JPH09258429A - ブロック露光におけるブロック搭載方法 - Google Patents

ブロック露光におけるブロック搭載方法

Info

Publication number
JPH09258429A
JPH09258429A JP6309696A JP6309696A JPH09258429A JP H09258429 A JPH09258429 A JP H09258429A JP 6309696 A JP6309696 A JP 6309696A JP 6309696 A JP6309696 A JP 6309696A JP H09258429 A JPH09258429 A JP H09258429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
blocks
extraction
pattern
size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6309696A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Miyajima
正明 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP6309696A priority Critical patent/JPH09258429A/ja
Priority to US08/816,685 priority patent/US5984505A/en
Publication of JPH09258429A publication Critical patent/JPH09258429A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】パターンをより多くブロックマスクに搭載する
ことにより、ブロック露光をより高速、高精度にするこ
とを目的とする。 【解決手段】ステップ101で各抽出ブロックのパター
ン存在領域のX方向及びY方向の大きさに基づいて組み
合わせることのできる抽出ブロックを選び出す。ステッ
プ102で組み合わせる抽出ブロックを搭載ブロックに
展開する。ステップ103で部分照射用のブロックのず
らし量を求め、求めたずらし量をステップ104でブロ
ックデータに設定することにより全面照射型から部分照
射型への変更を行う。ステップ105でブロックマスク
上のブロック搭載可能個数になるまでステップ101〜
ステップ104を繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の露
光方法の一つとなる、ブロック露光に関するものであ
る。
【0002】近年のLSIは大規模、微細化が進み、露
光するLSIパターンの露光速度や露光精度を向上させ
る露光技術が必要とされており、その1つの露光方法と
してブロック露光法がある。
【0003】図27は従来の可変矩形露光装置10を示
し、ビーム光源11から照射されるビームを第1アパー
チャ12に設けた矩形窓13を介して透過させ、電磁偏
向器14によって透過ビームを偏向させる。第2アパー
チャ15に設けた矩形窓16と偏向されたビームとの重
ね合わせによって矩形窓16を透過するビームの断面形
状、すなわち、露光パターンを構成する。そして、電磁
偏向器17によって透過ビームを偏向させ、露光媒体と
しての半導体ウェハ18の所定の位置を露光する。この
可変矩形露光法では1ショットで1パターンしか露光で
きない。
【0004】図28はブロック露光装置20を示し、前
記第2アパーチャ15に代えて、複数パターンよりなる
パターン群を1つの搭載ブロックとして複数の搭載ブロ
ック22を配置したブロックマスク21を用いている。
このブロック露光法では、1ショットで複数パターンを
露光することが可能となる。このブロック露光における
ブロックマスク21に搭載されるパターンは露光速度、
露光精度に影響を及ぼすため、ブロックマスク21には
多くのパターンを搭載する方法が必要とされている。
【0005】
【従来の技術】図29がブロックマスクを製造するため
のブロック露光用データの作成を行うフローである。ス
テップ30ではデータファイル41から基データ(マス
クパターンデータ)を入力し、ステップ31で各種の図
形処理を行う。この図形処理後のデータはデータファイ
ル42に中間データとして格納される。
【0006】ステップ32ではデータファイル42から
中間データを入力し、ステップ33では制御文43に基
づいて中間データからブロック抽出処理を行い、抽出し
たブロックパターンデータをメモリ46に格納する。例
えば、図30に示すように、中間データがメモリセル5
0のパターンである場合には、繰り返しを考慮してブロ
ック51,52,53が抽出される。また、図31に示
すように、中間データがセルアレイの端の部分や横もし
くは縦に長いパターン55である場合には、繰り返しを
考慮してブロック56,57,58が抽出される。
【0007】ステップ34でメモリ46からブロックパ
ターンデータを読み込み、ブロックデータとしてデータ
ファイル44に出力する。ステップ35でデータファイ
ル44に出力したブロック数はブロックマスクへの搭載
可能個数以上かを判定し、ステップ33〜35の処理は
搭載可能個数になるまで繰り返される。
【0008】ステップ36ではデータファイル44から
ブロックデータを読み込み、ブロックマスクを露光する
ためにブロックの図形データを矩形分割し、分割したデ
ータをデータファイル45に出力する。ステップ37で
はデータファイル45から分割されたブロックのデータ
を読み込み、露光データに変換してデータファイル46
に出力する。
【0009】ステップ38ではデータファイル42から
ブロックとして抽出された以外の図形データを矩形分割
し、分割したデータをデータファイル45に出力する。
ステップ39ではデータファイル45からブロック以外
の分割されたデータを読み込み、露光データに変換して
データファイル46に出力する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいては半導体集積回路のように繰り返しのできるパタ
ーン群、例えば図30に示すようにメモリセル50を搭
載候補としてブロックパターン抽出するのだが、抽出し
たブロック51〜53をそのまま搭載ブロックとしてい
る。また、図31に示すようにセルアレイの端の部分や
横もしくは縦に長いパターン55をブロックサイズで切
り出した抽出ブロック56〜58では、ブロックの端の
部分にしかパターンが存在していなくても1ブロックと
してブロックマスク上に搭載されていた。
【0011】これにより、ブロックとして搭載できるパ
ターンはブロックマスクの搭載可能個数という制限によ
り、搭載できるパターン数が少なくなる。このため、ブ
ロックマスクに搭載できなかったパターンは、従来の露
光法により露光されるため、露光速度や露光精度の低下
を招く結果となる。
【0012】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、抽出したブロックが有するパターン
をより多くブロックマスクに搭載することにより、ブロ
ック露光をより高速、高精度にすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、露光パターンから所定のパターンを有す
る複数のブロックを抽出し、各抽出ブロックにおけるパ
ターンの存在領域に基づいて1つの搭載ブロックに納め
ることができるパターンを有する複数の抽出ブロックの
組み合わせを構成する。この後、1つの搭載ブロックに
組み合わせた複数の抽出ブロックのパターンを納めると
ともに、この搭載ブロックを全面照射型から部分照射型
に変更する。
【0014】(作用)従って、複数の抽出ブロックのパ
ターンが1つの搭載ブロックに納められるため、ブロッ
クマスク上への抽出ブロックの搭載個数が増加する。よ
って、ブロック露光の利点である高速露光、高精度露光
が向上され、これによる半導体装置の生産性向上、及び
品質向上が可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図26に従って説明する。なお、説明の便宜上、図2
8,29と同一の構成については同一の符号を付してそ
の説明を一部省略する。
【0016】図1は本形態におけるブロックマスクを製
造するための露光用データの作成を行うフローである。
ステップ30ではデータファイル41から基データ(マ
