KR101598149B1 - 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 - Google Patents

멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 Download PDF

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토모히로 이이지마
무네히로 오가사와라
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료이치 요시카와
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가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
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Abstract

본 발명의 일태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 방법은, 하전 입자빔에 의한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구를 이용하여, 빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 당해 빔용의 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환을 행하고, 빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환이 행해진 후, 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 공통 블랭킹 기구를 이용하여 당해 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.

Description

멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치{MULTI PARTICLE BEAM WRITING METHOD AND MULTI PARTICLE BEAM WRITING DEVICE}
본 발명은, 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치에 관한 것으로, 예를 들면 멀티빔 묘화에서의 블랭킹(blanking) 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 미세화의 진전을 담당하는 리소그래피(lithography) 기술은 반도체 제조 프로세스 중에서도 유일하게 패턴을 생성하는 매우 중요한 프로세스이다. 최근, LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선폭은 해마다 미세화되고 있다. 여기서, 전자선(전자빔) 묘화 기술은 본질적으로 뛰어난 해상성을 가지고 있어, 웨이퍼 등에 전자선을 사용하여 묘화하는 것이 행해지고 있다.
예를 들면, 멀티빔을 사용한 묘화 장치가 있다. 1 개의 전자빔으로 묘화할 경우에 비해, 멀티빔을 이용함으로써 한 번에 많은 빔을 조사할 수 있으므로, 스루풋을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. 이러한 멀티빔 방식의 묘화 장치에서는, 예를 들면 전자총으로부터 방출된 전자빔을 복수의 홀을 가진 마스크에 통과시켜 멀티빔을 형성하고, 각각 블랭킹 제어되고, 차폐되지 않았던 각 빔이 광학계로 축소되고, 편향기로 편향 되어 시료 상의 원하는 위치로 조사된다(예를 들면, 일본특허공개공보 2006-261342호 참조).
여기서, 멀티빔 묘화에서는, 고정밀도의 묘화를 행함에 있어, 시료 상의 각각의 위치에 지정된 조사량을 부여하기 위하여, 개개의 빔의 조사량을 조사 시간에 따라 개별로 제어한다. 이러한 각 빔의 조사량을 고정밀도로 제어하기 위해서는, 빔의 ON / OFF를 행하는 블랭킹 제어를 고속으로 행할 필요가 있다. 종래, 멀티빔 방식의 묘화 장치에서는, 멀티빔의 각 블랭킹 전극을 배치한 블랭킹 플레이트에 각 빔용의 블랭킹 제어 회로를 탑재하고 있었다. 그리고, 각 빔에 대하여 독립으로 제어하고 있었다. 예를 들면, 모든 빔의 제어 회로에 빔 ON의 트리거 신호를 보낸다. 각 빔의 제어 회로는 트리거 신호에 의해 빔 ON 전압을 전극에 인가하는 것과 동시에, 조사 시간을 카운터에 의해 카운트하고, 조사 시간이 종료되면 빔 OFF 전압을 인가하고 있었다. 이러한 제어에는, 예를 들면 10 비트의 제어 신호로 제어하고 있었다. 그러나, 블랭킹 플레이트 상에서의 회로를 설치하는 스페이스 또는 사용 가능한 전류량에 제한이 있기 때문에, 제어 신호의 정보량에 대하여 간단한 회로로 할 수 밖에 없고, 고속 고정밀의 동작이 가능한 블랭킹 회로를 내장하는 것이 곤란했다. 또한, 블랭킹 플레이트에 각 빔용의 블랭킹 제어 회로를 탑재함으로써, 멀티빔의 피치를 좁히는 것에의 제한도 되고 있었다. 한편, 회로를 설치하는 스페이스를 확보하기 위하여, 각 빔의 제어 회로를 블랭킹 플레이트의 밖에 배치하고, 배선으로 접속할 경우, 배선이 길어지기 때문에 크로스 토크가 증가하여 묘화 정밀도가 열화된다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 회로 설치 스페이스의 제한을 유지하면서 조사량 제어의 정밀도 향상이 가능한 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치를 제공한다.
본 발명의 일태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 방법은,
하전 입자빔에 의한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구를 이용하여, 빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 상기 빔용의 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환을 행하고,
빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환이 행해진 후, 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 공통 블랭킹 기구를 이용하여 상기 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 방법은,
샷마다, 하전 입자빔에 의한 멀티빔의 각 빔의 조사 시간을 미리 설정된 자릿수의 2 진수의 값으로 변환하고,
각 빔의 샷마다, 상기 빔의 조사를, 변환된 2 진수의 각 자리의 값을 각각 10 진수로 정의한 경우에 상당하는 조사 시간으로 하여 각 자리를 조합한 자릿수회의 조사로 분할하여, 각 자리에 각각 대응하는 조사 시간의 빔을 차례로 시료에 조사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 장치는,
하전 입자빔의 조사를 받아 멀티빔을 형성하는 복수의 개구부가 형성된 애퍼처(aperture) 부재와,
멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구와,
멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 공통 블랭킹 기구와,
상기 공통 블랭킹 기구가 조사 시간을 규정하도록 상기 공통 블랭킹 기구를 제어하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 방법은,
하전 입자빔에 의한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어 신호를 출력하는 복수의 제 1 로직 회로를 이용하여, 빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 상기 빔용의 제 1 로직 회로에 의해 빔의 제 1 ON / OFF 제어 신호를 출력하고,
빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 제 1 로직 회로에 의해 빔의 제 1 ON / OFF 제어 신호의 전환이 행해진 후, 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어 신호를 출력하는 제 2 로직 회로를 이용하여 상기 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 빔의 제 2 ON / OFF 제어 신호를 출력하고,
제 1 ON / OFF 제어 신호와 제 2 ON / OFF 제어 신호가 모두 ON 제어 신호일 경우, 상기 빔에 대하여, 상기 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 다른 태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 장치는,
하전 입자빔의 조사를 받아 멀티빔을 형성하는 복수의 개구부가 형성된 애퍼처 부재와,
멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 제 1 ON / OFF 제어 신호를 출력하는 제 1 로직 회로와,
멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 제 2 ON / OFF 제어 신호를 출력하는 제 2 로직 회로와,
제 1 ON / OFF 제어 신호와 제 2 ON / OFF 제어 신호가 모두 ON 제어 신호일 경우에, 상기 빔에 대하여, 상기 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구
를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 다른 태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 방법은,
각 값이 각각 1 개 전의 값까지의 합계에 1을 가산한 값 이하가 되는, 미리 설정된 항수의 수열을 이용하여, 샷마다, 수열의 각 항의 값을 선택 / 비선택함으로써 선택된 값의 합계가 하전 입자빔에 의한 멀티빔의 각 빔의 조사 시간이 되도록 각각 조사 시간 배열 데이터를 생성하고,
각 빔의 샷마다, 상기 빔의 조사를, 상술한 항수의 수열의 각 값에 상당하는 조사 시간으로서 각 항을 조합한 이러한 항수회의 조사로 분할하여, 조사 시간 배열 데이터에 기초하여, 선택된 각 항의 값에 각각 대응하는 조사 시간의 빔을 차례로 시료에 조사하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 실시예 1에서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 2a와 도 2b는 실시예 1에서의 애퍼처 부재의 구성을 도시한 개념도이다.
도 3은 실시예 1에서의 블랭킹 플레이트의 구성을 도시한 개념도이다.
도 4는 실시예 1에서의 블랭킹 플레이트의 구성을 도시한 상면 개념도이다.
도 5는 실시예 1에서의 개별 블랭킹 제어 회로와 공통 블랭킹 제어 회로의 내부 구성을 도시한 개념도이다.
도 6은 실시예 1에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도이다.
도 7은 실시예 1에서의 조사 시간 배열 데이터의 일부의 일례를 나타낸 도이다.
도 8은 실시예 1에서의 1 샷 중의 조사 단계의 일부에 대한 빔 ON / OFF 전환 동작을 나타낸 순서도이다.
도 9는 실시예 1에서의 블랭킹 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
도 10은 실시예 1에서의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 11a 내지 도 11c는 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 12a 내지 도 12c는 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 13a 내지 도 13c는 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 다른 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 14a 내지 도 14c는 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 다른 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 15a 내지 도 15e는 실시예 2에서의 노광 대기 시간을 비교예와 비교한 타임 차트도이다.
도 16은 실시예 3에서의 개별 블랭킹 제어 회로와 공통 블랭킹 제어 회로의 내부 구성을 도시한 개념도이다.
도 17은 실시예 3에서의 1 샷 중의 조사 단계의 일부에 대한 빔 ON / OFF 전환 동작을 나타낸 순서도이다.
도 18은 실시예 4에서의 로직 회로와 블랭킹 플레이트(204)와의 배치 상황을 설명하기 위한 개념도이다.
도 19는 실시예 5에서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 20은 실시예 5에서의 개별 블랭킹 제어 회로와 공통 블랭킹 제어 회로의 내부 구성을 도시한 개념도이다.
도 21은 실시예 6에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도이다.
이하에, 실시예에서는, 하전 입자빔의 일례로서 전자빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되지 않고, 이온빔 등의 하전 입자를 이용한 빔이어도 상관없다.
또한 실시예에서는, 회로 설치 스페이스의 제한을 유지하면서 조사량 제어의 정밀도를 향상시키는 것이 가능한 묘화 장치 및 방법에 대하여 설명한다.
실시예 1.
도 1은, 실시예 1에서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다. 도 1에서, 묘화 장치(100)는 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 일례이다. 묘화부(150)는 전자 경통(102)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 전자 경통(102) 내에는 전자총(201), 조명 렌즈(202), 애퍼처 부재(203), 블랭킹 플레이트(204), 축소 렌즈(205), 편향기(212), 제한 애퍼처 부재(206), 대물 렌즈(207) 및 편향기(208)가 배치되어 있다. 묘화실(103) 내에는 XY 스테이지(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는, 묘화 시에는 묘화 대상 기판이 되는 마스크 등의 시료(101)가 배치된다. 시료(101)에는 반도체 장치를 제조할 시의 노광용 마스크, 혹은 반도체 장치가 제조되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이 포함된다. 또한 시료(101)에는, 레지스터가 도포된, 아직 아무것도 묘화되어 있지 않은 마스크 블랭크스가 포함된다. XY 스테이지(105) 상에는, 또한 XY 스테이지(105)의 위치 측정용의 미러(210)가 배치된다.
제어부(160)는 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(130), 로직 회로(132), 스테이지 위치 측정부(139) 및 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(140, 142)를 가지고 있다. 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(130), 스테이지 위치 측정부(139) 및 기억 장치(140, 142)는 도시하지 않은 버스를 개재하여 서로 접속되어 있다. 기억 장치(140)(기억부)에는 묘화 데이터가 외부로부터 입력되고, 저장되어 있다.
제어 계산기(110) 내에는 면적 밀도 산출부(60), 조사 시간 산출부(62), 계조치 산출부(64), 비트 변환부(66), 묘화 제어부(72) 및 전송 처리부(68)가 배치되어 있다. 면적 밀도 산출부(60), 조사 시간 산출부(62), 계조치 산출부(64), 비트 변환부(66), 묘화 제어부(72) 및 전송 처리부(68)와 같은 각 기능은 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 된다. 면적 밀도 산출부(60), 조사 시간 산출부(62), 계조치 산출부(64), 비트 변환부(66), 묘화 제어부(72) 및 전송 처리부(68)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(112)에 그때마다 저장된다.
여기서 도 1에서는, 실시예 1을 설명함에 있어서 필요한 구성을 기재하고 있다. 묘화 장치(100)에 있어서, 통상, 필요한 그 외의 구성을 구비하고 있어도 상관없다.
