TWI739290B - 帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是有關於一種帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。本發明的一形態的帶電粒子束描繪裝置包括：描繪部，利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案；測定部，測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度；製作部，利用第一多項式對由所述測定部所得的測定值進行擬合，藉由使用該第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的第一高度分布，利用次數比該第一多項式高的第二多項式對該測定值進行擬合，藉由使用該第二多項式的內插法來算出所述中央部的表面高度的第二高度分布，將該第一高度分布與該第二高度分布結合，製作該基板的高度分布；以及控制部，根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置。

Description

帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法
本發明是有關於一種帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。
伴隨大規模積體電路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的高積體化，對半導體元件要求的電路線寬逐年微細化。為了於半導體元件形成所期望的電路圖案，採用利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上的高精度的原畫圖案(遮罩、或者尤其用於步進機或掃描器者亦稱為光罩)縮小轉印至晶圓上的方法。高精度的原畫圖案藉由電子束描繪裝置來描繪，使用所謂的電子束微影技術。
當使用電子束描繪裝置於基板上描繪圖案時，為了避免描繪位置的偏離或電子束的焦點偏離等，測定基板表面的正確的高度，並對應於經測定的高度來調整透鏡，使電子束聚集於基板表面。例如，利用電子束描繪裝置的高度測定部，於描繪前，對基板表面照射光而檢測反射光，測定基板表面的多個部位的高度，根據測定結果，使用三次多項式等來算出基板表面的近似曲面，並製作高度分布(Z圖(Z-map))。根據描繪裝置的構成，存在基板的邊緣部等無法測定表面高度的區域，針對該區域，藉由 多項式的外插法來應對。
但是，利用多項式近似所得的Z圖與實際的基板表面高度的誤差有時會導致描繪精度劣化。為了減小誤差，可考慮提高多項式的次數，但於提高了次數的情況下，有時於外插部(基板邊緣部等測定範圍外)誤差反而變大，描繪精度劣化。
本發明提供一種可高精度地算出基板表面的高度分布，並提昇描繪精度的帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。
本發明的一形態的帶電粒子束描繪裝置包括：描繪部，利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案；測定部，測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度；製作部，利用第一多項式對由所述測定部所得的測定值進行擬合(fitting)，藉由使用該第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的第一高度分布，利用次數比該第一多項式高的第二多項式對該測定值進行擬合，藉由使用該第二多項式的內插法來算出所述中央部的表面高度的第二高度分布，將該第一高度分布與該第二高度分布結合，製作該基板的高度分布；以及控制部，根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置。
