DE102013221950A1

DE102013221950A1 - Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren und Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung

Info

Publication number: DE102013221950A1
Application number: DE102013221950.4A
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Matsumoto; Tomohiro Iijima; Munehiro Ogasawara; Hideo Inoue; Ryoichi Yoshikawa
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2012-11-02
Filing date: 2013-10-29
Publication date: 2014-05-08
Anticipated expiration: 2033-10-30
Also published as: JP6215586B2; KR101598149B1; TWI582546B; TWI660250B; TW201604661A; TW201719295A; TW201435513A; US9202673B2; TWI632436B; DE102013221950B4; KR20140057175A; US20180261421A1; US20140124684A1; TWI516876B; US9570267B2; US20160042908A1; US20170098524A1; TW201832019A; JP2014112639A; US10020159B2

Abstract

Ein Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren enthält ein Durchführen eines AN/AUS-Schaltens eines Strahls durch ein individuelles Austastsystem für den entsprechenden Strahl, für jeden Strahl in mehrfachen Strahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer Vielzahl von Bestrahlungen, unter Verwendung einer Vielzahl individueller Austastsysteme, die jeweils eine Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahls in den mehrfachen Strahlen durchführen, und Durchführen einer Austaststeuerung, zusätzlich zum Durchführen eines AN/AUS-Schaltens des Strahls für den jeweiligen Strahl durch das individuelle Austastsystem, bezüglich der jeden Zeitbestrahlung der Vielzahl von Bestrahlungen, so dass der Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit entsprechend der diesbezüglichen Bestrahlung ist, unter Verwendung eines gemeinsamen Austastsystems, das kollektiv eine Strahl-AN/AUS-Steuerung für eine Gesamtheit der mehrfachen Strahlen durchführt.

Description

Querverweis auf verwandte Anmeldung
Diese Anmeldung basiert auf dem und beansprucht die Priorität der vorherigen japanischen Patentanmeldung mit der Nummer 2012-242644 , eingereicht am 2. November 2012 in Japan, und der vorherigen japanischen Patentanmeldung mit der Nummer 2013-124435 , eingereicht am 13. Juni 2013 in Japan, deren gesamter Inhalt hier durch Bezug aufgenommen ist.
Hintergrund der Erfindung
Erfindungsgebiet
Diese vorliegende Erfindung betrifft ein Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren und eine Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung. Diese betrifft, zum Beispiel, ein Blanking- bzw. Austastverfahren beim Mehrfachstrahlschreiben.
Beschreibung des Stands der Technik
Die Lithographie-Technik, die eine Mikrominiaturisierung von Halbleitervorrichtungen vorantreibt, ist als ein einzigartiger Prozess, bei dem Muster in der Halbleiterherstellung ausgebildet werden, extrem wichtig. Bezüglich einer Hochintegration gemäß LSI verringert sich die Linienbreite (kritische Dimension), die für Halbleitervorrichtungsschaltungen erforderlich ist, von Jahr zu Jahr. Die Elektronenstrahl-(engl. Electron Beam bzw. EB)Schreibtechnik, die intrinsisch eine ausgezeichnete Auflösung aufweist, wird zum Schreiben oder „Zeichnen” eines Musters auf einem Wafer und dergleichen mit einem Elektronenstrahl verwendet.
Als ein Beispiel, bei dem Elektronenstrahl-Schreibtechnik verwendet wird, gibt es eine Schreibvorrichtung unter Verwendung mehrfacher Strahlen (Mehrfachstrahlen). Verglichen mit dem Fall des Schreibens eines Musters unter Verwendung eines Elektronenstrahls, ist es möglich, den Durchsatz (engl. Throughput) stark zu erhöhen, da eine Mehrfachstrahl-Schreibvorrichtung mehrfache Bestrahlungsstrahlen zu einem Zeitpunkt emittieren kann. In einer derartigen Schreibvorrichtung eines Mehrfachstrahlsystems werden, zum Beispiel, mehrfache Strahlen ausgebildet, indem ein Elektronenstrahl, der von einer Elektronenkanonen-Anordnung emittiert wird, durch eine Maske mit einer Vielzahl von Löchern hindurch tritt, eine Blanking- bzw. Austaststeuerung für die in der Strahlen durchgeführt wird, und jeder nicht geblockte Strahl durch ein optisches System reduziert wird, und durch eine Deflektor abgelenkt wird, um eine gewünschte Position auf einem Zielobjekt oder einer „Probe” zu bestrahlen (siehe zum Beispiel die japanische Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer ( JP-A) 2006-261342 ).
Wenn bei dem Mehrfachstrahlschreiben ein hochgenaues Schreiben durchgeführt wird, wird die Dosis eines individuellen Strahls individuell durch eine Bestrahlungszeit gesteuert, um eine bestimmte Dosis auf jede Position auf einem Zielobjekt abzugeben. Für eine hochakkurate Steuerung der Dosis von jedem Strahl ist es notwendig, eine Blanking- bzw. Austaststeuerung mit einer Hochgeschwindigkeit auszuführen, um eine Strahl-AN/AUS-Steuerung durchzuführen. In einer herkömmlichen Schreibvorrichtung eines Mehrfachstrahlsystems wird eine Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung für jeden Strahl auf einer Blanking- bzw. Austastplatte platziert, wobei jeweils eine Blanking- bzw. Austastelektrode mehrfacher Strahlen angeordnet ist.
Eine Steuerung wird unabhängig für jeden Strahl durchgeführt. Zum Beispiel wird ein Trigger-Signal, das bewirkt, dass ein Strahl AN ist, an die Steuerschaltungen aller Strahlen gesendet. Ansprechend auf das Trigger-Signal legt die Steuerschaltung von jedem Strahl eine Strahl-AN-Spannung an einer Elektrode an, und, gleichzeitig, startet ein Zählen der Bestrahlungszeitperiode durch einen Zähler. Wenn dann die Bestrahlungszeit abgeschlossen ist, wird eine Strahl-AUS-Spannung angelegt. Bei der Durchführung einer derartigen Steuerung wurde zum Beispiel ein 10-Bit-Steuersignal verwendet. Da jedoch der Platz zum Platzieren einer Schaltung auf einer Blanking- bzw. Austastplatte und die Größe eines zu verwendenden Stroms beschränkt sind, gibt es keine andere Alternative als eine nicht komplizierte Schaltung für die Informationsgröße von Steuersignalen zu verwenden. Es ist daher schwierig, eine Blanking- bzw. Austastschaltung zu bauen, die einen Betrieb einer hohen Geschwindigkeit und einer hohen Genauigkeit durchführen kann. Die Installation einer Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung für jeden Strahl auf einer Blanking- bzw. Austastplatte beschränkt ferner die Verringerung des Abstands mehrfacher Strahlen. Wenn im Gegensatz dazu eine Steuerschaltung für jeden Strahl außerhalb der Blanking- bzw. Austastplatte platziert wird, und diese durch eine Verdrahtung verbunden wird, um einen Platz zum Installieren der Schaltung frei zu halten, gibt es ein Problem, das, da die Verdrahtung lang wird, darin besteht, dass ein Cross-Talk ansteigt und eine Schreibgenauigkeit verringert wird.
Kurze Zusammenfassung der Erfindung
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Mehrfach-Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren ein Durchführen eines AN/AUS-Schaltens eines Strahls durch ein individuelles Austastsystem für den entsprechenden Strahl, für jeden Strahl in Mehrfachstrahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer vielfachen Bestrahlung, unter Verwendung einer Vielzahl von individuellen Austastsystemen, die jeweils eine Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahl in den Mehrfachstrahlen durchführt; und Durchführen einer Austaststeuerung, zusätzlich zum Durchführen eines AN/AUS-Schaltens des Strahls für den jeden Strahl durch das individuelle Austastsystem, bezüglich der jeden Zeitbestrahlung der vielfachen Bestrahlung, so dass der Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit entsprechend einer entsprechenden Bestrahlung, unter Verwendung eines gemeinsamen Austastsystems, das kollektiv eine Strahl-AN/AUS-Steuerung für eine Gesamtheit der Mehrfachstrahlen durchführt.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Mehrfach-Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren ein Wandeln, für jeden Schuss, einer Bestrahlungszeit von jedem Strahl von Mehrfachstrahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls in eine Binärzahl, deren Anzahl von Stellen eine vorbestimmte Zahl ist; und Unterteilen, für jeden Schuss von jedem Strahl, einer Bestrahlung eines entsprechenden Strahl in eine Bestrahlung, deren Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist, wobei die Anzahl der Bestrahlungen gleich der Anzahl von Stellen äquivalent zu einer Kombination von Bestrahlungen von Bestrahlungszeitperioden der Stellen ist, die jeweils eine Bestrahlungszeitperiode anzeigen, die durch eine Dezimalzahl definiert ist, die von der gewandelten Binärzahl einer entsprechenden Stelle gewandelt wurde, und Bestrahlen des Strahls der Bestrahlungszeitperiode entsprechend der jeden Stelle auf ein Zielobjekt in einer Reihenfolge.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ferner ein Mehrfach-Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung ein Aperturelement, in dem eine Vielzahl von Öffnungen bereitgestellt sind, um Mehrfachstrahlen auszubilden, durch eine Bestrahlung mit einem Ladungsträgerteilchenstrahl; eine Vielzahl individueller Austastsysteme, die jeweils konfiguriert sind zum jeweiligen Durchführen einer Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahls in den Mehrfachstrahlen; ein gemeinsames Austastsystem, konfiguriert zum kollektiven Durchführen einer Strahl-AN/AUS-Steuerung für eine Gesamtheit der Mehrfachstrahlen; und eine Steuereinheit, konfiguriert zum Steuern des gemeinsamen Austastsystems, so dass das gemeinsame Austastsystem eine Bestrahlungszeit bestimmt.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ferner ein Mehrfach-Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren ein Ausgeben eines ersten AN/AUS-Steuersignals für einen Strahl durch eine erste logische Schaltung für den Strahl für jeden Strahl in mehrfachen Strahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer vielfachen Bestrahlung, unter Verwendung einer Vielzahl erster logischer Schaltungen, die jeweils ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal ausgeben, um einen entsprechenden Strahl in den mehrfachen Strahlen zu steuern; Ausgeben eines zweiten AN/AUS-Steuersignals für einen Strahl bezüglich der jeden Zeitbestrahlung der Vielzahl von Bestrahlungen, zusätzlich zum Schalten des ersten AN/AUS-Steuersignals für den jeden Strahl, durch die Vielzahl von ersten logischen Schaltungen, so dass der Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit, die einer entsprechenden Bestrahlung entspricht, unter Verwendung einer zweiten logischen Schaltung, die kollektiv ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal ausgibt, um eine Gesamtheit der mehrfachen Strahlen zu steuern; und Durchführen einer Austaststeuerung, so dass der entsprechende Strahl in einem AN-Zustand ist während einer Bestrahlungszeit entsprechend der entsprechenden Bestrahlung, in dem Fall, dass sowohl das erste AN/AUS-Steuersignal als auch das zweite AN/AUS-Steuersignal AN-Steuersignale sind.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Mehrfach-Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung ferner ein Aperturelement, in dem eine Vielzahl von Öffnungen bereitgestellt ist, um mehrfache Strahlen durch eine Bestrahlung mit einem Ladungsträgerteilchenstrahl auszubilden; eine erste logische Schaltung, konfiguriert zum individuellen Ausgeben eines ersten AN/AUS-Steuersignals zum Steuern eines entsprechenden Strahls in den mehrfachen Strahlen; eine zweite logische Schaltung, konfiguriert zum kollektiven Ausgeben eines zweiten AN/AUS-Steuersignals zum Steuern einer Gesamtheit der mehrfachen Strahlen; und eine Vielzahl individueller Austastsysteme (204), die jeweils konfiguriert sind, im Fall dass sowohl das erste AN/AUS-Steuersignal als auch das zweite AN/AUS-Steuersignal AN-Steuersignale sind, zum jeweiligen Durchführen einer AN/AUS-Steuerung für einen Strahl, für den jeden Strahl, so dass der entsprechende Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit entsprechend einer diesbezüglichen Bestrahlung.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren ferner ein Erzeugen, jeweils für jeden Schuss, von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten, während eine Sequenz verwendet wird, deren Anzahl von Festsetzungen eine vorbestimmte Anzahl ist, so dass eine Gesamtheit von Werten, die erhalten wird durch ein Auswählen oder ein Nichtauswählen eines Werts für jede Festsetzung der Sequenz eine Bestrahlungszeit von jedem Strahl von mehrfachen Strahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls wird, wobei jeder Wert der Sequenz geringer ist als oder gleich zu einem Wert, der erhalten wird durch Addieren einer 1 zu einer Summe von vorhergehenden Werten, bis zu einem Wert genau vor dem jeden diesbezüglichen Wert; und Unterteilen, für jeden Strahlenschuss einer Bestrahlung eines entsprechenden Strahls in eine Bestrahlung, die mit einer Anzahl durchgeführt wird, die gleich der Anzahl von Festsetzungen der Sequenz ist, wobei die Sequenz äquivalent zu einer Kombination von Bestrahlungen von Bestrahlungszeitperioden der Festsetzungen ist, die jeweils eine Bestrahlungszeitperiode eines entsprechenden Werts der Sequenz anzeigen, und Bestrahlen des Strahls der Bestrahlungszeitperiode entsprechend einem Wert jeder ausgewählten Festsetzung auf ein Zielobjekt in einer Reihenfolge, basierend auf den Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung einer Konfiguration einer Schreibvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform;
2A und 2B sind konzeptionelle Diagramme, die jeweils eine Konfiguration eines Aperturelements gemäß der ersten Ausführungsform zeigen;
3 ist ein konzeptionelles Diagramm zur Darstellung einer Konfiguration einer Blanking- bzw. Austastplatte gemäß der ersten Ausführungsform;
4 ist ein konzeptionelles Draufsichtdiagramm, das eine Konfiguration einer Blanking- bzw. Austastplatte gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
5 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung einer internen Struktur einer individuellen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung und einer gemeinsamen Blanking bzw. Austaststeuerschaltung gemäß der ersten Ausführungsform;
6 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung wesentlicher Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform;
7 zeigt ein Beispiel eines Teils von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten gemäß der ersten Ausführungsform;
8 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung eines Strahl-AN/AUS-Schaltbetriebs bezüglich eines Teils eines Bestrahlungsschritts von einem Schuss bzw. einer Aufnahme gemäß der ersten Ausführungsform;
9 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung eines Blanking- bzw. Austastbetriebs gemäß der ersten Ausführungsform;
10 ist ein konzeptionelles Diagramm zur Erläuterung eines Schreibbetriebs gemäß der ersten Ausführungsform;
11A bis 11C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung von Beispielen eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform;
12A bis 12C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung von Beispielen eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform;
13A bis 13C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung anderer Beispiele eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform;
14A bis 14C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung anderer Beispiele eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform;
15A bis 15E sind Zeitdiagramme zum Vergleich der Belichtungswartezeit, unter Verwendung eines Vergleichsbeispiels, gemäß der zweiten Ausführungsform;
16 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung einer internen Struktur einer individuellen Blanking- bzw.
Austaststeuerschaltung und einer gemeinsamen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung gemäß der ersten Ausführungsform;
17 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung eines Strahl-AN/AUS-Schaltbetriebs bezüglich eines Teils von einem Bestrahlungsschritt von einem Schuss bzw. einer Aufnahme gemäß der dritten Ausführungsform;
18 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung eines Anordnungszustands zwischen einer logischen Schaltung und einer Blanking- bzw. Austastplatte 204 gemäß der vierten Ausführungsform;
19 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung einer Struktur einer Schreibvorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform;
20 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung einer internen Struktur einer individuellen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung und einer gemeinsamen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung gemäß der fünften Ausführungsform; und
21 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung wesentlicher Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der sechsten Ausführungsform.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
In den folgenden Ausführungsformen wird eine Konfiguration beschrieben, bei der ein Elektronenstrahl als Beispiel eines Ladungsträgerteilchenstrahls verwendet wird. Der Ladungsträgerteilchenstrahl ist jedoch nicht auf den Elektronenstrahl beschränkt, und ein anderer Ladungsträgerteilchenstrahl, wie zum Beispiel ein Ionenstrahl, kann ebenfalls verwendet werden.
In den folgenden Ausführungsformen wird darüber hinaus eine Schreibvorrichtung und ein Verfahren beschrieben, die die Genauigkeit einer Steuerung einer Dosis erhöhen kann, während die Beschränkung bezüglich eines Schaltungsinstallationsraums beibehalten wird.