도 2a와 도 2b는, 실시예 1에서의 애퍼처 부재의 구성을 도시한 개념도이다. 도 2a에서, 애퍼처 부재(203)에는 종(y 방향) m 열 × 횡(x 방향) n 열(m, n ≥ 2)의 홀(개구부)(22)이 소정의 배열 피치로 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 도 2a에서는, 예를 들면 512 × 8 열의 홀(22)이 형성된다. 각 홀(22)은 모두 동일한 치수 형상의 직사각형으로 형성된다. 혹은, 동일한 외경의 원형이어도 상관없다. 여기서는, y 방향의 각 렬에 대하여, x 방향으로 A부터 H까지의 8 개의 홀(22)이 각각 형성되는 예가 도시되어 있다. 이들 복수의 홀(22)을 전자빔(200)의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티빔(20)이 형성되게 된다. 여기서는, 종횡(x, y 방향)이 모두 2 열 이상의 홀(22)이 배치된 예를 도시했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 종횡(x, y 방향) 중 어느 일방이 복수열이고 타방은 1 열 뿐이어도 상관없다. 또한 홀(22)의 배열의 방법은, 도 2a와 같이, 종횡이 격자 형상으로 배치되는 경우에 한정되지 않는다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 예를 들면 종 방향(y 방향) 1 단째의 열과 2 단째의 열의 홀끼리가, 횡 방향(x 방향)으로 치수(a)만큼 어긋나 배치되어도 된다. 마찬가지로, 종 방향(y 방향) 2 단째의 열과 3 단째의 열의 홀끼리가, 횡 방향(x 방향)으로 치수(b)만큼 어긋나 배치되어도 된다.
도 3은, 실시예 1에서의 블랭킹 플레이트의 구성을 도시한 개념도이다.
도 4는, 실시예 1에서의 블랭킹 플레이트의 구성을 도시한 상면 개념도이다.
블랭킹 플레이트(204)에는, 애퍼처 부재(203)의 각 홀(22)의 배치 위치에 맞추어 통과홀이 형성되고, 각 통과홀에는 쌍이 되는 2 개의 전극(24, 26)의 조(블랭커(blanker) : 블랭킹 편향기)가 각각 배치된다. 각 빔용의 2 개의 전극(24, 26)의 일방(예를 들면, 전극(24))에는 전압을 인가하는 앰프(46)가 각각 배치된다. 그리고, 각 빔용의 앰프(46)에는 각각 독립으로 로직 회로(41)가 배치된다. 각 빔용의 2 개의 전극(24, 26)의 타방(예를 들면, 전극(26))은 접지된다. 각 통과홀을 통과하는 전자빔(20)은, 각각 독립으로 이러한 쌍이 되는 2 개의 전극(24, 26)에 인가되는 전압에 의해 편향된다. 이러한 편향에 의해 블랭킹 제어된다. 이와 같이, 복수의 블랭커가, 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)(개구부)을 통과한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
도 5는, 실시예 1에서의 개별 블랭킹 제어 회로와 공통 블랭킹 제어 회로의 내부 구성을 도시한 개념도이다. 도 5에서, 묘화 장치(100) 본체 내의 블랭킹 플레이트(204)에 배치된 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)에는, 시프트 레지스터(40), 레지스터(42) 및 AND 연산기(44)(논리적 연산기)가 배치된다. 또한 AND 연산기(44)는, 레지스터 동작에 문제가 발생한 경우 등에, 개별 블랭킹을 모두 강제적으로 OFF하기 위하여 사용되는데, 실시예 1에서는 생략해도 상관없다. 실시예 1에서는, 종래, 예를 들면 10 비트의 제어 신호에 의해 제어되고 있던 각 빔용의 개별 블랭킹 제어를, 1비트의 제어 신호에 의해 제어한다. 즉, 시프트 레지스터(40), 레지스터(42) 및 AND 연산기(44)에는 1 비트의 제어 신호가 입출력된다. 제어 신호의 정보량이 적음에 따라, 제어 회로의 설치 면적을 작게 할 수 있다. 즉, 설치 스페이스가 좁은 블랭킹 플레이트(204) 상에 로직 회로를 배치할 경우에도, 보다 작은 빔 피치로 보다 많은 빔을 배치할 수 있다. 이는 블랭킹 플레이트를 투과하는 전류량을 증가시키고, 즉 묘화 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 공통 블랭킹용의 편향기(212)에는 앰프가 배치되고, 로직 회로(132)에는 레지스터(50) 및 카운터(52)(샷 시간 제어부의 일례)가 배치된다. 이는, 동시에 복수의 상이한 제어를 행하는 것은 아닌, ON / OFF 제어를 행하는 1 회로로 해결되기 때문에, 고속으로 응답시키기 위한 회로를 배치할 경우에도 설치 스페이스, 회로의 사용 전류의 제한의 문제가 발생하지 않는다. 따라서, 이 앰프는 블랭킹 애퍼처 상에 실현할 수 있는 앰프보다 현격히 고속으로 동작한다. 이 앰프는 예를 들면, 10 비트의 제어 신호에 의해 제어한다. 즉, 레지스터(50) 및 카운터(52)에는, 예를 들면 10 비트의 제어 신호가 입출력된다.
실시예 1에서는, 상술한 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)에 의한 빔 ON / OFF 제어와, 멀티빔 전체를 일괄하여 블랭킹 제어하는 공통 블랭킹 제어용의 로직 회로(132)에 의한 빔 ON / OFF 제어의 양방을 이용하여, 각 빔의 블랭킹 제어를 행한다.
도 6은, 실시예 1에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도이다. 도 6에서, 패턴 면적 밀도 산출 공정(S102)과, 샷 시간(조사 시간)(T) 산출 공정(S104)과, 계조치(N) 산출 공정(S106)과, 2 진수 변환 공정(S108)과, 조사 시간 배열 데이터 출력 공정(S110)과, 대상 자리의 데이터 전송 공정(S112)과, 대상 자리의 조사 시간에 의한 묘화 공정(S114)과, 판정 공정(S120)과, 자리 변경 공정(S122)과, 판정 공정(S124)과 같은 일련의 공정을 실시한다. 대상 자리의 조사 시간에 의한 묘화 공정(S114)은, 그 내부 공정으로서, 개별 빔 ON / OFF 전환 공정(S116)과, 공통 빔 ON / OFF 전환 공정(S118)과 같은 일련의 공정을 실시한다.
패턴 면적 밀도 산출 공정(S102)으로서, 면적 밀도 산출부(60)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 독출하고, 시료(101)의 묘화 영역, 혹은 묘화되는 칩 영역이 메시 형상으로 가상 분할된 복수의 메시 영역의 메시 영역마다 그 내부에 배치되는 패턴의 면적 밀도를 산출한다. 예를 들면, 우선 시료(101)의 묘화 영역, 혹은 묘화되는 칩 영역을 소정의 폭으로 직사각형 형상의 스트라이프 영역으로 분할한다. 그리고, 각 스트라이프 영역을 상술한 복수의 메시 영역으로 가상 분할한다. 메시 영역의 사이즈는, 예를 들면 빔 사이즈 혹은 그 이하의 사이즈이면 적합하다. 예를 들면, 10 nm 정도의 사이즈로 하면 적합하다. 면적 밀도 산출부(60)는, 예를 들면 스트라이프 영역마다 기억 장치(140)로부터 대응하는 묘화 데이터를 독출하고, 묘화 데이터 내에 정의된 복수의 도형 패턴을 메시 영역에 할당한다. 그리고, 메시 영역마다 배치되는 도형 패턴의 면적 밀도를 산출하면 된다.
샷 시간(조사 시간)(T) 산출 공정(S104)으로서, 조사 시간 산출부(62)는, 소정의 사이즈의 메시 영역마다, 1 샷당 전자빔의 조사 시간(T)(샷 시간 혹은 노광 시간이라고도 함. 이하 동일)을 산출한다. 다중 묘화를 행할 경우에는, 각 계층에서의 1 샷당 전자빔의 조사 시간(T)을 산출하면 된다. 기준이 되는 조사 시간(T)은, 산출된 패턴의 면적 밀도에 비례하여 구하면 적합하다. 또한, 최종적으로 산출되는 조사 시간(T)은, 도시하지 않은 근접 효과, 포깅 효과, 로딩 효과 등의 치수 변동을 일으키는 현상에 대한 치수 변동분을 조사량에 의해 보정한 보정 후의 조사량에 상당하는 시간으로 하면 적합하다. 조사 시간(T)을 정의하는 복수의 메시 영역과 패턴의 면적 밀도를 정의한 복수의 메시 영역은 동일 사이즈여도 되고, 상이한 사이즈로 구성되어도 상관없다. 상이한 사이즈로 구성되어 있을 경우에는, 선형 보간 등에 의해 면적 밀도를 보간한 후, 각 조사 시간(T)을 구하면 된다. 메시 영역마다의 조사 시간(T)은 조사 시간 맵에 정의되고, 조사 시간 맵이 예를 들면 기억 장치(142)에 저장된다.
계조치(N) 산출 공정(S106)으로서, 계조치 산출부(64)는, 조사 시간 맵에 정의된 메시 영역마다의 조사 시간(T)을 소정의 양자화 단위(Δ)를 이용하여 정의할 시의 정수의 계조치(N)를 산출한다. 조사 시간(T)은, 다음의 식 (1)로 정의된다.
(1)
Figure 112013099280860-pat00001
따라서 계조치(N)는, 조사 시간(T)을 양자화 단위(Δ)로 나눈 정수의 값으로서 정의된다. 양자화 단위(Δ)는 다양하게 설정 가능하지만, 예를 들면 1 ns(나노초) 등으로 정의할 수 있다. 양자화 단위(Δ)는, 예를 들면 1 ~ 10 ns의 값을 이용하면 적합하다. Δ는, 카운터로 제어할 경우의 클록 주기 등, 제어상의 양자화 단위를 의미한다.
2 진수 변환 공정(S108)으로서, 비트 변환부(66)는, 샷마다, 멀티빔의 각 빔의 조사 시간(여기서는, 계조치(N))을 미리 설정된 자릿수(n)의 2 진수의 값으로 변환한다. 예를 들면, N = 50이면, 50 = 21 + 24 + 25이므로, 예를 들면 10 자리의 2 진수의 값으로 변환하면 "0000110010"이 된다. 예를 들면 N = 500이면, 마찬가지로 "0111110100"이 된다. 예를 들면 N = 700이면, 마찬가지로 "1010111100"이 된다. 예를 들면 N = 1023이면, 마찬가지로 "1111111111"이 된다. 각 빔의 조사 시간은, 샷마다, 각 빔이 조사하게 되는 메시 영역에 정의된 조사 시간이 상당한다. 이에 의해, 조사 시간(T)은 다음의 식 (2)로 정의된다.
(2)
Figure 112013099280860-pat00002
ak는, 계조치(N)를 2 진수로 정의한 경우의 각 자리의 값(1 또는 0)을 나타낸다. 자릿수(n)는 2 자리 이상이면 되지만, 바람직하게는 4 자리 이상, 보다 바람직하게는 8자리 이상이 적합하다.
실시예 1에서는, 각 빔의 샷마다, 당해 빔의 조사를, 변환된 2 진수의 각 자리의 값을 각각 10 진수로 정의한 경우에 상당하는 조사 시간으로 하여 각 자리를 조합한 자릿수(n)회의 조사로 분할한다. 즉, 1 샷을 Δa020, Δa121, ··· Δak2k, ···Δan -12n-1의 각 조사 시간의 복수의 조사 단계로 분할한다. 자릿수(n) = 10으로 할 경우, 1 샷은 10 회의 조사 단계로 분할된다.
예를 들면, 자릿수(n) = 10으로 할 경우, N = 700이면, 10 자리째(10 비트째)의 조사 시간이 Δ × 512가 된다. 9 자리째(9 비트째)의 조사 시간이 Δ × 0 = 0이 된다. 8 자리째(8 비트째)의 조사 시간이 Δ × 128이 된다. 7 자리째(7 비트째)의 조사 시간이 Δ × 0 = 0이 된다. 6 자리째(6 비트째)의 조사 시간이 Δ × 32가 된다. 5 자리째(5 비트째)의 조사 시간이 Δ × 16이 된다. 4 자리째(4 비트째)의 조사 시간이 Δ × 8이 된다. 3 자리째(3 비트째)의 조사 시간이 Δ × 4가 된다. 2 자리째(2 비트째)의 조사 시간이 Δ × 0 = 0이 된다. 1 자리째(1 비트째)의 조사 시간이 Δ × 0 = 0이 된다.
