JP2002025900A - 露光装置、露光データ作成方法、および、マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスクの製造コストを削減するとともに、製
造期間を短縮する。 【解決手段】 マスク１０は、複数の半導体装置に共通
する露光パターンが形成されたブロックを有する。選択
手段１１は、露光しようとする半導体装置に対応する露
光パターンが形成されたブロックを選択する。転写手段
１２は、選択手段１１によって選択されたブロックに形
成された露光パターンを、半導体基板１３上の所定の領
域に転写する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置、露光デー
タ作成方法、および、マスクに関し、特に、所定の露光
パターンが形成されたブロックを複数有するマスクから
所望のブロックを選択して半導体基板上に露光パターン
を転写する露光装置、所定の露光パターンが形成された
ブロックを複数有するマスクを製造する露光データ製造
方法、および、所定の露光パターンが形成されたブロッ
クを複数有するマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を製造する過程では、半導体
基板上に所望の回路パターンを形成するための露光プロ
セスが必要となる。

【０００３】従来、露光プロセスのひとつとして、微細
パターンを形成することが可能な電子ビーム露光が知ら
れている。電子ビーム露光は、ガウシアンビームや可変
ビームによってパターンを１つ１つ塗りつぶしていくい
わゆる一筆書き法で行われるため、微細パターンの形成
が可能である反面、パターンが微細になる程、スループ
ットが低下するという問題点があった。

【０００４】そこで、このような問題点を改善するため
に、第２のマスク上にパターン形状の開口を形成し、こ
れに電子ビームを通過させて電子線を成形するという部
分一括露光法が発明され、これにより、複数ショットを
１ショットに短縮できるため、スループットが向上し
た。

【０００５】図２２は、従来における電子ビーム露光の
処理の流れを示す図である。この図に示すように、先
ず、電子ビーム露光では、ＬＳＩデータ１から、露光デ
ータ作成処理Ｓ２によってウエハ露光用データ３と、ブ
ロックマスク作成用データ４が作成される。ここで、ブ
ロックマスク作成用データ４は、回路の基本図形（基本
的なパターン）に対応する開口部が形成された複数のブ
ロックから成るブロックマスク５を作成するためのデー
タであり、また、ウエハ露光用データ３は、露光する際
に、どのブロックを用いて半導体基板７のどの領域を露
光するかを示す情報から構成される。

【０００６】ブロックマスク５は、例えば、５μｍ四方
の大きさを有するブロックが１００個集まって構成され
ており、各ブロックには回路の基本図形に対応した開口
部が形成されている。電子ビームはこの開口部を透過し
て、半導体基板７の所定の領域に結像する。

【０００７】露光処理Ｓ６では、図示せぬ電子ビーム発
生源から照射された電子ビームが、ウエハ露光用データ
３が示す所定のブロックに照射され、開口部を透過した
電子ビームが同じくウエハ露光用データ３が示す半導体
基板７上の所定の領域に結像される。

【０００８】以上のような処理によれば、複数ショット
を１ショットに圧縮することができるため、スループッ
トが向上する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、部分一括法に
よって電子ビーム露光のスループットは向上するが、第
２マスク部分に装着するブロックマスクを作成するため
の工程数やコストが新たに発生し、製造手番の遅延をも
たらす場合があるなどの問題点があった。

【００１０】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、第２マスクとしてのブロックマスクを作成す
るコストおよび工程数を削減することを可能とする露光
装置、マスク製造装置、および、マスクを提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、図１に示す、所定の露光パターンが形成
されたブロックを複数有するマスク１０から所望のブロ
ックを選択して半導体基板１３上に露光パターンを転写
する露光装置において、複数の半導体装置に共通する露
光パターンが形成されたブロックを有するマスク１０か
ら露光しようとする半導体装置に対応する露光パターン
が形成されたブロックを選択する選択手段１１と、選択
手段１１によって選択されたブロックに形成された露光
パターンを、半導体基板１３上の所定の領域に転写する
転写手段１２と、を有することを特徴とする露光装置が
提供される。

【００１２】ここで、マスク１０は、複数の半導体装置
に共通する露光パターンが形成されたブロックを有す
る。選択手段１１は、露光しようとする半導体装置に対
応する露光パターンが形成されたブロックを選択する。
転写手段１２は、選択手段１１によって選択されたブロ
ックに形成された露光パターンを、半導体基板１３上の
所定の領域に転写する。

【００１３】また、所定の露光パターンが形成されたブ
ロックを複数有するマスクを製造する露光データ作成方
法において、複数の半導体装置に共通する所定の基本図
形を抽出する基本図形抽出手段と、基本図形抽出手段に
よって抽出された所定の基本図形をブロックに分割する
分割手段と、分割手段によって分割されたブロックのマ
スク上への配置を決定する配置決定手段と、を有するこ
とを特徴とするマスク製造装置が提供される。