スクパターンデータ)を入力し、ステップ31で各種の
図形処理を行う。この図形処理後のデータはデータファ
イル42に中間データとして格納される。
【0017】ステップ32ではデータファイル42から
中間データを入力し、ステップ33では制御文43に基
づいて中間データから繰り返しの効く単位のパターン群
をブロックとして抽出し、抽出したブロックパターンデ
ータをメモリ46に格納する。ステップ60ではデータ
ファイル42の中間データから抽出が全て終わるまでス
テップ33を繰り返し処理する。
【0018】ステップ61では各抽出ブロックにおける
パターン群の存在領域に基づいて1つの搭載ブロックに
納めることができるパターン群を有する複数の抽出ブロ
ックの組み合わせ処理を行う。また、この際、ブロック
データの照射型を全面照射型から部分照射型に変更す
る。
【0019】図2は全面照射型と部分照射型の違いを示
す。同図(a)に示すように、全面照射型ではブロック
マスク21における1つの搭載ブロック22に対してビ
ームの照射範囲23を合致させる。これに対して、部分
照射型は同図(b)に示すように、ブロックマスク21
における1つの搭載ブロック22に対してビームの照射
範囲23をずらすようにしており、同図(c)に示すよ
うに搭載ブロック22に対してX方向及びY方向のずら
し量Δx,Δyを与えるのみで良い。また、同図(d)
はそのデータ構成を示し、全面照射型のデータに対して
ずらし量が設定されたブロックデータが設定されてい
る。
【0020】ステップ34でメモリ46からブロックパ
ターンデータを読み込み、ブロックデータとしてデータ
ファイル44に出力する。ステップ36ではデータファ
イル44からブロックデータを読み込み、ブロックマス
クを露光するためにブロックの図形データを矩形分割
し、分割したデータをデータファイル45に出力する。
ステップ37ではデータファイル45から分割されたブ
ロックのデータを読み込み、露光データに変換してデー
タファイル46に出力する。
【0021】ステップ38ではデータファイル42から
搭載ブロックとして組み合わされた抽出ブロックの図形
データ以外の図形データを読み込み、その読み込んだ図
形データを矩形分割し、分割したデータをデータファイ
ル45に出力する。ステップ39ではデータファイル4
5からブロック以外の分割されたデータを読み込み、露
光データに変換してデータファイル46に出力する。
【0022】図3は本形態における抽出ブロックの組み
合わせ処理の基本動作を表す処理フローである。ステッ
プ101で各抽出ブロックのパターン存在領域のX方向
及びY方向の大きさに基づいて組み合わせることのでき
る抽出ブロックを選び出し、ステップ102で組み合わ
せる抽出ブロックを搭載ブロックに展開する。これ以
降、この明細書においては、簡略化のためにパターン存
在領域のX方向の大きさ及びY方向の大きさを単にそれ
ぞれパターン存在領域というものとする。
【0023】また、これ以降、本明細書においては、搭
載ブロック及び抽出ブロックのX方向の大きさ及びY方
向の大きさをそれぞれX方向サイズ及びY方向サイズと
いうものとし、X方向サイズ及びY方向サイズをそれぞ
れX0,Y0とする。また、ブロックのX方向サイズX
0からパターン存在領域Ax,Bx,Cx,Dxを引い
た値を、Axz,Bxz,Cxz,Dxzで表すものと
する。
【0024】ステップ103で部分照射用のブロックの
ずらし量を求め、求めたずらし量をステップ104でブ
ロックデータに設定することにより全面照射型から部分
照射型への変更を行う。
【0025】ステップ105でブロックマスク上のブロ
ック搭載可能個数になるまでステップ101〜ステップ
104を繰り返す。図4が本発明の基本的な説明図であ
る。まずステップ101により抽出されたブロックのブ
ロックA〜D(同図(a))が取り出され、各々のパタ
ーン存在領域Ax,Ay,Bx,By,Cx,Cy,D
x,Dyが求められ、組み合わせが考察される。
【0026】組み合わされたものが同図(b)となり、
図中、点線の枠はビーム照射を行う位置である。ステッ
プ102において、各ブロックのパターン存在領域を基
に搭載ブロックCB1に、ブロックA〜Dのブロックパ
ターンが展開される。展開されたパターンは同図(c)
の搭載ブロックCB1のブロックパターンに格納され
る。
【0027】ステップ103では、搭載ブロックCB1
へのブロックの展開位置により、搭載ブロックの左下か
らのブロックA〜Dを実際に照射するためのずらし量Δ
Ax,ΔAy,ΔBx,ΔBy ΔCx,ΔCy ΔD
x,ΔDyが各々求められる。ステップ104で求めた
ずらし量は、同図(c)のブロックデータに示すよう
に、基となるブロック番号CB1と共に格納される。
【0028】図5は2つのブロックを組み合わせて搭載
ブロックを構成するブロックデータ組み合わせ処理のフ
ローである。まず、ステップ111で基本となるブロッ
クAを取り出し、そのブロックのパターン存在領域A
x,Ayを求める。
【0029】ステップ112でブロックA以外のブロッ
クBを取り出し、同じようにパターン存在領域Bx,B
yを求める。ブロックAのパターン存在領域Axとブロ
ックBのパターン存在領域Bxの和がブロックのX方向
サイズX0以下であれば、ブロックとしてX方向に並べ
て搭載することができるため、ステップ113でその判
定を行う。
【0030】ステップ114には組み合わせが可能とさ
れたブロック2つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まずステップ114ではブロックA
のパターンを搭載ブロックの左端に寄せて展開する。次
にブロックBのパターンを、ブロックAを展開した領域
の右側に展開する。
【0031】ステップ115では搭載ブロックに対して
どの位置にビームを照射すれば良いかのずらし量を求め
る。搭載ブロックの原点は搭載ブロックの左下隅角を
(0,0)としている。ステップ116で全面照射型で
持っていたブロックA、ブロックBに対し、部分照射型
としてのずらし量ΔBx,ΔByを設定し、搭載ブロッ
クのブロック番号を指定する。ステップ117で作成し
た搭載ブロックの個数Nが搭載可能個数N0になったか
どうかを判定する。搭載可能個数N0に満たなければス
テップ111〜ステップ116を繰り返す。
【0032】図6が2つのブロックを組み合わせる場合
の説明図である。まず、ステップ111においてブロッ
クAが取り出され、パターン存在領域Ax,Ayが求め
られる。ステップ112でブロックBが取り出され、同
じようにパターン存在領域Bx,Byが求められる。ス
テップ113でパターン存在領域Ax及びBxの和がブ
ロックのX方向サイズX0以下であるため、組み合わせ
可能としてステップ114へ行く。
【0033】ステップ114でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB2のブロックの左下に合わせて展開す
る。次にブロックBのパターンを搭載ブロックCB2に
展開したブロックAのパターン存在領域の最大x座標、
最小y座標に左下を合わせて展開する。
【0034】組み合わされた結果、同図(b)となり、
パターンデータは同図(c)のブロックパターンに格納
される。ステップ115で同図(b)で示すように、搭
載ブロックCB2の左下隅角を(0,0)とした場合の
ずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔByが各々求めら
れる。ステップ116で同図(c)に示すように、ブロ
ックデータにブロック番号CB2とずらし量が格納され
る。
【0035】図7は2つのブロックを組み合わせて搭載
ブロックを構成する別のブロックデータ組み合わせ処理
のフローである。まず、ステップ121で基本となるブ
ロックAを取り出し、そのブロックのパターン存在領域
Ax,Ayを求める。ステップ122でブロックA以外
のブロックBを取り出し、同じようにパターン存在領域
Bx,Byを求める。
【0036】ブロックAのパターン存在領域Ayとブロ
ックBの存在領域Byとの和がブロックのY方向サイズ
Y0以下であれば、ブロックとしてY方向に並べて搭載
することができるため、ステップ123でその判定を行
う。ステップ124には組み合わせが可能とされたブロ
ック2つが入力され、搭載ブロックへのパターン展開が
行われる。
【0037】まずステップ124ではブロックAのパタ
ーンを搭載ブロックの左端に寄せて展開する。次にブロ