그리고, 예를 들면 자릿수가 큰 쪽부터 차례로 조사할 경우, 예를 들면 Δ = 1 ns로 하면, 1 회째의 조사 단계가 512 ns(빔 ON)의 조사가 된다. 2 회째의 조사 단계가 0 ns(빔 OFF)의 조사가 된다. 3 회째의 조사 단계가 128 ns(빔 ON)의 조사가 된다. 4 회째의 조사 단계가 0 ns(빔 OFF)의 조사가 된다. 5 회째의 조사 단계가 32 ns(빔 ON)의 조사가 된다. 6 회째의 조사 단계가 16 ns(빔 ON)의 조사가 된다. 7 회째의 조사 단계가 8 ns(빔 ON)의 조사가 된다. 8 회째의 조사 단계가 4 ns(빔 ON)의 조사가 된다. 9 회째의 조사 단계가 0 ns(빔 OFF)의 조사가 된다. 10 회째의 조사 단계가 0 ns(빔 OFF)의 조사가 된다.
이상과 같이 실시예 1에서는, 각 빔의 샷마다, 당해 빔의 조사를, 변환된 2 진수의 각 자리의 값을 각각 10 진수로 정의한 경우에 상당하는 조사 시간으로 하여 각 자리를 조합한 자릿수(n)회의 조사로 분할한다. 그리고 후술하는 바와 같이, 각 자리에 각각 대응하는 조사 시간의 빔을 차례로 시료(101)에 조사한다.
조사 시간 배열 데이터 출력 공정(S110)으로서, 전송 처리부(68)는, 각 빔의 샷마다, 2 진수 데이터로 변환된 조사 시간 배열 데이터를 편향 제어 회로(130)에 출력한다.
대상 자리의 데이터 전송 공정(S112)으로서, 편향 제어 회로(130)는, 샷마다, 각 빔용의 로직 회로(41)에 조사 시간 배열 데이터를 출력한다. 또한 이와 동기하여, 편향 제어 회로(130)는, 공통 블랭킹용의 로직 회로(132)에 각 조사 단계의 타이밍 데이터를 출력한다.
도 7은, 실시예 1에서의 조사 시간 배열 데이터의 일부의 일례를 나타낸 도이다. 도 7에서는, 멀티빔을 구성하는 빔 중, 예를 들면 빔(1 ~ 5)에 대한 소정의 샷의 조사 시간 배열 데이터의 일부를 나타내고 있다. 도 7의 예에서는, 빔(1 ~ 5)에 대하여, k 비트째(k 자리째)의 조사 단계부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)의 조사 단계까지의 조사 시간 배열 데이터를 나타내고 있다. 도 7의 예에서는, 빔(1)에 대하여, k 비트째(k 자리째)부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)까지의 조사 단계에 대하여 데이터 "1101"을 나타낸다. 빔(2)에 대하여, k 비트째(k 자리째)부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)까지의 조사 단계에 대하여 데이터 "1100"을 나타낸다. 빔(3)에 대하여, k 비트째(k 자리째)부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)까지의 조사 단계에 대하여 데이터 "0110"을 나타낸다. 빔(4)에 대하여, k 비트째(k 자리째)부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)까지의 조사 단계에 대하여 데이터 "0111"을 나타낸다. 빔(5)에 대하여, k 비트째(k 자리째)부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)까지의 조사 단계에 대하여 데이터 "1011"을 나타낸다.
실시예 1에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 로직 회로(41)에 시프트 레지스터(40)를 이용하고 있으므로, 데이터 전송 시, 편향 제어 회로(130)는, 동일한 비트(동일한 자릿수)의 데이터를 빔의 배열순(혹은 식별 번호순)으로 블랭킹 플레이트(204)의 각 로직 회로(41)로 데이터 전송한다. 또한, 동기용의 클록 신호(CLK1), 데이터 독출용의 리드 신호(read) 및 게이트 신호(BLK)를 출력한다. 도 7의 예에서는, 예를 들면 빔(1 ~ 5)의 k 비트째(k 자리째)의 데이터로서, 후의 빔측으로부터 "10011"의 각 1 비트 데이터를 전송한다. 각 빔의 시프트 레지스터(40)는, 클록 신호(CLK1)를 따라, 상위측으로부터 차례로 데이터를 다음의 시프트 레지스터(40)로 전송한다. 예를 들면, 빔(1 ~ 5)의 k 비트째(k 자리째)의 데이터는, 5 회의 클록 신호에 의해, 빔(1)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 빔(2)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 빔(3)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "0"이 저장된다. 빔(4)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "0"이 저장된다. 빔(5)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다.
이어서, 각 빔의 레지스터(42)가, 리드 신호(read)를 입력하면, 각 빔의 레지스터(42)가, 시프트 레지스터(40)로부터 각각의 빔의 k 비트째(k 자리째)의 데이터를 독출한다. 도 7의 예에서는, k 비트째(k 자리째)의 데이터로서, 빔(1)의 레지스터(42)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. k 비트째(k 자리째)의 데이터로서, 빔(2)의 레지스터(42)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. k 비트째(k 자리째)의 데이터로서, 빔(3)의 레지스터(42)에는 1 비트 데이터인 "0"이 저장된다. k 비트째(k 자리째)의 데이터로서, 빔(4)의 레지스터(42)에는 1 비트 데이터인 "0"이 저장된다. k 비트째(k 자리째)의 데이터로서, 빔(5)의 레지스터(42)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 각 빔의 개별 레지스터(42)는 k 비트째(k 자리째)의 데이터를 입력하면, 그 데이터에 따라 ON / OFF 신호를 AND 연산기(44)에 출력한다. k 비트째(k 자리째)의 데이터가 "1"이면 ON 신호를, "0"이면 OFF 신호를 출력하면 된다. 그리고 AND 연산기(44)에서는, BLK 신호가 ON 신호이고, 레지스터(42)의 신호가 ON이면, 앰프(46)에 ON 신호를 출력하고, 앰프(46)는 ON 전압을 개별 블랭킹 편향기의 전극(24)에 인가한다. 그 이외에서는, AND 연산기(44)는 앰프(46)에 OFF 신호를 출력하고, 앰프(46)는 OFF 전압을 개별 블랭킹 편향기의 전극(24)에 인가한다.
그리고, 이러한 k 비트째(k 자리째)의 데이터가 처리되고 있는 동안에, 편향 제어 회로(130)는, 다음의 k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 데이터를 빔의 배열순(혹은 식별 번호순)으로 블랭킹 플레이트(204)의 각 로직 회로(41)로 데이터 전송한다. 도 7의 예에서는, 예를 들면 빔(1 ~ 5)의 k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 데이터로서, 후의 빔측으로부터 "01111"의 각 1 비트 데이터를 전송한다. 각 빔의 시프트 레지스터(40)는, 클록 신호(CLK1)에 따라 상위측으로부터 차례로 데이터를 다음의 시프트 레지스터(40)로 전송한다. 예를 들면, 빔(1 ~ 5)의 k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 데이터는, 5 회의 클록 신호에 의해 빔(1)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 빔(2)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 빔(3)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 빔(4)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "1"이 저장된다. 빔(5)의 시프트 레지스터(40)에는 1 비트 데이터인 "0"이 저장된다. 그리고, k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 리드 신호에 의해, 각 빔의 레지스터(42)가, 시프트 레지스터(40)로부터 각각의 빔의 k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 데이터를 독출하면 된다. 이하, 마찬가지로 1 비트째(1 자리째)의 데이터 처리까지 진행하면 된다.
여기서, 도 5에 도시한 AND 연산기(44)에 대해서는 생략해도 상관없다. 단, 로직 회로(41) 내의 각 소자 중 어느 일방이 고장나, 빔 OFF로 할 수 없는 상태에 처했을 경우 등에, AND 연산기(44)를 배치함으로써 빔을 OFF로 제어할 수 있다는 점에서 효과적이다. 또한 도 5에서는, 시프트 레지스터를 직렬로 한 1 비트의 데이터 전송 경로를 이용하고 있지만, 복수의 병렬의 전송 경로를 설치함으로써, 전송의 고속화를 도모하는 것도 효과적이다.
대상 자리의 조사 시간에 의한 묘화 공정(S114)으로서, 각 빔의 샷마다, 복수의 조사 단계로 분할한 조사 중, 대상 자리(예를 들면 k 비트째(k 자리째))의 조사 시간의 묘화를 실시한다.
도 8은, 실시예 1에서의 1 샷 중의 조사 단계의 일부에 대한 빔 ON / OFF 전환 동작을 나타낸 순서도이다. 도 8에서는, 예를 들면 멀티빔을 구성하는 복수의 빔 중, 1 개의 빔(빔(1))에 대하여 나타내고 있다. 빔(1)의 k 비트째(k 자리째)부터 k - 3 비트째(k - 3 자리째)까지의 조사 시간 배열 데이터는, 도 7의 예에서는 "1101"로 나타난다. 우선, k 비트째(k 자리째)의 리드 신호의 입력에 의해, 개별 레지스터(42)(개별 레지스터(1))는, 저장되어 있는 k 비트째(k 자리째)의 데이터에 따라 ON / OFF 신호를 출력한다. 도 8에서는 ON 출력이 된다. 실시예 1에서는 1 비트 신호이므로, 개별 레지스터(42)는 다음의 k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 데이터가 독출될 때까지, 데이터 출력이 유지되게 된다.
k 비트째(k 자리째)의 데이터가 ON 데이터이므로, 개별 앰프(46)(개별 앰프(1))는 ON 전압을 출력하고, 빔(1)용의 블랭킹 전극(24)에 ON 전압을 인가한다. 한편, 공통 블랭킹용의 로직 회로(132) 내에서는, 10 비트의 각 조사 단계의 타이밍 데이터에 따라 ON / OFF를 전환한다. 공통 블랭킹 기구에서는, 각 조사 단계의 조사 시간만큼 ON 신호를 출력한다. 예를 들면, Δ = 1 ns로 하면, 1 회째의 조사 단계(예를 들면 10 자리째(10 비트째))의 조사 시간이 Δ × 512 = 512 ns가 된다. 2 회째의 조사 단계(예를 들면 9 자리째(9 비트째))의 조사 시간이 Δ × 256 = 256 ns가 된다. 3 회째의 조사 단계(예를 들면 8 자리째(8 비트째))의 조사 시간이 Δ × 128 = 128 ns가 된다. 이하, 마찬가지로 각 자리째(각 비트째)의 조사 시간만큼 ON이 된다. 로직 회로(132) 내에서는, 레지스터(50)에 각 조사 단계의 타이밍 데이터가 입력되면, 레지스터(50)가 k 자리째(k 비트째)의 ON 데이터를 출력하면, 카운터(52)가 k 자리째(k 비트째)의 조사 시간을 카운트하고, 이러한 조사 시간의 경과 시에 OFF가 되도록 제어된다.
또한 공통 블랭킹 기구에서는, 개별 블랭킹 기구의 ON / OFF 전환에 대하여, 앰프(46)의 전압 안정 시간(세틀링(settling) 시간)(S1 / S2)을 경과한 후에 ON / OFF 전환을 행한다. 도 8의 예에서는, 개별 앰프(1)가 ON이 된 후, OFF로부터 ON으로 전환할 시의 개별 앰프(1)의 세틀링 시간(S1)을 경과 후에, 공통 앰프가 ON이 된다. 이에 의해, 개별 앰프(1)의 개시 시의 불안정한 전압에서의 빔 조사를 배제할 수 있다. 그리고, 공통 앰프는 k 자리째(k 비트째)의 조사 시간의 경과 시에 OFF가 된다. 그 결과, 실제의 빔은, 개별 앰프와 공통 앰프가 모두 ON이었을 경우, 빔 ON이 되고, 시료(101)에 조사된다. 따라서, 공통 앰프의 ON 시간이 실제의 빔의 조사 시간이 되도록 제어된다. 환언하면, 공통 블랭킹 기구가 조사 시간을 규정하게 된다. 즉, 카운터(52)(조사 시간 제어부)에 의해 공통 앰프 및 편향기(212)가 조사 시간을 규정하도록 제어된다. 한편, 개별 앰프(1)가 OFF일 때 공통 앰프가 ON이 될 경우에는, 개별 앰프(1)가 OFF가 된 후, ON으로부터 OFF로 전환할 때의 개별 앰프(1)의 세틀링 시간(S2)을 경과 후에, 공통 앰프가 ON이 된다. 이에 의해, 개별 앰프(1)의 개시 시의 불안정한 전압에서의 빔 조사를 배제할 수 있다. 또한 도 8에 기재한 바와 같이, 개별 앰프 동작은 공통 앰프가 OFF된 후에 개시하는 것으로 하면, 불안정한 동작을 배제할 수 있고, 확실한 빔 조사를 실시할 수 있다.
