KR100608117B1

KR100608117B1 - 반도체 집적 회로의 노광 방법 및 노광 장치

Info

Publication number: KR100608117B1
Application number: KR1020000013008A
Authority: KR
Inventors: 야마우찌사또시
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 1999-10-25
Filing date: 2000-03-15
Publication date: 2006-08-02
Also published as: KR20010039544A; TWI251720B; JP2001125252A; US6574789B1

Abstract

종래의 더미 패턴 발생 방법에서는 설계 데이터 생성 중에 대량의 더미 패턴을 일괄 발생시켜, 이들을 합성하기 때문에, 데이터량이 대폭적으로 방대해지는 문제점이 있었다.

노광 장치에 입력한 노광 패턴 데이터로부터 소정의 단위 영역 마다의 노광 패턴 데이터를 추출하여, 추출한 노광 패턴 데이터와, 소정의 단위 영역마다의 더미 패턴 데이터를 머지(merge)하여, 머지한 노광 패턴 데이터와 더미 패턴 데이터를 단위 영역마다 노광 처리하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 노광 방법.

노광 방법, 패턴 데이터, 더미 데이터

Description

반도체 집적 회로의 노광 방법 및 노광 장치{EXPOSING METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS}

도1은 본 발명의 원리도.

도2는 본 발명의 제1 실시예인 전자 빔 노광장치의 주요부를 나타내는 도면.

도3은 본 발명의 제2 실시예의 개요를 설명하기 위한 도면.

도4는 본 발명의 제2 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지(merge) 처리를 설명하는 도면.

도5는 본 발명의 제2 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면(계속).

도6은 본 발명의 제3 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면.

도7은 본 발명의 제3 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면(계속).

도8은 배선폭이 가늘어짐을 방지할 목적으로 배치하는 더미 패턴을 설명하기 위한 도면.

도9는 본 발명의 제4 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면.

도10은 본 발명의 제4 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면(계속).

도11은 본 발명의 제4 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면(계속).

도12는 종래 기술의 설명도.

도13은 종래 기술에 의한 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면.

도14는 종래 기술에 의한 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 설명하는 도면(계속).

부호의 설명

5 --- 더미 패턴 발생 연산부

6 --- 라이브러리 패턴 데이터

30 --- 설계 패턴 데이터

34 --- 레티클, 마스크 또는 웨이퍼

35 --- 노광 패턴 데이터

36 --- 레티클 검사 데이터

37 --- 더미 패턴·데이터

40 --- 설계 패턴

41, 45, 49, 54, 58, 63 --- 더미 패턴

48 --- 노광 패턴

50 --- 스트라이프 영역

59 --- 필드 영역

본 발명은 LSI(반도체 집적 회로)의 노광 방법 및 노광 장치로서, 특히 노광 패턴의 작성 방법, 보다 상세하게는 더미 패턴의 생성·부가 공정을 포함하는 노광 패턴의 작성 방법과 노광 장치에 관한 것이다.

근년의 반도체 집적 회로는 2층 이상의 배선층을 사용하는 다층 배선 기술을 사용하여, 고밀도화, 고집적화를 실현하고 있다. 이러한 다층 배선 구조에서는 단차가 큰 구조가 생기기 쉬워서, 반도체 웨이퍼의 평탄성을 나쁘게 한다. 이 때문에, 배선이 단선되거나, 단락하는 등의 국소적인 이상을 일으키기 쉽다. 또, 큰 단차가 있기 때문에 노광시에 초점 깊이(focal depth)내로 수렴되지 않아서 패턴 해상 불량이 발생하는 등의 문제를 일으킨다. 그런데, 단차를 완화시키기 위해서 패턴 밀도가 낮은 장소에서는 더미 패턴이라고 불리우는 전기적으로 독립이고, 실제로 회로로서 기능하지 않는 의사 패턴을 발생시키고, 그 후 다른 패턴과 함께 합성함으로써, 패턴 밀도를 균일하게 하고, 반도체 웨이퍼를 평탄화하는 방법이 행해지고 있다.