ックBのパターンを、ブロックAを展開した領域の上側
に展開する。ステップ125,ステップ126でブロッ
クA,Bのずらし量を求め、設定する。ステップ127
で、作成した搭載ブロックの個数Nが搭載可能個数N0
に満たなければステップ121〜ステップ126を繰り
返す。
【0038】図8が2つのブロックを組み合わせる場合
の説明図である。まず、ステップ121においてブロッ
クAが取り出され、パターン存在領域Ax,Ayが求め
られる。ステップ122でブロックBが取り出され、同
じようにパターン存在領域Bx,Byが求められる。ス
テップ123でパターン存在領域Ay及びByの和がブ
ロックのY方向サイズY0以下であるため、組み合わせ
可能としてステップ124へ行く。
【0039】ステップ124でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB3の左下隅角に合わせて展開する。次
に搭載ブロックCB3に展開したブロックAのパターン
存在領域の最小x座標、最大y座標にブロックBのパタ
ーン存在領域の左下隅角を合わせてブロックBのパター
ンを展開する。
【0040】組み合わされた結果、同図(b)となり、
パターンデータは同図(c)のブロックパターンに格納
される。ステップ125で同図(b)で示すように、搭
載ブロックCB3の左下隅角を(0,0)とした場合の
ずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔByが各々求めら
れる。ステップ126で同図(c)に示すように、ブロ
ックデータにブロック番号CB3とずらし量が格納され
る。
【0041】図9は3つのブロックを組み合わせて搭載
ブロックを構成するブロックデータ組み合わせ処理のフ
ローである。ステップ131で基本となるブロックAを
取り出し、そのブロックパターンの存在領域Ax,Ay
を求める。ステップ132でブロックA以外のブロック
Bを取り出し、同じようにパターン存在領域Bx,By
を求める。
【0042】ステップ133でブロックAのパターン存
在領域AyとブロックBのパターン存在領域Byとの和
がブロックのY方向サイズY0以下であればステップ1
34へ行く。
【0043】ステップ134ではブロックAとブロック
BをY方向に並べ合わせた時のX方向のパターン存在領
域mxを求める。ステップ135でブロックA,B以外
のブロックCを取り出し、同じようにパターン存在領域
Cx,Cyを求める。
【0044】ブロックA,Bのパターン存在領域を合わ
せたパターン存在領域mxとブロックCのパターン存在
領域Cxとの和がブロックのX方向サイズX0以下であ
れば、ブロックとして組み合わせて搭載することができ
るため、ステップ136でその判定を行う。
【0045】ステップ137には組み合わせが可能とさ
れたブロック3つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まずステップ137ではブロックA
のパターンを搭載ブロックの左端に寄せて展開する。ブ
ロックBのパターンをブロックAを展開した領域の上側
に展開する。更にブロックA,Bを展開した領域の右側
へブロックCを展開する。
【0046】ステップ138でブロックA,B,Cのず
らし量を求め、このずらし量をステップ139で設定す
る。ステップ140で作成した搭載ブロックの個数Nが
搭載可能個数N0に満たなければステップ131〜ステ
ップ139を繰り返す。
【0047】図10が3つのブロックを組み合わせる場
合の説明図である。まず、ステップ131においてブロ
ックAが取り出され、パターン存在領域Ax,Ayが求
められる。ステップ132でブロックBが取り出され、
同じようにパターン存在領域Bx,Byが求められる。
ステップ133でパターン存在領域Ay及びByの和が
ブロックのY方向サイズY0以下であるため、組み合わ
せ候補としてステップ134へ行く。
【0048】ステップ134ではブロックAとブロック
BをY方向に並べた時のパターン存在領域mxを求め
る。この例では、この場合ブロックBのパターン存在領
域が採用される。次にステップ135でブロックCが取
り出され、パターン存在領域Cx,Cyが求められる。
ステップ136で上のステップ135で求められたパタ
ーン存在領域mx及びCxの和が、ブロックのX方向サ
イズX0以下であるため、組み合わせ可能としてステッ
プ137へ行く。
【0049】ステップ137でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB4のブロックの左下隅角に合わせて展
開する。ブロックBのパターンを搭載ブロックCB4に
展開したブロックAのパターン存在領域の最小x座標、
最大y座標に左下隅角を合わせて展開する。さらにブロ
ックCのパターンを搭載ブロックCB4に展開したブロ
ックA+ブロックBのパターン存在領域の最大x座標、
ブロックAのパターン存在領域の最小y座標に左下隅角
を合わせて展開する。
【0050】組み合わされた結果、同図(b)となり、
パターンデータは同図(c)のブロックパターンに格納
される。ステップ138で同図(b)で示すように、搭
載ブロックCB4の左下隅角を(0,0)とした場合の
ずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔBy,ΔCx,Δ
Cyが各々求められる。ステップ139で同図(c)に
示すように、ブロックデータにブロック番号CB4とず
らし量が格納される。
【0051】図11は3つのブロックを組み合わせて搭
載ブロックを構成する別のブロックデータ組み合わせ処
理のフローである。ステップ151で基本となるブロッ
クAを取り出し、そのブロックパターンの存在領域A
x,Ayを求める。ステップ152でブロックA以外の
ブロックBを取り出し、同じようにパターン存在領域B
x,Byを求める。
【0052】ステップ153でブロックAのパターン存
在領域AxとブロックBのパターン存在領域Bxとの和
がブロックのX方向サイズX0以下であればステップ1
54へ行く。ステップ154ではブロックAとブロック
BをX方向に並べ合わせた時のY方向のパターン存在領
域myを求める。
【0053】ステップ155でブロックA,B以外のブ
ロックCを取り出し、同じようにパターン存在領域C
x,Cyを求める。ブロックA,Bを合わせたパターン
存在領域myとブロックCのパターン存在領域Cyとの
和がブロックのY方向サイズY0以下であれば、ブロッ
クとして組み合わせて搭載することができるため、ステ
ップ156でその判定を行う。
【0054】ステップ157には組み合わせが可能とさ
れたブロック3つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まずブロックAのパターンを搭載ブ
ロックの左端に寄せて展開する。次にブロックBのパタ
ーンをブロックAを展開した領域の右側に展開する。更
にブロックA,Bを展開した領域の上側へブロックCを
展開する。
【0055】ステップ158でブロックA,B,Cのず
らし量を求め、求めたずらし量をステップ159で設定
する。ステップ160で、作成した搭載ブロックの個数
Nが搭載可能個数N0に満たなければステップ151〜
ステップ159を繰り返す。
【0056】図12が3つのブロックを組み合わせる場
合の説明図である。まず、ステップ151においてブロ
ックAが取り出され、パターン存在領域Ax,Ayが求
められる。ステップ152でブロックBが取り出され、
同じようにパターン存在領域Bx,Byが求められる。
ステップ153でパターン存在領域Ax及びBxの和が
ブロックサイズのX方向以下であるため、組み合わせ候
補としてステップ154へ行く。
【0057】ステップ154ではブロックAとブロック
BをX方向に並べた時のブロックのパターン存在領域m
yを求める。この例では、この場合ブロックAのパター
ン存在領域が採用される。次にステップ155でブロッ
クCが取り出され、パターン存在領域Cx,Cyが求め
られる。ステップ156で上のステップ155で求めら
れたパターン存在領域my及びCyの和が、ブロックの
Y方向サイズY0以下であるため、組み合わせ可能とし
てステップ157へ行く。
【0058】ステップ157でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB5のブロックの左下隅角に合わせて展
開する。ブロックBのパターンを搭載ブロックCB5に