Erste Ausführungsform
1 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung einer Konfiguration einer Schreibvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform. Bezugnehmend auf 1 enthält eine Schreib-(oder „Zeichnungs-”)Vorrichtung 100 eine Schreibeinheit 150 und eine Steuereinheit 160. Die Schreibvorrichtung 100 ist ein Beispiel einer Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung. Die Schreibeinheit 150 enthält ein Elektronenobjektivgehäuse 102 und eine Schreibkammer 103. In dem Elektronenobjektivgehäuse 102 ist eine Elektronenkanonen-Anordnung 201, eine Beleuchtungslinse bzw. ein Beleuchtungsobjektiv 202, ein Aperturelement 203, eine Blanking- bzw. Austastplatte 204, eine Reduktionslinse bzw. ein Reduktionsobjektiv 205, ein Deflektor 212, ein Begrenzungsaperturelement 206, eine Objektivlinse 207 und ein Deflektor 208 angeordnet. In der Schreibkammer 103 ist ein XY-Objekttisch 105 angeordnet. Auf dem XY-Objekttisch wird ein Zielobjekt oder eine „Probe” 101 platziert, wie zum Beispiel eine Maske, die als Schreibzielsubstrat dient, wenn das Schreiben durchgeführt wird. Das Zielobjekt 101 ist zum Beispiel eine Belichtungsmaske, die zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet wird, oder ein Halbleitersubstrat (Silizium-Wafer), auf dem Elemente ausgebildet werden. Das Zielobjekt 101 kann zum Beispiel eine blanke Maske sein, auf der ein Fotolack bzw. Resist aufgebracht ist und ein Muster noch nicht ausgebildet wurde. Auf dem XY-Objekttisch 105 ist ferner ein Spiegel 210 angeordnet, um eine Position zu messen.
Die Steuereinheit 160 enthält einen Steuercomputer 110, einen Speicher 112, eine Deflektions- bzw. Ablenksteuerschaltung 130, eine logische Schaltung 132, eine Objekttischpositions-Messeinheit 139 und Speichervorrichtungen 140 und 142, wie zum Beispiel Magnetplattenspeicher. Der Steuercomputer 110, der Speicher 112, die Deflektions- bzw. Ablenksteuerschaltung 130, die Objekttischpositions-Messeinheit 139 und die Speichervorrichtungen 140 und 142 sind über einen Bus (nicht gezeigt) miteinander verbunden. Schreibdaten werden von außen in die Speichervorrichtung 140 (Speichereinheit) eingegeben, um darin gespeichert zu werden.
In dem Steuercomputer 110 sind eine Flächendichte-Berechnungseinheit 60, eine Bestrahlungszeit-Berechnungseinheit 62, eine Graustufenwert-Berechnungseinheit 64, eine Bit-Wandlungseinheit 66, eine Schreibsteuereinheit 72 und eine Übertragungsverarbeitungseinheit 68 angeordnet. Jede Funktion, wie zum Beispiel die Flächendichte-Berechnungseinheit 60, die Bestrahlungszeit-Berechnungseinheit 62, die Graustufenwert-Berechnungseinheit 64, die Bit-Wandlungseinheit 66, die Schreibsteuereinheit 72 oder die Übertragungsverarbeitungseinheit 68 können durch Hardware konfiguriert sein, wie zum Beispiel als eine elektronische Schaltung, oder durch Software, wie zum Beispiel ein Programm, das diese Funktionen implementiert. Alternativ können diese durch eine Kombination aus Software und Hardware konfiguriert sein. Daten, die in/aus der Flächendichte-Berechnungseinheit 60, der Bestrahlungszeit-Berechnungseinheit 62, der Graustufenwert-Berechnungseinheit 64, der Bit-Wandlungseinheit 66, der Schreibsteuereinheit 72 und der Übertragungsverarbeitungseinheit 68 ein- bzw. ausgegeben werden, und Daten, die berechnet werden, werden zu jedem Zeitpunkt in dem Speicher 112 gespeichert.
1 zeigt eine Struktur, die zur Erläuterung der ersten Ausführungsform erforderlich ist. Andere Strukturelemente, die im Allgemeinen für die Schreibvorrichtung 100 erforderlich sind, können ebenfalls enthalten sein.
Die 2A und 2B sind konzeptionelle Diagramme, die jeweils ein Beispiel der Konfiguration eines Aperturelements gemäß der ersten Ausführungsform zeigen. In 2A sind Löcher (Öffnungen) 22 bei einem vorbestimmten Anordnungsabstand ausgebildet, in der Form einer Matrix, in dem Aperturelement 203, wobei m × n (m ≥ 2, n ≥ 2) Löcher 22 in m Spalten in der vertikalen Richtung (der y-Richtung) und n Reihen in der horizontalen Richtung (der x-Richtung) angeordnet sind. In der 2A sind zum Beispiel Löcher 22 aus 512 (Reihen) × 8 (Spalten) ausgebildet. Jedes Loch 22 ist ein Viereck der gleichen Dimension und Form. Alternativ kann jedes Loch ein Kreis mit dem gleichen Umfang sein. In diesem Fall ist ein Beispiel gezeigt, bei dem jede Reihe in der x-Richtung von A bis H acht Löcher 2 aufweist. Mehrfachstrahlen 20 werden ausgebildet, indem Teile eines Elektronenstrahls 200 jeweils durch ein entsprechendes Loch einer Vielzahl von Löchern 22 hindurch gelassen wird. Es wird hier der Fall gezeigt, wenn die Löcher 22 in einer Vielzahl von Spalten und Reihen in der x- und der y-Richtung angeordnet sind, dies ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel ist es ebenfalls möglich, eine Vielzahl von Löchern 22 nur in einer Reihe oder nur in einer Spalte anzuordnen, d. h., in einer Reihe, wobei eine Vielzahl von Löchern als Spalten angeordnet sind, oder in einer Spalte, wobei eine Vielzahl von Löchern als Reihen angeordnet sind. Das Verfahren zum Anordnen der Löcher 22 ist darüber hinaus nicht auf den Fall gemäß 2A beschränkt, bei dem Löcher in einem Gitter angeordnet sind. Es ist ebenfalls bevorzugt, die Löcher 22 wie in 2B gezeigt anzuordnen, wobei die Position von jedem Loch in der zweiten Reihe von der Position von jedem Loch in der ersten Reihe beispielsweise um ein Ausmaß „a” in der horizontalen Richtung (x-Richtung) verschoben ist. Gleichermaßen wird ebenfalls bevorzugt, die Löcher 22 derart anzuordnen, dass die Position von jedem Loch in der dritten Reihe von der Position von jedem Loch in der zweiten Reihe um ein Ausmaß „b” in der horizontalen Richtung (x-Richtung) verschoben ist.
3 ist ein konzeptionelles Diagramm zur Darstellung der Konfiguration einer Blanking- bzw. Austastplatte gemäß der ersten Ausführungsform. 4 ist ein konzeptionelles Diagramm einer Draufsicht, welche die Konfiguration einer Blanking- bzw. Austastplatte gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. In der Blanking- bzw. Austastplatte 204 wird ein Durchgangsloch ausgebildet, entsprechend der Anordnungsposition von jedem Loch 22 des Aperturelements 203, und ein Paar von Elektroden 24 und 26 (Blanker bzw. Austaster: Blanking-Deflektor) ist für jedes Durchgangsloch angeordnet. Ein Verstärker 46 zum Anlegen einer Spannung ist jeweils an einer (zum Beispiel der Elektrode 24) der zwei Elektroden 24 und 26 für jeden Strahl angeordnet. Eine logische Schaltung 41 ist unabhängig an dem Verstärker 46 für jeden Strahl angeordnet. Die andere (zum Beispiel die Elektrode 26) der zwei Elektroden 24 und 26 für jeden Strahl ist geerdet. Ein Elektronenstrahl 20, der durch ein entsprechendes Durchgangsloch hindurch tritt, wird jeweils durch die Spannung abgelenkt, die an den zwei Elektroden 24 und 26, bei denen es sich um ein Paar handelt, angelegt ist. Eine Blanking- bzw. Austaststeuerung wird durch diese Ablenkung durchgeführt. Eine Vielzahl von Austastern (engl. Blankers) führen jeweils eine Blanking- bzw. Austastablenkung eines entsprechenden Strahls in den mehreren Strahlen durch, die durch eine Vielzahl von Löchern 22 (Öffnungen) des Aperturelements 203 hindurchgetreten sind.
5 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung der internen Struktur einer individuellen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung und einer gemeinsamen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung gemäß der ersten Ausführungsform. Bezugnehmend auf 5 sind ein Schieberegister 40, ein Register 42 und eine AND-Berechnungseinheit 44 (logische Produktberechnungseinheit) in jeder logischen Schaltung 41 für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung angeordnet, die an der Blanking- bzw. Austastplatte 204 in dem Körper der Schreibvorrichtung 100 angeordnet sind. Die AND-Berechnungseinheit 44 wird zum Beispiel dann verwendet, wenn ein Problem in dem Registerbetrieb auftritt, um alle individuellen Austastungen obligatorisch Strahl-AUS-Zustände zu machen, wobei dies jedoch in der ersten Ausführungsform weggelassen werden kann. Gemäß der ersten Ausführungsform wird ein 1-Bit-Steuersignal für die individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung für jeden Strahl verwendet, der herkömmlich zum Beispiel durch ein 10-Bit-Steuersignal gesteuert wurde. D. h., dass ein 1-Bit-Steuersignal in/aus dem Schieberegister 40, dem Register 42 und der AND-Berechnungseinheit 44 ein-/ausgegeben wird. Da die Informationsgröße eines Steuersignals gering ist, kann eine Installationsfläche der Steuerschaltung gering gehalten werden. Mit anderen Worten können selbst dann, wenn eine logische Schaltung an der Blanking- bzw. Austastplatte 204 angeordnet ist, deren Installationsraum gering ist, mehr Strahlen bei einem geringeren Strahlenabstand angeordnet werden. Dies ermöglicht, dass die Stromgröße, die die Blanking- bzw. Austastplatte passiert, erhöht werden kann, und daher ein Schreibdurchsatz verbessert werden kann.
Darüber hinaus ist für ein gemeinsames Blanking- bzw. Austasten ein Verstärker an dem Deflektor 212 angeordnet, und ein Register 50 und ein Zähler 52 (ein Beispiel einer Schusszeit-Steuereinheit) sind an der logischen Schaltung 132 angeordnet. Diese führen keine mehrfache unterschiedliche Steuerung zum gleichen Zeitpunkt durch und daher ist es ausreichend, eine Schaltung zu verwenden, um eine AN/AUS-Steuerung durchzuführen. Selbst dann, wenn eine Schaltung für eine Hochgeschwindigkeitsantwort angeordnet wird, tritt folglich kein Problem bezüglich der Beschränkung des Installationsraums und des Stroms auf, der in der Schaltung verwendet wird. Dieser Verstärker wird daher bei einer sehr großen Geschwindigkeit betrieben, verglichen mit einem Verstärker, der an einer Blanking- bzw. Austastapertur realisierbar ist. Dieser Verstärker wird zum Beispiel durch ein 10-Bit-Steuersignal gesteuert. D. h., dass zum Beispiel ein 10-Bit-Steuersignal in/aus dem Register 50 und dem Zähler 52 ein-/ausgegeben werden.
Gemäß der ersten Ausführungsform wird eine Blanking- bzw. Austaststeuerung für jeden Strahl unter Verwendung sowohl der Strahl-AN/AUS-Steuerung durch jede logische Schaltung 41 für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung, wie oben erläutert, und der Strahl-AN/AUS-Steuerung durch die logische Schaltung 132 für eine gemeinsame Blanking- bzw. Austaststeuerung durchgeführt, die kollektiv alle mehrfachen Strahlen steuert.
6 ist ein Flussdiagramm wesentlicher Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform. In 6 wird eine Reihe von Schritten ausgeführt: ein Musterflächendichte-Berechnungsschritt (S102), eine Schuss- bzw. Aufnahmezeitperiode-(Bestrahlungszeit) T-Berechnungsschritt (S104), ein Graustufenwert-N-Berechnungswert (S106), ein Schritt zum Wandeln in eine Binärzahl (S108), ein Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten-Ausgabeschritt (S110), ein Zielstellen-Datenübertragungsschritt (S112), ein Schreibschritt (S114) auf Grundlage einer Bestrahlungszeit einer Zielstelle, ein Bestimmungsschritt (S120), ein Stellenänderungsschritt (S122) und ein Bestimmungsschritt (S124). Der Schreibschritt (S114) auf Grundlage einer Bestrahlungszeit einer Zielstelle führt, als dessen interne Schritte, eine Reihe von Schritten aus: ein individueller Strahl-AN/AUS-Schaltschritt (S116) und ein gemeinsamer Strahl-AN/AUS-Schaltschritt (S118).
In dem Musterflächendichte-Berechnungsschritt (S102) liest die Flächendichte-Berechnungseinheit 60 Schreibdaten aus der Speichervorrichtung 140 und berechnet die Flächendichte eines Musters, angeordnet in dem Schreibbereich des Zielobjekts 101 oder in jedem Gitterbereich einer Vielzahl von Gitterbereichen, die ausgebildet werden durch ein virtuelles Unterteilen eines Chip-Bereichs, der in Gittern zu schreiben ist. Der Schreibbereich des Zielobjekts 101 oder eines Chip-Bereichs, der zu schreiben ist, wird zum Beispiel in streifenförmige Streifenbereiche unterteilt, die jeweils eine vorbestimmte Breite aufweisen. Jeder Streifenbereich wird dann virtuelle in eine Vielzahl von Gitterbereichen unterteilt, die oben erläutert sind. Es wird bevorzugt, dass die Größe jedes Gitterbereichs zum Beispiel eine Strahlengröße oder geringer als eine Strahlengröße ist. Die Größe eines Gitterbereichs ist zum Beispiel bevorzugt ca. 10 mm. Die Flächendichte-Berechnungseinheit 60 liest entsprechende Schreibdaten aus der Speichervorrichtung 140 für jeden Streifenbereich, und weist eine Vielzahl von Figurenmustern zu, die zum Beispiel in den Schreibdaten für einen Gitterbereich definiert sind. Die Flächendichte eines Figurenmusters, das in jedem Gitterbereich angeordnet ist, ist dann zu berechnen.
In dem Schuss- bzw. Aufnahmezeitperioden-(Bestrahlungszeit) T-Berechnungsschritt (S104), berechnet die Bestrahlungszeit-Berechnungseinheit 62 eine Bestrahlungszeit T (die im Folgenden auch als eine Schuss- bzw. Aufnahmezeitperiode oder eine Belichtungszeit bezeichnet wird) des Elektronenstrahls pro Schuss bzw. pro Aufnahme, für jeden Gitterbereich mit vorbestimmter Größe. Wenn ein Mehrfachdurchgangsschreiben durchgeführt wird, ist eine Bestrahlungszeit T des Elektronenstrahls pro Schuss bzw. pro Aufnahme in jeder Hierarchie (oder „jedem Schreibprozess”) des Mehrfachdurchgangsscheibens zu berechnen. Es wird bevorzugt, eine Bestrahlungszeit T, die eine Referenz ist, proportional zur Flächendichte eines berechneten Musters zu erhalten. Darüber hinaus ist bevorzugt, dass die Bestrahlungszeit T, die am Schluss berechnet wird, ein zeitliches Äquivalent zu einer Dosis nach Korrektur ist, d. h., eine Dosis, die bezüglich einer dimensionalen Änderungsgröße für ein Phänomen korrigiert wurde, das dimensionale Variationen verursacht, wie zum Beispiel ein Naheffekt (engl. Proximity Effect), ein Fogging-Effekt oder ein nicht gezeigter Ladungseffekt. Die Größe einer Vielzahl von Unterbereichen zum Definieren der Bestrahlungszeit T und die Größe einer Vielzahl von Gitterbereichen, in denen eine Musterflächendichte definiert ist, kann die gleiche Größe oder unterschiedliche Größen aufweisen. Wenn diese unterschiedliche Größen sind, ist jede Bestrahlungszeit T nach einer Interpolation einer Flächendichte durch eine lineare Interpolation usw. zu berechnen. Die Bestrahlungszeit T für jeden Gitterbereich ist in einer Bestrahlungszeit-Abbildung definiert, und die Bestrahlungszeit-Abbildung ist zum Beispiel in der Speichervorrichtung 142 gespeichert.