이상과 같이, 개별 빔 ON / OFF 전환 공정(S116)으로서, 복수의 개별 블랭킹 기구(블랭킹 플레이트(204) 등)에 의해, 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하고, 빔마다, k 자리째(k 비트째)의 조사 단계(조사)에 대하여, 당해 빔용의 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환을 행한다. 도 8의 예에서는, k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 조사 단계가 빔 OFF는 아니므로, ON으로부터 OFF 전환을 행하지 않지만, 예를 들면 k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 조사 단계가 빔 OFF이면, ON으로부터 OFF 전환을 행하는 것은 말할 필요도 없다.
그리고, 공통 빔 ON / OFF 전환 공정(S118)으로서, 빔마다, k 자리째(k 비트째)의 조사 단계(조사)에 대하여, 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환이 행해진 후, 공통 블랭킹 기구(로직 회로(132) 및 편향기(212) 등)를 이용하여 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어를 행하고, k 자리째(k 비트째)의 조사 단계(조사)에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행한다.
상술한 바와 같이, 블랭킹 플레이트(204)에서는 회로의 설치 면적 또는 사용 전류에 제한이 있기 때문에, 간이한 앰프 회로가 된다. 이 때문에, 개별 앰프의 세틀링 시간을 짧게 하는 것에도 제한이 있다. 이에 대하여, 공통 블랭킹 기구에서는, 경통의 밖에 충분한 크기, 사용 전류, 회로 규모의 고정밀의 앰프 회로를 탑재 가능하다. 따라서, 공통 앰프의 세틀링 시간을 짧게 할 수 있다. 따라서 실시예 1에서는, 개별 블랭킹 기구로 빔 ON으로 한 후(혹은 대상 자리째의 리드 신호 출력 후), 세틀링 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 빔 ON으로 함으로써, 블랭킹 플레이트 상의 개별 앰프의 전압 불안정 시간 또는 크로스 토크를 포함하는 노이즈 성분을 배제할 수 있고, 또한 고정밀의 조사 시간으로 블랭킹 동작을 행할 수 있다.
판정 공정(S120)으로서, 묘화 제어부(72)는, 조사 시간 배열 데이터에 대하여 모든 자리의 데이터의 전송이 완료되었는지 여부를 판정한다. 완료되어 있지 않을 경우에는, 자리 변경 공정(S122)으로 진행된다. 완료된 경우에는, 판정 공정(S124)으로 진행된다.
자리 변경 공정(S122)으로서, 묘화 제어부(72)는, 대상 비트(자리)를 변경한다. 예를 들면, k 자리째(k 비트째)부터 k - 1 자리째(k - 1 비트째)로 대상 자리를 변경한다. 그리고, 대상 자리의 데이터 전송 공정(S112)으로 돌아온다. 그리고, k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 처리에 대하여, 대상 자리의 데이터 전송 공정(S112)부터 자리 변경 공정(S122)까지를 실시한다. 그리고, 판정 공정(S120)에서 조사 시간 배열 데이터에 대하여 모든 자리의 데이터의 처리가 완료될 때까지, 마찬가지로 반복한다.
도 8의 예에서는, k 자리째(k 비트째)의 조사 단계용의 빔 ON 시간이 경과 후에, k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 리드 신호가 레지스터(42)에 입력된다. 빔(1)에 대하여 레지스터(42)에서는, k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 데이터가 "1"이므로, 계속 ON 출력이 된다. 따라서, 개별 앰프(1) 출력의 ON이 되고, ON 전압이 개별 블랭킹용의 전극(24)에 인가된다. 그리고, 마찬가지로 개별 앰프(1)의 세틀링 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 빔 ON으로 한다. 그리고, k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 조사 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 빔 OFF로 한다.
이어서, k - 1 자리째(k - 1 비트째)의 조사 단계용의 빔 ON 시간이 경과 후에, k - 2 자리째(k - 2 비트째)의 리드 신호가 레지스터(42)에 입력된다. 빔(1)에 대하여 레지스터(42)에서는, k - 2 자리째(k - 2 비트째)의 데이터가 "0"이므로, OFF 출력으로 전환된다. 따라서, 개별 앰프(1) 출력이 OFF가 되고, OFF 전압이 개별 블랭킹용의 전극(24)에 인가된다. 그리고, 마찬가지로 개별 앰프(1)의 세틀링 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 빔 ON으로 한다. 그러나, 개별 앰프(1) 출력의 OFF이므로, 빔(1)은 결과적으로 빔 OFF가 된다. 그리고, k - 2 자리째(k - 2 비트째)의 조사 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 OFF로 한다.
이어서, k - 2 자리째(k - 2 비트째)의 조사 단계용의 빔 ON 시간이 경과 후에, k - 3 자리째(k - 3 비트째)의 리드 신호가 레지스터(42)에 입력된다. 빔(1)에 대하여 레지스터(42)에서는, k - 3 자리째(k - 3 비트째)의 데이터가 "1"이므로, ON 출력으로 전환된다. 따라서, 개별 앰프(1) 출력의 ON이 되고, ON 전압이 개별 블랭킹용의 전극(24)에 인가된다. 그리고, 마찬가지로 개별 앰프(1)의 세틀링 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 빔 ON으로 한다. 이번에는, 개별 앰프(1) 출력은 ON이므로, 빔(1)은 결과적으로 빔 ON이 된다. 그리고, k - 3 자리째(k - 3 비트째)의 조사 시간 경과 후에 공통 블랭킹 기구로 OFF로 한다.
이상과 같이, 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구를 이용하여, 빔마다, 자릿수회의 조사(자릿수회의 조사 단계)의 각 회의 조사에 대하여, 당해 빔용의 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환을 행한다. 그리고 동시에, 빔마다, 자릿수회의 조사(자릿수회의 조사 단계)의 각 회의 조사에 대하여, 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환이 행해진 후, 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 공통 블랭킹 기구를 이용하여 당해 자리의 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행한다. 이러한 개별 블랭킹 기구와 공통 블랭킹 기구의 전환 동작에 의해, 각 자리에 각각 대응하는 조사 시간의 빔을 차례로 시료(101)에 조사한다.
전자총(201)(방출부)으로부터 방출된 전자빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의해 대략 수직으로 애퍼처 부재(203) 전체를 조명한다. 애퍼처 부재(203)에는 직사각형의 복수의 홀(개구부)이 형성되고, 전자빔(200)은 모든 복수의 홀이 포함되는 영역을 조명한다. 복수의 홀의 위치에 조사된 전자빔(200)의 각 일부가, 이러한 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀을 각각 통과함으로써, 예를 들면 직사각형 형상의 복수의 전자빔(멀티빔)(20a ~ e)이 형성된다. 이러한 멀티빔(20a~e)은, 블랭킹 플레이트(204)의 각각 대응하는 블랭커(제 1 편향기 : 개별 블랭킹 기구) 내를 통과한다. 이러한 블랭커는, 각각, 개별로 통과하는 전자빔(20)을 편향한다(블랭킹 편향을 행한다).
도 9는, 실시예 1에서의 블랭킹 동작을 설명하기 위한 개념도이다. 블랭킹 플레이트(204)를 통과한 멀티빔(20a~e)은, 축소 렌즈(205)에 의해, 축소되고, 제한 애퍼처 부재(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 나아간다. 여기서, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 편향된 전자빔(20)은, 제한 애퍼처 부재(206)(블랭킹 애퍼처 부재)의 중심의 홀로부터의 위치에서 벗어나, 제한 애퍼처 부재(206)에 의해 차폐된다. 한편, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 편향되지 않았던 전자빔(20)은, 편향기(212)(공통 블랭킹 기구)에 의해, 편향되지 않으면, 도 1에 도시한 바와 같이 제한 애퍼처 부재(206)의 중심의 홀을 통과한다. 이러한 개별 블랭킹 기구의 ON / OFF와 공통 블랭킹 기구의 ON / OFF의 조합에 의해 블랭킹 제어가 행해지고, 빔의 ON / OFF가 제어된다. 이와 같이, 제한 애퍼처 부재(206)는, 개별 블랭킹 기구 혹은 공통 블랭킹 기구에 의해 빔 OFF의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될 때까지 형성된, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 빔에 의해 1 회분의 샷을 더 분할한 조사 단계의 빔이 형성된다. 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 멀티빔(20)은, 대물 렌즈(207)에 의해 초점이 맞춰지고, 원하는 축소율의 패턴 이미지가 되고, 편향기(208)에 의해, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 각 빔(멀티빔(20) 전체)은 동일 방향으로 모아 편향되고, 각 빔의 시료(101) 상의 각각의 조사 위치에 조사된다. 또한, 예를 들면 XY 스테이지(105)가 연속 이동하고 있을 때, 빔의 조사 위치가 XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록 편향기(208)에 의해 제어된다. 한 번에 조사되는 멀티빔(20)은, 이상적으로는 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀의 배열 피치에 상술한 원하는 축소율을 곱한 피치로 배열되게 된다. 묘화 장치(100)는, 샷 빔을 연속하여 차례로 조사해 가는 래스터 스캔(raster scan) 방식으로 묘화 동작을 행하고, 원하는 패턴을 묘화할 시, 패턴에 따라 필요한 빔이 블랭킹 제어에 의해 빔 ON으로 제어된다.
판정 공정(S124)으로서, 묘화 제어부(72)는, 모든 샷이 종료되었는지 여부를 판정한다. 그리고, 모든 샷이 종료되어 있으면 종료하고, 아직 모든 샷이 종료되어 있지 않을 경우에는 계조치(N) 산출 공정(S106)으로 돌아와, 모든 샷이 종료될 때까지, 계조치(N) 산출 공정(S106)부터 판정 공정(S124)을 반복한다.
도 10은, 실시예 1에서의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 도 10에 도시한 바와 같이, 시료(101)의 묘화 영역(30)은, 예를 들면 y 방향을 향해 소정의 폭으로 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역(32)으로 가상 분할된다. 이러한 각 스트라이프 영역(32)은 묘화 단위 영역이 된다. 우선, XY 스테이지(105)를 이동시켜, 제 1 번째의 스트라이프 영역(32)의 좌단, 혹은 더 좌측의 위치에 1 회의 멀티빔(20)의 조사로 조사 가능한 조사 영역이 위치하도록 조정하고, 묘화가 개시된다. 제 1 번째의 스트라이프 영역(32)을 묘화할 시에는, XY 스테이지(105)를 예를 들면 -x 방향으로 이동시킴으로써, 상대적으로 x 방향으로 묘화를 진행시킨다. XY 스테이지(105)는 소정의 속도로 예를 들면 연속 이동시킨다. 제 1 번째의 스트라이프 영역(32)의 묘화 종료 후, 스테이지 위치를 -y 방향으로 이동시켜, 제 2 번째의 스트라이프 영역(32)의 우단, 혹은 더 우측의 위치에 조사 영역이 상대적으로 y 방향에 위치하도록 조정하고, 이번에는 XY 스테이지(105)를 예를 들면 x 방향으로 이동시킴으로써, -x 방향을 향해 마찬가지로 묘화를 행한다. 제 3 번째의 스트라이프 영역(32)에서는 x 방향을 향해 묘화하고, 제 4 번째의 스트라이프 영역(32)에서는 -x 방향을 향해 묘화하는 것과 같이, 교호로 방향을 변경하면서 묘화함으로써 묘화 시간을 단축할 수 있다. 단, 이러한 교호로 방향을 변경하면서 묘화하는 경우에 한정되지 않고, 각 스트라이프 영역(32)을 묘화할 시, 동일한 방향을 향해 묘화를 진행시키도록 해도 상관없다. 1 회의 샷으로는, 애퍼처 부재(203)의 각 홀(22)을 통과함으로써 형성된 멀티빔에 의해, 각 홀(22)과 동일 수의 복수의 샷 패턴이 한 번에 형성된다.