展開したブロックAのパターン存在領域の最大x座標、
最小y座標に左下隅角を合わせて展開する。さらにブロ
ックCのパターンを搭載ブロックCB5に展開したブロ
ックAのパターン存在領域の最小x座標、ブロックA+
ブロックBのパターン存在領域の最大y座標に左下隅角
を合わせて展開する。
【0059】組み合わされた結果、同図(b)となり、
パターンデータは同図(c)のブロックパターンに格納
される。ステップ158で同図(b)で示すように、搭
載ブロックCB5の左下隅角を(0,0)とした場合の
ずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔBy,ΔCx,Δ
Cyが各々求められる。ステップ159で同図(c)に
示すように、ブロックデータにブロック番号CB5とず
らし量が格納される。
【0060】図13,図14は3つのブロックを組み合
わせて搭載ブロックを構成する別のブロックデータ組み
合わせ処理のフローである。ステップ171で基本とな
るブロックAを取り出し、そのブロックパターンの存在
領域Ax,Ayを求める。ステップ172でブロックA
以外のブロックBを取り出し、同じようにパターン存在
領域Bx,Byを求める。
【0061】ステップ173でブロックAのパターン存
在領域AyとブロックBのパターン存在領域Byとの和
がブロックのY方向サイズY0以下であればステップ1
74へ行く。ステップ174でブロックA,B以外のブ
ロックCを取り出し、同じようにパターン存在領域C
x,Cyを求める。
【0062】この時ステップ175でブロックAのパタ
ーン存在領域AxとブロックCのパターン存在領域Cx
との和がブロックのX方向サイズX0以下であり、且つ
ブロックCのパターン存在領域CyがブロックAのパタ
ーン存在領域Ay以下である時には、ブロックCと組み
合わせるブロックがブロックAであることを記憶してス
テップ177へ行く。そうでなければステップ176へ
行く。
【0063】ステップ176ではブロックBのパターン
存在領域BxとブロックCのパターン存在領域Cxとの
和がブロックのX方向サイズX0以下であり、且つブロ
ックCのパターン存在領域CyがブロックBのパターン
存在領域By以下である時には、ブロックCと組み合わ
せるブロックがブロックBであることを記憶してステッ
プ177へ行く。そうでなければステップ174へ行
く。
【0064】ステップ177には組み合わせが可能とさ
れたブロック3つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まず、ブロックAのパターンを搭載
ブロックの左端に寄せて展開する。ブロックBのパター
ンをブロックAを展開した領域の上側に展開する。
【0065】ステップ178において、先程ブロックC
と組み合わせ可能と判断したブロックが何であったかを
判定する。ブロックAであればステップ179へ行き、
ブロックBであればステップ181へ行く。
【0066】ステップ179でブロックAを展開した領
域の右側へブロックCを展開する。ステップ180でブ
ロックA,B,Cのずらし量を求める。ステップ181
においてはブロックBを展開した領域の右側へブロック
Cを展開する。ステップ182でブロックA,B,Cの
ずらし量を求める。ステップ183で、ステップ180
又は182で求めたずらし量を設定する。ステップ18
4で作成した搭載ブロックの個数Nが搭載可能個数N0
に満たなければステップ171〜ステップ183を繰り
返す。
【0067】図15,図16が図13,図14の処理フ
ローに対応して3つのブロックを組み合わせる場合の説
明図である。図15ではステップ171においてブロッ
クAが取り出され、パターン存在領域Ax,Ayが求め
られる。ステップ172でブロックBが取り出され、同
じようにパターン存在領域Bx,Byが求められる。ス
テップ173でパターン存在領域Ay及びByの和がブ
ロックのY方向サイズY0以下であるため、組み合わせ
候補としてステップ174へ行く。
【0068】ステップ174でブロックCが取り出さ
れ、パターン存在領域Cx,Cyが求められる。ステッ
プ175ではパターン存在領域Ax及びCxの和がブロ
ックのX方向サイズX0以下であり、且つパターン存在
領域Cyがパターン存在領域Ay以下であるためブロッ
クAとブロックCが組み合わせ可能としてステップ17
7へ行く。
【0069】ステップ177でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB6のブロックの左下隅角に合わせて展
開する。ブロックBのパターンを搭載ブロックCB6に
展開したブロックAのパターン存在領域の最小x座標、
最大y座標に左下隅角を合わせて展開する。
【0070】ステップ178で先程ブロックCと組み合
わせが可能と判断されたのがブロックAであったので、
ステップ179へ行く。ステップ179では、ブロック
Cのパターンを搭載ブロックCB6に展開したブロック
Aのパターン存在領域の最大x座標、最小y座標に左下
隅角を合わせて展開する。
【0071】組み合わされた結果、図15(b)とな
り、パターンデータは図15(c)のブロックパターン
に格納される。ステップ182で図15(b)で示すよ
うに、搭載ブロックCB6の左下隅角を(0,0)とし
た場合のずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔBy,Δ
Cx,ΔCyが各々求められる。ステップ183で図1
5(c)に示すように、ブロックデータにブロック番号
CB6とずらし量が格納される。
【0072】また、図16(a)のような抽出ブロック
の場合においては、ステップ175の判定はNOとなる
ため、ステップ176へ行く。ステップ176ではパタ
ーン存在領域Bx及びCxの和がブロックのX方向サイ
ズX0以下であり、且つパターン存在領域Cyがパター
ン存在領域By以下であるためブロックBとブロックC
が組み合わせ可能としてステップ177へ行き、同様に
ブロックA,Bのパターン展開が行われる。
【0073】ステップ178ではブロックCと組み合わ
せが可能と判断されたのがブロックBであったので、ス
テップ181へ行く。ステップ181では、ブロックC
のパターンを搭載ブロックCB7に展開したブロックB
のパターン存在領域の最大x座標、ブロックAのパター
ン存在領域の最大y座標に左下隅角を合わせて展開す
る。
【0074】組み合わされた結果、図16(b)とな
り、パターンデータは図16(c)のブロックパターン
に格納される。ステップ182で同様にブロックA,
B,Cのずらし量が求められ、ステップ183で図16
(c)に示すようにブロックデータが格納される。
【0075】図17,図18は3つのブロックを組み合
わせて搭載ブロックを構成するためのさらに別のブロッ
クデータ組み合わせ処理のフローである。ステップ19
1で基本となるブロックAを取り出し、そのブロックの
パターン存在領域Ax,Ayを求める。ステップ192
でブロックA以外のブロックBを取り出し、同じように
パターン存在領域Bx,Byを求める。
【0076】ステップ193でブロックAのパターン存
在領域AxとブロックBのパターン存在領域Bxとの和
がブロックのX方向サイズX0以下であればステップ1
94へ行く。ステップ194でブロックA,B以外のブ
ロックCを取り出し、同じようにパターン存在領域C
x,Cyを求める。
【0077】この時ステップ195でブロックAのパタ
ーン存在領域AyとブロックCのパターン存在領域Cy
との和がブロックのY方向サイズY0以下であり、且つ
ブロックCのパターン存在領域CxがブロックAのパタ
ーン存在領域Ax以下である時には、ブロックCと組み
合わせるブロックがブロックAであることを記憶してス
テップ197へ行く。そうでなければステップ196へ
行く。
【0078】ステップ196ではブロックBのパターン
存在領域ByとブロックCのパターン存在領域Cyとの
和がブロックのY方向サイズY0以下であり、且つブロ
ックCのパターン存在領域CxがブロックBのパターン
存在領域Bx以下である時には、ブロックCと組み合わ
せるブロックがブロックBであることを記憶してステッ
プ197へ行く。そうでなければステップ194へ行
く。
【0079】ステップ197には組み合わせが可能とさ
れたブロック3つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まずブロックAのパターンを搭載ブ
