DE102015200792B4 - Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung und Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibverfahren - Google Patents

Abstract

Eine Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung (100) umfassend:eine Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit (122) konfiguriert zum Berechnen einer Ladungsmengenverteilung eines Zielobjekts basierend auf einem Ergebnis eines senkrechten Einfalls eines ausgewählten Strahls von mehreren Strahlen in einem Schreibbereich des Zielobjekts;eine Positionskorrektureinheit (183) konfiguriert zum Berechnen einer korrigierten Bestrahlungsposition eines jeden Strahls der mehreren Strahlen mittels der berechneten Ladungsmengenverteilung, um eine Positionsabweichung eines jeden Strahls von Formationspositionen auf Grund von Ladungen auf dem Zielobjekt, als ein Ergebnis des ausgewählten Strahls, zu kompensieren; undeine Schreibeinheit (150) konfiguriert zum Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt, umfassend Steuern einer Bestrahlung eines jeden Strahls basierend auf den korrigierten Formationspositionen.

Description

• Bezugnahme auf Verwandte Anmeldung
• Diese Anmeldung basiert auf und beansprucht die Priorität aus der vorgehenden in Japan am 22. Januar 2014 eingereichten japanischen Patentanmeldung JP 2014-09591 A wobei der gesamte Inhalt davon hiermit durch Bezugnahme mit einbezogen wird.
• Hintergrund der Erfindung
• Gebiet der Erfindung
• Die vorliegende Erfindung betrifft eine Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung und ein Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibverfahren. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Multistrahl-Schreibvorrichtung, welche zum Korrigieren einer durch die Ladungsmenge (Elektrifizierung) bewirkte Positionsabweichung geeignet ist, wenn beispielsweise ein Muster auf ein Zielobjekt mittels Multielektronenstrahlen geschrieben wird.
• Beschreibung des Standes der Technik
• Die Lithographie-Technik, welche Miniaturisierung von Halbleitervorrichtungen vorantreibt, ist als ein einzigartiger Prozess, bei welchem Muster bei einer Halbleiterherstellung gebildet werden, besonders wichtig. In den vergangenen Jahren verringert sich mit hoher Integration von LSI Jahr um Jahr die für einen Schaltkreis einer Halbleitervorrichtung benötigte Linienbreite (eine kritische Abmessung). Die Elektronenstrahl (Elektron Beam-EB)-Schreibtechnik, welche an sich eine hervorragende Auflösung aufweist, wird zum Schreiben oder „Zeichnen“ eines Musters auf einem Wafer und Ähnlichem mit Elektronenstrahlen verwendet.
• Als ein die Elektronenstrahl-Schreibtechnik verwendendes Beispiel kann eine mehrere Strahlen (Multistrahlen) verwendende Schreibvorrichtung angeführt werden. Verglichen mit dem Fall des Schreibens eines Musters mittels eines einzelnen Elektronenstrahls kann, da es möglich ist mehrere Strahlen zur gleichen Zeit bei einem mehrfachen Schreiben zu emittieren, der Durchsatz wesentlich erhöht werden. Beispielsweise werden in der ein Multistrahlsystem verwendenden Schreibvorrichtung mehrere Strahlen durch ein Hindurchtretenlassen eines von einer Elektronenkanonenvorrichtung emittierten Elektronenstrahls durch eine Maske mit einer Vielzahl von Öffnungen gebildet, eine Blockiersteuerung wird für jeden der Strahlen ausgeführt und jeder nicht-blockierte Strahl wird durch ein optisches System reduziert und durch einen Deflektor abgelenkt, so dass eine gewünschte Position auf einem Zielobjekt oder einer „Probe“ bestrahlt wird.
• Wenn ein Zielobjekt wie beispielsweise eine Maske, auf welche ein Abdeckfilm aufgetragen wurde, mit mehreren Strahlen bestrahlt wird, kann die bestrahlte Position und deren Umfeld von zuvor ausgestrahlten mehreren Strahlen aufgeladen sein. Die durch diese Aufladeerscheinung verursachte Positionsabweichung wurde konventionell nicht als ein Problem bei der Multistrahl-Schreibvorrichtung angesehen. Allerdings wurde mit der oben beschriebenen Musterminiaturisierung eine solche durch die Aufladeerscheinung hervorgerufene Positionsabweichung ein Problem. Insbesondere ist eine Verbesserung der Musterpositionsgenauigkeit von Fotomasken mehr als jemals zuvor notwendig, da eine Doppelmustertechnik eingeführt wurde.
• Konventionell war als ein Verfahren zum Korrigieren einer Positionsabweichung einer durch die Strahlen bestrahlten Position mit Bezug zu einem Einzelstrahl-Schreibsystem zum Ausbilden einer Ladungsableitungsschicht (Charge Dissipation Layer-CDL) auf einer Abdeckschicht zum Verhindern eines Aufladens der Abdeckungsoberfläche bekannt. Allerdings, da die Ladungsableitungsschicht im Wesentlichen saure Eigenschaften aufweist, weist diese eine schlechte Affinität für ein chemisch verstärktes Abdeckungsmittel auf. Weiter besteht eine Notwendigkeit zum Bereitstellen von neuen Geräten, um die Ladungsableitungsschicht auszubilden, wodurch die Herstellungskosten einer Fotomaske erhöht werden. Aus diesem Grund ist es gewünscht eine Aufladungseffektkorrektur (Charging Effect Correction-CEC) ohne eine Verwendung der Ladungsableitungsschicht auszuführen.
• Mit Bezug zu einem durch Aufladen hervorgerufenen Positionsabweichungskorrekturbetrag ist für ein Einzelstrahl-Schreibsystem eine Schreibvorrichtung vorgeschlagen, welche einen Korrekturbetrag einer Positionsabweichung einer Strahl-Bestrahlungsposition basierend auf einer elektrischen Feldstärke berechnet und einen Strahl basierend auf dem Korrekturbetrag anwendet (siehe zum Beispiel japanische Patent Offenlegungsschrift ( JP-A) Nr. 2007-324175 ). Entsprechend einer solchen Schreibvorrichtung wird die Positionsabweichungsbetragsverteilung von einer Bestrahlungsmengenverteilung durch eine lineare Antwortfunktion unter der Annahme, dass es ein lineares Proportionalitätsverhältnis zwischen der Bestrahlungsmengenverteilung und einer Ladungsmengenverteilung gibt, berechnet.
• Mit Bezug zu einem Multistrahl-Schreibsystem muss, da eine Bestrahlung gleichzeitig mit mehreren Strahlen zum gleichen Zeitpunkt ausgeführt wird, der Einfluss der umliegenden Strahlen berücksichtigt werden. Daher wird angenommen, dass eine weitere Vorrichtung unterschiedlich zu der eines Einzelstrahl-Systems notwendig ist. Allerdings wurde mit Bezug zu einem Multistrahl-Schreibsystem ein Verfahren zum genauen Korrigieren einer durch das Elektrifizierungsphänomen hervorgerufenen Positionsabweichung der Bestrahlungsposition noch nicht standardmäßig etabliert.
• US 6 835 937 B1 beschreibt ein Belichtungssystem mit geladenen Teilchenstrahlen, das ein Muster auf ein Objekt zeichnet, das von mehreren geladenen Teilchenstrahlen belichtet werden soll, die von einer Vielzahl von elektronenoptischen Elementsystemen emittiert werden. Das System umfasst (a) eine Speichervorrichtung, die (i) Standarddosisdaten zum Steuern der Bestrahlung geladener Teilchenstrahlen mit einem zu belichtenden Objekt, (ii) mehrere Stücke von Näherungseffektkorrekturdaten zur Korrektur der Bestrahlung der geladenen Teilchenstrahlen für jede Einfallsposition in Bezug auf das zu belichtende Objekt, um den Einfluss zu verringern eines Näherungseffekts und (iii) Kalibrierungsdaten zum Korrigieren von Variationen in der Bestrahlungsdosis unter der Vielzahl der geladenen Teilchenstrahlen, die von der Vielzahl von optischen Elementelektronensystemen emittiert werden, und (b) eine Steuerung zum Steuern der Bestrahlung von jedem der geladene Teilchenstrahlen, basierend auf den Standarddosisdaten, den Näherungseffektkorrekturdaten und den Kalibrierungsdaten.
• US 5 973 332 A beschreibt eine Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung mit einer Quelle zum Emittieren eines Elektronenstrahls und einem optischen Reduktionselektronen-System zum Reduzieren und Projizieren eines Bildes der Quelle auf eine Zielbelichtungsfläche, diese umfasst ein optisches Korrekturelektronen-System, das zwischen der Quelle und dem angeordnet ist optisches Reduktionselektronen-System, um mehrere Zwischenbilder der Quelle entlang einer Richtung senkrecht zur optischen Achse des optischen Reduktionselektronen-Systems zu bilden, und korrigiert im Voraus Aberrationen, die erzeugt werden, wenn die Zwischenbilder reduziert und auf die Zielbelichtungsfläche durch das optisches Reduktionselektronensystem projiziert werden.
• S. Babin et al. „Placement error due to charging in ESL: experimental verification of a new correction model“ beschreibt Platzierungsfehler durch Aufladen in ESL und eine experimentelle Überprüfung eines neuen Korrekturmodells. US 2009/0 242 787 A1 beschreibt eine Musterdichteverteilung und eine Dosisverteilung, die unter Verwendung der Musterdichteverteilung berechnet wurden, wobei diese miteinander multipliziert werden, um eine Expositionsverteilung zu berechnen. Eine Nebelelektronenmengenverteilung wird unter Verwendung der Belichtungsverteilung und einer Funktion berechnet, die eine Nebelspreizverteilung beschreibt. Ladungsmengenverteilungen in Bestrahlungs- und Nichtbestrahlungsbereichen werden unter Verwendung der Belichtungsverteilung und der Nebelelektronenmengenverteilung berechnet. Eine Positionsverschiebungsbetragsverteilung wird unter Verwendung der Ladungsmengenverteilungen und einer Antwortfunktion zum Umwandeln eines Ladungsbetrags in einen Positionsverschiebungsfehler berechnet.
• US 2011/0 031 387 A1 beschreibt eine Schreibvorrichtung für geladene Teilchenstrahlen, wobei diese eine Ladungsmengenverteilungsberechnungseinheit umfasst, die konfiguriert ist, um eine Ladungsmengenverteilung und eine Konstante zu berechnen, die beide von einer Musterflächendichte abhängen. Die Schreibvorrichtung umfasst weiter eine Berechnungseinheit für die Positionsverschiebungsbetragsverteilung, die konfiguriert ist, um einen Positionsverschiebungsbetrag jeder Schreibposition aufgrund von Ladungsbeträgen der Ladungsmengenverteilung zu berechnen, indem eine Faltung jedes Ladungsbetrags der Ladungsmengenverteilung mit einer Antwortfunktion durchgeführt wird. Die Schreibvorrichtung umfasst weiter eine Schreibeinheit, die konfiguriert ist, um ein Muster auf jede Schreibposition zu schreiben, an der der Positionsverschiebungsbetrag unter Verwendung eines geladenen Teilchenstrahls korrigiert wurde.
• US 2012/0 07 002 A1 beschreibt eine Vorrichtung zur Bildung eines geladenen Teilchenstrahlmusters, wobei diese eine Berechnungseinheit für die Ladungsmengenverteilung umfasst, die konfiguriert ist, um eine Ladungsmengenverteilung zu berechnen, die durch vertikalen Einfall eines geladenen Teilchenstrahls auf einen Musterbildungsbereich eines Zielobjekts geladen wird. Die Vorrichtung umfasst weiter eine Positionskorrektureinheit, die konfiguriert ist, um unter Verwendung der geladenen Ladungsmengenverteilung eine korrigierte Position jeder Musterbildungsposition zu berechnen, die um einen Fehlregistrierungsbetrag korrigiert ist, einschließlich eines Fehlregistrierungsbetrags, der von einer Ablenkposition abhängt, in der der geladene Teilchenstrahl abgelenkt wird, wobei der Fehlregistrierungsbetrag durch eine Ladungsmenge verursacht wird. Die Vorrichtung umfasst weiter einen Mustergenerator, der konfiguriert ist, um ein Muster in der korrigierten Position unter Verwendung des geladenen Teilchenstrahls zu bilden.
• Kurzbeschreibung der Erfindung
• Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst, wobei vorteilhafte Ausgestaltungen in den abhängigen Ansprüchen beschrieben sind. Entsprechend einem Aspekt eines Beispiels umfasst eine Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung eine Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit konfiguriert zum Berechnen einer Ladungsmengenverteilung, deren Ladungsmenge durch einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen in einem Schreibbereich eines Zielobjekts geladen ist; eine Positionskorrektureinheit konfiguriert zum Berechnen einer korrigierten Position einer Bestrahlungsposition eines jeden Strahls mittels der Ladungsmengenverteilung, wobei ein von der Bestrahlungsposition eines jeden Strahls der mehreren Strahlen abhängiger Positionsabweichungsbetrag, welcher einen auf einer Ladungsmenge beruhenden Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition umfasst, korrigiert wurde; und eine Schreibeinheit konfiguriert zum Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt durch Steuern einer Bestrahlungsmenge eines jeden Strahls derart, dass eine Formationsposition eines Strahlungsmusters eines jeden Strahls der mehreren Strahlen eine entsprechend korrigierte Position ist.
• Entsprechend einem weiteren Aspekt eines Beispiels umfasst ein Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibverfahren ein Berechnen einer Ladungsmengenverteilung, deren Ladungsmenge durch einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen in einem Schreibbereich eines Zielobjekts geladen ist; ein Berechnen einer korrigierten Position einer Bestrahlungsposition eines jeden Strahls mittels der Ladungsmengenverteilung, wobei ein von der Bestrahlungsposition eines jeden Strahls der mehreren Strahlen abhängiger Positionsabweichungsbetrag, welcher einen auf einer Ladungsmenge beruhenden Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition umfasst, korrigiert wurde; und ein Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt durch Steuern eines Bestrahlungsbetrag eines jeden Strahls derart, dass eine Formationsposition eines Strahlungsmusters eines jeden Strahls der mehreren Strahlen eine entsprechend korrigierte Position ist.
• Figurenliste
• 1 ist ein schematisches Diagramm, welches eine Konfiguration einer Schreibvorrichtung entsprechend einer ersten Ausführungsform zeigt;
• 2 stellt eine Positionsabweichung hervorgerufen durch die Ladungsmenge entsprechend der ersten Ausführungsform dar;
• 3 zeigt ein Beispiel der Positionsabweichung von Multistrahl-Bestrahlungsbereichen entsprechend der ersten Ausführungsform;
• 4 ist ein Graph, welcher durch Überlagerung einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs, einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der Vorderkantenposition des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs und einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der Hinterkantenposition des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
• 5 ist ein Beispiel eines Graphen, welcher einen Unterschied zwischen einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs und einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (die Vorderkantenposition und die Hinterkantenposition) des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
