JP2007208038A - 荷電粒子線露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 倍率を調整することによって発生する回転や焦点ズレを防止し、クーロン効果による横方向の電子線の位置ズレを補正する。
【解決手段】 複数の電子線を用いた電子線露光装置において、縮小ダブレット光学系により形成された中間像面位置に静電型ユニポテンシャルレンズを配置し、倍率調整する。また、ブランキング電極のオンオフ情報に基づいて露光電流量を算出し、それに基づいて静電型ユニポテンシャルレンズにより調整される倍率を補正する。
【選択図】 図1
【解決手段】 複数の電子線を用いた電子線露光装置において、縮小ダブレット光学系により形成された中間像面位置に静電型ユニポテンシャルレンズを配置し、倍率調整する。また、ブランキング電極のオンオフ情報に基づいて露光電流量を算出し、それに基づいて静電型ユニポテンシャルレンズにより調整される倍率を補正する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、イオンビーム露光装置や電子線露光装置等の荷電粒子線露光装置に関し、特に、荷電粒子線露光装置の被露光面における倍率の調整を行うための補正電子光学系に関するものである。
大画角を有する転写像を露光できる電子線露光装置の場合は、軸外収差が比較的小さい対称型磁気ダブレット型の縮小投影レンズを用いている。この種の磁気ダブレット・レンズは2つの磁界レンズの電流を同じ大きさで増減することによって、倍率、回転に変化を与えないで焦点を調整できることは公知である。また、2段のレンズの内の片方のレンズのコイルを軸方向に2つに分割し、それぞれのコイルに流す電流比を、合計電流を一定に保ちながら、変えることにより倍率を変える方法が公知である。さらに、特許文献1では、電子線投影光学系に、主に転写像の倍率を調整する第1の投影レンズと、主に回転を調整する第2の投影レンズを設けることが提案されている。
特開平7−235469号公報
しかしながら、上記の如き従来の技術においては、倍率を調整することによって発生する回転や焦点ズレについて考慮されていない。また、スループット性能を有する電子線露光装置で問題となるクーロン効果による倍率変化に相当する横方向の電子線の位置ズレに対する補正も考慮されていない。
本発明は、荷電粒子線露光装置において、倍率調整用の光学系を配置し、電気的に制御することによって短時間に倍率調整でき、且つ回転や焦点ズレが事実上発生しないような荷電粒子線露光装置を提供することを課題とする。
本発明は、荷電粒子線露光装置において、倍率調整用の光学系を配置し、電気的に制御することによって短時間に倍率調整でき、且つ回転や焦点ズレが事実上発生しないような荷電粒子線露光装置を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するための荷電粒子線露光装置は、複数の荷電粒子線を用いて被露光基板を露光するものである。また、中間像面を形成する縮小光学系と、該中間像を前記被露光基板上に結像する対物光学系とを有する。そして、本発明は、倍率調整用光学系を前記中間像面位置に配置することを特徴とする。
本発明において好ましくは、前記倍率調整用光学系は、静電型ユニポテンシャルレンズであり、該レンズを、前記複数の荷電粒子線を個々にオンオフするブランキング電極の駆動信号に基づき制御する。また、前記縮小光学系も前記対物光学系もダブレット光学系である。
本発明において好ましくは、前記倍率調整用光学系は、静電型ユニポテンシャルレンズであり、該レンズを、前記複数の荷電粒子線を個々にオンオフするブランキング電極の駆動信号に基づき制御する。また、前記縮小光学系も前記対物光学系もダブレット光学系である。
本発明によれば、縮小光学系により中間像面を形成し、該中間像を対物光学系により被露光基板上に結像する荷電粒子線露光装置において、中間像面位置に倍率調整用光学系を配置し、倍率調整する。これにより、従来のこの種の装置において倍率調整時に二次的に発生する像回転や焦点ズレが事実上発生しないような荷電粒子線露光装置を提供することができる。
本発明の好ましい実施の形態に係る電子線露光装置においては縮小ダブレット光学系を構成する縮小光学系によって形成された中間像の位置に静電型のユニポテンシャルレンズを用いる。静電型のユニポテンシャルレンズは、動作条件を可変しても、像回転の変化や焦点ずれが生じないため、倍率のみを調整することが可能となる。また、静電レンズの電圧を露光パターンの形状に応じて高速制御することで露光中の電子線電流に応じて、クーロン効果による倍率の変化を補正することも可能である。
以下、添付図に示す実施例に基づき本発明の実施の形態を説明する。
以下、添付図に示す実施例に基づき本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明の一実施例の係る電子線露光装置の縮小光学系、対物光学系及び倍率調整用電子レンズの構成を示す図である。