도 11a 내지 도 11c는, 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 도 11a 내지 도 11c의 예에서는, 예를 들면 x, y 방향으로 4 × 4의 멀티빔을 이용하여 스트라이프 내를 묘화하는 예를 나타내고 있다. 도 11a 내지 도 11c의 예에서는, 예를 들면 y 방향으로 멀티빔 전체의 조사 영역의 약 2 배의 폭으로 스트라이프 영역을 분할한 경우를 나타내고 있다. 그리고, x 방향 혹은 y 방향으로 1 메시씩 조사 위치를 이동시키면서 4 회의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)으로 멀티빔 전체의 하나의 조사 영역이 노광(묘화) 종료되는 경우를 나타내고 있다. 우선, 스트라이프 영역의 상측의 영역에 대하여 묘화한다. 도 11a에서는, 1 회의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)으로 조사한 메시 영역을 나타내고 있다. 이어서 도 11b에 도시한 바와 같이, y 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 위치를 이동시켜, 2 회째의 샷(복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이어서 도 11c에 도시한 바와 같이, x 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 위치를 이동시켜, 3 회째의 샷(복수의 조사 단계의 합계)을 행한다.
도 12a 내지 도 12c는, 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 도 12a 내지 도 12c에서는, 도 11c의 연속을 나타내고 있다. 이어서 도 12a에 도시한 바와 같이, y 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 위치를 이동시켜, 4 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이러한 4 회의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)으로 멀티빔 전체의 하나의 조사 영역이 노광(묘화) 종료된다. 이어서, 스트라이프 영역의 하측의 영역에 대하여 묘화한다. 도 12b에 도시한 바와 같이, 스트라이프 영역의 하측의 영역에 대하여, 1 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이어서 y 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 위치를 이동시켜, 2 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이어서 x 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 위치를 이동시켜, 3 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이어서 y 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 위치를 이동시켜, 4 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이상의 동작에 의해, 스트라이프 영역 중, 멀티빔의 조사 영역의 1 열째의 묘화가 종료된다. 그리고 도 12c에 도시한 바와 같이, x 방향으로 이동하여, 멀티빔의 조사 영역의 2 열째에 대하여, 마찬가지로 묘화를 행하면 된다. 이상의 동작을 반복하여 행함으로써, 스트라이프 영역 전체를 묘화할 수 있다.
도 13a 내지 도 13c는, 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 다른 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 도 13a 내지 도 13c의 예에서는, 예를 들면 x, y 방향으로 4 × 4의 멀티빔을 이용하여 스트라이프 내를 묘화하는 예를 나타내고 있다. 도 13a 내지 도 13c의 예에서는, 각 빔 간의 거리를 이격하여, 예를 들면 y 방향으로 멀티빔 전체의 조사 영역과 동등, 혹은 약간 넓은 폭으로 스트라이프 영역을 분할한 경우를 나타내고 있다. 그리고, x 방향 혹은 y 방향으로 1 메시씩 조사 위치를 이동시키면서 16 회의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)으로 멀티빔 전체의 하나의 조사 영역이 노광(묘화) 종료되는 경우를 나타내고 있다. 도 13a에서는, 1 회의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)으로 조사한 메시 영역을 나타내고 있다. 이어서 도 13b에 도시한 바와 같이, y 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역에 1 메시씩 위치를 이동시키면서, 2, 3, 4 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 차례로 행한다. 이어서 도 13c에 도시한 바와 같이, x 방향으로 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 1 메시씩 위치를 이동시켜, 5 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이어서 y 방향으로, 아직 조사되어 있지 않은 메시 영역으로 1 메시씩 위치를 이동시키면서, 6, 7, 8 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 차례로 행한다.
도 14a 내지 도 14c는, 실시예 1에서의 스트라이프 내의 묘화 동작의 다른 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 도 14a 내지 도 14c에서는, 도 13c의 연속을 나타내고 있다. 도 14a에 도시한 바와 같이, 도 13a 내지 도 13c에서 설명한 동작과 마찬가지로, 반복하여, 나머지의 9 ~ 16 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 차례로 행하면 된다. 도 13a 내지 도 13c, 및 14a 내지 14c의 예에서는, 예를 들면 다중 묘화(다중도 = 2)를 행하는 경우를 나타내고 있다. 이러한 경우에는, 멀티빔 전체의 조사 영역의 약 1 / 2의 사이즈만큼 x 방향으로 이동하고, 도 14b에 도시한 바와 같이, 다중 묘화 2 층째의 1 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행한다. 이하, 도 13b 및 도 13c에서 설명한 바와 같이, 순차적으로 다중 묘화 2 층째의 2 ~ 8 회째의 각 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 행하고, 도 14c에 도시한 바와 같이, 도 13b 및 도 13c에서 설명한 동작과 마찬가지로, 반복하여, 나머지의 9 ~ 16 회째의 샷(1 샷은 복수의 조사 단계의 합계)을 차례로 행하면 된다.
이상과 같이, 실시예 1에 의하면, 회로 설치 스페이스의 제한을 유지하면서 조사 시간 제어의 정밀도, 나아가서는 조사량 제어의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 개별 블랭킹 기구의 로직 회로(41)가 1 비트의 데이터량이므로, 소비 전력도 억제할 수 있다.
실시예 2.
실시예 1에서는, 양자화 단위(Δ)(공통 블랭킹 기구의 카운터 주기)를 일의(一意)로 설정하는 경우를 나타냈지만, 이에 한정되지 않는다. 실시예 2에서는, 양자화 단위(Δ)를 가변으로 설정하는 경우에 대하여 설명한다. 실시예 2에서의 장치 구성은, 도 1과 동일하다. 또한, 실시예 2에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도는, 도 6과 동일하다. 또한, 이하에 특별히 설명하는 점 이외의 내용은, 실시예 1과 동일하다.
도 15a에서 도 15e는, 실시예 2에서의 노광 대기 시간을 비교한 타임 차트도이다. 도 15a에서는, 1 샷을 n 회의 조사 단계로 분할한 경우의 각 조사 단계에서의 각 빔의 빔 조사의 유무의 일례를 나타내고 있다. 샷을 n 회의 조사 단계로 분할할 경우, 1 샷당 조사 시간은 최대 (2n - 1)Δ이 된다. 도 15a에서는, 예를 들면 n = 10일 경우를 일례로서 나타내고 있다. 이러한 경우, 1 샷당 조사 시간은 최대 1023Δ이 된다. 그리고 도 15a에서는, 1 샷당 조사 시간을, 조사 시간이 긴 것부터 차례로 기재하면, 512Δ, 256Δ, 128Δ, 64Δ, 32Δ, 16Δ, 8Δ, 4Δ, 2Δ 및 1Δ의 합계 10 회의 조사 단계로 분할하고 있다. 또한 도 15a에서는, 128Δ 미만의 짧은 조사 시간의 조사 단계에 대해서는 기재를 생략하고 있다. 도 15a에서 빔(1)은, 조사 시간이 128Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무), 조사 시간이 256Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 그리고 조사 시간이 512Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유)인 것을 나타내고 있다. 빔(2)은, 조사 시간이 128Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 조사 시간이 256Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 그리고 조사 시간이 512Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무)인 것을 나타내고 있다. 빔(3)은, 조사 시간이 128Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무), 조사 시간이 256Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 그리고 조사 시간이 512Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무)인 것을 나타내고 있다. 빔(4)은, 조사 시간이 128Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 조사 시간이 256Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 그리고 조사 시간이 512Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무)인 것을 나타내고 있다. 빔(5)은, 조사 시간이 128Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무), 조사 시간이 256Δ의 조사 단계에서는 ON(빔 조사 유), 그리고 조사 시간이 512Δ의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무)인 것을 나타내고 있다.
도 15b에서는, 도 15a에서 나타낸 각 빔의 1 샷당 전체 조사 시간의 일례를 나타내고 있다. 도 15b에서는, 비교예로서 양자화 단위(Δ)를 일의로 설정하는 경우를 나타내고 있다. 또한 도 15a에서 나타낸 각 빔은, 128Δ 미만의 짧은 조사 시간의 조사 단계에 대해서는 모두 OFF(빔 조사 무)인 경우에 대하여 나타내고 있다. 이러한 경우, 도 15b에 나타낸 바와 같이, 빔(1)은, 1 샷당 전체 조사 시간이 예를 들면 768Δ이 된다. 빔(2)은, 1 샷당 전체 조사 시간이 예를 들면 384Δ가 된다. 빔(3)은, 1 샷당 전체 조사 시간이 예를 들면 256Δ이 된다. 빔(4)은, 1 샷당 전체 조사 시간이 예를 들면 384Δ가 된다. 빔(5)은, 1 샷당 전체 조사 시간이 예를 들면 256Δ이 된다. 한편 상술한 바와 같이, 1 샷당 조사 시간은 최대 1023Δ이 된다. 각 빔의 1 샷당 전체 조사 시간이 최대 조사 시간보다 짧을 경우, 도 15b에 나타낸 바와 같이 대기 시간이 발생하게 된다. 따라서 실시예 2에서는, 이러한 대기 시간을 단축하기 위하여, 양자화 단위(Δ)를 가변으로 한다.
도 15c에 나타낸 바와 같이, 모든 샷 중의 멀티빔의 모든 빔의 1 샷당 전체 조사 시간이 최대가 되는 빔의 1 샷당 전체 조사 시간에 1 샷당 조사 시간의 최대치가 일치하도록, 양자화 단위(Δ)를 설정한다. 도 15b의 예에서는, 빔(1)의 1 샷당 전체 조사 시간이 768Δ이 되고, 최대이다. 따라서, 1 샷당 최대 조사 시간 768Δ이 1023Δ1이 되도록 양자화 단위(Δ1)를 설정한다. 이에 의해, 각 샷의 반복 주기(인터벌)를 좁힐 수 있다.
도 15d에서는, 최대 조사 시간 768Δ이, 1023Δ1로서, 재차 1 샷을 10 회의 조사 단계로 분할한 경우의 각 조사 단계에서의 각 빔의 빔 조사의 유무의 일례를 나타내고 있다. 또한 도 15d에서는, 128Δ 미만의 짧은 조사 시간의 조사 단계에 대해서는 기재를 생략하고 있다. 도 15d에서, 빔(1)은, 반복 주기의 기준이 되는 빔이므로, 모든 조사 단계에서 ON(빔 조사 유)이 된다. 빔(2, 4)은 384Δ이므로 환산하면 약 512Δ1이 된다. 따라서, 조사 시간이 512Δ1의 조사 단계에서 ON(빔 조사 유)이 되고, 나머지의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무)가 된다. 빔(3, 5)은 256Δ이므로 환산하면 341Δ1이 된다. 따라서, 조사 시간이 256Δ1, 64Δ1, 16Δ1, 4Δ1, 1Δ1의 조사 단계에서 ON(빔 조사 유)이 되고, 나머지의 조사 단계에서는 OFF(빔 조사 무)가 된다.
도 15e에서는, 샷마다, 멀티빔의 모든 빔의 1 샷당 전체 조사 시간이 최대이 되는 빔의 1 샷당 전체 조사 시간에 1 샷당 조사 시간의 최대치가 일치하도록 양자화 단위(Δ)를 설정한다. 도 15e의 예에서는, 1 샷째의 빔(1)의 1 샷당 전체 조사 시간이 768Δ이 되고, 최대이다. 따라서, 1 샷당 최대 조사 시간 768Δ이, 1023Δ1이 되도록 양자화 단위(Δ1)를 설정한다. 이에 의해, 1 샷째의 반복 주기(인터벌)를 좁힐 수 있다. 또한, 2 샷째의 빔(2)의 1 샷당 전체 조사 시간이 640Δ이 되고, 최대이다. 따라서, 1 샷당 최대 조사 시간 640Δ이, 1023Δ2가 되도록 양자화 단위(Δ2)를 설정한다. 이에 의해, 2 샷째의 반복 주기(인터벌)를 좁힐 수 있다. 이하, 마찬가지로 샷마다 Δ3, Δ4, ···를 설정해 가면 된다.
이상과 같이, 양자화 단위(Δ)를 가변으로 한다. 이에 의해, 대기 시간을 억제할 수 있다. 따라서, 묘화 시간을 단축할 수 있다. 도 15a에서 도 15e의 예에서는, 예를 들면 n = 10인 경우를 일례로서 나타냈지만, n의 값이 그 외의 경우라도 마찬가지로 적용 가능하다.
이상과 같이, 실시예 2에 의하면, 조사 단계를 실행할 시의 대기 시간을 저감 혹은 억제할 수 있다.
실시예 3.
