TW201810341A - 多重帶電粒子束曝光方法及多重帶電粒子束的遮沒裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明一態樣之多重帶電粒子束曝光方法，其特徵為，對裝載有：基板，形成有供使用了帶電粒子束的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔；及複數個個別遮沒機構，配置於基板，將多射束的各射束予以個別地遮沒偏向；的遮沒裝置，統一傳送多射束的各射束的ON/OFF控制訊號，藉由裝載於遮沒裝置之複數個個別遮沒機構，對於多射束被群組化成複數個群組之每一群組一面切換照射時間點，一面循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號將多射束照射至描繪對象基板。

Description

多重帶電粒子束曝光方法及多重帶電粒子束的遮沒裝置
本發明係多重帶電粒子束曝光方法及多重帶電粒子束的遮沒裝置，例如有關多射束描繪中的射束照射方法。
肩負半導體裝置微細化發展的微影技術，在半導體製程當中是唯一生成圖樣的極重要製程。近年來隨著LSI的高度積體化，對於半導體裝置要求之電路線寬正逐年微細化。當中，電子線(電子束)描繪技術在本質上具有優良的解析性，對晶圓等使用電子線來描繪係行之已久。
舉例來說，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產出大幅提升。該多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之光罩而形成多射束，然後各自受到遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並藉由偏向器被偏向而照射至試料上的期望位置。
多射束描繪中，是藉由照射時間來個別地控制各個射束的照射量。該進行個別的控制之控制電路，被裝入於描 繪裝置本體中裝載之遮沒孔徑陣列裝置。多射束描繪中，又，為使產出提升，係設想提高電流密度以減低各個射束的射束照射時間。然而，當提高電流密度來使用的情形下，依同時照射之多射束的合計電流量而定，可能會因庫侖效應而發生多射束像的所謂暈開或位置偏差這類問題。
此處，在全部於同一時間點進行射束陣列的ON/OFF控制之裝置中，有人提出下述這樣的手法，即，將射束陣列予以群組化，從描繪裝置外部的遮沒控制電路，將對於每一群組對遮沒器陣列施加之遮沒電壓(訊號)，和施加開始時刻錯開而施加至裝置本體，而將射束的照射時間點錯開(例如參照日本特開2007-329220號公報)。此外，提出了藉由該手法而能夠對於每一群組調整照射量。但，依該手法，難以藉由照射時間來個別地控制各個射束的照射量。此外，也難以將進行個別的射束的照射量控制之控制電路裝入於遮沒孔徑陣列裝置。
鑑此，可設想下述這樣的手法，即，將射束陣列予以群組化，對於每一群組，將曝光時間控制訊號錯開而傳送至裝入有進行個別的射束的照射量控制之控制電路的遮沒孔徑陣列裝置，而將射束的照射時間點錯開。然而，依該手法，僅是將1次的射束擊發的循環單純地分成2次的射束擊發的循環，故曝光時間控制訊號的傳送次數會成為2倍，其結果，曝光時間會成為2倍。因此，特意藉由多射束描繪來謀求產出的提升，卻變得難以充分發揮其效果。
本發明提供一種可抑制多射束描繪的產出的劣化，同時抑制庫侖效應之多重帶電粒子束曝光方法及多重帶電粒子束的遮沒裝置。
本發明一態樣之多重帶電粒子束曝光方法，其特徵為，對裝載有：基板，形成有供使用了帶電粒子束的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔；及複數個個別遮沒機構，配置於基板，將多射束的各射束予以個別地遮沒偏向；的遮沒裝置，統一傳送多射束的各射束的ON/OFF控制訊號，藉由裝載於遮沒裝置之複數個個別遮沒機構，對於多射束被群組化成複數個群組之每一群組一面切換照射時間點，一面循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號將多射束照射至描繪對象基板。
本發明一態樣之多重帶電粒子束的遮沒裝置，其特徵為，具備：基板，以陣列狀形成有供使用了帶電粒子束的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔；及將多射束群組化成複數個群組之複數個記憶裝置，配置於基板內部，暫時地存儲被統一傳送之多射束的各射束的ON/OFF控制訊號；及複數個切換電路，配置於前述基板內部，分別連接至複數個記憶裝置，循著存儲於相對應的記憶裝置之ON/ OFF控制訊號來切換二元值的電位；及具有2個電極之複數個電極對，各自配置在基板上，且在包夾著複數個通過孔當中相對應的通過孔而相向之位置，以藉由各自相對應的切換電路而被切換之電位，將多射束的相對應射束予以個別地遮沒偏向；複數個記憶裝置，對每一群組一面錯開時期一面將存儲於該記憶體內之ON/OFF控制訊號輸出至相對應的切換電路。
20‧‧‧電子束(多射束)
22‧‧‧孔
24‧‧‧控制電極
25‧‧‧通過孔
26‧‧‧相向電極
28‧‧‧像素
29‧‧‧格子
30‧‧‧薄膜區域
31‧‧‧基板
32‧‧‧外周區域
33‧‧‧支撐台
34‧‧‧照射區域
36‧‧‧像素
40‧‧‧移位暫存器
41‧‧‧控制電路
42‧‧‧緩衝暫存器
43‧‧‧暫存器
44‧‧‧計數器電路
45‧‧‧緩衝暫存器
46‧‧‧放大器
47‧‧‧個別遮沒機構
50‧‧‧暫存器
52‧‧‧計數器
54‧‧‧共通放大器
60‧‧‧ρ演算部
62‧‧‧Dp演算部
64‧‧‧ρ’對映圖作成部
66‧‧‧D演算部
68‧‧‧t演算部
72‧‧‧編排加工部
78‧‧‧傳送處理部
80‧‧‧電流量演算部
82‧‧‧判定部
84‧‧‧指令輸出部
86‧‧‧描繪控制部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
131‧‧‧邏輯電路
132、134‧‧‧DAC放大器單元
138‧‧‧平台控制機構
139‧‧‧平台位置測定器
140、142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧成形孔徑陣列構件
204‧‧‧遮沒孔徑陣列機構
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制孔徑構件
207‧‧‧對物透鏡
208、209‧‧‧偏向器
210‧‧‧鏡
圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。
圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列構件的構成示意概念圖。
圖3為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。
圖4為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。
圖5為實施形態1的個別遮沒機構的一例示意圖。
圖6為實施形態1中的描繪動作的一例說明用概念圖。
圖7為實施形態1中的多射束的照射區域與描繪對象像素之一例示意圖。
圖8為實施形態1中的多射束的描繪方法之一例說明用圖。
圖9為實施形態1中的描繪方法的主要工程示意流程圖。
圖10為實施形態1中個別遮沒控制電路的內部構成示意概念圖。
圖11為實施形態1中的多射束的ON/OFF控制訊號的傳送處理與控制電路內的動作相關說明用圖。
圖12為實施形態1的比較例中的射束擊發與庫侖效應之關係說明用圖。
圖13為實施形態1中的多射束的群組分割手法的變形例說明用圖。
圖14A與圖14B為實施形態1中的個別遮沒控制電路的內部構成之另一例及射束的隸屬群組之一例示意概念圖。
圖15A與圖15B為實施形態1中的個別遮沒控制電路的內部構成之另一例示意概念圖。
圖16為實施形態2中的描繪裝置的構成示意概念圖。
圖17為實施形態2中的個別遮沒控制電路與共通遮沒控制電路的內部構成示意概念圖。
圖18為實施形態2中的描繪方法的主要工程示意流程圖。
圖19為實施形態2中的複數個分割擊發的位數與照射時間之一例示意圖。
圖20為實施形態2中的多射束的ON/OFF控制訊號 的傳送處理與控制電路內的動作相關說明用圖。
圖21為實施形態2的比較例中的射束擊發與庫侖效應之關係說明用圖。
圖22為實施形態2中的資料傳送時間與分割擊發時間之關係一例示意圖。
圖23為實施形態2中的多射束的群組分割手法的變形例說明用圖。
以下，實施形態中，說明可抑制多射束描繪的產出的劣化，同時抑制庫侖效應之曝光方法及遮沒裝置。
此外，以下在實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係針對使用電子束之構成來做說明。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是使用離子束等帶電粒子的射束。此外，實施形態中，說明使用了描繪裝置作為曝光裝置的一例之構成。但，曝光裝置不限於描繪裝置，亦可為檢查裝置等進行帶電粒子束對於試料之照射之曝光裝置。
實施形態1.
圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置100，具備描繪機構150與控制系統電路160。描繪裝置100為多重帶電粒子束描繪裝置之一例，並且為多重帶電粒子束曝光裝置之一例。描繪機構150具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102 內，配置有電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列構件203、遮沒孔徑陣列機構204、縮小透鏡205、限制孔徑構件206、對物透鏡207、及偏向器208、209。在描繪室103內配置有XY平台105。在XY平台105上，配置有於描繪時(曝光時)成為描繪對象基板的光罩等試料101。試料101係包括製造半導體裝置時的曝光用光罩、或供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，試料101包括已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。在XY平台105上還配置XY平台105的位置測定用的鏡(mirror)210。
控制系統電路160，具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、數位/類比變換(DAC)放大器單元132、134、平台控制機構138、平台位置測定器139及磁碟裝置等記憶裝置140、142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、平台控制機構138、平台位置測定器139及記憶裝置140、142係透過未圖示之匯流排而彼此連接。描繪資料從描繪裝置100的外部被輸入並存儲於記憶裝置140(記憶部)。在偏向控制電路130透過未圖示之匯流排而連接有DAC放大器單元132、134及遮沒孔徑陣列機構204。平台位置測定器139，將雷射光照射至XY平台105上的鏡210，並接受來自鏡210的反射光。然後，利用該反射光的資訊來測定XY平台105的位置。
在控制計算機110內，配置有圖樣面積密度ρ演算部 60、鄰近效應修正照射係數Dp演算部62、像素內圖樣面積密度ρ’對映圖作成部64、照射量D演算部66、照射時間t演算部68、編排加工部72、傳送處理部78、電流量演算部80、判定部82、指令輸出部84、及描繪控制部86。圖樣面積密度ρ演算部60、鄰近效應修正照射係數Dp演算部62、像素內圖樣面積密度ρ’對映圖作成部64、照射量D演算部66、照射時間t演算部68、編排加工部72、傳送處理部78、電流量演算部80、判定部82、指令輸出部84、及描繪控制部86這些各「~部」，具有處理電路。該處理電路，例如包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置。各「~部」可使用共通的處理電路(同一處理電路)，或亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於圖樣面積密度ρ演算部60、鄰近效應修正照射係數Dp演算部62、像素內圖樣面積密度ρ’對映圖作成部64、照射量D演算部66、照射時間t演算部68、編排加工部72、傳送處理部78、電流量演算部80、判定部82、指令輸出部84、及描繪控制部86輸出入之資訊及演算中之資訊會隨時被存儲於記憶體112。
此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必須之構成。對描繪裝置100而言，通常也可具備必要的其他構造。
圖2為實施形態1中的成形孔徑陣列構件的構成示意概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列構件203，有縱(y方 向)p列×橫(x方向)q列(p，q≧2)的孔(開口部)22以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。圖2中，例如於縱橫(x，y方向)形成512×512列的孔22。各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同直徑的圓形亦可。電子束200的一部分各自通過該些複數個孔22，藉此會形成多射束20。在此，雖然揭示了於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔22之例子，但並不限於此。例如，亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。此外，孔22的編排方式，亦不限於如圖2般配置成縱橫為格子狀之情形。舉例來說，縱方向(y方向)第k段的列及第k+1段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸a而配置。同樣地，縱方向(y方向)第k+1段的列及第k+2段的列的孔，彼此亦可於橫方向(x方向)錯開尺寸b而配置。
圖3為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。
圖4為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。另，在圖3及圖4，沒有記載成令控制電極24與相向電極26與控制電路41墊(pad)43的位置關係一致。遮沒孔徑陣列機構204，如圖3所示，是在支撐台33上配置由矽等所構成之半導體基板31。基板31的中央部，例如從背面側被切削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜區域30(第1區域)。圍繞薄膜區域30之周圍，成為較 厚的膜厚H之外周區域32(第2區域)。薄膜區域30的上面與外周區域32的上面，是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板31，是藉由外周區域32的背面而被保持於支撐台33上。支撐台33的中央部係開口，薄膜區域30的位置，位於支撐台33的開口之區域。
在薄膜區域30，於和圖2所示之成形孔徑陣列構件203的各孔22相對應之位置，有供多射束的各個射束通過用之通過孔25(開口部)開口。換言之，在基板31的薄膜區域30，供使用了電子線的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔25係以陣列狀形成。又，在基板31的薄膜區域30上，且在夾著複數個通過孔25當中相對應的通過孔25而相向之位置，各自配置有具有2個電極之複數個電極對。具體而言，在薄膜區域30上，如圖3及圖4所示，於各通過孔25的鄰近位置，夾著該通過孔25而各自配置有遮沒偏向用之控制電極24及相向電極26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在基板31內部且薄膜區域30上的各通過孔25的鄰近，配置有對各通過孔25用的控制電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏輯電路)。各射束用的相向電極26被接地連接。
此外，如圖4所示，各控制電路41，連接至控制訊號用之n位元(例如10位元)的並列配線。各控制電路41，除了控制訊號用之n位元的並列配線以外，還連接至時鐘訊號線及電源用的配線等。時鐘訊號線及電源用的配線等亦可流用並列配線的一部分配線。對於構成多重射束 之各個射束的每一者，構成由控制電極24及相向電極26及控制電路41所組成之個別遮沒機構47。此外，圖3例子中，控制電極24及相向電極26及控制電路41是配置於基板31的膜厚較薄之薄膜區域30。但，並不限於此。此外，在薄膜區域30以陣列狀形成之複數個控制電路41，例如藉由同一行或同一列而被群組化，群組內的控制電路41群，如圖4所示般被串聯連接。又，來自對每一群組配置的墊43之訊號會被傳遞至群組內的控制電路41。具體而言，在各控制電路41內，配置有後述之移位暫存器，例如p×q道的多射束當中例如同一行的射束的控制電路內的移位暫存器係被串聯連接。又，例如p×q道的多射束的同一行的射束的控制訊號是以序列(series)被發送，例如各射束的控制訊號係藉由p次的時鐘訊號而被存儲於相對應之控制電路41。
圖5為實施形態1的個別遮沒機構的一例示意圖。圖5中，在控制電路41內，配置有放大器46(切換電路之一例)。圖5例子中，作為放大器46之一例，配置CMOS(Complementary MOS)反相器(inverter)電路。又，CMOS反相器電路連接至正的電位(Vdd：遮沒電位：第1電位)(例如5V)(第1電位)與接地電位(GND：第2電位)。CMOS反相器電路的輸出線(OUT)連接至控制電極24。另一方面，相向電極26被施加接地電位。又，可切換地被施加遮沒電位與接地電位之複數個控制電極24，係配置在基板31上，且在夾著複 數個通過孔25的各自相對應之通過孔25而和複數個相向電極26的各自相對應之相向電極26相向之位置。
在CMOS反相器電路的輸入(IN)，被施加比閾值電壓還低之L(low)電位(例如接地電位)、及閾值電壓以上之H(high)電位(例如1.5V)的其中一者，以作為控制訊號。實施形態1中，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加L電位之狀態下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為正電位(Vdd)，而藉由與相向電極26的接地電位之電位差所造成的電場將相對應射束20偏向，並以限制孔徑構件206遮蔽，藉此控制成射束OFF。另一方面，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加H電位之狀態(有效(active)狀態)下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為接地電位，與相向電極26的接地電位之電位差會消失而不會將相對應射束20偏向，故會通過限制孔徑構件206，藉此控制成射束ON。
通過各通過孔的電子束20，會各自獨立地藉由施加於成對之2個控制電極24及相向電極26的電壓而被偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。具體而言，控制電極24及相向電極26之組合，係以藉由作為各自相對應的切換電路之CMOS反相器電路而被切換之電位，將多射束的相對應射束各自個別地遮沒偏向。像這樣，複數個遮沒器，係進行對通過了成形孔徑陣列構件203的複數個孔22(開口部)的多射束當中各自相對應的射束之遮沒偏向。
圖6為實施形態1中的描繪動作的一例說明用概念圖。如圖6所示，試料101的描繪區域30，例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域32。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束20擊發所能夠照射之照射區域34位於第1個條紋區域32的左端或更左側之位置，開始描繪。在描繪第1個條紋區域32時，例如使XY平台105朝-x方向移動，藉此便相對地朝x方向逐漸進行描繪。令XY平台105例如以等速連續移動。第1個條紋區域32的描繪結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域34相對地於y方向位於第2個條紋區域32的右端或更右側之位置，這次使XY平台105例如朝x方向移動，藉此朝向-x方向以同樣方式進行描繪。在第3個條紋區域32朝x方向描繪，在第4個條紋區域32朝-x方向描繪，像這樣一面交互地改變方向一面描繪，藉此能夠縮短描繪時間。但，並不限於該一面交互改變方向一面描繪之情形，在描繪各條紋區域32時，亦可設計成朝向同方向進行描繪。1次的擊發(後述之照射步級的合計)當中，藉由因通過成形孔徑陣列構件203的各孔22而形成之多射束，最大會一口氣形成與各孔22相同數量之複數個擊發圖樣。
