JP2017126674A - マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】制限アパーチャ部材からのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止する。【解決手段】一実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、複数の個別ブランカ28を用いて、マルチビームの各ビームを個別にブランキング偏向する工程と、共通ブランカ212を用いてマルチビーム全体に対して一括してブランキング偏向を行ってビームのON/OFFを切り替える工程と、を備える。個別ブランカ28又は共通ブランカ212によりビームOFFの状態になるように偏向されたビームは、穴206aから位置が外れて制限アパーチャ部材206により遮蔽される。個別ブランカ28と共通ブランカ212の一方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向している時に、他方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向した場合、ビームは穴206aに近付かないように制限アパーチャ部材206上を移動する。【選択図】図1
Description
本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に関する。
LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク(ステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。)を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム描画技術が用いられている。
マルチビームを使った描画装置は、1本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度(1回のショット)に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置では、例えば、電子銃から下方へ放出された電子ビームが、複数の穴を持ったアパーチャ部材を通過することでマルチビームが形成される。
このアパーチャ部材の下方には、アパーチャ部材の各穴の配置位置に合わせて通過孔が形成されたブランキングプレートが設けられている。ブランキングプレートの各通過孔には個別ブランカ(個別ブランキング偏向器)がそれぞれ配置され、各ビームのブランキング偏向が行われる。
ブランキングプレートの下方には、マルチビーム全体を一括してブランキング制御する共通ブランカ(共通ブランキング偏向器)が設けられている。共通ブランカの下方には、中心部に穴が形成された制限アパーチャ部材が設けられている。個別ブランカ又は共通ブランカによってビームOFFの状態になるように偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材によって遮蔽される。個別ブランカ及び共通ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材を通過し、偏向器で偏向されて基板上の所望の位置へと照射される。
個別ブランカによるビーム偏向方向と、共通ブランカによるビーム偏向方向とが逆方向になっている場合、一方のブランカがビームOFFとなるように偏向を行っている時に他方のブランカがビームOFFとなるように偏向を行うと、ビームが制限アパーチャ部材の穴を通過して漏れビームが生じる。その結果、基板に対するビーム照射量の制御が十分にできず、描画精度が低下するという問題があった。
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、制限アパーチャ部材からのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できるマルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのON/OFF制御を行う複数の個別ブランカを用いて、ビーム毎にブランキング偏向を行う工程と、共通ブランカを用いて前記マルチビーム全体に対して一括してブランキング偏向を行ってビームのON/OFFを切り替える工程と、を備え、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームONの状態になるように制御されたビームは、中心部に穴が設けられた制限アパーチャ部材の該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームOFFの状態になるように偏向されたビームは、該穴から位置が外れて該制限アパーチャ部材により遮蔽され、前記個別ブランカと前記共通ブランカの一方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向している時に、他方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向した場合、ビームは前記穴に近付かないように前記制限アパーチャ部材上を移動することを特徴とするものである。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とのなす角度が90度以下であることを特徴とする。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とが同じであることを特徴とする。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、前記個別ブランカと前記共通ブランカとの間に設けられた磁界レンズによりビームが回転することを特徴とする。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのON/OFF制御を行う複数の個別ブランカと、前記マルチビーム全体に対して一括してビームのON/OFF制御を行う共通ブランカと、中心部に穴が設けられ、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームONの状態になるように制御されたビームが該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームOFFの状態になるように偏向されて該穴から位置が外れたビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、を備え、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカの一方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向している時、他方は、前記制限アパーチャ部材により遮蔽されているビームを前記穴に近付かないように偏向してビームOFFの状態とすることを特徴とするものである。
本発明によれば、制限アパーチャ部材からのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態による描画装置の構成を示す概念図である。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であり、描画部150と制御部160を備えている。
