DE102014205634A1

DE102014205634A1 - Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung und Verfahren zum Akquirieren eines Dosismodulationskoeffizienten eines Ladungsteilchenstrahls

Info

Publication number: DE102014205634A1
Application number: DE102014205634.9A
Authority: DE
Inventors: Noriaki Nakayamada; Yasuo Kato; Mizuna Suganuma
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2013-03-27
Filing date: 2014-03-26
Publication date: 2014-10-02
Also published as: JP6259694B2; TW201506531A; KR20140118857A; TWI534528B; JP2014209599A; KR101614111B1; US20140291553A1; US9224578B2

Abstract

Eine Vorrichtung enthält eine Einheit zum Betreiben einer ersten Dosis eines Strahls, der korrigiert worden ist für einen Proximity-Effekt für jede zweiter Maschenregionen einer zweiten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und einer Anzahl von Durchläufen, durch Verwenden eines Dosismodells mit Verwendung einer Dosisschwelle; eine Einheit zum Betreiben einer repräsentativen Temperatur, die aufgrund eines Wärmetransfers ansteigt, der von einer Bestrahlung des Strahls abstammt, durch Verwenden einer Dosis für einen anwendbaren Durchlauf der ersten Dosis, und eine Einheit zum Betreiben eines Polynoms mit einem Term, der erhalten worden ist durch Multiplizieren eines Dosismodulationskoeffizienten auf Grundlage der repräsentativen Temperatur mit einer Musterflächendichte als ein Element, und eine Dosis wird verwendet, die einen Unterschied machen zwischen einem Wert, der erhalten worden ist durch Betreiben des Polynoms, und der Dosisschwelle innerhalb einer Toleranz.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
Diese Anmeldung basiert auf und beansprucht den Vorteil der Priorität aus der früheren japanischen Patentanmeldung Nr. 2013-067117 , die am 27. März 2013 in Japan eingereicht wurde, deren gesamter Inhalt hier mittels Referenz aufgenommen ist.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
Hier beschriebene Ausführungsformen betreffen im Allgemeinen eine Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung und ein Verfahren zum Akquirieren eines Dosismodulationskoeffizienten eines Ladungsteilchenstrahls und betreffen beispielsweise eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Tätigen von Resist-Erwärmungskorrekturen.
Verwandte Technik
Eine Schreibtechnologie, die verantwortlich ist für ein Entwickeln noch feinerer Halbleitervorrichtungen, ist unter Halbleiterherstellungsprozessen ein extrem wichtiger Prozess, der Muster als der einzige Prozess erzeugt. In den vergangenen Jahren sind mit einem stetig zunehmenden LSI-Integrationsgrad von Halbleitervorrichtungen geforderte Schaltkreisleitungsbreiten jedes Jahr feiner geworden. Ein Hochgenauigkeits-Originalmuster (auch ein Retikel oder eine Maske genannt) wird zum Bilden eines erwünschten Schaltkreismusters auf diesen Halbleitervorrichtungen benötigt. Eine Elektronenstrahl-(EB, Electron Beam)Schreibtechnologie hat inhärent überlegene Auflösungseigenschaften und wird zum Herstellen von Hochgenauigkeits-Originalmustern verwendet.
8 ist ein konzeptuelles Diagramm, das eine Operation einer konventionellen Schreibvorrichtung mit einem variabel-geformten Elektronenstrahl veranschaulicht.
Die Schreibvorrichtung mit einem variabel-geformten Elektronenstrahl arbeitet wie unten beschrieben. Eine erste Aperturplatte 410 hat eine rechteckige Öffnung 411, um einen darin gebildeten Elektronenstrahl 330 zu formen. Eine zweite Aperturplatte 420 hat eine variabel-geformte Öffnung 421, um den Elektronenstrahl 330, der durch die Öffnung 411 der ersten Aperturplatte 410 passiert ist, zu einer darin gebildeten erwünschten rechteckigen Form zu formen. Der Elektronenstrahl 330, der durch die Öffnung 411 der ersten Aperturplatte 410 passiert ist, nachdem er von einer Ladungsteilchenquelle 430 ausgestrahlt worden ist, wird durch einen Deflektor abgelenkt und passiert durch einen Abschnitt der variabel-geformten Öffnung 421 der zweiten Aperturplatte 420, bevor ein Zielobjekt 340, das auf einem sich kontinuierlich in einer Richtung (die beispielsweise als die X-Richtung angenommen wird) bewegenden Gestell angebracht ist, durch den Elektronenstrahl 330 bestrahlt wird. Und zwar wird eine rechteckige Form, die fähig ist zum Passieren durch sowohl die Öffnung 411 der ersten Aperturplatte 410 als auch durch die variabel-geformte Öffnung 421 der zweiten Aperturplatte 420, in eine Musterschreibregion des Zielobjektes 340 geschrieben, das auf dem sich kontinuierlich in der X-Richtung bewegenden Gestell (bzw. Tisch) montiert ist. Das Verfahren zum Erschaffen einer beliebigen Form durch Veranlassen eines Strahls, durch sowohl die Öffnung 411 der ersten Aperturplatte 410 als auch durch die variabel-geformte Öffnung 421 der zweiten Aperturplatte 420 zu passieren, wird das variabel-geformte Verfahren (VSB-Verfahren) genannt.
Mit der Entwicklung der optischen Schreibtechnologie und kürzerer Wellenlängen aufgrund von Extrem-Ultraviolett (EUV) nimmt die Anzahl von Beschüssen bzw. Schüssen (Engl.: shots) eines Elektronenstrahls, die zum Schreiben einer Maske benötigt wird, mit beschleunigtem Tempo zu. Andererseits werden das Beschussrauschen und eine Kantenrauigkeit von Mustern reduziert, indem ein Resist weniger empfindlich gemacht wird und die Dosis zum Gewährleisten der zur Mikro-Bemusterung benötigten Präzision einer Linienbreite erhöht wird. Somit nehmen die Anzahl von Beschüssen und die Dosis grenzenlos zu, und so nimmt auch die Musterschreibzeit grenzenlos zu. Deshalb wird ein Reduzieren der Musterschreibzeit durch ein Erhöhen einer Stromdichte diskutiert.
Falls ein erhöhtes Bestrahlungsenergieausmaß in einer kurzen Zeit als ein dichter Elektronenstrahl ausgestrahlt wird, wird jedoch ein Problem eines Phänomens verursacht, das Resist-Erwärmung genannt wird, in dem die Substrattemperatur erhitzt bzw. erwärmt wird und die Resist-Empfindlichkeit verändert wird, was in einer schlechteren Präzision der Linienbreite resultiert. Um solch ein Problem zu lösen, haben die Erfinder und dergleichen ein Patent für eine Technik zum Berechnen einer repräsentativen Temperatur für jede minimale Ablenkungsregion von Ablenkungsregionen auf Grundlage eines Wärmetransfers von anderen minimalen Ablenkungsregionen, die vor der minimalen Ablenkungsregion geschrieben worden sind, und zum Modulieren der Dosis mit Verwendung der repräsentativen Temperatur angemeldet (siehe beispielsweise ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 2012-069675 ( JP-A-2012-069675 )). Dimensionsvariationen von Mustern aufgrund einer Resist-Erwärmung sind unterdrückt worden durch Tätigen von Korrekturen in minimalen Ablenkungsregioneinheiten, anstelle von Beschusseinheiten, gemäß solch einer Technik, um eine Korrekturoperation (Temperaturkorrekturoperation) mit einer höheren Geschwindigkeit durchzuführen.
Beim Elektronenstrahl-Musterschreiben, wenn ein Schaltkreismuster geschrieben wird durch Bestrahlen einer Maske, auf die ein Resist angewendet ist, mit einem Elektronenstrahl, tritt andererseits ein Phänomen auf, das Proximity-Effekt bzw. Nachbarschaftseffekt genannt wird, durch ein Zurückstreuen, bei dem der Elektronenstrahl durch eine Resist-Schicht übertragen wird, um die Schicht darunter zu erreichen, bevor ein erneutes Eintreten in die Resist-Schicht auftritt. Demgemäß treten Dimensionsvariationen auf, in denen, wenn ein Muster geschrieben wird, das Muster in Dimensionen geschrieben wird, die von erwünschten Dimensionen abweichen. Um solch ein Phänomen zu vermeiden, wird eine Proximity-Effekt-Korrekturoperation durch die Schreibvorrichtung durchgeführt, um beispielsweise die Dosis zu modulieren, um solche Dimensionsvariationen zu unterdrücken.
Falls die Dosis moduliert wird durch Durchführen einer Proximity-Effekt-Korrekturoperation, wird jedoch ein Problem eines übrigbleibenden Korrekturrestes verursacht, falls danach eine Dosismodulation zum Unterdrücken von Dimensionsvariationen aufgrund einer Resist-Erwärmung durchgeführt wird durch ein Durchführen einer zuvor erwähnten Temperaturkorrekturoperation.
