部駆動回路５４及びマスク移動
回路５５に入力され、これにより、第１の偏向系２２Ａ
のスリットデフレクタ２２１．ステンシルマスク２３及
びビーム遮断機構２４がそれぞれ駆動制御されることに
より行われる。なお、ビーム遮断機構２４のビーム一部
遮断マスク２４Ａはブロックパターン８１〜Ｂ４の領域
外に退避されている。また、矩形電子ビーム２１ａはビ
ーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの中間部分に位置合わ
せされる（同図（ａ））。

次に、第２の偏向系２２Ｂにより、矩形電子ビーム２１
ａをビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの中間部分に位
置合わせした状態で偏向処理をする。この際に、パター
ンデータＰＤに基づいてブランキング制御回路５６及び
ＤＡＣ／ＡＭＰ　５７により、ブランキング偏向器２２
６が駆動制御され、矩形電子ビーム２１ａが半導体ウェ
ハ２７に到達する。一方、ソーケンスコントローラ５８
からの偏向データＤＤが偏向制御回路５９により信号処
理されてＸ、Ｙ偏向データＤＸ、ＤＹとなって、ＤＡＣ
／ＡＩ’ＩＰ　５１０，５１１に入力される。これによ
り、第２の偏向系のメインデフコイル２２８及びサブデ
フレクタ２２９等が矩形電子ビーム２１ａを偏向走査（
第２の照射処理）することにより、半導体ウェハ２７上
に直線パターンＰＬを露光処理することができる（同図
（ｂ））。

次いで、第１の偏向系により矩形電子ビーム２１ａを第
１のブロックパターンＢ１の階段状開口部に位置合わせ
をする。この際も、パターン制御コントローラ５２から
パターンデータＰＤがＤＡＣ／ＡＭＰ５３及びマスク移
動回路５５に入力され、これにより、第１の偏向系２２
Ａのスリットデフレクタ２２１及びステンシルマスク２
３がそれぞれ駆動制御されることにより行われる。これ
により、半導体ウェハ２７上にその先端が階段形状をを
し、定の関係に規定された複数の配線パターンを露光処
理することができる（同図（Ｃ））。

さらに、ステンシルマスク２３の第２のブロックパター
ンＢ２の領域選択処理をする。この際の領域選択処理は
、パターン制御コントローラ５２からパターンデータＰ
ＤがＤＡＣ／ＡＭＰ　５３　、遮断部駆動回路５４及び
マスク移動回路５５に入力され、これにより、第１の偏
向系２２Ａのスリットデフレクタ２２１　　ステンシル
マスク２３及びビーム遮断機１２４がそれぞれ駆動制御
されることにより行われる。なお、ビーム遮断機構２４
のビーム一部遮断マスク２４ＡがブロックパターンＢ２
の一部の遮断処理をする。この遮断処理は、迂回配線パ
ターンの障害部８の長さに基づいて行われる。

これにより、第２の偏向系２２Ｂを介して矩形電子ビー
ム２１ａを照射（第１の照射処理）することにより、半
導体ウェハ２７上にその先端が９０度に折れ曲がり、か
つ、折れ曲がり部分から一定の長さの階段形状を有した
複数の屈曲パターンＰＣを露光処理することができる（
同図（ｄ））。

その後、第１の偏向系により矩形電子ビーム２１ａを第
３のブロックパターンＢ３の階段状開口部に位置合わせ
をする。この際も、パターン制御コントローラ５２から
パターンデータＰＤがＩ）ＡＣ／ＡＭＰ５３及びマスク
移動回路５５に入力される。また、第１の偏向系２２Ａ
のスリットデフレクタ２２１及びステンシルマスク２３
がそれぞれ駆動制御される。これにより、半導体ウェハ
２７上に先の複数の配線パターンに連続する一定の関係
に規定された複数の配線パターンを露光処理することが
できる（同図（ｅ））。

次いで、第２の偏向系２２Ｂにより、矩形電子ビーム２
１ａを第３のブロックパターンＢ３のビームＩ過部Ｈ，
１，Ｈ２・・・Ｈｎの中間部分に位置合わせした状態で
偏向処理をする。この際に、シーケンスコントローラ５
８からの偏向データＤＤが偏向制御回路５９により信号
処理されてＸ、Ｙ偏向データＤＸ、ＤＹとなって、ＤＡ
Ｃ／ＡＭＰ　５１０，５１１に入力される。また、第２
の偏向系のメインデフコイル２２８及びサブデフレクタ
２２９等が矩形電子ビム２１ａを偏向走査（第２の照射
処理）する。