本發明的一形態的帶電粒子束描繪裝置包括： 描繪部，利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案；測定部，測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度；製作部，利用第一多項式對由所述測定部所得的測定值進行擬合，藉由使用所述第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的推斷值，利用次數比所述第一多項式高的第二多項式對所述測定值及所述推斷值進行擬合，根據所述第二多項式來製作所述基板的高度分布；以及控制部，根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置。
本發明的一形態的帶電粒子束描繪方法是利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案的帶電粒子束描繪方法，其包括：測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度的步驟；利用第一多項式對由所述測定所得的測定值進行擬合，藉由使用所述第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的第一高度分布的步驟；利用次數比所述第一多項式高的第二多項式對所述測定值進行擬合，藉由使用所述第二多項式的內插法來算出所述中央部的表面高度的第二高度分布的步驟；將所述第一高度分布與所述第二高度分布結合，製作所述基板的高度分布的步驟；以及根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置的步驟。
10:描繪區域
20:條紋
100:描繪部
101:電子槍
102:電子束鏡筒
103:電子束
104:描繪室
112:照明透鏡
114:投影透鏡
116:物鏡
120:消隱開口
122:第一開口
124:第二開口
130:消隱偏轉器
132:成形偏轉器
134:主偏轉器
136:副偏轉器
140:XY平台
150:基板
160:Z感測器
200:控制部
202、204、206:記憶裝置
210:控制計算機
212:Z圖製作部
214:照射資料生成部
216:描繪控制部
218:修正部
220:偏轉控制部
230:平台控制部
F3:三次的多項式
F6:六次的多項式
R1:中央部
R2:邊緣部
x、y、z:方向
S101~S106、S201~S210、S301~S305、S401~S404:步驟
圖1是本發明的實施方式的帶電粒子束描繪裝置的概略圖。
圖2是表示平台移動的例子的圖。
圖3是表示主偏轉區域的形狀變化的例子的圖。
圖4是說明該實施方式的Z圖製作方法的流程圖。
圖5是表示基板表面高度的測定結果的例子的圖。
圖6的(a)是表示表面高度的測定區域的圖，圖6的(b)是表示基板表面高度的測定結果的例子的圖，圖6的(c)是表示近似多項式的圖。
圖7的(a)~圖7的(c)是表示Z圖的例子的圖。
圖8是說明該實施方式的描繪方法的流程圖。
圖9是說明另一實施方式的Z圖製作方法的流程圖。
圖10的(a)是表示基板表面高度的測定結果的例子的圖，圖10的(b)是表示邊緣部的表面高度推斷值的圖，圖10的(c)是表示近似多項式的圖。
圖11是說明另一實施方式的Z圖製作方法的流程圖。
以下，根據圖式對本發明的實施方式進行說明。於本實施方式中，對將電子束用作帶電粒子束的一例的構成進行說明。但是，帶電粒子束並不限定於電子束，亦可為離子束等使用帶電粒子的射束。
圖1中所示的描繪裝置包括對遮罩或晶圓等對象物照射電子束來描繪所期望的圖案的描繪部100、及控制由描繪部100所進行的描繪動作的控制部200。描繪部100具有電子束鏡筒102及描繪室104。
於電子束鏡筒102內配置有電子槍101、照明透鏡112、投影透鏡114、物鏡116、消隱開口120、第一開口122、第二開口124、消隱偏轉器130、成形偏轉器132、主偏轉器134以及副偏轉器136。
於描繪室104內，配置有可移動地配置的XY平台140。於XY平台140上載置有成為描繪對象的基板150。作為基板150，包括晶圓、或將圖案轉印至晶圓上的曝光用的遮罩。另外，該遮罩包含尚未形成任何圖案的空白遮罩。
於描繪室104設置有Z感測器160(高度測定部)，所述Z感測器160(高度測定部)具有自基板150的上方朝基板150的表面傾斜地照射雷射光的照射部、及接收由基板150的表面反射的雷射光的光接收部。
控制部200包括：記憶裝置202、記憶裝置204、記憶裝置206，控制計算機210，偏轉控制部220，以及平台控制部230。記憶裝置202、記憶裝置204、記憶裝置206例如為磁碟裝置。於記憶裝置202中儲存有描繪資料。於該描繪資料中定義有圖形圖案的形狀及位置。