図1は、第1の実施形態による描画装置の構成を示す概念図である。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であり、描画部150と制御部160を備えている。
描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート204、投影レンズ205、偏向器212、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。照明レンズ202、投影レンズ205、及び対物レンズ207は静電レンズで構成されている。
描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となるマスク基板101が載置される。マスク基板101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、マスク基板101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
制御部160は、制御計算機110、制御回路112、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140を有している。記憶装置140(記憶部)には、描画データが外部から入力され、格納されている。
図2は、アパーチャ部材203の構成を示す概念図である。図2(a)において、アパーチャ部材203には、縦(y方向)m列×横(x方向)n列(m,n≧2)の穴(開口部)22が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。例えば、512×8列の穴22が形成される。各穴22は、同じ寸法形状の矩形で形成される。各穴22は、同じ外径の円形であっても構わない。これらの複数の穴22を電子ビーム200の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム20が形成されることになる。
ここでは、縦横(x,y方向)が共に2列以上の穴22が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横(x,y方向)どちらか一方が複数列で他方は1列だけであっても構わない。また、穴22の配列の仕方は、図2(a)にように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。図2(b)に示すように、縦方向(y方向)1段目の列と、2段目の列の穴同士が、横方向(x方向)に寸法aだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向(y方向)2段目の列と、3段目の列の穴同士が、横方向(x方向)に寸法bだけずれて配置されてもよい。
図3は、ブランキングプレート204の構成を示す概念図である。ブランキングプレート204には、アパーチャ部材203の各穴22の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔には、対となる2つの電極24,26の組(ブランカ28:ブランキング偏向器)が配置される。各ビーム用の2つの電極24,26の一方(例えば、電極24)には、制御回路112により、電圧が印加される。2つの電極24,26の他方(例えば、電極26)は、接地される。
各通過孔を通過する電子ビーム20a〜eは、2つの電極24,26に印加される電圧によって、それぞれ独立に偏向される。このような偏向によってブランキング制御が行われる。複数のブランカ28が、アパーチャ部材203の複数の穴22(開口部)を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。以下、各ビーム用の2つの電極24,26の組を個別ブランカ28ともいう。
偏向器212は、マルチビーム全体を一括してブランキング制御する。以下、偏向器212を共通ブランカ212ともいう。
図4(a)は、制限アパーチャ部材206の上面図である。図4(a)に示すように、制限アパーチャ部材206の中心部には穴206aが形成されている。個別ブランカ28及び共通ブランカ212により偏向されなかった(ビームONとなるように制御された)電子ビーム20は、穴206aを通過する。一方、個別ブランカ28及び共通ブランカ212により偏向された(ビームOFFとなるように制御された)電子ビーム20は、穴206aから位置が外れ、制限アパーチャ部材206によって遮蔽される。
このように、本実施形態では、複数の個別ブランカ28と、共通ブランカ212とにより、ブランキング制御が行われ、ビームのON/OFFが制御される。ビームONになってからビームOFFになるまでに制限アパーチャ部材206を通過したビームにより、1回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材206を通過したマルチビーム20のパターン像は、対物レンズ207により焦点が合わされ、マスク基板101上のそれぞれの照射位置に照射される。
描画装置100は、XYステージ105が移動しながらショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームONに制御される。
本実施形態では、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する方向と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する方向とが同じになるように、ブランキングプレート204及び共通ブランカ212が描画部150にセット(取り付け)されている。
ブランキングプレート204と共通ブランカ212との間に配置される投影レンズ205は静電レンズであり、ブランキングプレート204と共通ブランカ212との間でビームの回転や結像反転は生じない。
そのため、図4(b)に示すように、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する時に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D1と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する時に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D2とが同じになっている。
このように、制限アパーチャ部材206上における、ビームOFFとするための個別ブランカ28によるビーム偏向方向D1と、共通ブランカ212によるビーム偏向方向D2とを同じにすることで、一方のブランカでビームOFFとしている時に、他方のブランカでビームOFFとした際に、穴206aからビームが漏れることを防止できる。
図5(a)(b)は比較例による個別ブランカ及び共通ブランカのビーム偏向を示し、個別ブランカのビーム偏向方向と、共通ブランカのビーム偏向方向とが逆方向になっている。図5(a)に示すように、個別ブランカがビームOFFとなるように偏向している際に、共通ブランカがビームOFFとなるように偏向を行うと、図5(b)に示すように、ビームが制限アパーチャ部材206上を位置P1からP2へ移動する間に、穴206aを通過し、ビームが漏れる。穴206aを通過した漏れビームは、マスク基板101に照射され、パターンの描画精度を低下させる。