【００１４】ここで、基本図形抽出手段は、複数の半導
体装置に共通する所定の基本図形を抽出する。分割手段
は、基本図形抽出手段によって抽出された所定の基本図
形をブロックに分割する。配置決定手段は、分割手段に
よって分割されたブロックのマスク上への配置を決定す
る。

【００１５】また、所定の露光パターンが形成されたブ
ロックを複数有するマスクにおいて、複数の半導体装置
に共通する露光パターンを有するブロックを具備してい
ることを特徴とするマスクが提供される。

【００１６】ここで、マスクには、複数の半導体装置に
共通する露光パターンを有するブロックが形成されてい
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明に係る露光装置の
動作原理を説明する原理図である。この図に示すよう
に、本発明に係る露光装置は、マスク１０、選択手段１
１、転写手段１２、および、半導体基板１３によって構
成されている。

【００１８】マスク１０は、複数の半導体装置に共通す
る露光パターンが形成されたブロックを複数具備してい
る。選択手段１１は、露光しようとする半導体装置に応
じた露光パターンが形成されたブロックを選択する。

【００１９】転写手段１２は、選択手段１１によって選
択されたマスク１０上の所定のブロックが有する露光パ
ターンを、半導体基板１３上の所定の領域に転写する。
次に、以上の原理図の動作について説明する。

【００２０】図２は、半導体装置、基本図形、および、
カスタムブロックの対応関係を説明するための図であ
る。この図に示すように、本発明では、先ず、複数の半
導体装置（ＬＳＩ）２０〜２２に共通する回路パターン
としての基本図形２３が抽出される。次に、抽出された
基本図形２３は、複数の部分に分割されてカスタムブロ
ック２４，２５が生成される。そして、このようにして
生成されたカスタムブロック２４，２５は、オリジナル
マスク２６上への配置位置が決定され、オリジナルマス
ク２６が作成される。

【００２１】従って、オリジナルマスク２６が具備する
ブロックは、複数のＬＳＩ＃Ａ２０〜ＬＳＩ＃Ｃ２２に
共通なパターンを含んでいることになる。このようにし
て作成されたオリジナルマスク２６を図１に示すマスク
１０として用いることにより、露光処理を実行する。な
お、以下では、ＬＳＩ＃Ａ２０を形成するための露光処
理を例に挙げて説明する。

【００２２】露光処理が開始されると、選択手段１１
は、ＬＳＩ＃Ａ２０に関連するブロックを選択するとと
もに、そのブロックを透過した電子ビーム（露光ビー
ム）が照射されるべき半導体基板１３上の領域を特定す
る。

【００２３】転写手段１２は、電子ビームを発生し、選
択手段１１によって選択されたブロックを透過させ、同
じく選択手段１１によって選択された半導体基板１３上
の所定の領域に対して照射する。このような動作は、Ｌ
ＳＩ＃Ａ２０に関連する全てのブロックの転写が終了す
るまで繰り返される。

【００２４】そして、処理が完了すると、半導体基板１
３上にはマスク１０上に形成されているＬＳＩ＃Ａ２０
に関連する全てのブロックの転写が完了することにな
る。なお、ＬＳＩ＃Ａ２０〜ＬＳＩ＃Ｃ２２に共通でな
い基本図形については、別途露光処理が実行され、ＬＳ
Ｉ＃Ａ２０に関する全ての回路パターンが半導体基板１
３上に転写されることになる。

【００２５】なお、ＬＳＩ＃Ｂ２１，ＬＳＩ＃Ｃ２２を
作成する場合にも、同一のオリジナルマスク２６を用い
て、前述の場合と同様の処理を実行することにより、露
光を行うことが可能となる。

【００２６】以上に説明したように、本発明に係る露光
装置によれば、複数の半導体装置に共通する基本図形に
対応するブロックを有するマスク１０を作成し、このマ
スク１０によって露光を行う場合には、製造しようとす
る半導体装置に応じて必要なブロックを選択手段１１に
よって選択し、転写手段１２によって半導体基板１３上
の所定の位置に露光するようにしたので、１枚のマスク
１０を複数の半導体装置で使い回しすることが可能とな
り、マスク１０の製造コストおよび製造期間を削減する
ことが可能となる。

【００２７】次に、本発明の実施の形態について説明す
る。図３は、本発明の実施の形態の構成例を示す図であ
る。この図に示すように、本発明の実施の形態は、基本
ＬＳＩデータ３０、処理部３１、ウエハ露光用データ３
２、オリジナルマスク作成用データ３３、制御部３４、
露光部３５、オリジナルマスク３６、および、半導体基
板３７によって構成されている。

【００２８】基本ＬＳＩデータ３０は、複数のＬＳＩの
ネットリスト等を格納している。処理部３１は、基本Ｌ
ＳＩデータ３０から、対象となる複数のＬＳＩに共通す
る基本図形を抽出し、オリジナルマスク作成用データ３
３を生成する。また、処理部３１は、オリジナルマスク
３６によって所定のＬＳＩを露光する際に、露光すべき
ブロックと、結像すべき半導体基板３７上の領域を示す
情報からなるウエハ露光用データ３２を生成する。

