TWI413157B - 描繪裝置及描繪方法 - Google Patents

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Description

描繪裝置及描繪方法
本發明係關於描繪裝置及描繪方法，特別是描繪用於雙重圖案化(Double Patterning：雙圖案)或是雙重曝光(Double Exposure：雙重曝光)之互補圖案之裝置及方法。
本申請案主張2008年8月5日申請之日本專利申請案第2008-201443號之權利，該案之全文以引用的方式併入本文中。
承擔半導體裝置之微細化進展的光微影技術，在半導體製造流程中也是唯一生成圖案之極其重要的製程。近年，伴隨著LS1之高積體化，半導體裝置被要求之電路線寬也逐年微細化。必須使用高精度的原圖圖案(亦稱作標線片或光罩)以對於這些半導體裝置形成所需之電路圖案。
在此，伴隨著電路線寬之微細化，乃需要波長短的曝光光源，作為曝光光源之例如ArF雷射之延長壽命之手法，近年，雙重曝光技術與雙重圖案化技術已備受矚目。雙重曝光係在塗佈有抗蝕劑之晶圓上一面更換兩個光罩，一面在同一區域持續予以曝光之手法(例如，參照專利文獻1)。且，之後經過顯像及蝕刻步驟等在晶圓上形成所要之圖案。另一方面，雙重圖案化係在塗佈有抗蝕劑之晶圓上用第1光罩曝光，經過顯像及蝕刻步驟等之後，再次塗佈抗蝕劑並利用第2光罩在晶圓之同一區域曝光之手法。這些技術之優點係可以現在之技術之延伸而實施。而該等技術必須使用兩個光罩以在晶圓上得到所要之圖案。
圖8係說明雙重圖案化用光罩之概念圖。如圖8所示，為了將所要之圖案302曝光至晶圓，但因在光罩300得不到解像度，故必須分成兩個光罩。即，在光罩310形成圖案302之一部分即圖案312，而在光罩320形成圖案302之其餘部分即圖案314。然後，在步進機或掃描機等之曝光裝置上依序設置這兩個光罩310、320，分別進行曝光。
又，這些光罩係利用電子射束(電子束)描繪裝置製造。電子射束(電子束)描繪技術具有本質上優秀的解像性，被運用於此等高精度之原圖圖案之生產。
圖9係說明可變成形型電子射束描繪裝置之動作之概念圖。可變成形型電子射束(EB:Electron beam)描繪裝置係以如下所述之方式進行動作。首先，於第1孔徑410，形成用以使電子射束330成形之矩形、比如長方形之開口411。又，於第2孔徑420，形成可變成形開口421以使通過開口411之電子射束330成形為所要之矩形形狀。由荷電粒子源430所照射之通過開口411之電子射束330，藉由偏向器而被偏向。然後，通過可變成形開口421之一部分，照射於搭載在載台上之試料。載台係在描繪過程中，在特定之一個方向(例如，X方向)連續地移動。如此，便可通過開口411與可變成形開口421兩者之矩形形狀被描繪在試料340之描繪區域。通過開口411與可變成形開口421兩者，可製成任意形狀之方式稱之為可變成形方式。
如上所述利用電子束描繪裝置，可製造雙重曝光用之複數之光罩與雙重圖案化曝光用之複數之光罩。在此，利用電子束描繪裝置描繪時，會產生作為歷時變化之電子束之射束漂移。因此，在描繪具有互補關係之第1片光罩與第2片光罩時，即使在所要之位置描繪的情況下亦存在該位置偏移之問題。位置一旦偏移，將會產生圖案之重疊誤差(Overlay Error)。例如，會有本來應相距特定間隔之相鄰的圖案彼此接觸因而發生短路之問題。
如上所述，由於電子束之射束漂移，在光罩製造階段，會有在具有互補關係之光罩圖案之描繪位置產生誤差之情形。因此，在使用該兩個光罩曝光時，會有產生圖案之重疊誤差之問題。