도12는 더미 패턴을 일괄 발생시켜 설계 패턴과 머지하는 종래 기술의 설명도이다. 도12에서, 30은 설계 패턴 데이터, 31은 더미 패턴 데이터, 32는 노광 패턴 데이터, 33은 레티클 검사 데이터, 34는 노광 또는 검사 후의 레티클, 마스크 또는 웨이퍼를 나타낸다. 또, 도면 중의 F로 표시한 도형은 회로를 구성하는 패턴을 개략적으로 나타내며, 동일 형상의 작은 직사각형 군은 더미 패턴을 나타내고 있다.

도12에 나타내는 종래 기술의 처리의 흐름에서는 먼저, 설계 공정에서 작성된 설계 패턴 데이터(30)와, 설계 패턴 데이터(30)를 기초로 생성된 더미 패턴 데이터(31)를 머지 처리(또는 OR 처리)하여 1개의 데이터로 합성하고, 여러 데이터 처리를 거쳐서 노광 패턴 데이터(32)를 작성한다. 이 노광 패턴 데이터(32)를 기초로 레티클, 마스크 또는 웨이퍼 노광처리가 실시되고, 최종적인 레티클 마스크, 또는 웨이퍼(34)가 제조된다. 한편, 같은 노광 패턴 데이터(32)로부터 레티클 검사 데이터(33)가 생성되며, 이 레티클 검사 데이터(33)를 기초로 레티클(34)의 검사가 행해진다.

다음에 도13a~도13c 및 도14d~도14g를 사용하여, 도12에서의 설계 패턴(30)을 기초로 더미 패턴 데이터(31)를 생성하는 처리와, 생성된 더미 패턴 데이터(31)와 설계 패턴 데이터(30)를 머지 처리하는 처리를 보다 상세하게 설명한다. 여기서, 도면의 좌측은 설계 패턴을 나타내고, 우측은 생성 과정의 더미 패턴을 나타내고 있다. 먼저, 도13a는 초기 상태를 표시한다. 여기에 도시된 설계 패턴은 세로 2개의 배선 패턴(40)이다. 한편, 더미 패턴은 아직 전혀 형성되어 있지 않다.

다음에 도13b에서는 동일 형상의 작은 직사각형인 더미 패턴(41)을 영역내 전면(全面)에 규칙적으로 발생시킨다. 이 경우, 예를 들면, 더미룰(dummy rule)이 1.0μ의 경우, 1.0μ스퀘어의 더미 패턴을 1.0μ간격마다 발생시키는 룰이기 때문 에, 4㎛ 스퀘어에 1개의 더미 패턴이 발생된다. 만약, 디바이스 소자 사이즈가 원 치수로 15.5mm×15.5mm이면, 5배 레티클에서의 더미 패턴 발생 영역은 그 5배, 즉 77.5mm×77.5mm이기 때문에, 이 영역에 발생되는 더미 패턴의 수는 단순하게 계산하면 (77500 x 77500)/4=약 15억개이다. 1개의 더미 패턴에 필요한 데이터량을 5 바이트로 하면, 전 더미 패턴에 필요한 데이터량은 75억 바이트가 된다. 또, 더미룰이 2.0μ의 경우라면, 2.0μ스퀘어의 더미 패턴을 2.0μ간격마다 발생시키기 때문에, 이 영역에 발생되는 더미 패턴의 수는 (77500 ×77500)/16= 약3.8억개이고, 전 더미 패턴에 필요한 데이터량은 19억 바이트가 된다.

다음에 도13c에서는 설계 패턴(40)의 정보를 읽어 내서, 규칙적으로 발생시킨 더미 패턴(41)과 의사적으로 중첩시킨다(이하, 의사 중첩 설계 패턴(42)이라고 한다). 도14d에서는 의사 중첩 설계 패턴(42)을 더미 패턴(41)과 설계 패턴(40)의 상호 간격으로서 필요한 치수만큼 외측으로 쉬프트시킨다(패턴 형상을 두껍게 한다). 도14e에서는 다중 노광부의 제거를 목적으로, 더미 패턴(41)과 쉬프트 뒤의 의사 중첩 설계 패턴(44)의 2개의 데이터의 머지 처리를 한다. 이 처리에서, 더미 패턴(41)과 의사 중첩 설계 패턴(44)이 중복된 불필요한 부분을 제거할 수 있다. 도14f에서는 의사 중첩 설계 패턴(44)을 데이터로부터 제거하고, 남은 데이터를 좌측의 설계 패턴에 따른 더미 패턴(45)으로 한다. 마지막으로 도14g에서는 앞 스텝에서 생성한 더미 패턴(45)과, 오리지날의 설계 패턴(40)을 머지 처리하여, 더미 패턴의 생성 및 머지 처리를 완료한다.