【００２９】オリジナルマスク作成用データ３３は、前
述のように、複数のＬＳＩに共通に含まれている基本図
形（回路パターン）を分割することにより生成され、オ
リジナルマスク３６を作成するために使用される。

【００３０】ウエハ露光用データ３２は、所定のＬＳＩ
を露光する際に、露光すべきオリジナルマスク３６上の
ブロックと、結像すべき半導体基板３７上の領域とを示
すデータによって構成される。

【００３１】露光部３５は、オリジナルマスク３６の所
定のブロックを介して、半導体基板３７の所定の領域に
対して電子ビームを照射することにより、ブロックに形
成されている回路パターンを半導体基板３７に転写す
る。

【００３２】半導体基板３７は、例えば、シリコンウエ
ハであり、ＬＳＩの回路パターンを転写する対象とな
る。図４は、図３に示す実施の形態の動作の流れを説明
するための図である。なお、この図において、図３の場
合と対応する部分には同一の符号を付してあるのでその
説明は省略する。

【００３３】ところで、近年の殆どのＬＳＩ設計におい
ては基本図形をライブラリとして保存しているが、図４
に示す実施の形態においても種々の基本図形がライブラ
リとして基本ＬＳＩデータ３０に保存されている。ＬＳ
Ｉ設計者は、この基本ＬＳＩデータ３０の中から用途に
応じたデータを選択し、ＬＳＩデータ５０を生成する。
一般的に、ＬＳＩの設計過程においては、品種を通じて
同じ基本図形が使われる場合が多い。

【００３４】続くオリジナルマスク作成用データ生成処
理Ｓ１０においては、基本ＬＳＩデータ３０に格納され
ている対象となる基本図形群（以下、「ストラクチャ」
と適宜称する）からブロックを抽出し、オリジナルマス
ク作成用データ３３を作成する。

【００３５】そして、このようにして作成されたオリジ
ナルマスク作成用データ３３を用いることにより、オリ
ジナルマスク３６を作成することができる。なお、この
オリジナルマスク３６は、基本図形から抽出したブロッ
クによって構成されているので、同じ基本図形を用いて
ＬＳＩ設計を行う限り、共通のオリジナルマスク３６を
使用することができる。

【００３６】以上のようにして、複数のＬＳＩに共通の
オリジナルマスク３６が生成されると、続いて、個別の
ＬＳＩの設計が行われる。個別のＬＳＩの設計では、先
ず、設計者が基本ＬＳＩデータ３０から必要とする基本
図形を選択し、ＬＳＩデータ５０を生成する。

【００３７】ウエハ露光用データ作成処理Ｓ１１では、
オリジナルマスク作成用データ３３を参照し、オリジナ
ルマスク３６のどのブロックを使用して、半導体基板３
７のどの領域に露光するかを示す情報であるウエハ露光
用データ３２を生成する。

【００３８】露光処理Ｓ１２では、オリジナルマスク３
６を第２マスクとして露光装置に搭載し、ウエハ露光用
データ３２を参照してオリジナルマスク３６から露光の
対象となるブロックを選択し、半導体基板３７の該当す
る領域にそのブロックのパターンを転写する。

【００３９】以上の処理により、複数のＬＳＩに共通に
含まれている基本図形を含むオリジナルマスク３６を生
成し、個別のＬＳＩを設計する際には、オリジナルマス
ク３６を第２マスクとし、基本図形を半導体基板３７上
に転写するようにしたので、ＬＳＩ毎にブロックマスク
を新たに作成する手間を省略することが可能となり、コ
ストと工程数を削減することが可能となる。

【００４０】次に、本発明の実施の形態の詳細な動作に
ついて説明する。図５は、図４のステップＳ１０に示す
「オリジナルマスク作成用データ生成処理」の詳細な動
作を説明するためのフローチャートである。このフロー
チャートが開始されると、以下の処理が実行される。 ［Ｓ２０］処理部３１は、基本ＬＳＩデータ３０を入力
する。 ［Ｓ２１］処理部３１は、基本ＬＳＩデータ３０から、
基本図形群としてのストラクチャを取得する。 ［Ｓ２２］処理部３１は、対象となるストラクチャ、即
ち、オリジナルマスク３６に搭載すべきストラクチャで
あるか否かを判定し、搭載すべきストラクチャである場
合にはステップＳ２３に進み、それ以外の場合にはステ
ップＳ２５に進む。