本發明之目的係提供一種用於降低圖案之重疊誤差之描繪裝置及描繪方法。
本發明之一態樣之描繪裝置，其特徵在於包含：描繪部，其係使用荷電粒子束，在第1光罩基板上描繪第1圖案，及在第2光罩基板上描繪與第1圖案互補的之第2圖案；及加法部，其係將被描繪在第1光罩基板上之第1圖案之位置偏移量，加至第2圖案之描繪位置，且描繪部係在已加上第1圖案之位置偏移量之第2光罩基板上的描繪位置，描繪第2圖案。
本發明之一態樣之描繪方法，其特徵在於：利用荷電粒子束，在第1光罩基板上描繪第1圖案；計測被描繪在第1光罩基板上之第1圖案之位置；將位置僅錯開由計測結果所得到之第1圖案之位置偏移部分，而在第2光罩基板上描繪與第1圖案互補之第2圖案。
以下，在實施形態中，作為荷電粒子束之一實例，說明使用電子束之結構。惟荷電粒子束不只限於電子束，亦可為離子束等而使用其他荷電粒子。
圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。在圖1中，描繪裝置100包含描繪部150與控制部160。描繪裝置100係荷電粒子束描繪裝置之一實例。描繪部150包含電子鏡筒102與描繪室103。且，描繪裝置100係在2個光罩基板10、20之其中一者描繪所要之複數之互補圖案的其中一者，在光罩基板10、20之另一者描繪所要之複數之互補圖案之另一者。控制部160包含描繪資料處理部110、偏向控制電路120、數位類比轉換器(DAC)130、放大器132及磁碟裝置109、140。在電子鏡筒102內部配置了電子槍201、照明透鏡202、第1孔徑203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔徑206、物鏡207及偏向器208。又，於描繪室103內部配置有可移動地配置之XY載台105。又，於XY載台105上配置有兩個光罩基板10、20。作為兩個光罩基板10、20，其包含雙重曝光或雙重圖案化曝光用之光罩基板。該等光罩基板包含，例如尚未形成任何圖案之光罩基片。偏向控制電路120包含偏向位置運算部122、栅格匹配收集(GMC)修正部124、互補光罩殘差修正部126、偏向電壓運算部128及記憶體129。在此，亦可藉由軟體來實施在偏向控制電路120內進行之偏向位置運算部122、GMC修正部124、互補光罩殘差修正部126及偏向電壓運算部128等各功能之處理。或，亦可藉由電路之硬體而構成偏向位置運算部122、GMC修正部124、互補光罩殘差修正部126及偏向電壓運算部128。或，亦可藉由電路之硬體與軟體之組合來實施。或，亦可為上述硬體與軟體之組合。又，藉由軟體或與軟體之組合而實施時，被輸入到偏向控制電路120之資訊或運算處理中及處理後之各資訊會視情況被記憶於記憶體129。又，在磁碟裝置109上，收納互補圖案之其中一者所定義之描繪資料檔案與另一者所定義之描繪資料檔案。在磁碟裝置140上，收納有GMC圖142。又，描繪互補圖案之其中一者後，收納殘差圖144。在圖1中，除了說明本實施形態1之必要構成部分以外，其餘省略記述。就描繪裝置100而言，通常當然亦可包含其他之必要構成。
圖2係顯示實施形態1之互補圖案之描繪方法的主要步驟之流程圖。在圖2中，實施形態1之互補圖案之描繪方法係實施以下各步驟：第1光罩之偏向位置運算步驟(S102)、第1光罩之GMC修正步驟(S104)、第1光罩之描繪步驟(S106)、第1光罩之殘差測定步驟(S108)、殘差圖建立步驟(S110)、第2光罩之偏向位置運算步驟(S112)、第2光罩之GMC修正步驟(S114)、第2光罩之殘差修正步驟(S116)、及第2光罩之描繪步驟(S118)。