In dem Graustufenwert-N-Berechnungsschritt (S106), berechnet die Graustufenwert-Berechnungseinheit 64 einen Graustufenwert N, bei dem es sich um eine ganze Zahl handelt, zum Zeitpunkt der Definierung der Bestrahlungszeit T für jeden Gitterbereich, definiert in der Bestrahlungszeit-Abbildung, unter Verwendung einer vorbestimmten Quantisierungseinheit Δ. Die Bestrahlungszeit T wird durch die folgende Gleichung (1) definiert. T = ΔN (1)
Der Graustufenwert N ist daher als ein ganzzahliger Wert definiert, der durch Division der Bestrahlungszeit durch eine Quantisierungseinheit Δ erhalten wird. Die Quantisierungseinheit Δ kann verschiedenartig eingestellt sein, und diese kann zum Beispiel durch eine ns (Nanosekunde) definiert sein, usw. Es wird bevorzugt, dass ein Wert von 1 bis 10 ns zum Beispiel als die Quantisierungseinheit Δ verwendet wird. Δ zeigt eine Quantisierungseinheit zum Steuern an, wie zum Beispiel eine Taktperiode, im Fall der Durchführung der Steuerung durch einen Zähler.
Bei dem Schritt zum Wandeln in eine binäre Zahl (S108) wandelt die Bit-Wandlungseinheit 66, für jeden Schuss bzw. jede Aufnahme, die Bestrahlungszeit (in diesem Fall, einen Graustufenwert N) von jedem von mehrfachen Strahlen in einen vorbestimmten n-stelligen binären Wert um. Wenn zum Beispiel N = 50 ist, wird dies zu „0000110010”, da dies gleich 50 = 2¹ + 2⁴ + 2⁵ ist, wenn in einen 10-stelligen Wert gewandelt wird. Wenn N = 500 ist, ist dies zum Beispiel „0111110100”. Wenn N = 700 ist, ist dies zum Beispiel „1010111100”. Wenn N = 1023 ist, ist dies zum Beispiel „1111111111”. Für jeden Schuss bzw. jede Aufnahme ist die Bestrahlungszeit von jedem Strahl äquivalent zu einer Bestrahlungszeit, die für jeden Gitterbereich definiert ist, der durch jeden diesbezüglichen Strahl zu bestrahlen ist. Die Bestrahlungszeit T ist daher durch die folgende Gleichung (2) definiert.
a_k zeigt einen Wert (1 oder 0) von jeder Stelle in dem Fall an, dass der Graustufenwert N durch eine Binärzahl definiert ist. Obwohl es für n, wobei es sich um die Anzahl von Stellen handelt, ausreichend ist, zwei oder mehr zu sein, sollte dies bevorzugt vier oder mehr Stellen aufweisen, und es wird noch mehr bevorzugt, dass diese acht oder mehr Stellen aufweist.
Gemäß der ersten Ausführungsform wird, für jeden Strahlenschuss bzw. jede Strahlenaufnahme, eine Bestrahlung von jedem diesbezüglichen Strahlenschuss in eine n-fache Bestrahlung unterteilt, wobei n die Anzahl von Stellen einer Binärzahlsequenz anzeigt, wobei die n-fache Bestrahlung äquivalent zu einer Kombination von Bestrahlungen der Bestrahlungszeitperioden der Stellen ist, die jeweils eine Bestrahlungszeitperiode anzeigen, die durch eine Dezimalzahl definiert ist, die aus einer Binärzahl einer entsprechenden Stelle der n-stelligen Binärzahl gewandelt wurde, die gewandelt wurde. Mit anderen Worten wird ein Schuss bzw. eine Aufnahme in eine Vielzahl von Bestrahlungsschritten der Bestrahlungszeitperioden von Δa₀2⁰, Δa₁2¹, ..., Δa_k2^k, ..., Δa_n-12^n-1 unterteilt. Im Fall von n, wobei die Anzahl von Stellen 10 ist, d. h. n = 10, wird ein Schuss bzw. eine Aufnahme in 10 Strahlungsschritte unterteilt.
Wenn zum Beispiel im Fall von n, wobei die Anzahl von Stellen 10 ist, d. h. n = 10, N = 700 ist, ist die Bestrahlungszeit der zehnten Stelle (das zehnte Bit) gleich Δ × 512. Die Bestrahlungszeit der neunten Stelle (das neunte Bit) ist Δ × 0 = 0. Die Bestrahlungszeit der achten Stelle (das achte Bit) ist Δ × 128. Die Bestrahlungszeit der siebenten Stelle (das siebente Bit) ist Δ × 0 = 0. Die Bestrahlungszeit der sechsten Stelle (das sechste Bit) ist Δ × 32. Die Bestrahlungszeit der fünften Stelle (das fünfte Bit) ist Δ × 16. Die Bestrahlungszeit der vierten Stelle (das vierte Bit) ist Δ × 8. Die Bestrahlungszeit der dritten Stelle (das dritte Bit) ist Δ × 4. Die Bestrahlungszeit der zweiten Stelle (das zweite Bit) ist Δ × 0 = 0. Die Bestrahlungszeit der ersten Stelle (das erste Bit) ist Δ × 0 = 0.
Wenn zum Beispiel im Fall der Durchführung der Bestrahlung in einer Reihenfolge von der größten Stelle Δ = 1 ns ist, ist der erste Bestrahlungsschritt eine 512 ns (Strahl-AN) Bestrahlung. Der zweite Bestrahlungsschritt ist eine 0 ns (Strahl-AUS) Bestrahlung. Der dritte Bestrahlungsschritt ist eine 1 zu 8 ns (Strahl-AN) Bestrahlung. Der vierte Bestrahlungsschritt ist eine 0 ns (Strahl-AUS) Bestrahlung. Der fünfte Bestrahlungsschritt ist eine 32 ns (Strahl-AN) Bestrahlung. Der sechste Bestrahlungsschritt ist eine 16 ns (Strahl-AN) Bestrahlung. Der siebente Bestrahlungsschritt ist eine 8 ns (Strahl-AN) Bestrahlung. Der achte Bestrahlungsschritt ist eine 4 ns (Strahl-AN) Bestrahlung. Der neunte Bestrahlungsschritt ist eine 0 ns (Strahl-AUS) Bestrahlung. Der zehnte Bestrahlungsschritt ist eine 0 ns (Strahl-AUS) Bestrahlung.
Wie oben erläutert, wird, gemäß der ersten Ausführungsform, für jeden Strahlenschuss bzw. jede Strahlenaufnahme eine Bestrahlung von jedem diesbezüglichen Strahlenschuss in eine n-fache Bestrahlung unterteilt, wobei n die Anzahl von Stellen einer Binärzahlsequenz anzeigt, wobei die n-fache Bestrahlung äquivalent zu einer Kombination von jeder Stelle ist, die eine Bestrahlungszeit anzeigt, die durch eine Dezimalzahl definiert wird, die von der gewandelten Binärzahl von jeder Stelle der n-stelligen Binärzahl gewandelt wird. Wie später erläutert, wird das Zielobjekt 101 dann in einer Reihenfolge bestrahlt, durch einen Strahl einer Bestrahlungszeit entsprechend jeder Stelle.
In dem Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten-Ausgabeschritt (S110) gibt die Übertragungsverarbeitungseinheit 68 Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten, die in Binärdaten gewandelt wurden, an die Deflektionssteuerschaltung 130 für jeden Strahlenschuss aus.
In dem Zielstellen-Datenübertragungsschritt (S112) gibt die Deflektionssteuerschaltung 130, für jeden Schuss bzw. jede Aufnahme Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten an die logische Schaltung 41 für jeden Strahl aus. Synchron damit gibt die Deflektionssteuerschaltung 130 darüber hinaus Zeitsteuerdaten eines Bestrahlungsschritts an die logische Schaltung 132 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten aus.
7 zeigt ein Beispiel eines Teils von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten gemäß der ersten Ausführungsform. Bezugnehmend auf 7 wird zum Beispiel ein Teil von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten eines vorbestimmten Schusses von Strahlen 1 bis 5 in den mehrfachen Strahlen gezeigt. Das Beispiel der 7 zeigt Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten des k-ten Bit-(k-te Stelle)Bestrahlungsschritts bis zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-ten Stelle) Bestrahlungsschritts der Strahlen 1 bis 5. In dem Beispiel der 7 wird bezüglich Strahl 1 die Daten „1101” für die Bestrahlungsschritte von dem k-ten Bit (k-te Stelle) zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-ten Stelle) beschrieben. Bezüglich des Strahls 2 werden Daten „1100” für die Bestrahlungsschritte von dem k-ten Bit (k-te Stelle) zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-te Stelle) beschrieben. Bezüglich des Strahls 3 werden Daten „0110” für die Bestrahlungsschritte von dem k-ten Bit (k-te Stelle) zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-te Stelle) beschrieben. Bezüglich des Strahls 4 werden Daten „0111” für die Bestrahlungsschritte von dem k-ten Bit (k-te Stelle) zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-te Stelle) beschrieben. Bezüglich des Strahls 5 werden Daten „1011” für die Bestrahlungsschritte von dem k-ten Bit (k-te Stelle) zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-te Stelle) beschrieben.
Da gemäß der ersten Ausführungsform, wie in 5 gezeigt, das Schieberegister 40 für die logische Schaltung 41 verwendet wird, überträgt die Deflektionssteuerschaltung 130 Daten des gleichen Bits (der gleichen Anzahl von Stellen) an jede logische Schaltung 41 der Blanking- bzw. Austastplatte 204 in der Reihenfolge der Strahlenanordnung (oder in der Reihenfolge einer Identifikationsnummer). Darüber hinaus werden ein Taktsignal (CLK 1) zur Synchronisation, ein Lesesignal (read) zur Datenauslese, und ein Gate-Signal (BLK) ausgegeben. Bezüglich der Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) der Strahlen 1 bis 5 werden in dem Beispiel gemäß 7 alle 1-Bit-Daten von „10011” von dem hinteren Strahl übertragen. Das Schieberegister 40 von jedem Strahl überträgt Daten an das nächste Schieberegister 40 in einer Reihenfolge von oben, auf Grundlage eines Taktsignals (CLK 1). Bezüglich der Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) der Strahlen 1 bis 5 wird zum Beispiel, auf Grundlage eines fünfmaligen Taktsignals eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Schieberegister 40 des Strahls 1 gespeichert. Eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 2 gespeichert. Eine „0”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 3 gespeichert. Eine „0”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 4 gespeichert. Eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister des Strahls 5 gespeichert.
Ansprechend auf eine Eingabe eines Lesesignals (read) liest als nächstes das Register 42 von jedem Strahl die Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) von jedem Strahl aus dem Schieberegister 40. In dem Beispiel der 7 wird, als Daten des k-ten Bits (k-te Stelle), eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Register 42 des Strahls 1 gespeichert. Als Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) wird eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Register 42 des Strahls 2 gespeichert. Als Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) wird eine „0”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Register 42 des Strahls 3 gespeichert. Als Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) wird eine „0”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Register 42 des Strahls 4 gespeichert. Als Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) wird eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Register 42 des Strahls 5 gespeichert. Wenn die Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) eingegeben werden, gibt das individuelle Register 42 von jedem Strahl, auf Grundlage der Daten, ein AN/AUS-Signal an die AND-Berechnungseinheit 44 aus. Wenn die Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) gleich „1” ist, wird ein AN-Signal ausgegeben, und wenn diese gleich „0” sind, wird ein AUS-Signal ausgegeben. Wenn dann das BLK-Signal ein AN-Signal ist, und das Signal des Registers 42 AN ist, gibt die AND-Berechnungseinheit 44 ein AN-Signal an den Verstärker 46 aus, und der Verstärker 46 legt eine AN-Spannung an der Elektrode 24 des individuellen Blanking- bzw. Austastdeflektors an. In einem anderen als dem obigen Fall gibt die AND-Berechnungseinheit 44 ein AUS-Signal an den Verstärker 46 aus, und der Verstärker 46 legt eine AUS-Spannung an der Elektrode 24 des individuellen Blanking- bzw. Austastdeflektors an.
Während die Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) verarbeitet werden, überträgt die Deflektionssteuerschaltung 130 die Daten des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) an jede logische Schaltung 41 der Blanking- bzw. Austastplatte 204, in der Reihenfolge der Strahlenanordnung (oder in der Reihenfolge einer Identifikationsnummer). In dem Beispiel in der 7 werden als Daten des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) der Strahlen 1 bis 5 alle 1-Bit-Daten von „01111” von dem hinteren Strahl übertragen. Das Schieberegister 40 von jedem Strahl überträgt die Daten an das nächste Schieberegister 40 in einer Reihenfolge von oben, auf Grundlage eines Taktsignals (CLK 1). Bezüglich der Daten des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) der Strahlen 1 bis 5 wird zum Beispiel auf Grundlage von fünfmaligen Taktsignalen eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, in dem Schieberegister 40 des Strahls 1 gespeichert. Eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 2 gespeichert. Eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 3 gespeichert. Eine „1”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 4 gespeichert. Eine „0”, wobei es sich um 1-Bit-Daten handelt, wird in dem Schieberegister 40 des Strahls 5 gespeichert. Auf Grundlage des ausgelesenen Signals des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) liest das Register 42 von jedem Strahl Daten des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) von jedem Strahl, aus dem Schieberegister 40. Gleichermaßen sollte diese zur Datenverarbeitung des ersten Bits (der ersten Stelle) gehen.
Die AND-Berechnungseinheit 44, die in 5 gezeigt ist, kann weggelassen werden. Diese ist jedoch darin effektiv, dass ein Strahl durch die AND-Berechnungseinheit 44 als AUS gesteuert werden kann, im Fall, dass der Strahl nicht AUS gemacht werden kann, auf Grundlage eines Problems von Elementen der logischen Schaltung 41. Obwohl ein Datenübertragungskanal für ein Bit in 5 verwendet wird, wobei die Schieberegister in Reihe angeordnet sind, ist es ebenso effektiv, eine Vielzahl paralleler Übertragungskanäle bereitzustellen, um die Geschwindigkeit der Übertragung zu verbessern.
In dem Schreibschritt (S114) basierend auf einer Bestrahlungszeit einer Zielstelle wird, für jeden Strahlenschuss bzw. jede Strahlenaufnahme, ein Schreiben auf Grundlage der Bestrahlungszeit einer Zielstelle durchgeführt (zum Beispiel, dem k-ten Bit (k-te Stelle)), die erhalten wird durch Teilen der Bestrahlung in eine Vielzahl von Bestrahlungsschritten.
8 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung eines Strahl-AN/AUS-Schaltbetriebs bezüglich einem Teil eines Bestrahlungsschritts von einer Aufnahme bzw. einem Schuss gemäß der ersten Ausführungsform. 8 zeigt einen Strahl (Strahl 1) in mehreren Strahlen. In dem Beispiel der 7 werden die Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten des k-ten Bits (k-te Stelle) zu dem (k – 3)-ten Bit ((k – 3)-te Stelle) durch „1101” wiedergegeben. Ansprechend auf eine Eingabe eines Lesesignals des k-ten Bits (der k-ten Stelle), gibt das individuelle Register 42 (individuelles Register 1) ein AN/AUS-Signal aus, basierend auf den gespeicherten Daten des k-ten Bits (der k-ten Stelle). Bezugnehmend auf 8 wird ein AN-Signal ausgegeben. Da gemäß der ersten Ausführungsform dies der Fall eines 1-Bit-Signals ist, wird bezüglich des individuellen Registers 42 eine Datenausgabe beibehalten, bis das nächste (k – 1)-te Bit ((k – 1)-te Stelle) Daten gelesen werden.
Da die Daten des k-ten Bits (k-te Stelle) Daten sind, die AN anzeigen, gibt der individuelle Verstärker 46 (individuelle Verstärker 1) eine AN-Spannung aus, die für den Strahl 1 an der Blanking- bzw. Austastelektrode 24 angelegt wird. In der logischen Schaltung 132 für ein gemeinsames Blanking bzw. ein gemeinsames Austasten wird andererseits AN oder AUS in Abhängigkeit von Zeitsteuerdaten von 10 Bits für jeden Bestrahlungsschritt geschaltet. In dem gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystem wird ein AN-Signal während der Bestrahlungszeit von jedem Strahlungsschritt ausgegeben. Wenn zum Beispiel Δ = 1 ns ist, ist die Bestrahlungszeit des ersten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die zehnte Stelle (das zehnte Bit)) gleich Δ × 512 = 512 ns. Die Bestrahlungszeit des zweiten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die neunte Stelle (das neunte Bit)) ist Δ × 256 = 256 ns. Die Bestrahlungszeit des dritten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die achte Stelle (das achte Bit)) ist Δ × 128 = 128 ns. Gleichermaßen wird ein AN-Signal während der Bestrahlungszeit von jeder Stelle (jedem Bit) danach ausgegeben. Wenn in der logischen Schaltung 132 Zeitsteuerdaten von jedem Bestrahlungsschritt in das Register 50 eingegeben werden, gibt das Register 50 Daten aus, die AN der k-ten Stelle (k-te Bit) anzeigen, der Zähler 52 zählt die Bestrahlungszeit der k-ten Stelle (k-te Bit), und ein Steuern wird durchgeführt, so dass nach Ablauf der Bestrahlungszeit ein AUS vorliegt.