ロックの左端に寄せて展開する。次にブロックBのパタ
ーンをブロックAを展開した領域の右側に展開する。
【0080】ステップ198において、先程ブロックC
と組み合わせ可能と判断したブロックが何であったかを
判定する。ブロックAであればステップ199へ行き、
ブロックBであればステップ201へ行く。
【0081】ステップ199でブロックAを展開した領
域の上側へブロックCを展開する。ステップ200でブ
ロックA,B,Cのずらし量を求め、求めたずらし量を
ステップ203で設定する。
【0082】ステップ201においてはブロックBを展
開した領域の上側へブロックCを展開する。ステップ2
02でブロックA,B,Cのずらし量を求め、求めたず
らし量をステップ203で設定する。ステップ204
で、作成した搭載ブロックの個数Nが搭載可能個数N0
に満たなければステップ191〜ステップ203を繰り
返す。
【0083】図19,図20が図17,図18の処理フ
ローに対応して3つのブロックを組み合わせる場合の説
明図である。図19ではステップ191においてブロッ
クAが取り出され、パターン存在領域Ax,Ayが求め
られる。ステップ192でブロックBが取り出され、同
じようにパターン存在領域Bx,Byが求められる。ス
テップ193でパターン存在領域Ax及びBxの和がブ
ロックのX方向サイズX0以下であるため、組み合わせ
候補としてステップ194へ行く。
【0084】ステップ194でブロックCが取り出さ
れ、パターン存在領域Cx,Cyが求められる。ステッ
プ195ではパターン存在領域Ay及びCyの和がブロ
ックのY方向サイズY0以下であり、且つパターン存在
領域Cxがパターン存在領域Ax以下であるためブロッ
クAとブロックCが組み合わせ可能としてステップ19
7へ行く。
【0085】ステップ197でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB8のブロックの左下隅角に合わせて展
開する。ブロックBのパターンを搭載ブロックCB8に
展開したブロックAのパターン存在領域の最大x座標、
最小y座標に左下隅角を合わせて展開する。さらにステ
ップ198で先程ブロックCと組み合わせが可能と判断
されたのがブロックAであったので、ステップ199へ
行く。ステップ199では、ブロックCのパターンを搭
載ブロックCB8に展開したブロックAのパターン存在
領域の最小x座標、最大y座標に左下隅角を合わせて展
開する。
【0086】組み合わされた結果、図19(b)とな
り、パターンデータは図19(c)のブロックパターン
に格納される。ステップ200で図19(b)で示すよ
うに、搭載ブロックCB8の左下隅角を(0,0)とし
た場合のずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔBy,Δ
Cx,ΔCyが各々求められる。ステップ203で図1
9(c)に示すように、ブロックデータにブロック番号
CB8とずらし量が格納される。
【0087】また、図20(a)のような抽出ブロック
の場合においては、ステップ195の判定はNOとなる
ため、ステップ196へ行く。ステップ196ではパタ
ーン存在領域By及びCyの和がブロックのY方向サイ
ズY0以下であり、且つパターン存在領域Cxがパター
ン存在領域Bx以下であるためブロックBとブロックC
が組み合わせ可能としてステップ197へ行き、同様に
ブロックA,Bのパターン展開が行われる。
【0088】ステップ198ではブロックCと組み合わ
せが可能と判断されたのがブロックBであったので、ス
テップ201へ行く。ステップ201では、ブロックC
のパターンを搭載ブロックCB9に展開したブロックA
のパターン存在領域の最大x座標、ブロックBのパター
ン存在領域の最大y座標に左下隅角を合わせて展開す
る。
【0089】組み合わされた結果、図20(b)とな
り、パターンデータは図20(c)のブロックパターン
に格納される。ステップ202で同様にブロックA,
B,Cのずらし量が求められ、ステップ203で図20
(c)に示すようにブロックデータが格納される。
【0090】図21,22は4つのブロックを組み合わ
せて搭載ブロックを構成するブロックデータ組み合わせ
処理のフローである。ステップ211で基本となるブロ
ックAを取り出し、そのブロックのパターン存在領域A
x,Ayを求める。ステップ212でブロックA以外の
ブロックBを取り出し、同じようにパターン存在領域B
x,Byを求める。
【0091】ステップ213でブロックAのパターン存
在領域AyとブロックBのパターン存在領域Byとの和
がブロックのY方向サイズY0以下であればステップ2
14へ行く。ステップ214ではブロックAとブロック
BをY方向に並べ合わせた時のX方向のパターン存在領
域mxを求める。
【0092】ステップ215でブロックA,B以外のブ
ロックCを取り出し、同じようにパターン存在領域C
x,Cyを求める。ステップ216でブロックA,B,
C以外のブロックDを取り出し、同じようにパターン存
在領域Dx,Dyを求める。
【0093】ステップ217でブロックCのパターン存
在領域CyとブロックDのパターン存在領域Dyとの和
がブロックのY方向サイズY0以下であればステップ2
18へ行く。ステップ218ではブロックCとブロック
DをY方向に並べ合わせた時のX方向のパターン存在領
域nxを求める。
【0094】ブロックA,Bを合わせたパターン存在領
域mxとブロックC,Dを合わせたパターン存在領域n
xとの和がブロックのX方向サイズX0以下であれば、
ブロックとして組み合わせて搭載することができるた
め、ステップ219でその判定を行う。
【0095】ステップ220には組み合わせが可能とさ
れたブロック4つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まず、ブロックAのパターンを搭載
ブロックの左端に寄せて展開する。次にブロックBのパ
ターンをブロックAを展開した領域の上側に展開する。
更にブロックA,Bを展開した領域の右下側へブロック
Cを展開し、ブロックA,Bを展開した領域の右側でか
つブロックCの上側へブロックDを展開する。
【0096】ステップ221でブロックA,B,C,D
のずらし量を求め、求めたずらし量をステップ222で
設定する。ステップ223で、作成した搭載ブロックの
個数Nが搭載可能個数N0に満たなければステップ21
1〜ステップ222を繰り返す。
【0097】図23が図21,図22の処理フローに対
応して4つのブロックを組み合わせる場合の説明図であ
る。まず、ステップ211においてブロックAが取り出
され、パターン存在領域Ax,Ayが求められる。ステ
ップ212でブロックBが取り出され、同じようにパタ
ーン存在領域Bx,Byが求められる。
【0098】ステップ213でパターン存在領域Ay及
びByの和がブロックのY方向サイズY0以下であるた
め、組み合わせ候補としてステップ214へ行く。ステ
ップ214ではブロックAとブロックBをY方向に並べ
た時のブロックのパターン存在領域mxを求める。
【0099】次にステップ215でブロックCが取り出
され、パターン存在領域Cx,Cyが求められる。ステ
ップ216でブロックDが取り出され、同じようにパタ
ーン存在領域Dx,Dyが求められる。
【0100】ステップ217でパターン存在領域Cy及
びDyの和がブロックのY方向サイズY0以下であるた
め、組み合わせ候補としてステップ218へ行く。ステ
ップ218ではブロックCとブロックDをY方向に並べ
た時のブロックのパターン存在領域nxを求める。
【0101】ステップ219で上のステップで求められ
たパターン存在領域mx及びnxの和が、ブロックのX
方向サイズX0以下であるため、組み合わせ可能として
ステップ220へ行く。
【0102】ステップ220でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB10のブロックの左下隅角に合わせて
展開する。ブロックBのパターンを搭載ブロックCB1
0に展開したブロックAのパターン存在領域の最小x座
標、最大y座標に左下隅角を合わせて展開する。さらに
ブロックCのパターンを搭載ブロックCB10に展開し
たブロックA+ブロックBのパターン存在領域の最大x
座標、ブロックAのパターン存在領域の最小y座標に左
下隅角を合わせて展開する。ブロックDのパターンを、
搭載ブロックCB10に展開したブロックA+ブロック