控制計算機210包括：Z圖製作部212、照射資料生成 部214、描繪控制部216、以及修正部218。Z圖製作部212、照射資料生成部214、描繪控制部216、以及修正部218的各功能可包含軟體，亦可包含硬體。
自電子槍101放出的電子束103藉由照明透鏡112而對具有矩形的孔的第一開口122整體進行照明。此處，電子束103成形為矩形。而且，穿過了第一開口122的第一開口像的電子束103藉由投影透鏡114而投影至第二開口124上。第二開口124上的第一開口像的位置由成形偏轉器132進行偏轉控制，可使射束形狀與尺寸變化。穿過了第二開口124的第二開口像的電子束103藉由物鏡116來對焦，並藉由主偏轉器134及副偏轉器136來偏轉，而照射至連續移動的XY平台140上的基板150的所期望的位置。
自電子槍101放出的電子束103藉由消隱偏轉器130，於射束開啟的狀態下，以穿過消隱開口120的方式來控制，於射束關閉的狀態下，以射束整體由消隱開口120遮蔽的方式來偏轉。自射束關閉的狀態變成射束開啟，其後變成射束關閉為止穿過了消隱開口120的電子束成為電子束的一次照射。藉由各照射的照射時間，而調整照射至基板150的電子束的每次照射的照射量。
圖2是表示圖案描繪時的平台移動的一例的圖。當於基板150進行描繪時，一面使XY平台140例如朝x方向連續移動，一面將描繪區域10假想分割成電子束103可偏轉的寬度的長條狀的多個條紋(圖框)20，將電子束103照射至基板150的一個條 紋20上。可藉由連續移動來縮短描繪時間。而且，若描繪完一個條紋20，則使XY平台140朝y方向分級進給(step feed)，並朝x方向(反向)進行下一個條紋20的描繪動作。
XY平台140的移動速度可為等速，亦可為變速。例如，可根據描繪圖案的圖案密度來改變速度。例如，當描繪稠密的圖案時減慢平台速度，當描繪稀疏的圖案時加快平台速度。
條紋20的寬度是可藉由主偏轉器134來偏轉的寬度。而且，於各條紋20中，在y方向上亦以與條紋的x方向的寬度相同的寬度來劃分。該經劃分的區域成為可藉由主偏轉器134來偏轉的主偏轉區域。對該主偏轉區域進一步細分化而成的區域成為副偏轉區域。
副偏轉器136用於高速且高精度地控制每次照射的電子束103的位置。因此，偏轉範圍被限定於副偏轉區域，超過該區域的偏轉藉由利用主偏轉器134移動副偏轉區域的位置來進行。另一方面，主偏轉器134用於控制副偏轉區域的位置，於包含多個副偏轉區域的範圍(主偏轉區域)內移動。另外，於描繪過程中XY平台140朝x方向連續地移動，因此藉由利用主偏轉器134來隨時移動(追蹤)副偏轉區域的描繪原點，可追隨XY平台140的移動。
於電子束描繪裝置中，以焦點高度位置(Z=0)與基板150的表面一致的方式，進行透鏡系統的調整。若基板150的高度自焦點高度位置偏離，則如圖3所示，基板表面的主偏轉區域的 形狀旋轉或伸縮。於圖3所示的例子中，隨著基板的表面高度朝負的方向(遠離透鏡系統的方向)偏離，主偏轉區域逐漸地逆時針旋轉，區域尺寸擴大。相反地，隨著基板的表面高度朝正的方向(接近透鏡系統的方向)偏離，主偏轉區域逐漸地順時針旋轉，區域尺寸縮小。
主偏轉區域的形狀的旋轉或伸縮會引起描繪位置的偏離。因此，事先製作基板150的表面高度的分布(Z圖)，進行與描繪位置的高度對應的光學系統的修正(對焦、主偏轉區域的形狀的伸縮或旋轉的修正)。
使用圖4中所示的流程圖，對本實施方式的Z圖製作方法進行說明。首先，使用Z感測器160，於基板150的表面的多個點測定高度(步驟S101)。圖5表示測定結果的一例。例如，測定基板150的表面的8×8處的高度。
於基板150載置有用於防止基板帶電的罩(省略圖示)，該罩位於基板150的邊緣部的上方，成為簷，阻礙自Z感測器160輸出的雷射光照射至基板150的邊緣部。因此，如圖6的(a)所示，基板150(描繪區域10)的中央部R1中的高度可由Z感測器160來測定，相對於此，邊緣部R2的高度無法由Z感測器160來測定。
如圖6的(b)所示，僅中央部R1獲得表面高度的測定值。圖6的(b)表示將y座標固定時的x方向的高度測定值的分布的例子。
先前，算出使用中央部R1中的高度測定值(實測值)的近似曲面(多項式)，針對邊緣部R2，藉由多項式的外插法來應對。例如，如圖6的(c)所示，藉由三次的多項式F3來對實測值進行近似。