• 6 ist ein Beispiel eines Graphen, welcher einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs und einen Unterschied, welcher durch Subtrahieren eines Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (der Vorderkantenposition und der Hinterkantenposition) in einem Multistrahl-Bestrahlungsbereich von einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs erhalten wird, entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
• 7 ist ein Flussdiagramm, welches Hauptschritte eines Schreibverfahrens entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt;
• 8 zeigt ein Beispiel einer Strahlblock-Teilungsposition von mehreren Strahlen entsprechend der ersten Ausführungsform;
• 9 zeigt ein Beispiel einer Unterschiedstabelle entsprechend der ersten Ausführungsform;
• 10 zeigt ein Beispiel eines Rahmenbereichs und eines Positionsabweichung-Berechnungsbereichs entsprechend der ersten Ausführungsform;
• 11 stellt den Zustand dar, bei welchem ein Rahmenbereich durch eine Verfolgungsblockbreite entsprechend der ersten Ausführungsform geteilt ist;
• 12 zeigt einen Verfolgungsblock und einen Multistrahl-Bestrahlungsbereich entsprechend der ersten Ausführungsform;
• 13 zeigt ein Beispiel einer Multistrahblock-Teilungsnummer entsprechend einer Verfolgungsblocknummer und einer Verfolgungsmalnummer entsprechend der ersten Ausführungsform; und
• 14 stellt ein Verfahren zum Korrigieren einer Pixelposition entsprechend der ersten Ausführungsform dar.
• Detaillierte Beschreibung der Erfindung
• In den folgenden Ausführungsformen wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Korrigieren einer durch eine Ladungsmenge hervorgerufene Positionsabweichung einer Bestrahlungsposition bei einem Multistrahl-Schreiben beschrieben werden.
• Darüber hinaus wird in den folgenden Ausführungsformen eine Konfiguration beschrieben werden, bei welcher ein Elektronenstrahl als ein Beispiel eines geladenen Teilchenstrahls verwendet wird. Der geladene Teilchenstrahl ist nicht auf den Elektronenstrahl beschränkt und andere geladene Teilchenstrahlen wie beispielsweise ein Ionenstrahl können ebenso verwendet werden.
• Erste Ausführungsform
• 1 ist ein schematisches Diagramm, welches eine Konfiguration einer Schreib- oder „Zeichen-“ Vorrichtung entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt. In 1 umfasst die Schreibvorrichtung 100 eine Schreibeinheit 150 und eine Steuereinheit 160. Die Schreibvorrichtung 100 ist ein Beispiel einer Geladenen-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung. Die Schreibeinheit 150 umfasst eine elektronenoptische Säule 102 und eine Schreibkammer 103. In der elektronenoptischen Säule 102 sind eine Elektronenkanonenanordnung 201, eine Beleuchtungslinse 202, ein Blendenelement 203 (oder eine „Formungsblendenmembran 203“), ein Blockierplättchen 204, eine Verkleinerungslinse 205, ein Begrenzungsblendenelement 206 (oder „eine Begrenzungsblendenmembran 206“), eine Objektivlinse 207 und ein Deflektor 208 angeordnet. In der Schreibkammer 103 ist ein XY-Tisch 105 angeordnet. Auf dem XY-Tisch 105 ist ein Zielobjekt oder eine „Probe“ in 101 wie beispielsweise eine Maske, welche als ein Schreibzielsubstrat dient, wenn ein Schreiben ausgeführt wird. Das Zielobjekt 101 ist beispielsweise eine Belichtungsmaske, welche zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen verwendet wird, oder es ist ein Halbleitersubstrat (Silizium-Wafer), auf welchem ein Halbleiterelement ausgebildet wird. Das Zielobjekt 101 kann beispielsweise eine blanke Maske sein, auf welche ein Abdeckmittel aufgetragen ist und ein Muster noch nicht ausgebildet worden ist. Auf dem XY-Tisch 105 ist weiterhin ein Spiegel 209 zum Messen der Position des XY-Tischs angeordnet.
• Die Steuereinheit 160 umfassen eine Steuercomputer 110, einen Speicher 111, eine Tischposition-Erkennungseinheit 136, eine Tisch Betriebseinheit 138, einen der Ablenkungssteuerschaltkreis 170 und Speichervorrichtungen 140, 142, 144 und 146 wie beispielsweise ein magnetisches Plattenlaufwerk. Der Steuercomputer 110, der Speicher 111, die Tischposition-Erkennungseinheit 136, die Tisch Betriebseinheit 138, der Ablenkungssteuerschaltkreis 170 und die Speichervorrichtungen 140, 142, 144 und 146 sind miteinander über einen Bus (nicht gezeigt) verbunden. Ablenkungssteuerschaltkreis 170 ist mit dem Deflektor 208 verbunden.
• In dem Steuercomputer 110 sind Funktionen wie beispielsweise eine Schreibdaten-Verarbeitungseinheit 112, eine Musterbereichsdichteverteilung-Berechnungseinheit 114, eine Dosisverteilung-Berechnungseinheit 116, eine Fogging-Elecktronenverteilungs-Berechnungseinheit 118, eine Unterschiedstabellen-Übermittlungseinheit 120, eine Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit 122, eine Ladungsmengenverteilung-Ausschneideeinheit 124 und eine Offline-Ladekorrektur-Anwendungseinheit 126 vorgesehen. Diese Funktionen können durch Hardware wie beispielsweise einen elektrischen Schaltkreis oder Verarbeitungsinhalte dieser Funktionen können durch ein Programm (Software), welches einen Computer zum Ausführen dieser Funktionen veranlasst, konfiguriert sein. Alternativ können diese durch eine Kombination von Hardware und Software oder durch eine Kombination von Hardware und Firmware konfiguriert sein. Daten, welche in den Steuercomputer 110 eingegeben werden, oder Daten, welche arithmetisch verarbeitet werden oder verarbeitet worden sind, werden jedes Mal auf dem Speicher 111 gespeichert.
• In dem Ablenkungssteuerschaltkreis 170 sind Funktionen wie beispielsweise eine Pixelposition-Erfassungseinheit 172, eine Tischposition-Erfassungseinheit 174, eine Blockteilungsposition-Berechnungseinheit 176, eine Unterschiedstabelle-Auswahleinheit 178, eine Bereichsbestimmungseinheit 180, eine Korrigierte-Position-Berechnungseinheit 182, eine Positionskorrektureinheit 183 und eine Bestrahlungsmenge-Berechnungseinheit 184 vorgesehen. Diese Funktionen können durch Hardware wie beispielsweise einem elektrischen Schaltkreis oder Verarbeitungsinhalte dieser Funktionen können durch ein Programm (Software), welches einen Computer zum Ausführen dieser Funktionen veranlasst, konfiguriert sein. Alternativ können diese durch eine Kombination von Hardware und Software oder durch eine Kombination von Hardware und Firmware konfiguriert sein. Daten, welche in den Ablenkungssteuerschaltkreis 170 eingegeben werden, oder Daten, welche arithmetisch verarbeitet werden oder verarbeitet worden sind, werden jedes Mal in dem Speicher (nicht gezeigt) gespeichert.
• Darüber hinaus sind in einem externen Computer 500 der Schreibvorrichtung 100 Funktionen wie beispielsweise eine Unterschiedstabellen-Erzeugungseinheit 502 und eine Offline-Ladungskorrektur-Berechnungseinheit 504 vorgesehen. Diese Funktionen können durch Hardware wie beispielsweise einem elektrischen Schaltkreis oder Verarbeitungsinhalte dieser Funktionen können durch ein Programm (Software), welches einen Computer zum Ausführen dieser Funktionen veranlasst, konfiguriert sein. Alternativ können diese durch eine Kombination von Hardware und Software oder durch eine Kombination von Hardware und Firmware konfiguriert sein.
• 1 zeigt nur eine Konfiguration, welche zum Beschreiben der ersten Ausführungsform notwendig ist. Dies sollte so verstanden werden, dass andere im Allgemeinen notwendige Konfigurationselemente für die Schreibvorrichtung 100 ebenfalls darin umfasst sind.
• in 1 sind in dem Öffnungselement 203 in vorbestimmten Anordnungsabstand auf der horizontalen Oberfläche, wie eine Matrix, Öffnungen (Ausnehmungen) einer Vielzahl von langen Reihen (Y-Richtung) und einer Vielzahl von breiten Spalten (X-Richtung) ausgebildet. Beispielsweise sind Öffnungen von 512 (Reihen) x 512 (Spalten) ausgebildet. Jedes der Öffnungen ist ein Viereck mit den gleichen Abmessungen und Form. Alternativ können die Öffnungen ein Kreis mit demselben Umfang sein. Mehrere Strahlen 20 werden durch ein entsprechendes Hindurchtretenlassen eines Elektronenstrahls 200 durch eine entsprechende Öffnung dieser Vielzahl von Öffnungen ausgebildet. Der Fall, bei dem die Öffnungen von zwei oder mehr Reihen und Spalten in beiden, der X-und der Y-Richtungen, angeordnet sind, ist hier gezeigt, allerdings ist die Anordnung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise ist ebenso annehmbar, dass eine Vielzahl von Öffnungen in nur einer Reihe (X-Richtung) oder nur in einer Spalte (Y-Richtung) angeordnet sind. Das heißt, für den Fall von nur einer Reihe, ist eine Vielzahl von Öffnungen als eine Vielzahl von Spalten angeordnet, und für den Fall von nur einer Spalte, ist eine Vielzahl von Öffnungen als eine Vielzahl von Reihen angeordnet. Das Verfahren zum Anordnen der Öffnungen ist nicht auf den Fall beschränkt, bei welchem Öffnungen wie in einem Netz in den Längen- und Breitenrichtungen angeordnet sind. Beispielsweise mit Bezug zu der ersten und zweiten Reihe, welche in der Längenrichtung (Y Richtung) angeordnet sind, kann jede Öffnung in der ersten Reihe und jede Öffnung in der zweiten Reihe gemeinsam in der Breitenrichtung (X-Richtung) um eine Abmessung „a“ versetzt werden. Ähnlich kann mit Bezug zu der zweiten und dritten Reihe, welche in der Längenrichtung (Y-Richtung) angeordnet sind, jede Öffnung in der zweiten Reihe und jede Öffnung in der dritten Reihe gemeinsam in der Breitenrichtung (X-Richtung) um eine Abmessung „b“ versetzt werden.
• Der von der Elektronenkanonenanordnung 201 (Emissionseinheit) emittierte Elektronenstrahl 200 bestrahlt das gesamte Blendenelement 203 durch die Beleuchtungslinse 202 fast senkrecht (beispielsweise vertikal). Der die gesamte Vielzahl von in dem Blendenelement 203 gebildeten Öffnungen umfassende Bereich wird durch den Elektronenstrahl 200 bestrahlt. Beispielsweise wird eine Vielzahl von rechteckigen Elektronenstrahlen (mehrere Strahlen) 20a bis 20e dadurch gebildet, dass Teile des die Positionen einer Vielzahl von Öffnungen entsprechend bestrahlenden Elektronenstrahls 200 durch eine entsprechende Öffnung der Vielzahl von Öffnungen in dem Blendenelement 203 Hindurchtreten gelassen wird. Die mehreren Strahlen 20a bis 20e treten entsprechend durch eine entsprechende Blockiereinheit (erster Deflektor: individuelles Blockiersystem) des Blockierplättchens 204 hindurch. Jede Blockiereinheit lenkt (führt eine Blockierablenkung aus) den hindurchtretenden Elektronenstrahl 20 individuell ab.
• Die durch das Blockierplättchen 204 hindurchgetretenen mehreren Strahlen 20a, 20b,..., 20e werden durch die Verkleinerungslinse 205 verkleinert und gehen zu der Öffnung im Zentrum des Begrenzungsblendenelements 206. In dieser Phase weicht der Elektronenstrahl 20, welcher durch die Blockiereinheit des Blockierplättchens 204 abgelenkt wurde, von der Öffnung des Zentrums Begrenzungsblendenelements 206 (Blockierblendenelement) ab und wird durch das Begrenzungsblendenelement 206 blockiert. Andererseits tritt der Elektronenstrahl 20, welcher nicht durch die Blockiereinheit des Blockierplättchens 204 abgelenkt wurde, durch die Öffnung im Zentrum des Begrenzungsblendenelements 206, wie in 1 gezeigt, hindurch. Eine Blockiersteuerung wird durch Einschalten/Ausschalten des individuellen Blockiersystems ausgeführt, so dass ein Einschalten/Ausschalten des Strahls gesteuert wird. Daher blockiert das Begrenzungsblendenelement 206 jeden Strahl, welcher abgelenkt wurde, um so ein Aus-Zustand des Strahls durch das individuelle Blockiersystem zu sein. Dann wird ein abgegebener Strahl durch Strahlen gebildet, welche während von einem Ein-Zustand eines Strahls zu einem Aus-Zustand eines Strahls erhalten wurden, und welche durch das Begrenzungsblendenelement 206 hindurchgetreten sind. Die mehreren Strahlen 20, welche durch das Begrenzungsblendenelement 206 hindurchgetreten sind, werden durch die Objektivlinse 207 fokussiert, um ein Musterbild eines gewünschten Verkleinerungsverhältnisses zu ergeben, und entsprechende Strahlen (die gesamten mehreren Strahlen 20), welche durch das Begrenzungsblendenelement 206 hindurchgetreten sind, werden kollektiv in dieselbe Richtung durch den Deflektor 208 abgelenkt, um entsprechende Strahl-Bestrahlungsposition auf dem Zielobjekt 101 zu bestrahlen. Während der X Y-Tisch 105 kontinuierlich bewegt wird, wird ein Steuern durch den Deflektor 208 ausgeführt, sodass beispielsweise Bestrahlungspositionen von Strahlen der Bewegung des XY-Tischs 105 folgen können. Die Position des XY-Tischs 105 wird mittels einem reflektierten Licht gemessen, welches durch Abstrahlen eines Lasers auf einen Spiegel 209 auf dem XY-Tisch 105 von der Tischposition-Erkennungseinheit 136 erhalten wird. Idealerweise werden mehrere Strahlen 20 zum gleichzeitigen Bestrahlenden mit Abständen ausgerichtet, welche durch Multiplizieren des Anordnungsabstand einer Vielzahl von Öffnungen des blinden Elements 203 mit einem oben beschriebenen gewünschten Verkleinerungsverhältnisses erhalten werden. Die Schreibvorrichtung 100 führt eine Schreiboperation durch das Rasterscanverfahren aus, welches abgegebene Strahlen in deren Reihenfolge kontinuierlich abstrahlt, und, wenn ein gewünschtes Muster geschrieben wird, wird ein benötigter Strahl durch eine Blockiersteuerung auf Ein entsprechend dem Muster gesteuert.
• Der XY-Tisch 105 wird durch die Tischantriebseinheit 138 antriebsgesteuert. Die Position des XY-Tischs 105 wird durch die Tischposition-Erkennungseinheit 136 erkannt. Die Tischposition-Erkennungseinheit 136 umfasst eine Lasermessvorrichtung, welche beispielsweise einen Laser auf den Spiegel 209 emittiert und eine Position basierend auf dem reflektierten Licht des Lasers misst.
• 2 stellt eine durch die Ladungsmenge hervorgerufene Positionsabweichung entsprechend der ersten Ausführungsform dar. In 2 werden, wenn es eine positive Punktladung 12 von 1nC auf der Oberfläche des Zielobjekts 101 gibt, negativ geladene Elektronen 14, welche von jedem Strahl der gleichzeitig von einem oberen Teil der Schreibkammer 103 emittierten mehreren Strahlen emittiert werden, durch die Punktladung 12 angezogen. Ein Elektron 14a, welches in die Punktladung 12 gerade von oben eintritt, wird senkrecht angezogen. Im Gegensatz dazu treten Elektronen 14 b und 14c senkrecht in die Punktladung 12 von Positionen, welche von der Position gerade oberhalb der Punktladung 12 verschoben sind, ein und daher werden deren Umlaufbahnen versetzt, da diese durch die Punktladung angezogen werden. Daher tritt in den mehreren Strahlen eine Positionsabweichung in Abhängigkeit von einer Bestrahlungsposition auf.