これにより、半導体ウェハ２７上に先の複数の配線パタ
ーンに連続する直線パターンが合成露光処理され、第１
１図（ａ）に示すような迂回配線パターンを露光するこ
とが可能となる（同図（ｆ））。

このようにして、本発明の第１の実施例に係る露光方法
によれば、第７図（ｄ）に示した第１の照射処理と、同
図（ａ）〜（ｃ）、　　（ｅ）、　　（ｆ）に示した第
２の照射処理とに基づいて、複数の直線パターンＰＬ及
び屈曲パターンＰＣの合成露光処理をしている。

このため、４種類のブロックパターン８１〜Ｂ４を用い
て、従来例のような迂回配線パターン（第１１図（ａ）
〜（Ｃ）参照）を効率良く、かつ、高速に露光処理する
ことが可能となる。

これにより、電子ビーム露光装置のスルーブツト及びブ
ロック露光機能の向上を図ることが可能となる。

（１１）第２の実施例の説明 第８図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施例に係る
階段状給電配線パターンの露光工程図であり、ブロック
パターンＢ２．Ｂ４及び矩形電子ビーム２１ａの偏向照
射と半導体ウェハ２７に露光された配線パターンとの関
係を示している。

図において、例えば、第１３図のような階段状給電部９
に電源を供給する階段状給電配線パターンを露光処理す
る場合、まず、ステンシルマスク２３の第２のブロック
パターンＢ２の領域選択処理をする。この際の領域選択
処理は、パターン制御コントローラ５２からパターンデ
ータＰＤがＤＡＣ／ＡＭＰ５３．遮断部駆動回路５４及
びマスク移動回路５５に入力され、これにより、第１の
偏向系２２Ａのスリットデフレクタ２２１．ステンシル
マスク２３及びビーム遮断機構２４がそれぞれ駆動制御
されることにより行われる。なお、ビーム遮断機構２４
のビーム一部遮断マスク２４Ａはブロックパターン８１
〜Ｂ４の頭載外に退避されている。また、矩形電子ビー
ム２１ａはビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの階段状
部分に位置合わせされる。

次に、この状態で、パターンデータＰＤに基づいてブラ
ンキング制御回路５６及び［ｌＡＣ／ＡＭＰ　５７によ
り、ブランキング偏向器２２６が駆動制御され、矩形電
子ビーム２１ａが半導体ウェハ２７に到達する。一方、
ソーケンスコントローラ５日からの偏向データＤＤが偏
向制御回路５９により信号処理されてＸ、Ｙ偏向データ
ＤＸ、ＤＹとなって、ＤＡＣ／ＡＭＰ　５１０，５１１
に入力される。これにより、第２の偏向系のメインデフ
コイル２２８及びサブデフレクタ２２９等が矩形電子ビ
ーム２１ａを偏向走査（第２の照射処理）することによ
り、半導体ウェハ２７上に階段状給電配線パターンＰＳ
を露光処理することができる（同図（ａ））。

次いで、第１の偏向系により矩形電子ビーム２１ａを第
２のブロックパターンＢ２のビーム通過部Ｈ１、Ｈ２・
・・Ｈｎの中間部分に位置合わせをする。

この際も、パターン制御コントローラ５２からパターン
データＰＤがＤＡＣ／ＡＭＰ　５３及びマスク移動回路
５５に入力され、また、第１の偏向系２２Ａのスリット
デフレクタ２２１及びステンシルマスク２３がそれぞれ
駆動制御される。これにより、半導体ウェハ２７上に階
段状給電配線パターンＰＳから延在する複数の配線パタ
ーンを露光処理することができる（同図（ｂ））。