그러나, 전술한 것 같은 종래의 더미 패턴 발생 방법에서는 원래 데이터량이 많은 설계 패턴에 더해서, 더욱 대량의 더미 패턴이 부가되어, 데이터량이 대폭적으로 증가하는 문제점이 있다. 노광 패턴을 생성할 때까지의 공정 중, 초기의 단계인 설계 패턴에서 이미 데이터량이 방대하면, 이후의 처리, 즉 설계 패턴으로부터 노광 패턴으로의 변환 처리 또는 검사 장치용 패턴으로의 변환 처리 등의 각 공정에서, 처리 시간이 대폭적으로 증가한다. 또, 계산기의 부하가 높아지므로, 컴퓨터의 동작 불량을 일으키는 등의 문제도 파생한다.

본 발명은 상기 문제를 해결하기 위해서 행하여진 것으로, 일련의 노광 패턴 발생 처리에서 방대한 데이터량을 갖지 않고서, 설계 패턴에 더미 패턴을 부가하여 노광 처리 및 검사 처리를 하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 문제는 노광 장치에 노광 패턴 데이터를 입력하는 스텝과,

상기 노광 패턴 데이터로부터 소정의 단위 영역마다의 노광 패턴 데이터를 추출하는 스텝과,

상기 추출한 노광 패턴 데이터와, 상기 소정의 단위 영역과 동일의 단위 영역마다의 더미 패턴 데이터를 머지하는 스텝과,

상기 머지한 노광 패턴 데이터와 더미 패턴 데이터를 상기 소정의 단위 영역마다에 노광처리하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 노광 방법에 의해 해결된다.

도1은 본 발명의 원리를 설명하는 도면이다. 먼저, 도1a을 사용하여 본 발 명의 원리를 설명하면, 스텝1(S1)에서, 설계 패턴으로부터 여러 처리를 거쳐 생성한 노광 패턴을 노광 장치에 입력한다. 다음에 스텝2(S2)에서, 입력한 노광 패턴으로부터 소정의 처리 단위마다의 노광 패턴 데이터를 추출한다. 다음에 스텝3(S3)에서, 추출한 소정의 처리 단위마다의 노광 패턴 데이터와 동일 단위의 단위 영역마다의 더미 패턴의 머지 처리를 한다. 그리고 스텝4(S4)에서, 머지 처리된 노광 패턴과 더미 패턴을 소정 처리 단위마다 노광처리한다. 이 처리 단위마다의 노광 패턴 데이터 추출(S1)으로부터 노광처리(S4)까지는 전체 처리 단위에 대해서 반복한다.

도1b는 도1a의 스텝3(S3)을 보다 상세하게 설명하는 플로우 차트이다. 먼저 스텝31(S31)에서, 소정 처리 단위마다의 노광 패턴과 소정 처리 단위마다의 더미 패턴을 중첩시킨다. 다음에 스텝32(S32)에서는 스텝(31)에서 의사적으로 중첩한 노광 패턴을 소정 치수만큼 확대하는 쉬프트 처리를 한다. 다음에 스텝33(S33)에서 스텝32에서 작성한 데이터로부터 다중 노광부를 제거하는 처리를 한다. 다음에 스텝34(S34)에서, 스텝33에서 작성한 데이터로부터 의사적으로 중첩한 노광 패턴 데이터를 제거한다. 마지막으로 스텝35(S35)에서, 소정의 처리 단위마다의 오리지날 노광 패턴과 합성하여, 소정의 처리 단위마다의 노광 패턴과 더미 패턴의 머지 처리를 완료한다.

이상의 방법에 의하면, 전체 노광 패턴 데이터의 전체 범위에 대해서 더미 패턴을 일괄 발생시켜서 이들을 후 공정까지 유지할 필요가 없기 때문에, 데이터량이 작아져서, 처리의 고속화 및 계산기 부하의 경감이 도모된다.