Zusätzlich zu der zuvor erwähnten Temperaturkorrekturoperation und der Dosismodulation, so wie die Proximity-Effekt-Korrekturoperation, wird die erforderliche Dosis in eine Vielzahl von Malen eines Musterschreibens aufgeteilt durch Durchführen eines Mehrfachmusterschreibens beim Elektronenstrahl-Musterschreiben, um einen Temperaturanstieg zu unterdrücken. Das Mehrfachmusterschreiben wird häufig durchgeführt mittels Verschieben der Position einer Ablenkungsregion (Engl.: deflection region), und in solch einem Fall muss die zuvor erwähnte Temperaturkorrekturoperation für jeden Durchlauf (einmaliges Musterschreiben eines Mehrfachmusterschreibens) eines Mehrfachmusterschreibens durchgeführt werden, weil die Position der Ablenkungsregion verschoben wird. Falls eine Proximity-Effekt-Korrekturoperation damit kombiniert wird, wird somit die Operationstechnik noch komplexer, und ein Problem einer Schwierigkeit einer Echtzeit-Korrekturoperation wird verursacht. Somit muss die Prozesseffizienz erhöht werden.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Gemäß einem Aspekt dieser Erfindung enthält eine Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung
eine erste Maschenaufteilungseinheit, die ausgestaltet ist zum virtuellen Aufteilen einer Musterschreibregion eines Zielobjektes in eine Vielzahl erster Maschenregionen in einer ersten Maschengröße;
eine zweite Maschenaufteilungseinheit, die ausgestaltet ist zum virtuellen Aufteilen der Musterschreibregion des Zielobjekts in eine Vielzahl zweiter Maschenregionen in einer zweiten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und einer Anzahl von Durchläufen eines Mehrfachmusterschreibens, das durch Verschieben einer Position durchgeführt worden ist;
eine erste Dosisoperationseinheit, die ausgestaltet ist zum Betreiben einer ersten Dosis eines Ladungsteilchenstrahls, korrigiert für einen Proximity-Effekt bzw. Nachbarschaftseffekt für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen, durch Verwenden eines Dosismodells mit Verwendung einer Dosisschwelle;
eine Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit, die ausgestaltet ist zum Betreiben einer repräsentativen Temperatur der ersten Maschenregion, die ansteigt aufgrund eines Wärmetransfers, der von einer Bestrahlung des Ladungsteilchenstrahls abstammt, durch Verwendung einer Dosis für einen anwendbaren Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens der betriebenen ersten Dosis, für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jede der Vielzahl erster Maschenregionen;
eine Polynomoperationseinheit, die ausgestaltet ist zum Betreiben eines Polynoms mit einem Term, der erhalten worden ist durch Multiplizieren eines Dosismodulationskoeffizienten auf Grundlage der repräsentativen Temperatur jedes Durchlaufs mit einer Musterflächendichte für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen als ein Element; und
eine Musterschreibeinheit, die ausgestaltet ist zum Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt durch Verwenden eines Ladungsteilchenstrahls einer Dosis, die einen Unterschied macht zwischen einem Wert, der erhalten worden ist durch Betreiben des Polynoms und der Dosisschwelle innerhalb einer Toleranz.
Gemäß einem anderen Aspekt dieser Erfindung enthält ein Verfahren zum Akquirieren eines Dosismodulationskoeffizienten eines Ladungsteilchenstrahls:
virtuelles Aufteilen einer Musterschreibregion eines Zielobjektes in eine Vielzahl erster Maschenregionen in einer ersten Maschengröße;
virtuelles Aufteilen der Musterschreibregion des Zielobjektes in eine Vielzahl zweiter Maschenregionen in einer zweiten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und einer Anzahl von Durchläufen eines Mehrfachmusterschreibens, durchgeführt durch Verschieben einer Position;
Betreiben einer ersten Dosis eines Ladungsteilchenstrahls, korrigiert für einen Proximity-Effekt für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen, durch Verwenden eines Dosismodells mit Verwendung einer Dosisschwelle;
Betreiben einer repräsentativen Temperatur der ersten Maschenregion, die ansteigt aufgrund eines Wärmetransfers, der von einer Bestrahlung des Ladungsteilchenstrahls abstammt, durch Verwendung einer Dosis eines anwendbaren Durchlaufs des Mehrfachmusterschreibens der ersten Dosis, die betrieben wird für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jede von der Vielzahl erster Maschenregionen;
Betreiben eines Dosismodulationskoeffizienten, um durch eine Resist-Erwärmung verursachte Dimensionsvariationen zu korrigieren, durch Verwenden der repräsentativen Temperatur, für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jede von der Vielzahl erster Maschenregionen; und
Betreiben und Ausgeben eines Mittelwertes von Dosismodulationskoeffizienten für jede von einer Vielzahl dritter Maschenregionen, erhalten durch eine virtuelle Aufteilung in einer dritten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und der Anzahl von Durchläufen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein konzeptuelles Diagramm, das eine Ausgestaltung einer Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt.
2 ist ein konzeptuelles Diagramm, das jede Region in Ausführungsform 1 veranschaulicht.
3 ist ein Flussdiagramm, das prinzipielle Prozesse eines Verfahrens zum Schreiben eines Musters in Ausführungsform 1 zeigt.
4A und 4B sind Diagramme, die TF jedes Durchlaufs in Ausführungsform 1 zeigen.
5 ist ein Diagramm, das TF und eine Nachbarschaftsmasche in Ausführungsform 1 zeigt.
6 ist ein konzeptuelles Diagramm, das einen mittleren Dosismodulationskoeffizienten in Ausführungsform 1 veranschaulicht.
7 ist ein Diagramm, das ein Beispiel eines Strahlprofils in Ausführungsform 1 zeigt.
8 ist ein konzeptuelles Diagramm, das eine Operation einer Schreibvorrichtung mit einem variabel-geformten Elektronenstrahl veranschaulicht.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
In einer Ausführungsform unten werden eine Vorrichtung und ein Verfahren beschrieben werden, die effizient Dimensionsvariationen von Mustern aufgrund einer Resist-Erwärmung unterdrücken während eines Unterdrückens von Korrekturresten des Proximity-Effektes, selbst falls ein Mehrfachmusterschreiben durchgeführt wird.
Auch in der Ausführungsform unten wird eine einen Elektronenstrahl verwendende Ausgestaltung als ein Beispiel eines Ladungsteilchenstrahls beschrieben werden. Jedoch ist der Ladungsteilchenstrahl nicht auf den Elektronenstrahl beschränkt, und ein Ladungsteilchen verwendender Strahl, so wie ein Ionenstrahl, kann auch verwendet werden. Außerdem wird eine Variabel-Geformtes-Schreiben-Vorrichtung als ein Beispiel einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung beschrieben werden.
Ausführungsform 1
1 ist ein konzeptuelles Diagramm, das die Ausgestaltung einer Schreibvorrichtung gemäß Ausführungsform 1 zeigt. In 1 enthält eine Schreibvorrichtung 100 eine Musterschreibeinheit 150 und einen Controller 160. Die Schreibvorrichtung 100 ist ein Beispiel der Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung. Im Besonderen ist die Schreibvorrichtung 100 ein Beispiel der Variabel-Geformtes-(VSB-Typ)Schreiben-Vorrichtung. Die Musterschreibeinheit 150 enthält eine Elektronenoptiksäule 102 und eine Musterschreibkammer 103. In der Elektronenoptiksäule 102 sind eine Elektronenkanonenzusammenstellung 201, eine Illuminationslinse 202, ein Ausblendungsdeflektor bzw. Austastungdeflektor (Engl: blanking deflector) (Ausblender bzw. Blanker) 212, eine Ausblendungsaperturplatte 214, eine erste geformte Aperturplatte 203, eine Projektlinse 204, ein Deflektor 205, eine zweite geformte Aperturplatte 206, eine Objektivlinse 207, ein Hauptdeflektor 208, ein Subdeflektor 209 und ein Subsubdeflektor 216 angeordnet. In der Musterschreibkammer 103 ist wenigstens ein XY-Gestell 105 angeordnet, das fähig zum Bewegen in den XY-Richtungen ist. Ein Zielobjekt 101 (Substrat), auf das ein Resist angewendet wird, und auf das ein Muster geschrieben werden soll, ist auf dem XY-Gestell 105 angeordnet. Das Zielobjekt 101 enthält Masken zur Exposition zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und Siliziumwafern. Masken enthalten Maskenausblendungen (englisch: Mask Blanks).
Der Controller 160 enthält eine Steuercomputereinheit 110, einen Speicher 112, einen Ablenkungssteuerschaltkreis 120, DAC-(Digital-/Analog-Wandler)Verstärkereinheiten 130, 132, 134, 136 (Ablenkungsverstärker) und Speichervorrichtungen 140, 142, 144, so wie Magnetscheiben-Laufwerke. Die Steuercomputereinheit 110, der Ablenkungssteuerschaltkreis 120 und die Speichervorrichtung 140, so wie ein Magnetscheibenlaufwerk, sind wechselseitig via einen Bus (nicht gezeigt) verbunden. Die DAC-Verstärkereinheiten 130, 132, 134, 136 sind mit dem Ablenkungssteuerschaltkreis 120 verbunden. Die DAC-Verstärkereinheit 130 ist mit dem Ausblendungsdeflektor 212 verbunden. Die DAC-Verstärkereinheit 132 ist mit dem Subdeflektor 209 verbunden. Die DAC-Verstärkereinheit 134 ist mit dem Hauptdeflektor 208 verbunden. Die DAC-Verstärkereinheit 136 ist mit dem Subsubdeflektor 216 verbunden.