Verglichen mit dem AN/AUS-Schalten des individuellen Blanking- bzw. Austastsystems wird in dem gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystem ein AN/AUS-Schalten durchgeführt, nachdem die Spannungsstabilisierungszeit (Feststellzeit) S1/S2 des Verstärkers 46 abgelaufen ist. In dem Beispiel der 8 wird der gemeinsame Verstärker zu AN, nachdem der individuelle Verstärker 1 zu AN geworden ist, und die Feststellzeit 51 des individuellen Verstärkers 1 zum Zeitpunkt des Schaltens von AUS zu AN abgelaufen ist. Dadurch kann eine Strahlenbestrahlung bei einer instabilen Spannung zum Zeitpunkt des Anstiegs des individuellen Verstärkers 1 eliminiert werden. Der gemeinsame Verstärker wird dann zu AUS, wenn die Bestrahlungszeit der k-ten Stelle (k-te Bit) abgelaufen ist. Wenn sowohl der individuelle Verstärker als auch der gemeinsame Verstärker AN sind, wird folglich ein tatsächlicher Strahl zu AN und bestrahlt das Zielobjekt 101. Daher wird eine Steuerung durchgeführt, so dass die AN-Zeit des gemeinsamen Verstärkers zu der Bestrahlungszeit des tatsächlichen Strahls wird. Mit anderen Worten bestimmt das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem die Bestrahlungszeit. D. h., dass dieses derart gesteuert wird, dass der gemeinsame Verstärker und der Deflektor 212 die Bestrahlungszeit unter Verwendung des Zählers 52 (Bestrahlungszeit-Steuereinheit) bestimmen. Wenn andererseits der gemeinsame Verstärker AN wird, wenn der individuelle Verstärker 1 gleich AUS ist, wird der gemeinsame Verstärker zu AN, nachdem der individuelle Verstärker 1 zu AUS wird und die Feststellezeit S2 des individuellen Verstärkers 1 zum Zeitpunkt des Schaltens von AN zu AUS abgelaufen ist. Dadurch kann eine Strahlenbestrahlung bei einer nicht stabilen Spannung zum Zeitpunkt des Abfalls des individuellen Verstärkers 1 eliminiert werden. Wenn, wie in 8 erläutert, der Betrieb des individuellen Verstärkers startet, nachdem der gemeinsame Verstärker ausgeschaltet wurde, kann ein nicht stabiler Betrieb eliminiert werden und es kann eine genaue Strahlenbestrahlung ausgeführt werden.
In dem individuellen Strahl-AN/AUS-Schaltschritt (S116) wird, wie oben erläutert, eine Strahl-AN/AUS-Steuerung individuell für einen entsprechenden Strahl in mehreren Strahlen durch eine Vielzahl individueller Blanking- bzw. Austastsysteme (Blanking-Platte 204 usw.) durchgeführt, und für jeden Strahl, bezüglich einem Bestrahlungsschritt (Bestrahlung) der k-ten Stelle (k-tes Bit), wird ein Strahl-AN/AUS-Schalten durch das individuelle Blanking- bzw. Austastsystem für den entsprechenden Strahl durchgeführt. Da in dem Beispiel der 8 der Strahl nicht in dem AUS-Zustand in dem Bestrahlungsschritt der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit) ist, wird ein Schalten von AN zu AUS nicht durchgeführt. Wenn der Strahl jedoch zum Beispiel in dem AUS-Zustand in dem Bestrahlungsschritt der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit) ist, wird verstanden, dass ein Schalten von AN zu AUS durchgeführt wird.
In dem gemeinsamen Strahl-AN/AUS-Schaltschritt (S118) wird, bezüglich dem Bestrahlungsschritt (Bestrahlung) der k-ten Stelle (k-tes Bit), zusätzlich zur Durchführung eines Strahl-AN/AUS-Schaltens für jeden Strahl durch das individuelle Blanking- bzw. Austastsystem, ein Strahl-AN/AUS-Steuern kollektiv durch das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem (die logische Schaltung 132, der Deflektor 212 usw.) für die Gesamtheit der mehrfachen Strahlen durchgeführt, und eine Blanking- bzw. Austaststeuerung wird derart durchgeführt, dass der Strahl während der Bestrahlungszeit entsprechend dem Bestrahlungsschritt (der Bestrahlung) der k-ten Stelle (k-tes Bit) in dem AN-Zustand sein kann.
Da, wie oben erläutert, es eine Beschränkung bezüglich der Installationsfläche der Schaltung und des in der Schaltung zu verwendenden Stroms in der Blanking- bzw. Austastplatte 204 gibt, wird eine einfache Verstärkerschaltung verwendet. Dies ist daher darüber hinaus bei der Reduzierung der Feststellzeit des individuellen Verstärkers beschränkt. In dem gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystem kann, im Gegensatz dazu, eine hochpräzise Verstärkerschaltung ausreichender Größe, Strom, und Maßstab außerhalb des Linsen- bzw. Objektivgehäuses installiert werden. Die Feststellzeit des gemeinsamen Verstärkers kann daher verkürzt werden. Gemäß der ersten Ausführungsform ist es somit möglich, eine Spannungsinstabilitätszeit und eine Rauschkomponente zu eliminieren, die ein Übersprechen (engl. Cross Talk) des individuellen Verstärkers an der Blanking- bzw. Austastplatte enthält, und einen Blanking- bzw. Austastbetrieb auf Grundlage einer hochpräzisen Bestrahlungszeit durchzuführen, indem, nachdem der Strahl durch das individuelle Blanking- bzw. Austastsystem in den AN-Zustand gelangt (oder nachdem ein Lesesignal einer Zielstelle ausgegeben wird), der Strahl durch das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem AN gelassen wird, nachdem die Feststellzeit abgelaufen ist.
In dem Bestimmungsschritt (S120) bestimmt die Schreibsteuereinheit 72, ob eine Übertragung von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten bezüglich aller Stellen abgeschlossen ist oder nicht. Wenn diese noch nicht abgeschlossen ist, geht diese zu dem Stellenänderungsschritt (S122). Wenn diese abgeschlossen ist, geht diese zu dem Schritt (S124).
In dem Stellenänderungsschritt (S122) ändert die Schreibsteuereinheit 72 ein Ziel-Bit (Stelle). Die Zielstelle wird zum Beispiel zu der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit) von der k-ten Stelle (k-tes Bit) geändert. Diese kehrt dann zu dem Zielstellen-Datenübertragungsschritt (S112) zurück. Bezüglich der Verarbeitung der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit), werden der Zielstellen-Datenübertragungsschritt (S112) bis zu dem Zieländerungsschritt (S122) ausgeführt. Dies wird dann gleichermaßen wiederholt, bis eine Verarbeitung von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten bezüglich aller Stellen in dem Bestimmungsschritt (S120) abgeschlossen ist.
In dem Beispiel der 8 wird, nachdem die Strahl-AN-Zeit für den Bestrahlungsschritt der k-ten Stelle (k-tes Bit) abgelaufen ist, ein Lesesignal der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit in das Register 42 eingegeben. In dem Register 42 wird bezüglich dem Strahl 1, da Daten der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit) gleich „1” ist, die Ausgabe eines AN-Signals fortgesetzt. Die Ausgabe des individuellen Verstärkers 1 wird daher zu AN, und eine AN-Spannung wird an der Elektrode 24 für ein individuelles Blanking bzw. Austasten angelegt. Nachdem die Feststellzeit des individuellen Verstärkers 1 abgelaufen ist, wird der Strahl gleichermaßen durch das gemeinsame Blanking bzw. Austastsystem zu AN gemacht. Nachdem die Bestrahlungszeit der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit) abgelaufen ist, wird dann der Strahl durch das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem zu AUS gemacht.
Nachdem die Strahl-AN-Zeit für den Bestrahlungsschritt der (k – 1)-ten Stelle ((k – 1)-tes Bit) abgelaufen ist, wird als nächstes ein Lesesignal der (k – 2)-te Stelle ((k – 2)-ten Bit) in das Register 42 eingegeben. In dem Register 42 wird bezüglich des Strahls 1, da die Daten der (k – 2)-ten Stelle ((k – 2)-tes Bit) gleich „0” ist, dieses geschaltet, um ein AUS-Signal auszugeben. Die Ausgabe des individuellen Verstärkers 1 wird somit zu AUS, und eine AUS-Spannung wird an der Elektrode 24 für ein individuelles Blanking bzw. Austasten angelegt. Nachdem die Feststellzeit des individuellen Verstärkers 1 abgelaufen ist, wird der Strahl durch das gemeinsame Blankingsystem gleichermaßen zu AN gemacht. Da die Ausgabe des individuellen Verstärkers 1 jedoch AUS ist, wird der Strahl 1 folglich zu AUS gemacht. Nachdem die Bestrahlungszeit der (k – 2)-ten Stelle ((k – 2)-ten Bit) abgelaufen ist, wird der Strahl dann durch das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem zu AUS gemacht.
Nachdem die Strahl-AN-Zeit für den Bestrahlungsschritt der (k – 2)-ten Stelle ((k – 2)ten Bit) abgelaufen ist, wird im Folgenden ein Lesesignal der (k – 3)-ten Stelle ((k – 3)-ten Bit) in das Register 42 eingegeben. In dem Register 42 wird bezüglich des Strahls 1, da die Daten der (k – 3)-ten Stelle ((k – 3)ten Bit) gleich „1” ist, dieses geschaltet, um ein AN-Signal auszugeben. Die Ausgabe des individuellen Verstärkers 1 wird daher zu AN und eine AN-Spannung wird an der Elektrode 24 für ein individuelles Blanking bzw. Austasten angelegt. Nachdem die Feststellzeit des individuellen Verstärkers 1 abgelaufen ist, wird der Strahl gleichermaßen durch das gemeinsame Blankingsystem zu AN gemacht. Da die Ausgabe des individuellen Verstärkers 1 zu diesem Zeitpunkt AN ist, wird der Strahl 1 folglich zu AN gemacht. Nachdem die Bestrahlungszeit der (k – 3)-ten Stelle ((k – 3)ten Bit) abgelaufen ist, wird der Strahl dann durch das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem zu AUS gemacht.
Für jeden Strahl in einer Vielzahl von Strahlen wird, wie oben erläutert, ein Strahl-AN/Aus-Schalten durch das individuelle Blankingsystem für den betreffenden Strahl durchgeführt, bezüglich jeder Bestrahlungszeit einer durchgeführten Bestrahlung, wobei die Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist (durchgeführte Bestrahlungsschritte, wobei die Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist), unter Verwendung einer Vielzahl individueller Blanking- bzw. Austastsysteme, die jeweils eine Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahls in der Vielzahl von Strahlen durchführt. Bezüglich jeder Bestrahlungszeit einer durchgeführten Bestrahlung, wobei die Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist (durchgeführte Bestrahlungsschritte, wobei die Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist), wird simultan, zusätzlich zur Durchführung des Strahl-AN/AUS-Schaltens für jeden Strahl durch das individuelle Blanking- bzw. Austastsystem, eine Blanking- bzw. Austaststeuerung durchgeführt, so dass der Zustand des Strahl während der Bestrahlungszeit entsprechend der Bestrahlung der betreffenden Stelle AN sein kann, unter Verwendung des gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystems, das kollektiv eine Strahl-AN/AUS-Steuerung für die Gesamtheit der mehrfachen Strahlen durchführt. Durch den Schaltbetrieb des individuellen Blankingsystems und des gemeinsamen Blankingsystems bestrahlt ein Strahl der Bestrahlungszeit, die jeweils jeder Stelle entspricht, das Zielobjekt 101 in einer Reihenfolge.
Der Elektronenstrahl 200, der von der Elektronenkanonenanordnung 201 (Emissionseinheit) emittiert wird, beleuchtet die Gesamtheit des Aperturelements 203 fast senkrecht durch die Beleuchtungslinse 202. Eine Vielzahl von Löchern (Öffnungen), die jeweils ein Viereck sind, sind in dem Aperturelement 203 ausgebildet. Der Bereich einschließlich der Vielzahl von Löchern wird mit dem Elektronenstrahl 200 bestrahlt. Eine Vielzahl von viereckigen Elektronenstrahlen (mehrfache Strahlen) 20a bis 20e werden zum Beispiel ausgebildet, indem Teile des Elektronenstrahls 200, der die Positionen einer Vielzahl von Löchern bestrahlt, durch ein entsprechendes Loch der Vielzahl von Löchern des Aperturelements 203 hindurchgelassen wird. Die mehrfachen Strahlen 20a bis 20e gehen jeweils durch einen entsprechenden Blanker bzw. Austaster (der erste Deflektor: individuelle Blanking- bzw. Austastsystem) der Blanking- bzw. Austastplatte 204 hindurch. Jeder Blanker bzw. Austaster lenkt (führt eine Blanking- bzw. Austastablenkung) den Elektronenstrahl 20, der individuell hindurchtritt, jeweils ab.
9 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung eines Blanking- bzw. Austastbetriebs gemäß der ersten Ausführungsform. Die mehrfachen Strahlen 20a, 20b, ..., 20e, die durch die Blanking- bzw. Austastplatte 204 hindurchgetreten sind, werden durch die Reduktionslinse 205 reduziert, und gehen in Richtung des Lochs am Zentrum des Begrenzungsaperturelements 206. An dieser Stelle weist der Elektronenstrahl 20, der durch den Blanker bzw. Austaster der Blankingplatte 204 abgelenkt wurde, von dem Loch des Zentrums des Begrenzungsaperturelements 206 (Blankingaperturelement) ab und wird durch das Begrenzungsaperturelement 206 blockiert. Wenn andererseits der Elektronenstrahl 20, der nicht durch den Blanker bzw. den Austaster der Blankingplatte 204 abgelenkt wurde, nicht durch den Deflektor 212 (gemeinsames Blankingsystem) abgelenkt wurde, geht dieser durch das Loch im Zentrum des Begrenzungsaperturelements 206, wie in 1 gezeigt. Eine Blanking- bzw. Austaststeuerung wird durch eine Kombination aus AN/AUS des individuellen Blanking- bzw. Austastsystems und einem AN/AUS des gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystems durchgeführt, um ein AN/AUS des Strahls zu steuern. Das Begrenzungsaperturelement 206 blockiert somit jeden Strahl, der abgelenkt wurde, so dass dieser einen Strahl-AUS-Zustand durch das individuelle Blankingsystem oder das gemeinsame Blankingsystem einnimmt. Es wird dann ein Strahl eines Bestrahlungsschritts, erhalten durch Unterteilen eines Strahlenschusses bzw. einer Strahlenaufnahme, durch Strahlen ausgebildet, die während der Dauer von einem Strahl-AN-Zustand zu einem Strahl-AUS-Zustand ausgebildet wurden, und durch das Begrenzungsaperturelement 206 hindurchgetreten sind. Die Mehrfachstrahlen 20, die durch das Begrenzungsaperturelement 206 hindurchgetreten sind, werden durch die Objektivlinse 207 fokussiert, um ein Musterbild eines gewünschten Reduzierungsverhältnisses zu sein und jeweilige Strahlen (die Gesamtheit der Mehrfachstrahlen 20), die durch das Begrenzungsaperturelement 206 hindurchgetreten sind, werden kollektiv in die gleiche Richtung durch den Deflektor 208 abgelenkt, um jeweilige Bestrahlungspositionen an dem Zielobjekt 101 zu bestrahlen. Während der XY-Objekttisch 105 sich kontinuierlich bewegt, wird eine Steuerung durch den Deflektor 208 durchgeführt, so dass Bestrahlungspositionen von Strahlen zum Beispiel der Bewegung des XY-Objekttisches 105 folgen können. Idealerweise werden Mehrfachstrahlen 20 zur Bestrahlung zu einem Zeitpunkt in Abständen ausgerichtet, die erhalten werden durch Multiplizieren des Anordnungsabstands einer Vielzahl von Löchern des Aperturelements 203 mit einem oben beschriebenen gewünschten Reduktionsverhältnisses. Die Schreibvorrichtung 100 führt einen Schreibbetrieb durch ein Rasterscan- bzw. Rasterabtastverfahren durch, das kontinuierlich Schuss- bzw. Aufnahmestrahlen in einer Reihenfolge bestrahlt, und beim Schreiben eines gewünschten Musters wird ein erforderlicher Strahl durch eine Blanking- bzw. Austaststeuerung gesteuert, um gemäß dem Muster AN zu sein.