圖7為實施形態1中的多射束的照射區域與描繪對象像素之一例示意圖。圖7中，條紋區域32例如以多射束的射束尺寸而被分割成網目狀的複數個網目區域。該各網目區域係成為描繪對象像素36(單位照射區域、或描繪 位置)。描繪對象像素36的尺寸，並不限定於射束尺寸，亦可為和射束尺寸無關而由任意大小所構成者。例如，亦可由射束尺寸的1/n(n為1以上的整數)的尺寸來構成。圖7例子中揭示，試料101的描繪區域，例如於y方向以和一次的多射束20的照射所能照射之照射區域34(描繪照野)的尺寸實質相同之寬度尺寸被分割成複數個條紋區域32之情形。另，條紋區域32的寬度不限於此。較佳為照射區域34的n倍(n為1以上之整數)之尺寸。圖7例子中，揭示512×512列的多射束之情形。又，在照射區域34內，揭示一次的多射束20擊發所能夠照射之複數個像素28(射束的描繪位置)。換言之，相鄰像素28間的間距即為多射束的各射束間之間距。圖7例子中，藉由被相鄰4個像素28所包圍，且包括4個像素28當中的1個像素28之正方形區域，來構成1個格子29。圖7例子中，揭示各格子29由4×4像素所構成之情形。
圖8為實施形態1中的多射束的描繪方法之一例說明用圖。圖8中，揭示描繪圖7所示條紋區域32的多射束當中，由y方向第3段的座標(1，3)，(2，3)，(3，3)，...，(512，3)的各射束所描繪之格子的一部分。圖8例子中，例如揭示XY平台105在移動8射束間距份的距離之期間描繪(曝光)4個像素之情形。在描繪(曝光)該4個像素的期間，藉由偏向器208將多射束20全體予以一齊偏向，藉此使照射區域34追隨XY平台 105之移動，以免照射區域34因XY平台105之移動而與試料101之相對位置偏離。換言之，係進行追蹤(tracking)控制。圖8例子中，揭示在移動8射束間距份的距離之期間描繪(曝光)4個像素，藉此實施1次的追蹤循環之情形。
具體而言，平台位置測定器139，將雷射照射至鏡210，並從鏡210接受反射光，藉此對XY平台105的位置測長。測長出的XY平台105的位置，會被輸出至控制計算機110。在控制計算機110內，描繪控制部86將該XY平台105的位置資訊輸出至偏向控制電路130。在偏向控制電路130內，配合XY平台105的移動，演算用來做射束偏向之偏向量資料(追蹤偏向資料)以便追隨XY平台105的移動。身為數位訊號之追蹤偏向資料，被輸出至DAC放大器134，DAC放大器134將數位訊號變換成類比訊號後予以放大，並施加至偏向器208以作為追蹤偏向電壓。
然後，描繪機構150，在該擊發中的多射束的各射束各自的照射時間當中的最大描繪時間Ttr內的和各個像素36相對應之描繪時間(照射時間、或曝光時間)，對各像素36照射多射束20當中和ON射束的各者相對應之射束。
圖8例子中，藉由座標(1，3)的射束(1)，在從時刻t=0至t=最大描繪時間Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如從最下段右邊數來第1個像素，進行第1擊發 的複數個照射步級(多重曝光)的射束之照射。從時刻t=0至t=Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。
從該擊發的射束照射開始起算經過該擊發的最大描繪時間Ttr後，藉由偏向器208一面持續用於追蹤控制之射束偏向，一面在用於追蹤控制之射束偏向之外，另藉由偏向器209將多射束20一齊偏向，藉此將各射束的描繪位置(前次的描繪位置)移位至下一各射束的描繪位置(本次的描繪位置)。圖8例子中，在成為時刻t=Ttr的時間點，將描繪對象像素從矚目格子29的最下段右邊數來第1個像素移位至下面數來第2段且右邊數來第1個像素。在此期間，XY平台105亦定速移動，故追蹤動作持續。
然後，一面持續追蹤控制，一面對已被移位之各射束的描繪位置，以和該擊發的最大描繪時間Ttr內的各自相對應之描繪時間，照射和多射束20當中ON射束的各者相對應之射束。圖8例子中，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t=Ttr至t=2Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如下面數來第2段且右邊數來第1個像素，進行第2擊發之射束的照射。從時刻t=Ttr至t=2Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。
圖8例子中，在成為時刻t=2Ttr的時間點，藉由偏向器209所做的多射束之一齊偏向，將描繪對象像素從矚目格子29的下面數來第2段且右邊數來第1個像素移位至 下面數來第3段且右邊數來第1個像素。在此期間，XY平台105亦移動，故追蹤動作持續。然後，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t=2Ttr至t=3Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如下面數來第3段且右邊數來第1個像素，進行第3擊發之射束的照射。從時刻t=2Ttr至t=3Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。在成為時刻t=3Ttr的時間點，藉由偏向器209所做的多射束之一齊偏向，將描繪對象像素從矚目格子29的下面數來第3段且右邊數來第1個像素移位至下面數來第4段且右邊數來第1個像素。在此期間，XY平台105亦移動，故追蹤動作持續。然後，藉由座標(1，3)的射束(1)，從時刻t=3Ttr至t=4Ttr為止之期間，對矚目格子29的例如下面數來第4段且右邊數來第1個像素，進行第4擊發之射束的照射。從時刻t=3Ttr至t=4Ttr為止之期間，XY平台105例如朝-x方向移動恰好2射束間距份。在此期間，追蹤動作持續。藉由上述，便結束矚目格子29的右邊數來第1個像素列之描繪。
圖8例子中，對從初始位置被移位了3次後之各射束的描繪位置照射了各個相對應之射束後，DAC放大器單元134會將追蹤控制用的射束偏向予以重置，藉此將追蹤位置返回開始做追蹤控制時之追蹤開始位置。換言之，使追蹤位置朝和平台移動方向相反之方向返回。圖8例子中，在成為時刻t=4Ttr的時間點，解除矚目格子29的追 蹤，將射束擺回至朝x方向挪移了8射束間距份之矚目格子。另，圖8例子中，雖說明了座標(1，3)的射束(1)，但針對其他座標的射束，亦是對各個相對應之格子同樣地進行描繪。也就是說，座標(n，m)的射束，在t=4Ttr的時間點，對於相對應之格子結束從右邊數來第1個像素列之描繪。例如，座標(2，3)的射束(2)，對和圖7的射束(1)用的矚目格子29於-x方向相鄰之格子，結束從右邊數來第1個像素列之描繪。
另，由於各格子的從右邊數來第1個像素列之描繪已結束，故追蹤重置後，於下次的追蹤循環中，首先偏向器209會將各個相對應的射束的描繪位置予以偏向以便對位(移位)至各格子的下面數來第1段且右邊數來第2個像素。
如上述般，同一追蹤循環中，於藉由偏向器208將照射區域34控制在對試料101而言相對位置成為同一位置之狀態下，藉由偏向器209一面使其每次移位1像素一面進行各擊發。然後，追蹤循環結束1循環後，返回照射區域34的追蹤位置，再如圖6的下段所示，例如將第1次的擊發位置對位至挪移了1像素之位置，一面進行下一次的追蹤控制一面藉由偏向器209使每次移位1像素一面進行各擊發。條紋區域32的描繪中，藉由重複該動作，照射區域34的位置以照射區域34a~34o這樣的方式依序逐一移動，逐一進行該條紋區域之描繪。
圖9為實施形態1中的描繪方法的主要工程示意流程 圖。圖9中，實施形態1中的描繪方法，係實施鄰近效應修正照射係數Dp演算工程(S104)、像素內圖樣面積密度ρ’對映圖作成工程(S106)、照射時間t對映圖作成工程(S108)、資料傳送工程(S116)、描繪工程(S118)、判定工程(S126)這一連串工程。描繪工程(S118)，作為其內部工程，係實施擊發k1工程(S118)、及擊發k2工程(S120)。
作為鄰近效應修正照射係數Dp演算工程(S104)，首先，ρ演算部60，將描繪區域(此處例如為條紋區域32)以規定的尺寸以網目狀假想分割成複數個鄰近網目區域(鄰近效應修正計算用網目區域)。鄰近網目區域的尺寸，較佳為鄰近效應的影響範圍的1/10程度，例如設定為1μm程度。ρ演算部60，從記憶裝置140讀出描繪資料，對每一鄰近網目區域，演算配置於該鄰近網目區域內之圖樣的圖樣面積密度ρ。
接著，Dp演算部62，對每一鄰近網目區域，演算用來修正鄰近效應之鄰近效應修正照射係數Dp。此處，演算鄰近效應修正照射係數Dp之網目區域的尺寸，未必要和演算圖樣面積密度ρ之網目區域的尺寸相同。此外，鄰近效應修正照射係數Dp的修正模型及其計算手法可和習知之單射束描繪方式中使用的手法相同。
作為像素內圖樣面積密度ρ’對映圖作成工程(S106)，ρ’對映圖作成部64，對每一像素36演算該像素36內的圖樣面積密度ρ’。ρ’的網目尺寸例如訂為和像 素28的大小相同。
作為照射時間t對映圖作成工程(S108)，首先，D演算部66，對每一像素(描繪對象像素)36，演算用來對該像素36照射之照射量D。照射量D，例如可演算為將事先設定好的基準照射量Dbase乘上鄰近效應修正照射係數Dp乘上圖樣面積密度ρ’而得之值。像這樣，照射量D，較佳是和對每一像素36算出的圖樣的面積密度成比例來求出。
接著，t演算部68，首先，對每一像素36，演算用來使對該像素36演算出的照射量D入射之電子束的照射時間t。照射時間t，能夠藉由將照射量D除以電流密度J來演算。然後，作成定義對每一像素36獲得的照射時間t之照射時間t對映圖。作成的t對映圖被存儲於記憶裝置142。實施形態1中，例如將各像素36的照射時間t訂為該像素36的ON/OFF控制訊號。或是，將把各像素36的照射時間t除以時鐘周期而成之計數值訂為該像素36的ON/OFF控制訊號。
接著，編排加工部72，依各射束的擊發順序，將ON/OFF控制訊號(照射時間t或計數值)(亦稱照射時間編排資料或擊發資料)予以加工。如圖8中說明般，於平台的移動方向，相鄰的像素36並非接著被擊發。故，此處，將順序加工，以使各像素36的ON/OFF控制訊號依多射束20會循著描繪序列依序擊發之像素36順序並排。此外，各擊發中，將順序加工，以使ON/OFF控制訊號 依串聯連接之移位暫存器40順序並排。受加工後的ON/OFF控制訊號，會被存儲於記憶裝置142。
作為資料傳送工程(S116)，傳送處理部78，對每一擊發，將該擊發的ON/OFF控制訊號統一傳送至偏向控制電路130。偏向控制電路130，對每一擊發，將多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204(遮沒裝置)。具體而言，偏向控制電路130，對每一擊發，將ON/OFF控制訊號統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204的各射束用的控制電路41。