In der Steuercomputereinheit 110 sind angeordnet eine TF-Masche-Aufteilungseinheit 60, eine Nachbarschaftsmasche-Aufteilungseinheit 62, eine Schussaufteilungseinheit 64, eine ρ-Operationseinheit 66, eine D(x)-Abbildung-Erschaffungseinheit 68, eine D'(x)-Operationseinheit 70, eine D(x)/N-Abbildung-Erschaffungseinheit 71, eine T-Operationseinheit 73, eine α-Operationseinheit 77, eine α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80, eine θ'-Operationseinheit 82, eine Bestimmungseinheit 84 und ein Musterschreibcontroller 86. Jede Funktion der TF-Masche-Aufteilungseinheit 60, der Nachbarschaftsmasche-Aufteilungseinheit 62, der Schussaufteilungseinheit 64, der ρ-Operationseinheit 66, der D(x)-Abbildung-Erschaffungseinheit 68, der D'(x)-Operationseinheit 70, der D(x)/N-Abbildung-Erschaffungseinheit 71, der T-Operationseinheit 73, der α-Operationseinheit 77, der α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80, der θ'-Operationseinheit 82, der Bestimmungseinheit 84 und des Musterschreibcontrollers 86 kann auch durch Software, so wie ein Programm, ausgestaltet sein. Alternativ kann jede Funktion durch Hardware, so wie ein elektronischer Schaltkreis, oder eine Kombination davon ausgestaltet sein. Innerhalb der Steuercomputereinheit 110 benötigte Eingabedaten oder Operationsergebnisse werden jedes Mal in dem Speicher 112 gespeichert. Wenn wenigstens eine von der TF-Masche-Aufteilungseinheit 60, der Nachbarschaftsmasche-Aufteilungseinheit 62, der Schussaufteilungseinheit 64, der ρ-Operationseinheit 66, der D(x)-Abbildung-Erschaffungseinheit 68, der D'(x)-Operationseinheit 70, der D(x)/N-Abbildung-Erschaffungseinheit 71, der T-Operationseinheit 73, der α-Operationseinheit 77, der α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80, der θ'-Operationseinheit 82, der Bestimmungseinheit 84 und des Musterschreibcontrollers 86 durch Software ausgestaltet ist, ist ein Computer, so wie eine CPU oder GPU, angeordnet. Besonders für eine Funktion eines großen Berechnungsausmaßes, so wie die T-Operationseinheit 73, ist ein Computer einer CPU-Vielzahl oder einer GPU-Vielzahl angeordnet.
Die T-Operationseinheit 73 enthält eine Vielzahl von Ti Operationseinheiten (Durchlauf-repräsentative-Temperatur-Operationseinheiten), die eine repräsentative Temperatur Ti jedes Durchlaufs eines Mehrfachmusterschreibens betreiben. Das Beispiel in 1 zeigt einen Fall, wenn die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist, und somit eine T₁-Operationseinheit 72 und eine T₂-Operationseinheit 74 hat. Ähnlich enthält die α-Operationseinheit 77 eine Vielzahl von αi Operationseinheiten, die einen Dosismodulationskoeffizienten αi jedes Durchlaufs eines Mehrfachmusterschreibens betreiben. Das Beispiel in 1 zeigt einen Fall, wenn die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist und somit eine α₁-Operationseinheit 76 und eine α₂-Operationseinheit 78 hat. Jede der Funktionen der T₁-Operationseinheit 72, der T₂-Operationseinheit 74, der α₁-Operationseinheit 76 und der α₂-Operationseinheit 78 kann auch durch Software, so wie ein Programm, ausgestaltet sein. Alternativ kann jede Funktion durch Hardware, so wie ein elektronischer Schaltkreis, oder eine Kombination davon ausgestaltet sein. Innerhalb der Steuercomputereinheit 110 benötigte Eingabedaten oder Operationsergebnisse werden jedes Mal in dem Speicher 112 gespeichert. Wenn wenigstens eine von der der T₁-Operationseinheit 72, der T₂-Operationseinheit 74, der α₁-Operationseinheit 76 und der α₂-Operationseinheit 78 durch Software ausgestaltet ist, ist ein Computer, so wie eine CPU oder GPU, angeordnet.
In Ausführungsform 1 wird ein Fall beschrieben werden, wenn beispielsweise die Anzahl von Durchläufen (auch die ”Multiplizität” oder ”Mehrfachmusterschreiben-Zählwert” genannt) N = 2 ist. Jedoch ist Ausführungsform 1 nicht auf solch einen Fall beschränkt, und die Anzahl von Durchläufen N kann ein Wert gleich 3 oder größer sein. Während die T₁-Operationseinheit 72 und die T₂-Operationseinheit 74 angeordnet sind, wie in 1 gezeigt, wenn die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist, sind so viele Ti Operationseinheiten wie die Anzahl in Übereinstimmung mit dem Wert der Anzahl von Durchläufen N angeordnet, wenn die Anzahl von Durchläufen N ≥ 3 ist. Während die α₁-Operationseinheit 76 und die α₂-Operationseinheit 78 angeordnet sind, wie in 1 gezeigt, wenn die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist, sind ähnlich so viele αi Operationseinheiten wie die Anzahl in Übereinstimmung mit dem Wert der Anzahl von Durchläufen N angeordnet, wenn die Anzahl von Durchläufen N ≥ 3 ist.
Musterschreibdaten werden von außen eingegeben und in der Speichervorrichtung 140 gespeichert.
1 zeigt die zum Beschreiben der Ausführungsform 1 benötigte Ausgestaltung. Andere Komponenten, die normalerweise für die Schreibvorrichtung 100 benötigt werden, können auch enthalten sein.
2 ist ein konzeptuelles Diagramm, das jede Region in Ausführungsform 1 veranschaulicht. In 2 ist eine Musterschreibregion 10 des Zielobjektes 101 virtuell in eine Vielzahl von Streifenregionen 20 in einer dünnen rechteckigen Form in einer ablenkbaren Breite durch den Hauptdeflektor 208 beispielsweise zu der Y-Richtung aufgeteilt. Jede der Streifenregionen 20 ist virtuell in eine Vielzahl von Subfeldern (SF) 30 (kleine Regionen) in einer Maschenform in einer ablenkbaren Größe durch den Subdeflektor 209 aufgeteilt. Dann ist jedes der SF 30 virtuell in eine Vielzahl von Untersubfeldern (USF: hier, ”TF” genannt mit Verwendung einer Abkürzung von Tertiärfeld bzw. Tertiary Field, was die dritte Ablenkungsregion ist. Dies findet auch unten Anwendung.) 40 (kleine Regionen) in einer Maschenform in einer ablenkbaren Größe durch den Subsubdeflektor 216 aufgeteilt. Dann wird eine Schussfigur in jeder Schussposition 42 jedes der TF 40 geschrieben. Die Anzahl von TF-Aufteilungen in jedem SF ist wünschenswerterweise eine Anzahl, so dass eine Musterschreiboperation nicht durch die Repräsentative-Temperatur-Berechnung von TF beschränkt ist. Beispielsweise sind die Anzahlen wünschenswerterweise 10 oder weniger vertikal und horizontal. Besonders geeignet sind die Anzahlen wünschenswerterweise 5 oder weniger vertikal und horizontal.
Ein digitales Signal zum Ausblenden einer Steuerung wird von dem Ablenkungssteuerschaltkreis 120 an die DAC-Verstärkereinheit 130 ausgegeben. Dann wandelt die DAC-Verstärkereinheit 130 das digitale Signal in ein analoges Signal um und verstärkt das Signal vor einem Anlegen des Signals an den Ausblenddeflektor 212 als eine Ablenkungsspannung. Ein Elektronenstrahl 200 wird durch solch eine Ablenkungsspannung abgelenkt, um einen Strahl jedes Schusses zu bilden.
Ein digitales Signal für eine Hauptablenkungssteuerung wird ausgegeben von dem Ablenkungssteuerschaltkreis 120 an die DAC-Verstärkereinheit 134. Dann wandelt die DAC-Verstärkereinheit 134 das digitale Signal in ein analoges Signal um und verstärkt das Signal vor einem Anlegen des Signals an den Hauptdeflektor 208 als eine Ablenkungsspannung. Der Elektronenstrahl 200 wird durch solch eine Ablenkungsspannung abgelenkt, und ein Strahl jedes Schusses wird zu der Referenzposition eines vorbestimmten Subfeldes (SF) abgelenkt, das virtuell in einer Maschenform aufgeteilt ist.
Ein digitales Signal für eine Subablenkungssteuerung wird ausgegeben von dem Ablenkungssteuerschaltkreis 120 an die DAC-Verstärkereinheit 132. Dann wandelt die DAC-Verstärkereinheit 132 das digitale Signal in ein analoges Signal um und verstärkt das Signal vor einem Anlegen des Signals an den Subdeflektor 209 als eine Ablenkungsspannung. Der Elektronenstrahl 200 wird durch solch eine Ablenkungsspannung abgelenkt, und ein Strahl jedes Schusses wird in ein vorbestimmtes Subfeld (SF) abgelenkt, das virtuell in einer Maschenform aufgeteilt ist, und ferner zu der Referenzposition eines Untersubfeldes (TF), das virtuell aufgeteilt ist in einer Maschenform, und um die minimale Ablenkungsregion zu sein.
Ein digitales Signal für die Subsubablenkungssteuerung wird ausgegeben von dem Ablenkungssteuerschaltkreis 120 an die DAC-Verstärkereinheit 136. Dann wandelt die DAC-Verstärkereinheit 136 das digitale Signal in ein analoges Signal um und verstärkt das Signal vor einem Anlegen des Signals an den Subsubdeflektor 216 als eine Ablenkungsspannung. Der Elektronenstrahl 200 wird abgelenkt durch solch eine Ablenkungsspannung, und ein Strahl jedes Schusses wird abgelenkt in ein vorbestimmtes Subfeld (SF), das virtuell aufgeteilt ist in einer Maschenform, und ferner zu jeder Schussposition in einem Untersubfeld (TF), das virtuell aufgeteilt ist in einer Maschenform, und um die minimale Ablenkungsregion zu sein.