但是，若為三次左右的低次的多項式，則有時近似的誤差不會充分地變小。近似的誤差藉由使用更高次的多項式而變小。例如，利用六次的多項式F6進行近似，藉此與三次多項式F3相比誤差變小。
但是，若使用高次的多項式，則邊緣部R2(外插部)處的誤差變大。因此，於本實施方式中，當製作Z圖時，針對無法測定表面高度的邊緣部R2，使用低次(例如三次)的多項式的外插來防止誤差變大，並且針對可測定表面高度的中央部R1，使用高次(例如六次)的多項式來減小近似的誤差。
Z圖製作部212利用低次的多項式對步驟S101中所獲得的測定值進行擬合，算出近似曲面(步驟S102)，並藉由該近似曲面的外插法來製作邊緣部R2的Z圖(步驟S103)。例如，製作如圖7的(a)所示的於x方向、y方向上分別排列有16個Z值的Z圖的最外周部分。
繼而，Z圖製作部212利用高次的多項式對步驟S101中所獲得的測定值進行擬合，算出近似曲面(步驟S104)，並藉由該近似曲面的內插法來製作中央部R1的Z圖(步驟S105)。例如，製作如圖7的(b)所示的排列有14個×14個Z值的Z圖的中央 部分。
Z圖製作部212將步驟S103中所製作的邊緣部R2的Z圖與步驟S105中所製作的中央部R1的Z圖結合，而製作Z圖(步驟S106)。例如，製作如圖7的(c)所示的排列有16×16個Z值的Z圖。所製作的Z圖被儲存於記憶裝置204中。
繼而，使用圖8中所示的流程圖，對本實施方式的描繪方法進行說明。於圖8的流程圖中，步驟S201~步驟S204是描繪開始前的前處理。
首先，將評估基板載置於XY平台140，使用圖4中所示的方法來製作評估基板的Z圖(步驟S201)。
其次，於評估基板描繪評估圖案(步驟S202)。照射資料生成部214自記憶裝置202讀出評估圖案的描繪資料，進行多段的資料轉換處理，生成裝置固有的照射資料。於照射資料中，針對每次照射，例如包含表示各照射圖形的圖形種類的圖形編碼、圖形尺寸、照射位置、照射時間等。照射資料被暫時地儲存於記憶體(省略圖示)。描繪控制部216朝偏轉控制部220輸出照射資料。
偏轉控制部220根據照射資料，生成控制偏轉器130、偏轉器132、偏轉器134、偏轉器136的偏轉訊號。偏轉訊號由未圖示的數位類比轉換(Digital Analog Conversion，DAC)放大器進行數位/類比(Digital/Analog，D/A)轉換後被放大，並施加至偏轉器130、偏轉器132、偏轉器134、偏轉器136的電極。藉此， 可將所期望的形狀的電子束以所期望的照射時間(照射量)照射至評估基板的所期望的位置。再者，於已使評估基板停止的狀態下描繪評估圖案。評估圖案可為線圖案，亦可為孔圖案。
測定經描繪的評估圖案的位置，並測定主偏轉區域的旋轉量與伸縮量(步驟S203)。例如，利用x、y的兩個變數的一次函數對經描繪的評估圖案的測定位置進行擬合，藉此可計算各位置上的主偏轉區域的旋轉量與伸縮量。
根據步驟S201中所製作的Z圖、及步驟S203中所算出的各位置上的主偏轉區域的旋轉量與伸縮量，算出表示主偏轉區域的形狀因基板面高度變化而旋轉及伸縮多大程度的Z依存位置偏離係數A1、Z依存位置偏離係數A2、Z依存位置偏離係數B1、Z依存位置偏離係數B2(步驟S204)。所算出的係數A1、係數A2、係數B1、係數B2是用於後述的修正式者，被儲存於記憶裝置206。
另外，算出修正對應於描繪位置的主偏轉區域的變形的修正係數a0~修正係數a9、修正係數b0~修正係數b9，並先儲存於記憶裝置206。例如，使XY平台140移動來使平台上的標記(省略圖示)移動至所期望的主偏轉區域的各位置。而且，使電子束朝主偏轉區域內的各位置偏轉來測量標記位置，並求出其殘差。而且，利用將x、y設為變數的函數式對所獲得的殘差進行擬合，藉此算出係數a0~係數a9、係數b0~係數b9。係數a0~係數a9、係數b0~係數b9亦為用於後述的修正式者。
於求出修正係數後，對描繪對象的基板150進行實際描繪。對基板150進行描繪的圖案的描繪資料被從外部輸入並儲存於記憶裝置202。
使用圖4中所示的方法來製作基板150的Z圖(步驟S205)。Z圖被儲存於記憶裝置204。
開始描繪處理(步驟S206)。例如，照射資料生成部214自記憶裝置202讀出描繪資料，進行多段的資料轉換處理，生成裝置固有的照射資料。為了利用描繪裝置描繪圖形圖案，需要將描繪資料中所定義的各圖形圖案分割成可藉由射束的一次照射來照射的尺寸。因此，照射資料生成部214將描繪資料所示的圖形圖案分割成可藉由射束的一次照射來照射的尺寸而生成照射圖形。而且，針對各照射圖形生成照射資料。於照射資料中，例如定義圖形種類、圖形尺寸、照射位置、及照射量。已生成的照射資料被依次暫時地儲存於記憶體(省略圖示)。