• 3 zeigt ein Beispiel der Positionsbeziehung der Multistrahl-Bestrahlungsbereiche entsprechend der ersten Ausführungsform. In 3 wird die zentrale Position des Bestrahlungsbereichs (Multistrahl-Bestrahlungsbereichs) der gesamten gleichzeitig emittierten mehreren Strahlen durch ein rundes Symbolen (o), die Vorderkantenposition (+ X-Richtung) durch ein quadratisches Symbol (Raute) und die Hinterkantenposition (- x-Richtung) durch ein Dreieck (Dreieck) bezeichnet.
• 4 ist ein Graph, welcher, durch Überlagerung, einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs, einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der Vorderkantenposition des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs und einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der Hinterkantenposition des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt. Wie in 4 gezeigt, gibt es bei mehreren Strahlen einen großen Unterschied des Positionsabweichungsbetrags in Abhängigkeit von einer Strahlungsposition (Vorderkantenposition, zentrale Position und Hinterkantenposition). Mit anderen Worten, die Bestrahlungspositionsabhängigkeitseigenschaft ist groß.
• 5 ist ein Beispiel eines Graphen, welcher einen Unterschied zwischen einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs und einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (der Vorderkantenposition und der Hinterkantenposition) des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt. In dem in 5 gezeigten Graphen ist die y-Achse zweimal die Länge dessen aus 4. Wie in 5 gezeigt, gibt es einen Unterschied in dem Betrag, in dem Multistrahl-Bestrahlungsbereich, zwischen dem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position und dem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (der Vorderkantenposition und der Hinterkantenposition). Das heißt es ist offensichtlich, dass es in einem aus der Ladungsmenge hervorgerufenen Positionsabweichungsbetrag einen Positionsabweichungsbetrag in Abhängigkeit von der Bestrahlungsposition zusätzlich zu einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position gibt. Beispielsweise ist der Positionsabweichungsbetrag in Abhängigkeit von einer Bestrahlungsposition in mehreren Strahlen 100 mal oder mehr der Betrag eines Positionsabweichungsbetrags in Abhängigkeit von einer Hauptablenkungsposition (die Vorderkantenposition und die Hinterkantenposition) in einem einzelnen Strahl. Daher ist bei einem Multistrahl-Schreiben der Effekt eines Korrigierens eines solchen Positionsabweichungsbetrags wesentlich größer als der bei einem Einzelstrahl-Schreiben.
• 6 ist ein Beispiel eines Graphen, welcher einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs und einen Unterschied, welcher durch Subtrahieren eines Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (der Vorderkantenposition und der Hinterkantenposition) in dem Multistrahl-Bestrahlungsbereich von einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs erhalten wird, in der ersten Ausführungsform zeigt. In 6 stellt die X-Achse ein Abstand von der Punktladung zu der Schreibposition dar und die Y-Achse stellt einen Positionsabweichungsbetrag dar. Beispielsweise muss unter der Annahme, dass der Bereich zum Korrigieren eines Positionsabweichungsbetrags 1 × 10^-6 µm oder mehr ist, der Berechnungsbereich (Einflussbereich) von der Ladeposition für den Fall eines Berechnens eines Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position gleich 20 mm sein. Im Gegensatz dazu muss in dem Fall eines Berechnens eines Unterschieds durch Subtrahieren eines Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (die Vorderkantenposition und die Hinterkantenposition) in einem Multistrahl-Bestrahlungsbereich von einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs der Bereich zum Korrigieren eines Positionsabweichungsbetrags in etwa um 13,5 mm sein. Das heißt, der Berechnungsbereich (Einflussbereich) von der Ladeposition kann enger gemacht werden, wenn ein Unterschied durch Subtrahieren eines Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall an jeder Bestrahlungsposition (die Vorderkantenposition und die Hinterkantenposition) in einem Multistrahl-Bestrahlungsbereich von einem Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position berechnet wird, im Vergleich dazu, wenn ein Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall an der zentralen Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs berechnet wird. Da die Berechnungswert proportional zum Quadrat (hoch 2) des Berechnungsbereich ist, ist es möglich die Berechnungszeit von 45,5 % durch Berechnen des Unterschieds anstelle eines Berechnens eines Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall in der Schreibvorrichtung 100 zu erhalten. Schließlich kann die Berechnungszeit reduziert werden. Daher kann eine Korrekturberechnung in Echtzeit mit einer Schreibverarbeitung ausgeführt werden. Wenn der Schwellenwert des Bereichs zum Berechnen einer Positionsabweichung weiter verringert wird, ist es möglich die Berechnung weiter schneller auszuführen. Entsprechend der ersten Ausführungsform wird ein Korrekturwert, welcher einen Positionsabweichungsbetrag für einen senkrechten Einfall in der zentralen Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs korrigiert, vorab vor einem Beginnen des Schreibens berechnet, und dann wird ein Korrekturwert, welcher einen Unterschied korrigiert, in Echtzeit mit einer Verarbeitung des Schreibens in der Schreibvorrichtung 100 berechnet. Durch Hinzufügen beider Korrekturwerte kann ein Positionsabweichungsbetrag unter Berücksichtigung von Bestrahlungspositionen von mehreren Strahlen korrigiert werden. In der ersten Ausführungsform wird, da eine Korrekturberechnung einer Positionsabweichung ohne eine Notwendigkeit von Messinformationen an der tatsächlichen Ladungsbetragsverteilung des Zielobjekts 101 ausgeführt wird, eine Korrekturzyklusperiode durch die Berechnungsgeschwindigkeit der Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit 122 und des Ablenkungssteuerschaltkreises 170 bestimmt. Daher ist zum Ausführen der Korrekturberechnung in Echtzeit mit einer Schreibverarbeitung eine Korrektur mit einer Zeitperiode einer Tischverfolgungseinheit ausführbar. Mit Bezug zu einer konkreten Zeitzyklusperiode ist eine Korrektur mit einer Zeitperiode von mehreren µs bis mehreren 100 µs ausführbar.
• Zusätzlich kann bei einem Multistrahl-Schreiben, da bereits bevor mit einer Verarbeitung eines Schreibens begonnen wird, bestimmt wurde, welche Bestrahlungsposition (Pixel) mit welchem Strahl bestrahlt wird, es nicht notwendig sein eine Korrekturberechnung in Echtzeit mit einer Schreibverarbeitung auszuführen.
• Obwohl die zentrale Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs als eine repräsentative Position in dem oben beschriebenen Beispiel angenommen wird, ist dies nicht hierauf beschränkt. Die repräsentative Position kann eine andere als die zentrale Position des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs sein.
• 7 ist ein Flussdiagramm, welches Hauptschritte eines Schreibverfahrens entsprechend der ersten Ausführungsform zeigt. In 7 wird als Vorbereitung eine Serie von Schritten wie beispielsweise ein Positionsabweichung-Antworttabelle-Berechnungsschritt (S102) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen, ein Positionsabweichung-Antworttabelle-Berechnungsschritt (es 104 nimmt 2) entsprechend einer Strahlblock-Teilungsposition, ein Unterschiedstabelle-Berechnungsschritt (S106) und ein Positionsabweichung-Korrekturwert-Berechnungsschritt (S108) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen in dem externen Computer 500 ausgeführt.
• In der Schreibvorrichtung 100 wird eine Serie von Schritten ausgeführt wie beispielsweise ein Initialisierungsschritt (S110), ein Berechnungsschritt (S112) zum Berechnen einer Musterbereichsdichteverteilung, einer Dosis (Bestrahlungsmengendichte)-Verteilung, einer Bestrahlungsmengenverteilung und einer Fogging-Elektronenverteilung, ein Ladungsmengenverteilung-Berechnungsschritt (S114), ein Pixelposition-Korrekturschritt (S116) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls, ein Ladungsmengenverteilung-Ausschneideschritt (S118), ein Pixelkorrektur-Positionserfassungschritt (S120 für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls, ein Tischposition-Erfassungsschritt (S122), ein Multistrahl-Block-Teilung-Positionsidentifikationschritt (S124), ein Unterschiedstabellen-Auswahlschritt (S126), ein Berechnungsbereich-Bestimmungschritt (S128), ein Blockpositionsabhängigkeit-Korrekturwert-Berechnungsschritt (S130), ein Positionskorrekturschritt (S131) ein Bestrahlungsmenge-Berechnungsschritt (S132) und ein Pixelschreibschritt (S134).
• In dem Positionsabweichung-Antworttabelle-Berechnungsschritt (S102) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen berechnet die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 eine Antwortfunktion (zweite Antwortfunktion), welche einen (zweiter Positionsabweichungsbetrag) an jeder Bestrahlungsposition eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs hervorgerufen durch eine Ladungsmenge berechnet, welcher aus einem senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls (zum Beispiel ein Strahl, welcher eine im wesentlichen zentrale Position eines Multistrahl-Bestrahlungsbereichs bestrahlt: ein zentraler Strahl) von mehreren Strahlen resultiert. Mit anderen Worten, die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 berechnet eine Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) unter der Annahme, dass ein Elektron senkrecht auf die entsprechende Position (entsprechende Strahlungsposition) des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs einfällt, und speichert die Tabelle in der Speichervorrichtung 144. Die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) ist ein Beispiel der Antwortfunktion (zweite Antwortfunktion). Die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) kann durch eine andere Funktion oder einen Anwender berechnet werden, anstatt, dass diese durch die Differenztabelle-Erzeugungseinheit 502 erzeugt wird. Der Positionsabweichungsbetrag kann durch Falten der Antwortfunktion mit der Ladungsmengenverteilung erhalten werden. Daher kann die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) basierend auf einer Berechnung eines durch die Ladungsmenge verursachten Positionsabweichungsbetrags einer jeden Bestrahlungsposition in einem Multistrahl-Bestrahlungsbereich, welcher aus einem senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen resultiert, und basierend auf einer Berechnung einer Ladungsmengenverteilung erhalten werden.
• In dem Positionsabweichung-Antworttabelle-Berechnungsschritt (S104) berechnet entsprechend einer Strahlblock-Teilungsposition die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 eine Antwortfunktion (erste Antwortfunktion), welche einen Positionsabweichungsbetrag (erster Positionsabweichungsbetrag) einer jeden Blockposition (i, j), welche aufgrund der Ladungsmenge an jeder Strahlblock-Teilungsposition (i, j) (ein Beispiel einer Bestrahlungsposition) hervorgerufen wird, von mehreren Strahlen berechnet. Mit anderen Worten die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 berechnet eine Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j] (x, y) an einer Blockposition (i, j) und speichert diese in der Speichervorrichtung 144. Die Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j] (x, y) ist ein Beispiel der Antwortfunktion (erste Antwortfunktion). Die Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j] (x, y) kann durch eine andere Funktion oder einen Anwender berechnet werden anstatt, dass diese durch die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 erzeugt wird. Wie oben beschrieben, kann der Positionsabweichungsbetrag durch Falten der Antwortfunktion mit der Ladungsmengenverteilung erhalten werden. Daher kann den Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j] (x, y) basierend auf einer Berechnung eines durch die Ladungsmenge hervorgerufenen an jeder Blockposition (i, j) erzeugten Positionsabweichungsbetrags einer jeden Blockposition und basierend auf einer Berechnung einer Ladungsmengenverteilung erhalten werden.
• 8 zeigt ein Beispiel einer Strahlblock-Teilungsposition von mehreren Strahlen entsprechend der ersten Ausführungsform. In 8 ist ein Multistrahl-Bestrahlungsbereich 30 in eine Vielzahl von netzartigen Strahlungsblöcken 11 unterteilt (ein Beispiel einer Vielzahl von Bestrahlungspositionen von mehreren Strahlen). Jeder Block 11 wird durch eine Vielzahl von Strahlen 13 bestrahlt. Beispielsweise ist, wenn mehrere Strahlen aus 512x 512 Strahlen gebildet sind, bevorzugt, dass jeder Block so bestimmt wird, dass dieser für Strahlen verantwortlich ist, deren Anzahl zwischen mehreren 10 und mehreren 100 liegt. Alternativ ist ebenso bevorzugt, dass jeder Block für 1000 oder mehr Strahlen verantwortlich ist. Entsprechend der ersten Ausführungsform wird eine Korrektur nicht für jeden Strahlen sondern für jeden Block 11, welche für mehrere Strahlen gemeinsam verantwortlich ist, als ein praktikables Verfahren ausgeführt. Natürlich ist es annehmbar eine Korrektur für jede Bestrahlungsposition für jeden Strahl auszuführen.
• In dem Unterschiedstabelle-Berechnungsschritt (S106) berechnet die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 eine Vielzahl von Unterschiedsantwortfunktionen, welche jeweils einen Unterschied zwischen der Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j] (x, y) an jeder Blockposition (i, j) und der Positionsabweichung-Antworttabelle r0 (x, y) unter der Annahme eines senkrechten Einfall eines Elektrons an einer repräsentativen Strahlungsposition anzeigen. Mit anderen Worten die Unterschiedstabelle-Erzeugungseinheit 502 berechnet eine Unterschiedstabelle δr[i, j] (x, y) und speichert diese auf der Speichervorrichtung 142. Die Unterschiedstabelle δr[i, j] (x, y) ist ein Beispiel einer Unterschiedsantwortfunktion und kann durch folgende Gleichung (1) erhalten werden. $$\mathrm{\delta }\text{r}\left[\text{i},\text{j}\right]\left(\text{x},\text{ y}\right)=\text{r}\left[\text{i},\text{j}\right]\left(\text{x},\text{y}\right)-\text{r}0\left(\text{x},\text{y}\right)$$