首先，在描繪資料處理部110，將互補圖案之其中一者所定義之描繪資料由磁碟裝置109讀出，轉換處理成裝置內部格式之曝光照射資料。然後，將曝光照射資料輸出到偏向控制電路120。根據該曝光照射資料，控制圖案之形狀與描繪位置。在此，就描繪位置作特別說明。又，在XY載台105上，配置要先行描繪之互補光罩之其中一者即光罩基板10(第1光罩基板)。
在S(步驟)102，作為第1光罩之偏向位置運算步驟，偏向位置運算部122運算要形成描繪在光罩基板10上之互補圖案之各曝光照射之偏向位置。例如，較佳使用如以下公式(1-1)及公式(1-2)所示之多項式運算。在此，記述關於運算設計座標(xi ，yi )之偏向位置座標(Xi ，Yi )之情形之一實例。
(1-1)Xi =a0 +a1 ‧x+a2 ‧y+a3 ‧x2 +a4 ‧xy+a5 y2 +a6 ‧x3 +a7 ‧x2 y+a8 ‧xy2 +a9 ‧y3
(1-2)Yi=b0 +b1 ‧x+b2 ‧y+b3 ‧x2 +b4 ‧xy+b5 y2 +b6 ‧x3 +b7 ‧x2 y+b8 ‧xy2 +b9 ‧y3
此處之各係數a0 ~a9 與b0 ~b9 只要先概算出在描繪前預先測定之位置資料，而設定於偏向控制電路120即可。例如，實施電子束200之校準等，根據所測定之位置與設計上之位置之誤差而修正描繪裝置之座標系。在此，不僅限於3次多項式，其他n次多項式亦可。利用該多項式可修正設計座標與實際描繪之位置之偏移。但僅憑藉該方式會有無法完全修正之情況。因此，進一步在描繪裝置100進行GMC修正為較佳。
在S104中，作為第1光罩之GMC修正步驟，GMC修正部124將GMC圖142由磁碟裝置140讀出，而修正運算後之偏向位置(Xi ，Yi )。在以上述3次之多項式無法完全修正之情況等時，利用此步驟之GMC圖可有效修正。GMC圖142係在描繪前預先被建立。在描繪裝置100，為將描繪裝置100之座標系修正成所要之座標系，以特定的柵格尺寸將所要描繪之光罩之全面分割成網格，測定各網格之頂點位置。然後，根據測定之位置與設計上之位置之誤差而修正描繪裝置之座標系(上述功能稱作「柵格匹配收集：GMC」功能。)。具體而言，其係在相當於已塗佈抗蝕劑之光罩基片之上述各網格的頂點位置之位置，描繪GMC測定用之圖案。然後，只要對上述光罩進行顯像及蝕刻等製程處理，根據所描繪之圖案進行位置精度之測定即可。然後，根據所得結果建立用於修正位置之GMC圖142。
圖3係顯示實施形態1之GMC圖之資料檔案之一實例。在圖3中，將用於修正設計座標(xi ，yi )之尺寸誤差之修正量(x'i ，y'i )定義作為GMC圖142之資料。在此，作為一實例，以x'i =50nm、y'i =-20nm顯示。
然後，利用該GMC圖142修正描繪裝置之座標系。GMC修正後之座標(X'i ，Y'i )，可使用如以下之公式(2-1)及公式(2-2)而求得。
(2-1)X'i =Xi +x'i
(2-2)Y'i =Yi +y'i
在此顯示之情形為，將用以修正設計座標(x0 ，y0 )之尺寸誤差之修正量(x'i ，y'i )從GMC圖142讀出，並加到運算後之偏向位置座標(Xi ，Yi )而藉此進行修正。然後，偏向電壓運算部128將如上所得之修正後之偏向位置座標(X'i ，Y'i )作為引數，運算作為用於以偏向器208使電子束200偏向之偏向即偏向電壓(Ex，Ey)。偏向電壓200可用以下之公式(3-1)及公式(3-2)來求得。