Die Schreibvorrichtung 100 führt eine Musterschreibverarbeitung für jede der Streifenregionen 20 mit Verwendung einer Vielzahl von Stufen von Deflektoren durch. Hier werden als ein Beispiel 3-Stufen-Deflektoren des Hauptdeflektors 208, des Subdeflektors 209 und des Subsubdeflektors 216 verwendet. Das XY-Gestell 105 bewegt sich kontinuierlich in beispielsweise der X-Richtung, um mit einem Musterschreiben in der X-Richtung für die erste Streifenregion 20 voranzuschreiten. Nachdem das Musterschreiben der ersten Streifenregion 20 vollendet ist, schreitet dann das XY-Gestell 105 mit dem Musterschreiben für die zweite Streifenregion 20 auf dieselbe Weise oder in einer umgekehrten Richtung voran. Anschließend schreitet das XY-Gestell 105 mit einem Musterschreiben für die dritte Streifenregion 20 in derselben Weise voran. Dann lenkt der Hauptdeflektor 208 (erster Deflektor) wiederum den Elektronenstrahl 200 auf eine Referenzposition A des SF 30 ähnlich einem Folgen der Bewegung des XY-Gestells 105. Auch der Subdeflektor 209 (zweiter Deflektor) lenkt wiederum den Elektronenstrahl 200 von der Referenzposition A von jedem der SF 30 auf eine Referenzposition B des TF 40. Dann lenkt der Subsubdeflektor 216 (dritter Deflektor) den Elektronenstrahl 200 von der Referenzposition B von jedem der TF 40 auf die Schussposition 42 eines in das TF 40 gestrahlten Strahls ab. Somit haben der Hauptdeflektor 208, der Subdeflektor 209 und der Subsubdeflektor 216 in der Größe unterschiedliche Ablenkungsregionen. Das TF 40 ist die minimale Ablenkungsregion von Ablenkungsregionen der Vielzahl von Stufen von Deflektoren.
3 ist ein Flussdiagramm, das prinzipielle Prozesse eines Verfahrens zum Schreiben eines Musters in Ausführungsform 1 zeigt. In 3 führt das Verfahren zum Schreiben eines Musters in Ausführungsform 1 eine Reihe von Prozessen mit einem TF-Masche-Aufteilungsprozess (S102), einem Schussaufteilungsprozess (S104), einem Nachbarschaftsmasche-Aufteilungsprozess (S112), einem ρ-Operationsprozess (S114), einem D'(x)-Operationsprozess (S116), einem D(x)-Abbildung-Erschaffungsprozess (S118), einem D(x)/N-Abbildung-Erschaffungsprozess (S119), einem T-Operationsprozess (S120), einem α-Operationsprozess (S130), einem α_ave-Abbildung-Erschaffungsprozess (S140), einem θ'-Operationsprozess (S142), einem Bestimmungsprozess (S144) und einem Musterschreibprozess (S146) durch. Der T-Operationsprozess (S120) führt einen T₁-Operationsprozess (S122) und einen T₂-Operationsprozess (S124) als interne Prozesse davon aus. Der α-Operationsprozess (S130) führt einen α₁-Operationsprozess (S132) und einen α₂-Operationsprozess (S134) als interne Prozesse davon aus. Von diesen Prozessen bildet jeder von übrigen Prozessen ausschließlich des Musterschreibprozesses (S146) ein Verfahren zum Akquirieren des Dosismodulationskoeffizienten eines Elektronenstrahls in Ausführungsform 1.
In Ausführungsform 1 wird ein beispielhafter Fall beschrieben, dass die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist. Jedoch ist Ausführungsform 1 nicht auf solch einen Fall beschränkt, und die Anzahl von Durchläufen N kann wie oben beschrieben ein Wert gleich 3 oder größer sein. Wenn die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist, wie in 3 gezeigt, führt der T-Operationsprozess (S120) den T₁-Operationsprozess (S122) und den T₂-Operationsprozess (S124) als interne Prozesse davon aus, aber wenn die Anzahl von Durchläufen N ≥ 3 ist, werden so viele Ti Operationseinheiten wie die Anzahl in Übereinstimmung mit dem Wert der Anzahl von Durchläufen N ausgeführt. Ähnlich führt der α-Operationsprozess (S130) den α₁-Operationsprozess (S132) und den α₂-Operationsprozess (S134) als interne Prozesse davon aus, aber wenn die Anzahl von Durchläufen N ≥ 3 ist, werden so viele αi Operationseinheiten wie die Anzahl in Übereinstimmung mit dem Wert der Anzahl von Durchläufen N ausgeführt.
Als der TF-Masche-Aufteilungsprozess (S102) teilt die TF-Masche-Aufteilungseinheit 60 (erste Maschenaufteilungseinheit) virtuell eine Musterschreibregion des Zielobjektes 101 in eine Vielzahl der TF 40 (erste Maschenregionen) in einer Maschenform in eine ablenkbare Größe (erste Maschengröße) durch den Subsubdeflektor 216 auf. Hier wird die Streifenregion 20 zuerst in eine Vielzahl der SF 30 in einer Maschenform aufgeteilt, und dann wird jedes der SF 30 virtuell in die Vielzahl der TF 40 in einer Maschenform aufgeteilt. In Ausführungsform 1 wird jedes der TF 40 als eine Maschenregion für eine Temperaturkorrekturoperation verwendet. Die TF-Masche-Aufteilungseinheit 60 teilt virtuell die Musterschreibregion des Zielobjektes 101 in die Vielzahl der TF 40 in einer Maschenform (erste Maschenregionen) für jeden Durchlauf (einmaliges Musterschreiben eines Mehrfachmusterschreibens) eines Mehrfachmusterschreibens auf.
4A und 4B sind Diagramme, die ein TF jedes Durchlaufs in Ausführungsform 1 zeigen. In 4A ist TF 40a in dem ersten Durchlauf als eine durchgezogene Linie gezeigt, und TF 40b in dem zweiten Durchlauf ist als eine gestrichelte Linie gezeigt. Wie in 4B gezeigt, ist das TF 40 als ein Quadrat aufgeteilt, dessen vertikale und horizontale Größe (x-Größe, y-Größe) beide Δ₁ sind. In den ersten und zweiten Durchläufen werden die TF 40 erzeugt, indem die Position der Ablenkungsregion um Δ₁/2 in der x- bzw. y-Richtung verschoben wird.
Als der Schussaufteilungsprozess (S104) liest die Schussaufteilungseinheit 64 Musterschreibdaten von der Speichervorrichtung 140 und erzeugt für die Schreibvorrichtung 100 spezifische Schussdaten durch Durchführen einer Datenumwandlungsverarbeitung in einer Vielzahl von Stufen für jeden Durchlauf. Die Musterschreibdaten sind als eine Datei beispielsweise für jede Rahmenregion ausgestaltet, die erhalten worden ist durch virtuelles Aufteilen einer Chipregion eines Musterschreibzielchips in eine dünne rechteckige Form. Dann liest die Schussaufteilungseinheit 64 sukzessiv Datendateien für solche Rahmenregionen, um Schussdaten zu erzeugen. Während eine Vielzahl von Figurmustern auf einem Chip angeordnet ist, ist die Größe, die durch einen Strahlenschuss gebildet werden kann, beschränkt in der Schreibvorrichtung 100. Somit wird jedes Figurmuster in Schussfiguren aufgeteilt, die durch einen Strahlenschuss gebildet werden können, in einer Datenumwandlungsverarbeitung. Dann werden der Figurtyp, die Größe, Position und dergleichen jeder Schussfigur als Schussdaten erzeugt. Die Schussdaten werden sukzessiv in der Speichervorrichtung 142 gespeichert. Es gibt eine Positionsverschiebung der Ablenkungsregion zwischen den ersten und zweiten Durchläufen, und so ist der Inhalt der Schussdaten unterschiedlich. Somit erzeugt die Schussaufteilungseinheit 64 Schussdaten (1) in dem ersten Durchlauf bzw. Schussdaten (2) in dem zweiten Durchlauf, und die Schussdaten (1) in dem ersten Durchlauf und die Schussdaten (2) in dem zweiten Durchlauf werden in der Speichervorrichtung 142 gespeichert.
Als der Nachbarschaftsmasche-Aufteilungsprozess (S112) teilt die Nachbarschaftsmasche-Aufteilungseinheit 62 (zweite Maschenaufteilungseinheit) virtuell die Musterschreibregion des Zielobjektes 101 in eine Vielzahl von Nachbarschaftsmaschen 50 (zweite Maschenregionen) in einer Größe Δ₂ (zweite Maschengröße) auf, die erhalten worden ist durch Teilen der Größe Δ₁ des TF 40 (erste Maschengröße) durch das Produkt einer natürlichen Zahl m und der Anzahl von Durchläufen N eines Mehrfachmusterschreibens, durchgeführt durch Verschieben der Position.
5 ist ein Diagramm, das TF und eine Nachbarschaftsmasche in Ausführungsform 1 zeigt. In 5 ist die Nachbarschaftsmasche 50 aufgeteilt in die Größe Δ₂, die erhalten worden ist durch Teilen der x/y-Größe Δ₁ des TF 40 durch die Anzahl von Durchläufen N. Demgemäß kann verhindert werden, dass die Vielzahl von Nachbarschaftsmaschen 50, deren Position mit der Position des TF 40 überlappt, sich über die anderen benachbarten TF 40 erstreckt. Eine Rasterlinie des TF 40 und die der Nachbarschaftsmasche 50 auf der Außenseite stimmen mit anderen Worten überein, ohne verschoben zu sein. Während die Nachbarschaftsmasche 50 aufgeteilt ist in der Größe von Δ₁/N, ist die Größe nicht auf das obige Beispiel beschränkt. Es ist nur erforderlich, dass die Beziehung mΔ₂ = Δ₁/N mit Verwendung einer natürlichen Zahl m erfüllt ist.