또, 상기 문제는 반도체 집적 회로 장치의 패턴을 노광하는 장치로서, 소정의 단위 영역마다 추출한 노광 패턴 데이터를 저장하는 제1 메모리와, 소정의 단위 영역마다의 더미 패턴 데이터를 저장하는 제2 메모리와,

상기 제2 메모리로부터 입력한 더미 패턴 데이터를, 상기 제1 메모리로부터 입력한 노광 패턴에 합성하는 더미 패턴 발생 연산부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 제조 장치에 의해 해결된다.

이 제조 장치에 의하면, 노광 장치내에서 더미 패턴을 노광처리의 단위마다 발생하므로, 노광 장치에서 취급하는 노광 패턴 데이터의 데이터량이 작아져서, 노광 패턴 데이터 생성 처리의 고속화 및 계산기 부하의 경감이 도모된다.

실시예

이하에 본 발명의 실시예를 설명한다. 또한, 실시예를 설명하기 위한 전체 도면에서 동일의 대상에 대해서는 동일 부호를 붙이고, 중복 설명을 생략한다.

도2는 본 발명의 제1 실시예인 전자 빔 노광 장치의 주요부를 나타내는 도면이다. 도면 중, 1은 외부에서 받은 노광 패턴 데이터의 정보를 저장하는 1차 데이터 저장버퍼이고, 2는 CPU, 3은 데이터계 콘트롤 회로, 4는 하드웨어계 콘트롤 회로이다. 1차 데이터 저장버퍼(1)에 저장된 데이터는 데이터계 콘트롤 회로(3)의 제어에 의해서, 더미 패턴 발생 연산부(5)에 건네진다. 더미 패턴 발생 연산부(5)는 소정 단위 영역마다(예를 들면, 스트라이프나 서브필드)에 더미 패턴을 발생시키는 회로이고, 더미 패턴 발생 후의 데이터를 2차 데이터 저장버퍼(7)에 저장한다. 더미 패턴 발생 연산부(5)는 라이브러리 패턴 데이터 파일(6)에 엑세스하도록 되어 있다. 이 라이브러리 패턴 데이터 파일(6)에는 간격, 형상, 단위 영역 등의 소정 조건이 다른 각종의 더미 패턴 데이터(이)가 축적되어 있다. 8은 2차 데이터 저장버퍼(7)로부터 읽어 낸 데이터에 대해서 체크하는 데이터 체크 섬 회로를 나타낸다.

또, 9는 메인 편향기(22)를 사용하여 전자 빔을 대편향시키기 위한 메인 편향 데이터를 저장하는 메인 편향 메모리이고, 11은 메인 편향 메모리(9)로부터 읽어 낸 데이터의 보정 연산을 하는 보정 회로, 12는 보정 회로(11)에 의해 보정된 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 D/A 컨버터, 13은 메인 편향기(22)를 제어하는 메인 편향기 콘트롤러이다. 또, 10은 서브 편향기(23)를 사용하여 전자 빔을 소편향시키기 위한 서브 편향 데이터를 저장하는 서브 편향 메모리이고, 11은 서브 편향 메모리(10)로부터 읽어 낸 데이터의 보정 연산을 하는 보정 회로, 12는 보정 회로(11)에 의해 보정된 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 D/A 컨버터, 14는 서브 편향기(23)를 제어하는 서브 편향기 콘트롤러이다.

여기서 본 실시예의 전자 빔 노광 장치가 종래의 전자 빔 노광 장치와 다른 점은 데이터계 콘트롤 회로(3)와 2차 데이터 저장버퍼(7) 사이에, 더미 패턴 발생 연산부(5)를 설치하고, 이 더미 패턴 발생 연산부(5)는 라이브러리 패턴 데이터(6)에 억세스하도록 되어 있는 점이다.