なお、同図（ｃ）は、階段状給電配線パターンＰＳのミ
ラ一対称パターンを示している。この際には、ステンシ
ルマスク２３の第４のフ゛ロンクパターンＢ４の領域選
択処理がされ、同様に、パターン制御コントローラ５２
からパターンデータＰＤがＤＡＣ／ＡＭＰ　５３　、遮
断部駆動回路５４及びマスク移動回路５５に入力される
。これにより、第１の偏向系２２Ａのスリットデフレク
タ２２１．ステンシルマスク２３及びビーム遮断機構２
４がそれぞれ駆動制御される。なお、ビーム遮断機構２
４のビーム−ｍＫ断マスク２４ＡはブロックパターンＢ
１〜Ｂ４の領域外に退避されている。また、矩形電子ビ
ーム２１ａはビーム通過部Ｈ１，Ｈ２・・・Ｈｎの階段
状部分に位置合わせされる。

これにより、半導体ウェハ２７上に階段状給電配線パタ
ーンＰＳから延在する複数の配線パタンを露光処理する
ことができる。

このようにして、本発明の第２の実施例に係る露光方法
によれば、第８図（ａ）〜（ｃ）に示した第２の照射処
理に基づいて、複数の階段状給電配線パターンＰＳの露
光処理をしている。

このため、４つのブロックパターンＢ１−８４の中の２
種類のブロックパターンＢ２．Ｂ４を用いて、従来例の
ような階段状給電配線パターンＰＳ（第１３図（ａ）〜
（ｃ）参照）を効率良く、かつ、高速に露光処理するこ
とが可能となる。

これにより、電子ビーム露光装置のスループット及びブ
ロック露光機能の向上を図ることが可能となる。

（ｉｉｉ）第３の実施例の説明 第９図（ａ）〜（ｈ）は、本発明の第３の実施例に係る
迂回配線パターンの露光工程図であり、ブロックパター
ン８１〜Ｂ４及び矩形電子ビーム２１ａの偏向照射と半
導体ウェハ２７に露光された配線パターンとの関係を示
している。

図において、第１の実施例と異なるは、第２の実施例で
は、第１５図のような障害物８が大きく、その迂回部分
の配線パターンが長い場合である。

すなわち、平行線部分が長い場合の迂回配線パターンを
露光処理する場合、まず、第１の実施例に係る直線部分
や折れ曲がり部分の露光処理（露光工程図（ａ）〜（ｃ
）参照）をして、半導体ウェハ２７上にその先端が階段
形状を有し、一定の関係に規定された複数の配線パター
ンを露光処理する。なお、露光処理制御系の動作は、第
１の実施例と同様であるため説明を省略する（同図（ａ
）〜（ｃ））。

さらに、ステンシルマスク２３の第２のブロックパター
ンＢ２の領域選択処理をする。この際の領域選択処理は
、第２のブロックパターンＢ２の階段状部分が選択され
、パターン制御コントローラ５２からパターンデータＰ
ＤがＤＡＣ／ＡＭＰ　５３やマスク移動回路５５に入力
される。これにより、第１のブロックパターンＢｌによ
り露光された階段状部分のパターンに第２のブロックパ
ターンＢ２の階段状部分のパターンが第１の偏向系２２
Ａのスリットデフレクタ２２１．ステンシルマスク２３
を介して位置合わせ処理される（同図（ｄ）。

その後、第２の偏向系２２Ｂにより矩形電子ビーム２１
ａを第２のブロックパターンＢ２の中間部分に位置合わ
せをする。この状態で偏向処理をすることにより、半導
体ウェハ２７上に先の複数の折れ曲がりパターンから延
在する複数の配線パターンを露光処理することができる
（同図（ｅ））。

次いで、例えば、第１５図に示すような障害物８を迂回
して、「コ」の字型に配線をするものとすれば、第１の
偏向系２２Ａにより矩形電子ビーム２１ａを第２のブロ
ックパターンＢ２の階段状部分に位置合わせをする。こ
の状態で偏向処理をことにより、半導体ウェハ２７上に
先の平行配線パターンに連続する複数の階段状の複数の
配線パターンを露光処理することができる（同図（ｒ）
）。

さら番こ、第２のフロックパターンＢ２に換えて第３の
ブロックパターンＢ３の領域選択処理をする。この際の
領域選択処理は、第３のブロックパターンＢ３の階段状
部分が選択され、パターン制御コントローラ５２からパ
ターンデータＰＤがＤＡＣ／ＡＭＰ　５３やマスク移動
回路５５に入力される。

これにより、第２のプロ、クパターンＢ２により露光さ
れた階段状部分に第３のプロ、クパターンＢ３の階段状
部分が第１の偏向系２２Ａのスリ、トデフレクタ２２１
．ステンノルマスク２３を介して位置合わせ処理される
。これに基づいて矩形電子ビーム２１ａが偏向照射処理
（第２の照射処理）される（同図（ｇ）。