【００４１】なお、基本ＬＳＩデータ３０にはオリジナ
ルマスク作成上における制限（例えば、ブロックの個数
に対する制限）により、全てのブロックを搭載すること
は出来ないので、このステップに示すような選択処理が
必要となる。ブロックを選択する基準としては、例え
ば、基本ＬＳＩデータ３０のストラクチャ名に対して同
一の名前を使用するようにしてもよい。例えば、図６に
示すようなＬＳＩデータに対して「ＯＲＧが頭に付くも
の」と定義した場合、オリジナルマスクとして搭載され
るのは図中「ＯＲＧ＿Ａ」と「ＯＲＧ＿Ｃ」となる。あ
るいは、判定を行うためのデータをパターンデータに付
加するようにしてもよい。

【００４２】［Ｓ２３］処理部３１は、ストラクチャを
分解してブロック（カスタムブロック）を抽出する。 ［Ｓ２４］処理部３１は、抽出したブロックをオリジナ
ルマスク作成用データ３３に変換する。

【００４３】［Ｓ２５］処理部３１は、基本ＬＳＩデー
タ３０に未処理のストラクチャが存在するか否かを判定
し、未処理のストラクチャが存在する場合にはステップ
Ｓ２０に戻って同様の処理を繰り返し、それ以外の場合
にはステップＳ２６に進む。 ［Ｓ２６］処理部３１は、生成されたオリジナルマスク
作成用データ３３を出力する。

【００４４】以上の処理により、複数のＬＳＩに共通し
て含まれる基本図形を含むブロックから構成されるオリ
ジナルマスク作成用データ３３を生成することが可能と
なる。

【００４５】このようにして作成されたオリジナルマス
ク作成用データ３３を用いれば、複数のＬＳＩに共通し
たストラクチャを有するオリジナルマスク３６を作成す
ることができる。

【００４６】次に、個別のＬＳＩ用のウエハ露光用デー
タ３２を生成する処理について説明する。図７は、個別
のＬＳＩを設計した後に、そのＬＳＩの設計データから
ウエハ露光用データ３２を生成する際に実行される処理
の一例を説明するフローチャートである。このフローチ
ャートが開始されると、以下の処理が実行されることに
なる。 ［Ｓ３０］処理部３１は、設計されたＬＳＩデータ５０
を入力する。

【００４７】［Ｓ３１］処理部３１は、基本データから
ストラクチャを取得する。 ［Ｓ３２］処理部３１は、取得したストラクチャが対象
ストラクチャ、即ち、カスタムブロックに含まれている
ストラクチャか否かを判定し、含まれている場合にはス
テップＳ３４に進み、それ以外の場合にはステップＳ３
３に進む。 ［Ｓ３３］処理部３１は、ストラクチャを通常のウエハ
露光用データ３２に変換する。

【００４８】即ち、対象となるブロックがカスタムブロ
ックに存在しない場合にはブロックとして露光を行うこ
とができないため、通常のウエハ露光用データ３２に変
換する。 ［Ｓ３４］処理部３１は、ステップＳ３１で取得したス
トラクチャを分割してブロックを抽出する。

【００４９】［Ｓ３５］処理部３１は、ステップＳ３４
で抽出したブロックが、オリジナルマスク３６に搭載さ
れているカスタムブロックと一致するか否かを判定し、
一致する場合にはステップＳ３６に進み、それ以外の場
合にはステップＳ３３に進む。 ［Ｓ３６］処理部３１は、一致したカスタムブロックを
取得してウエハ露光用データ３２に変換する。

【００５０】［Ｓ３７］処理部３１は、未処理のストラ
クチャが存在するか否かを判定し、存在する場合にはス
テップＳ３１に戻って同様の処理を繰り返し、それ以外
の場合にはステップＳ３８に進む。 ［Ｓ３８］処理部３１は、生成されたウエハ露光用デー
タ３２を出力する。

【００５１】以上の処理によれば、個別に設計されたＬ
ＳＩの設計データからウエハ露光用データ３２を生成す
ることが可能となる。以上のようにして生成されたオリ
ジナルマスク３６と、ウエハ露光用データ３２とを用い
て露光を行うことにより、所望のパターンを半導体基板
３７上に転写することが可能となる。

【００５２】以上に説明したように本発明の実施の形態
によれば、複数のＬＳＩに共通な基本図形を用いてオリ
ジナルマスク３６を作成し、このオリジナルマスク３６
を複数のＬＳＩで共用するようにしたので、ブロックマ
スクの製造コストを引き下げ、また、開発期間を短縮す
ることが可能となる。

【００５３】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。本発明の第２の実施の形態では、オリジナル
マスク３６の各ブロックを露光する際に電子ビームを所
定量だけ偏位させて露光することにより、１つのブロッ
クにより複数のパターンを転写することを可能とする。
なお、本発明の第２の実施の形態の構成は、図３に示す
場合と同様であるのでその説明は省略する。以下では、
本発明の第２の実施の形態の動作の概要について説明し
た後、その詳細について説明する。

【００５４】図８は、１つのブロックから複数のパター
ンを生成する際の様子を示す図である。この図に示すよ
うに、４個の「Ｌ」型パターンを含むブロック７０に対
して、７０ａ〜７０ｄに示すように、電子ビームの照射
位置を偏位させることにより、図９に示す４種類の異な
るパターンを転写することが可能となる。なお、図９に
おいて、転写パターン８０ａ〜８０ｄは、図８に示す７
０ａ〜７０ｄにそれぞれ対応している。