Als der ρ-Operationsprozess (S114) betreibt die ρ-Operationseinheit 66 eine Flächendichte ρ von Figurmustern, die in der Nachbarschaftsmasche 50 angeordnet sind, für jede der Nachbarschaftsmaschen 50. Dann erschafft die ρ-Operationseinheit 66 eine Flächendichteabbildung bzw. eine Flächendichtekarte mit Verwendung jedes Maschenwertes.
Als der D'(x)-Operationsprozess (S116) betreibt die D'(x)-Operationseinheit 70 (erste Dosisoperationseinheit) eine temporäre Dosis D'(x) (erste Dosis) eines Elektronenstrahls, der korrigiert worden ist für den Proximity-Effekt für jede der Nachbarschaftsmaschenregionen 50, durch Verwenden eines Dosismodells mit Verwendung einer Dosisschwelle θ. Die folgende Formel (1) kann als eine Dosisberechnungsformel des Dosismodells mit Verwendung der Dosisschwelle θ definiert werden. In der Formel (1) werden die Dosisschwelle θ, eine Dosis D(x), eine Musterflächendichte ρ(x) und ein Proximity-Effektkern G(x) als Terme verwendet. x gibt die Position (Vektor) an. Es wird mit anderen Worten angenommen, dass die Notation x allein zweidimensionale Koordinaten bedeutet. Der Proximity-Effektkern G(x) ist beispielsweise durch die folgende Formel (2) definiert: D(x) / 2 + ∫ρ(x')D(x')G(x – x')dx' = θ (1)
In der Formel (2) ist η eine Zurückstreuungsrate, und σ ist ein Zurückstreuungsradius.
In Ausführungsform 1 wird das obige Dosismodell verbessert. Genauer genommen wird ein Dosismodulationskoeffizient α(x) definiert, um Temperaturkorrekturen zu machen, die Dimensionsvariationen aufgrund eines Temperaturanstieges korrigieren, der verursacht worden ist durch einen Wärmetransfer, der von einer Bestrahlung bzw. Ausstrahlung eines Elektronenstrahls abstammt. Ferner ist die Temporärdosis D'(x) = D(x)/α(x) definiert durch Verwenden des Dosismodulationskoeffizienten α(x). Dann wird die Formel (1) in die folgende Formel (3) transformiert: D'(x) / 2 + ∫(ρ(x')α(x'))D'(x')G(x – x')dx' = θ (3)
Die D'(x)-Operationseinheit 70 berechnet die Formel (3), um die Temporärdosis D'(x) zu bestimmen. In der ersten Berechnung wird α(x) = 1 für die Operation angenommen. Wenn α(x) = 1 ist, heißt das, dass die Formel (3) dieselbe wie die Formel (1) ist. Die erhaltene Temporärdosis D'(x) ist eine für den Proximity-Effekt korrigierte Dosis. Wie später beschrieben werden wird, wird eine iterative Operation in dem D'(x)-Operationsprozess (S116) durchgeführt, und α_ave(x), später beschrieben, wird als α(x) in den zweiten und nachfolgenden Operationen verwendet werden.
Als der D(x)-Abbildung-Erschaffungsprozess (S118) betreibt zuerst die D(x)-Abbildung-Erschaffungseinheit 68 D(x) = α(x)D'(x), um die Dosis D(x) für jede der Nachbarschaftsmaschenregionen 50 zu betreiben. Dann erschafft die D(x)-Abbildung-Erschaffungseinheit 68 eine Dosis-D(x)-Abbildung mit Verwendung des Maschenwertes von jeder der Nachbarschaftsmaschenregionen 50. Die Dosis D(x) wird hier eine Dosis des gesamten Mehrfachmusterschreibens.
Als der D(x)/N-Abbildung-Erschaffungsprozess (S119) betreibt die D(x)/N-Abbildung-Erschaffungseinheit 71 eine Dosis D(x)/N für ein einmaliges Musterschreiben durch Teilen der Dosis D(x) des gesamten Mehrmusterschreibens durch die Anzahl von Durchläufen N für jede der Nachbarschaftsmaschenregionen 50. Die Dosis D(x)/N ist eine Dosis für einen anwendbaren Durchlauf. Dann erschafft die D(x)/N-Abbildung-Erschaffungseinheit 71 eine Dosis-D(x)/N-Abbildung mit Verwendung des Maschenwertes von jeder der Nachbarschaftsmaschenregionen 50. Die D(x)/N-Abbildung wird in der Speichervorrichtung 144 gespeichert.
In einer ersten Operation jedes Prozesses, von dem D'(x)-Operationsprozess (S116) zu dem D(x)/N-Abbildung-Erschaffungsprozess (S119) reichend, die oben beschrieben worden sind, wird nur der Proximity-Effekt korrigiert, und es wird keine Temperaturkorrektur, die Dimensionsvariationen aufgrund eines Temperaturanstieges korrigiert, der durch einen Wärmetransfer verursacht wird, der von einer Bestrahlung eines Elektronenstrahls abstammt, gemacht. Eine Operation zum Tätigen der Temperaturkorrektur wird unten durchgeführt werden.
Als der T-Operationsprozess (S120) betreibt die T-Operationseinheit 73 eine repräsentative Temperatur T(x, t) des TF 40, die erhöht ist durch einen Wärmetransfer, der von einer Bestrahlung des Elektronenstrahls 200 abstammt, mit Verwendung der Dosis D(x)/N des entsprechenden Durchlaufs des Mehrfachmusterschreibens der betriebenen Dosis D(x), für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jedes der TF 40 (erste Maschenregion). Hier wird beispielsweise ein Fall beschrieben werden, wenn die Anzahl von Durchläufen N 2 ist. Die T-Operationseinheit 73 ist ein Beispiel einer Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit. Die repräsentative Temperatur T(x, t) kann durch die folgende Formel (4) bestimmt werden: T(x, t) = ∫∫ρ(x')(D(x')/N)H(x – x', t – t')dx'dt' (4)
In der Formel (4) ist die repräsentative Temperatur T(x, t) definiert durch Verwendung der Musterflächendichte ρ(x), der Dosis D(x)/N für ein einmaliges Musterschreiben und einen Thermische-Diffusion-Kern H(x, t). Weil wie oben mit Verweis auf 5 beschrieben eine Vielzahl der Nachbarschaftsmaschen 50, deren Position mit der Position des TF 40 überlappt, sich nicht über die anderen benachbarten TF 40 erstreckt, kann der Wert der Musterflächendichte ρ(x), der/die für jede der Nachbarschaftsmaschen 50 betrieben wird, direkt verwendet werden. Deshalb gibt es keinen Bedarf, die Musterflächendichte ρ(x) für jeden Durchlauf erneut zu berechnen. Als ein Ergebnis kann die Operationsgeschwindigkeit schneller gemacht werden. Der in der Formel (4) gezeigte Thermische-Diffusion-Kern H(x, t) kann beispielsweise durch die folgende Formel (5) definiert sein:
In der Formel (5) ist E eine Elektronenstrahlenergie [keV], ist Gd eine Grammdichte [g/cm³] eines Substratmaterials und ist Cp eine spezifische Wärme [J/((K·g)] des Substratmaterials. Rg wird der Grun-Bereich genannt und ist ein Durchschnittsbereich in der Tiefenrichtung, wenn ein Elektronenstrahl einer Energie E[keV] normal auf das Substratmaterial der Grammdichte Gd [g/cm³] einfällt, und wird durch Rg = (0,046/Gd)·E^1,75 [μm] dargestellt.
Ein Thermische-Diffusion-Koeffizient K ist definiert durch K²[(mm)²/s] = λ/(Gd·Cp). λ ist eine thermische Leitfähigkeit [W/(K·m)] des Substratmaterials. Wenn eine Operation der Formel (4) durchgeführt wird, verwendet D(x')/N einen in der Einheit [fC/μm²] (fC = Femtocoulomb) ausgedrückten Wert. erf() ist eine Fehlerfunktion.
Die repräsentative Temperatur T(x, t) basiert für jedes der TF 40 auf einem Wärmetransfer von einer Vielzahl der anderen (n) TF 40, die vor dem anwendbaren TF 40 geschrieben worden sind. Somit kann die repräsentative Temperatur Ti des TF bestimmt werden durch kumulatives Addieren jedes Temperaturanstiegsausmaßes δTij, das verursacht worden ist durch einen Wärmetransfer von der Vielzahl der anderen (n) TF 40, die vor dem anwendbaren TF geschrieben worden sind. Das Temperaturanstiegsausmaß δTij zeigt ein Temperaturanstiegsausmaß des i-ten TFi, das durch einen Wärmetransfer von dem anderen j-ten TFj verursacht worden ist. Das Temperaturanstiegsausmaß δTij hängt ab von einer verstrichenen Zeit (ti – tj) zwischen der Zeit, wenn das andere TF geschrieben wird zur Zeit tj, und der Zeit, wenn das anwendbare TF geschrieben wird zur Zeit ti. Somit ist die repräsentative Temperatur Ti(T(x, t) des i-ten TF 40) des anwendbaren TF 40 (i-tes TF) definiert als eine Funktion der Position x und der Zeit t. Der Thermische-Diffusion-Kern H(x, t) ist so definiert, dass der obige Inhalt durch die Formel (4) erfüllt wird.
Als der T₁-Operationsprozess (S122) betreibt die T₁-Operationseinheit 72 (ein Beispiel einer Repräsentative-Temperatur-Operationsverarbeitungseinheit) eine repräsentative Temperatur T₁(x, t) in dem ersten Durchlauf des TF 40, die aufgrund eines Wärmetransfers ansteigt, der von einer Bestrahlung des Elektronenstrahls 20 abstammt, für jedes der TF 40 (erste Maschenregion) in dem ersten Durchlauf mit Verwendung der Dosis D(x)/N in dem ersten Durchlauf. Die T₁-Operationseinheit 72 ist ein Beispiel der Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit einer Vielzahl von Durchläufen.