상술한 각 실시예에서는, n 회의 조사 단계용의 데이터를 예를 들면 큰 순으로 데이터 전송할 경우를 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 실시예 3에서는, 복수의 조사 단계용의 데이터를 조합하여 전송하는 경우에 대하여 설명한다. 실시예 3에서의 장치 구성은 도 1과 동일하다. 또한, 실시예 3에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도는 도 6과 동일하다. 또한, 이하에 특별히 설명하는 점 이외의 내용은, 실시예 1 혹은 실시예 2와 동일하다.
각 빔의 k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 ON / OFF 데이터의 전송을 k 비트째(k 자리째)의 조사 단계와 병렬로 행함으로써, 데이터 전송의 시간을 조사 단계의 조사 시간 내에 포함할 수 있다. 그러나, k가 작아지면 조사 단계의 조사 시간이 짧아지므로, k - 1 비트째(k - 1 자리째)의 ON / OFF 데이터의 전송을 조사 단계의 조사 시간 내에 포함하는 것이 곤란해진다. 따라서 실시예 3에서는, 조사 시간이 긴 자리와 짧은 자리를 그룹화한다. 이에 의해, 다음의 그룹의 데이터 전송 시간을 조사 단계 중의 그룹화된 조사 시간의 합계 내에 포함할 수 있다. 그룹화는, 그룹화된 조사 시간의 합계 간의 차가 보다 균일하게 근접하도록 복수의 그룹을 설정하면 적합하다. 예를 들면, n 자리째(n 비트째)와 1 자리째(1 비트째)와의 그룹, n - 1 자리째(n - 1 비트째)와 2 자리째(2 비트째)와의 그룹, n - 2 자리째(n - 2 비트째)와 3 자리째(3 비트째)와의 그룹, ···과 같이 그룹화하면 적합하다.
도 16은, 실시예 3에서의 개별 블랭킹 제어 회로와 공통 블랭킹 제어 회로의 내부 구성을 도시한 개념도이다. 도 16에서, 묘화 장치(100) 본체 내의 블랭킹 플레이트(204)에 배치된 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)에, 셀렉터(48)가 더 추가된 점, 및 각 빔용의 개별 블랭킹 제어를, 예를 들면 2 비트의 제어 신호에 의해 제어하는 점 이외는 도 5와 동일하다. 여기서는, 예를 들면 2 개의 조사 단계를 조합하여 1 개의 그룹으로 설정하는 경우를 나타내고 있다. 이 때문에, 그룹 내의 각 조사 단계용으로 1 비트씩 제어 신호로서 사용한다. 따라서, 그룹마다 2 비트의 제어 신호를 이용한다. 제어 신호를 2 비트로 해도 빔 OFF / ON용의 제어 회로는, 10 비트로 조사량 제어를 행하는 회로에 비해 로직 회로 자체를 압도적으로 작게 할 수 있다. 따라서, (공통 블랭킹 기구의 사용으로) 블랭킹 제어의 응답성을 향상시키면서 (블랭킹 애퍼처 상의 회로의) 설치 면적을 작게 할 수 있다. 즉, 설치 스페이스가 좁은 블랭킹 플레이트(204) 상에 로직 회로를 배치할 경우에도, 보다 작은 빔 피치를 실현하면서, 조사량 제어의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 17은, 실시예 3에서의 1 샷 중의 조사 단계의 일부에 대한 빔 ON / OFF 전환 동작을 나타낸 순서도이다. 도 17에서는, 예를 들면 멀티빔을 구성하는 복수의 빔 중, 1 개의 빔(빔(1))에 대하여 나타내고 있다. 여기서는, 예를 들면 빔(1)의 n 비트째(n 자리째)와 1 비트째(1 자리째)의 그룹부터 n - 1 비트째(n - 1 자리째)와 2 비트째(2 자리째)의 그룹까지의 조사 단계에 대하여 나타내고 있다. 조사 시간 배열 데이터는, 예를 들면 n 비트째(n 자리째)가 "1", 1 비트째(1 자리째)가 "1", n - 1 비트째(n - 1 자리째)가 "0", 2 비트째(1 자리째)가 "1"인 경우를 나타내고 있다.
우선, n 비트째(n 자리째)와 1 비트째(1 자리째)의 그룹의 리드 신호의 입력에 의해, 개별 레지스터(42)(개별 레지스터 신호(1)(n 자리째) 및 개별 레지스터 신호(2)(1 자리째))는, 저장되어 있는 n 비트째(n 자리째)와 1 비트째(1 자리째)의 데이터에 따라 ON / OFF 신호를 병렬로(패럴렐 전송 신호로서) 출력한다. 실시예 3에서는 2 비트 신호이므로, 신호를 선택하여 전환할 필요가 있다.
도 17에서는, 우선 셀렉터(48)로 개별 레지스터 신호(1)의 데이터가 선택되고, n 비트째(n 자리째)의 ON 신호가 개별 앰프에 출력된다. 이어서, 개별 레지스터(42)의 출력은, 셀렉터(48)의 전환에 의해 개별 레지스터(2)의 데이터가 선택되고, n 비트째(n 자리째)의 출력으로부터 1 비트째(1 자리째)의 출력으로 전환한다. 이하에, 조사 단계마다 이 전환을 순차적으로 반복한다.
n 비트째(k 자리째)의 데이터가 ON 데이터이므로, 개별 앰프(46)(개별 앰프(1))는 ON 전압을 출력하고, 빔(1)용의 블랭킹 전극(24)에 ON 전압을 인가한다. 한편, 공통 블랭킹용의 로직 회로(132) 내에서는, 10 비트의 각 조사 단계의 타이밍 데이터에 따라 ON / OFF를 전환한다. 공통 블랭킹 기구에서는, 각 조사 단계의 조사 시간만큼 ON 신호를 출력한다. 예를 들면, Δ = 1 ns로 하면, 1 회째의 조사 단계(예를 들면 10 자리째(10 비트째))의 조사 시간이 Δ × 512 = 512 ns가 된다. 2 회째의 조사 단계(예를 들면 1 자리째(1 비트째))의 조사 시간이 Δ × 1 = 1 ns가 된다. 3 회째의 조사 단계(예를 들면 9 자리째(9 비트째))의 조사 시간이 Δ × 256 = 256 ns가 된다. 4 회째의 조사 단계(예를 들면 2 자리째(2 비트째))의 조사 시간이 Δ × 2 = 2 ns가 된다. 이하에, 마찬가지로 각 그룹의 자리째(각 비트째)의 조사 시간만큼 ON이 된다. 로직 회로(132) 내에서는, 레지스터(50)에 각 조사 단계의 타이밍 데이터가 입력되면, 레지스터(50)가 k 자리째(k 비트째)의 ON 데이터를 출력하고, 카운터(52)가 k 자리째(k 비트째)의 조사 시간을 카운트하고, 이러한 조사 시간의 경과 시에 OFF가 되도록 제어된다. 이하에, 그룹마다 차례로 빔의 조사가 행해진다.
이상과 같이, 실시예 3에 의하면, 데이터 전송 시간을 조사 단계 중의 그룹화된 조사 시간의 합계 내에 포함할 수 있다.
또한 상기한 실시예 3에서는, 2 비트 병렬의 시프트 레지스터를 이용한 전송 경로를 이용하는 경우를 설명했지만, 충분한 전송 속도가 얻어지면, 1 비트의 시리얼 전송을 이용해도 상관없다. 전송 경로의 설계는, 당해 기술자가 적절히 선택하면 된다. 또한, 2 개의 데이터의 전환을 셀렉터를 이용하여 전환하는 구성으로 하고 있지만, 셀렉터를 이용하지 않고 차례로 시프트 레지스터로 전송되도록 구성해도 효과적이다.
또한 상기한 실시예 3에서는, 2 개의 조사 단계를 그룹화한 경우의 형태를 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 3 개의 조사 단계를 그룹화한 경우에는, 데이터 전송 시간과 조사 단계 중의 그룹화된 조사 시간의 합계 시간이 보다 균일화될 수 있다. 또한, 그룹화하는 조사 단계를 늘리면 균일화가 가능하다. 예를 들면, 조사 단계를 2 진수의 각 자리로 한 경우, 그룹화하는 조사 단계를 3 개 혹은 4 개로 하면 충분한 균일화 효과가 얻어진다. 단, 개수를 늘리면 그 만큼 필요한 레지스터가 증가하고, 그 결과 회로 면적도 증가하게 되므로, 몇 개의 조사 단계를 그룹화할지는 요구에 맞추어 적절히 선택되면 된다.
구체적인 실시예는 상술의 내용에 한정되지 않고, 그룹 데이터의 전송 시간을 조사 단계 중의 그룹화된 조사 시간의 합계 내에 포함하도록 한다고 하는 본 발명의 골자에 따라 다앙한 실시예를 선택할 수 있다.
실시예 4.
상술한 각 실시예에서는, 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)를 블랭킹 플레이트(204) 상에 배치했지만, 외부에 설치해도 된다. 실시예 4에서는, 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)를 블랭킹 플레이트(204)의 외부에 배치하는 경우에 대하여 설명한다. 실시예 4에서의 장치 구성은, 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)를 블랭킹 플레이트(204)의 외부에 배치하는 점 이외는 도 1과 동일하다. 또한, 실시예 4에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도는 도 6과 동일하다. 또한, 이하에 특별히 설명하는 점 이외의 내용은, 실시예 1 ~ 3 중 어느 하나와 동일하다.
도 18은, 실시예 4에서의 로직 회로와 블랭킹 플레이트(204)의 배치 상황을 설명하기 위한 개념도이다. 실시예 4에서는, 개별 블랭킹 제어용의 각 로직 회로(41)와 각 앰프(46)는, 묘화부(150)의 외부에 배치된 로직 회로(134) 내에 배치된다. 그리고, 개별 블랭킹 제어용의 각 전극(24)에는 배선에 의해 접속된다. 이러한 구성에서는, 배선이 길어지므로, 크로스 토크와 세틀링 시간이 증대되게 된다. 그러나 실시예 4에서는, 상술한 바와 같이, 개별 블랭킹 기구로 ON / OFF 전환을 한 후에 전압 안정을 기다려, 공통 블랭킹 기구로 ON / OFF 전환을 행하기 때문에, 이러한 크로스 토크와 세틀링 시간이 증대해도 이들의 영향을 받지 않고 조사 시간을 고정밀도로 제어할 수 있다.
실시예 5.
상술한 각 실시예에서는, 개별 블랭킹 제어용의 블랭킹 플레이트(204)와 공통 블랭킹용의 편향기(212)를 이용하여, 빔마다, 1 샷을 분할한 복수회의 조사의 각 회의 조사 단계에 대하여 블랭킹 제어를 행했지만, 이에 한정되지 않는다. 실시예 5에서는, 공통 블랭킹용의 편향기(212)를 이용하지 않고 개별 블랭킹 제어용의 블랭킹 플레이트(204)를 이용하여 빔마다, 1 샷을 분할한 복수회의 조사의 각 회의 조사 단계에 대하여 블랭킹 제어를 행하는 구성에 대하여 설명한다.
도 19는, 실시예 5에서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다. 도 19에서, 편향기(212)가 없어진 점, 로직 회로(132)의 출력이 블랭킹 플레이트(204)에 접속되는 점 이외는 도 1과 동일하다. 또한, 실시예 5에서의 묘화 방법의 주요부 공정은 도 6과 동일하다. 이하, 특별히 설명하는 점 이외의 내용은 실시예 1과 동일하다.
도 20은, 실시예 5에서의 개별 블랭킹 제어 회로와 공통 블랭킹 제어 회로의 내부 구성을 도시한 개념도이다. 도 20에서, 편향기(212)가 없어진 점, AND 연산기(44)(논리적 회로)에 편향 제어 회로(130)로부터의 신호 대신에 로직 회로(132)의 출력 신호가 입력되는 점 이외의 내용은 도 5와 동일하다.
개별 빔 ON / OFF 전환 공정(S116)으로서, 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어 신호를 출력하는 시프트 레지스터(40)와 개별 레지스터(42)를 가지는 복수의 로직 회로(제 1 로직 회로)를 이용하여, 빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 당해 빔용의 로직 회로(제 1 로직 회로)에 의해 빔의 ON / OFF 제어 신호(제 1 ON / OFF 제어 신호)를 출력한다. 구체적으로, 상술한 바와 같이 각 빔의 개별 레지스터(42)는, k 비트째(k 자리째)의 데이터를 입력하면, 그 데이터에 따라 ON / OFF 신호를 AND 연산기(44)에 출력한다. k 비트째(k 자리째)의 데이터가 "1"이면 ON 신호를, "0"이면 OFF 신호를 출력하면 된다.