(3-1)Ex=F(X'i )
(3-2)Ey=G(Y'i )
在S106中，作為第1光罩之描繪步驟，描繪部150係使用電子束200，在第1光罩基板10上描繪互補圖案之其中一者(第1圖案)。具體而言，首先，將數位信號即偏向電壓(Ex，Ey)信號從偏向控制電路120輸出到DAC130。然後，藉由DAC130轉換成類比偏向電壓，藉由放大器132予以放大並施加到偏向器208。以下，就描繪部150之動作加以說明。
從作為照射部之一實例即從電子槍201射出之電子束200，利用照明透鏡202照明具有矩形例如長方形之孔的第1孔徑203整體。在此，首先使電子束200成形為矩形例如長方形。而通過第1孔徑203之第1孔像之電子束200藉由投影透鏡204而被投影在第2孔徑206上。在該第2孔徑206上之第1孔像之位置可由偏向器205予以偏向控制，使其射束形狀與尺寸變化。其結果使電子束200得以成形。而通過第2孔徑206之第2孔像之電子束200藉由物鏡207對聚焦點，藉由偏向器208予以偏向。其結果，將在XY載台105上的光罩基板10之所要位置所成形之電子束200之曝光照射予以照射。XY載台105之動作係連續移動。即，描繪裝置100係在XY載台105連續移動時而進行描繪。或者亦可進行載台分步重複移動。在該種情況下，描繪裝置100係一面使XY載台105分步重複移動而於停止期間進行描繪。
如上所述，在作為第1光罩基板之光罩基板10上描繪互補圖案之其中一者(第1圖案)。此時，在第1圖案上若含有複數之測定用圖案為較佳。
圖4係顯示實施形態1之2個互補圖案中，先行描繪之圖案之一實例。在圖4中，在光罩基板10上，除原本之圖案12之外亦描繪複數之測定用圖案16。該測定用圖案16係用於測定後述之第1圖案之尺寸偏移量。因此，以配置成遍及光罩面全面的方式而描繪為較佳。形狀無特別之限定，但比如十字形之圖案為較佳。
接著，在作為第2光罩基板之光罩基板20上描繪互補圖案之另一者(第2圖案)，但若如此進行，在將第1與第2圖案曝光至半導體基板等上時，如上所述會有隨著射束漂移之歷時變化，使第1與第2圖案彼此接觸而導致電路短路之虞。因此，在實施形態1中，係測定已描繪在光罩基板上之第1圖案之尺寸偏移量，考慮該誤差值，而在光罩基板20上描繪第2圖案。
在S108中，作為第1光罩之殘差測定步驟，從描繪裝置100中搬出已描繪之光罩基板10，而測定被描繪在光罩基板10上之圖案之位置偏移量。在此，由於描繪著複數之測定用圖案16，故測定該等複數之測定用圖案16之位置偏移量。如此，在第1光罩基板10之基板面之複數之位置測定第1圖案之位置偏移量。
在S110中，作為殘差圖建立步驟，根據測定結果，建立將已描繪在光罩基板10上之圖案之位置偏差建立定義於每個位置之殘差圖144。在此，並非定義用於修正位置偏差量之修正量，而是定義位置偏差量本身。只要根據近似式來概算在複數之位置所測定之各測定用圖案16之位置偏移量，而將求得之圖上之各座標上之近似值作為第1圖案之位置偏移量即可。所作成的殘差圖被收納於磁碟裝置140。殘差圖144之資料檔案格式較佳使用在其他描繪裝置亦可使用之格式建立。因為光罩基板10與光罩基板20即使分別使用不同的描繪裝置描繪時亦可因應。
圖5係顯示實施形態1之先行描繪之圖案之殘差圖之資料檔案之一實例。在圖5中，將設計座標(xi ，yi )之測定用圖案16之位置偏移量(x"i ，y"i )定義作為殘差圖144之資料。在此作為一實例，以x"i =10nm、y"i =-10nm顯示。