不図示の電子銃から放出された電子線は、不図示の電子レンズを通して平行ビームとなり、不図示の基板に複数の開口の空いたアパーチャ−アレイにより複数の電子線に分離される。この複数の電子線は、前記アパーチャ−アレイの後段にある不図示のレンズアレイにより縮小され、縮小系磁気ダブレット・レンズである縮小系ダブレット光学系12の物面位置1にそれぞれ結像される。縮小系ダブレット光学系12は、上段磁界レンズ6と下段磁界レンズ8とにより構成される。
不図示の電子銃から放出された電子線は、不図示の電子レンズを通して平行ビームとなり、不図示の基板に複数の開口の空いたアパーチャ−アレイにより複数の電子線に分離される。この複数の電子線は、前記アパーチャ−アレイの後段にある不図示のレンズアレイにより縮小され、縮小系磁気ダブレット・レンズである縮小系ダブレット光学系12の物面位置1にそれぞれ結像される。縮小系ダブレット光学系12は、上段磁界レンズ6と下段磁界レンズ8とにより構成される。
個々の電子線のオンオフ制御は、ブランキング電極4とブランキング絞り7によって行われる。すなわち、ブランキング電極4は、前記アパーチャアレイの開口側面に電極を形成したもので、ブランキング電極4に電圧を印加することで電子線は偏向作用を受け、ブランキング絞り7上に照射される。その結果、電子線5bは被露光面3に到達しない。一方、電圧が印加されていないブランキング電極4を通過する電子線5aは、ブランキング絞り7の開口を通過し、被露光面に到達する。
ブランキング絞り7を通過した複数の電子線は、縮小系ダブレット光学系12の下段の磁界レンズ8により中間像面2の位置に結像される。
ブランキング絞り7を通過した複数の電子線は、縮小系ダブレット光学系12の下段の磁界レンズ8により中間像面2の位置に結像される。
形成された中間像は下流に配置された上段磁界レンズ10と下段磁界レンズ11とにより構成される対物系ダブレット・レンズ13で被露光面3上に結像される。中間像面の位置には静電型ユニポテンシャルレンズ9が配置されている。この位置に電子レンズ9を配置することで、電子レンズ9の印加電圧を可変しても、被露光面3(像面)の位置が変化することがなく、且つ静電系のレンズのために像の回転が生じることがない。したがって、静電レンズ9への印加電圧を調整することで、像の大きさ、すなわち倍率のみを調整することができる。図3に中間像面位置に配置した静電レンズ9の印加電圧と被露光面上での倍率の変化率と像回転の変化率を示す。図3に示すように、静電レンズの印加電圧と倍率の変化率の関係は比例している。一方、像回転角の変化率は変化していない。
高スループット性能を有する電子線露光装置においては、電子線の電流値の増大に伴い、クーロン効果が大きくなり、電子線スポットのボケと横方向の位置ズレが問題となる。横方向の位置ズレの様子を図4に示す。図4の白丸はクーロン効果が無い場合の像面上での複数の電子線の照射位置を示し、黒丸はクーロン効果がある場合の電子線の位置を示す。各電子線位置ズレ量は概ね電子線の電流量に比例し、電子線の中心位置からの距離が大きくなると、それに応じてズレ量も大きくなる。その量は倍率のように1次の関係ではないが、距離と1次の関係が主であり、この成分を補正することで、大半の位置ズレ量は補正することは可能である。
図2に図1の装置の制御系を示す。この制御系は、クーロン効果による電子線の位置ズレ量を倍率調整用の静電型ユニポテンシャルレンズ9を用いて補正するものである。
ブランキング電極4の中心位置に形成された複数の電子線のスポットを縮小系ダブレット・レンズ12と対物系ダブレット・レンズ13により、被露光面3に結像する。これは、縮小系ダブレット・レンズ制御回路15及び対物系ダブレット・レンズ制御回路17により縮小系ダブレット・レンズ12と対物系ダブレット・レンズ13を所望の焦点距離に設定して行う。カラム制御用コンピュータ18は、パターンデータに基づき、ブランキング電極4のオンオフ情報をブランキング制御回路14に転送する。制御回路14は、各ブランキング電極4への印加電圧を発生し、各電子線のオンオフを制御する。カラム制御用コンピュータ18は、さらに、ブランキング電極4のオンオフ情報により露光電流量を算出し、その電流量より、補正倍率を算出する。補正倍率のデータは静電型ユニポテンシャルレンズ制御回路16に転送され、制御回路16では調整倍率のデータと補正倍率のデータとに基づき静電型ユニポテンシャルレンズ9に印加する電圧を決定し、発生する。
ブランキング電極4の中心位置に形成された複数の電子線のスポットを縮小系ダブレット・レンズ12と対物系ダブレット・レンズ13により、被露光面3に結像する。これは、縮小系ダブレット・レンズ制御回路15及び対物系ダブレット・レンズ制御回路17により縮小系ダブレット・レンズ12と対物系ダブレット・レンズ13を所望の焦点距離に設定して行う。カラム制御用コンピュータ18は、パターンデータに基づき、ブランキング電極4のオンオフ情報をブランキング制御回路14に転送する。制御回路14は、各ブランキング電極4への印加電圧を発生し、各電子線のオンオフを制御する。カラム制御用コンピュータ18は、さらに、ブランキング電極4のオンオフ情報により露光電流量を算出し、その電流量より、補正倍率を算出する。補正倍率のデータは静電型ユニポテンシャルレンズ制御回路16に転送され、制御回路16では調整倍率のデータと補正倍率のデータとに基づき静電型ユニポテンシャルレンズ9に印加する電圧を決定し、発生する。