描繪控制部216朝偏轉控制部220輸出照射資料。偏轉控制部220根據照射資料，生成控制各偏轉器的偏轉訊號。
描繪控制部216以變成與描繪圖案的密度對應的平台速度的方式，朝平台控制部230輸出速度指令訊號。平台控制部230根據速度指令訊號，控制XY平台140的速度。
修正部218自朝偏轉控制部220輸出的照射資料獲取描繪位置(射束照射位置)x、描繪位置(射束照射位置)y(步驟S207)。
修正部218根據Z圖，算出描繪位置x、描繪位置y上的基板表面高度z=Zmap(x、y)(步驟S208)。修正部218藉由Z圖中所定義的值的線性內插(linear interpolation)，而算出描繪位置x、描繪位置y上的高度。藉由線性內插，修正因於中央部R1與邊緣部R2中近似多項式的次數不同而引起的不連續性。
自照射資料獲取藉由主偏轉器134而偏轉的電子束的偏轉位置mx、偏轉位置my(主偏轉位置。副偏轉區域的描繪原點)(步驟S209)。
使用以下的修正式，求出DAC值(朝決定主偏轉器134中所設定的電壓值的DAC(省略圖示)輸出的值)，修正主偏轉區域的形狀(步驟S210)。
DAC值X=a0+(a1+A1* z)mx+(a2+A2* z)my+a3 * mx2+……+a9* my3
DAC值Y=b0+(b1+B1* z)mx+(b2+B2* z)my+b3 * mx2+……+b9* my3
描繪控制部216根據已算出的主偏轉區域的形狀修正量，控制物鏡116，調整焦點位置，修正主偏轉區域的旋轉或伸縮，進行描繪處理。
根據本實施方式，針對基板的中央部R1，利用高次多項式對中央部R1中的表面高度實測值進行近似，並根據該高次多項式來製作Z圖。另外，針對無法測定表面高度的基板的邊緣部R2，利用低次多項式對邊緣部R2中的表面高度實測值進行近似， 並藉由使用該低次多項式的外插法來製作Z圖。而且，將中央部R1的Z圖與邊緣部R2的Z圖結合。經結合的Z圖變成防止邊緣部R2中的誤差增大，且與中央部R1中的實測值的誤差極小者。
藉由使用此種Z圖，可高精度地算出基板面高度，高精度地進行焦點位置的調整等，可減少射束的描繪位置的偏離。
圖9是說明另一實施方式的Z圖製作方法的流程圖。
使用Z感測器160，於基板150的表面的多個點測定高度(步驟S301)。例如，測定基板150的中央部R1的8×8處的高度。例如，可獲得如圖10的(a)所示的測定值。
如圖10的(b)所示，利用低次的多項式對步驟S301中所獲得的測定值進行擬合，算出近似曲面(步驟S302)。使用該近似曲面，求出邊緣部R2中的表面高度的推斷值(步驟S303)。
如圖10的(c)所示，將步驟S301中所獲得的測定值與步驟S303中所獲得的推斷值結合，利用高次的多項式對測定值及推斷值進行擬合，算出近似曲面(步驟S304)，藉由該近似曲面的內插法來製作Z圖(步驟S305)。
如此，即便利用對表面高度的測定值進行近似的低次的多項式來推斷邊緣部R2的表面高度，並利用高次的多項式對測定值與推斷值進行近似，亦可高精度地製作Z圖。
圖11是說明又一實施方式的Z圖製作方法的流程圖。
使用Z感測器160，於基板150的表面的多個點測定高度(步驟S401)。例如，測定基板150的中央部R1的14×14處的 高度。
利用低次的多項式對步驟S401中所獲得的測定值進行擬合，算出近似曲面(步驟S402)，藉由該近似曲面的外插法來製作邊緣部R2的Z圖(步驟S403)。
將步驟S401中所獲得的測定值與步驟S403中所製作的邊緣部R2的Z圖結合，而製作Z圖(步驟S404)。
即便增加由Z感測器160所測定的中央部R1的表面高度的測定點，並將測定值直接用作中央部R1的Z圖，亦可高精度地製作Z圖。另外，當利用高次的多項式對中央部R1的測定資料進行擬合，針對邊緣部R2，進行低次的多項式的外插法來求出推斷值或圖時，亦可將對測定資料進行了擬合的R1的最外周的資料直接用作邊緣部R2的最內周的資料。
再者，本發明並非就那樣限定於所述實施方式，可於實施階段，在不脫離其主旨的範圍內使構成元件變形來具體化。例如，於所述實施方式中，使用於每次照射中形成圖形來照射的可變成形射束，但亦可照射規定形狀的射束、或同時照射多個射束。另外，可藉由所述實施方式中所揭示的多個構成元件的適宜的組合來形成各種發明。例如，亦可自實施方式中所示的所有構成元件中去除幾個構成元件。進而，亦可將涉及不同的實施方式的構成元件適宜組合。
