JP7087964B2 - セトリング時間の取得方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
44 AND演算器
46 個別アンプ
54 共通アンプ
204 ブランキングプレート
212 共通ブランカ
Claims (5)
- 荷電粒子ビームが成形アパーチャプレートに設けられた複数の開口部を通過することでマルチビームを形成する工程と、
複数の個別ブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのオン/オフ制御を行う工程と、
共通ブランカを用いて、前記マルチビーム全体に対して一括してビームのオン/オフ制御を行う工程と、
偏向器を用いて前記マルチビームを偏向し、基板上にビーム毎に評価パターンを描画する工程と、
前記個別ブランカに電圧を印加する個別アンプの出力タイミングと、前記共通ブランカに電圧を印加する共通ブランカの出力タイミングとの差であるセトリング時間を可変にしながら、セトリング時間毎に前記基板上に評価パターンを描画する工程と、
前記評価パターンの寸法又はラフネスを測定する工程と、
各ビームについて、前記寸法又はラフネスの測定結果が所定の範囲内となる評価パターンを描画した時のセトリング時間のうち最短の第1セトリング時間を求める工程と、
各ビームの前記第1セトリング時間から、実描画時に描画装置に設定する第2セトリング時間を取得する工程と、
を備えるセトリング時間の取得方法。 - 各ビームの第1セトリング時間のうち、最も長い第1セトリング時間を前記第2セトリング時間として取得することを特徴とする請求項1に記載のセトリング時間の取得方法。
- 前記成形アパーチャプレートを複数の領域に分割し、各領域に対応するビームで描画した評価パターンの面積の和又は平均寸法を測定し、
各領域について、前記面積の和又は平均寸法の測定結果が所定の範囲内となる評価パターンを描画した時のセトリング時間のうち最短の第3セトリング時間を求める工程と、
前記第3セトリング時間が最長の領域に含まれる各ビームについて前記第1セトリング時間を求め、求めた第1セトリング時間から前記第2セトリング時間を取得することを特徴とする請求項1又は2に記載のセトリング時間の取得方法。 - 前記寸法又はラフネスの測定結果が所定の範囲内となる評価パターンを描画した時のセトリング時間のうち、最短となるセトリング時間と最長となるセトリング時間との差を求め、
前記差を用いて、前記個別アンプに信号を出力する個別レジスタに対してデータ読み出し用のリード信号を出力する間隔を決定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のセトリング時間の取得方法。 - 請求項1に記載の方法で取得した前記第2セトリング時間を設定した描画装置を用いるマルチ荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記マルチビームのうち、前記第1セトリング時間が前記第2セトリング時間よりも長いビームを使用しないで描画処理を行うことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP7087964B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2018
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