In dem Bestimmungsschritt (S124) bestimmt die Schreibsteuereinheit 72, ob alle Schüsse bzw. Aufnahmen abgeschlossen sind. Wenn alle Schüsse bzw. Aufnahmen abgeschlossen sind, endet dieser. Wenn alle Schüsse noch nicht abgeschlossen sind, kehrt dieser zu dem Graustufenwert-N-Berechnungsschritt (S106) zurück, und die Schritte von dem Graustufenwert-N-Berechnungsschritt (S106) zu dem Bestimmungsschritt (S124) werden wiederholt bis alle Schüsse bzw. Aufnahmen abgeschlossen sind.
10 ist ein konzeptionelles Diagramm zur Erläuterung eines Schreibbetriebs gemäß der ersten Ausführungsform. Wie in 10 gezeigt, wird ein Schreibbereich 30 des Zielobjekts 101 virtuelle in eine Vielzahl von streifenförmigen Streifenbereichen 32 unterteilt, die zum Beispiel jeweils eine vorbestimmte Breite in der y-Richtung aufweisen. Jeder der Streifenbereiche 32 dient als ein Schreibeinheitsbereich. Der XY-Objekttisch 105 wird bewegt und angepasst, so dass ein Bestrahlungsbereich 34, der mit einer einmaligen bzw. einfachen Bestrahlung der Mehrfachstrahlen 20 zu bestrahlen ist, an dem linken Ende des ersten Streifenbereichs 32 lokalisiert ist, oder an einer Position weiter links als das linke Ende, und ein Schreiben wird dann gestartet. Wenn der erste Streifenbereich 32 geschrieben wird, wird das Schreiben zum Beispiel relativ in die x-Richtung fortgesetzt, indem der XY-Objekttisch 105 in die -x-Richtung bewegt wird. Der XY-Objekttisch 105 wird zum Beispiel kontinuierlich bei einer vorbestimmten Geschwindigkeit bewegt. Nach dem Schreiben des ersten Streifenbereichs 32 wird die Objekttischposition in die -y-Richtung bewegt und angepasst, so dass der Bestrahlungsbereich 34 an dem rechten Ende des zweiten Streifenbereichs 32 lokalisiert ist, oder an einer Position weiter rechts als das rechte Ende, und um in der y-Richtung relativ lokalisiert zu sein. Ein Schreiben schreitet dann, gleichermaßen, in die -x-Richtung fort, indem der XY-Objekttisch 105 zum Beispiel in die x-Richtung bewegt wird.
D. h., dass ein Schreiben durchgeführt wird, während die Richtung abwechselnd geändert wird, wie zum Beispiel ein Durchführen eines Schreibens in der x-Richtung in dem dritten Streifenbereich 32 und in der -x-Richtung in dem vierten Streifenbereich 32, und die Schreibzeit kann damit reduziert werden. Der Schreibbetrieb ist jedoch nicht auf den Fall der Durchführung eines Schreibens beschränkt, bei dem die Richtung abwechselnd geändert wird, und es ist ebenso akzeptabel, ein Schreiben in der gleichen Richtung durchzuführen, wenn jeder Streifenbereich 32 geschrieben wird. Durch einen Schuss bzw. eine Aufnahme wird eine Vielzahl von Schuss- bzw. Aufnahmemustern der Anzahl von Löchern 22 zu einem Zeitpunkt ausgebildet, durch mehrfache Strahlen, die durch einen Durchgang durch jeweilige entsprechende Löcher 22 des Aperturelements 203 ausgebildet wurden.
Die 11A bis 11C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung von Beispielen eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform. Die Beispiele der 11A bis 11C zeigen die Fälle, bei denen ein Schreiben in einem Streifen unter Verwendung mehrfacher Strahlen von zum Beispiel 4 × 4 in der x- und y-Richtung durchgeführt wird. Die Beispiele der 11A bis 11C zeigen die Fälle, bei denen ein Streifenbereich zum Beispiel in der y-Richtung durch eine doppelte Breite eines Strahlungsbereichs des gesamten Mehrfachstrahls unterteilt ist. Es wird der Fall gezeigt, bei dem eine Belichtung (Schreiben) von einem Bestrahlungsbereich durch die Gesamtheit der mehrfachen Strahlen durch vierfache Schüsse bzw. Aufnahmen abgeschlossen ist (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten), die durchgeführt werden während die Bestrahlungsposition um ein Gitter in der x-Richtung oder der y-Richtung verschoben wird. Zuerst wird der obere Bereich des Streifenbereichs geschrieben. 11A zeigt den Gitterbereich, der durch den ersten 1-Schuss bestrahlt wird (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten). Wie in 11B gezeigt, wird als nächstes der zweite 1-Schuss (ein Schuss ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position in der y-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Als nächstes wird, wie in 11C gezeigt, der dritte 1-Schuss (ein Schuss ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position in der x-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde.
Die 12A bis 12C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung von Beispielen eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform. Die 12A bis 12C sind Fortsetzungen von 11C. Wie in 12A gezeigt, wird der vierte 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position in der y-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Eine Belichtung (Schreiben) von einem der Bestrahlungsbereiche für die Gesamtheit der Mehrfachstrahlen wird durch diese viermaligen Schüsse bzw. Aufnahmen (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) abgeschlossen. Als nächstes wird der untere Bereich des Streifenbereichs beschrieben. Wie in 12B gezeigt, wird der untere Bereich des Streifenbereichs durch den ersten 1-Schuss bestrahlt (ein Schuss ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten). Als nächstes wird der zweite 1-Schuss (ein Schuss ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position in der y-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Als nächstes wird der dritte 1-Schuss (ein Schuss ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position in der x-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Der vierte 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) wird durchgeführt, während die Position in die y-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Durch die oben erläuterten Betriebsschritte wird ein Schreiben der ersten Reihe in dem Streifenbereich in dem Bestrahlungsbereich von mehrfachen Strahlen abgeschlossen. Wie in 12C gezeigt, wird dann ein Schreiben gleichermaßen für die zweite Reihe des Mehrfachstrahlen-Bestrahlungsbereichs durchgeführt, während die Position in die x-Richtung verschoben wird. Der gesamte Streifenbereich kann durch ein Wiederholen des oben erläuterten Betriebs geschrieben werden.
Die 13A bis 13C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung anderer Beispiele eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform. Die 13A bis 13C zeigen Beispiele, bei denen ein Schreiben in einem Streifen unter Verwendung von 4 × 4 mehrfachen Strahlen in der x- und y-Richtung durchgeführt wird. Die Beispiele der 13A bis 13C zeigen den Fall, bei dem ein Abstand zwischen Strahlen und einem Streifenbereich zum Beispiel in der y-Richtung um eine Größe unterteilt wird, die etwas größer als oder gleich dem Bestrahlungsbereich der Gesamtheit mehrfacher Strahlen ist. Eine Belichtung (Schreiben) von einem Bestrahlungsbereich durch die Gesamtheit mehrfacher Strahlen wird durch 16 Schüsse bzw. Aufnahmen (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) abgeschlossen, die durchgeführt werden, während die Bestrahlungsposition um ein Gitter in der x-Richtung oder der y-Richtung verschoben wird. 13A zeigt den Gitterbereich, der durch den ersten 1-Schuss bestrahlt wird (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten). Wie in 13B gezeigt, werden als nächstes der zweite 1-Schuss, der dritte 1-Schuss und der vierte 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position um ein Gitter, nacheinander, in der y-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Als nächstes wird, wie in 13C gezeigt, der fünfte 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position um ein Gitter in der x-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde. Als nächstes werden der sechste 1-Schuss, der siebente 1-Schuss und der achte 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) durchgeführt, während die Position um ein Gitter, nacheinander, in der y-Richtung zu dem Gitterbereich verschoben wird, der noch nicht bestrahlt wurde.
Die 14A bis 14C sind konzeptionelle Diagramme zur Erläuterung anderer Beispiele eines Schreibbetriebs in einem Streifen gemäß der ersten Ausführungsform. Die 14A bis 14C sind Fortsetzungen von der 13C. Wie in 14A gezeigt, werden der neunte 1-Schuss bis zu dem sechzehnten 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) wiederholt in einer Reihenfolge durchgeführt, vergleichbar zu dem Betrieb der 13A bis 13C. Die Beispiele der 13A bis 13C und 14A bis 14C zeigen zum Beispiel den Fall der Durchführung eines Mehrfachdurchgangsschreibens (Multiplizität = 2). In einem derartigen Fall wird die Bestrahlungsposition in der x-Richtung um circa eine Hälfte der Größe des Bestrahlungsbereichs der Gesamtheit mehrfacher Strahlen verschoben, und wie in 14B gezeigt, wird der erste 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) der zweiten Schicht des Mehrfachdurchgangsschreibens durchgeführt. Wie mit Bezug auf die 13B und 13C erläutert, wird der zweite 1-Schuss bis zu dem achten 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) der zweiten Schicht des Mehrfachdurchgangsschreibens danach hintereinander durchgeführt. Wie in 14C gezeigt, werden der neunte 1-Schuss bis zu dem sechzehnten 1-Schuss (ein Schuss bzw. eine Aufnahme ist eine Gesamtheit einer Vielzahl von Bestrahlungsschritten) wiederholt in einer Reihenfolge durchgeführt, vergleichbar zu dem Betrieb gemäß der 13B bis 13C.
Gemäß der ersten Ausführungsform kann, wie oben erläutert, die Genauigkeit der Bestrahlungszeitsteuerung, und darüber hinaus die Präzision einer Dosissteuerung verbessert werden, während die Beschränkung bezüglich eines Schaltungsinstallationsraums beibehalten wird. da darüber hinaus die Datengröße der logischen Schaltung 41 des individuellen Blanking- bzw. Austastsystems ein Bit ist, kann ein Stromverbrauch unterdrückt werden.
Zweite Ausführungsform
Obwohl die erste Ausführungsform den Fall zeigt, bei dem die Quantisierungseinheit Δ (eine Zählerperiode des gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystems) eindeutig eingestellt ist, ist diese nicht darauf beschränkt. Die zweite Ausführungsform beschreibt den Fall, wenn die Quantisierungseinheit Δ variabel eingestellt ist. Die vorbestimmte Struktur gemäß der zweiten Ausführungsform ist gleich zu der gemäß 1. Das Flussdiagramm, das wesentliche Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt, ist gleich zu dem in 6. Der Inhalt der zweiten Ausführungsform ist gleich zu dem gemäß der ersten Ausführungsform, mit Ausnahme dessen, was insbesondere im Folgenden beschrieben ist.
Die 15A bis 15E sind Zeitdiagramme zum Vergleich der Belichtungswartezeit gemäß der zweiten Ausführungsform. Die 15A zeigt ein Beispiel der Durchführung einer Strahlenbestrahlung oder keinem Durchführen einer Strahlenbestrahlung von jedem Strahl in jedem Bestrahlungsschritt, wenn ein Schuss bzw. eine Aufnahme in n-fache Bestrahlungsschritte unterteilt wird. Im Fall der Unterteilung des Schusses bzw. einer Aufnahme in n-fache Bestrahlungsschritte ist die Bestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme maximal (2ⁿ – 1)Δ. 15A zeigt den Fall von n = 10, als ein Beispiel. In einem derartigen Fall ist die Bestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme maximal 1023 Δ. In 15A ist die Bestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme in zehn Bestrahlungsschritte unterteilt: 1 Δ, 2 Δ, 4 Δ, 8 Δ, 16 Δ, 32 Δ, 64 Δ, 128 Δ, 256 Δ und 512 Δ, die in einer Reihenfolge von der kürzesten Bestrahlungszeit beschrieben werden. In 15A sind Bestrahlungsschritte, deren Bestrahlungszeit länger als 128 Δ ist, nicht gezeigt. In 15A ist der Strahl 1 AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 128 Δ ist, AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 256 Δ ist, und AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 512 Δ ist. Der Strahl 2 ist AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 128 Δ ist, AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 256 Δ ist und AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 512 Δ. Der Strahl 3 ist AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 128 Δ ist, AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 256 Δ ist, und AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 512 Δ ist. Der Strahl 4 AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 128 Δ ist, AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 256 Δ ist, und AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 512 Δ ist. Der Strahl 5 ist AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 128 Δ ist, AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 256 Δ ist, und AUS (keine Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit 512 Δ ist.
15B zeigt ein Beispiel einer Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme von jedem in 15A gezeigten Strahl. 15B zeigt, als ein Vergleichsbeispiel, den Fall, bei dem die Quantisierungseinheit Δ eindeutig eingestellt ist. Mit Bezug auf jeden Strahl, der in 15A gezeigt ist, sind darüber hinaus Bestrahlungsschritte, deren Bestrahlungszeit geringer als 128 Δ ist, gleich AUS (keine Strahlenbestrahlung). In einem derartigen Fall ist, wie in 15B gezeigt, die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme des Strahls 1 zum Beispiel 768 Δ. Die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss des Strahls 2 ist zum Beispiel 384 Δ. Die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss des Strahls 3 ist zum Beispiel 256 Δ. Die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss des Strahls 4 ist zum Beispiel 384 Δ. Die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss des Strahls 5 ist zum Beispiel 256 Δ. Andererseits ist, wie oben erläutert, die Bestrahlungszeit pro Schuss maximal 1023 Δ. Wenn die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss von jedem Strahl kürzer als die maximale Bestrahlungszeit ist, tritt eine Wartezeit auf, wie in 15B gezeigt. In der zweiten Ausführungsform wird die Quantisierungseinheit Δ dann variabel gemacht, um eine derartige Wartezeigt zu reduzieren.
Wie in 15C gezeigt, wird die Quantisierungseinheit Δ derart eingestellt, dass der Maximalwert der Bestrahlungszeit pro Schuss der Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss (eine Summe der Bestrahlungszeit der Bestrahlungsschritte pro Schuss) eines Strahls entspricht, in dem Fall, dass die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss aller Strahlen von mehrfachen Strahlen aller Schüsse bzw. Aufnahmen maximal ist. In dem Beispiel gemäß 15B ist die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss des Strahls 1 768 Δ, und ist das Maximum. Eine Quantisierungseinheit Δ₁ wird daher derart eingestellt, dass die maximale Bestrahlungszeit 768 Δ pro Schuss 1023 Δ₁ entspricht. Die Wiederholungsperiode (Intervall) von jedem Schuss kann somit verkürzt werden.
15D zeigt, bei Behandlung der maximalen Bestrahlungszeit 768 Δ als 1023 Δ₁, ein Beispiel einer Bestrahlung oder keiner Bestrahlung von jedem Strahl in jedem Bestrahlungsschritt für den Fall, dass ein Schuss bzw. eine Aufnahme erneut in zehn Bestrahlungsschritte unterteilt wird. In 15D werden Bestrahlungsschritte, deren Bestrahlungszeit geringer als 128 Δ ist, nicht gezeigt. Da der Strahl 1 in 15D ein Strahl ist, bei dem es sich um einen Standard einer Wiederholungsperiode handelt, wird dieser in dem AN-Zustand (Strahlenbestrahlung) in allen Bestrahlungsschritten eingestellt. Da die Strahlen 2 und 4 gleich 384 Δ sind, werden diese, bei Konvertierung, circa 512 Δ₁. Diese sind daher AN (Strahlenbestrahlung) in dem Bestrahlungsschritt, dessen Bestrahlungszeit gleich 512 Δ₁ ist, und AUS (keine Strahlenbestrahlung) in den anderen Bestrahlungsschritten. Da die Strahlen 3 und 5 gleich 256 Δ sind, werden diese, bei Konvertierung, zu 341 Δ₁. Diese sind daher AN (Strahlenbestrahlung) in den Bestrahlungsschritten, deren Bestrahlungszeit gleich 256 Δ₁, 64 Δ₁, 16 Δ₁, 4 Δ₁ oder 1 Δ₁ ist, und AUS (keine Strahlenbestrahlung) in den anderen Bestrahlungsschritten.