一方、本実施形態では、ビームOFFとする際の個別ブランカ28によるビーム偏向方向D1と、共通ブランカ212によるビーム偏向方向D2とが同じであるため、穴206aからのビームの漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
制御部160の制御計算機110は、記憶装置140から描画データを読み出し、複数段のデータ変換をおこなって、ショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、マスク基板101の描画面を例えばビームサイズで格子状の複数の照射領域に分割した各照射領域への照射有無、及び照射時間等が定義される。制御計算機110は、ショットデータに基づいて、制御回路112に制御信号を出力する。制御回路112は、制御信号に基づいて描画部150を制御する。例えば、制御回路112は、個別ブランカ28や共通ブランカ212の電極、静電レンズ等への印加電圧を制御したり、ステージ105の移動を制御したりする。描画部150の動作は以下のようになる。
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、照明レンズ202によりほぼ垂直にアパーチャ部材203全体を照明する。電子ビーム200は、アパーチャ部材203のすべての穴22が含まれる領域を照明する。電子ビーム200が穴22を通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム(マルチビーム)20a〜eが形成される。
マルチビーム20a〜eは、ブランキングプレート204のそれぞれ対応する個別ブランカ28内を通過する。個別ブランカ28は、それぞれ、通過する電子ビーム20を個別に偏向する(ブランキング偏向を行う)。ブランキングプレート204を通過したマルチビーム20a〜eは、投影レンズ205によって縮小され、共通ブランカ212内を通過して、制限アパーチャ部材206の中心の穴206aに向かって進む。
ブランキングプレート204の個別ブランカ28によって偏向された電子ビーム20は、制限アパーチャ部材206の中心の穴206aから位置がはずれ、制限アパーチャ部材206によって遮蔽される。一方、個別ブランカ28によって偏向されなかった電子ビーム20は、制限アパーチャ部材206の中心の穴206aを通過する。また、共通ブランカ212によって一括して偏向されたマルチビーム全体は、制限アパーチャ部材206の中心の穴206aから位置がはずれ、制限アパーチャ部材206によって遮蔽される。
このようなブランカのON/OFFによって、ブランキング制御が行われ、ビームのON/OFFが制御される。制限アパーチャ部材206を通過したマルチビーム20のパターン像は、対物レンズ207により焦点が合わされ、偏向器208によって偏向され、マスク基板101上のそれぞれの照射位置に照射される。
個別ブランカ28がビームOFFとする際のビーム偏向方向と、共通ブランカ212がビームOFFとする際のビーム偏向方向とが一致しているため、一方のブランカがビームOFFとしている時に他方のブランカがビームOFFとしても、偏向されたビームが、制限アパーチャ部材206の中心の穴206aを通過するビーム漏れを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
[第2の実施形態]
上記第1の実施形態では、照明レンズ202、投影レンズ205、及び対物レンズ207を静電レンズで構成する例について説明したが、使用される電子レンズは静電レンズに限定されず、磁界レンズを用いてもよい。
上記第1の実施形態では、照明レンズ202、投影レンズ205、及び対物レンズ207を静電レンズで構成する例について説明したが、使用される電子レンズは静電レンズに限定されず、磁界レンズを用いてもよい。
磁界レンズで作られる磁界中で電子は螺旋運動をするため、像が回転する。そのため、照明レンズ202、投影レンズ205、及び対物レンズ207を磁界レンズで構成する場合は、投影レンズ205のレンズ磁場の強さから、像の回転角φを予め計算しておく。
そして、図6に示すように、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する方向D3と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する方向D4とが角度φをなすように、ブランキングプレート204及び共通ブランカ212を描画部150にセットする。図6は、個別ブランカ28及び共通ブランカ212のビーム偏向方向を描画装置(電子鏡筒102)の上方から見た概念図である。
投影レンズ205で像が回転されることで、上記第1の実施形態(図4(b)参照)と同様に、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D1と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D2とが同じになる。
これにより、制限アパーチャ部材206の穴206aからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
[第3の実施形態]
上記第1の実施形態では、描画部150において共通ブランカ212を投影レンズ205の下方に設けていたが、図7に示すように照明レンズ202の上方に設けてもよい。さらに、照明レンズ202を、照明レンズ202a、202bの2段構成としてもよい。
上記第1の実施形態では、描画部150において共通ブランカ212を投影レンズ205の下方に設けていたが、図7に示すように照明レンズ202の上方に設けてもよい。さらに、照明レンズ202を、照明レンズ202a、202bの2段構成としてもよい。
図7に示す構成の場合、照明レンズ202aによる結像で像が反転する。そのため、図8に示すように、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する方向D5と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する方向D6とが逆方向となるように、ブランキングプレート204及び共通ブランカ212を描画部150にセットする。
照明レンズ202aの結像で像が反転されることで、上記第1の実施形態(図4(b)参照)と同様に、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D1と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D2とが同じになる。
これにより、制限アパーチャ部材206の穴206aからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
[第4の実施形態]
上記第3の実施形態において、照明レンズ202a、202b、投影レンズ205、及び対物レンズ207を磁界レンズで構成してもよい。
上記第3の実施形態において、照明レンズ202a、202b、投影レンズ205、及び対物レンズ207を磁界レンズで構成してもよい。