다음에, 도3을 이용하여, 본 발명의 제2 실시예의 개요를 설명한다. 이 실시예에서는 설계 패턴 데이터(30)로부터 노광 패턴 데이터(35)를 작성한 후에, 더미 패턴 데이터(37)와 합성을 한다. 또, 노광 패턴 데이터(35)를 변환하여 레티클 검사 데이터(36)를 작성한 후에, 더미 패턴 데이터(37)와의 머지 처리를 한다. 그리고, 레티클(마스크 또는 웨이퍼) 노광이나 레티클 검사 등의 각각의 공정을 겨쳐서, 최종적인 레티클(마스크 또는 웨이퍼)(34)를 제조한다. 여기서, 더미 패턴 데이터(37)란 설계 패턴(30)의 형상과는 무관하게 규칙적인 패턴(또는 그 규칙 자체)이 저장된 것이고, 그 범위도 레티클(마스크 또는 칩)사이즈 전체가 아니라, 극소 범위이기 때문에, 데이터량은 작아진다. 또한, 본 발명의 반도체 집적 회로의 노광 방법은 노광 대상이 레티클, 마스크, 웨이퍼 중 어느 것이라도 상관없다.

다음에 도4a~도4c 및 도5d~도5g을 이용하여, 본 발명의 제2 실시예인 더미 패턴 생성 및 머지 처리를 보다 상세하게 설명한다. 여기서, 도4의 좌측은 노광 패턴이고, 우측은 더미 패턴을 나타내고 있다. 먼저, 도4a는 초기 상태를 나타낸다. 노광 패턴은 세로 2개의 배선 패턴(48)이고, 노광 단위인 사각형 또는 삼각형의 기본 형상으로 분할되어 있다. 더미 패턴은 아직 전혀 형성되어 있지 않다. 다음에 도4b에서는 라이브러리 패턴 데이터 파일(6)로부터 읽어 낸 동일 형상의 작은 직사각형인 더미 패턴(49)을 래스터(raster)형 장치의 스테이지 이동 단위인 1스트라이프의 영역(50)에만 발생시킨다. 또한, 위로부터 1단째 스트라이프는 이미 처리하였고, 다음 처리 대상인 위로부터 2단째 스트라이프를 처리하는 경우를 본 실시예에서는 설명한다. 다음에 도4c에서는 1스트라이프 분의 영역(50)에 맞는 노광 패턴(48)의 정보를 읽어 내서, 더미 패턴(49)과 의사적으로 중첩시킨다(이하, 의사 중첩 노광 패턴(51)이라고 한다). 도5d에서는 의사 중첩 노광 패턴(51)을 더미 패턴(49)과 노광 패턴(48)의 상호 간격으로서 필요한 치수만큼 외측으로 쉬프트(두껍게 함)처리를 실시한다. 도5e에서는 더미 패턴(49)과 쉬프트 후 의사 중첩 노광 패턴(53)의 중복부를 제거하기 위해서 2개의 데이터의 머지 처리를 한다. 도5f에서는 의사 중첩 노광 패턴(53)을 제거하여, 좌측의 오리지날 노광 패턴(48)에 따른 더미 패턴(54)의 생성을 종료한다. 마지막으로 도5g에서는 앞 스텝에서 생성한 더미 패턴(54)과, 노광 패턴(48)을 합성하여, 1스트라이프분의 영역(50)에 맞는 더미 패턴(54)과 노광 패턴(48)의 생성 처리를 완료한다.

이와 같이 더미 패턴의 발생을 노광 직전에, 노광 장치내에서 스테이지 이동분(1스트라이프)만큼 발생시키므로, 노광 패턴의 데이터량이 방대해지는 일은 없다. 또, 소규모의 범위내에서 더미 패턴을 발생시키기 때문에, 새로이 더해지는 더미 패턴 발생 처리에 필요한 시간은 노광의 처리량을 낮추는 정도는 아니다. 또, 노광처리 중에, 다음에 노광하는 처리 단위의 더미 패턴 발생 처리를 병행하여 할 수도 있다.