以上説明したように、複数の電子線を用いた電子線露光装置において、縮小ダブレット光学系12により形成された中間像面位置2に静電型ユニポテンシャルレンズ9を配置し、倍率調整する。これにより、従来のこの種の装置において倍率調整時に二次的に発生する像回転や焦点ズレが事実上発生しないような電子線露光装置を提供することができる。また、パターン形状に応じて時々刻々変化する露光電流量に応じて前記調整倍率を補正することによりクーロン効果による電子線の位置ズレやボケを補正することができる。
[微小デバイス製造の実施例]
次に、この露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図5は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
次に、この露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図5は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
上記ステップ4のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
1:縮小系ダブレット・レンズの物面位置
2:縮小系ダブレット・レンズによる中間像面位置
3:被露光面
4:ブランキング電極
5a、5b:電子線
6:縮小系ダブレット・レンズの上段磁界レンズ
7:ブランキング絞り
8:縮小系ダブレット・レンズの下段磁界レンズ
9:倍率調整用静電レンズ
10:対物系ダブレット・レンズの上段磁界レンズ
11:対物系ダブレット・レンズの下段磁界レンズ
12:縮小系ダブレット・レンズ
13:対物系ダブレット・レンズ
14:ブランキング制御回路
15:縮小系ダブレット・レンズ制御回路
16:倍率調整用静電型ユニポテンシャルレンズ制御回路
17:対物系ダブレット・レンズ系制御回路
18:カラム制御用コンピュータ
19:クーロン効果が無い場合の像面上での電子線位置
20:クーロン効果が有る場合の像面上での電子線位置
2:縮小系ダブレット・レンズによる中間像面位置
3:被露光面
4:ブランキング電極
5a、5b:電子線
6:縮小系ダブレット・レンズの上段磁界レンズ
7:ブランキング絞り
8:縮小系ダブレット・レンズの下段磁界レンズ
9:倍率調整用静電レンズ
10:対物系ダブレット・レンズの上段磁界レンズ
11:対物系ダブレット・レンズの下段磁界レンズ
12:縮小系ダブレット・レンズ
13:対物系ダブレット・レンズ
14:ブランキング制御回路
15:縮小系ダブレット・レンズ制御回路
16:倍率調整用静電型ユニポテンシャルレンズ制御回路
17:対物系ダブレット・レンズ系制御回路
18:カラム制御用コンピュータ
19:クーロン効果が無い場合の像面上での電子線位置
20:クーロン効果が有る場合の像面上での電子線位置
Claims (5)
- 複数の荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
中間像面を形成する縮小光学系と、
該中間像を前記被露光基板上に結像する対物光学系と、
前記中間像面位置に配置された倍率調整用光学系と
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 前記倍率調整用光学系は静電型ユニポテンシャルレンズであることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線露光装置。
- 前記倍率調整用光学系を、前記複数の荷電粒子線を個々にオンオフするブランキング電極の駆動信号に基づき制御する手段を有することを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子線露光装置。
- 前記縮小光学系及び対物光学系は、いずれもダブレット光学系であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の荷電粒子線露光装置。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006025628A JP2007208038A (ja) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | 荷電粒子線露光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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