JP7189729B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能な描画用のマルチビーム全体の照射領域のうち、使用するビームアレイの照射領域として中央部の領域を設定する領域設定部と、
実装されるマルチビームのうち、設定された中央部の領域内のビームアレイを用いて、試料にパターンを描画する描画機構と、
設定された領域に応じたショットサイクル時間を演算するショットサイクル演算部と、
を備え、
前記描画機構は、演算されたショットサイクルに沿って前記試料に前記パターンを描画することを特徴とする。
レンズ制御値を用いて電磁レンズを制御するレンズ制御回路と、
電磁レンズを制御する、マルチビームの使用ビームの本数に関連させたレンズ制御値が定義されたテーブルを記憶する記憶装置と、
をさらに備え、
レンズ制御回路は、テーブルを参照して、設定された領域内のビームアレイのビーム本数に応じて、レンズ制御値を切り替えると好適である。
荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能な第1のビームアレイの本数よりも少ない本数の第2のビームアレイ用のショットデータを生成するショットデータ生成部と、
実装される第1のビームアレイの本数よりも少ない本数の第2のビームアレイ用のショットデータをショット順に転送する転送処理部と、
第1のビームアレイの各ビーム用に配置された、それぞれ対応するビームのショットデータを記憶する複数のレジスタと、
第2のビームアレイのショットを行うことにより、試料にパターンを描画する描画機構と、
を備え、
第2のビームアレイ用の各レジスタは、第2のビームアレイのn番目のショット用のショットデータを記憶し、同時期に、第1のビームアレイのうち第2のビームアレイ以外の第3のビームアレイ用の各レジスタは、第2のビームアレイのn+1番目のショット用のショットデータの少なくとも一部を記憶し、n番目のショットが終了した場合に、n+1番目のショット用のショットデータは、少なくとも第3のビームアレイ用の各レジスタから第2のビームアレイ用の各レジスタにシフトされることを特徴とする。
荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能なマルチビームの照射領域を複数の領域に分割する領域分割部と、
分割された領域内のビーム本数に応じて、マルチビームを屈折させる電磁レンズのレンズ制御値を切り替えるレンズ制御部と、
電磁レンズを有し、分割された領域毎に照射タイミングをずらして、当該領域内のビームアレイを、ビーム本数に応じてレンズ制御値が切り替わった電磁レンズで照射しながら試料にパターンを描画する描画機構と、
を備えたことを特徴とする。
荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能な描画用のマルチビーム全体の照射領域のうち、使用するビームアレイの照射領域として中央部の領域を設定する工程と、
実装されるマルチビームのうち、設定された中央部の領域内のビームアレイを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
設定された領域に応じたショットサイクル時間を演算する工程と、
を備え、
演算されたショットサイクルに沿って前記試料に前記パターンを描画することを特徴とする。
荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能な第1のビームアレイの本数よりも少ない本数の第2のビームアレイ用のショットデータを生成する工程と、
実装される第1のビームアレイの本数よりも少ない本数の第2のビームアレイ用のショットデータをショット順に転送する工程と、
第1のビームアレイの各ビーム用に配置された複数のレジスタのうち、転送されたn番目のショット用のショットデータを第2のビームアレイ用の各レジスタに記憶させると共に、同時期に、n+1番目のショット用のショットデータの少なくとも一部を第1のビームアレイのうち第2のビームアレイ以外の第3のビームアレイ用の各レジスタに記憶させる工程と、
第2のビームアレイのn番目のショットを行うことにより、試料にパターンを描画する工程と、
n番目のショットが終了した場合に、n+1番目のショット用のショットデータを、少なくとも第3のビームアレイ用の各レジスタから第2のビームアレイ用の各レジスタにシフトする工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画機構150(マルチビーム照射機構)と制御系回路160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画機構150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203、ブランキングアパーチャアレイ機構204、縮小レンズ205、制限アパーチャ基板206、対物レンズ207、及び偏向器208,209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時(露光時)には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。照明レンズ202、縮小レンズ205、及び対物レンズ207には、電磁レンズが用いられる。各電磁レンズは、マルチビーム(電子ビーム)を屈折させる。