In 15E wird, für jeden Schuss bzw. jede Aufnahme, die Quantisierungseinheit Δ derart eingestellt, dass der Maximalwert der Bestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme der Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss eines Strahls entspricht, in dem Fall, dass die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss aller Strahlen von mehrfachen Strahlen maximal ist. In dem Beispiel der 15E ist die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme des ersten 1-Schusses des Strahls 1 gleich 768 Δ, was maximal ist. Die Quantisierungseinheit Δ₁ wird daher derart eingestellt, dass die maximale Bestrahlungszeit von 768 Δ pro Schuss bzw. pro Aufnahme 1023 Δ₁ entspricht. Die Wiederholungsperiode (Intervall) des ersten 1-Schusses kann damit verkürzt werden. Die Gesamtbestrahlungszeit pro Schuss bzw. pro Aufnahme des zweiten 1-Schusses des Strahls 2 ist darüber hinaus 640 Δ, wobei es sich um das Maximum handelt. Die Quantisierungseinheit Δ₂ wird daher derart eingestellt, dass die maximale Bestrahlungszeit von 640 Δ pro Schuss bei 1023 Δ₂ entspricht. Die Wiederholungsperiode (Intervall) des zweiten 1-Schusses kann somit verkürzt werden. Gleichermaßen wird, für jeden Schuss, darüber hinaus Δ₃, Δ₄, ... eingestellt.
Wie oben erläutert, wird die Quantisierungseinheit Δ variable gemacht. Die Wartezeit kann somit unterdrückt werden. Eine Schreibzeit kann dadurch verkürzt werden. Obwohl der Fall von n = 10 als ein Beispiel in den 15A bis 15E gezeigt ist, sind andere Fälle außer n = 10 gleichermaßen anwendbar.
Gemäß der zweiten Ausführungsform ist es, wie oben erläutert, möglich, die Wartezeit zum Zeitpunkt der Durchführung von Bestrahlungsschritten zu reduzieren oder zu unterdrücken.
Dritte Ausführungsform
In den oben erläuterten Ausführungsformen wurde der Fall beschrieben, bei dem Daten für n Bestrahlungsschritte zum Beispiel in einer Reihenfolge der Größe von Daten von der größten übertragen werden, jedoch ist dieses nicht darauf beschränkt. In der dritten Ausführungsform wird der Fall beschrieben, bei dem Daten übertragen werden, die durch eine Kombination von Daten für eine Vielzahl von Bestrahlungsschritten ausgebildet werden. Die Vorrichtungsstruktur gemäß der dritten Ausführungsform ist gleich zu der gemäß 1. Das Flussdiagramm, das wesentliche Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform zeigt, ist gleich zu dem gemäß 6. Der Inhalt der dritten Ausführungsform ist gleich zu dem der ersten Ausführungsform oder der zweiten Ausführungsform, mit Ausnahme dessen, was insbesondere im Folgenden beschrieben wird.
Die Zeit für eine Datenübertragung kann in der Bestrahlungszeit eines Bestrahlungsschritts enthalten sein, indem eine parallele Übertragung von Daten durchgeführt wird, die AN/AUS des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) von jedem Strahl und den Bestrahlungsschritt des k-ten Bits (k-te Stelle) von jedem Strahl anzeigt. Da die Bestrahlungszeit eines Bestrahlungsschritts jedoch kurz wird, wenn k klein wird, ist es schwierig, die Übertragung von Daten aufzunehmen, die AN/AUS des (k – 1)-ten Bits ((k – 1)-te Stelle) in der Bestrahlungszeit des Bestrahlungsschritts anzeigt. Gemäß der dritten Ausführungsform wird dann eine Stelle, deren Bestrahlungszeit lang ist und eine Stelle, deren Bestrahlungszeit kurz ist, gruppiert, die Datenübertragungszeit der nächsten Gruppe kann somit in der Gesamtsumme einer gruppierten Bestrahlungszeit in dem Bestrahlungsschritt aufgenommen werden. Es wird bevorzugt, eine Gruppierung durchzuführen, indem eine Vielzahl von Gruppen in einer Reihenfolge verwendet wird, bei der die Differenz zwischen einer Gesamtheit einer gruppierten Bestrahlungszeit kürzer werden kann. D. h., dass zum Beispiel bevorzugt wird, eine Gruppierung durchzuführen, um eine n-te Stelle (n-tes Bit) und die erste Stelle (erstes Bit) zu gruppieren, die (n – 1)-te Stelle ((n – 1)-tes Bit) und die zweite Stelle (zweites Bit) zu gruppieren, und die (n – 2)-te Stelle ((n – 2)-tes Bit) und die dritte Stelle (drittes Bit) zu gruppieren, usw.
16 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung der internen Struktur einer individuellen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung und einer gemeinsamen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung gemäß der dritten Ausführungsform. 16 ist gleich wie 5 mit Ausnahme, dass ein Auswahlmittel 48 zu jeder logischen Schaltung 41 hinzugefügt ist, für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung, die an der Blankingplatte 204 in dem Körper der Schreibvorrichtung 100 angeordnet ist, und eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung für jeden Strahl wird zum Beispiel durch ein 2-Bit-Steuersignal gesteuert. Es wird hier zum Beispiel der Fall einer Kombination von zwei Bestrahlungsschritten zum Einstellen einer Gruppe gezeigt. Dafür wird jeweils ein Bit als ein Steuersignal verwendet, für jeden Bestrahlungsschritt in der Gruppe. Selbst wenn das Steuersignal 2 Bits ist, kann die logische Schaltung selbst der Steuerschaltung für ein Strahl-AN/AUS verglichen mit einer Schaltung, in der eine Dosis-Steuerung unter Verwendung von 10 Bits durchgeführt wird, signifikant klein sein. Die Installationsfläche (einer Schaltung an der Blanking- bzw. Austastapertur) kann daher klein sein, während das Ansprechverhalten einer Blankingsteuerung (unter Verwendung eines gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystems) verbessert wird. Mit anderen Worten kann selbst dann, wenn eine logische Schaltung an der Blankingplatte 204 angeordnet wird, die einen engen Installationsraum aufweist, eine Genauigkeit der Dosis-Steuerung verbessert werden, während ein kleiner Haarstrahlenabstand realisiert wird.
17 ist ein Flussdiagramm zur Darstellung eines Strahl-AN/AUS-Schaltbetriebs bezüglich einem Teil eines Bestrahlungsschritts von einem Schuss bzw. einer Aufnahme gemäß der dritten Ausführungsform. 17 zeigt einen Strahl (den Strahl 1) als ein Beispiel in mehrfachen Strahlen. Es werden zum Beispiel Bestrahlungsschritte von einer Gruppe des n-ten Bits (n-te Stelle) und des ersten Bits (erste Stelle) bis zu einer Gruppe des (n – 1)-ten Bits ((n – 1)-te Stelle) und dem zweiten Bit (zweite Stelle) des Strahls 1 gezeigt. Bezüglich der Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten wird der Fall gezeigt, bei dem das n-te Bit (n-te Stelle) gleich „1” ist, das erste Bit (erste Stelle) gleich „1” ist, das (n – 1)-te Bit ((n – 1)-te Stelle) gleich „0” ist und das zweite Bit (zweite Stelle) zum Beispiel gleich „1” ist.
Ansprechend auf die Eingabe eines Lesesignals der Gruppe des n-ten Bits (n-te Stelle) und des ersten Bits (erste Stelle), geben das individuelle Register 42 ein individuelles Registersignal 1 (die n-te Stelle) und ein individuelles Registersignal 2 (die erste Stelle) parallel AN/AUS-Signale aus (als parallele Übertragungssignale) auf Grundlage der gespeicherten Daten des n-ten Bits (n-te Stelle) und des ersten Bits (erste Stelle). Da ein 2-Bit-Signal in der dritten Ausführungsform verwendet wird, ist es notwendig, ein Signal auszuwählen und zu schalten. Bezugnehmend auf 17 werden zuerst Daten des individuellen Registersignals 1 durch das Auswahlmittel 48 ausgewählt, und ein AN-Signal des n-ten Bits (die n-te Stelle) wird an den individuellen Verstärker ausgegeben. Bezüglich der Ausgabe des individuellen Registers 42 werden als nächstes Daten des individuellen Registers 2 durch das Schalten des Auswahlmittels 48 ausgewählt, und die Ausgabe des n-ten Bits (die n-te Stelle) wird zu der Ausgabe des ersten Bits (die erste Stelle) geschaltet. Das Schalten wird sequentiell für jeden Bestrahlungsschritt wiederholt.
Da die Daten des n-ten Bits (die n-te Stelle) Daten sind, die AN anzeigen, gibt der individuelle Verstärker 46 (der individuelle Verstärker 1) eine AN-Spannung aus, die an der Blanking- bzw. Austastelektrode 24 für den Strahl 1 angelegt wird. Andererseits wird in der logischen Schaltung 132 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten ein AN/AUS geschaltet, in Abhängigkeit von den Zeitsteuerdaten von 10 Bits in jedem Bestrahlungsschritt. In dem gemeinsamen Blanking- bzw. Austastsystem wird ein AN-Signal während der Bestrahlungszeit von jedem Bestrahlungsschritt ausgegeben. Wenn zum Beispiel Δ = 1 ns ist, ist die Bestrahlungszeit des ersten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die zehnte Stelle (das zehnte Bit)) gleich Δ × 512 = 512 ns. Die Bestrahlungszeit des zweiten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die erste Stelle (das erste Bit)) ist Δ × 1 = 1 ns. Die Bestrahlungszeit des dritten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die neunte Stelle (das neunte Bit)) ist Δ × 256 = 256 ns. Die Bestrahlungszeit des vierten Bestrahlungsschritts (zum Beispiel die zweite Stelle (das zweite Bit)) ist Δ × 2 = 2 ns. Gleichermaßen ist im Folgenden diese AN während der Bestrahlungszeit von jeder Stelle (jedem Bit) von jeder Gruppe. Wenn in der logischen Schaltung 132 die Zeitsteuerdaten von jedem Bestrahlungsschritt in das Register 50 eingegeben werden, gibt das Register 50 die Daten aus, welche AN der k-ten Stelle (des k-ten Bits) anzeigen, wobei der Zähler 52 die Bestrahlungszeit der k-ten Stelle (des k-ten Bits) zählt, und eine Steuerung auf AUS durchgeführt wird, nachdem die Bestrahlungszeit abgelaufen ist. Danach wird eine Strahlenbestrahlung durchgeführt, in einer Reihenfolge für jede Gruppe.
Gemäß der dritten Ausführungsform kann, wie oben erläutert, eine Datenübertragung in der gesamten gruppierten Bestrahlungszeit in dem Bestrahlungsschritt enthalten sein.
Obwohl in der dritten Ausführungsform der Fall der Verwendung des Übertragungskanals beschrieben ist, wobei ein paralleles 2-Bit-Schieberegister verwendet wird, ist es ebenso akzeptabel, eine serielle 1-Bit-Übertragung zu verwenden, solange eine ausreichende Übertragungsrate erhalten werden kann. Die Ausbildung des Übertragungskanals kann durch einen entsprechenden Ingenieur geeignet ausgewählt werden. Obwohl dieser ferner die Struktur aufweist, bei der zwei Dateneinheiten durch das Auswahlmittel geschaltet werden, ist es ebenso effektiv, eine Übertragung in einer Reihenfolge durchzuführen, indem ein Schieberegister ohne die Verwendung eines Auswahlmittels verwendet wird.
Obwohl die Konfiguration des Falls der Gruppierung von zwei Bestrahlungsschritten als dritte Ausführungsform beschrieben wurde, ist diese nicht darauf beschränkt. Wenn zum Beispiel drei Bestrahlungsschritte gruppiert werden, kann die Gesamtzeit einer Datenübertragungszeit und einer gruppierten Bestrahlungszeit in einem Bestrahlungsschritt einheitlicher gemacht werden. Wenn die Anzahl gruppierter Bestrahlungsschritte erhöht wird, kann eine Uniformität bzw. Einheitlichkeit erhöht werden. Wenn zum Beispiel der Bestrahlungsschritt jede Stelle einer Binärzahl ist, kann, wenn die Anzahl zu gruppierender Bestrahlungsschritte drei oder vier ist, ein ausreichendes Einheitlichkeitsresultat erfasst werden. Wenn jedoch die Anzahl von Bestrahlungsschritten erhöht wird, wird die Anzahl notwendiger Register ebenfalls erhöht, was zu einer Vergrößerung der Schaltungsgröße führt. Die Anzahl zu gruppierender Bestrahlungsschritte ist daher gemäß einem Bedarf geeignet auszuwählen. Eine konkrete Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt, was oben erläutert wurde. Verschiedene Ausführungsformen können auf Grundlage des Konzepts der vorliegenden Erfindung ausgewählt werden, wonach die Übertragungszeit von Gruppendaten in der gesamten gruppierten Bestrahlungszeit in dem Bestrahlungsschritt aufgenommen wird.
Vierte Ausführungsform
In jeder oben erläuterten Ausführungsform ist jede logische Schaltung 41 für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung an der Blanking- bzw. Austastplatte 204 angeordnet, diese kann jedoch außerhalb angeordnet sein. In der vierten Ausführungsform wird der Fall der Anordnung jeder logischen Schaltung 41 für eine individuelle Blankingsteuerung außerhalb der Blankingplatte 204 erläutert. Die Vorrichtungsstruktur gemäß der vierten Ausführungsform ist gleich zu der gemäß 1, mit Ausnahme, dass jede logische Schaltung 41 für eine individuelle Blanking- bzw.
Austaststeuerung außerhalb der Blanking- bzw. Austastplatte 204 angeordnet ist. Das Flussdiagramm, das wesentliche Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der vierten Ausführungsform zeigt, ist gleich zu dem gemäß 6. Der Inhalt der vierten Ausführungsform ist gleich zu einer der ersten bis dritten Ausführungsform, mit Ausnahme dessen, was insbesondere im Folgenden beschrieben wird.
18 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung des Anordnungszustands zwischen der logischen Schaltung und der Blanking- bzw. Austastplatte 204 gemäß der vierten Ausführungsform. In der vierten Ausführungsform ist jede logische Schaltung 41 für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung und jeder Verstärker 46 in der logischen Schaltung 134 angeordnet, die außerhalb der Schreibeinheit 150 angeordnet ist, und für eine individuelle Blankingsteuerung mit jeder Elektrode 24 durch eine Verdrahtung verbunden. Da in einer derartigen Struktur die Verdrahtung lange wird, erhöht sich ein Cross-Talk und eine Feststellungszeit. Da jedoch, wie oben erläutert, gemäß der vierten Ausführungsform ein AN/AUS-Schalten durch das gemeinsame Blanking- bzw. Austastsystem durchgeführt wird, nachdem ein AN/AUS-Schalten durch das individuelle Blanking- bzw. Austastsystem durchgeführt wurde und auf eine Spannungsstabilität gewartet wurde, kann die Bestrahlungszeit hochgenau gesteuert werden, ohne dass diese durch ein Cross-Talk und eine Feststellzeit beeinflusst wird, selbst dann, wenn diese ansteigen.
Fünfte Ausführungsform
Obwohl in jeder oben erläuterten Ausführungsform eine Blanking- bzw. Austaststeuerung für jeden Zeitbestrahlungsschritt einer vielfachen Bestrahlung durchgeführt wird, die erfolgt, indem ein Schuss bzw. eine Aufnahme unterteilt wird, für jeden Strahl, unter Verwendung der Blanking- bzw. Austastplatte 204 für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung und des Deflektors 212 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten, ist diese nicht darauf beschränkt. In der fünften Ausführungsform wird eine Konfiguration beschrieben, bei der eine Blanking- bzw. Austaststeuerung für jeden Bestrahlungsschritt einer Vielzahl von Bestrahlungszeiten durchgeführt wird, die durch Unterteilen eines Schusses bzw. einer Aufnahme, für jeden Strahl, erfolgt, indem die Blanking- bzw. Austastplatte 204 für eine individuelle Blankingsteuerung verwendet wird, ohne dass der Deflektor 212 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten verwendet wird.
19 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung der Struktur einer Schreibvorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform. 19 ist gleich zu 1, mit Ausnahme, dass der Deflektor 212 nicht existiert und eine Ausgabe der logischen Schaltung 132 mit der Blanking- bzw. Austastplatte 204 verbunden ist. Wesentliche Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der fünften Ausführungsform sind gleich zu jenen gemäß 6. Der Inhalt der fünften Ausführungsform ist gleich zu dem der ersten Ausführungsform, mit Ausnahme dessen, was insbesondere im Folgenden beschrieben wird.
20 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung der internen Struktur einer individuellen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung und einer gemeinsamen Blanking- bzw. Austaststeuerschaltung gemäß der fünften Ausführungsform. Der Inhalt der 20 ist gleich zu dem gemäß 5, mit Ausnahme, dass der Deflektor 212 nicht existiert, und ein Ausgangssignal der logischen Schaltung 132 in die AND-Berechnungsschaltung 44 (AND-Schaltung) eingegeben wird, anstelle eines Signals von der Deflektorsteuerschaltung 130.