在此，根據所配置之實際圖案即圖案12之佈局不同，可能存在難以在光罩基板10上配置測定用圖案16的情況。該種情況時，可測定實體圖案即圖案12之描繪位置之偏移量。該情況下，只要根據實際圖案之位置偏移量建立殘差圖144即可。
接著將進行互補光罩之另一者即光罩基板20(第二光罩基板)之描繪。首先，在描繪資料處理部110，將被定義為互補圖案之另一者(第2圖案)之描繪資料由磁碟裝置109讀出，而轉換處理成裝置內部格式之曝光照射資料。然後，將曝光照射資料輸出到偏向控制電路120。根據該曝光照射資料，控制圖案之形狀與描繪位置。在此，如上所述，特別就描繪位置加以說明。又，在XY載台105上，配置後續所要描繪之互補光罩之另一者，即光罩基板20。以下，按照步驟順序說明。
在S112中，作為第2光罩之偏向位置運算步驟，偏向位置運算部122運算形成要描繪在光罩基板20之互補圖案之曝光照射之偏向位置。在此，只要使用顯示已預先設定係數之如公式(1-1)及公式(1-2)之用多項式來運算即可。
在S114中，作為第2光罩之GMC修正步驟，GMC修正部124由磁碟裝置140讀出已預先製備之GMC圖142，並修正已運算之第2圖案用之曝光照射之偏向位置(Xi ，Yi )。修正之方法係與第1圖案用之曝光照射之偏向位置之修正方法相同。即，GMC修正後之座標(X'i ，Y'i )可用上述公式(2-1)及公式(2-2)求得。照此方式，若已求得偏向電壓，將無法因應從描繪第1圖案開始至此次描繪第2圖案為止所產生的描繪位置之歷時變化，因而，在實施形態1中，如下所述利用殘差圖144修正描繪位置。
在S116中，作為第2光罩之殘差修正步驟，互補光罩殘差修正部126將殘差圖144由磁碟裝置140讀出，以將第2圖案之位置僅錯開描繪在光罩基板10上之第1圖案之位置偏移部分的方式加以修正。例如，殘差修正後之座標(X"i ，Y"i )係可用以下之公式(4-1)及公式(4-2)而求得。
(4-1)X"i =X'i +x"i
(4-2)Y"i =Y'i +y"i
在此顯示之情形為，由被讀出之殘差圖144中取得設計座標(x0 ，y0 )之第1圖案之位置偏移量(x"i ，y"i )，將其加到經運算之GMC修正後之偏向位置座標(X'i ，Y'i )而進行修正。互補光罩殘差修正部126為加法部之一實例。因此，互補光罩殘差修正部126較佳為，根據近似式來概算在複數之位置所測定之第1圖案之各位置偏移量，而將求得之值作為第1圖案之位置偏移量而加至第2圖案之描繪位置。且，偏向電壓運算部128係將如上所述求得之修正後之偏向位置座標(X"i ，Y"i )作為引數，來運算作為以偏向器208使電子束200偏向之偏向量之偏向電壓(Ex，Ey)。偏向電壓可利用上述之公式(3-1)及公式(3-2)將X'i 置換成X"i 、將Y'i 置換成Y"i 而求取。
在S118中，作為第2光罩之描繪步驟，描繪部150使用電子束200，在第2光罩基板20上描繪互補圖案之另一者(第2圖案)。具體而言，首先，將數位信號之第2圖案用之偏向電壓(Ex，Ey)信號從偏向控制電路120輸出到DAC130。然後，藉由DAC130變換成類比偏向電壓，藉由放大器132予以放大，而施加到偏向器208。然後，利用描繪部150予以描繪。描繪部150之動作與上述相同。
如上所述，在作為第2光罩基板之光罩基板20上描繪互補圖案之另一者(第2圖案)。