その後、第２の偏向系２２Ｂ！こより矩形電子ビーム２
１ａを第３のブロックパターンＢ３の中間部分に位置合
わせをする。この状態で偏向処理をことにより、半導体
ウェハ２７上に先の複数の折れ曲がりパターンから延在
する複数の配線パターンを露光処理することができる（
同図（ｈ））。

これにより、第１５図に示すような障害物８を大きく迂
回する配線パターンを露光することが可能となる。

このようにして、本発明の第３の実施例に係る露光方法
によれば、第９図（ａ）〜（ｈ）に示した第２の照射処
理に基づいて、複数の直線パターンＰＬ及び屈曲パター
ンＰＣの合成露光処理をしている。

このため、４種類のブロックパターンＢ１〜Ｂ４を用い
て、従来例のような迂回配線パターン（第１５図参照）
を効率良く、がっ、高速に露光処理することが可能とな
る。

これにより、電子ビーム露光装置のスルーブツト及びブ
ロック露光機能の向上を図ることが可能となる。

ナオ、本発明の実施例では４つのブロックパターン８１
〜Ｂ４の中から一つのブロックパターンＢｉを選択して
露光処理をする方法について説明したが、その一つのブ
ロックパターンＢ１をマスク移動機構により、３６０度
回転制御ができれば、複数のビーム通過部Ｈ１〜Ｈｎが
設けられた台形状のフロックパターンを一つに削減する
ことも可能である。

また、その一つのブロックパターンを台形状とせずに各
ビーム通過部Ｈ１〜Ｈｎを平行に配置し、それを四辺形
状にして本発明の実施例に係るマスク角θｍ−４５度の
ビーム遮断機構２４により遮断制御することによっても
、第１〜第３の実施例と同様な露光処理をすることが可
能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば複数のビーム通過
部が台形状に並べられ、その内部挟角が所望する屈曲パ
ターンの折れ曲がり角の１／２にされるブロックパター
ンから成るビーム整形手段と、フロックパターンのビー
ム通過部の一部を遮断するビーム遮断手段とが設けられ
ている。

このため、任意の配線パターンから折れ曲がる屈曲パタ
ーンを介して他の配線パターンに至る迂回配線パターン
を露光処理する場合であっても、ビーム整形手段の領域
選択処理をすることにより、台形状に並べられ、かつ、
その長さが順次増加をする一定の関係に規定された複数
の相位形パターンを被露光対象に露光処理をすることが
できる。