  
• In den oben beschriebenen Beispielen werden die Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j](x, y) (erste Antwortfunktion) und die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) (zweite Antwortfunktion) auf der Speichereinheit 144 gespeichert und die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) (Unterschiedsantwortfunktion) wird auf der Speichervorrichtung 142 gespeichert, dies ist allerdings nicht darauf beschränkt. Es ist ebenso bevorzugt die Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j](x, y) (erste Antwortfunktion), die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) (zweite Antwortfunktion) und die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) (Unterschiedsantwortfunktion) auf derselben Speichervorrichtung zu speichern. Alternativ können diese entsprechend auf den entsprechenden Speichervorrichtungen gespeichert werden. Alternativ ist ebenso bevorzugt die Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j](x, y) (erste Antwortfunktion) und die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) (Unterschiedsantwortfunktion) auf derselben Speichervorrichtung und die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) (zweite Antwortfunktion) auf einer anderen Speichervorrichtung zu speichern. Alternativ ist ebenso bevorzugt die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) (zweite Antwortfunktion) und die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) (Unterschiedsantwortfunktion) auf derselben Speichervorrichtung und die Positionsabweichung-Antworttabelle r[i, j](x, y) (erste Antwortfunktion) auf einer anderen Speichervorrichtung zu speichern.
• 9 zeigt ein Beispiel einer Unterschiedstabelle entsprechend der ersten Ausführungsform. Wie in 9 gezeigt werden beispielsweise eine Vielzahl von Unterschiedstabellen δr[i, j](x, y) entsprechend einer Position (i, j) vorbereitet. Jede Differenztabelle δr[i, j](x, y) wird auf der Speichervorrichtung 142 gespeichert. Der Berechnungsbereich der Differenztabelle δr[i, j](x, y) ist als der Bereich LxL gezeigt. Wie mit Bezug zu 6 beschrieben, kann der Berechnungsbereich durch Verwendung der Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) enger als der durch Verwendung der Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) gemacht werden. Beispielsweise kann in dem Fall aus 6, während der Berechnungsbereich 40 mm (gleicherweise 20 mm (Radius) x 2) ist, wenn die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) verwendet wird, dies auf L = 27 mm (= 13,5 mm (Radius) x2) reduziert werden, wenn die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) verwendet wird.
• In dem Positionsabweichung-Korrekturwert-Berechnungsschritt (S108) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von mehreren Strahlen berechnet die Offline-Ladekorrektur-Berechnungseinheit 504 eine Positionsabweichung-Korrekturwertkarte dX (x, y), dY (x, y) (oder Karten dX (x, y) und dY (x, y)) basierend auf der Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y), welche eine Antwortfunktion für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen dX (x, y) zeigt einen Korrekturwert in der X-Errichtung an und die Korrekturwertkarte dY (x, y) zeigt einen Korrekturwert in der Y-Richtung. Die Korrekturwertkarten dX (x, y) und dY (x, y) werden auf der Speichervorrichtung 146 gespeichert. Ein Positionsabweichungsbetrag kann durch berechnen einer Ladungsmengenverteilung und Falten der Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x, y) mit der Ladungsmengenverteilung erhalten werden. Es ist beispielsweise bevorzugt als den Korrekturwert einen Wert zu verwenden, welcher durch Invertieren des Vorzeichens (positiv/negativ) eines Positionsabweichungsbetrags erhalten wird.
• In dem Schreibdaten-Verarbeitungsschritt liest die Schreibdaten-Verarbeitungseinheit 112 für jeden Rahmenbereich entsprechend einem Layout Daten von auf der Speichervorrichtung 140 gespeicherten Schreibdaten aus und erzeugt Schussdaten in einem für die Schreibvorrichtung spezifischen Format durch Ausführen einer Datenverarbeitung einer Vielzahl von Schritten in der Schreibvorrichtung 100.
• Dann initialisiert in dem Initialisierungsschritt (S110) die Musterbereichsdichteverteilung-Berechnungseinheit 114 eine Musterbereichsdichteverteilung. Die Dosisverteilung-Berechnungseinheit 116 initialisiert eine Dosis-Verteilung. Die Fogging-Elecktronenverteilungs-Berechnungseinheit 118 initialisiert eine Fogging-Elektronen-Verteilung. Die Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit 122 initialisiert eine Ladungsmengenverteilung. Falls nichts berechnet wurde, kann dieser Schritt ausgelassen werden.
• In dem Berechnungsschritt (S112) zum Berechnen einer Musterbereichsdichteverteilung, einer Dosis-Verteilung, einer Bestrahlungsmenge-Verteilung und einer Fogging-Elektron-Verteilung berechnet die Musterbereichsdichteverteilung-Berechnungseinheit 114 eine Verteilung der Musterbereichsdichte in jedem Netzbereich für jeden Rahmen, welche durch virtuelles Teilen in Netze in vorbestimmter Abmessung erhalten werden, basierend auf in den von der Speichervorrichtung 140 ausgelesenen Layoutdaten umfassten Figurdaten. Die Dosisverteilung-Berechnungseinheit 116 berechnet eine Verteilung einer Dosismenge (Bestrahlungsmengendichte) durch Verwendung einer später zu beschreibenden Proximity-Effekt-Korrekturgleichung eines zurückgestreuten Elektrons. Die Fogging-Elecktronenverteilungs-Berechnungseinheit 118 berechnet eine Verteilung einer Fogging-Elektronen-Menge basierend auf einer Verteilung der Bestrahlungsmenge eines Elektronenstrahls, welche basierend auf einer Verteilung einer Musterbereichsdichte und eine Verteilung einer Dosis Menge erhalten wurde, und einer Funktion, welche die Aufspaltung von Fogging-Elektronen beschreibt.
• 10 zeigt ein Beispiel eines Rahmenbereichs und eines Positionsabweichung-Berechnungsbereichs entsprechend der ersten Ausführungsform. In 10 bestrahlen beim Schreiben auf das Zielobjekt 101, während der XY-Tisch 105 kontinuierlich in die X-Richtung bewegt wird, Multistrahlen einen Streifenbereich auf dem Zielobjekt 101, welcher durch virtuelles Teilen der Schreib(Belichtungs)-Oberfläche mit der Breite des Multistrahlen-Bestrahlungsbereichs 30 in eine Vielzahl von Streifenbereichen, welche jeweils die Form eines Streifens aufweisen, erhalten wird. Darüber hinaus wird der Streifenbereich virtuell in eine Vielzahl von netzartigen kleinen Bereichen (Pixeln) mit ungefähr der Strahlgröße eines jeden Strahls von mehreren Strahlen geteilt und ein Schreiben wird für jedes Pixel ausgeführt. Die Bewegung des XY-Tischs 105 in der X-Richtung ist beispielsweise eine kontinuierliche Bewegung und zur gleichen Zeit wird die Abschussposition der mehreren Strahlen zum Folgen der Bewegung des Tisches veranlasst. In der Schreibvorrichtung 100 wird, wenn Layoutdaten (Schreibdaten) verarbeitet werden, der Schreibbereich virtuell in eine Vielzahl von Rahmenbereichen 21 geteilt, welche jeweils die Form eines Streifens aufweisen, und eine Datenverarbeitung wird für jeden Rahmenbereich 21 ausgeführt. Beispielsweise sind, wenn mehrere Belichtung ausgeführt werden, der Rahmenbereich 21 und der oben erwähnte Streifenbereich normalerweise derselbe Bereich. Wenn mehrere Belichtungen ausgeführt werden, werden der Rahmenbereich 21 und der Streifenbereich voneinander entsprechend einer Multiplizität versetzt. Alternativ wird der Schreibbereich virtuell in eine Vielzahl von Rahmenbereichen 21, welche dieselben Bereiche wie die Streifenbereiche sind, entsprechend einer Multiplizität geteilt und eine Datenverarbeitung wird für jeden Rahmenbereich 21 ausgeführt. Daher wird der Schreibbereich des Zielobjekts 101 virtuell in eine Vielzahl von Rahmenbereichen 21 (Streifenbereiche), welche jeweils als ein Schreibeinheit-Bereich dienen, geteilt und die Schreibeinheit 150 führt ein Schreiben für jeden Rahmenbereich 21 (Streifenbereich) aus.
• Insbesondere wird zuerst der XY-Tisch 105 bewegt und angepasst, sodass ein mit einer einmaligen Bestrahlung der mehreren Strahlen 20 zu bestrahlender Bestrahlungsbereich (Multistrahl-Bestrahlungsbereich 30) an dem linken Ende des ersten Streifenbereichs oder an einer Position weiter links als das linke Ende angeordnet ist, und dann wird ein Schreiben begonnen. Bei einem Schreiben der ersten Streifenregion schreitet das Schreiben beispielsweise in der X Richtung durch Bewegen des XY-Tischs 105 in der -X-Richtung voran. Der XY-Tisch 105 wird beispielsweise kontinuierlich mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit bewegt. Nach dem Schreiben des ersten Streifenbereichs wird die Tischposition in die -Y-Richtung bewegt und angepasst, sodass der Multistrahl-Bestrahlungsbereich 30 an dem rechten Ende des zweiten Streifenbereichs oder an einer Position weiter rechts als das rechte Ende angeordnet ist und relativ in der Y-Richtung angeordnet ist. Dann schreitet beispielsweise in ähnlicher Weise ein Schreiben in der -X-Richtung durch bewegen des XY-Tischs 105 in der X-Errichtung fort. Das heißt, ein Schreiben wird ausgeführt, während die Richtung alternierend geändert wird, sodass ein Schreiben in der X Richtung in dem dritten Streifenbereich und in der -x-Richtung in dem vierten Streifenbereich ausgeführt wird, und daher die Schreibzeit reduziert werden kann. Allerdings ist die Schreiboperation nicht auf den Fall beschränkt, bei welchem ein Schreiben während einer alternierenden Änderung der Richtung ausgeführt wird, und es ist ebenso annehmbar ein Schreiben bei einem Schreiben eines jeden Streifenbereichs 21 in derselben Richtung auszuführen. Bei einem Abschuss wird eine Vielzahl von Abschussmustern derselben Anzahl wie Öffnungen des Blendenelements 203 zu einem Zeitpunkt durch mehrere Strahlen, welche durch Hindurchtreten durch entsprechend korrespondierende Öffnungen des Blendenelements 203 gebildet wurden, gebildet.
• Beispielsweise wird ein Schreiben in einem Streifen mit mehreren Strahlen vxw in den X und Y Richtungen ausgeführt. Es wird angenommen, dass jeder Abstand zwischen Strahlen der mehreren Strahlen die Länge von p Pixeln in der X-Richtung und q Pixeln in der Y-Richtung aufweist. In einem solchen Fall wird eine Belichtung (Schreiben) des gesamten Multistrahl-Bestrahlungsbereichs 30 durch Ausführen von pxq Malen von Abschlüssen, während die Bestrahlungsposition Pixel für Pixel in der X-Richtung oder der Y Richtung verschoben wird, abgeschlossen. Die kontinuierliche Bewegung des XY-Tischs 105 in der X-Richtung wird durch ein gemeinsames Ausführen einer Ablenkung der gesamten mehreren Strahlen durch den Deflektor 208 verfolgt, sodass eine gewünschte Pixelposition durch einen entsprechenden Strahl bestrahlt wird.
• In dem Steuercomputer 110, welcher Abschussdaten erzeugt, wird für jeden Rahmenbereich 21 wie oben beschrieben eine Berechnung ausgeführt. Daher werden Berechnungen für die Musterbereichsdichteverteilung, Dosis-Verteilung, Bestrahlungsmengenverteilung und Fogging-Elektronen-Verteilung ebenso für jeden Rahmenbereich 21 ausgeführt. Beispielsweise wird, wenn eine Berechnung für den n-ten Rahmen ausgeführt wird, eine Berechnungsverarbeitung für den (n-1)-ten Rahmen in dem Ablenkungssteuerschaltkreis 170 ausgeführt. Dann wird, wenn eine Berechnung für die Musterbereichsdichteverteilung, Dosis-Verteilung, Bestrahlungsmengenverteilung und Fogging-Elektronen-Verteilung des (n +1)-ten Rahmen in dem Steuercomputer 110 ausgeführt wird, wird eine Berechnungsverarbeitung für den n-ten Rahmen in den Ablenkungssteuerschaltkreis 170 ausgeführt. Daher schreitet eine Berechnungsverarbeitung in einer sogenannten Pipeline-Verarbeitung voran.
• Zuerst liest in dem Berechnungsschritt einer Musterbereichsdichteverteilung p(x, y) die Musterbereichsdichteverteilung-Berechnungseinheit 114 für jeden Rahmenbereich entsprechende Layoutdaten von der Speichervorrichtung 140 aus und teilt den Rahmenbereich in eine Vielzahl von kleinen Bereichen (X, Y) virtuell auf, sodass eine Musterbereichsdichte p für jeden kleinen Bereich berechnet wird. Durch Ausführen einer solchen Berechnung für den gesamten Rahmenbereich wird eine Musterbereichsdichteverteilung p(x,y) für jeden Rahmenbereich erhalten.
• In dem Berechnungsschritt einer Dosis (Bestrahlungsmengendichte)-Verteilung D(x,y) berechnet die Dosisverteilung-Berechnungseinheit 116 eine Dosis Verteilung D(x,y) für jeden kleinen Bereich. Die Dosisverteilung D(x,y) wird entsprechend einer im Folgenden beschriebenen Proximity-Effekt-Korrekturgleichung (2) eines zurückgestreuten Elektrons berechnet. $$\text{D}={\text{D}}_0\times \{\left(1+2\times \mathrm{\eta }\right)/\left(\{\left(1+2\times \mathrm{\eta }\times \mathrm{\rho }\right)\right)$$