圖6係說明實施形態1之描繪位置之變遷之概念圖。在圖6中，首先，藉由偏向位置運算而求得偏向位置P0。將其藉由GMC圖142修正為以P1所示之位置。但，若照此方式將無法因應描繪位置之歷時變化。因而利用殘差圖144，將位置僅錯開第1圖案之位置偏移部分而修正為以P2所示之位置。將第1圖案之位置偏移量視為從第1圖案描繪開始至第2圖案描繪時為止所產生之描繪位置之歷時變化，而在描繪第2圖案時加以修正，藉此可使第1與第2圖案之位置關係之偏移減少。進而可避免第1與第2圖案之接觸。
圖7係顯示實施形態1之兩個光罩基板上之各圖案與雙重圖案化技術後之圖案之一實例。如圖7所示，若先行描繪之光罩基板10之圖案12從實線偏移至虛線所示之位置之情形，由於後續描繪之光罩基板20之圖案14亦會從實線被描繪為偏移至虛線所示之位置，因而最終使用兩個光罩基板10、20被曝光在晶圓30上之圖案32可維持圖案12、14之位置關係，或可減少位置關係之偏移。
如上所述，若根據實施形態1，由於將其中一者之位置僅錯開另一者之圖案之位置偏移部分，因而可降低兩圖案之重疊誤差。故而可避免相鄰圖案彼此之接觸。
以上，已就實施之方式參照具體之實例加以說明。但，本發明並不限定於上述之具體實例。上述之方式對於重疊並曝光複數之互補圖案之雙重曝光用光罩同樣成立。又，在上述之實例中，乃進行第2光罩之GMC修正步驟(S114)過程，但不限於此，亦可省略第2光罩之GMC修正步驟(S114)，而在第2光罩之偏向位置運算步驟(S112)後接著進行第2光罩之殘差修正步驟(S116)。又，針對第1光罩之GMC修正步驟(S104)有所省略之情況亦可。
又，就裝置構成與控制方式等在本發明之說明上無直接必要之部分雖予省略，但可的情選擇性說明必要之裝置構成與控制方式。
另外，凡是具備本發明之要素、當業者能酌情設計變更之所有之描繪裝置及描繪方法皆包含於本發明之範圍內。
10、20．．．光罩基板
12、14、32、302、312、314．．．圖案
16．．．測定用圖案
30．．．晶圓
100．．．描繪裝置
102．．．電子鏡筒
103．．．描繪室
105．．．XY載台
109、140．．．磁碟裝置
110．．．描繪資料處理部
120．．．偏向控制電路
122．．．偏向位置運算部
124．．．GMC修正部
126．．．互補光罩殘差修正部
128．．．偏向電壓運算部
129．．．記憶體
130．．．DAC
132．．．放大器
142．．．GMC圖
144．．．殘差圖
150．．．描繪部
160．．．控制部
200．．．電子束
201．．．電子槍
202．．．照明透鏡
203、410．．．第1孔徑
204．．．投影透鏡
205、208．．．偏向器
206、420．．．第2孔徑
207．．．物鏡
300、310、320．．．光罩
330．．．電子射束
340．．．試料
411．．．開口
421．．．可變成形開口
430．．．荷電粒子源
圖1顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。
圖2顯示實施形態1之互補圖案之描繪方法的主要步驟之流程圖。
圖3顯示實施形態1之GMC圖之資料檔案之一實例。
圖4顯示實施形態1之兩個互補圖案中，先行描繪之圖案之一實例。
圖5顯示實施形態1之先行描繪之圖案之殘差圖的資料檔案之一實例。
圖6為說明實施形態1之描繪位置之變遷之概念圖。
圖7顯示實施形態1之2個光罩基板上的各圖案與雙重圖案化後之圖案之一實例。
圖8為說明雙重圖案化用光罩之概念圖。
圖9為說明先前的可變成形型電子射束描繪裝置之動作之概念圖。
10、20．．．光罩基板
100．．．描繪裝置
102．．．電子鏡筒
103．．．描繪室
105．．．XY載台
109、140．．．磁碟裝置