Bのパターン存在領域の最大x座標、ブロックCのパタ
ーン存在領域の最大y座標に左下隅角を合わせて展開す
る。
【0103】組み合わされた結果、図23(b)とな
り、パターンデータは図23(c)のブロックパターン
に格納される。ステップ221で図23(b)で示すよ
うに、搭載ブロックCB10の左下隅角を(0,0)と
した場合のずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔBy,
ΔCx,ΔCy,ΔDx,ΔDyが各々求められる。ス
テップ222で、図23(c)に示すように、ブロック
データにブロック番号CB10とずらし量が格納され
る。
【0104】図24,図25は4つのブロックを組み合
わせて搭載ブロックを構成する別のブロックデータ組み
合わせ処理のフローである。ステップ231で基本とな
るブロックAを取り出し、そのブロックのパターン存在
領域Ax,Ayを求める。ステップ232でブロックA
以外のブロックBを取り出し、同じようにパターン存在
領域Bx,Byを求める。
【0105】ステップ233でブロックAのパターン存
在領域AxとブロックBのパターン存在領域Bxとの和
がブロックのX方向サイズX0以下であればステップ2
34へ行く。ステップ234ではブロックAとブロック
BをX方向に並べ合わせた時のY方向のパターン存在領
域myを求める。
【0106】ステップ235でブロックA,B以外のブ
ロックCを取り出し、同じようにパターン存在領域C
x,Cyを求める。ステップ236でブロックA,B,
C以外のブロックDを取り出し、同じようにパターン存
在領域Dx,Dyを求める。
【0107】ステップ237でブロックCのパターン存
在領域CxとブロックDのパターン存在領域Dxとの和
がブロックのX方向サイズX0以下であればステップ2
38へ行く。ステップ238ではブロックCとブロック
DをX方向に並べ合わせた時のY方向のパターン存在領
域nyを求める。
【0108】ブロックA,Bを合わせたパターン存在領
域myとブロックC,Dを合わせたパターン存在領域n
yとの和がブロックのY方向サイズY0以下であれば、
ブロックとして組み合わせて搭載することができるた
め、ステップ239でその判定を行う。
【0109】ステップ240には組み合わせが可能とさ
れたブロック4つが入力され、搭載ブロックへのパター
ン展開が行われる。まず、ブロックAのパターンを搭載
ブロックの左端に寄せて展開する。次にブロックBのパ
ターンをブロックAを展開した領域の右側に展開する。
更にブロックA,Bを展開した領域の左上側へブロック
Cを展開し、ブロックA,Bを展開した領域の上側でか
つブロックCの右側へブロックDを展開する。
【0110】ステップ241でブロックA,B,C,D
のずらし量を求め、求めたずらし量をステップ242で
設定する。ステップ243で、作成した搭載ブロックの
個数Nが搭載可能個数N0に満たなければステップ23
1〜ステップ242を繰り返す。
【0111】図26が図24,図25の処理フローに対
応して4つのブロックを組み合わせる場合の説明図であ
る。まず、ステップ231においてブロックAが取り出
され、パターン存在領域Ax,Ayが求められる。ステ
ップ232でブロックBが取り出され、同じようにパタ
ーン存在領域Bx,Byが求められる。
【0112】ステップ233でパターン存在領域Ax及
びBxの和がブロックのX方向サイズX0以下であるた
め、組み合わせ候補としてステップ234へ行く。ステ
ップ234ではブロックAとブロックBをX方向に並べ
た時のブロックのパターン存在領域myを求める。
【0113】次にステップ235でブロックCが取り出
され、パターン存在領域Cx,Cyが求められる。ステ
ップ236でブロックDが取り出され、同じようにパタ
ーン存在領域Dx,Dyが求められる。
【0114】ステップ237でパターン存在領域Cx及
びDxの和がブロックのX方向サイズX0以下であるた
め、組み合わせ候補としてステップ238へ行く。ステ
ップ238ではブロックCとブロックDをX方向に並べ
た時のブロックのパターン存在領域nyを求める。
【0115】ステップ239で上のステップで求められ
たパターン存在領域my及びnyの和が、ブロックのY
方向サイズY0以下であるため、組み合わせ可能として
ステップ240へ行く。
【0116】ステップ240でブロックAのパターンを
搭載ブロックCB11のブロックの左下隅角に合わせて
展開する。ブロックBのパターンを搭載ブロックCB1
1に展開したブロックAのパターン存在領域の最大x座
標、最小y座標に左下隅角を合わせて展開する。さらに
ブロックCのパターンを搭載ブロックCB11に展開し
たブロックAの最小x座標、ブロックA+ブロックBの
パターン存在領域の最大y座標に左下隅角を合わせて展
開する。ブロックDのパターンを搭載ブロックCB11
に展開したブロックCのパターン存在領域の最大x座
標、ブロックA+ブロックBのパターン存在領域の最大
y座標に左下隅角を合わせて展開する。
【0117】組み合わされた結果、図26(b)とな
り、パターンデータは図26(C)のブロックパターン
に格納される。ステップ2414で図26(b)で示す
ように、搭載ブロックCB11の左下隅角を(0,0)
とした場合のずらし量ΔAx,ΔAy,ΔBx,ΔB
y,ΔCx,ΔCy,ΔDx,ΔDyが各々求められ
る。ステップ242で図26(c)に示すように、ブロ
ックデータにブロック番号CB11とずらし量が格納さ
れる。
【0118】さて、本実施の形態は、複数の抽出ブロッ
クのパターン群を一つの搭載ブロックに納めることがで
きるため、ブロックマスク上への抽出ブロックの搭載個
数を増加させることができ、よって、ブロック露光の利
点である高速露光、高精度露光を向上させることがで
き、これによる半導体装置の生産性向上、及び品質向上
を図ることができる。
【0119】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば複
数の抽出ブロックのパターンを1つの搭載ブロックに納
めることができるため、ブロックマスク上への抽出ブロ
ックの搭載個数を増加させることができ、よって、ブロ
ック露光の利点である高速露光、高精度露光を向上させ
ることができ、これによる半導体装置の生産性向上、及
び品質向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のブロック露光用データの作成処理フロ
ー図
【図2】全面照射型と部分照射型の違いを示す説明図
【図3】抽出ブロックの組み合わせ処理の基本動作を表
す処理フロー図
【図4】抽出ブロックの組み合わせの基本的な説明図
【図5】2つの抽出ブロックの組み合わせを行う処理フ
ロー図
【図6】2つの抽出ブロックの組み合わせの説明図
【図7】2つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う処
理フロー図
【図8】2つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明図
【図9】3つの抽出ブロックの組み合わせを行う処理フ
ロー図
【図10】3つの抽出ブロックの組み合わせの説明図
【図11】3つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図12】3つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明
【図13】3つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図14】3つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図15】3つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明
【図16】3つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明
【図17】3つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図18】3つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図19】3つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明
【図20】3つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明