  

  (In der Gleichung (2) bezeichnet D₀ eine Referenzdosismenge und η bezeichnet eine Rückstreuungsrate.)
• Die Referenzdosismenge D₀ und die Rückstreuungsrate η werden durch den Anwender der Schreibvorrichtung 100 eingestellt. Die Rückstreuungsrate η kann unter Berücksichtigung der Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls 200, der Abdeckfilmdicke des Zielobjekts 101 des Typs des Basissubstrat, Verarbeitungsbedingungen (beispielsweise PEB-Bedingungen und Entwicklungsbedingungen) usw. eingestellt werden.
• Dann berechnet in dem Berechnungsschritt einer Fogging-Elektronen-Verteilung F(x,y,σ) die Fogging-Elektronen-Verteilung-Berechnungseinheit 118 eine Fogging-Elektronen-Verteilung F(x,y,σ) mittels einer Bestrahlungsmengenverteilung E(x,y) (auch „Bestrahlungsintensitätsverteilung“ genannt) für jeden Netzbereich, welche durch Multiplizieren einer Musterbereichsdichteverteilung p(x,y) mit einer Dosismengenverteilung D(x,y) erhalten wird.
• Es wird angenommen, dass mit Bezug zu der Bestrahlungsmengenverteilung E(x,y) ist eine Funktion g(x,y) gibt, welche eine Aufspaltungsverteilung von Fogging-Elektronen beschreibt. Die Funktion g(x,y) ist beispielsweise ein Modell einer Gaußverteilung und kann durch die folgende Gleichung (3) beschrieben werden. σ bezeichnet einen Fogging-Effekt-Einflussradius. $$\text{g}\left(\text{x},\text{y}\right)=\left(1/\mathrm{\pi }{\mathrm{\sigma }}^2\right)\times \text{exp}\left\{-\left({\text{x}}^2+{\text{y}}^2\right)/{\mathrm{\sigma }}^2\right\}$$