作為描繪工程(S118)，描繪機構150，藉由裝載於遮沒孔徑陣列機構204之複數個個別遮沒機構47，對於多射束20被群組化成複數個群組之每一群組一面切換照射時間點，一面循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號將多射束20照射至描繪對象基板101。具體而言係如下述般動作。
圖10為實施形態1中個別遮沒控制電路的內部構成示意概念圖。圖10中，在配置於描繪裝置100本體內的遮沒孔徑陣列機構204之個別遮沒控制用的各控制電路41，依序配置移位暫存器40、緩衝暫存器45、緩衝暫存器42、暫存器43、計數器電路44、及放大器46。實施形態1中，是藉由n位元(例如10位元)的控制訊號來進行各射束用的個別遮沒控制。此處，例如以陣列狀(行列狀)排列之p×q道的多射束20當中例如同一行的p道射束的控制電路41內的移位暫存器40係被串聯連接。圖 10例子中，揭示於同一行並排的4個射束的各控制電路41的移位暫存器40a、40b、40c、40d被串聯連接之情形。此處，實施形態1中，將p×q道的多射束20予以群組化成複數個群組。例如，每一列交互地群組化成2個群組。例如，將各行的奇數列的射束訂為群組1、將各行的偶數列的射束訂為群組2。同一群組內的暫存器43(記憶裝置)彼此連接。換言之，配置於基板31內部之複數個暫存器43(記憶裝置)，係將多射束20予以群組化成複數個群組。圖10例子中，排列於移位暫存器40被串聯連接之同一行的4個射束的各控制電路41a~41d內的暫存器43a與暫存器43c係被連接作為同一群組。暫存器43b與暫存器43d被連接作為同一群組。像這樣，較佳是以相鄰射束隸屬於相異群組的方式被群組化。如此一來，便能排除來自相鄰射束的庫侖效應的影響。又，實施形態1中，配置於基板31內部之複數個暫存器43(記憶裝置)，對每一群組一面錯開時期一面將存儲於該暫存器43內的ON/OFF控制訊號輸出至相對應之放大器46(切換電路)。以下具體說明之。
圖11為實施形態1中的多射束的ON/OFF控制訊號的傳送處理與控制電路內的動作相關說明用圖。如上述般，實施形態1中，p×q道的多射束20當中例如同一行的p道射束用的移位暫存器40a、40b、40c、40d，...係被串聯連接。故，1次的多射束擊發中，存在著多射束的列份之，依多射束的每一行被統整之n位元的多射束的ON /OFF控制訊號。該資料群，於多射束的每一擊發，會從偏向控制電路130被統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204。例如，該資料群，係並列地被統一傳送。當第(k+2)個擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送的情形下，例如，藉由p次時鐘訊號，各射束的ON/OFF控制訊號被存儲於相對應之移位暫存器40。圖10例子中，揭示第5個擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送之情形。圖11例子中，藉由4次的時鐘訊號，4道射束的ON/OFF控制訊號被存儲於相對應之移位暫存器40a、40b、40c、40d。
在第(k+2)個擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送時之各射束用的緩衝暫存器45a(緩衝1)中，存儲有第(k+1)個擊發的ON/OFF控制訊號。此外，在同時期的各射束用的緩衝暫存器42a(緩衝2)中，存儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號。圖11例子中，在第5個擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送時之各射束用的緩衝暫存器45a(緩衝1)中，存儲有前次擊發亦即第4個擊發的ON/OFF控制訊號。在各射束用的緩衝暫存器42a(緩衝2)，存儲有更前次擊發亦即第3個擊發的ON/OFF控制訊號。換言之，係將被統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204(遮沒裝置)之多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號，各自暫時地存儲於遮沒孔徑陣列機構204內的複數個緩衝暫存器45(第1記憶裝置之一例)當中相對應之緩衝暫存器45。同樣地，將被統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204(遮沒裝置)之多射束20的各射束的ON/ OFF控制訊號，各自暫時地存儲於遮沒孔徑陣列機構204內的複數個緩衝暫存器42(第1記憶裝置之另一例)當中相對應之緩衝暫存器42。
在第(k+2)個擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送之期間，從偏向控制電路130會有重置訊號輸出至各暫存器43。如此一來，存儲於全部射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號會被刪除。
接著，作為擊發k1工程(S120)，首先，從偏向控制電路130會有群組1的讀入1訊號(讀取1)被輸出至群組1的暫存器43。如此一來，在群組1的暫存器43(暫存器1)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。另一方面，在群組2的暫存器43(暫存器2)，會持續被重置之狀態，故擊發的ON/OFF控制訊號不會被讀入。故，該狀態下，會成為僅在群組1的暫存器43(暫存器1)存儲有第k個擊發(圖11例子中為第3個擊發)的ON/OFF控制訊號之狀態。
接著，從偏向控制電路130會有第1次(群組1用)的擊發訊號被輸出至全射束的計數器電路44。如此一來，各射束用的計數器電路44，僅在存儲於該射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號所示意之時間，對放大器46輸出射束ON訊號。具體而言，係以時鐘周期計數和ON/OFF控制訊號示意之該射束的照射時間恰好相當之計數數量。然後，僅在計數的期間將CMOS反相器電路 (放大器46)的輸入設為H(有效)。然後，一旦經過ON/OFF控制訊號示意之時間，便對放大器46輸出射束OFF訊號。具體而言，於計數完成後將CMOS反相器電路(放大器46)的輸入設為L。此處，在群組1的暫存器43，存儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號，故群組1的計數器電路44僅於ON/OFF控制訊號示意之時間對放大器46輸出射束ON訊號。另一方面，在群組2的暫存器43，未存儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號，故群組2的計數器電路44對放大器46輸出射束OFF訊號。
故，群組1的放大器46，僅於從計數器電路44被輸入射束ON訊號之期間對控制電極24施加接地電位，藉此不將該射束偏向而令其通過限制孔徑206。另一方面，群組2的放大器46，未從計數器電路44被輸入射束ON訊號，故對控制電極24施加正的電位(Vdd)，藉此將該射束遮沒偏向而以限制孔徑206遮蔽。如此一來，群組1的第k個擊發(擊發k1)被執行。該擊發k1中，描繪機構150，具體而言係如以下般動作。
從電子槍201(放出部)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對成形孔徑陣列構件203全體做照明。在成形孔徑陣列構件203，形成有矩形的複數個孔22(開口部)，電子束200係對包含所有複數個孔22之區域做照明。照射至複數個孔22的位置之電子束200的各一部分，會各自通過該成形孔徑陣列構件203的複數個孔22，藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射 束)20a~e。該多射束20a~e，通過遮沒孔徑陣列機構204的各個相對應之遮沒器(控制電極24與相向電極26之組合)(第1偏向器：個別遮沒機構47)內。該遮沒器，各自將至少個別通過之電子束20做遮沒控制，以使射束於設定好的描繪時間(照射時間)成為ON狀態。此處，僅群組1的射束於描繪時間(照射時間)成為射束ON狀態。
通過了遮沒孔徑陣列機構204的多射束20a~e，會藉由縮小透鏡205而被縮小，朝向形成於限制孔徑構件206之中心的孔行進。此處，藉由遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器而被偏向的電子束20，其位置會偏離限制孔徑構件206(遮沒孔徑構件)中心的孔，而被限制孔徑構件206遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器偏向的電子束20，會如圖1所示般通過限制孔徑構件206的中心的孔。像這樣，限制孔徑構件206，是將藉由個別遮沒機構47而被偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑構件206的射束，形成1次份的擊發的各射束。通過了限制孔徑構件206的多射束20，會藉由對物透鏡207而合焦，成為期望之縮小率的圖樣像，然後藉由偏向器208及偏向器209，通過了限制孔徑構件206的各射束(多射束20全體)朝同方向統一被偏向，照射至各射束於試料101上各自之照射位置。此外，例如當XY平台105在連續移動時，射束的照射位置會受 到偏向器208控制，以便追隨XY平台105的移動。一次所照射之多射束20，理想上會成為以成形孔徑陣列機構203的複數個孔22的排列間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。
一旦群組1的擊發(擊發1)結束，於第k+2個擊發的ON/0FF控制訊號被統一傳送之期間，從偏向控制電路130會有重置訊號被輸出至各暫存器43。如此一來，存儲於全部射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號會被刪除。
接著，作為擊發k2工程(S122)，首先，從偏向控制電路130會有群組2的讀入2訊號(讀取2)被輸出至群組2的暫存器43。如此一來，在群組2的暫存器43(暫存器2)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。另一方面，在群組1的暫存器43(暫存器1)，會持續被重置之狀態，故擊發的ON/OFF控制訊號不會被讀入。故，該狀態下，會成為僅在群組2的暫存器43(暫存器2)存儲有第k個擊發(圖11例子中為第3個擊發)的ON/OFF控制訊號之狀態。
接著，從偏向控制電路130會有第2次(群組2用)的擊發訊號被輸出至全射束的計數器電路44。如此一來，各射束用的計數器電路44，僅在存儲於該射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號所示意之時間，對放大器46輸出射束ON訊號。這次，在群組2的暫存器43，存 儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號，故群組2的計數器電路44僅於ON/OFF控制訊號示意之時間對放大器46輸出射束ON訊號。另一方面，在群組1的暫存器43，未存儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號，故群組2的計數器電路44對放大器46輸出射束OFF訊號。