Als der T₂-Operationsprozess (S124) betreibt die T₂-Operationseinheit 74 (ein Beispiel der Repräsentative-Temperatur-Operationsverarbeitungseinheit) eine repräsentative Temperatur T₂(x, t) in dem zweiten Durchlauf des TF 40, die aufgrund eines Wärmetransfers ansteigt, der von einer Bestrahlung des Elektronenstrahls 20 abstammt, für jedes der TF 40 (erste Maschenregion) in dem zweiten Durchlauf mit Verwendung der Dosis D(x)/N in dem zweiten Durchlauf. Die T₂-Operationseinheit 74 ist ein Beispiel der Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit einer Vielzahl von Durchläufen.
Als der α-Operationsprozess (S130) betreibt die α-Operationseinheit 77 einen Dosismodulationskoeffizienten α(x, t) für jedes der TF 40 (erste Maschenregionen) und jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens mit Verwendung der anwendbaren repräsentativen Temperatur T(x, t). Der Dosismodulationskoeffizient α(x, t) ist als eine Funktion α(T(x, t)) abhängig von der repräsentativen Temperatur T(x, t) definiert. Weil wie oben beschrieben die repräsentative Temperatur Ti abhängig ist von der Position x und der Zeit t, ist der Dosismodulationskoeffizient α(x, t) auch abhängig von der Position x und der Zeit t. Ein Inhalt der Funktion α(T(x, t)) kann beispielsweise definiert sein durch Anpassen von Daten, die aus einem Experiment erhalten worden sind, oder dergleichen. Die α-Operationseinheit 77 ist ein Beispiel der Dosismodulationskoeffizient-Operationseinheit.
Als der α₁-Operationsprozess (S132) betreibt die α₁-Operationseinheit 76 (ein Beispiel der Dosismodulationskoeffizient-Operationsverarbeitungseinheit) einen Dosismodulationskoeffizienten α₁(x, t) in dem ersten Durchlauf für jedes der TF 40 (erste Maschenregionen) in dem ersten Durchlauf mit Verwendung der repräsentativen Temperatur T₁(x, t) in dem ersten Durchlauf. Die α₁-Operationseinheit 76 ist ein Beispiel der Dosismodulationskoeffizient-Operationseinheit einer Vielzahl von Durchläufen.
Als der α₂-Operationsprozess (S134) betreibt die α₂-Operationseinheit 78 (ein Beispiel der Dosismodulationskoeffizient-Operationsverarbeitungseinheit) einen Dosismodulationskoeffizienten α₂(x, t) in dem zweiten Durchlauf für jedes der TF 40 (erste Maschenregionen) in dem zweiten Durchlauf mit Verwendung der repräsentativen Temperatur T₂(x, t) in dem zweiten Durchlauf. Die α₂-Operationseinheit 78 ist ein Beispiel der Dosismodulationskoeffizient-Operationseinheit einer Vielzahl von Durchläufen.
Als der α_ave-Abbildung-Erschaffungsprozess (S140) betreibt die α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80 einen Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten α_ave(x, t) als einen Mittelwert des Dosismodulationskoeffizienten α(x, t) jedes überlappenden Durchlaufs für jedes von einer Vielzahl von Sub-TF (dritte Maschenregionen), erhalten durch ein virtuelles Aufteilen des/der TF 40 in eine Maschengröße Δ₃ (dritte Maschengröße), die erhalten worden ist durch Teilen der TF-Größe Δ₁ durch das Produkt einer natürlichen Zahl n und der Anzahl von Durchläufen N. Die α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80 ist ein Beispiel einer Durchschnittsoperationseinheit. Dann erschafft die α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80 eine Durchschnittsdosismodulationskoeffizient-Abbildung mit Verwendung des Maschenwertes jedes Sub-TF.
6 ist ein konzeptuelles Diagramm, das den Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten in Ausführungsform 1 veranschaulicht. In 6 wird der eindeutige Dosismodulationskoeffizient α₁(x, t) betrieben für jedes der TF 40a in dem ersten Durchlauf, angegeben durch eine durchgezogene Linie. Ähnlich wird der eindeutige Dosismodulationskoeffizient α₂(x, t) betrieben für jedes der TF 40b in dem zweiten Durchlauf, angegeben durch eine gestrichelte Linie. Wie in 6 gezeigt, ist das TF 40 aufgeteilt in eine Anzahl von Sub-TF 44 in der Maschengröße Δ₃ (dritte Maschengröße), die erhalten worden ist durch Teilen der TF-Größe Δ₁ durch das Produkt einer natürlichen Zahl n und der Anzahl von Durchläufen N. In solch einer Operation ist die natürliche Zahl m eine natürliche Zahl genauso groß wie die natürliche Zahl n. Hier ist ein Fall von n = 1 gezeigt, aber n kann eine natürliche Zahl gleich 2 oder größer sein. Die Position des TF 40a in dem ersten Durchlauf wird von der des TF 40b in dem zweiten Durchlauf um die Hälfte der Maschengröße in den x- und y-Richtungen verschoben, und somit haben das TF 40a in dem ersten Durchlauf und das TF 40b in dem zweiten Durchlauf, die zueinander entsprechen, 1/4 der Maschenregion miteinander überlappend. 3/4 der Region, die von dem TF 40a in dem ersten Durchlauf übrig bleibt, überlappt mit dem anderen TF 40b in jedem jeweiligen 1/4 der Region. Ähnlich überlappt 3/4 der Region, die von dem TF 40b in dem zweiten Durchlauf übrig bleibt, mit dem anderen TF 40a in jedem jeweiligen 1/4 der Region. Somit existieren so viele unterschiedliche Dosismodulationskoeffizienten α(x, t) wie die Anzahl von Durchläufen N für jedes der Sub-TF 44. In dem Beispiel von 6 ist ein Fall gezeigt, wenn die Anzahl von Durchläufen N = 2 ist, und somit existieren α₁(x, t) und α₂(x, t) für jedes der Sub-TF 44. In Ausführungsform 1 wird der Mittelwert der Dosismodulationskoeffizienten α(x, t) für jedes der Sub-TF 44 berechnet. Demgemäß kann ein eindeutiger Durchschnittsdosismodulationskoeffizient α_ave(x, t) für jedes der Sub-TF 44 definiert werden.
Somit kann der Dosismodulationskoeffizient (Durchschnittsdosismodulationskoeffizient α_ave(x, t)) für jedes der Sub-TF 44 bestimmt werden. Falls die Dosis D(x)/N moduliert wird mit Verwendung des Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten α_ave(x, t) treten Restgrößen in den Proximity-Effektkorrekturen auf. Somit wird in Ausführungsform 1 eine iterative Operation wie unten beschrieben durchgeführt, um solche Restgrößen zu unterdrücken.
Als der θ'-Operationsprozess (S142) betreibt die θ'-Operationseinheit 82 ein Polynom (6) mit einem Term, der erhalten worden ist durch Multiplizieren des Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten α_ave(x, t) (ein Beispiel des Dosismodulationskoeffizienten) auf Grundlage der repräsentativen Temperatur jedes Durchlaufs mit der Musterflächendichte ρ(x) für jede der Nachbarschaftsmaschenregionen 50 (zweite Maschenregionen) als ein Element. Die θ'-Operationseinheit 82 ist ein Beispiel einer Polynom-Operationseinheit. θ' = D'(x) / 2 + ∫(ρ(x' )α_ave(x'))D'(x')G(x – x')dx' (6)
Die Schwelle θ' der Formel (6) ist dasselbe wie ein Operationsergebnis der linken Seite der Formel (3). Der Durchschnittsdosismodulationskoeffizient α_ave(x, t) wird als der Dosismodulationskoeffizient α(x) in der Formel (6) verwendet. In solch einer Operation ist die Maschengröße Δ₃ des Sub-IF 44 eine natürliche Zahl genauso groß wie Maschengröße Δ₂ der Nachbarschaftsmaschenregion 50. Somit erstreckt sich die Nachbarschaftsmaschenregion 50, deren Position mit der Position des Sub-IF 44 überlappt, nicht über die anderen benachbarten Sub-IF 44, und somit kann der Wert der Musterflächendichte ρ(x), betrieben für jede der Nachbarschaftsmaschen 50, direkt verwendet werden. Ähnlich kann sich die Nachbarschaftsmaschenregion 50, deren Position mit der Position des Sub-IF 44 überlappt, nicht über die anderen benachbarten Sub-IF 44 erstrecken, und somit kann der Wert des Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten α_ave(x, t), betrieben für jedes der Sub-IF 44, direkt verwendet werden. Deshalb kann die Operationszeit verkürzt werden. Die Operationsgeschwindigkeit kann mit anderen Worten schneller gemacht werden.
Als der Bestimmungsprozess (S144) bestimmt die Bestimmungseinheit 84, ob der Absolutwert |θ – θ'| einer Differenz zwischen dem Wert θ', der erhalten worden ist durch Betreiben des Polynoms (6), und der Dosisschwelle θ, gezeigt in der Formel (3), innerhalb einer Toleranz θth ist.
7 ist ein Diagramm, das ein Beispiel eines Strahlprofils in Ausführungsform 1 zeigt. In 7 stellt die vertikale Achse die Dosis dar und die horizontale Achse stellt die Position dar. In einem Strahlprofil A auf Grundlage der Dosis D(x), die in dem D'(x)-Operationsprozess (S116) und dem D(x)-Abbildung-Erschaffungsprozess (S118) erhalten worden ist, ist das Dosismodell so entworfen, dass die Strahlgröße und die Musterlinienbreite in der Position der Schwelle θ entschieden bzw. bestimmt sind. Im Gegensatz dazu wird das Strahlprofil A in ein Strahlprofil B moduliert durch Modulieren der Dosis mit Verwendung des Dosismodulationskoeffizienten α(x). Falls die Dosis des Strahlprofils B für ein Musterschreiben verwendet wird, werden die Strahlgröße und die Musterlinienbreite in der Position der Schwelle θ' entschieden bzw. bestimmt. Somit tritt eine Abweichung von der Entwurfsmusterlinienbreite auf. Es treten mit anderen Worten Restgrößen in den Proximity-Effektkorrekturen auf.