In dem individuellen Strahl-AN/AUS-Schaltschritt (S116) wird ein AN/AUS-Steuersignal (erstes AN/AUS-Steuersignal) für einen Strahl durch die logische Schaltung (erste logische Schaltung) des entsprechenden Strahls ausgegeben, für jeden Strahl, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer Vielzahl von Bestrahlungen, unter Verwendung einer Vielzahl von logischen Schaltungen (erste logische Schaltung), die jeweils das Schieberegister 40 und das individuelle Register 42 enthalten, die jeweils ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal an einen entsprechenden Strahl in mehrfachen Strahlen ausgeben. Wenn insbesondere, wie oben erläutert, Daten des k-ten Bits (der k-ten Stelle) eingegeben werden, gibt das individuelle Register 42 von jedem Strahl ein AN/AUS-Signal an die AND-Berechnungseinheit 44 auf Grundlage der Eingangsdaten aus. Wenn die Daten des k-ten Bits (die k-te Stelle) gleich „1” ist, ist ein AN-Signal auszugeben, und wenn dieses gleich „0” ist, ist ein AUS-Signal auszugeben.
In dem gemeinsamen Strahl-AN/AUS-Schaltschritt (S118) wird für jeden Strahl, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer Vielzahl von Bestrahlungen, nachdem ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal durch die logische Schaltung für ein individuelles Blanking bzw. Austasten geschaltet wurde, ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal (zweites AN/AUS-Steuersignal) ausgegeben, so dass ein Strahl in dem AN-Zustand sein kann, während der Bestrahlungszeit entsprechend der diesbezüglichen Bestrahlung, unter Verwendung der logischen Schaltung 132 (zweite logische Schaltung), die kollektiv ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal an die Gesamtheit mehrfacher Strahlen ausgibt. In der logischen Schaltung 132 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten wird insbesondere ein AN/AUS geschaltet, in Abhängigkeit von 10 Bit-Zeitsteuerdaten von jedem Bestrahlungsschritt. Die logische Schaltung 132 gibt ein AN/AUS-Steuersignal an die AND-Berechnungseinheit 44 aus. In der logischen Schaltung 132 wird ein AN-Signal während der Bestrahlungszeit von jedem Bestrahlungsschritt ausgegeben.
In dem Blanking- bzw. Austaststeuerschritt führt die AND-Berechnungseinheit 44 eine Blanking- bzw. Austaststeuerung durch, so dass ein diesbezüglicher Strahl in dem AN-Zustand sein kann, während der Bestrahlungszeit entsprechend der diesbezüglichen Bestrahlung, wenn sowohl das AN/AUS-Steuersignal für einen individuellen Strahl als auch das AN/AUS-Steuersignal für einen gemeinsamen Strahl AN-Steuersignale sind. Wenn sowohl das AN/AUS-Steuersignal für einen individuellen Strahl als auch das AN/AUS-Steuersignal für einen gemeinsamen Strahl AN-Steuersignale sind, gibt die AND-Berechnungseinheit 44 ein AN-Signal an den Verstärker 46 aus, und der Verstärker 46 legt dann eine AN-Spannung an die Elektrode 24 des individuellen Blanking- bzw. Austastdeflektors an. In einem anderen Fall gibt die AND-Berechnungseinheit 44 ein AUS-Signal an den Verstärker 46 aus, und der Verstärker 46 legt dann eine AUS-Spannung an die Elektrode 24 des individuellen Blanking- bzw. Austastdeflektors an. Wenn somit sowohl das AN/AUS-Steuersignal für einen individuellen Strahl als auch das AN/AUS-Steuersignal für einen gemeinsamen Strahl AN-Steuersignale sind, führt die Elektrode 24 (individuelles Blankingsystem) des individuellen Blanking- bzw. Austastdeflektors individuell eine Strahl-AN/AUS-Steuerung durch, so dass der diesbezügliche Strahl in dem AN-Zustand sein kann, während der Bestrahlungszeit entsprechend der diesbezüglichen Bestrahlung.
Da die individuelle Blanking- bzw. Austastschaltung in dem großen Bereich der Blanking- bzw. Austastplatte angeordnet ist, wird eine Zeitabweichung in dem Betrieb der individuellen Blanking- bzw. Austastschaltung erzeugt, auf Grundlage einer Verzögerung durch die Schaltung oder einer Verzögerung durch die Länge der Verdrahtung. Wenn jedoch ein Strahl-AN-Signal von dem gemeinsamen Blanking bzw. Austasten geliefert wird, wenn der Betrieb der individuellen Blanking- bzw. Austastschaltung, die durch die Ansprechgeschwindigkeit beeinflusst wird, sich eingestellt bzw. festgestellt hat, ist es möglich, eine instabile Strahlenbestrahlung zu vermeiden, die durch eine Verzögerung und dergleichen der individuellen Schaltung verursacht wird.
Selbst wenn, wie oben erläutert, die Blanking- bzw. Austastplatte 204 für eine individuelle Blanking- bzw. Austaststeuerung verwendet wird, ohne dass der Deflektor 212 für ein gemeinsames Blanking verwendet wird, kann die Beschränkung auf einen Schaltungsinstallationsraum beibehalten werden, wie in der ersten Ausführungsform. Da darüber hinaus die logische Schaltung 41 für ein individuelles Blanking bzw. Austasten eine Datengröße von 1 Bit aufweist, kann darüber hinaus ein Leistungs- bzw. Stromverbrauch unterdrückt werden. Darüber hinaus besteht ein Vorteil darin, dass der Deflektor 212 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten weggelassen werden kann.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann die logische Schaltung 132 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten unabhängig hergestellt werden, oder alternativ kann diese ebenfalls als eine integrierte Schaltung einer monolithischen Struktur hergestellt werden, indem diese an dem peripheren Abschnitt der Blanking- bzw. Austastplatte angeordnet wird. Wenn die logische Schaltung 132 für ein gemeinsames Blanking bzw. Austasten an dem peripheren Abschnitt der Blankingplatte angeordnet ist, kann die Verdrahtungslänge zu der individuellen Blanking- bzw. Austastschaltung kurz gemacht werden, woraus sich ein Vorteil ergibt, der darin besteht, dass eine exakte Zeitsteuerung ermöglicht wird.
Obwohl in dem oben erläuterten Beispiel der Fall beschrieben ist, bei dem die logische Schaltung 41 für ein individuelles Blanking bzw. Austasten eine Datengröße von 1 Bit aufweist, ist diese nicht darauf beschränkt. Die Struktur gemäß der fünften Ausführungsform kann ebenfalls für den Fall einer Datengröße von 2 Bits angewendet werden, wie in der dritten Ausführungsform. Die Struktur der fünften Ausführungsform ist darüber hinaus auch für andere Ausführungsformen anwendbar.
Sechste Ausführungsform
Obwohl in jeder oben erläuterten Ausführungsform der Fall beschrieben ist, wobei jeder unterteilte Bestrahlungsschritt jeder Stelle einer Binärzahl entspricht, ist die Art und Weise der Unterteilung nicht darauf beschränkt. Mit Ausnahme der Art und Weise des Unterteilens, so dass diese mit jeder Stelle einer Binärzahl entspricht, können unterteilte Bestrahlungsschritte von einer Kombination verschiedener unterschiedlicher Zeitperioden oder gleicher Zeitperioden abhängen. In der sechsten Ausführungsform wird der Fall erläutert, bei dem eine Bestrahlungsschrittunterteilung auf einer Kombination verschiedener unterschiedlicher Zeitperioden oder gleicher Zeitperioden basiert. Die Vorrichtungsstruktur ist gleich zu der gemäß 1 oder 19.
21 ist ein Flussdiagramm, das wesentliche Schritte eines Schreibverfahrens gemäß der sechsten Ausführungsform zeigt. 21 ist gleich zu 6, mit Ausnahme darin, dass ein Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten-Erzeugungsschritt (S109) anstelle des Schritts zur Wandlung in Binärzahlen (S108) ausgeführt wird.
Der Inhalt der vorliegenden Ausführungsform ist gleich zu jeder der oben erläuterten Ausführungsformen, mit Ausnahme davon, was insbesondere im Folgenden beschrieben wird.
Die Kombination einer unterteilten Bestrahlungszeit (X0 Δ, X1 Δ, X2 Δ, ..., X(m – 1)Δ), die eine beliebige Bestrahlungszeit wiedergeben kann, bis zu der maximalen Bestrahlungszeit Tmax, kann gemäß der im Folgenden erläuterten Bedingungen ausgewählt werden (im Folgenden wird die unterteilte Bestrahlungszeit X0 Δ, X1 Δ, X2 Δ, ..., X(m – 1)Δ) lediglich als eine kombinatorische Sequenz (X0, X1, X2, ..., X(m – 1)) beschrieben, wobei Δ weggelassen wird.
Zuerst kann auf Grundlage einer Definition einer unterteilten Bestrahlungszeit der ersten Stelle (k = 0) als X0 = 1 und einer unterteilten Bestrahlungszeit der k-ten Stelle als Xk ≤ {Σ(Xi)} + 1, (i = 0 bis (k – 1)), eine Kombination durchgeführt werden. Xk ist eine ganze Zahl von 1 oder mehr. {Σ(Xi)} (i = 0 bis (k – 1)) bedeutet hier (X0 + X1 + ... + X(k – 2) + X(k – 1)), wobei es sich um einen addierten Wert von Xi von X0 bis X(k – 1) handelt. Dies wird im Folgenden unter Verwendung des gleichen Ausdrucks erläutert.
Da in den oben erläuterten Bedingungen zum Beispiel X0 = 1 ist, ist X1 entweder 1 oder 2. Wenn X1 = 2 ist, ist X2 eines aus 1 bis 4. In dem Fall von X2 = 3 kann hier bezüglich einer kombinatorischen Sequenz (X0, X2, X3) = (1, 2, 3) eine willkürliche Zeiteinstellung von 0 bis 6 durchgeführt werden, in Abhängigkeit davon, welche Stelle ausgewählt wird (addiert oder nicht addiert).
Bei Betrachtung des Falls von Xk kann, bezüglich der kombinatorischen Sequenz (X0, ..., X(k – 1)) von X0 bis X(k – 1), eine willkürliche Zeiteinstellung von 0 bis Δ·{Σ(Xi)} (i = 0 bis (k – 1)) durchgeführt werden. Bezüglich einer anderen kombinatorischen Sequenz (X0, ..., X(k – 1), Xk), wobei Xk addiert wird, kann dann eine willkürliche Bestrahlungszeiteinstellung von 0 bis {Σ(Xi)} (i = 0 bis (k – 1)) durchgeführt werden, wenn Xk nicht ausgewählt wird und eine beliebige Bestrahlungszeiteinstellung von Xk bis Xk + {Σ(Xi)} (i = 0 bis (k – 1)) kann durchgeführt werden, wenn Xk ausgewählt wird.
Bezüglich eines einstellbaren Bereichs im Fall der Auswahl von Xk oder wenn Xk nicht ausgewählt wird, wird, wenn der Maximalwert + 1 beim Nichtauswählen von Xk als der Minimalwert beim Auswählen von Xk definiert ist (d. h., Xk = {Σ(Xi)} + 1 (i = 0 bis (k – 1)), wird der einstellbare Bereich ein einstellbarer Bereich, der einen kontinuierlichen Wert von einem kombinieten Xk aufweist. Als eine unterteilte Zeitkombination einer kombinatorischen Sequenz (X0, ..., X(k – 1), Xk), ist es daher möglich, eine Zeit von 0 bis Xk + {Σ(Xi)} (i = 0 bis (k – 1)) willkürlich einzustellen, d. h. von 0 bis {Σ(Xi)} (i = 0 bis k).
Wenn darüber hinaus Xk ≤ {Σ(Xi)} + 1, (i = 0 bis (k – 1)) definiert wird, obwohl der einstellbare Bereich in dem Fall der Auswahl von Xk oder von einem Nichtauswählen von Xk miteinander überlappen (d. h., es gibt eine Bestrahlungszeit, die sowohl im Fall der Auswahl von Xk als auch im Fall der Nichtauswahl von Xk eingestellt werden kann), ist es akzeptabel, eine derartige Auswahl durchzuführen.
Wenn darüber hinaus die Anzahl von Festsetzungen (Stellen) von Xk auf m Festsetzungen (Stellen) erhöht wird, so dass die maximale Bestrahlungszeit Tmax gleich Tmax ≤ Δ·{Σ(Xi)} (i = 0 bis (m – 1)) sein kann, nämlich derart, dass diese bis zu der maximalen Bestrahlungszeit Tmax eingestellt werden kann, wird die kombinatorische Sequenz (X0, X1, X2, ..., Xm – 1) eine Kombination einer unterteilten Zeit, die erhalten wird durch ein beliebiges Einstellen einer Zeit von 0 bis Tmax.
Die Bestrahlungszeit T von jedem Schuss bzw. jeder Aufnahme wird hier durch eine Kombination von Xi wiedergegeben, so dass T = Δ·{Σ(ai·Xi)} (i = 0 bis (m – 1)) ist.
ai wird hier durch 1 oder 0 wiedergegeben, entsprechend dem Fall der Auswahl oder Nichtauswahl. Wenn die Sequenz von ai(a0, a1, a2, a3, ..., a(m – 1)) durch 0 oder 1 wiedergegeben wird, wie in einer Binärzahl, ist dies zur Verarbeitung zweckmäßig.
Wenn insbesondere Xk = {Σ(Xi)} + 1 (i = 0 bis (k – 1)) definiert wird, erfüllt Xk(Xk = 2^k), dass jede Stelle einer Binärzahl wiedergibt, die oben erläuterten Bedingungen, und m, wobei es sich um die Anzahl notwendiger Stellen handelt, kann durch die Minimalzahl wiedergegeben werden.
Ein weiteres Beispiel, das die oben erläuterten Bedingungen erfüllt, wird im Folgenden erläutert. Als ein Beispiel einer Kombination von Bestrahlungsschritten der gleichen Zeitperiode, ist es dann, wenn N = 700 im Fall von Δ 1 ns ist, möglich, eine Bestrahlung durch eine Kombination der Bestrahlungsschritte von 256 ns (Strahl-AN), 256 ns (Strahl-AN), 256 ns (Strahl-AUS), 64 ns (Strahl-AN), 64 ns (Strahl-AN), 64 ns (Strahl-AUS), 16 ns (Strahl-AN), 16 ns (Strahl-AN), 16 ns (Strahl-AN), 4 ns (Strahl-AN), 4 ns (Strahl-AN), 4 ns (Strahl-AN), 1 ns (Strahl-AUS), 1 ns (Strahl-AUS) und 1 ns (Strahl-AUS) kombiniert werden. In diesem Fall wird eine Bestrahlung durch 15 Bestrahlungsschritte durchgeführt. Die Art und Weise der Unterteilung der Bestrahlungsschritte weist, verglichen mit dem Fall, bei dem jeder Bestrahlungsschritt entsprechend jeder Stelle einer Binärzahl unterteilt wird, die Möglichkeit einer Durchsatzverringerung auf, da die Anzahl von Bestrahlungsschritten ansteigt. Zur gleichen Zeit weist dies jedoch einen Vorteil auf, der darin besteht, dass die Ausbildung der Steuerschaltung leicht durchgeführt werden kann, aufgrund der Sättigung der gleichen Zeitperiode. Obwohl somit die Art und Weise der Unterteilung des Bestrahlungsschritts gemäß jeder Stelle einer Binärzahl einen Vorteil aufweist, der darin besteht, dass die Anzahl von Bestrahlungsschritten minimal wird, können verschiedene Kombinationen mit Ausnahme dessen, was oben erläutert wurde, durchgeführt werden. Der Kombinationstyp sollte gemäß einem Bedarf ausgewählt werden.