故，群組2的放大器46，僅於從計數器電路44被輸入射束ON訊號之期間對控制電極24施加接地電位，藉此不將該射束偏向而令其通過限制孔徑206。另一方面，群組1的放大器46，未從計數器電路44被輸入射束ON訊號，故對控制電極24施加正的電位(Vdd)，藉此將該射束遮沒偏向而以限制孔徑206遮蔽。如此一來，群組2的第k個擊發(擊發k2)被執行。描繪機構150的動作，和上述動作同樣。但，此處，僅群組2的射束於設定好的照射時間成為射束ON狀態。
換言之，存儲於複數個緩衝暫存器42的被統一傳送之多射束的各射束的ON/OFF控制訊號當中，將一部分(群組1)的射束的ON/OFF控制訊號暫時地存儲於遮沒孔徑陣列機構204內的群組1的複數個暫存器43(第2記憶裝置)。又，存儲於複數個緩衝暫存器42的被統一傳送之多射束的各射束的ON/OFF控制訊號當中，將剩餘部分(群組2)的射束的ON/OFF控制訊號和對群組1的複數個暫存器43之存儲錯開時期而暫時地存儲於遮沒孔徑陣列機構204內的群組2的複數個暫存器43(第3記憶裝置)。又，於一部分(群組1)的射束的ON/OFF 控制訊號存儲於群組1的複數個暫存器43(第2記憶裝置)之期間，群組2的複數個暫存器43(第3記憶裝置)的資訊會被重置。反之，於剩餘部分(群組2)的射束的ON/OFF控制訊號存儲於群組2的複數個暫存器43(第3記憶裝置)之期間，群組1的複數個暫存器43的資訊會被重置。又，於一部分(群組1)的射束的ON/OFF控制訊號存儲於群組1的複數個暫存器43(第2記憶裝置)，而群組2的複數個暫存器43的資訊正在被重置之狀態下，會從群組1的複數個暫存器43與群組2的複數個暫存器43讀出被存儲之資訊。如此一來，便能設計成僅從未被重置之群組1的複數個暫存器43輸出射束的ON/OFF控制訊號。同樣地，於剩餘部分(群組2)的射束的ON/OFF控制訊號存儲於群組2的複數個暫存器43，而群組1的複數個暫存器43的資訊正在被重置之狀態下，會從群組1的複數個暫存器43與群組2的複數個暫存器43讀出被存儲之資訊。如此一來，便能設計成僅從未被重置之群組2的複數個暫存器43輸出射束的ON/OFF控制訊號。
像以上這樣，多射束20用的複數個CMOS反相器電路(放大器46)(切換電路之一例)，係配置於基板31內部，各自連接至複數個暫存器43，循存儲於相對應的暫存器43之ON/OFF控制訊號來切換二元值的電位。又，於ON/OFF控制訊號被傳送之期間，將各群組的擊發k1、k2一面錯開照射時間點一面連續進行。
於讀取2訊號被輸出後，且於第(k+2)個擊發的ON/OFF控制訊號的統一傳送結束後，從偏向控制電路130會有緩衝移位訊號被輸出至緩衝暫存器45、42。如此一來，存儲於移位暫存器40之第(k+2)個擊發的ON/OFF控制訊號，會被移位至各射束用的緩衝暫存器45(緩衝1)。同時，存儲於緩衝暫存器45之第(k+1)個擊發的ON/OFF控制訊號，會被移位至各射束用的緩衝暫存器42(緩衝2)。
然後，緩衝移位訊號被輸出後，下一第(k+3)個擊發的ON/OFF控制訊號的統一傳送開始。以下，同樣地反覆。像這樣，移位暫存器40、緩衝暫存器45、緩衝暫存器42、及暫存器43這些各記憶裝置，係配置於基板31內部，將被統一傳送的多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號予以暫時地存儲。特別是，多射束20的複數個暫存器43(記憶裝置)，將多射束20劃分群組，並且將被統一傳送的多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號予以暫時地存儲。
圖10例子中，說明了使用2個緩衝暫存器45，42，於進行2次之後(下下次)的擊發的資料傳送之期間進行本次的擊發之情形。但，並不限於此。亦可為使用1個緩衝暫存器42於進行1次之後(下次)的擊發的資料傳送之期間進行本次的擊發之情形。無論是哪一種，只要在資料傳送中於該傳送時進行之擊發對每一群組一面錯開擊發時間點一面完成即可。
像以上這樣，按照實施形態1，無需依每一群組拆分資料傳送。故，能夠抑制產出的劣化。此外，實施形態1中，被傳送之ON/OFF控制訊號本身當中，並沒有識別錯開擊發時間點之群組的資訊。儘管如此，如圖10及圖11所示，藉由遮沒孔徑陣列機構204內的電路構成，對於作為同一擊發而被傳送來的資料，會對每一群組一面錯開擊發時間點一面照射射束。如此一來，便能不必在ON/OFF控制訊號定義特別的資訊。此外，實施形態1中，無需特別藉由控制計算機110或偏向控制電路130這些控制機構來一面識別射束群組一面控制。
作為判定工程(S126)，描繪控制部86，判定對於全部的像素36之描繪處理是否已結束。若對於全部的像素36之描繪處理結束，則結束流程。當對於全部的像素36之描繪處理尚未結束的情形下，回到資料傳送工程(S116)，反覆資料傳送工程(S116)以後的各工程。
圖12為實施形態1的比較例中的射束擊發與庫侖效應之關係說明用圖。實施形態1之比較例中，揭示於每一擊發，多射束20全體以同一照射時間點照射之情形。在此情形下，對個別的每一射束照射時間會相異，故於照射(曝光)開始時最會受到庫侖效應的影響。另一方面，於最大曝光時間附近，一部分射束的照射已經結束，故庫侖效應的影響會變小。故，理想是將照射(曝光)開始時的全射束的電流量的合計予以降低。實施形態1中，是將多射束20分割成複數個群組，於各擊發時，對每一群組錯 開照射時期，故群組單位下之照射(曝光)開始時的該群組的射束的電流量的合計，能夠比以多射束20全體同時照射(曝光)開始時的全射束的電流量的合計還小。故，能夠減低庫侖效應的影響。另一方面，各擊發的資料傳送能夠以1次來完成，故能夠避免傳送時間的增加所造成之產出劣化。
圖13為實施形態1中的多射束的群組分割手法的變形例說明用圖。上述例子中，說明了不論各擊發中的多射束全體的電流量大小，而進行群組1的照射與群組2的照射之進行。但，並不限於此。如圖13所示，針對多射束20的同時期的擊發的射束電流量的合計會超出閾值之擊發，係對每一群組一面切換照射時間點一面照射多射束20。另一方面，針對多射束的同時期的擊發的射束電流量的合計未超出閾值之擊發，對於每一群組不會切換照射時間點，而是循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號來照射多射束20。以下具體說明之。
作為電流量演算工程，於順序被加工而使得各像素36的ON/OFF控制訊號以多射束20會循著描繪序列依序擊發之像素36順序並排後，電流量演算部80，對每一擊發演算該擊發之多射束20全體中的電流量。
作為判定工程，判定部82，判定演算出的該擊發之多射束20全體中的電流量是否超出閾值。
作為指令輸出工程，指令輸出部84，當演算出的該擊發之多射束20全體中的電流量超出閾值的情形下，於 將該擊發用的ON/OFF控制訊號對偏向控制電路130傳送時，將示意錯開照射時間點之可識別的訊號1(指令1)輸出至偏向控制電路130。指令輸出部84，當演算出的該擊發之多射束20全體中的電流量未超出閾值的情形下，於將該擊發用的ON/OFF控制訊號對偏向控制電路130傳送時，將示意不錯開照射時間點之可識別的訊號2(指令2)輸出至偏向控制電路130。
當指令1被輸出至偏向控制電路130的情形下，如上述般，針對多射束20的同時期的擊發的射束電流量的合計會超出閾值之擊發，係對每一群組一面錯開時期一面將存儲於各暫存器43內之ON/OFF控制訊號輸出至相對應之CMOS反相器電路。故，於群組1的第k個擊發(擊發k1)之後，會執行群組2的第k個擊發(擊發k2)。另一方面，當指令2被輸出至偏向控制電路130的情形下，會依以下方式動作。
擊發k1工程(S120)中，首先，從偏向控制電路130會有群組1的讀入1訊號(讀取1)被輸出至群組1的暫存器43。同一時期，從偏向控制電路130會有群組2的讀入2訊號(讀取2)被輸出至群組2的暫存器43。如此一來，圖11中，在群組1的暫存器43(暫存器1)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。同樣地，在群組2的暫存器43(暫存器2)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。故，該狀態下， 不僅針對群組1的暫存器43(暫存器1)，針對群組2的暫存器43(暫存器2)也會成為存儲有第k個擊發(圖11例子中為第3個擊發)的ON/OFF控制訊號之狀態。
接著，從偏向控制電路130會有第1次(群組1用)的擊發訊號被輸出至全射束的計數器電路44。此處的擊發訊號，不僅成為群組1用，也成為群組2用。如此一來，各射束用的計數器電路44，僅在存儲於該射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號所示意之時間，對放大器46輸出射束ON訊號。該情況下，在群組1的暫存器43，存儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號，故群組1的計數器電路44僅於ON/OFF控制訊號示意之時間對放大器46輸出射束ON訊號。同樣地，在群組2的暫存器43，存儲有第k個擊發的ON/OFF控制訊號，故群組2的計數器電路44僅於ON/OFF控制訊號示意之時間對放大器46輸出射束ON訊號。
故，群組1、2的放大器46，僅於從計數器電路44被輸入射束ON訊號之期間對控制電極24施加接地電位，藉此不將該射束偏向而令其通過限制孔徑206。如此一來，針對射束電流量的合計不會超出閾值之擊發，係對每一群組不錯開時期而將存儲於各暫存器43內之ON/OFF控制訊號輸出至相對應之CMOS反相器電路。故，會與群組1的第k個擊發(擊發k1)並行而執行群組2的第k個擊發(擊發k2)。
該情形下，無需於擊發k1之後執行擊發k2，故能夠 移往下一第(k+1)個擊發。
在此，上述例子中，如圖10所示，說明了例如將各行的奇數列的射束訂為群組1、將各行的偶數列的射束訂為群組2之情形。但，群組化的方式並不限於此。
圖14A與圖14B為實施形態1中的個別遮沒控制電路的內部構成之另一例及射束的隸屬群組之一例示意概念圖。如圖14A所示，例如針對奇數行的射束，將奇數列的射束訂為群組1、將偶數列的射束訂為群組2。又，針對偶數行的射束，將奇數列的射束訂為群組3、將偶數列的射束訂為群組4。該情形下，例如會依群組1、群組2、群組3、群組4的順序一面錯開時期一面照射多射束。該情形下，圖11中，從偏向控制電路130，各控制訊號會依重置訊號、讀入1訊號(讀取1)、擊發訊號、重置訊號、讀入2訊號(讀取2)、擊發訊號、(未圖示之)重置訊號、(未圖示之)讀入3訊號(讀取3)、(未圖示之)擊發訊號、(未圖示之)重置訊號、(未圖示之)讀入4訊號(讀取4)、(未圖示之)擊發訊號的順序被輸出。如此一來，如圖14B所示，更佳是以相鄰射束於行及列方向隸屬於相異群組的方式被群組化。如此一來，相較於僅於行或列方向排除來自相鄰射束的庫侖效應的影響之情形，能夠進一步排除庫侖效應的影響。
圖15A與圖15B為實施形態1中的個別遮沒控制電路的內部構成之另一例示意概念圖。上述例子中，如圖15A所示，說明了藉由暫存器43來劃分群組之情形，但 並不限於此。如圖15B所示，亦可將計數器電路44劃分群組，藉此將擊發1、及擊發2這些擊發訊號依序輸出至相對應之群組的計數器電路44。
像以上這樣，按照實施形態1，能夠不增加資料傳送量而降低射束電流量的和。故，能夠抑制多射束描繪的產出的劣化，同時抑制庫侖效應。是故，能夠避免或減低庫侖效應所造成之多射束像的所謂暈開或位置偏差。
實施形態2.