Somit wird in Ausführungsform 1 jeder Prozess von dem D'(x)-Operationsprozess (S116) bis zu dem Bestimmungsprozess (S144) wiederholt in dem Bestimmungsprozess (S144), bis der Absolutwert |θ – θ'| der Differenz innerhalb der Toleranz θth ist. In dem D'(x)-Operationsprozess (S116) wird der unmittelbar zuvor erhaltene Durchschnittsdosismodulationskoeffizient α_ave(x, t) als der Dosismodulationskoeffizient α(x) zur Operation verwendet.
Das heißt, dass die D'(x)-Operationseinheit 70 wiederholt die Operation der Dosis D'(x) eines Elektronenstrahls durchführt, korrigiert für den Proximity-Effekt, bis der Absolutwert |θ – θ'| der Differenz innerhalb der Toleranz θth ist, und die D(x)-Abbildung-Erschaffungseinheit 68 jedes Mal eine D(x)-Abbildung erschafft. Dann führt die T-Operationseinheit 73 wiederholt die Operation der repräsentativen Temperatur T(x, t) für jedes TF und jeden Durchlauf durch, bis der Absolutwert |θ – θ'| der Differenz innerhalb der Toleranz θth ist, mit Verwendung einer neuen Dosis D(x)/N für den anwendbaren Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens neuer erneut-betriebener Dosen. Dann führt die α-Operationseinheit 77 wiederholt die Operation des Dosismodulationskoeffizienten α(T(x, t)) für jedes TF und jeden Durchlauf durch, bis der Absolutwert |θ – θ'| der Differenz innerhalb der Toleranz θth ist, mit Verwendung einer neuen erneut-betriebenen repräsentativen Temperatur T(x, t). Die α_ave-Abbildung-Erschaffungseinheit 80 betreibt einen Durchschnittswert des Dosismodulationskoeffizienten α(T(x, t)) für jedes neue erneut-betriebene TF und jeden Durchlauf. Dann wiederholt die θ'-Operationseinheit 82 die Operation des Polynoms (6), bis der Absolutwert |θ – θ'| der Differenz innerhalb der Toleranz θth ist, mit Verwendung des neuen Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten α_ave(x, t), auf Grundlage einer neuen erneut-betriebenen repräsentativen Temperatur und eines Wertes, der erhalten worden ist durch Teilen einer neuer erneut-betriebenen Dosis D(x) durch den neuen Durchschnittsdosismodulationskoeffizienten α_ave(x, t). Dann bestimmt die Bestimmungseinheit 84, ob der Absolutwert |θ – θ'| der Differenz zwischen dem Wert θ', der erhalten worden ist durch Betreiben des neuen Polynoms (6), und der neuen Dosisschwelle θ, die in der Formel (3) gezeigt ist, innerhalb der Toleranz θth ist.
Durch Ausführen von jedem der obigen Prozesse können Temperaturkorrekturen auch getätigt werden, während Korrekturrestgrößen des Proximity-Effektes unterdrückt werden.
Gemäß Ausführungsform 1 können wie oben beschrieben Dimensionsvariationen von Mustern aufgrund einer Resist-Erwärmung effizient unterdrückt werden, während Korrekturrestgrößen des Proximity-Effektes unterdrückt werden, selbst falls ein Mehrfachmusterschreiben durchgeführt wird.
Als der Musterschreibprozess (S146) startet der Musterschreibcontroller 86 eine Musterschreibverarbeitung durch Steuern der Musterschreibeinheit 150 via den Ablenkungssteuerschaltkreis 120 oder dergleichen. Die Musterschreibeinheit 150 schreibt ein Muster auf dem Zielobjekt 101 mit Verwendung des Elektronenstrahls 200 der Dosis D(x), die den Absolutwert |θ – θ'| einer Differenz zwischen einem Wert, der erhalten worden ist durch Betreiben eines Polynoms, und der Dosisschwelle innerhalb die Toleranz θth macht. Genauer genommen wird die Operation wie unten beschrieben sein. Der Ablenkungssteuerschaltkreis 120 akquiriert die Strahlausstrahlungszeit von einer D(x)/N-Abbildung, die in der Speichervorrichtung 144 gespeichert ist und den Absolutwert |θ – θ'| der Differenz innerhalb die Toleranz θth macht. Dann gibt der Ablenkungssteuerschaltkreis 120 ein digitales Signal, das die Strahlausstrahlungszeit jedes Schusses steuert, an die DAC-Verstärkereinheit 130 aus. Dann wandelt die DAC-Verstärkereinheit 130 das digitale Signal in ein analoges Signal um und verstärkt das Signal vor einem Anlegen des Signals an den Ausblenddeflektor 212 als eine Ablenkungsspannung.
Der von der Elektronenkanonenzusammensetzung 201 (Emissionseinheit) emittierte Elektronenstrahl 200 wird gesteuert durch den Ausblenddeflektor 212 während der Passage durch den Ausblenddeflektor 212, um durch die Ausblendaperturplatte 214 in einem Strahl-AN-Zustand zu passieren, und wird abgelenkt, so dass der gesamte Strahl durch die Ausblendaperturplatte 214 in einem Strahl-AUS-Zustand abgeschirmt wird. Der Elektronenstrahl 200, der durch die Ausblendaperturplatte 214 passiert ist, während der Strahl-AUS-Zustand sich zu dem Strahl-AN-Zustand und dann zu dem Strahl-AUS-Zustand ändert, wird ein Schuss des Elektronenstrahls. Der Ausblenddeflektor 212 steuert die Orientierung bzw. Ausrichtung des passierenden Elektronenstrahls 200, um alternierend einen Strahl-AN-Zustand und einen Strahl-AUS-Zustand zu erzeugen. Beispielsweise wird keine Spannung in einem Strahl-AN-Zustand angelegt, und eine Spannung kann an den Ausblenddeflektor 212 angelegt werden, um zu einem Strahl-AUS-Zustand zu wechseln. Die Dosis pro Schuss des Elektronenstrahls 200, mit der das Zielobjekt 101 bestrahlt wird, wird durch die Strahlausstrahlungszeit jedes Schusses eingestellt.
Der Elektronenstrahl 200 jedes Schusses, erzeugt durch Passieren durch den Ausblenddeflektor 212 und die Ausblendaperturplatte 214, wie oben beschrieben, illuminiert die gesamte erste geformte Aperturplatte 203 mit einem rechteckigen Loch mit der Illuminationslinse 202. Hier wird der Elektronenstrahl 200 zuerst in einer rechteckigen, beispielsweise länglichen Form geformt. Dann wird der Elektronenstrahl 200 in einem ersten Aperturbild nach einem Passieren durch die erste geformte Aperturplatte 203 auf die zweite geformte Aperturplatte 206 durch die Projektionslinse 204 projiziert. Das erste Aperturbild auf der zweiten geformten Aperturplatte 206 wird gesteuert, um durch den Deflektor 205 abgelenkt zu werden, so dass die Strahlform und Dimensionen davon geändert werden können (variabel geformt). Solch ein variables Formen wird für jeden Schuss durchgeführt, und normalerweise werden eine unterschiedliche Strahlform und unterschiedliche Dimensionen durch jeden Schuss geformt. Dann wird der Elektronenstrahl 200 in einem zweiten Aperturbild nach einem Passieren durch die zweite geformte Aperturplatte 206 durch die Objektivlinse 207 fokussiert und durch den Hauptdeflektor 208, den Subdeflektor 209 und den Subsubdeflektor 216 abgelenkt, bevor er in einer erwünschten Position des Zielobjektes 101 gestrahlt wird, das auf dem sich kontinuierlich bewegenden XY-Gestell 105 angeordnet ist. Auf diese Weise wird eine Vielzahl von Schüssen des Elektronenstrahls 200 sukzessiv auf das Zielobjekt 101, das ein Substrat sein soll, durch jeden Deflektor abgelenkt.
Gemäß Ausführungsform 1 können wie oben beschrieben Korrekturrestgrößen des Proximity-Effektes unterdrückt werden, während Operationen effizient durchgeführt werden, so dass die Korrekturberechnungsgeschwindigkeit nicht hinter der Musterschreibgeschwindigkeit hinterherhinkt, und es können außerdem Dimensionsvariationen von Mustern aufgrund einer Resist-Erwärmung unterdrückt werden. Deshalb kann ein Muster in Hochgenauigkeitsdimensionen geschrieben werden.
In dem Vorhergehenden ist eine Ausführungsform mit Verweis auf konkrete Beispiele beschrieben worden. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht auf solche konkreten Beispiele beschränkt. In dem obigen Beispiel wird die erste α_ave-Abbildung erschaffen in der Schreibvorrichtung 100, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht auf solch ein Beispiel beschränkt. Die erste α_ave-Abbildung kann in einer externen Vorrichtung mittels Durchführen von Operationen von dem TF-Maschenaufteilungsprozess (S102) bis zu dem α_ave-Abbildung-Erschaffungsprozess (S140) erschaffen werden. Dann kann die extern erschaffene erste α_ave-Abbildung in beispielsweise die Speichervorrichtung 140 eingegeben und gespeichert werden durch die Schreibvorrichtung 100. In solch einem Fall können der T-Operationsprozess (S120), der α-Operationsprozess (S130) und der α_ave-Abbildung-Erschaffungsprozess (S140) in dem ersten Operationsfluss der iterativen Operation weggelassen werden. Gemäß der obigen Ausgestaltung kann die Operationszeit dementsprechend verkürzt werden.