【００５５】また、図１０に示すように、図８に示すブ
ロック７０に対して、７０ｅ〜７０ｈに示すように電子
ビームの照射位置を偏位させた場合には、図１１に示す
４種類の異なるパターン８０ｅ〜８０ｈを転写すること
が可能となる。

【００５６】ところで、オリジナルマスク３６上にはブ
ロックがマトリクス状に配置されているので、電子ビー
ムの照射位置を偏位させる場合には、他のブロックが誤
って転写されないように注意することが必要となる。図
１２は、電子ビームを偏位させた場合に生じる問題点を
示す図である。この図に示すように、２つのブロック９
０，９１が並置されて存在している場合に、例えば、ブ
ロック９１を転写する際に、電子ビームの照射位置を左
側に偏位させると、左側のブロック９０の左端のパター
ン（“３”）も転写されることになる。

【００５７】そこで、本発明の第２の実施の形態では、
ブロックに対する照射位置を偏位させることにより、１
つのブロックで複数のパターンの転写を可能とするとと
もに、その際に問題となる他のブロックのパターンの干
渉を排除することを可能とする。

【００５８】図１３は、第２の実施の形態において用い
られる配置管理テーブルの一例である。なお、このよう
な配置管理テーブルは、オリジナルマスク作成用データ
３３に格納される。

【００５９】配置管理テーブルは、１つのブロックに対
して１つずつ用意されており、電子ビームを偏位して転
写する場合の制御を行う。この例では、配置管理テーブ
ルには、そのブロックの位置Ｘ，Ｙ、ブロックの搭載の
有無、ブロックの偏位量、上ブロックの配置状況、下ブ
ロックの配置状況、左ブロックの配置状況、および、右
ブロックの配置状況が格納されている。

【００６０】ここで、ブロック位置Ｘ，Ｙはそのブロッ
クの位置座標を示す。ブロックの搭載の有無は、そのブ
ロックが搭載されているか否かを示す。ブロックの偏位
量は、そのブロックを偏位して露光する場合の偏位量を
示す。上ブロックの配置状況は、そのブロックの上に存
在する他のブロックの配置状況を示す。また、下、左、
右ブロックの配置状況は、それぞれ、そのブロックの
下、左、または、右に存在する他のブロックの配置状況
を示す。

【００６１】次に、このような配置管理テーブルを用い
てオリジナルマスク作成用データ３３を生成する際の処
理の一例について図１４を参照して説明する。この図に
示すフローチャートが開始されると、以下の処理が実行
される。 ［Ｓ５０］処理部３１は、図１３に示す配置管理テーブ
ルの情報「ブロックの搭載有無」を参照し、オリジナル
マスク３６上において、ブロックを搭載可能な位置を決
定する。

【００６２】［Ｓ５１］処理部３１は、ステップＳ５０
において決定された位置にブロックを配置した場合にお
いて、電子ビームを偏位させる方向（以下、偏位方向と
称す）に他のブロックが存在するか否かを、配置管理テ
ーブルの上、下、左、右ブロックの配置状況を参照して
判定する。判定の結果、偏位方向に他のブロックが存在
する場合にはステップＳ５０に戻って同様の処理を繰り
返し、それ以外の場合にはステップＳ５２に進む。

【００６３】［Ｓ５２］処理部３１は、配置が終了した
ブロックに対応する情報「ブロックの搭載有無」を、例
えば、「有」に設定する。 ［Ｓ５３］処理部３１は、偏位方向のブロックの情報
「ブロックの搭載有無」を「有」に設定する。 ［Ｓ５４］処理部３１は、未処理のブロックが存在して
いるか否かを判定し、存在している場合にはステップＳ
５０に戻って同様の処理を繰り返し、それ以外の場合に
は処理を終了する。

【００６４】以上の処理によれば、他のブロックとの干
渉を排除しつつ、電子ビームの偏位を伴うブロックをオ
リジナルマスク３６上に配置することが可能となる。と
ころで、オリジナルマスク３６に配置されるブロック
は、図１５に示すように、まとまった状態で配置されて
いる。従って、電子ビームの偏位を伴うブロックを配置
する場合には、図１５において太線で示す外周部分に、
その偏位方向が周縁部を向くように配置するようにすれ
ば、他のブロックとの干渉を未然に防ぐことができる。
また、そのような方法によれば、偏位方向のブロックを
除外する必要がなくなるので、電子ビームの偏位を伴う
ブロックを複数配置した場合であっても、配置可能なブ
ロックの個数が減少することを防止できる。