實施形態1中，說明了在遮沒孔徑陣列機構裝載計數器電路，而藉由個別遮沒機構47的計數器電路來控制個別射束的照射時間之情形，但並不限於此。實施形態2中，將說明藉由共通遮沒機構來控制個別射束的照射時間之情形。
圖16為實施形態2中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖16中，除了在電子鏡筒102內配置有可將多射束20全體偏向之偏向器212這點、及控制系電路160更具有邏輯電路131這點以外，和圖1相同。在偏向控制電路130，還透過未圖示之匯流排而連接有邏輯電路131。邏輯電路131，連接至偏向器212。
圖17為實施形態2中的個別遮沒控制電路與共通遮沒控制電路的內部構成示意概念圖。圖17中，在配置於描繪裝置100本體內的遮沒孔徑陣列機構204之個別遮沒控制用的各控制電路41，配置移位暫存器40、緩衝暫存 器45、緩衝暫存器42、暫存器43、及放大器46。另，實施形態1中，對於以往例如是藉由數個位元(例如10位元)的控制訊號來控制之各射束用的個別遮沒控制，是藉由1~3位元(例如1位元)的控制訊號來控制。也就是說，移位暫存器40、緩衝暫存器45、緩衝暫存器42、及暫存器43中，係輸出入1位元的控制訊號。控制訊號的資訊量少，藉此能夠縮小控制電路41的設置面積。換言之，即使在設置空間狹窄的遮沒孔徑陣列機構204上配置控制電路41的情形下，仍能以更小的射束間距配置更多的射束。這可使穿透遮沒孔徑陣列機構204之電流量增加，亦即能夠提升描繪產能。
此外，在共通遮沒用的邏輯電路131，配置有暫存器50、計數器52、及共通放大器54。這裡並非同時進行複數種不同控制，而是以進行ON/OFF控制的1個電路來達成，因此即使配置用來令其高速響應之電路的情形下，也不會發生設置空間或電路的使用電流限制上的問題。故，此共通放大器54，相較於在遮沒孔徑陣列機構204上所能實現之放大器46而言會甚為高速地動作。此共通放大器54例如藉由10位元的控制訊號來控制。也就是說，對於暫存器50、及計數器52，例如會輸出入10位元的控制訊號。
實施形態2中，利用上述個別遮沒控制用的各控制電路41所做之射束ON/OFF控制、以及將多射束全體予以一齊遮沒控制之共通遮沒控制用的邏輯電路131所做之射 束ON/OFF控制這雙方，來進行各射束的遮沒控制。
圖18為實施形態2中的描繪方法的主要工程示意流程圖。圖18中，實施形態2中的描繪方法，除了在照射時間t對映圖作成工程(S108)與資料傳送工程(S116)之間追加照射時間編排資料加工工程(S110)這點、及在描繪工程(S118)與判定工程(S126)之間追加判定工程(S124)這點以外，和圖9相同。此外，以下除特別說明的點以外之內容，均與實施形態1相同。
從鄰近效應修正照射係數Dp演算工程(S104)至照射時間t對映圖作成工程(S108)之工程和實施形態1相同。
作為照射時間編排資料加工工程(S110)，編排加工部72，將各像素36的照射時間資料所示意之照射時間予以加工成複數個分割擊發用。具體而言係依以下方式加工。
圖19為實施形態2中的複數個分割擊發的位數與照射時間之一例示意圖。實施形態2中，將1次份的擊發的最大照射時間Ttr，分割成對同一位置連續照射之照射時間相異的n次的分割擊發。首先，制定將最大照射時間Ttr除以量子化單位△(階度值解析力)而成之階度值Ntr。例如，訂n=10的情形下，分割成10次的分割擊發。當將階度值Ntr以位數n的2進位之值來定義的情形下，只要事先設定量子化單位△使成為階度值Ntr=1023即可。如此一來，便成為最大照射時間Ttr=1023△。又， 如圖19所示，n次的分割擊發，具有位數k’=0~9為止之2k’△的其中一種照射時間。換言之，具有512△(=29△)，256△(=28△)，128△(=27△)，64△(=26△)，32△(=25△)，16△(=24△)，8△(=23△)，4△(=22△)，2△(=21△)，△(=20△)的其中一種照射時間。也就是說，1次分的多射束的擊發，會被分割成具有512△的照射時間tk’之分割擊發、具有256△的照射時間tk’之分割擊發、具有128△的照射時間tk’之分割擊發、具有64△的照射時間tk’之分割擊發、具有32△的照射時間tk’之分割擊發、具有16△的照射時間tk’之分割擊發、具有8△的照射時間tk’之分割擊發、具有4△的照射時間tk’之分割擊發、具有2△的照射時間tk’之分割擊發、以及具有△的照射時間tk’之分割擊發。
故，對各像素36照射之任意的照射時間t(=N△)，能夠藉由該512△(=29△)，256△(=28△)，128△(=27△)，64△(=26△)，32△(=25△)，16△(=24△)，8△(=23△)，4△(=22△)，2△(=21△)，△(=20△)及零(0)的至少1者之組合來定義。例如，若為N=50之擊發，則因50=25+24+21，故會成為具有25△的照射時間之分割擊發、具有24△的照射時間之分割擊發、以及具有21△的照射時間之分割擊發的組合。另，當將對各像素36照射之任意的照射時間t的階度值N做2進位變換的情形下，較佳是定義成盡可能使用較大的位之值。
編排加工部72，首先，將對每一像素36獲得的照射 時間t除以量子化單位△(階度值解析力)，藉此算出整數的階度值N資料。階度值N資料，例如以0~1023的階度值來定義。量子化單位△，可設定為各式各樣，但例如能夠定義為1ns(奈秒)等。量子化單位△，例如較佳是使用1~10ns的值。此處，如上述般設定量子化單位△以使每1擊發的最大照射時間Ttr的階度值Ntr成為1023。但，並不限於此。只要設定量子化單位△以使最大照射時間Ttr的階度值Ntr成為1023以下即可。
接著，編排加工部72，對每一像素36，決定將複數個分割擊發的各分割擊發設為射束ON、或設為射束OFF，以使設為射束ON之分割擊發的合計照射時間，會成為和演算出的射束的照射時間相當之組合。對每一像素36獲得的照射時間t，是利用表示值0或1的其中一者之整數wk’、及n個分割擊發的第k’位的分割擊發的照射時間tk’，而依以下式(1)定義。整數wk’成為1之分割擊發能夠決定為ON，整數wk’成為0之分割擊發能夠決定為OFF。
例如，若N=700，則成為W9=1、W8=0、W7=1、W6=0、W5=1、W4=1、W3=1、W2=1、W1=0、W0=0。故，能夠決定t9的分割擊發為ON、t8的分割擊發為OFF、t7的分割擊發為ON、t6的分割擊發為OFF、t5的分割擊發為ON、t4的分割擊發為ON、t3的分割擊發為 ON、t2的分割擊發為ON、t1的分割擊發為OFF、t0的分割擊發為OFF。
接著，編排加工部72，生成分割擊發的照射時間編排資料，以用來將1次份的擊發分割成對同一位置連續照射之照射時間相異的複數次的分割擊發。編排加工部72，對每一像素36，生成對該像素實施之分割擊發的照射時間編排資料。例如，若N=50，則因50=25+24+21，故成為“0000110010”。例如，若N=500，依同樣方式則成為“0111110100”。例如，若N=700，依同樣方式則成為“1010111100”。例如，若N=1023，依同樣方式則成為“1111111111”。
然後，編排加工部70，依各射束的擊發順序，將照射時間編排資料加工。如圖8中說明般，於平台的移動方向，相鄰的像素36並非接著被擊發。故，此處，將順序加工，以使各像素36的照射時間編排資料依多射束20會循著描繪序列依序擊發之像素36順序並排。此外，於各擊發中的各分割擊發，將順序加工，以使ON/OFF控制訊號依串聯連接之移位暫存器40順序並排。受加工後的ON/OFF控制訊號，會被存儲於記憶裝置142。
作為資料傳送工程(S116)，傳送處理部78，對每一分割擊發，將該擊發的ON/OFF控制訊號統一傳送至偏向控制電路130。偏向控制電路130，對每一分割擊發，將多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204(遮沒裝置)。具體而言，偏向 控制電路130，對每一分割擊發，將ON/OFF控制訊號統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204的各射束用的控制電路41。
作為描繪工程(S118)，描繪機構150，藉由裝載於遮沒孔徑陣列機構204之複數個個別遮沒機構47，對於多射束20被群組化成複數個群組之每一群組一面切換照射時間點，一面循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號將多射束20照射至描繪對象基板101。具體而言係如下述般動作。