110．．．描繪資料處理部
120．．．偏向控制電路
122．．．偏向位置運算部
124．．．GMC修正部
126．．．互補光罩殘差修正部
128．．．偏向電壓運算部
129．．．記憶體
130．．．類比轉換器
132．．．放大器
142．．．GMC圖
144．．．殘差圖
150．．．描繪部
160．．．控制部
200．．．電子束
201．．．電子槍
202．．．照明透鏡
203．．．第1孔徑
204．．．投影透鏡
205、208．．．偏向器
206．．．第2孔徑
207．．．物鏡

Claims (6)

  1. 一種描繪裝置，其特徵在於具備：偏向位置運算部，其使用第1圖案之設計座標，運算上述第1圖案之偏向位置，使用與上述第1圖案互補之第2圖案之設計座標，運算上述第2圖案之偏向位置；記憶裝置，其記憶修正圖；修正部，其自上述記憶裝置讀出上述修正圖，基於上述修正圖修正上述第1圖案之偏向位置，基於上述修正圖修正上述第2圖案之偏向位置；描繪部，其係使用荷電粒子束，在上述已修正之上述第1圖案之偏向位置，於第1光罩基板上描繪第1圖案，並在第1光罩基板上描繪複數之測定用圖案；及加法部，其係將被描繪在上述第1光罩基板上之上述第1圖案之位置偏移量，加至上述已修正之上述第2圖案之偏向位置；且測定上述複數之測定用圖案之位置偏移量、及描繪於上述第1光罩基板上之上述第1圖案與上述複數之測定用圖案，上述第1圖案之位置偏移量係使用所測定之上述複數之測定用圖案之位置偏移量而取得；上述描繪部係在已加上上述第1圖案之位置偏移量之上述第2圖案之偏向位置，於上述第2光罩基板上，描繪與上述第1圖案互補之上述第2圖案。
  2. 如請求項1之裝置，其中上述第1圖案之位置偏移量係在上述第1光罩基板之基板面之複數之位置予以測定， 上述加法部係將根據近似式概算在上述複數之位置所測定之上述第1圖案之各位置偏移量而得之值，作為上述第1圖案之位置偏移量而加至在上述第2圖案之描繪位置。
  3. 如請求項1之裝置，其中進一步具備記憶表示上述第1圖案之位置偏移量之圖的記憶部，上述加法部係由記憶部讀出上述圖，並由所讀出之上述圖取得要加至上述第2圖案之位置之上述第1圖案之位置偏移量。
  4. 如請求項3之裝置，其中使用自上述複數之測定用圖案之各位置偏移量求得之近似式，求取在上述圖之各座標之近似值。
  5. 如請求項4之裝置，其中使用位在上述圖之對應之座標之上述近似值，作為用以加至上述第2圖案之位置之上述第1圖案之位置偏移量。
  6. 一種描繪方法，其特徵在於：使用第1圖案之設計座標，運算上述第1圖案之偏向位置；自記憶裝置讀出修正圖，基於上述修正圖修正上述第1圖案之偏向位置；使用荷電粒子束，在已修正之上述第1圖案之偏向位置，於第1光罩基板上描繪第1圖案，並且於第1光罩基板上描繪複數之測定用圖案；計測上述複數之測定用圖案之位置偏移量、及被描繪 在上述第1光罩基板上之上述第1圖案與上述複數之測定用圖案；使用已測定之上述複數之測定用圖案之位置偏移量，取得上述第1圖案之位置偏移量；使用第2圖案之設計座標，運算上述第2圖案之偏向位置；自上述記憶裝置讀出上述修正圖，基於上述修正圖修正上述第2圖案之偏向位置；將上述第1圖案之位置偏移量加至與上述第1圖案互補之上述第2圖案之已修正之偏向位置；使用荷電粒子束，在已加上上述第1圖案之位置偏移量之上述第2圖案之偏向位置，於第2光罩基板上描繪與上述第1圖案互補之上述第2圖案。
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