【図21】4つの抽出ブロックの組み合わせを行う処理
フロー図
【図22】4つの抽出ブロックの組み合わせを行う処理
フロー図
【図23】4つの抽出ブロックの組み合わせの説明図
【図24】4つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図25】4つの抽出ブロックの別の組み合わせを行う
処理フロー図
【図26】4つの抽出ブロックの別の組み合わせの説明
【図27】可変矩形露光法の簡単な装置概略図
【図28】ブロック露光法の簡単な装置概略図
【図29】従来のブロック露光用データの作成処理フロ
ー図
【図30】従来の抽出ブロックを示す説明図
【図31】従来の抽出ブロックを示す説明図
【符号の説明】
18 半導体ウェハ 21 ブロックマスク 22 搭載ブロック A,B,C,D 抽出ブロック CB1〜CB11 搭載ブロック

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェハに対しブロック露光を行う
    際に使用され、かつ、パターンを有する複数の搭載ブロ
    ックを備えたブロックマスクへのブロック搭載方法であ
    って、 露光パターンから所定のパターンを有する複数のブロッ
    クを抽出し、 各抽出ブロックにおけるパターンの存在領域に基づいて
    1つの搭載ブロックに納めることができるパターンを有
    する複数の抽出ブロックの組み合わせを構成し、 1つの搭載ブロックに前記組み合わせた複数の抽出ブロ
    ックのパターンを納めるとともに、この搭載ブロックを
    全面照射型から部分照射型に変更するようにしたブロッ
    ク露光におけるブロック搭載方法。
  2. 【請求項2】 請求項1において、搭載しようとする第
    1及び第2の抽出ブロックのパターン存在領域のX方向
    の大きさの和が、搭載ブロックのX方向の大きさ以下の
    場合において、第1及び第2の抽出ブロックの照射型を
    共に全面型から部分型に変更し、その2つの抽出ブロッ
    クをX方向に並べて第1及び第2の抽出ブロックのパタ
    ーンを1つの搭載ブロックに納めるようにしたブロック
    露光におけるブロック搭載方法。
  3. 【請求項3】 請求項1において、搭載しようとする第
    1及び第2の抽出ブロックのパターン存在領域のY方向
    の大きさの和が、搭載ブロックのY方向の大きさ以下の
    場合において、第1及び第2の抽出ブロックの照射型を
    共に全面型から部分型に変更し、その2つの抽出ブロッ
    クをY方向に並べて第1及び第2の抽出ブロックのパタ
    ーンを1つの搭載ブロックに納めるようにしたブロック
    露光におけるブロック搭載方法。
  4. 【請求項4】 請求項1において、搭載しようとする第
    1〜第3の抽出ブロックの内の第1及び第2の抽出ブロ
    ックのパターン存在領域のY方向の大きさの和が、搭載
    ブロックのY方向の大きさ以下であり、かつ、第1及び
    第2の抽出ブロックをY方向に並べた合わせた状態での
    第1及び第2の抽出ブロックのパターン存在領域のX方
    向の大きさと、第3の抽出ブロックのパターン存在領域
    のX方向の大きさとの和が、搭載ブロックのX方向の大
    きさ以下の場合において、第1〜第3の抽出ブロックの
    照射型を共に全面型から部分型に変更し、第1及び第2
    の抽出ブロックをY方向に並べ、更に第3の抽出ブロッ
    クをX方向に並べて第1〜第3の抽出ブロックのパター
    ンを1つの搭載ブロックに納めるようにしたブロック露
    光におけるブロック搭載方法。
  5. 【請求項5】 請求項1において、搭載しようとする第
    1〜第3の抽出ブロックの内の第1及び第2の抽出ブロ
    ックのパターン存在領域のX方向の大きさの和が、搭載
    ブロックのX方向の大きさ以下であり、かつ、第1及び
    第2の抽出ブロックをX方向に並べた合わせた状態での
    第1及び第2の抽出ブロックのパターン存在領域のY方
    向の大きさと、第3の抽出ブロックのパターン存在領域
    のY方向の大きさとの和が、搭載ブロックのY方向の大
    きさ以下の場合において、第1〜第3の抽出ブロックの
    照射型を共に全面型から部分型に変更し、第1及び第2
    の抽出ブロックをX方向に並べ、更に第3の抽出ブロッ
    クをY方向に並べて第1〜第3の抽出ブロックのパター
    ンを1つの搭載ブロックに納めるようにしたブロック露
    光におけるブロック搭載方法。
  6. 【請求項6】 請求項1において、搭載しようとする第
    1〜第3の抽出ブロック3つの内の第1及び第2の抽出
    ブロックのパターン存在領域のY方向の大きさの和が、
    搭載ブロックのY方向の大きさ以下であり、かつ、第1
    及び第2の抽出ブロックのどちらかのパターン存在領域
    のX方向の大きさと、第3の抽出ブロックのパターン存
    在領域のX方向の大きさとの和が搭載ブロックのX方向
    の大きさ以下であり、第3の抽出ブロックのパターン存
    在領域のY方向の大きさが第1及び第2の抽出ブロック
    のうち採用した抽出ブロックのパターン存在領域のY方
    向の大きさ以下の場合において、第1〜第3の抽出ブロ
    ックの照射型を共に全面型から部分型に変更し、第1及
    び第2の抽出ブロックをY方向に並べ、更に第3の抽出
    ブロックを、前記採用した抽出ブロックのX方向に並べ
    て第1〜第3の抽出ブロックのパターンを1つの搭載ブ
    ロックに納めるようにしたブロック露光におけるブロッ
    ク搭載方法。
  7. 【請求項7】 請求項1において、搭載しようとする第
    1〜第3の抽出ブロック3つの内の第1及び第2の抽出
    ブロックのパターン存在領域のX方向の大きさの和が、
    搭載ブロックのX方向の大きさ以下であり、かつ、第1
    及び第2の抽出ブロックのどちらかのパターン存在領域
    のY方向の大きさと、第3の抽出ブロックのパターン存
    在領域のY方向の大きさとの和が搭載ブロックのY方向
    の大きさ以下であり、第3の抽出ブロックのパターン存
    在領域のX方向の大きさが第1及び第2の抽出ブロック
    のうち採用した抽出ブロックのパターン存在領域のX方
    向の大きさ以下の場合において、第1〜第3の抽出ブロ
    ックの照射型を共に全面型から部分型に変更し、第1及
    び第2の抽出ブロックをX方向に並べ、更に第3の抽出
    ブロックを、前記採用した抽出ブロックのY方向に並べ
    て第1〜第3の抽出ブロックのパターンを1つの搭載ブ
    ロックに納めるようにしたブロック露光におけるブロッ
    ク搭載方法。
  8. 【請求項8】 請求項1において、搭載しようとする第
    1〜第4の抽出ブロックの内の第1及び第2の抽出ブロ
    ックのパターン存在領域のY方向の大きさの和が、搭載
    ブロックのY方向の大きさ以下で、第3及び第4の抽出
    ブロックのパターン存在領域のY方向の大きさの和が搭
    載ブロックのY方向の大きさ以下である場合に、第1及
    び第2の抽出ブロックをY方向に並べた合わせた時のブ
    ロックのパターン存在領域のX方向の大きさと、第3及
    び第4の抽出ブロックをY方向に並べ合わせた時のブロ
    ックのパターン存在領域のX方向の大きさとの和が搭載
    ブロックのX方向の大きさ以下である場合において、第
    1〜第4の抽出ブロックの照射型を共に全面型から部分
    型に変更し、第1及び第2の抽出ブロックをY方向に並
    べたものと第3及び第4の抽出ブロックをY方向に並べ
    たものをX方向に並べて、第1〜第4の抽出ブロックの
    パターンを1つの搭載ブロックに納めるようにしたブロ
    ック露光におけるブロック搭載方法。
  9. 【請求項9】 請求項1において、搭載しようとする第
    1〜第4の抽出ブロックの内の第1及び第2の抽出ブロ
    ックのパターン存在領域のX方向の大きさの和が、搭載
    ブロックのX方向の大きさ以下で、第3及び第4の抽出
    ブロックのパターン存在領域のX方向の大きさの和が搭
    載ブロックのX方向の大きさ以下である場合に、第1及