實施形態2中，是藉由n位元(例如1位元)的控制訊號來進行各射束用的個別遮沒控制。此處，例如以陣列狀(行列狀)排列之p×q道的多射束20當中例如同一行的p道射束的控制電路41內的移位暫存器40係被串聯連接。圖17例子中，如同圖10般，揭示於同一行並排的4個射束的各控制電路41的移位暫存器40a、40b、40c、40d被串聯連接之情形。然後，將p×q道的多射束20予以群組化成複數個群組。例如，每一列交互地群組化成2個群組。如上述般，例如，將各行的奇數列的射束訂為群組1、將各行的偶數列的射束訂為群組2。同一群組內的暫存器43(記憶裝置)彼此連接。圖17例子中，排列於移位暫存器40被串聯連接之同一行的4個射束的各控制電路41a~41d內的暫存器43a與暫存器43c係被連接作為同一群組。暫存器43b與暫存器43d被連接作為同一群組。像這樣，較佳是以相鄰射束隸屬於相異群組的方式被 群組化。又，實施形態2中，配置於基板31內部之複數個暫存器43(記憶裝置)，對每一群組一面錯開時期一面將存儲於該暫存器43內的ON/OFF控制訊號輸出至相對應之放大器46(切換電路)。以下具體說明之。
圖20為實施形態2中的多射束的ON/OFF控制訊號的傳送處理與控制電路內的動作相關說明用圖。如上述般，實施形態2中，p×q道的多射束20當中例如同一行的p道射束用的移位暫存器40a、40b、40c、40d，...係被串聯連接。故，1次的多射束擊發中，存在著多射束的列份之，依多射束的每一行被統整之1位元的多射束的ON/OFF控制訊號。該資料群，於多射束的每一分割擊發，會從偏向控制電路130被統一傳送至遮沒孔徑陣列機構204。例如，該資料群，係並列地被統一傳送。如圖11所示，當第(k+2)個分割擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送的情形下，例如，藉由p次時鐘訊號，各射束的ON/OFF控制訊號被存儲於相對應之移位暫存器40。圖11例子中，揭示第5個分割擊發(第k’=5位的分割擊發)的ON/OFF控制訊號被統一傳送之情形。圖11例子中，藉由4次的時鐘訊號，4道射束的ON/OFF控制訊號被存儲於相對應之移位暫存器40a、40b、40c、40d。
在第(k+2)個分割擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送時之各射束用的緩衝暫存器45a(緩衝1)中，存儲有第(k+1)個擊發的ON/OFF控制訊號。此外，在同時期的各射束用的緩衝暫存器42a(緩衝2)中，存儲有第 k個分割擊發的ON/OFF控制訊號。圖11例子中，在第5個分割擊發(第k’=5位的分割擊發)的ON/OFF控制訊號被統一傳送時之各射束用的緩衝暫存器45a(緩衝1)，存儲有前次的分割擊發亦即第4個分割擊發(第k’=6位的分割擊發)的ON/OFF控制訊號。在各射束用的緩衝暫存器42a(緩衝2)，存儲有更前次的分割擊發亦即第3個分割擊發(第k’=7位的分割擊發)的ON/OFF控制訊號。
在第(k+2)個分割擊發的ON/OFF控制訊號被統一傳送之期間，從偏向控制電路130會有重置訊號輸出至各暫存器43及暫存器50。如此一來，存儲於全部射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號會被刪除。同樣地，存儲於共通遮沒用的暫存器50之ON/OFF控制訊號會被刪除。
接著，作為擊發k1工程(S120)，首先，從偏向控制電路130會有群組1的讀入1訊號(讀取1)被輸出至群組1的暫存器43。如此一來，在群組1的暫存器43(暫存器1)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個分割擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。另一方面，在群組2的暫存器43(暫存器2)，會持續被重置之狀態，故分割擊發的ON/OFF控制訊號不會被讀入。故，該狀態下，會成為僅在群組1的暫存器43(暫存器1)存儲有第k個分割擊發(圖20例子中為第3個分割擊發)的ON/OFF控制訊號之狀態。如此一來，各射束用的放 大器46，會遵照存儲於該射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號，來切換對控制電極24施加之電位。例如，若ON/OFF控制訊號為“1”，則對CMOS反相器電路輸入H電位(有效電位)。如此一來，CMOS反相器電路的輸出會成為接地電位，而成為射束ON狀態。例如，若ON/OFF控制訊號為“0”，則對CMOS反相器電路輸入L電位。如此一來，CMOS反相器電路的輸出會成為正的電位，而成為射束OFF狀態。
此外，同一時期，從偏向控制電路130會有示意第k個分割擊發的照射時間之共通ON/OFF控制訊號被輸出至共通遮沒機構的邏輯電路131的暫存器50。如此一來，在共通遮沒用的暫存器50，第k個分割擊發的共通ON/OFF控制訊號會被讀入。
接著，從偏向控制電路130會有第1次(群組1用)的擊發訊號被輸出至共通遮沒機構的邏輯電路131的計數器電路52。如此一來，共通遮沒用的計數器電路44，僅在存儲於共通遮沒用的暫存器50之共通ON/OFF控制訊號所示意之時間，對共通放大器54輸出射束ON訊號。具體而言，係以時鐘周期計數和本次的分割擊發的照射時間恰好相當之計數數量。然後，僅在計數的期間將CMOS反相器電路(未圖示)的輸入設為H(有效)。然後，一旦經過共通ON/OFF控制訊號示意之時間，便對共通放大器54輸出射束OFF訊號。具體而言，於計數完成後將CMOS反相器電路的輸入設為L。
此處，為了第k個分割擊發，已經從群組1的射束用的放大器46遵照ON/OFF控制訊號而對控制電極24施加設為射束ON或射束OFF之偏向電位。另一方面，從群組2的射束用的放大器46則對控制電極24施加設為射束OFF之偏向電位(正的電位)。該狀態下，藉由共通遮沒用的偏向器212，控制本次的分割擊發的照射時間。也就是說，僅在計數器電路44輸出射束ON訊號之期間，不將多射束20全體做遮沒偏向，而使其可通過限制孔徑206。反之，除此之外的時間，會將多射束20全體做遮沒偏向，藉由限制孔徑206將多射束20全體遮蔽。如此一來，群組1的第k個分割擊發(擊發k1)被執行。
一旦群組1的分割擊發(擊發1)結束，從偏向控制電路130會有重置訊號被輸出至各暫存器43。如此一來，存儲於全部射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號會被刪除。
接著，作為擊發k2工程(S122)，首先，從偏向控制電路130會有群組2的讀入2訊號(讀取2)被輸出至群組2的暫存器43。如此一來，在群組2的暫存器43(暫存器2)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個分割擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。另一方面，在群組1的暫存器43(暫存器1)，會持續被重置之狀態，故分割擊發的ON/OFF控制訊號不會被讀入。故，該狀態下，會成為僅在群組2的暫存器43(暫存器2)存儲有第k個分割擊發(圖20例子中為第3個擊發)的ON /OFF控制訊號之狀態。如此一來，各射束用的放大器46，會遵照存儲於該射束用的暫存器43之ON/OFF控制訊號，來切換對控制電極24施加之電位。例如，若ON/OFF控制訊號為“1”，則對CMOS反相器電路輸入H電位(有效電位)。如此一來，CMOS反相器電路的輸出會成為接地電位，而成為射束ON狀態。例如，若ON/OFF控制訊號為“0”，則對CMOS反相器電路輸入L電位。如此一來，CMOS反相器電路的輸出會成為正的電位，而成為射束OFF狀態。
此外，同一時期，從偏向控制電路130會有示意第k個分割擊發的照射時間之共通ON/OFF控制訊號被輸出至共通遮沒機構的邏輯電路131的暫存器50。如此一來，在共通遮沒用的暫存器50，第k個分割擊發的共通ON/OFF控制訊號會被讀入。
接著，從偏向控制電路130會有第2次(群組2用)的擊發訊號被輸出至共通遮沒機構的邏輯電路131的計數器電路52。如此一來，共通遮沒用的計數器電路44，僅在存儲於共通遮沒用的暫存器50之共通ON/OFF控制訊號所示意之時間，對共通放大器54輸出射束ON訊號。然後，一旦經過共通ON/OFF控制訊號示意之時間，便對共通放大器54輸出射束OFF訊號。
此處，為了第k個分割擊發，已經從群組2的射束用的放大器46遵照ON/OFF控制訊號而對控制電極24施加設為射束ON或射束OFF之偏向電位。另一方面，從群 組1的射束用的放大器46則對控制電極24施加設為射束OFF之偏向電位(正的電位)。該狀態下，藉由共通遮沒用的偏向器212，控制本次的分割擊發的照射時間。也就是說，僅在計數器電路44輸出射束ON訊號之期間，不將多射束20全體做遮沒偏向，而使其可通過限制孔徑206。反之，除此之外的時間，會將多射束20全體做遮沒偏向，藉由限制孔徑206將多射束20全體遮蔽。如此一來，群組2的第k個分割擊發(擊發k2)被執行。