  
• Wie in der folgenden Gleichung (4) gezeigt, kann eine Fogging-Elektronen-Verteilung (ebenso als eine „Fogging-Elektronen-Intensität“ bezeichnet) F(x,y,σ) durch Auswerten eines Faltintegrals der Aufspaltungsverteilungsfunktion g(x,y) mit der Bestrahlungsmengenverteilung E(x,y) erhalten werden. $$\text{F}\left(x,\text{y},\mathrm{\sigma }\right)={\displaystyle \int {\displaystyle \int \text{g}\left(\text{x}-\text{x}\text{'}\text{'},\text{y}-\text{y}\text{'}\text{'}\right)\text{E}\left(\text{x}\text{'}\text{'},\text{y}\text{'}\text{'}\right)\text{dx}\text{'}\text{'}\text{dy}\text{'}\text{'}}}$$

  
• In dem Berechnungsschritt einer Ladungsmengenverteilung (S114) berechnet die Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit 122 eine Ladungsmengenverteilung C(x,y), welche durch einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls 34 in dem Schreibbereich des Zielobjekts 101 geladen ist, für jeden Rahmenbereich. Insbesondere wird die Ladungsmenge C(x,y) jeder Position (x,y) in jedem der Rahmenbereiche bis zu gerade vor dem Rahmenbereich, welcher aktuell berechnet wird, berechnet.
• Hierbei sollte verstanden werden, dass beispielsweise selbst an derselben Position die Ladungsmenge C einer jeden Position (x,y) in Rahmenbereichen bis zu dem (n-1)-ten Rahmenbereich, wenn der aktuell berechnete Rahmenbereich 21 der n-te Rahmenbereich ist, sich von der Ladungsmenge C jeder Position (x,y) in den Rahmenbereichen bis zu dem n-ten Rahmenbereich, wenn der aktuell berechnete Rahmenbereich 21 der (n+1)-te Rahmenbereich ist, unterschiedlich sein kann. Dies liegt daran, dass sich die Ladungsmenge anhäuft.
• Es wird angenommen, dass es eine Funktion C(E,F) zum Erhalten einer Ladungsmengenverteilung C(x,y) aus der Bestrahlungsmengenverteilung E(x,y) und der Fogging-Elektronen-Verteilung F(x,y,σ) gibt. Diese angenommene Funktion C(E, F) wird in eine Variable C_E(E), zu welcher Bestrahlungselektronen beitragen, und einer Variable C_Fe(F), zu welcher Fogging-Elektronen beitragen, wie in der folgenden Gleichung (5) gezeigt, aufgeteilt. $$\text{C}\left(\text{E},\text{F}\right)={\text{C}}_{\text{E}}\left(\text{E}\right)+{\text{C}}_{\text{Fe}}\left(\text{F}\right)$$

  
• Weiter wird angenommen, dass die Funktion eines Nicht-Bestrahlungsbereichs eine Variable C_E(E)=0 ist, das heißt C(E,F) = C_Fe(F).
• Zuerst kann die Beziehung zwischen der Ladungsmengenverteilung C_F(F) eines Nicht-Bestrahlungsbereichs und der Fogging-Elektronen-Intensität F durch eine Polynomfunktion wie in der folgenden Gleichung (6) ausgedrückt werden. In der Gleichung (6) sind f₁, f₂ und f₃ Konstanten. $${\text{C}}_{\text{F}}\left(\text{F}\right)={\text{f}}_1\text{xF}+{\text{f}}_2{\text{xF}}^2+{\text{f}}_3{\text{xF}}^3$$

  
• Als Nächstes kann die Ladungsmengenverteilung C(E,F) eines Bestrahlungsbereichs durch eine Polynomfunktion wie in der folgenden Gleichung (7) bestimmt werden. $$\begin{array}{l}\text{C}\left(\text{E},\text{F}\right)={\text{C}}_{\text{E}}\left(\text{E}\right)+{\text{C}}_{\text{Fe}}\left(\text{F}\right)\hfill \\ =\left({\text{d}}_0+{\text{d}}_1\text{x}\mathrm{\rho }+{\text{d}}_2\text{xD}+{\text{d}}_3\text{xE}\right)+\left({\text{e}}_1\text{xF}+{\text{e}}_2{\text{xF}}^2+{\text{e}}_3{\text{xF}}^3\right)\hfill \end{array}$$

  
• Hierbei ist F eine Fogging-Elektronen-Verteilung des Bestrahlungsbereichs, welche durch die Gleichung (4) mittels dem optimalen Fogging-Radius σ erhalten wurde. Es werden nicht nur die variable C_E(F), zu welcher Bestrahlungselektronen beitragen, sondern auch die Ladungsmengenverteilung C_Fe(F), zu welcher Fogging-Elektronen beitragen, in dem Bestrahlungsbereich berücksichtigt. Die Parameter d₀, d₁, d₂, d₃, e₁, e₂ und e₃ sind Konstanten.
• Dann wird die Ladungsmengenverteilung C(x,y) durch eine Mengensumme aus C_F(F) aus der Gleichung (6) für einen Nicht-Bestrahlungsbereich und C(E, F) aus der Gleichung (7) für einen Bestrahlungsbereich.
• Wie oben beschrieben, wird die Ladungsmengenverteilung C(x,y) für jeden Rahmenbereich berechnet. Die Ladungsmengenverteilung C(x,y) für jeden Rahmenbereich wird in der Speichervorrichtung 146 usw. gespeichert. Daher ist, wenn eine Schreibverarbeitung des n-ten Rahmens ausgeführt wird, die Ladungsmengenverteilung C(x,y) bis zu dem (n-1)-ten Rahmen bereits gespeichert worden.
• In dem Pixelposition-Korrekturschritt (S116) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls gibt die Offline-Ladekorrekturanwendungs-Einheit 126 einen Positionsabweichung-Korrekturwert dX0(x,y), dY0(x,y) aus der Speichervorrichtung 146 ein und berechnet eine Pixelposition (Xm', Ym') nach einem Korrigieren einer Ladung mittels dem Positionsabweichung-Korrekturwert, welcher während dem offline-sein erhalten wurde, basierend auf der Pixelposition (Xm,Ym), welche ein Schreibziel des n-ten Rahmens ist. Die Pixelposition (Xm', Ym') nach dem Korrigieren einer Ladung kann durch die folgende Gleichung (8) erhalten werden. $$\text{Xm}`=\text{XM}+\text{dX}0\left(\text{Xm},\text{Ym}\right),\text{Ym}`=\text{Ym}+\text{dY}0\left(\text{Xm},\text{Ym}\right)$$

  
• In dem Ladungsmengenverteilung-Ausschneideschritt (S118) schneidet die Ladungsmengenverteilung-Ausschneideeinheit 124 eine partielle Ladungsmengenverteilung Csub(x,y), welche bereits berechnet wurde, aus und gibt diese an den Ablenkungssteuerschaltkreis 170 aus. Wie mit Bezug zu den 6 und 9 erläutert kann der Berechnungsbereich der ersten Ausführungsform durch Verwendung der Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) enger als der Fall einer Verwendung der Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x,y) sein. Beispielsweise kann in dem Fall aus 6, während der Berechnungsbereich gleich 40 mm (= 20 mm (Radius) x2) ist, wenn die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x,y) verwendet wird, diese auf L = 27 mm (= 13,5 mm (Radius) x2) reduziert werden, wenn die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) verwendet wird. Daher ist das was nötig ist ein Ausschneiden der Ladungsmengenverteilung C(x,y) des Rahmenbereichs, welcher in dem Bereich der Breite L vor und nach dem betroffenen Rahmenbereich 21 angeordnet ist, als eine partielle Ladungsmengenverteilung Csub(x,y). Beispielsweise sollte, wenn die Pixelposition (Xm', Ym') des n-ten Rahmens berechnet wird, die Ladungsmengenverteilung C(x,y) eines Rahmens, welcher in dem Bereich von L/2 von dem n-ten Rahmen angeordnet ist, in dem Rahmen bis zu dem (n-1)-ten Rahmen ausgeschnitten werden. Es gibt keine Daten für den (n+1)-ten Rahmen und dessen nachfolgende Rahmen, da diese noch nicht berechnet wurden.
• In dem Erfassungsschritt einer korrigierten Pixelposition (S120) für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls erfasst die Pixelposition-Erfassungseinheit 172 als eine Eingabe die Pixelposition (Xm', Ym') nach der Ladungskorrektur für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von dem Steuercomputer 110.
• In dem Tischposition-Erfassungsschritt (S122) erfasst die Tischposition-Erfassungseinheit 174 als eine Eingabe die Tischposition (XL, YL) bei einem Schreiben der als ein Schreibziel dienenden Pixelposition (Xm, Ym) von der Tischposition-Erkennungseinheit 136.
• In dem Identifikationsschritt einer Multistrahl-Blockteilungsposition (S124) berechnet die Blockteilungsposition-Berechnungseinheit 176 eine Blockposition (i, j) (Blocknetzteilungsindex), um zu identifizieren, welche Blockposition (i, j) in dem Multistrahl-Bestrahlungsbereich durch einen entsprechenden Strahl von mehreren Strahlen bestrahlt wird.
• 11 stellt den Zustand dar, bei welchem ein Rahmenbereich durch eine Verfolgungsblockbreite geteilt ist, entsprechend der ersten Ausführungsform. Im Gegensatz zu dem Fall eines einzelnen Strahls ist die Einheit für eine Echtzeitkorrektur von mehreren Strahlen kein unterkühlt sondern eine Verfolgungsblockeinheit. Wie in 11 gezeigt, ist der Rahmenbereich 21 beispielsweise durch eine Verfolgungsblockbreite T, welche gleich 10 µm ist, geteilt. In dem Fall aus 11 ist die Verfolgungsblocknummer mit t = 1, 2, 3,..., M der Reihe nach von links bezeichnet. Der Ursprung des Rahmenbereichs 21 soll bei (Xfo, Yfo) sein.
• 12 zeigt einen Verfolgungsblock und einen Multistrahl-Bestrahlungsbereich entsprechend der ersten Ausführungsform. Der durch Teilen des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs 30 mit einer Verfolgungsblockbreite T erhaltene Wert wird als m bestimmt. Falls die Abmessung des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs 30 30 µm groß ist, wird m gleich 8 sein. Zu diesem Zeitpunkt ist die Anzahl von Malen einer Verfolgung (Verfolgungsmalnummer), welche zum Schreiben des gesamten Rahmenbereichs 21 benötigt wird, gleich (M + m - 1) Mal. Die Verfolgungsmalnummer wird als k = 1,2, 3,..., (M + m -1) bestimmt.
• Die Anzahl von Teilungen des Multistrahl-Bestrahlungsbereichs in Multistrahl-Blockteilungen 11 soll in dem Fall aus 8 gleich N sein. Zu diesem Zeitpunkt werden die Multistrahl-Blockteilungsnummer i und die Multistrahl-Blockteilungsnummer j (0≤i<N, 0≤j<N) durch die folgende Gleichung (9) bestimmt. $$\begin{array}{l}\text{t}=\text{trunc}\left(\left(\text{Xm}`-\text{Xfo}\right)/\text{T}\right)+1\hfill \\ \text{i}=\text{trunc}\left(\left(\text{m}+\text{t}-\text{k}-1\right)/\left(\text{m}/\text{N}\right)\right)\hfill \\ \text{j}=\text{trunk}\left(\left(\text{Ym}`-\text{Yfo}\right)/\left(\text{mT}/\text{N}\right)\right)\hfill \end{array}$$