このことで、従来例のようなＬＳＩの屈曲配線パターン
専用の屈曲ブロックパターンや階段状のブロックパター
ン等の設置数の削減化を図ることが可能となる。

また、本発明の露光方法によれば、第１の照射処理と第
２の照射処理とに基づいて、複数の直線パターン及び屈
曲パターンの合成露光処理をしている。

このため、少種類のフロックパターンを用いて、従来例
のような迂回配線パターンや階段状給電配線パターンを
効率良く、かつ、高速に露光処理することが可能となる
。

これにより、荷電粒子ビーム露光装置のスルーブツト及
びブロック露光ａ能の向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る荷電粒子ビーム露光装置の原理
図、 第２図は、本発明に係るブロックパターンの原理図、 第３図は、本発明に係る荷電粒子ビーム露光方法の原理
図、 第４図は、本発明の各実施例に係る電子ビーム露光装置
の構成図、 第５図は、本発明の各実施例に係るブロックパターンを
説明する図、 第６図は、本発明の各実施例に係るビーム遮断機構の説
明図、 第７図は、本発明の第１の実施例に係る迂回配線パター
ンの露光工程図、 第８図は、本発明の第２の実施例に係る階段状給電配線
パターンの露光工程図、 第９図は、本発明の第３の実施例に係る迂回配線パター
ンの露光工程図、 第１０図は、従来例に係る電子ビーム露光装置の構成図
、 第１１図は、従来例に係る第１の問題点を説明する迂回
配線パターン図、 第１２図は、従来例に係る第１の問題点を説明するブロ
ックパターン図、 第１３図は、従来例に係る第２の問題点を説明する迂回
配線パターン図、 第１４図は、従来例に係る第２の問題点を説明するブロ
ックパターン図、 第１５図は、従来例に係る第３の問題点を説明する迂回
配線パターン図、 第１６図は、従来例に係る第３の問題点を説明するフ゛
ロンクパターン図である。 （符号の説明） １１・・・荷電粒子発生手段、 １２・・・偏向手段、 １３・・・ビーム整形手段、 １４・・・ビーム遮断手段、 １５・・・制御手段、 １１ａ・・・荷電粒子ビーム、 ８１〜Ｂ４．　８１〜Ｂｎ ン Ｈｌ−Ｈｎ・・・ビーム通過部、 θ・・・台形状の内部挟角、 φ・・・折れ曲がり角、 Ｗ・・・矩形荷電粒子ビームの幅。 Ｂ】・・・フロノクパタ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも、被露光対象（１６）に矩形荷電粒子
   ビーム（１１ａ）を出射する荷電粒子発生手段（１１）
   と、前記矩形荷電粒子ビーム（１１ａ）を偏向する偏向
   手段（１２）と、前記矩形荷電粒子ビーム（１１ａ）を
   整形する複数のブロックパターン（Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂ
   ｎ）から成るビーム整形手段（１３）と、前記ブロック
   パターン（Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂｎ）のビーム通過部（Ｈ
   １、Ｈ２・・・Ｈｎ）の一部を遮断するビーム遮断手段
   （１４）と、前記荷電粒子発生手段（１１）、偏向手段
   （１２）、ビーム整形手段（１３）及びビーム遮断手段
   （１４）の入出力を制御する制御手段（１５）とを具備
   し、 前記ブロックパターン（Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂｎ）又は前
   記遮断されたビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２・・・Ｈｎ）以
   外のブロックパターン（Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂｎ）を前記
   被露光対象（１６）にパターン露光することを特徴とす
   る荷電粒子ビーム露光装置。
2. （２）請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置において
   、前記ブロックパターン（Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂｎ）の一
   つが複数のビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２・・・Ｈｎ）から
   成り、前記ビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２・・・Ｈｎ）の各
   長さ（ｌ１、ｌ２・・・ｌｎ）が順次増加する一定の関
   係（ｌ１＜ｌ２＜・・・＜ｌｎ）に規定され、かつ、前
   記複数のビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２・・・Ｈｎ）が台形
   状に並べられていることを特徴とする荷電粒子ビーム露
   光装置。
3. （３）請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置において
   、前記複数のビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２・・・Ｈｎ）の
   台形状の内部挟角（θ）が所望する屈曲パターン（ＰＮ
   ）の折れ曲がり角（φ）の１／２にされることを特徴と
   する荷電粒子ビーム露光装置。
4. （４）請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置において
   、前記ブロックパターン（Ｂ１、Ｂ２・・・Ｂｎ）は、
   少なくとも、４種類のブロックパターン（Ｂ１〜Ｂ４）
   から成り、前記ブロックパターン（Ｂ１〜Ｂ４）が、前
   記台形状に並べられた複数のビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２
   ・・・Ｈｎ）を９０度づつ回転した４つの形状を有して
   いることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
5. （５）請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装置において
   、前記４種類のブロックパターン（Ｂ１〜Ｂ４）の複数
   のビーム通過部（Ｈ１、Ｈ２・・・Ｈｎ）の最小長さ（
   ｌ１）は、前記矩形荷電粒子ビーム（１１ａ）の一辺の
   幅（ｗ）よりも長くすることを特徴とする荷電粒子ビー
   ム露光装置。
6. （６）請求項１記載の台形状のブロックパターン（Ｂｉ
   ）を用いて、被露光対象（１６）にＬＳＩパターン露光
   をする方法であって、 前記ブロックパターン（Ｂｉ）の一部を覆うビーム遮断
   処理をし、前記ビーム遮断処理されたブロックパターン
   （Ｂｉ）に荷電粒子ビーム（１１ａ）を照射する第１の
   照射処理と、前記ブロックパターン（Ｂｉ）の一部領域
   を選択する選択処理をし、前記選択処理されたブロック
   パターン（Ｂｉ）の一部領域に荷電粒子ビーム（１１ａ
   ）を照射する第２の照射処理とに基づいて複数の直線パ
   ターン（ＰＳ）及び屈曲パターン（ＰＣ）の合成露光処
   理をすることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。