In dem Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten-Erzeugungsschritt (S109) erzeugt die Bitwandlungseinheit 66 jeweils, für jeden Schuss bzw. jede Aufnahme, unter Verwendung einer Sequenz einer vorbestimmten Anzahl von Festsetzungen (engl. terms), wobei jeder Wert kleiner als oder gleich zu einem Wert ist, der erhalten wird durch Addieren von 1 zu der Summe vorhergehender Werte bis zu einem Wert genau vor jedem diesbezüglichen Wert, Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten, so dass die Gesamtheit von Werten, die erhalten wird durch ein Auswählen oder Nichtauswählen eines Werts von jeder Festsetzung der Sequenz, die Bestrahlungszeit (in diesem Fall ein Graustufenwert N) von jedem Strahl von mehrfachen Elektronenstrahlen wird. Die Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten sind, zum Beispiel, durch „1” identifiziert, wenn eine Auswahl erfolgt, oder durch „0”, wenn keine Auswahl erfolgt. Unter Verwendung der obigen kombinatorischen Sequenz (1, 1, 1, 4, 4, 4, 16, 16, 16, 64, 64, 64, 256, 256, 256) der 15 Festsetzungen (engl. terms), wird dies, zum Beispiel, in dem Fall einer Definition von N = 700 durch Δ = 1 ns zu: 1 (nicht ausgewählt = 0), 1 (nicht ausgewählt = 0), 1 (nicht ausgewählt = 0), 4 (ausgewählt = 1), 4 (ausgewählt = 1), 4 (ausgewählt = 1), 16 (ausgewählt = 1), 16 (ausgewählt = 1), 16 (ausgewählt = 1), 64 (nicht ausgewählt = 0), 64 (ausgewählt = 1), 64 (ausgewählt = 1), 256 (nicht ausgewählt = 0), 256 (ausgewählt = 1) und 256 (ausgewählt = 1). Wenn zum Beispiel eine Bestrahlung sequentiell von dem größten (längsten) Wert (Bestrahlungszeit) durchgeführt wird, können die Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten von N = 700 als „110110111111000” definiert werden. Obwohl in diesem Fall die Werte angeordnet sind, und zwar beispielhaft von dem größten zu dem kleinsten, ist es ebenso bevorzugt, eine Definition von dem kleinsten zu dem größten vorzunehmen, gemäß der ursprünglichen Reihenfolge der Sequenz, als „000111111011011”. Es wird verstanden, dass die Bestrahlungszeit, die durch jede Stelle (Festsetzung) der Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten angezeigt wird, mit dem Wert von jeder Festsetzung in der vorab eingestellten Sequenz in Beziehung steht.
Wie oben erläutert, ist jeder Schuss bzw. jede Aufnahme nicht auf den Wert von jeder Stelle einer Binärzahl beschränkt, und kann in eine Vielzahl von Bestrahlungsschritten unterteilt werden, durch eine Kombination einer Bestrahlungszeit von anderen Sequenzwerten.
In dem Schreibschritt (S114), basierend auf einer Bestrahlungszeit einer Zielstelle, wird für jeden Strahlenschuss bzw. jede Strahlenaufnahme ein Schreiben basierend auf der Bestrahlungszeit jeder Zielstelle (zum Beispiel, dem k-ten Bit (k-te Stelle)) in der Bestrahlung durchgeführt, die in eine Vielzahl von Bestrahlungsschritten unterteilt ist. Für jeden Strahlenschuss bzw. jede Strahlenaufnahme wird somit eine Bestrahlung eines diesbezüglichen Strahls in eine Bestrahlung unterteilt, die mit einer Anzahl durchgeführt wird, die gleich der Anzahl von Festsetzungen (engl. terms) einer Sequenz ist, wobei die Sequenz äquivalent zu einer Kombination von Bestrahlungen der Bestrahlungszeitperioden der Festsetzungen ist, die jeweils eine Bestrahlungszeitperiode eines entsprechenden Werts der Sequenz anzeigen, und basierend auf den Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten wird eine Bestrahlung auf dem Zielobjekt durchgeführt, durch, in einer Reihenfolge, Bestrahlung eines Strahls der Bestrahlungszeitperiode entsprechend dem Wert von jeder ausgewählten Festsetzung.
Darüber hinaus ist es, wie in der dritten Ausführungsform erläutert, ebenso bevorzugt, eine Struktur bereitzustellen, bei der Daten für eine Vielzahl von Bestrahlungsschritten kombiniert werden, um übertragen zu werden. Bezüglich einer Bestrahlung, die mit einer Anzahl durchgeführt wird, die gleich der Anzahl von Sequenzstellen ist, ist es, mit anderen Worten, bevorzugt, eine Vielzahl von Gruppen einzustellen, die aus einer Vielzahl von Werten bestehen, bei denen es sich jeweils um einen Wert von jeder Stelle einer Sequenz handelt, und wobei dann eine Strahlenbestrahlung für jede Gruppe in einer Reihenfolge durchgeführt wird. Die Datenübertragungszeit der nächsten Gruppe kann somit in der Gesamtheit einer gruppierten Bestrahlungszeit in einem Bestrahlungsschritt enthalten sein. Wie in der dritten Ausführungsform wird bevorzugt, eine Vielzahl von Gruppen einzustellen, so dass die Differenz zwischen der Gesamtheit einer gruppierten Bestrahlungszeit gleichmäßiger sein kann. Es wird zum Beispiel bevorzugt, eine Gruppierung durchzuführen, wie zum Beispiel eine Gruppe der n-ten Stelle (n-tes Bit) und der ersten Stelle (erstes Bit), eine Gruppe der (n – 1)-ten Stelle ((n – 1)-tes Bit) und der zweiten Stelle (zweites Bit), eine Gruppe der (n – 2)-ten Stelle ((n – 2)-tes Bit) und der dritten Stelle (drittes Bit), ... usw.
Die Ausführungsformen wurden mit Bezug auf oben erläuterte konkrete Beispiele beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese bestimmten Beispiele beschränkt.
Obwohl in der Struktur gemäß den oben erläuterten Ausführungsformen das Begrenzungsaperturelement 206 in dem Upstream-Abschnitt des Deflektors 208 in dem Elektronenobjektivgehäuse angeordnet ist, ist dieses nicht darauf beschränkt. Das Begrenzungsaperturelement 206 kann zum Beispiel in dem Downstream-Abschnitt des Deflektors 208 angeordnet sein, oder zwischen Deflektoren, wenn ein Mehrfach-Objekttisch-Deflektor verwendet wird. In einer derartigen Struktur sollte dieses derart konfiguriert sein, dass dann, wenn ein Strahl durch den Deflektor 208 abgelenkt wird, die Strahlenstromgröße, die durch das Aperturelement blockiert wird, ausreichend klein ist, und andererseits, wenn eine Blanking- bzw. Austastablenkung durchgeführt wird, sollte dieses derart ausgebildet sein, dass ein Strahl ausreichend blockiert wird, da der Umlauf (engl. orbit) stark abweicht, und so dass, an der Position des Aperturelements 206, die Abweichungsgröße des Strahlenumlaufs durch eine Blanking- bzw. Austastdeflektion größer als die Abweichungsgröße des Strahlenumlaufs durch den Deflektor wird. Die Struktur des Elektronenobjektivgehäuses ist nicht darauf beschränkt, was in den obigen Ausführungsformen beschrieben wurde, und dieses sollte geeignet ausgewählt werden.
Während die Vorrichtungskonfiguration, das Steuerverfahren und dergleichen, die zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung nicht direkt erforderlich sind, nicht beschrieben wurde, können darüber hinaus einige oder alle davon geeignet ausgewählt und bei Bedarf verwendet werden. Obwohl zum Beispiel eine Beschreibung der Konfiguration einer Steuereinheit zum Steuern der Schreibvorrichtung 100 weggelassen ist, wird verstanden, dass ein Teil oder die Gesamtheit der Konfiguration der Steuereinheit geeignet auszuwählen und zu verwenden ist, wenn dies erforderlich ist.
Darüber hinaus ist jede andere Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung und ein diesbezügliches Verfahren, die Elemente der vorliegenden Erfindung enthalten, und die durch den Fachmann geeignet modifiziert werden können, im Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten.
Zusätzliche Vorteile und Modifikationen sind dem Fachmann leicht ersichtlich. Die Erfindung in dessen breiteren Aspekten ist daher nicht auf die bestimmten Details und repräsentativen Ausführungsformen beschränkt, die hier gezeigt und beschrieben sind. Verschiedene Modifikationen können somit durchgeführt werden, ohne vom Umfang des allgemeinen erfinderischen Konzepts abzuweichen, wie es durch die Patentansprüche und deren Äquivalente definiert ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2012-242644 [0001]
JP 2013-124435 [0001]
JP 2006-261342 A [0004]

Claims

Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren, umfassend: Durchführen eines AN/AUS-Schaltens eines Strahls durch ein individuelles Austastsystem für den entsprechenden Strahl, für jeden Strahl in Mehrfachstrahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer vielfachen Bestrahlung, unter Verwendung einer Vielzahl von individuellen Austastsystemen, die jeweils eine Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahl in den Mehrfachstrahlen durchführt; und Durchführen einer Austaststeuerung, zusätzlich zum Durchführen eines AN/AUS-Schaltens des Strahls für den jeden Strahl durch das individuelle Austastsystem, bezüglich der jeden Zeitbestrahlung der vielfachen Bestrahlung, so dass der Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit entsprechend einer entsprechenden Bestrahlung, unter Verwendung eines gemeinsamen Austastsystems, das kollektiv eine Strahl-AN/AUS-Steuerung für eine Gesamtheit der Mehrfachstrahlen durchführt.
Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren, umfassend: Wandeln, für jeden Schuss, einer Bestrahlungszeit von jedem Strahl von Mehrfachstrahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls in eine Binärzahl, deren Anzahl von Stellen eine vorbestimmte Zahl ist; und Unterteilen, für jeden Schuss von jedem Strahl, einer Bestrahlung eines entsprechenden Strahl in eine Bestrahlung, deren Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist, wobei die Anzahl der Bestrahlungen gleich der Anzahl von Stellen äquivalent zu einer Kombination von Bestrahlungen von Bestrahlungszeitperioden der Stellen ist, die jeweils eine Bestrahlungszeitperiode anzeigen, die durch eine Dezimalzahl definiert ist, die von der gewandelten Binärzahl einer entsprechenden Stelle gewandelt wurde, und Bestrahlen des Strahls der Bestrahlungszeitperiode entsprechend der jeden Stelle auf ein Zielobjekt in einer Reihenfolge.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Bestrahlung des Strahls auf das Zielobjekt enthält Durchführen eines AN/AUS-Schaltens eines Strahls durch ein individuelles Austastsystem für den entsprechenden Strahl, für jeden Strahl in Mehrfachstrahlen in Bezug auf jede Zeitbestrahlung der Bestrahlung, deren Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist, unter Verwendung einer Vielzahl individueller Austastsysteme, die jeweils eine Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahls in den Mehrfachstrahlen durchführt; und Durchführen einer Austaststeuerung, zusätzlich zum Durchführen eines AN/AUS-Schaltens des Strahls für den jeden Strahl durch das individuelle Austastsystem, bezüglich der jeden Zeitbestrahlung der Bestrahlung, deren Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist, so dass der Strahl in einem AN-Zustand während einer Bestrahlungszeit ist, die einer Bestrahlung einer diesbezüglichen Stelle entspricht, unter Verwendung eines gemeinsamen Austastsystems, das kollektiv eine Strahl-AN/AUS-Steuerung für eine Gesamtheit der Mehrfachstrahlen durchführt.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei, bezüglich der Bestrahlung, deren Anzahl gleich der Anzahl von Stellen ist, eine Stelle, deren Bestrahlungszeit lang ist, und eine Stelle, deren Bestrahlungszeit kurz ist, in einer Reihenfolge gruppiert werden, um eine Vielzahl von Gruppen einzustellen, so dass eine Differenz zwischen einer Gesamtheit einer gruppierten Bestrahlungszeit kürzer wird, und eine Strahlenbestrahlung durchgeführt wird, in einer Reihenfolge, für jede der Vielzahl von Gruppen.
Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100), umfassend: ein Aperturelement (203), in dem eine Vielzahl von Öffnungen bereitgestellt sind, um Mehrfachstrahlen auszubilden, durch eine Bestrahlung mit einem Ladungsträgerteilchenstrahl; eine Vielzahl individueller Austastsysteme (204), die jeweils konfiguriert sind zum jeweiligen Durchführen einer Strahl-AN/AUS-Steuerung eines entsprechenden Strahls in den Mehrfachstrahlen; ein gemeinsames Austastsystem (212), konfiguriert zum kollektiven Durchführen einer Strahl-AN/AUS-Steuerung für eine Gesamtheit der Mehrfachstrahlen; und eine Steuereinheit (132), konfiguriert zum Steuern des gemeinsamen Austastsystems, so dass das gemeinsame Austastsystem eine Bestrahlungszeit bestimmt.
Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren, umfassend: Ausgeben eines ersten AN/AUS-Steuersignals für einen Strahl durch eine erste logische Schaltung für den Strahl für jeden Strahl in mehrfachen Strahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls, bezüglich jeder Zeitbestrahlung einer vielfachen Bestrahlung, unter Verwendung einer Vielzahl erster logischer Schaltungen, die jeweils ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal ausgeben, um einen entsprechenden Strahl in den mehrfachen Strahlen zu steuern; Ausgeben eines zweiten AN/AUS-Steuersignals für einen Strahl bezüglich der jeden Zeitbestrahlung der Vielzahl von Bestrahlungen, zusätzlich zum Schalten des ersten AN/AUS-Steuersignals für den jeden Strahl, durch die Vielzahl von ersten logischen Schaltungen, so dass der Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit, die einer entsprechenden Bestrahlung entspricht, unter Verwendung einer zweiten logischen Schaltung, die kollektiv ein Strahl-AN/AUS-Steuersignal ausgibt, um eine Gesamtheit der mehrfachen Strahlen zu steuern; und Durchführen einer Austaststeuerung, so dass der entsprechende Strahl in einem AN-Zustand ist während einer Bestrahlungszeit entsprechend der entsprechenden Bestrahlung, in dem Fall, dass sowohl das erste AN/AUS-Steuersignal als auch das zweite AN/AUS-Steuersignal AN-Steuersignale sind.
Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100), umfassend: ein Aperturelement (203), in dem eine Vielzahl von Öffnungen bereitgestellt ist, um mehrfache Strahlen durch eine Bestrahlung mit einem Ladungsträgerteilchenstrahl auszubilden; eine erste logische Schaltung (140), konfiguriert zum individuellen Ausgeben eines ersten AN/AUS-Steuersignals zum Steuern eines entsprechenden Strahls in den mehrfachen Strahlen; eine zweite logische Schaltung (132), konfiguriert zum kollektiven Ausgeben eines zweiten AN/AUS-Steuersignals zum Steuern einer Gesamtheit der mehrfachen Strahlen; und eine Vielzahl individueller Austastsysteme (204), die jeweils konfiguriert sind, im Fall dass sowohl das erste AN/AUS-Steuersignal als auch das zweite AN/AUS-Steuersignal AN-Steuersignale sind, zum jeweiligen Durchführen einer AN/AUS-Steuerung für einen Strahl, für den jeden Strahl, so dass der entsprechende Strahl in einem AN-Zustand ist, während einer Bestrahlungszeit entsprechend einer diesbezüglichen Bestrahlung.
Mehrfach-Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibverfahren, umfassend: Erzeugen, jeweils, für jeden Schuss, von Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten, während eine Sequenz verwendet wird, deren Anzahl von Festsetzungen eine vorbestimmte Anzahl ist, so dass eine Gesamtheit von Werten, die erhalten wird durch ein Auswählen oder ein Nichtauswählen eines Werts für jede Festsetzung der Sequenz eine Bestrahlungszeit von jedem Strahl von mehrfachen Strahlen eines Ladungsträgerteilchenstrahls wird, wobei jeder Wert der Sequenz geringer ist als oder gleich zu einem Wert, der erhalten wird durch Addieren einer 1 zu einer Summe von vorhergehenden Werten, bis zu einem Wert genau vor dem jeden diesbezüglichen Wert; und Unterteilen, für jeden Strahlenschuss einer Bestrahlung eines entsprechenden Strahls in eine Bestrahlung, die mit einer Anzahl durchgeführt wird, die gleich der Anzahl von Festsetzungen der Sequenz ist, wobei die Sequenz äquivalent zu einer Kombination von Bestrahlungen von Bestrahlungszeitperioden der Festsetzungen ist, die jeweils eine Bestrahlungszeitperiode eines entsprechenden Werts der Sequenz anzeigen, und Bestrahlen des Strahls der Bestrahlungszeitperiode entsprechend einem Wert jeder ausgewählten Festsetzung auf ein Zielobjekt in einer Reihenfolge, basierend auf den Bestrahlungszeit-Anordnungsdaten.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei, bezüglich der Bestrahlung, die mit der Anzahl durchgeführt wird, die gleich der Anzahl von Festsetzungen ist, eine Vielzahl von Gruppen, die aus einer Vielzahl von Werten bestehen, die jeweils der Wert der jeweiligen Festsetzung der Sequenz sind, eingestellt werden, und eine Strahlenbestrahlung für jede der Vielzahl von Gruppen in einer Reihenfolge durchgeführt wird.