다음에, 본 발명을 적용한 제3 실시예를 설명한다. 제3 실시예의 더미 패턴 발생 처리의 각 공정을 도6a~도6c 및 도7d~도7g에 도시한다. 본 실시예에서는 래스터형 노광 장치를 대상으로 하는 제2 실시예와 달리, 벡터형 노광 장치를 대상으로 한다. 이 때문에, 도6b에 나타내는 바와 같이 더미 패턴을 발생시키는 처리 단위 영역은 필드가 단위이다. 본 실시예에서는 좌측 위로부터 2번째의 필드를 처리 대상으로 하는 경우를 나타낸다. 여기서, 필드란 벡터형 노광 장치에서, 노광 빔을 대편향하여 이동시킬 수 있는 단위이고, 스테이지 이동의 단위가 되는 영역이다. 또, 필드 대신에, 예를 들면 서브필드를 단위 영역으로 하여 더미 패턴을 발 생시킬 수도 있다. 서브필드란 벡터형 노광 장치에서, 노광 빔을 소편향하여 이동시킬 수 있는 단위가 되는 영역이다. 이와 같이 각 노광 장치의 특성에 따라서, 스테이지 이동이나 빔 편향 같은 단위의 영역이 더미 패턴을 발생시키는 단위 영역으로서 적절하다. 또한, 이 제3 실시예는 더미 패턴을 발생시키는 단위 영역 이외는 제2 실시예와 같기 때문에, 다른 설명은 생략한다.

다음에, 도8, 도9~도11을 이용하여, 본 발명을 적용한 제4 실시예를 설명한다. 본 실시예에서는 더미 패턴을 노광 패턴 형상 보정의 목적으로, 지정된 영역에만 발생시킨다. 또, 더미 패턴은 외부로부터 지정된 형상의 패턴을 더미 패턴 발생 연산부가 발생시키고 있다.

도8은 배선폭의 가늘어짐을 방지할 목적에서 배치되는 더미 패턴을 설명하기 위한 도면이다. 도8에 나타내는 바와 같이 예를 들면, 복수의 근접한 동일 선폭의 배선 패턴(70)이 등간격으로 나란하고, 그 외측 근방에는 노광 패턴이 없는 경우, 상호의 영향으로, 외측의 배선 패턴(71)이 내측의 배선 패턴(72)보다 선폭이 가늘어지는 현상이 일어난다. 이것을 방지하기 위해서, 배선 패턴(70)의 외측 일렬에 회로와는 무관한 더미 패턴(73)을 배치함으로써, 노광 후의 모든 배선 패턴(75)을 정상적인 선폭으로 하는 처리가 행해진다.

도9a~도9c, 도10d~도10f, 도11g~도11i를 이용하여, 본 발명을 적용한 제4 실시예인 더미 패턴 발생 및 머지 처리를 설명한다. 먼저, 도9a는 초기 상태을 나타낸다. 노광 패턴(80)은 세로 4개의 동일 선폭을 갖는 배선 패턴이고, 배선 사이는 동일 간격이다. 더미 패턴은 아직 형성되어 있지 않다. 다음에 도9b에서는 지정 형상의 더미 패턴(81)을 지정 영역에만 발생시킨다. 이 실시예에서의 지정 영역은 래스터형 장치의 1스테이지 이동분인 스트라이프 영역내(50)이다. 본 실시예에서는 제2 실시예와 마찬가지로 위에서 2번째의 스트라이프 영역(50)을 처리하는 경우를 설명한다. 다음에 도9c에서는 1스트라이프분의 영역(50)에 맞는 노광 패턴(80)의 정보를 읽어 내서, 더미 패턴(81)과 의사적으로 중첩한다(이하, 의사 중첩 노광 패턴(82)이라고 한다). 도10d에서는 의사 중첩 노광 패턴(82)을, 더미 패턴(81)과 노광 패턴(80)의 상호 간격으로서 필요한 치수(d1)만큼 외측으로 쉬프트(두껍게 함)처리를 실시한다. 도1Oe에서는 더미 패턴(81)과 쉬프트 후 의사 중첩 노광 패턴(83)의 중복부를 제거하기 위해 2개 데이터의 머지 처리를 한다. 도10f에서는 쉬프트후 의사 중첩 노광 패턴(84)을, 더미 패턴(81)이 필요로 하는 간격의 치수(d2)만큼 외측으로 더 쉬프트시킨다. 이 간격은 복수의 배선 패턴(80)의 외측 근방인 범위이다. 이 간격d2는 미리 더미 패턴 발생 연산부(5)에 룰·데이터로서 주어진다. 도11g에서는 더미 패턴(85)과 쉬프트후 의사 중첩 노광 패턴(84)의 중복부를 제거하기 위해 2개 데이터의 머지 처리를 한다. 도11h에서는 쉬프트후 의사 중첩 노광 패턴(84)을 제거하여, 좌측의 오리지날 노광 패턴(80)에 따른 더미 패턴(85)의 생성을 종료한다. 마지막으로 도11i에서는 앞 스텝에서 생성한 더미 패턴(85)과, 노광 패턴(80)을 합성시키고, 1스트라이프분의 영역(50)에 맞는 노광 패턴(80)에 대응한 보정용 더미 패턴(85)의 생성 처리 및 머지 처리를 완료한다.