【００６５】また、図１６に示すように、複数のブロッ
クの偏位方向が重なるように配置することによっても無
駄に消費されるブロックの個数を削減することができ
る。例えば、図１６（Ａ）の例では、２つのブロック１
００，１０１の偏位方向が重なるように配置されている
ので、ブロックが搭載不能となる領域を破線で示した電
子ビームの照射領域１００ａ，１００ｂが重なるブロッ
クのみに限定することが可能となる。

【００６６】図１６（Ｂ）の例では、４つのブロック１
１０〜１１３が配置されており、これらの偏位方向は中
央部で重なるように配置されているので、ブロックを搭
載不能となる領域を電子ビームの照射領域１１０ａ〜１
１３ａが重なる部分（ブロック１個分の領域）に限定す
ることが可能となる。

【００６７】更に、図１７に示すように、空白部分を有
するブロックと、偏位を伴うブロックとを組み合わせる
ようにしてもよい。例えば、図１７（Ａ）の例では、空
白部分を有するブロック１２１の空白部分に、偏位を伴
うブロック１２０の照射領域１２０ａが重なるように配
置することにより、無駄に消費されるブロックの発生を
防いでいる。

【００６８】また、図１７（Ｂ）の例では、左側に配置
された空白部分を有するブロック１３１の空白部分と、
右側に配置された偏位を伴うブロック１３０の照射領域
とが重なるように配置したので、前述の場合と同様に無
駄に消費されるブロックの発生を防いでいる。

【００６９】次に、以上のようにして生成された偏位を
伴うブロックを含むブロックマスクを用いて露光を行う
際に必要なウエハ露光用データ３２を生成する処理の一
例について図１８を参照して説明する。このフローチャ
ートが開始されると、以下の処理が実行される。

【００７０】［Ｓ７０］処理部３１は、対象となるＬＳ
Ｉデータ５０を入力する。 ［Ｓ７１］処理部３１は、ステップＳ７０において入力
したＬＳＩデータ５０からストラクチャを取得する。 ［Ｓ７２］処理部３１は、処理の対象となるストラクチ
ャであるか否か、即ち、電子ビームの偏位を伴うストラ
クチャであるか否かを判定し、電子ビームの偏位を伴う
ストラクチャである場合にはステップＳ７４に進み、そ
れ以外の場合にはステップＳ７３に進む。

【００７１】なお、電子ビームの偏位を伴うストラクチ
ャであるか否かを判定するためには、例えば、図１９
（Ａ）に示すように偏位量をＸ，Ｙで示し、図１９
（Ｂ）に示すようにこれらの情報をファイル名に付加
し、この情報を参照することによって偏位の有無を判定
することも可能である。

【００７２】また、図２０に示すように、偏位方向をパ
ターン化されない枠１５０ａのデータを用いて偏位量を
定義することも可能である。 ［Ｓ７３］処理部３１は、ストラクチャを通常のウエハ
露光用データ３２に変換する。

【００７３】［Ｓ７４］処理部３１は、ストラクチャを
分割してカスタムブロックを抽出する。 ［Ｓ７５］処理部３１は、カスタムブロックをウエハ露
光用データ３２に変換する。 ［Ｓ７６］処理部３１は、ステップＳ７５で得られた情
報からオリジナルマスク３６上の対象となるカスタムブ
ロックを選択し、電子ビームの偏位量を算出する。

【００７４】［Ｓ７７］処理部３１は、未処理のストラ
クチャが存在するか否かを判定し、未処理のストラクチ
ャが存在する場合にはステップＳ７０に戻って同様の処
理を繰り返し、それ以外の場合にはステップＳ７８に進
む。 ［Ｓ７８］処理部３１は、生成したウエハ露光用データ
３２を出力する。

【００７５】以上の処理によれば、電子ビームの偏位を
伴うブロックが存在する場合であっても、ウエハ露光用
データ３２を確実に生成することが可能となる。これま
でに説明したように、本発明の第２の実施の形態によれ
ば、ブロックに対して電子ビームを照射する際に、電子
ビームを所定量だけ偏位させるようにしたので、１つの
ブロックで複数のパターンを転写することが可能とな
る。

【００７６】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図２１は、本発明の第３の実施の形態の処理
の流れを示す図である。なお、この図において、図４の
場合と対応する部分には同一の符号を付してあるのでそ
の説明は省略する。

【００７７】この図においては、図４の場合と比較し
て、ウエハ露光用データ作成処理Ｓ１１が、オリジナル
マスク作成用データ３３からではなく、基本ＬＳＩデー
タ３０を用いてウエハ露光用データ３２を作成してい
る。それ以外は図４の場合と同様である。

【００７８】このような方法によれば、オリジナルマス
ク作成用データ３３からでなく、基本ＬＳＩデータ３０
からウエハ露光用データ３２を作成することができるの
で、オリジナルマスク作成用データ３３を保存する必要
がなくなる。その結果、システムに必要な記憶容量を削
減し、システムのコストダウンを図ることが可能とな
る。