Obwohl die Beschreibung dieser Abschnitte, die nicht direkt für die Beschreibung der vorliegenden Offenbarung benötigt werden, so wie die Vorrichtungsausgestaltung und Steuertechniken, weggelassen wird, können die benötigte Vorrichtungsausgestaltung oder Steuerungstechniken zweckgemäß ausgewählt und verwendet werden. Während die Beschreibung der Ausgestaltung eines Controllers, der die Schreibvorrichtung 100 steuert, weggelassen wird, braucht es beispielsweise nicht erwähnt zu werden, dass die benötigte Ausgestaltung des Controllers zweckgemäß ausgewählt und verwendet wird.
Außerdem sind sämtliche Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtungen und Verfahren und sämtliche Verfahren zum Akquirieren eines Dosismodulationskoeffizienten eines Ladungsteilchenstrahls mit Elementen der vorliegenden Offenbarung und deren Entwurf zweckgemäß durch den Fachmann geändert werden kann, in dem Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung enthalten.
Zusätzliche Vorteile und Modifizierungen werden dem Fachmann leichtfertig ersichtlich sein. Deshalb ist die Erfindung in ihren breiteren Aspekten nicht auf die spezifischen Details und repräsentativen Ausführungsformen beschränkt, die hier gezeigt und beschrieben worden sind. Demgemäß können vielfältige Modifizierungen getätigt werden, ohne von der Idee bzw. dem Umfang des allgemeinen erfinderischen Konzeptes abzuweichen, wie es durch die beigefügten Ansprüche und ihre Äquivalente definiert ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2013-067117 [0001]
JP 2012-069675 A [0007]

Claims

Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100) zum Schreiben eines Musters auf einem Zielobjekt durch Verwenden eines Ladungsteilchenstrahls, umfassend: eine erste Maschenaufteilungseinheit (60), die ausgestaltet ist zum virtuellen Aufteilen einer Musterschreibregion eines Zielobjektes in eine Vielzahl erster Maschenregionen in einer ersten Maschengröße; eine zweite Maschenaufteilungseinheit (62), die ausgestaltet ist zum virtuellen Aufteilen der Musterschreibregion des Zielobjekts in eine Vielzahl zweiter Maschenregionen in einer zweiten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und einer Anzahl von Durchläufen eines Mehrfachmusterschreibens, das durch Verschieben einer Position durchgeführt worden ist; eine erste Dosisoperationseinheit (70), die ausgestaltet ist zum Betreiben einer ersten Dosis eines Ladungsteilchenstrahls, korrigiert für einen Proximity-Effekt für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen, durch Verwenden eines Dosismodells mit Verwendung einer Dosisschwelle; eine Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit (73), die ausgestaltet ist zum Betreiben einer repräsentativen Temperatur der ersten Maschenregion, die ansteigt aufgrund eines Wärmetransfers, der von einer Bestrahlung des Ladungsteilchenstrahls abstammt, durch Verwendung einer Dosis für einen anwendbaren Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens der betriebenen ersten Dosis, für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jede der Vielzahl erster Maschenregionen; eine Polynomoperationseinheit (82), die ausgestaltet ist zum Betreiben eines Polynoms mit einem Term, der erhalten worden ist durch Multiplizieren eines Dosismodulationskoeffizienten auf Grundlage der repräsentativen Temperatur jedes Durchlaufs mit einer Musterflächendichte für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen als ein Element; und eine Musterschreibeinheit (150), die ausgestaltet ist zum Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt durch Verwenden eines Ladungsteilchenstrahls einer Dosis, die einen Unterschied macht zwischen einem Wert, der erhalten worden ist durch Betreiben des Polynoms und der Dosisschwelle innerhalb einer Toleranz.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1 mit ferner: einer Bestimmungseinheit (84), die ausgestaltet ist zum Bestimmen, ob die Differenz zwischen dem Wert, der erhalten worden ist durch Betreiben des Polynoms, und der Dosisschwelle innerhalb der Toleranz ist, wobei die erste Dosisoperationseinheit ferner eine Operation der Dosis des Ladungsteilchenstrahls, korrigiert für den Proximity-Effekt, wiederholt durchführt, bis die Differenz innerhalb der Toleranz ist, die Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit eine Operation der repräsentativen Temperatur für jede von der Vielzahl erster Maschenregionen wiederholt, bis die Differenz innerhalb der Toleranz ist, durch Verwenden einer neuen Dosis für den anwendbaren Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens einer neuen erneut-betriebenen ersten Dosis, und die Polynomoperationseinheit eine Operation des Polynoms wiederholt, bis die Differenz innerhalb der Toleranz ist, durch Verwenden eines neuen Dosismodulationskoeffizienten auf Grundlage einer neuen neu-betriebenen repräsentativen Temperatur und eines Wertes, der erhalten worden ist durch Teilen der neuen erneut-betriebenen ersten Dosis durch den neuen Dosismodulationskoeffizienten.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei ein Mittelwert von Dosismodulationskoeffizienten jedes Durchlaufs, miteinander überlappend in dem Mehrfachmusterschreiben, verwendet wird als der Dosismodulationskoeffizient.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1 mit ferner: einer Dosismodulationskoeffizient-Operationseinheit (77), die ausgestaltet ist zum Betreiben des Dosismodulationskoeffizienten durch Verwenden der repräsentativen Temperatur, für jede von der Vielzahl erster Maschenregionen und jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens; und einer Mittelwert-Operationseinheit (80), die ausgestaltet ist zum Betreiben eines Mittelwertes von Dosismodulationskoeffizienten jedes Durchlaufs, überlappend miteinander, für jede von einer Vielzahl dritter Maschenregionen, die erhalten worden sind durch virtuelles Teilen der ersten Maschenregion durch eine dritte Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und der Anzahl von Durchläufen.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1 mit ferner: einer Flächendichte-Operationseinheit (66), die ausgestaltet ist zum Betreiben einer Flächendichte von Figurmustern, die angeordnet sind in einer anwendbaren zweiten Maschenregion für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen.
Vorrichtung gemäß Anspruch 2 mit ferner: einer zweiten Dosisoperationseinheit (68), die ausgestaltet ist zum Betreiben einer zweiten Dosis, die erhalten worden ist durch Multiplizieren des Dosismodulationskoeffizienten mit der ersten Dosis für jede der zweiten Maschenregionen.
Vorrichtung gemäß Anspruch 6 mit ferner: einer dritten Dosisoperationseinheit (71), die ausgestaltet ist zum Betreiben einer dritten Dosis für ein einmaliges Musterschreiben, die erhalten worden ist durch Teilen der zweiten Dosis durch die Anzahl von Durchläufen des Mehrfachmusterschreibens für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen.
Vorrichtung gemäß Anspruch 7, wobei die Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit die dritte Dosis für das Betreiben verwendet, dessen Iterationszählwert zwei oder danach ist.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Repräsentative-Temperatur-Operationseinheit eine Vielzahl von Repräsentative-Temperatur-Operationsverarbeitungseinheiten in Übereinstimmung mit der Anzahl von Durchläufen des Mehrfachmusterschreibens enthält, die die jeweilige repräsentative Temperatur für einen entsprechenden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens betreibt.
Vorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die Dosismodulationskoeffizient-Operationseinheit eine Vielzahl von Dosismodulationskoeffizient-Operationsverarbeitungseinheiten in Übereinstimmung mit der Anzahl von Durchläufen des Mehrfachmusterschreibens enthält, die den jeweiligen Dosismodulationskoeffizienten für einen entsprechenden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens betreibt.
Verfahren zum Akquirieren eines Dosismodulationskoeffizienten eines Ladungsteilchenstrahls, umfassend: virtuelles Aufteilen einer Musterschreibregion eines Zielobjektes in eine Vielzahl erster Maschenregionen in einer ersten Maschengröße; virtuelles Aufteilen der Musterschreibregion des Zielobjektes in eine Vielzahl zweiter Maschenregionen in einer zweiten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und einer Anzahl von Durchläufen eines Mehrfachmusterschreibens, durchgeführt durch Verschieben einer Position; Betreiben einer ersten Dosis eines Ladungsteilchenstrahls, korrigiert für einen Proximity-Effekt für jede von der Vielzahl zweiter Maschenregionen, durch Verwenden eines Dosismodells mit Verwendung einer Dosisschwelle; Betreiben einer repräsentativen Temperatur der ersten Maschenregion, die ansteigt aufgrund eines Wärmetransfers, der von einer Bestrahlung des Ladungsteilchenstrahls abstammt, durch Verwendung einer Dosis eines anwendbaren Durchlaufs des Mehrfachmusterschreibens der ersten Dosis, die betrieben wird für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jede von der Vielzahl erster Maschenregionen; Betreiben eines Dosismodulationskoeffizienten, um durch eine Resist-Erwärmung verursachte Dimensionsvariationen zu korrigieren, durch Verwenden der repräsentativen Temperatur, für jeden Durchlauf des Mehrfachmusterschreibens und jede von der Vielzahl erster Maschenregionen; und Betreiben und Ausgeben eines Mittelwertes von Dosismodulationskoeffizienten für jede von einer Vielzahl dritter Maschenregionen, erhalten durch eine virtuelle Aufteilung in einer dritten Maschengröße, die erhalten worden ist durch Teilen der ersten Maschengröße durch ein Produkt einer natürlichen Zahl und der Anzahl von Durchläufen.