磁界レンズで作られる磁界中で電子は螺旋運動をするため、像が回転する。そのため、照明レンズ202、投影レンズ205、及び対物レンズ207を磁界レンズで構成する場合は、照明レンズ202a及び202bのレンズ磁場の強さから、像の回転角γを予め計算しておく。
そして、図9に示すように、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する方向D7と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する方向D8とが角度γ+180°をなすように、ブランキングプレート204及び共通ブランカ212を描画部150にセットする。角度γは照明レンズ202a及び202bによる像の回転を考慮したものであり、180°は照明レンズ202aの結像による像の反転を考慮したものである。
照明レンズ202a及び202bで像が回転され、かつ照明レンズ202aの結像で像が反転されることで、上記第1の実施形態(図4(b)参照)と同様に、ビームOFFの状態になるように個別ブランカ28がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D1と、ビームOFFの状態になるように共通ブランカ212がビームを偏向する際に制限アパーチャ部材206上でビームが移動(偏向)する方向D2とが同じになる。
これにより、制限アパーチャ部材206の穴206aからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
上記第1〜第4の実施形態では、制限アパーチャ部材206上での、ビームOFFとするための個別ブランカ28によるビーム偏向方向D1と、共通ブランカ212によるビーム偏向方向D2とを同じにする例について説明したが、一方のブランカがビームOFFとしている時に他方のブランカがビームOFFとした際に、制限アパーチャ部材206で遮蔽されているビームが穴206aに近付かなければよい。そのため、図10(a)、(b)に示すように、方向D1と方向D2とのなす角度θが90°以下となっていればよい。図10(a)はθ=90°の例を示し、図10(b)はθ=45°の例を示している。角度θは45°以下が好ましく、10°以下すなわち方向D1と方向D2とがほぼ一致していることがさらに好ましい。
上記実施形態では、個別ブランカ28及び共通ブランカ212の2段のブランキング機構が設けられていたが、3段以上であってもよい。制限アパーチャ部材206上での各段のブランキング機構によるビーム偏向方向を合わせることで、制限アパーチャ部材206の穴206aからビームが漏れることを抑制し、描画精度の低下を防止できる。
上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
20 マルチビーム
22 穴
24,26 電極
28 個別ブランカ
100 描画装置
101 マスク基板
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 制御回路
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204 ブランキングプレート
205 投影レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
212 偏向器(共通ブランカ)
22 穴
24,26 電極
28 個別ブランカ
100 描画装置
101 マスク基板
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 制御回路
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204 ブランキングプレート
205 投影レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
212 偏向器(共通ブランカ)
Claims (5)
- 荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのON/OFF制御を行う複数の個別ブランカを用いて、ビーム毎にブランキング偏向を行う工程と、
共通ブランカを用いて前記マルチビーム全体に対して一括してブランキング偏向を行ってビームのON/OFFを切り替える工程と、
を備え、
前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームONの状態になるように制御されたビームは、中心部に穴が設けられた制限アパーチャ部材の該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームOFFの状態になるように偏向されたビームは、該穴から位置が外れて該制限アパーチャ部材により遮蔽され、
前記個別ブランカと前記共通ブランカの一方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向している時に、他方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向した場合、ビームは前記穴に近付かないように前記制限アパーチャ部材上を移動することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とのなす角度が90度以下であることを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記制限アパーチャ部材上での、前記個別ブランカによるビーム偏向方向と、前記共通ブランカによるビーム偏向方向とが同じであることを特徴とする請求項2に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記個別ブランカと前記共通ブランカとの間に設けられた磁界レンズによりビームが回転することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームによるマルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのON/OFF制御を行う複数の個別ブランカと、
前記マルチビーム全体に対して一括してビームのON/OFF制御を行う共通ブランカと、
中心部に穴が設けられ、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームONの状態になるように制御されたビームが該穴を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームOFFの状態になるように偏向されて該穴から位置が外れたビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、
を備え、
前記個別ブランカ及び前記共通ブランカの一方がビームOFFの状態になるようにビームを偏向している時、他方は、前記制限アパーチャ部材により遮蔽されているビームを前記穴に近付かないように偏向してビームOFFの状態とすることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
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