그리고, 공통 빔 ON / OFF 전환 공정(S118)으로서, 빔마다, 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 개별 블랭킹용의 로직 회로에 의해 빔의 ON / OFF 제어 신호의 전환이 행해진 후, 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어 신호를 출력하는 로직 회로(132)(제 2 로직 회로)를 이용하여 당해 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 빔의 ON / OFF 제어 신호(제 2 ON / OFF 제어 신호)를 출력한다. 구체적으로, 공통 블랭킹용의 로직 회로(132) 내에서는, 10 비트의 각 조사 단계의 타이밍 데이터에 따라, ON / OFF를 전환한다. 로직 회로(132)는, 이러한 ON / OFF 제어 신호를 AND 연산기(44)에 출력한다. 로직 회로(132)에서는, 각 조사 단계의 조사 시간만큼 ON 신호를 출력한다.
그리고 블랭킹 제어 공정으로서, AND 연산기(44)는, 개별 빔용의 ON / OFF 제어 신호와 공통 빔용의 ON / OFF 제어 신호가 모두 ON 제어 신호일 경우에, 당해 빔에 대하여, 당해 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행한다. AND 연산기(44)는, 개별 빔용과 공통 빔용의 ON / OFF 제어 신호가 모두 ON 제어 신호일 경우에, 앰프(46)에 ON 신호를 출력하고, 앰프(46)는 ON 전압을 개별 블랭킹 편향기의 전극(24)에 인가한다. 이 이외에는, AND 연산기(44)는 앰프(46)에 OFF 신호를 출력하고, 앰프(46)는 OFF 전압을 개별 블랭킹 편향기의 전극(24)에 인가한다. 이와 같이, 개별 블랭킹 편향기의 전극(24)(개별 블랭킹 기구)은, 개별 빔용과 공통 빔용의 ON / OFF 제어 신호가 모두 ON 제어 신호일 경우에, 당해 빔에 대하여, 당해 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행한다.
또한 개별 블랭킹 회로는 블랭킹 플레이트의 넓은 범위에 배치되기 때문에, 회로에 의한 지연, 혹은 배선 길이에 의한 지연 등에 의해, 개별 블랭킹 회로의 동작에는 어떻게 해도 시간적인 차이가 발생하지만, 이러한 응답 속도의 차이에 의한 개별 블랭킹 회로의 동작이 들어가도, 공통 블랭킹으로부터 빔 ON 신호를 공급하도록 하면, 개별의 회로의 지연 등에 의한 불안정한 빔 조사가 회피된다.
이상과 같이, 공통 블랭킹용의 편향기(212)를 이용하지 않고 개별 블랭킹 제어용의 블랭킹 플레이트(204)를 이용해도 실시예 1과 마찬가지로, 회로 설치 스페이스의 제한을 유지할 수 있다. 또한, 개별 블랭킹용의 로직 회로(41)가 1 비트의 데이터량이므로, 소비 전력도 억제할 수 있다. 또한, 공통 블랭킹용의 편향기(212)를 생략할 수 있는 메리트도 있다.
또한 본 실시예에서, 공통 블랭킹용의 로직 회로(132)는 독립으로 제작되어도 되지만, 블랭킹 플레이트의 주변 부분에 설치하여 일체 구조의 집적 회로로서 제작하는 것도 가능하다. 블랭킹 플레이트의 주변 부분에 설치하면, 개별 블랭킹 회로에의 배선 길이를 짧게 할 수 있어, 정확한 타이밍 제어가 용이해진다는 이점이 있다.
또한 상술한 예에서는, 개별 블랭킹용의 로직 회로(41)가 1 비트의 데이터량의 경우를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 실시예 5의 구성은, 실시예 3과 같이 2 비트의 데이터량의 경우에 대해서도 적용할 수 있다. 또한 실시예 5의 구성은, 그 외의 실시예에서도 적용할 수 있다.
실시예 6.
상술한 각 실시예에서는, 조사 단계의 분할의 방법을 2 진수의 각 자리에 맞춘다고 하는 예를 나타냈지만, 분할의 방법은 이에 한정되지 않고, 2 진수의 각 자리로 하는 이외에도, 다양한 상이한 시간 혹은 동일한 시간의 조합으로 조사 단계의 분할이 가능하다. 실시예 6에서는, 다양한 상이한 시간 혹은 동일한 시간의 조합으로 조사 단계의 분할을 행하는 경우에 대하여 설명한다. 장치 구성은, 도 1 혹은 도 19와 동일하다.
도 21은, 실시예 6에서의 묘화 방법의 주요부 공정을 나타낸 순서도이다. 도 21에서, 2 진수 변환 공정(S108) 대신에 조사 시간 배열 데이터 생성 공정(S109)을 실시하는 점 이외는 도 6과 동일하다.
또한, 이하에 특별히 설명하는 점 이외의 내용은 상술한 어느 하나의 실시예와 동일하다.
최대 조사 시간(Tmax)까지의 임의의 조사 시간을 나타낼 수 있는 분할 조사 시간의 조합(X0Δ, X1Δ, X2Δ, ···, Xm-1Δ)(이하, Δ를 생략하고, 단순히 조합 수열(X0, X1, X2, ···, Xm-1)로 기재함)은 이하의 조건으로 선택할 수 있다.
우선, 1 자리째(k = 0)의 분할 조사 시간을 X0 = 1로 하여,
k 자리째의 분할 조사 시간을 Xk ≤ {Σ(Xi)} + 1, (i = 0 ~ k - 1)로 한 분할 조사 시간으로 조합할 수 있다. 단, Xk는 1 이상의 정수로 한다. 여기서, {Σ(Xi)}, (i = 0 ~ k - 1)는, 괄호 내의 Xi를 X0부터 Xk - 1까지를 가산한 것(X0 + X1 + ··· + Xk - 2 + Xk - 1)을 의미한다. 여기서는, 이하, 동일한 표기로 설명한다.
상기의 조건에서는, 예를 들면 우선 X0 = 1이므로, X1은 1 또는 2 중 어느 쪽이 된다. X1 = 2로 한 경우에는, X2는 1 ~ 4 중 어느 것이 된다. 여기서 예를 들면, X2를 3으로 한 경우에는, 조합 수열(X0, X2, X3) = (1, 2, 3)은, 어느 자리를 선택하는가(가산할지 여부)에 의해, 0 ~ 6까지의 임의의 시간 설정이 가능해진다.
또한, Xk의 경우를 생각하면, 우선 X0부터 Xk - 1까지의 조합 수열(X0, ···, Xk - 1)에서는, 0부터 Δ · {Σ(Xi)}, (i = 0 ~ k - 1)까지의 임의의 시간의 설정이 가능해진다. 이에, Xk를 추가한 조합 수열(X0, ···, Xk - 1, Xk)은, Xk를 비선택으로 하면 원래의 0으로부터{Σ(Xi)}, (i = 0 ~ k - 1)까지의 임의의 조사 시간을 설정할 수 있고, 또한 Xk를 선택한 조합에서는, Xk부터 Xk + {Σ(Xi)}, (i = 0 ~ k - 1)까지의 임의의 시간을 설정할 수 있게 된다.
여기서, 이 Xk를 선택 또는 비선택으로 한 경우의 설정 가능 영역을, 비선택 시의 최대치 + 1을 선택 시의 최소치(즉, Xk = {Σ(Xi)} + 1, (i = 0 ~ k - 1))로 하면, 합한 연속적인 설정 영역이 되고, 조합 수열(X0, ···, Xk - 1, Xk)의 분할 시간 조합은 0부터 Xk + {Σ(Xi)}, (i = 0 ~ k - 1)까지, 즉, 0부터{Σ(Xi)}, (i = 0 ~ k)까지의 임의의 시간을 설정할 수 있게 된다.
또한 여기서, Xk < {Σ(Xi)} + 1, (i = 0 ~ k - 1)로 한 경우에는, Xk를 선택 또는 비선택으로 한 경우의 설정 가능 범위가 오버랩되는(Xk를 선택 / 비선택의 쌍방으로 설정 가능한 조사 시간이 존재하는)데, 그러한 선택도 가능해진다.
또한, 최대 조사 시간(Tmax) ≤ Δ · {Σ(Xi)}, (i = 0 ~ m - 1)이 된다, 즉, 최대 조사 시간(Tmax)까지 설정 가능해지도록 Xk의 항수(자릿수)를 m 항(자리)까지 늘리면, 조합 수열(X0, X1, X2, ···, Xm - 1)은, 0부터 Tmax까지의 임의의 시간이 설정 가능한 분할 시간의 조합이 된다.
여기서, 각 샷의 조사 시간(T)은 Xi의 조합으로 표현되고,
T = Δ · {Σ(ai · Xi)}, (i = 0 ~ m - 1)이 된다.
여기서, ai는 선택 / 비선택에 대응하여 1 또는 0으로 표현된다. 이 때문에, ai의 수열(a0, a1, a2, a3, ···, am - 1)은 의사적으로 2 진수와 마찬가지로 0 / 1의 나열로 표현하면 처리상 편리하다.
또한 여기서, 특히 Xk = {Σ(Xi)} + 1, (i = 0 ~ k - 1)로 하면, 2 진수의 각 자리로 한 Xk(Xk = 2k)가 상기 조건을 충족시키게 되어, 필요 자릿수(m)가 최소로 표현될 수 있게 된다.
상기한 조건을 충족시키는 다른 일례로서, 예를 들면 동일 시간의 조사 단계를 조합한 경우의 예로서, Δ = 1 ns에서 N = 700으로 한 경우에, 256 ns(빔 ON), 256 ns(빔 ON), 256 ns(빔 OFF), 64 ns(빔 ON), 64 ns(빔 ON), 64 ns(빔 OFF), 16 ns(빔 ON), 16 ns(빔 ON), 16 ns(빔 ON), 4 ns(빔 ON), 4 ns(빔 ON), 4 ns(빔 ON), 1 ns(빔 OFF), 1 ns(빔 OFF), 1 ns(빔 OFF)라고 하는 조사 단계의 조합으로 조사를 행하는 것으로 해도 마찬가지로 실시할 수 있다. 이 경우는, 15 회의 조사 단계로 조사가 실시된다. 이러한 조사 단계의 분할의 방법은 2 진수의 각 자리로 한 경우에 비해 조사 단계수가 증가하여 스루풋이 저하될 가능성이 있지만, 반면, 동일 시간의 반복으로 함으로써 제어 회로의 설계가 하기 쉬워진다고 하는 메리트도 있다. 조사 단계의 분할의 방법은, 2 진수의 각 자리에 맞추는 것으로 하면 조사 단계수가 최소로 해결된다고 하는 메리트가 있지만, 상술한 것 외에도 다양한 조합으로 분할이 가능하다. 어떠한 조합으로 할지는 요구에 따라 선택되면 된다.
조사 시간 배열 데이터 생성 공정(S109)으로서, 비트 변환부(66)는, 각 값이 각각 1 개 전의 값까지의 합계에 1을 가산한 값 이하가 된다, 미리 설정된 항수의 수열을 이용하여, 샷마다, 상기 수열의 각 항의 값을 선택 / 비선택함으로써 선택된 값의 합계가 전자빔에 의한 멀티빔의 각 빔의 조사 시간(여기서는, 계조치(N))이 되도록 각각 조사 시간 배열 데이터를 생성한다. 조사 시간 배열 데이터는, 예를 들면 선택 시에 '1', 비선택 시에 '0'으로 식별된다. 예를 들면, 상술한, 15 항의 조합 수열(1, 1, 1, 4, 4, 4, 16, 16, 16, 64, 64, 64, 256, 256, 256)을 이용하여, Δ = 1 ns에서 N = 700을 정의한 경우에, 1(비선택 = 0), 1(비선택 = 0), 1(비선택 = 0), 4(선택 = 1), 4(선택 = 1), 4(선택 = 1), 16(선택 = 1), 16(선택 = 1), 16(선택 = 1), 64(비선택 = 0), 64(선택 = 1), 64(선택 = 1), 256(비선택 = 0), 256(선택 = 1), 256(선택 = 1)이 된다. 예를 들면, 수치(조사 시간)가 큰 것부터 차례로 조사할 경우, N = 700의 조사 시간 배열 데이터는"110110111111000"으로 정의할 수 있다. 여기서는, 일례로서 수치가 큰 것부터 배열했지만, 원래의 수열의 순서에 따라, 작은 것부터 "000111111011011"로 정의해도 된다. 조사 시간 배열 데이터의 각 자리(항)가 나타내는 조사 시간은, 미리 설정된 수열의 각 항의 값이 상관되어 있는 것은 말할 필요도 없다.