  
• Die Funktion trunk() gibt ein „Abrunden auf eine ganze Zahl“ an. Insbesondere wird, wie in 8 dargestellt, unter der Annahme, dass N = 4, wenn m = 8, der Wert von „i“ mit Bezug zu jeder Verfolgungsblocknummer t und jeder Verfolgungsmalnummer k, wie in der Tabelle aus 13 dargestellt, wiedergegeben.
• 13 zeigt Beispiele der Multistrahl-Blockteilungsnummer und der Verfolgungsmalnummer entsprechend der ersten Ausführungsform. Da die Multistrahl-Blockteilungsnummer in der Y-Richtung von der Verfolgungsblocknummer t und der Verfolgungsmalnummer k abhängt, ist eine Tabelle dafür ausgelassen. 13 zeigt den Fall, bei dem die Richtung eines Schreibens +X (FWD Richtung-Vorwärtsrichtung) ist, das heißt die Richtung der Tischbewegung ist -X (BWD Richtung-Rückwärtsrichtung). Allerdings, falls die Richtung des Schreibens -X (BWD Richtung-Rückwärtsrichtung) ist, kann dieselbe Gleichung wie die Gleichung (9) und die oben beschriebene Tabelle angewendet werden, solange die Verfolgungsmalnummer k in umgekehrter Reihenfolge von der Größten zu der Kleinsten verfolgt wird.
• In dem Unterschiedstabelle-Auswahlschritt (S126) übermittelt die Unterschiedstabelle-Übermittlungseinheit 120 (Übermittlungseinheit) eine Vielzahl von auf der Speichervorrichtung 142 gespeicherten Unterschiedstabellen δr[i, j](x, y) an den Ablenkungssteuerschaltkreis 170. Dann wählt die Unterschiedstabelle-Auswahleinheit 178 (Auswahleinheit eine einer Vielzahl von Unterschiedstabellen δr[i, j](x, y), welche übermittelt und auf der Speichervorrichtung 142 gespeichert sind, entsprechend einer Blockposition (i, j) aus.
• In dem Berechnungsbereich-Bestimmungsschritt (S128) gibt die Bereichsbestimmungseinheit 180 eine partielle Ladungsmengenverteilung Csub(x,y) ein und bestimmt einen Berechnungsbereich in der eingegebenen partiellen Ladungsmengenverteilung Csub(x,y), um ein Faltintegral mittels der ausgewählten Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) auszuführen. In 10 wird ein quadratischer Bereich, welcher die betroffene Position (x, y) im Mittelpunkt aufweist und dessen jede Seitenlänge gleich L ist, in Rahmenbereichen 22 in dem Bereich der partiellen Ladungsmengenverteilung Csub(x,y) als ein Berechnungsbereich 24 bestimmt. Wie mit Bezug zu den 6 und 9 erläutert, kann der Berechnungsbereich durch Verwendung der Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) enger als bei dem Fall unter Verwendung der Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x,y) sein. In dem Fall aus 6 kann beispielsweise, während der Berechnungsbereich gleich 40 mm (= 20 mm (Radius) x2) ist, wenn die Positionsabweichung-Antworttabelle r0(x,y) verwendet wird, diese auf L = 27 mm (= 13,5 mm (Radius) x2) reduziert werden, wenn die Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) verwendet wird. Daher kann der Berechnungsbereich 24 verengt werden.
• In dem Berechnungsschritt eines Blockposition-Abhängigkeitskorrekturwerts (S1 30) berechnet die Berechnungseinheit einer korrigierten Position 182 einen Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert (dXij, dYij) zum Korrigieren eines verbleibenden Positionsabweichungsbetrags (dritter Positionsabweichungsbetrag) in Abhängigkeit von einer Bestrahlungsposition, welcher durch Subtrahieren eines zweiten Positionsabweichungsbetrags für einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls von einem ersten Positionsabweichungsbetrag an jeder Blockposition (i, j) mittels einer Ladungsmengenverteilung (in diesem Fall der partiellen Ladungsmengenverteilung Csub(x,y) erhalten wird). Der erste Positionsabweichungsbetrag ist ein durch eine Ladungsmenge hervorgerufener Positionsabweichungsbetrag einer Blockposition an jeder Blockposition (i, j) in dem Multistrahl-Bestrahlungsbereich. Der zweite Positionsabweichungsbetrag ist ein durch eine durch einen senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls verursachten Ladungsmenge hervorgerufener Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition. Die Berechnungseinheit einer korrigierten Position 182 ist ein Beispiel einer Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert-Berechnungseinheit. Die Berechnungseinheit einer korrigierten Position 182 berechnet einen Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert (dXij, dYij) durch Verwendung einer Unterschiedstabelle δr[i, j] (x, y), welche aus einer Vielzahl von Unterschiedstabellen δr[i, j](x, y) ausgewählt wurde. Da ein von der Bestrahlungsposition abhängender Positionsabweichungsbetrag durch ein Falten einer Unterschiedstabelle δr[i, j](x, y) mit der partiellen Ladungsmengenverteilung Csub(x,y) berechnet werden kann, kann ein Korrekturwert (dXij, dYij) durch Invertieren des Vorzeichens (positiv/negativ) des von einer Bestrahlungsposition abhängenden Positionsabweichungsbetrags, wie in der folgenden Gleichung (10) gezeigt, erhalten werden. Das Symbol „.“ in der Gleichung (10) bezeichnet ein Faltintegral. $$\left(\text{dXijm dYij}\right)=\mathrm{\delta }\text{r}\left[\text{i},\text{j}\right]\left(\text{x},\text{y}\right)\cdot \text{Csub}\left(\text{x},\text{y}\right)$$

  
• In dem Positionskorrekturschritt (S131) berechnet die Positionskorrektureinheit 183 ein korrigierte Position (Xm", Ym") durch Hinzufügen eines Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert (dXij, dYij) zu einer Pixelposition (Xm', Ym'), wie in der folgenden Gleichung (11) gezeigt. $$\text{Xm}\text{'}\text{'}=\text{Xm`}+\text{dXij},\text{ Ym}\text{'}\text{'}=\text{Ym`}+\text{dYij}$$