【００７９】なお、以上の実施の形態では、電子ビーム
を偏位させるための情報を基本ＬＳＩデータ３０に格納
するようにしたが、対象とするストラクチャ内のパター
ンとオリジナルマスク３６に搭載されているブロックパ
ターンの部分一致を図形処理にて行うことで、ＬＳＩデ
ータ設計時に設定することなく、偏位情報を求めること
も可能である。

【００８０】また、図２０においてパターン化されない
データを枠として表現しているが、図１９のような情報
を文字データとして設定しておくことも可能である。更
に、本発明の実施の形態では、電子ビームにより露光を
行う場合を例に挙げて説明を行ったが、その他のビーム
を用いる場合であっても本発明を適用可能であることは
いうまでもない。

【００８１】（付記１） 所定の露光パターンが形成さ
れたブロックを複数有するマスクから所望のブロックを
選択して半導体基板上に露光パターンを転写する露光装
置において、複数の半導体装置に共通する露光パターン
が形成されたブロックを有するマスクから、露光しよう
とする半導体装置に対応する露光パターンが形成された
ブロックを選択する選択手段と、前記選択手段によって
選択されたブロックに形成された露光パターンを、前記
半導体基板上の所定の領域に転写する転写手段と、を有
することを特徴とする露光装置。

【００８２】（付記２） 前記転写手段は、前記ブロッ
クに形成された露光パターンの一部を、前記半導体基板
上の所定の領域に転写することを特徴とする付記１記載
の露光装置。

【００８３】（付記３） 前記転写手段は、前記ブロッ
クが有する露光パターンの一部を転写する場合には露光
ビームを所定量だけ偏位して転写を行い、前記マスクの
前記露光ビームが偏位される方向には露光パターンが形
成されていない、ことを特徴とする付記２記載の露光装
置。

【００８４】（付記４） 所定の露光パターンが形成さ
れたブロックを複数有するマスクを製造する露光データ
作成方法において、複数の半導体装置に共通する所定の
基本図形を抽出する基本図形抽出手段と、前記基本図形
抽出手段によって抽出された所定の基本図形を前記ブロ
ックに分割する分割手段と、前記分割手段によって分割
されたブロックのマスク上への配置を決定する配置決定
手段と、を有することを特徴とする露光データ作成方
法。

【００８５】（付記５） 前記ブロック分割手段は、単
一のブロックに複数の基本図形を割り当てるように分割
を行うことを特徴とする付記４記載の露光データ作成方
法。 （付記６） 前記配置決定手段は、露光する際に露光ビ
ームを偏位する必要があるブロックについては、マスク
の外周部に優先的に配置することを特徴とする付記４記
載の露光データ作成方法。

【００８６】（付記７） 前記配置決定手段は、露光ビ
ームの偏位を伴うブロックに隣接するブロックとして
は、前記偏位した露光ビームが照射される領域に開口を
有しない露光パターンが形成されたブロックを配置する
ことを特徴とする付記４記載の露光データ作成方法。

【００８７】（付記８） 前記配置決定手段は、開口を
有しないブロックの周辺部には、前記露光ビームの偏位
を伴うブロックを、その露光ビームの偏位方向が前記開
口を有しないブロックと一致するように配置することを
特徴とする付記４記載の露光データ作成方法。

【００８８】（付記９） 所定の露光パターンが形成さ
れたブロックを複数有するマスクにおいて、複数の半導
体装置に共通する露光パターンを有するブロックを具備
していることを特徴とするマスク。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、複数の
半導体装置に共通する露光パターンが形成されたブロッ
クを有するマスクから、露光しようとする半導体装置に
対応する露光パターンが形成されたブロックを選択する
選択手段と、選択手段によって選択されたブロックに形
成された露光パターンを、半導体基板上の所定の領域に
転写する転写手段と、を設けるようにしたので、１つの
マスクを複数の半導体装置の露光に使い回すことが可能
となるので、製造コストを削減することが可能となる。

【００９０】また、複数の半導体装置に共通する所定の
基本図形を抽出する基本図形抽出手段と、基本図形抽出
手段によって抽出された所定の基本図形をブロックに分
割する分割手段と、分割手段によって分割されたブロッ
クのマスク上への配置を決定する配置決定手段と、を設
けるようにしたので、複数の半導体装置に使用可能なマ
スクを製造することが可能となり、個々のマスクの開発
期間を短縮することが可能となる。

【００９１】さらに、所定の露光パターンが形成された
ブロックを複数有するマスクにおいて、複数の半導体装
置に共通する露光パターンを有するブロックを具備する
ようにしたので、１つのマスクを複数の半導体装置の露
光に用いることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の動作原理を説明する原理図である。