이상과 같이, 각 샷은, 2 진수의 각 자리의 값에 한정되지 않고, 그 외의 수열치의 조사 시간의 조합에 의한 복수의 조사 단계로 분할되어도 된다.
대상 자리의 조사 시간에 의한 묘화 공정(S114)으로서, 각 빔의 샷마다, 복수의 조사 단계로 분할한 조사 중, 대상 자리(예를 들면 k 비트째(k 자리째))의 조사 시간의 묘화를 실시한다. 이와 같이, 각 빔의 샷마다, 당해 빔의 조사를, 이러한 항수의 수열의 각 값에 상당하는 조사 시간으로 하여 각 항을 조합한 수열의 항수회의 조사로 분할하여, 조사 시간 배열 데이터에 기초하여, 선택된 각 항의 값에 각각 대응하는 조사 시간의 빔을 차례로 시료에 조사한다.
또한 실시예 3에서 설명한 바와 같이, 복수의 조사 단계용의 데이터를 조합하여 전송하는 구성으로 해도 된다. 즉, 이러한 수열의 항수회의 조사에 대하여, 수열의 각 항의 값 중, 복수의 값의 조합으로 구성되는 복수의 그룹을 설정하고, 그룹마다 차례로 빔의 조사가 행해지도록 하면 적합하다. 이에 의해, 다음의 그룹의 데이터 전송 시간을 조사 단계 중의 그룹화된 조사 시간의 합계 내에 포함할 수 있다. 그룹화는, 실시예 3과 마찬가지로, 그룹화된 조사 시간의 합계 간의 차가 보다 균일하게 근접하도록 복수의 그룹을 설정하면 적합하다. 예를 들면, n 자리째(n 비트째)와 1 자리째(1 비트째)와의 그룹, n - 1 자리째(n - 1 비트째)와 2 자리째(2 비트째)와의 그룹, n - 2 자리째(n - 2 비트째)와 3 자리째(3 비트째)와의 그룹, ···과 같이 그룹화하면 적합하다.
이상, 구체예를 참조하여 실시예에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명은 이러한 구체예에 한정되지 않는다.
상기한 실시예의 설명에서는, 제한 애퍼처 부재(206)의 위치를 전자 경통 내에서 편향기(208)의 상류부에 배치하는 구성으로 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 제한 애퍼처 부재(206)를 편향기(208)의 하류부, 또는 예를 들면 다단 편향기를 이용하는 것과 같은 경우는 편향기의 사이에 설치하는 구성으로도 실시할 수 있다. 그러한 구성으로 한 경우, 편향기(208)로 빔을 편향했을 시에는 애퍼처 부재에 의해 블록되는 빔 전류량은 충분히 작고, 한편 블랭킹 편향을 행했을 때에는 궤도가 크게 어긋나 충분히 빔을 블록할 수 있도록, 애퍼처 부재(206) 위치에서, 블랭킹 편향에 의한 빔 궤도의 이탈량이 편향기에 의한 빔 궤도의 이탈량에 대하여 커지도록 설계되면 된다. 전자 경통의 구성은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 적절히 선택되면 된다.
또한, 장치 구성 또는 제어 방법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 장치 구성 또는 제어 방법을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 제어부 구성을 적절히 선택하여 이용하는 것은 말할 필요도 없다.
그 외에, 본 발명의 요소를 구비하고, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 방법은, 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 몇 개의 실시예를 설명했지만, 이들 실시예는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규 실시예는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시예 또는 그 변형은 발명의 범위 또는 요지에 포함되고, 또한 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.

Claims (9)

  1. 하전 입자빔의 조사를 받아 형성된 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구를 이용하여, 빔마다, 상기 멀티빔 중 동일한 빔을 이용하여 차례로 행해지는 복수회의 조사의 각 회의 조사에 대하여, 당해 빔용의 개별 블랭킹 기구에 의해 빔의 ON / OFF 전환을 행하는 전환 단계와,
    상기 전환 단계 이후, 상기 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 공통 블랭킹 기구를 이용하여 상기 조사에 대응하는 조사 시간만큼 빔 ON의 상태가 되도록 블랭킹 제어를 행하는 블랭킹 단계
    를 가지고,
    상기 복수회의 조사는 적어도 하나의 상이한 조사 시간의 조사를 포함하고,
    상기 각 빔의 하나의 조사 위치가 해당 빔을 이용하는 상기 복수회의 조사로부터 선택된 복수의 조사에 의해 묘화되고, 상기 복수의 조사는 상기 하나의 조사 위치에 따라 선택되는 한편, 상기 각 빔의 상기 하나의 조사 위치는 연속 이동하는 스테이지의 이동에 추종하는 것인, 멀티 하전 입자빔 묘화 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 하전 입자빔의 조사를 받아 멀티빔을 형성하는 복수의 개구부가 형성된 애퍼처 부재와,
    상기 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔에 대하여 개별로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 복수의 개별 블랭킹 기구와,
    묘화 중 상기 멀티빔 전체에 대하여 일괄하여 동적으로 빔의 ON / OFF 제어를 행하는 공통 블랭킹 기구와,
    상기 공통 블랭킹 기구가 조사 시간을 규정하도록 상기 공통 블랭킹 기구를 제어하는 제어부와,
    상기 멀티빔 중 동일한 빔을 이용하여 차례로 행해지는 복수회의 조사를 행하는 한편, 상기 멀티빔의 각각의 조사 위치가 연속 이동하는 스테이지의 이동에 추종하도록 상기 멀티빔의 조사 위치를 제어하는 편향기
    를 구비하고,
    상기 복수회의 조사는 적어도 하나의 상이한 조사시간의 조사를 포함하고,
    상기 멀티빔 각각에 의한 각각의 조사 위치에 대하여, 상기 각각의 조사 위치가 해당 빔을 이용하는 상기 복수회의 조사로부터 선택된 복수의 조사에 의해 묘화되고, 상기 복수의 조사는 상기 각각의 조사 위치에 따라 선택되는 것인, 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  6. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170107399A (ko) * 2016-03-15 2017-09-25 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6097640B2 (ja) 2013-06-10 2017-03-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6209369B2 (ja) 2013-06-13 2017-10-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6653125B2 (ja) 2014-05-23 2020-02-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6353278B2 (ja) 2014-06-03 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
TW201618153A (zh) * 2014-09-03 2016-05-16 Nuflare Technology Inc 多重帶電粒子束的遮沒裝置，多重帶電粒子束描繪裝置，及多重帶電粒子束的不良射束遮蔽方法
JP6428518B2 (ja) * 2014-09-05 2018-11-28 株式会社ニューフレアテクノロジー データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法
JP2016082106A (ja) * 2014-10-17 2016-05-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6541999B2 (ja) * 2015-03-26 2019-07-10 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6577787B2 (ja) 2015-08-11 2019-09-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6616986B2 (ja) 2015-09-14 2019-12-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2017126674A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6682278B2 (ja) 2016-01-19 2020-04-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置
JP6861508B2 (ja) * 2016-12-08 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置
JP2018098268A (ja) 2016-12-08 2018-06-21 株式会社ニューフレアテクノロジー ブランキング偏向器及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US20190066972A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
JP6743787B2 (ja) * 2017-09-13 2020-08-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及びブランキング回路の故障診断方法
JP7126367B2 (ja) * 2018-03-29 2022-08-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP7026554B2 (ja) * 2018-03-29 2022-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7087964B2 (ja) * 2018-11-29 2022-06-21 株式会社ニューフレアテクノロジー セトリング時間の取得方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
JP7316127B2 (ja) 2019-07-10 2023-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071690A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置
JP2008210897A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Canon Inc 露光装置、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0194619A (ja) * 1987-10-06 1989-04-13 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置のショット制御回路
JPH0675287B2 (ja) 1987-10-07 1994-09-21 富士写真フイルム株式会社 磁気記録媒体
JP2901246B2 (ja) * 1988-03-30 1999-06-07 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光装置
JPH01295419A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及びその装置
KR950002578B1 (ko) * 1991-03-13 1995-03-23 후지쓰 가부시끼가이샤 전자빔 노광방법
JPH06291025A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Toshiba Corp 電子ビーム露光装置
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
JPH07297094A (ja) * 1994-04-20 1995-11-10 Hitachi Ltd 電子源および電子ビーム描画方法および描画装置
JP3512945B2 (ja) * 1996-04-26 2004-03-31 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
JPH10177589A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Mitsubishi Electric Corp パターン比較検証装置、パターン比較検証方法およびパターン比較検証プログラムを記録した媒体
EP0982707A1 (en) * 1998-08-19 2000-03-01 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Method and apparatus for processing video pictures, in particular for large area flicker effect reduction
TWI234567B (en) * 1998-11-27 2005-06-21 Hyundai Electronics Ind Cross-linker for photoresist, and photoresist composition comprising the same
US6556702B1 (en) * 1999-01-06 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus that determines charged particle beam shape codes
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2002118060A (ja) * 2000-07-27 2002-04-19 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
JP3394237B2 (ja) * 2000-08-10 2003-04-07 株式会社日立製作所 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
US6768125B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
JP4017935B2 (ja) * 2002-07-30 2007-12-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ マルチビーム型電子線描画方法及び装置
JP4220209B2 (ja) 2002-09-27 2009-02-04 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法
JP4313145B2 (ja) * 2003-10-07 2009-08-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
GB2414111B (en) * 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
GB2413694A (en) * 2004-04-30 2005-11-02 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-beam exposure apparatus
JP4761508B2 (ja) 2005-03-16 2011-08-31 キヤノン株式会社 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法
DE602007003089D1 (de) * 2006-04-03 2009-12-17 Ims Nanofabrication Ag Teilchenstrahl-belichtungsvorrichtung mit gesamtmo
JP5180446B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-10 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置及び露光方法
JP5209200B2 (ja) * 2006-11-29 2013-06-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法
NL2001369C2 (nl) * 2007-03-29 2010-06-14 Ims Nanofabrication Ag Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
JP5095364B2 (ja) * 2007-11-26 2012-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム
US8890094B2 (en) * 2008-02-26 2014-11-18 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
US8258484B2 (en) * 2008-04-15 2012-09-04 Mapper Lithography Ip B.V. Beamlet blanker arrangement
EP2443647B1 (en) * 2009-05-20 2016-10-05 Mapper Lithography IP B.V. Pattern data conversion for lithography system
US8884255B2 (en) * 2010-11-13 2014-11-11 Mapper Lithography Ip B.V. Data path for lithography apparatus
JP5724621B2 (ja) 2011-05-20 2015-05-27 コニカミノルタ株式会社 赤外線遮蔽フィルム及びそれを用いた赤外線遮蔽体
JP5859778B2 (ja) * 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5826566B2 (ja) * 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2013074088A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Canon Inc 荷電粒子線描画装置、描画データ生成方法、描画データ生成プログラム、それを用いた物品の製造方法
TWI477925B (zh) * 2011-10-04 2015-03-21 Nuflare Technology Inc Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method
JP2013124435A (ja) 2011-12-16 2013-06-24 Asahi Kasei Fibers Corp 化粧用シート
US9847110B2 (en) * 2014-09-03 2017-12-19 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for storing a data value in multiple columns of an array corresponding to digits of a vector

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071690A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置
JP2008210897A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Canon Inc 露光装置、及びデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170107399A (ko) * 2016-03-15 2017-09-25 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치
KR101958926B1 (ko) 2016-03-15 2019-03-15 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치, 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP6215586B2 (ja) 2017-10-18
US20170098524A1 (en) 2017-04-06
TW201832019A (zh) 2018-09-01
KR20140057175A (ko) 2014-05-12
US9202673B2 (en) 2015-12-01
TWI632436B (zh) 2018-08-11
DE102013221950B4 (de) 2020-12-10
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