    び第2の抽出ブロックをX方向に並べた合わせた時のブ
    ロックのパターン存在領域のY方向の大きさと、第3及
    び第4の抽出ブロックをX方向に並べ合わせた時のブロ
    ックのパターン存在領域のY方向の大きさとの和が搭載
    ブロックのY方向の大きさ以下である場合において、第
    1〜第4の抽出ブロックの照射型を共に全面型から部分
    型に変更し、第1及び第2の抽出ブロックをX方向に並
    べたものと第3及び第4の抽出ブロックをX方向に並べ
    たものをY方向に並べて、第1〜第4の抽出ブロックの
    パターンを1つの搭載ブロックに納めるようにしたブロ
    ック露光におけるブロック搭載方法。
JP6309696A 1996-03-19 1996-03-19 ブロック露光におけるブロック搭載方法 Pending JPH09258429A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6309696A JPH09258429A (ja) 1996-03-19 1996-03-19 ブロック露光におけるブロック搭載方法
US08/816,685 US5984505A (en) 1996-03-19 1997-03-13 Block exposure of semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6309696A JPH09258429A (ja) 1996-03-19 1996-03-19 ブロック露光におけるブロック搭載方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09258429A true JPH09258429A (ja) 1997-10-03

Family

ID=13219438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6309696A Pending JPH09258429A (ja) 1996-03-19 1996-03-19 ブロック露光におけるブロック搭載方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5984505A (ja)
JP (1) JPH09258429A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010051381A (ko) * 1999-11-02 2001-06-25 히로시 오우라 부분 일괄 전사 노광용 마스크 데이터 작성 방법, 및 노광방법
US6718532B2 (en) 2001-02-23 2004-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam exposure system using aperture mask in semiconductor manufacture

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001125252A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の露光方法及び露光装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5854648A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
JPS6229135A (ja) * 1985-07-29 1987-02-07 Advantest Corp 荷電粒子ビ−ム露光方法及びこの方法を用いた荷電粒子ビ−ム露光装置
EP0416157A1 (de) * 1989-09-07 1991-03-13 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Polarisator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010051381A (ko) * 1999-11-02 2001-06-25 히로시 오우라 부분 일괄 전사 노광용 마스크 데이터 작성 방법, 및 노광방법
US6718532B2 (en) 2001-02-23 2004-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged particle beam exposure system using aperture mask in semiconductor manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
US5984505A (en) 1999-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7772575B2 (en) Stencil design and method for cell projection particle beam lithography
JP5020745B2 (ja) 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US4259724A (en) Device comprising a circuit for making a beam exposure system effectively draw a repetitive pattern
CN106469235A (zh) 集成电路方法以及集成电路设计系统
US6350992B1 (en) Charged particle beam exposure method and charged particle beam exposure device
Xiao et al. DSA template mask determination and cut redistribution for advanced 1D gridded design
JP2002118060A (ja) 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
JP4054445B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
KR100608117B1 (ko) 반도체 집적 회로의 노광 방법 및 노광 장치
US7269819B2 (en) Method and apparatus for generating exposure data
US6271852B1 (en) boundary processing of oblique overlapping graphics to achieve dimensionally accurate electron beam irradiation
JPH09258429A (ja) ブロック露光におけるブロック搭載方法
KR100326955B1 (ko) 이동 스테이지를 사용한 전자빔 노광 방법
KR20010051381A (ko) 부분 일괄 전사 노광용 마스크 데이터 작성 방법, 및 노광방법
JP2003017388A (ja) ブロックマスク製造方法、ブロックマスク、および、露光装置
JPH04252016A (ja) パターン描画方法
EP0098177B1 (en) Scanning electron-beam exposure system
US5202204A (en) Process of producing exposure mask
KR101877431B1 (ko) 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치
JP2009295833A (ja) 描画装置及び描画用データの処理方法
Sugihara Optimal character-size exploration for increasing throughput of MCC lithographic systems
JP3282894B2 (ja) 露光データ作成方法
JP2992081B2 (ja) パターン作成装置
JPS6152973B2 (ja)
KR20180136409A (ko) 데이터 처리 방법, 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040803