JP2012151305A - 荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器18と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ19と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒24と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構25と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。
【選択図】 図1
Description
図1を用いて実施例1のマルチ電子ビーム描画装置の構成を説明する。電子銃(荷電粒子線源)11は、クロスオーバ12を形成する。符号13,14はクロスオーバ12から発散した電子の軌道を示している。クロスオーバ12から発散した電子は、電磁レンズで構成されたコリメーターレンズ15の作用により平行ビームを生成し、アパーチャアレイ16に入射する。アパーチャアレイ16は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビームは複数の電子ビームに分割される。
図2は、実施例2における電子ビーム描画装置のブランキング偏向器18およびストッピングアパーチャ19の近傍部分を3次元的に表現している。図2では、電子ビームを簡略して太線1本にて表示している。実施例1では、触媒に電子ビームを照射する際に、ブランキング偏向器18に通常の描画動作の場合とは逆極性の電圧をかけることで電子ビーム41の偏向方向を逆方向に変えた。この場合、ブランキング偏向器18に電圧を供給する系統に2種の電源を用意し、多数ある電極全てにスイッチング動作をさせる必要があり、ブランキング制御回路32に負荷がかかる。
図3を用いて実施例3における電子ビーム描画装置を説明する。実施例3では、触媒であるプラチナの層51を、ストッピングアパーチャ19のブランキング偏向器18の側の面の、描画動作で電子ビームが照射されない領域に加えて、描画動作で電子ビームが照射される領域に配置する。例えば、ストッピングアパーチャ19の表面全体にプラチナ層51を設置する。プラチナは導電性の良好な金属であり、かつ耐酸化性もあるので、ストッピングアパーチャ19の表面材料に適している。ストッピングアパーチャ19の表面にプラチナを用いても、カーボンコンタミネーション26は付着し、堆積することは阻止できない。
図4を用いて実施例4における電子ビーム描画装置を説明する。実施例4では、触媒であるタングステン層24は、ストッピングアパーチャ19上で描画動作のときに電子ビーム37が照射される位置よりもさらに−X方向側に配置される。実施例4では、カーボンコンタミネーション26を除去する場合に電子ビーム13の加速電圧を変化させる。具体的な例としては、除去動作を行う場合、通常の描画動作時の加速電圧に対してその半分程度の加速電圧にする。このような状態で、水素ガス導入口25から水素ガスを導入しながら、ブランキング偏向器18によって電子ビーム37を偏向する。このときブランキング偏向器全てに偏向をかけ、電子ビームの軌道を曲げる。
図5を用いて実施例5における電子ビーム描画装置を説明する。実施例5では、触媒をストッピングアパーチャ19上に層としては配置しない。ブランキング偏向器18とストッピングアパーチャ19との間の空間で、通常の描画動作では電子ビーム41,42,43が照射されない−Y方向の位置にX方向に延びるタングステンワイヤー53を設置する。本実施例では、さらに、実施例2にて説明した偏向電極44,45と同等のものが、ブランキング偏向器18による通常の描画動作時の電子ビームの偏向方向と平行な方向(X方向)に設置されている。
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、FPDのデバイスの製造に好適である。前記方法は、上記の荷電粒子線描画装置を用いて感光剤が塗布された基板10にパターンを描画する工程と、前記パターンが描画された基板10を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。
Claims (12)
- 荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器と、
前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断可能なストッピングアパーチャと、
前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒と、
前記触媒に前記気体を供給する供給機構と、
を備え、
前記堆積物を除去する除去動作では、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、前記パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する、ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。 - 前記触媒は、前記ストッピングアパーチャの前記ブランキング偏向器の側の面の一部に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記触媒は、前記ストッピングアパーチャと前記ブランキング偏向器との間に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記除去動作の間、前記ブランキング偏向器に前記描画動作の間とは異なる電圧を印加することにより前記荷電粒子線を前記領域に照射する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記除去動作の間、前記描画動作の間に前記ブランキング偏向器に印加する電圧と逆極性の電圧を前記ブランキング偏向器に印加する、ことを特徴とする請求項4に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記除去動作の間、前記荷電粒子線を生成する荷電粒子線源に前記描画動作の間とは異なる加速電圧を印加することにより前記荷電粒子線を前記領域に照射する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記ブランキング偏向器による前記荷電粒子の偏向方向と異なる方向に前記荷電粒子線を偏向する偏向器をさらに備え、
前記除去動作の間、前記偏向器によって前記荷電粒子線を偏向することにより前記荷電粒子線を前記領域に照射する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。 - 前記除去動作の間、前記偏向器及び前記ブランキング偏向器によって前記荷電粒子線を偏向して前記領域に照射する、ことを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記触媒は、前記ストッピングアパーチャの前記ブランキング偏向器の側の面の、前記描画動作で荷電粒子線が照射されない領域に加えて前記描画動作で荷電粒子線が照射される領域に配置される、ことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記触媒はプラチナである、ことを特徴とする請求項9に記載の荷電粒子線描画装置。
- 前記気体は水素である、ことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置。
- 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記工程でパターンが描画された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012151304A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Canon Inc | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
JP2016082106A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2017126674A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014140009A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Canon Inc | 描画装置、及び物品の製造方法 |
WO2016103432A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置およびその制御方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11154640A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-08 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム装置用吸着板、荷電粒子ビーム装置用偏向電極及び荷電粒子ビーム装置 |
JP2000323398A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Sony Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP2009049438A (ja) * | 2004-10-04 | 2009-03-05 | Asml Netherlands Bv | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4526858A (en) * | 1982-01-11 | 1985-07-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for fabricating superconducting weak-links using electron beam lithography |
EP0345097B1 (en) * | 1988-06-03 | 2001-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
JPH0696058B2 (ja) * | 1989-07-14 | 1994-11-30 | 三井造船株式会社 | 剃切具 |
US6635874B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Self-cleaning technique for contamination on calibration sample in SEM |
US6954255B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JP2003115451A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-04-18 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP5709546B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11154640A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-08 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム装置用吸着板、荷電粒子ビーム装置用偏向電極及び荷電粒子ビーム装置 |
US6207117B1 (en) * | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam apparatus and gas supply and exhaustion method employed in the apparatus |
JP2000323398A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Sony Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP2009049438A (ja) * | 2004-10-04 | 2009-03-05 | Asml Netherlands Bv | 光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012151304A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Canon Inc | エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法 |
JP2016082106A (ja) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2017126674A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
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