JP2020009887A - 照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
Description
をさらに備える。
数式1:Vd=Vcd/DL
数式2:Ds=Vd・D
数式3:Ts=Ds/J
52 照射時間算出部
54 描画制御部
100 描画装置
110 制御計算機
150 描画部
160 制御部
Claims (5)
- 荷電粒子ビーム描画装置を用いて、パス数の異なる多重描画で荷電粒子ビームを基板に照射して評価パターンを描画する工程と、
前記評価パターンの寸法を測定する工程と、
各パス数に対応する評価パターンの寸法測定結果から、1パスあたりの寸法変動量を算出する工程と、
前記1パスあたりの寸法変動量と、荷電粒子ビームの照射量の変化量に対するパターン寸法の変化量の比を示す尤度とに基づいて、1パスあたりの照射量変動量を算出する工程と、
を備える照射量補正量の取得方法。 - 前記1パスあたりの照射量変動量及び前記評価パターン描画時の照射量に基づいて、不足照射量を算出する工程と、
前記不足照射量及び前記評価パターン描画時の荷電粒子ビームの電流密度に基づいて、荷電粒子ビームの照射時間の不足分であるショットタイムオフセットを算出する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の照射量補正量の取得方法。 - 前記評価パターンは第1方向に沿った第1ラインアンドスペースパターン及び前記第1方向と直交する第2方向に沿った第2ラインアンドスペースパターンを含み、
前記第1ラインアンドスペースパターンの寸法測定結果を用いて算出された前記ショットタイムオフセットと、前記第2ラインアンドスペースパターンの寸法測定結果を用いて算出された前記ショットタイムオフセットとの平均値を算出することを特徴とする請求項2に記載の照射量補正量の取得方法。 - 荷電粒子ビームを放出する工程と、
ブランキング偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ビームONとビームOFFのいずれかの状態になるようにブランキング制御する工程と、
描画データから、ショット毎のビームサイズ及びショット位置を含むショットデータを生成する工程と、
荷電粒子ビームの照射量、多重描画のパス数、及び電流密度から求まる1パスあたりの照射時間に、請求項2又は3に記載の方法で算出した前記ショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間を算出する工程と、
算出された照射時間を含む前記ショットデータに基づいて、前記ブランキング偏向器と、ビーム形状及びビームサイズを変化させる偏向器と、ビーム照射位置を調整する偏向器とを制御し、基板上にパターンを描画する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。 - 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームを偏向して、ビームONとビームOFFのいずれかの状態になるようにブランキング制御するブランキング偏向器と、
描画データから、ショット毎のビームサイズ及びショット位置を含むショットデータを生成するショットデータ生成部と、
請求項2又は3に記載の方法で算出された前記ショットタイムオフセットの入力を受け付ける入力部と、
荷電粒子ビームの照射量、多重描画のパス数、及び電流密度から求まる1パスあたりの照射時間に、前記ショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間を算出する照射時間算出部と、
算出された照射時間を含む前記ショットデータに基づいて、前記ブランキング偏向器と、ビーム形状及びビームサイズを変化させる偏向器と、ビーム照射位置を調整する偏向器とを制御する偏向制御部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。
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