  
• Daher berechnet die Positionskorrektureinheit 183 eine korrigierte Position durch Hinzufügen eines Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwerts zu einer korrigierten Position eines senkrechten Einfalls, welche mittels einem Korrekturwert für einen senkrechten Einfall zum Korrigieren eines durch die aus dem senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls resultierenden Ladungsmenge hervorgerufenen zweiten Positionsabweichungsbetrags einer Blockposition (Bestrahlungsposition).
• Die Pixelposition (Xm', Ym') wird eine korrigierte Position eines senkrechten Einfalls, für welche eine durch einen senkrechten Einfall hervorgerufene Positionsabweichung, wie oben beschrieben, korrigiert wurde. Die Pixelposition (Xm', Ym') ist ein Wert, welcher mittels einer Korrekturwertkarte dX(x,y), dY(x,y) (oder Karten dX(x,y) und dY(x,y)), welche den durch die aus dem senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls resultierenden Ladungsmenge C hervorgerufenen zweiten Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition korrigiert, korrigiert wurde. Die Korrekturwertkarte dX(x,y), dY(x,y) (oder Karten dX(x,y) und dY(x,y)) stellt Korrekturwerte eines senkrechten Einfalls zum Korrigieren einer durch einen senkrechten Einfall hervorgerufenen Positionsabweichung, wie oben beschrieben, dar.
• Das heißt, die Positionskorrektureinheit 183 berechnet mittels der Ladungsmengenverteilung C eine korrigierte Position (Xm", Ym") jeder Pixelposition, , wobei ein Positionsabweichungsbetrag, welcher einen auf einer Ladungsmenge beruhenden Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition umfasst, in Abhängigkeit von der Bestrahlungsposition eines jeden Strahls der mehreren Strahlen korrigiert wurde. Wodurch ein Positionsabweichungsbetrag, welcher einen durch die Ladungsmenge hervorgerufene Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition umfasst, in Abhängigkeit von der Bestrahlungsposition eines jeden Strahls von mehreren Strahlen korrigiert werden kann.
• In dem Bestrahlungsmengen-Berechnungsschritt (S132) berechnet die Bestrahlungsmenge-Berechnungseinheit 184 eine Bestrahlungsmenge eines jeden Strahls, sodass die Formationsposition eines Strahlungsmusters eines jeden Strahls von mehreren Strahlen entsprechend eine korrespondierende korrigierte Position sein kann.
• 14 stellt ein Verfahren zum Korrigieren einer Pixelposition entsprechend der ersten Ausführungsform dar. Beispielsweise wird normalerweise ein Pixel 40 durch einen Strahl A von mehreren Strahlen bestrahlt. Zu diesem Zeitpunkt wird, falls eine Bestrahlung mittels 100 % eines geplanten Bestrahlungsbetrags ausgeführt wird, ein Bestrahlungsmuster durch den Strahl A an dem Pixel 40 ausgebildet. Falls zum Ausführen einer Korrektur, sodass die Position des Pixels 40 zu einer nächsten Seite eines Pixels 42 durch 50 % der Pixelgröße verschoben werden kann, wird das Pixel 40 durch den Strahl A mittels 50 % der geplanten Bestrahlungsmenge bestrahlt und das Pixel 42 wird durch einen Strahl B mittels 50 % der geplanten Bestrahlungsmenge bestrahlt. Dadurch wird ein Bestrahlungsmuster an einem Pixel 41, welches die Zwischenposition des Pixels 40 und des Pixels 42 ist, ausgebildet. Daher kann durch Steuern der Bestrahlungsmenge eines jeden Strahls die Formationsposition eines Strahlungsmusters eines jeden Strahls von mehreren Strahlen zu einer korrespondierenden korrigierten Position korrigiert werden.
• In dem Schreibschritt (S1 34) schreibt die Schreibeinheit 150 ein Muster auf das Zielobjekt 101 durch Steuern der Bestrahlungsmenge eines jeden Strahls, sodass die Formationsposition des Strahlungsmusters eines jeden Strahls von mehreren Strahlen entsprechend eine korrespondierende korrigierte Position sein kann. Insbesondere schreibt die Schreibeinheit 150 ein Muster auf das Zielobjekt durch Verwendung eines korrespondierenden Strahls von mehreren Strahlen, sodass ein Bestrahlungsmuster an der korrigierten Position (Xm", Ym") eines betroffenen Pixels des n-ten Rahmens des Zielobjekts 101 ausgebildet wird.
• Nachdem das Schreiben des n-ten Rahmens abgeschlossen wurde, sind eine Berechnung zum Schreiben des nächsten (n+1)-ten Rahmens und eine Schreibverarbeitung in ähnlicher Weise auszuführen. Das heißt, wenn die korrigierte Position (Xm", Ym") des Pixels in dem (n+1)-ten Rahmen berechnet wird, ist, was gemacht werden muss, da die Berechnung der Ladungsmengenverteilung C bis zu dem n-ten Rahmen abgeschlossen ist, sequenziell jede Information über die Musterbereichsdichteverteilung p, die Dosis-Verteilung D, die Bestrahlungsmengenverteilung E, die Fogging-Elektronen-Verteilung F und die Ladungsmengenverteilung C zu aktualisieren.
• Wie oben beschrieben kann entsprechend der ersten Ausführungsform eine durch die Ladungsmenge hervorgerufene Positionsabweichung einer Bestrahlungsposition unter Berücksichtigung einer Bestrahlungspositionsabhängigkeit von mehreren Strahlen korrigiert werden. Entsprechend wird ein Schreiben an einer hochgenauen Korrekturposition ausgeführt. Daher kann eine hochgenaue Musterposition erhalten werden.
• In der obigen Beschreibung, Verarbeitungsinhalten oder Operationsinhalten kann von dem, was durch den Ausdruck „Einheit“ oder „Schritt“ ausgedrückt wird, durch ein von einem Computer ausführbaren Programm konfiguriert sein. Alternativ kann dies durch ein Programm umgesetzt werden, welches Software oder eine Kombination von Hardware und Software oder weiter eine Kombination von Hardware und Firmware ist. Bei einem Konfigurieren durch ein Programm wird das Programm in einem Speichermedium wie beispielsweise einem magnetischen Plattenspeicher, einem Magnetbandlaufwerk, FD oder ROM (Read Only Memory - Festwertspeicher) gespeichert. Beispielsweise wird das Programm in der Speichervorrichtung 142,144 oder 146 gespeichert.
• Der Steuercomputer 110 aus 1 oder Ähnliches kann über einen Bus (nicht gezeigt) mit einer Speichervorrichtung wie beispielsweise einem RAM (Random Access Memory - Arbeitsspeicher), einem ROM und einer magnetischen Festplatte (HD), mit einer Eingabeeinheit wie beispielsweise einem Keyboard (K/B) und einer Maus, mit Ausgabeeinheit wie beispielsweise einem Monitor oder einem Drucker oder mit einer Eingabe/Ausgabeeinheit wie beispielsweise einer externen Schnittstelle (I/F), FD, DVD, CD usw. verbunden sein.
• Mit Bezug zu spezifischen Beispielen wurden im obigen Ausführungsformen beschrieben. Allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese spezifischen Beispiele beschränkt. Beispielsweise ist die vorliegende Erfindung, obwohl eine Geladene-Teilchen-Multistrahlen-Schreibvorrichtung innen Ausführungsformen verwendet wird, auf andere Typen von Schreibvorrichtungen anwendbar. Weiter ist die vorliegende Erfindung beispielsweise, obwohl ein Elektronenstrahl in den obigen Ausführungsformen verwendet wurde, nicht darauf beschränkt und ebenso auf den Fall einer Verwendung von anderen geladenen Teilchenstrahlen wie beispielsweise einen Ionenstrahl anwendbar. Darüber hinaus beschränkt die vorliegende Erfindung den Zweck einer Verwendung einer Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung nicht. Beispielsweise kann die Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung zusätzlich zu dem Zweck einer Verwendung zum Ausbilden eines Abdeckmaterialmusters direkt auf einer Maske oder einem Wafer ebenso verwendet werden, wenn eine Maske für einen optischen Stepper, eine Röntgenmaske oder Ähnliches ausgebildet wird.
• Während die Vorrichtungskonfiguration, ein Steuerverfahren und Ähnliches, welche nicht direkt zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung notwendig sind, nicht beschrieben sind, können einige oder alle von diesen angemessen ausgewählt und verwendet werden, wenn diese benötigt werden. Beispielsweise sollte verstanden werden, dass, obwohl eine Beschreibung der Konfiguration einer Steuereinheit zum Steuern der Schreibvorrichtung 100 ausgelassen wurde, einiges oder alles aus der Konfiguration der Steuereinheit angemessen auszuwählen und zu verwenden ist, wenn dieses notwendig ist.
• Zusätzlich ist eine beliebige andere Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung und Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibverfahren, welche Merkmale der vorliegenden Erfindung umfassen und welche angemessen durch den Fachmann modifiziert werden können, in dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung umfasst.
• Zusätzliche Vorteile und Modifikationen werden sich dem Fachmann sofort erschließen. Daher ist die Erfindung in ihren weiteren Aspekten nicht auf die spezifischen Details und repräsentativen Ausführungsformen, welche hierin gezeigt und beschrieben wurden, beschränkt. Entsprechend können zahlreiche Modifikationen gemacht werden ohne vom Geist oder einem Schutzbereich des allgemeinen erfinderischen Konzepts, wie durch die angefügten Ansprüche und deren Äquivalente bestimmt, abzuweichen.

Claims (10)

1. Eine Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibvorrichtung (100) umfassend: eine Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit (122) konfiguriert zum Berechnen einer Ladungsmengenverteilung eines Zielobjekts basierend auf einem Ergebnis eines senkrechten Einfalls eines ausgewählten Strahls von mehreren Strahlen in einem Schreibbereich des Zielobjekts; eine Positionskorrektureinheit (183) konfiguriert zum Berechnen einer korrigierten Bestrahlungsposition eines jeden Strahls der mehreren Strahlen mittels der berechneten Ladungsmengenverteilung, um eine Positionsabweichung eines jeden Strahls von Formationspositionen auf Grund von Ladungen auf dem Zielobjekt, als ein Ergebnis des ausgewählten Strahls, zu kompensieren; und eine Schreibeinheit (150) konfiguriert zum Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt, umfassend Steuern einer Bestrahlung eines jeden Strahls basierend auf den korrigierten Formationspositionen.
2. Die Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 1 weiter umfassend: eine Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert-Berechnungseinheit (182) konfiguriert zum Berechnen mittels der Ladungsmengenverteilung eines Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwerts zum Korrigieren eines von der Bestrahlungsposition abhängenden verbleibenden Positionsabweichungsbetrags, welcher durch Subtrahieren von einem auf einer Ladungsmenge an der Bestrahlungsposition von jedem Strahl der mehreren Strahlen beruhenden ersten Positionsabweichungsbetrag einer Bestrahlungsposition eines auf einer aus dem senkrechten Einfall des repräsentativen Strahls resultierenden Ladungsmenge beruhenden zweiten Positionsabweichungsbetrags einer Bestrahlungsposition erhalten wird, wobei die Positionsberechnungseinheit die korrigierte Position durch Hinzufügen des Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwerts zu einer korrigierten Position eines senkrechten Einfalls, welche mittels einem Korrekturwert eines senkrechten Einfalls zum Korrigieren des auf der aus dem senkrechten Einfall des repräsentativen Strahls resultierenden Ladungsmenge beruhenden zweiten Positionsabweichungsbetrags der Bestrahlungsposition korrigiert wurde, berechnet.
3. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 2, weiter umfassend: eine Speichervorrichtung (142) konfiguriert zum Speichern einer Vielzahl von Unterschiedsantwortfunktionen, welche jeweils einen Unterschied zwischen einer ersten Antwortfunktion zum Berechnen des auf der Ladungsmenge an der Bestrahlungsposition von jedem Strahl der mehreren Strahlen beruhenden ersten Positionsabweichungsbetrags einer jeden Bestrahlungsposition und einer zweiten Antwortfunktion zum Berechnen des auf der aus dem senkrechten Einfall eines repräsentativen Strahls resultierenden Ladungsmenge beruhenden zweiten Positionsabweichungsbetrags einer jeden Bestrahlungsposition anzeigt, wobei die Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert-Berechnungseinheit den Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert mittels einer der Vielzahl von Unterschiedsantwortfunktionen berechnet.
4. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 3 weiter umfassend: eine Auswahleinheit (178) konfiguriert zum Auswählen einer aus der Vielzahl von Unterschiedsantwortfunktionen entsprechend der Bestrahlungsposition, wobei die Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert-Berechnungseinheit den Bestrahlungspositionsabhängigkeit-Korrekturwert mittels einer der Vielzahl von Unterschiedsantwortfunktionen, welche ausgewählt wurde, berechnet.
5. Die Vorrichtung entsprechend Anspruch 1 weiter umfassend: eine Musterbereichsdichteverteilung-Berechnungseinheit (114) konfiguriert zum Berechnen einer Verteilung einer Musterbereichsdichte in jedem Netzbereich für jeden Rahmenbereich einer Vielzahl von Rahmenbereichen, welche durch virtuelles Teilen des Schreibbereichs des Zielobjekts in netzartige Bereiche durch vorbestimmte Abmessungen erhalten werden, basierend auf den in den in der Speichervorrichtung gespeicherten Layoutdaten umfassten Figurdaten.
6. Vorrichtung gemäß Anspruch 5 weiter umfassend: eine Dosisverteilung-Berechnungseinheit (118) konfiguriert zum Berechnen einer Dosisbetragsverteilung mittels einer Proximity-Effekt-Korrekturgleichung eines zurückgestreuten Elektrons.
7. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 6 weiter umfassend: eine Fogging-Elektronenverteilungs-Berechnungseinheit (118) konfiguriert zum Berechnen einer Verteilung eines Fogging-Elektronenbetrags basierend auf einer Verteilung einer Bestrahlungsmenge eines Elektronenstrahls, welche basierend auf der Verteilung der Musterbereichsdichte und der Verteilung des Dosisbetrags erhalten wird, und einer Funktion, welche eine Aufspaltung von Fogging-Elektronen beschreibt.
8. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 7, wobei die Ladungsmengenverteilung-Berechnungseinheit eine Ladungsmenge einer jeden Position in jedem der Rahmenbereiche bis zu gerade vor einem aktuell beschriebenen Rahmenbereich berechnet.
9. Die Vorrichtung gemäß Anspruch 1 weiter umfassend: eine Ladungsmengenverteilung-Ausschneideeinheit (124) konfiguriert zum Ausschneiden einer partiellen Ladungsmengenverteilung in einem Berechnungsbereich von der bereits berechneten Ladungsmengenverteilung.
10. Ein Geladene-Teilchen-Multistrahl-Schreibverfahren umfassend: Berechnen einer Ladungsmengenverteilung eines Zielobjekts basierend auf einem Ergebnis eines senkrechten Einfalls eines ausgewählten Strahls von mehreren Strahlen in einem Schreibbereich des Zielobjekts; Berechnen einer korrigierten Bestrahlungsposition eines jeden Strahls der mehreren Strahlen mittels der berechneten Ladungsmengenverteilung, um eine Positionsabweichung eines jeden Strahls von Formationspositionen auf Grund von Ladungen auf dem Zielobjekt, als ein Ergebnis des ausgewählten Strahls, zu kompensieren; und Schreiben eines Musters auf dem Zielobjekt, umfassend Steuern einer Bestrahlung eines jeden Strahls basierend auf den korrigierten Positionen.

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