이와 같이 더미 패턴을 노광 패턴을 추출한 영역과 동일 영역에 발생시킬 수 있어, 이 영역내에, 주어진 룰에 적합한 더미 패턴만을 남길 수 있다.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 노광 패턴의 데이터량을 증가시키는 일 없이 또한 계산기에 과잉의 부하를 걸지 않고 고속으로 노광 패턴 작성 처리와 노광처리를 실현할 수 있다. 또, 더미 패턴 발생에 걸리는 시간이 단축된다.

Claims

노광 장치에 노광 패턴을 입력하는 단계;

상기 노광 패턴으로부터 복수의 소정의 단위 영역마다의 노광 패턴 데이터를 추출하는 단계;

더미(dummy) 패턴을 생성하는 단계;

상기 추출한 노광 패턴 데이터와 각 단위 영역마다의 대응하는 더미 패턴을 머징(merging)하는 단계; 및

상기 머징한 노광 패턴 데이터와 더미 패턴을 상기 소정의 단위 영역마다 노광시키는 단계를 포함하는 반도체 집적 회로의 노광 방법.
제1항에 있어서,

상기 소정의 단위 영역 각각은 상기 노광 장치의 스테이지 이동 단위와 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 노광 방법.
제1항에 있어서,

상기 소정의 단위 영역마다의 더미 패턴 데이터는 상기 각 소정의 단위 영역내에 소정의 배열 조건으로 발생되고, 상기 노광 장치 내에 미리 축적되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 노광 방법.
제1항에 있어서,

상기 추출된 소정의 단위 영역마다의 노광 패턴 데이터를 상기 소정의 단위 영역마다의 더미 패턴과 중첩시키는 단계;

상기 중첩한 노광 패턴 데이터를 소정량의 면적으로 확대하는 단계;

상기 중첩한 노광 패턴 데이터와 더미 패턴으로부터 중복된 부분을 제거하는 단계;

상기 중복된 부분을 제거한 데이터로부터 제 2 더미 패턴을 생성하는 단계; 및

상기 추출된 소정의 단위 영역마다의 노광 패턴 데이터와 상기 제 2 더미 패턴을 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 노광 방법.
반도체 집적 회로 장치의 패턴을 노광하는 장치로서,

소정의 단위 영역마다 추출된 노광 패턴 데이터를 저장하는 제1 메모리;

소정의 단위 영역마다의 대응하는 더미 패턴 데이터를 저장하는 제2 메모리; 및

상기 더미 패턴 데이터와 상기 노광 패턴 데이터를 합성하는 더미 패턴 발생 연산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
설계 패턴으로부터 생성된 노광 패턴을 입력하는 단계;

상기 입력 노광 패턴으로부터 복수의 단위 영역마다의 패턴 데이터를 추출하는 단계;

더미 패턴 데이터를 생성하는 단계;

상기 추출한 노광 패턴 데이터와 각 단위 영역마다의 대응하는 더미 패턴을 머징하는 단계; 및

상기 머징된 데이터를 각 단위 영역마다 노광시키는 단계를 포함하는 반도체 집적 회로의 노광 방법.
반도체 집적 회로 장치의 패턴을 노광시키는 방법으로서,

소정의 단위 영역마다 노광된 노광 패턴 데이터를 저장하는 단계;

상기 소정의 단위 영역마다 대응하는 더미 패턴 데이터를 저장하는 단계; 및

상기 더미 패턴 데이터와 상기 소정의 단위 영역마다의 상기 노광 패턴 데이터를 합성하는 단계를 포함하는 노광 방법.
제 7 항에 있어서,

상기 노광 패턴 데이터의 형상을 보상하기 위해 설계된 영역에만 더미 패턴 데이터가 생성되는 노광 방법.