図4は、実施の形態1におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図3と図4において、制御電極24と対向電極26と制御回路41とパッド43の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ機構204は、図3に示すように、支持台33上にシリコン等からなる半導体基板31が配置される。基板31の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚hのメンブレン領域30(第1の領域)に加工されている。メンブレン領域30を取り囲む周囲は、厚い膜厚Hの外周領域32(第2の領域)となる。メンブレン領域30の上面と外周領域32の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板31は、外周領域32の裏面で支持台33上に保持される。支持台33の中央部は開口しており、メンブレン領域30の位置は、支持台33の開口した領域に位置している。
実施の形態1では、ブランキングアパーチャアレイ機構204にカウンタ44を搭載し、個別ブランキング機構47のカウンタ44で、個別ビームの照射時間を制御する場合に説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、共通ブランキング機構で個別ビームの照射時間を制御する場合に説明する。
実施の形態1,2では、実装される描画機構150で照射可能なマルチビーム20全体の照射領域のうち、使用するビームアレイの照射領域を中央部の領域に制限する領域制限によるビーム電流量の低減を行う場合を説明したが、クーロン効果を抑制する手法はこれに限るものではない。実施の形態3では、実装される描画機構150で照射可能なマルチビーム20全体の照射領域を分割する領域分割によるビーム電流量の低減を行う構成について説明する。実施の形態3における描画装置100の構成は図1と同様で構わない。
実施の形態3では、ブランキングアパーチャアレイ機構204にカウンタ44を搭載し、個別ブランキング機構47のカウンタ44で、個別ビームの照射時間を制御する場合に説明したが、これに限るものではない。実施の形態4では、共通ブランキング機構で個別ビームの照射時間を制御する場合に説明する。
22 穴
24,26 電極
25 通過孔
28,36 画素
29 サブ照射領域
30 描画領域
32 ストライプ領域
34 照射領域
40 シフトレジスタ
41 制御回路
42,45 バッファレジスタ
43 レジスタ
44 カウンタ
46 アンプ
47 個別ブランキング機構
49 AND演算器
50 レジスタ
52 カウンタ
54 共通アンプ
60 ショットデータ生成部
62 配列加工部
64 データ生成方式設定部
66 データ転送方式設定部
68 ドーズ変調量演算部
70 ショットサイクル演算部
72 領域設定部
74 レンズ制御部
76 転送処理部
78 描画制御部
79 登録部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
131 ロジック回路
132,134 DACアンプユニット
137 レンズ制御回路
138 ステージ制御機構
139 ステージ位置測定器
140,142,144 記憶装置
150 描画機構
160 制御系回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
204 ブランキングアパーチャアレイ機構
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ基板
207 対物レンズ
208,209 偏向器
210 ミラー
212 偏向器
Claims (3)
- 荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能な描画用のマルチビーム全体の照射領域のうち、使用するビームアレイの照射領域として中央部の領域を設定する領域設定部と、
実装される前記マルチビームのうち、設定された中央部の領域内のビームアレイを用いて、試料にパターンを描画する描画機構と、
設定された領域に応じたショットサイクル時間を演算するショットサイクル演算部と、
を備え、
前記描画機構は、演算されたショットサイクルに沿って前記試料に前記パターンを描画することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記マルチビームを屈折させる電磁レンズと、
レンズ制御値を用いて前記電磁レンズを制御するレンズ制御回路と、
前記電磁レンズを制御する、前記マルチビームの使用ビームの本数に関連させたレンズ制御値が定義されたテーブルを記憶する記憶装置と、
をさらに備え、
前記レンズ制御回路は、前記テーブルを参照して、前記設定された領域内の前記ビームアレイのビーム本数に応じて、前記レンズ制御値を切り替えることを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子線を用いた実装されるマルチビーム照射機構で照射可能な描画用のマルチビーム全体の照射領域のうち、使用するビームアレイの照射領域として中央部の領域を設定する工程と、
実装される前記マルチビームのうち、設定された中央部の領域内のビームアレイを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
設定された領域に応じたショットサイクル時間を演算する工程と、
を備え、
演算されたショットサイクルに沿って前記試料に前記パターンを描画することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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