【図２】半導体装置、基本図形、および、カスタムブロ
ックの対応関係を説明するための図である。

【図３】本発明の実施の形態の構成例を示す図である。

【図４】図３に示す実施の形態の動作の流れを説明する
ための図である。

【図５】図４のステップＳ１０に示す「オリジナルマス
ク用露光データ作成処理」の詳細な動作を説明するため
のフローチャートである。

【図６】オリジナルマスクとして搭載されるブロックを
判定するための手法を示す図である。

【図７】個別のＬＳＩを設計した後に、そのＬＳＩの設
計データからウエハ露光用データを生成する際に実行さ
れる処理の一例を説明するフローチャートである。

【図８】１つのブロックから複数のパターンを生成する
際の電子ビームの偏位の様子を示す図である。

【図９】図８に示すように電子ビームを偏位させた場合
の転写パターンの一例を示す図である。

【図１０】１つのブロックから複数のパターンを生成す
る際の電子ビームの偏位の様子を示す図である。

【図１１】図１０に示すように電子ビームを偏位させた
場合の転写パターンの一例を示す図である。

【図１２】電子ビームを偏位させた場合に生じる問題点
を示す図である。

【図１３】第２の実施の形態において用いられる配置管
理テーブルの一例である。

【図１４】配置管理テーブルを用いてオリジナルマスク
作成用データを生成する際の処理の一例を説明するフロ
ーチャートである。

【図１５】オリジナルマスクに配置されるブロックの配
置状態を示す図である。

【図１６】複数のブロックの偏位方向が重なるように配
置することによって無駄に消費されるブロックの個数を
削減する方法を示す図である。

【図１７】空白部分を有するブロックと、偏位を伴うブ
ロックとを組み合わせることによって無駄に消費される
ブロックの個数を削減する方法を示す図である。

【図１８】偏位を伴うブロックを含むブロックマスクを
用いて露光を行う際に必要なウエハ露光用データを生成
する処理の一例について説明するフローチャートであ
る。

【図１９】電子ビームの偏位を伴うストラクチャである
か否かを判定するための方法の一例を示す図である。

【図２０】偏位量を偏位方向をパターン化されない枠の
データを用いて定義する方法の一例を示す図である。

【図２１】本発明の第３の実施の形態の動作の流れを説
明するための図である。

【図２２】従来における電子ビーム露光の処理の流れを
示す図である。

【符号の説明】

１０ マスク １１ 選択手段 １２ 転写手段 １３ 半導体基板 ２０〜２２ 半導体装置（ＬＳＩ） ２３ 基本図形 ２４，２５ カスタムブロック ２６ オリジナルマスク ３０ 基本ＬＳＩデータ ３１ 処理部 ３２ ウエハ露光用データ ３３ オリジナルマスク作成用データ ３４ 制御部 ３５ 露光部 ３６ オリジナルマスク ３７ 半導体基板 ５０ ＬＳＩデータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮島 正明 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA05 BB01 BB02 5F056 AA22 AA30 CA02 CA05 CA14 CA15 CB18

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定の露光パターンが形成されたブロッ
   クを複数有するマスクから所望のブロックを選択して半
   導体基板上に露光パターンを転写する露光装置におい
   て、 複数の半導体装置に共通する露光パターンが形成された
   ブロックを有するマスクから、露光しようとする半導体
   装置に対応する露光パターンが形成されたブロックを選
   択する選択手段と、 前記選択手段によって選択されたブロックに形成された
   露光パターンを、前記半導体基板上の所定の領域に転写
   する転写手段と、 を有することを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】 所定の露光パターンが形成されたブロッ
   クを複数有するマスクを製造する露光データ作成方法に
   おいて、 複数の半導体装置に共通する所定の基本図形を抽出する
   基本図形抽出手段と、前記基本図形抽出手段によって抽
   出された所定の基本図形を前記ブロックに分割する分割
   手段と、 前記分割手段によって分割されたブロックのマスク上へ
   の配置を決定する配置決定手段と、 を有することを特徴とする露光データ作成方法。
3. 【請求項３】 前記ブロック分割手段は、単一のブロッ
   クに複数の基本図形を割り当てるように分割を行うこと
   を特徴とする請求項２記載の露光データ作成方法。
4. 【請求項４】 前記配置決定手段は、露光する際に露光
   ビームを偏位する必要があるブロックについては、マス
   クの外周部に優先的に配置することを特徴とする請求項
   ２記載の露光データ作成方法。
5. 【請求項５】 前記配置決定手段は、露光ビームの偏位
   を伴うブロックに隣接するブロックとしては、前記偏位
   した露光ビームが照射される領域に開口を有しない露光
   パターンが形成されたブロックを配置することを特徴と
   する請求項２記載の露光データ作成方法。
6. 【請求項６】 前記配置決定手段は、開口を有しないブ
   ロックの周辺部には、前記露光ビームの偏位を伴うブロ
   ックを、その露光ビームの偏位方向が前記開口を有しな
   いブロックと一致するように配置することを特徴とする
   請求項２記載の露光データ作成方法。
7. 【請求項７】 所定の露光パターンが形成されたブロッ
   クを複数有するマスクにおいて、 複数の半導体装置に共通する露光パターンを有するブロ
   ックを具備していることを特徴とするマスク。