JP5136745B2 - 多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法 - Google Patents
多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法 Download PDFInfo
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Description
岡崎信次「リソグラフィー技術の将来展望」応用物理第75巻、第11号(2006年)p.p.1328−1333
(第1の課題)
多重パターニングの場合、前述のようにフォトマスクを2枚以上用いて、複数のプロセスを実施するため、マスク間の寸法誤差や重ね合わせ精度(オーバーレイ)誤差がウェーハ上の寸法に影響を与える。このため、ウェーハ上に転写した際にマスク寸法誤差の影響とオーバーレイの影響を観察することが必要になる。
(第2の課題)
ダブルパターニングの場合、前述のように第1マスク111を用いて露光・現像後、1回目のハードマスクプロセスを行い、第2マスク122を用いて露光・現像後、2回目のハードマスクプロセスを行う、というプロセスを経て初めて、マスク製造誤差の検証が可能となる。しかしながら、このようなハードマスクプロセスを行うための環境や、ハードマスクプロセス技術は現在のところまだ一般的ではないため、マスク製造誤差の検証のハードルとなっている。
露光された被露光基板3上の、グローバル用の位置精度検出マークのずれΔGは半導体露光装置にフォトマスクがセットされるときに生じるずれであり、これは半導体露光装置の重ね合わせ精度に関するずれを示している。一方、ローカル用の位置精度検出マークのずれΔLは、上記の半導体露光装置の重ね合わせ精度に係るずれにフォトマスク自体の精度ずれが加えられたずれである。
Claims (1)
- ハードマスクが設けられた基板に対して、第1回目のレジスト塗布工程を実施し、
第1回目のレジスト塗布工程後に、非描画領域にグローバル用のバーニャ目盛りからなる位置精度検出マークと、描画領域にローカル用のバーニャ目盛りからなる位置精度検出マークが設けられたフォトマスクを用いて第1回目の露光工程を実施し、
第1回目の露光工程後に、第1回目の現像工程を実施し、
第1回目の現像工程後に、第1回目のエッチング工程を実施し、
少なくとも、
第1回目のエッチング工程後に、第2回目のレジスト塗布工程を実施し、
第2回目のレジスト塗布工程後に、非描画領域にグローバル用のバーニャ目盛りからなる位置精度検出マークと、描画領域にローカル用のバーニャ目盛りからなる位置精度検出マークが設けられたフォトマスクを用いて第2回目の露光工程を実施し、
第2回目の露光工程後に、第2回目の現像工程を実施し、
第2回目の現像工程後に、第2回目のエッチング工程を実施することで、複数のフォトマスクを用いて多重パターンニングを行う多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法において、
前記基板におけるグローバル用の位置精度検出マークによる露光像の重なり具合とローカル用の位置精度検出マークによる露光像の重なり具合とを観測して、フォトマスクの精度及び半導体露光装置の重ね合わせ精度の検証を行うことを特徴とする多重露光技術におけるマスク製造誤差検証方法。
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