100:描繪部
101:電子槍
102:電子束鏡筒
103:電子束
104:描繪室
112:照明透鏡
114:投影透鏡
116:物鏡
120:消隱開口
122:第一開口
124:第二開口
130:消隱偏轉器
132:成形偏轉器
134:主偏轉器
136:副偏轉器
140:XY平台
150:基板
160:Z感測器
200:控制部
202、204、206:記憶裝置
210:控制計算機
212:Z圖製作部
214:照射資料生成部
216:描繪控制部
218:修正部
220:偏轉控制部
230:平台控制部

Claims (9)

  1. 一種帶電粒子束描繪裝置，包括：描繪部，利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案；測定部，測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度；製作部，利用第一多項式對由所述測定部所得的測定值進行擬合，藉由使用所述第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的第一高度分布，利用次數比所述第一多項式高的第二多項式對所述測定值進行擬合，藉由使用所述第二多項式的內插法來算出所述中央部的表面高度的第二高度分布，將所述第一高度分布與所述第二高度分布結合，製作所述基板的高度分布；以及控制部，根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置。
  2. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中將所述基板的中央部的最外周的測定值用作所述基板的邊緣部的最內周的表面高度。
  3. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中所述第一多項式為三次多項式，所述第二多項式為六次多項式。
  4. 一種帶電粒子束描繪裝置，包括：描繪部，利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案；測定部，測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度；製作部，利用第一多項式對由所述測定部所得的測定值進行 擬合，藉由使用所述第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的推斷值，利用次數比所述第一多項式高的第二多項式對所述測定值及所述推斷值進行擬合，根據所述第二多項式來製作所述基板的高度分布；以及控制部，根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置。
  5. 如請求項4所述的帶電粒子束描繪裝置，其中將所述基板的中央部的最外周的測定值用作所述基板的邊緣部的最內周的表面高度。
  6. 如請求項4所述的帶電粒子束描繪裝置，其中所述第一多項式為三次多項式，所述第二多項式為六次多項式。
  7. 一種帶電粒子束描繪方法，其是利用帶電粒子束於基板的表面描繪圖案的帶電粒子束描繪方法，其包括：測定所述基板的中央部的多個部位的表面高度的步驟；利用第一多項式對由所述測定所得的測定值進行擬合，藉由使用所述第一多項式的外插法來算出所述基板的邊緣部的表面高度的第一高度分布的步驟；利用次數比所述第一多項式高的第二多項式對所述測定值進行擬合，藉由使用所述第二多項式的內插法來算出所述中央部的表面高度的第二高度分布的步驟；將所述第一高度分布與所述第二高度分布結合，製作所述基板的高度分布的步驟；以及 根據自所述基板的高度分布所算出的描繪位置的表面高度，調整所述帶電粒子束的焦點位置的步驟。
  8. 如請求項7所述的帶電粒子束描繪方法，其中將所述基板的中央部的最外周的測定值用作所述基板的邊緣部的最內周的表面高度。
  9. 如請求項7所述的帶電粒子束描繪方法，其中所述第一多項式為三次多項式，所述第二多項式為六次多項式。
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