像以上這樣，實施形態2中，亦如同實施形態1般，多射束20用的複數個CMOS反相器電路(放大器46)(切換電路之一例)，係配置於基板31內部，各自連接至複數個暫存器43，循存儲於相對應的暫存器43之ON/OFF控制訊號來切換二元值的電位。又，於ON/OFF控制訊號被傳送之期間，將各群組的擊發k1、k2一面錯開照射時間點一面連續進行。
於讀取2訊號被輸出後，且於第(k+2)個分割擊發的ON/OFF控制訊號的統一傳送結束後，從偏向控制電路130會有緩衝移位訊號被輸出至緩衝暫存器45、42。如此一來，存儲於移位暫存器40之第(k+2)個分割擊發的ON/OFF控制訊號，會被移位至各射束用的緩衝暫存器45(緩衝1)。同時，存儲於緩衝暫存器45之第(k+1)個分割擊發的ON/OFF控制訊號，會被移位至各射束用的緩衝暫存器42(緩衝2)。
然後，緩衝移位訊號被輸出後，下一第(k+3)個分 割擊發的ON/OFF控制訊號的統一傳送開始。以下，同樣地反覆。像這樣，移位暫存器40、緩衝暫存器45、緩衝暫存器42、及暫存器43這些各記憶裝置，係配置於基板31內部，將被統一傳送的多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號予以暫時地存儲。特別是，多射束20的複數個暫存器43(記憶裝置)，將多射束20劃分群組，並且將被統一傳送的多射束20的各射束的ON/OFF控制訊號予以暫時地存儲。
圖20例子中，說明了使用2個緩衝暫存器45、42，於進行2次之後(下下次)的分割擊發的資料傳送之期間進行本次的分割擊發之情形。但，並不限於此。亦可為使用1個緩衝暫存器42於進行1次之後(下次)的分割擊發的資料傳送之期間進行本次的分割擊發之情形。
像以上這樣，按照實施形態2，無需依每一群組拆分資料傳送。故，能夠抑制產出的劣化。此外，實施形態2中，被傳送之ON/OFF控制訊號本身當中，並沒有識別錯開分割擊發的時間點之群組的資訊。儘管如此，如圖17及圖20所示，藉由遮沒孔徑陣列機構204內的電路構成，對於作為同一分割擊發而被傳送來的資料，會對每一群組一面錯開分割擊發的時間點一面照射射束。如此一來，便能不必在ON/OFF控制訊號定義特別的資訊。此外，實施形態1中，無需特別藉由控制計算機110或偏向控制電路130這些控制機構來一面識別射束群組一面控制。
作為判定工程(S124)，描繪控制部86，判定1擊發中的全部的分割擊發是否已結束。當全部的分割擊發已結束的情形下，進入判定工程(S126)。當全部的分割擊發尚未結束的情形下，回到資料傳送工程(S116)，反覆資料傳送工程(S116)至判定工程(S124)之各工程，直到1擊發中的全部的分割擊發結束為止。
作為判定工程(S126)，描繪控制部86，判定對於全部的像素36之描繪處理是否已結束。若對於全部的像素36之描繪處理結束，則結束流程。當對於全部的像素36之描繪處理尚未結束的情形下，回到資料傳送工程(S116)，反覆資料傳送工程(S116)以後的各工程。
圖21為實施形態2的比較例中的射束擊發與庫侖效應之關係說明用圖。實施形態2的比較例中，各射束的每1擊發的照射時間相異，因此被組合之分割擊發相異。因此，n次的分割擊發中，對於每一分割擊發，於多射束20當中存在會及不會照射之射束。故，對於每次曝光(分割擊發)，庫侖效應的影響相異。故，理想是將各曝光(分割擊發)時的全射束的電流量的合計予以降低。實施形態2中，是將多射束20分割成複數個群組，於各擊發時，對每一群組錯開照射時期，故群組單位下之曝光(分割擊發)時的該群組的射束的電流量的合計，能夠比以多射束20全體下之曝光(分割擊發)時的全射束的電流量的合計還小。故，能夠減低庫侖效應的影響。另一方面，各分割擊發的資料傳送能夠以1次來完成，故能夠避免傳送時 間的增加所造成之產出劣化。
圖22為實施形態2中的資料傳送時間與分割擊發時間之關係一例示意圖。實施形態2中，是藉由1~3位元(例如1位元)的控制訊號來控制個別遮沒機構47的控制電路41，故能夠縮短各個分割擊發的資料傳送時間。因此，如圖22所示，n次的分割擊發當中，於照射時間較長的分割擊發(例如512△的照射時間的分割擊發)中，在資料傳送時間內，可能會發生來不及結束全群組的分割擊發之情形。另一方面，於照射時間較短的分割擊發(例如128△以下的照射時間的分割擊發)中，在資料傳送時間內，可做3群組以上(圖22例子中為4群組以上)的分割擊發。故，實施形態2中，會花費比n次的分割擊發的合計時間還長例如分割擊發1次份之描繪時間。但，資料傳送本身，於每一分割擊發只要各1次即可，因此能夠將描繪時間的延遲時間壓在最小限度。
像以上這樣，實施形態2中，會花費比n次的分割擊發的合計時間還長例如分割擊發1次份之描繪時間。因此，當一面令平台連續移動一面描繪的情形下，平台位置的控制會複雜化。故，實施形態2，比起一面令平台連續移動一面描繪的情形，在以步進及重複動作描繪的情形下特別有效。
圖23為實施形態2中的多射束的群組分割手法的變形例說明用圖。上述例子中，說明了不論各擊發中的多射束全體的電流量大小，而進行群組1的照射與群組2的照 射之進行。但，並不限於此。如圖23所示，針對多射束20的同時期的分割擊發的射束電流量的合計會超出閾值之分割擊發，係對每一群組一面切換照射時間點一面照射多射束20。另一方面，針對多射束的同時期的分割擊發的射束電流量的合計未超出閾值之分割擊發，對於每一群組不會切換照射時間點，而是循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號來照射多射束20。以下具體說明之。
作為電流量演算工程，於順序被加工而使得各像素36的各分割擊發的ON/OFF控制訊號以多射束20會循著描繪序列依序擊發之像素36順序並排後，電流量演算部80，對每一分割擊發演算該分割擊發之多射束20全體中的電流量。
作為判定工程，判定部82，判定演算出的該分割擊發之多射束20全體中的電流量是否超出閾值。
作為指令輸出工程，指令輸出部84，當演算出的該分割擊發之多射束20全體中的電流量超出閾值的情形下，於將該分割擊發用的ON/OFF控制訊號對偏向控制電路130傳送時，將示意錯開照射時間點之可識別的訊號1(指令1)輸出至偏向控制電路130。指令輸出部84，當演算出的該分割擊發之多射束20全體中的電流量未超出閾值的情形下，於將該分割擊發用的ON/OFF控制訊號對偏向控制電路130傳送時，將示意不錯開照射時間點之可識別的訊號2(指令2)輸出至偏向控制電路130。
當指令1被輸出至偏向控制電路130的情形下，如上 述般，針對多射束20的同時期的分割擊發的射束電流量的合計會超出閾值之分割擊發，係對每一群組一面錯開時期一面將存儲於各暫存器43內之ON/OFF控制訊號輸出至相對應之CMOS反相器電路。故，於群組1的第k個分割擊發(擊發k1)之後，會執行群組2的第k個分割擊發(擊發k2)。另一方面，當指令2被輸出至偏向控制電路130的情形下，會依以下方式動作。
擊發k1工程(S120)中，首先，從偏向控制電路130會有群組1的讀入1訊號(讀取1)被輸出至群組1的暫存器43。同一時期，從偏向控制電路130會有群組2的讀入2訊號(讀取2)被輸出至群組2的暫存器43。如此一來，圖20中，在群組1的暫存器43(暫存器1)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個分割擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。同樣地，在群組2的暫存器43(暫存器2)，存儲於緩衝暫存器42a(緩衝2)之第k個分割擊發的ON/OFF控制訊號會被讀入。故，該狀態下，不僅針對群組1的暫存器43(暫存器1)，針對群組2的暫存器43(暫存器2)也會成為存儲有第k個分割擊發(圖20例子中為第3個分割擊發)的ON/OFF控制訊號之狀態。故，該狀態下，會成為對群組1的暫存器43(暫存器1)與群組2的暫存器43(暫存器2)雙方存儲有第k個分割擊發(圖20例子中為第3個分割擊發)的ON/OFF控制訊號之狀態。如此一來，各射束用的放大器46，會遵照存儲於該射束用的暫存器43之ON/OFF 控制訊號，來切換對控制電極24施加之電位。例如，若ON/OFF控制訊號為“1”，則對CMOS反相器電路輸入H電位(有效電位)。如此一來，CMOS反相器電路的輸出會成為接地電位，而成為射束ON狀態。例如，若ON/OFF控制訊號為“0”，則對CMOS反相器電路輸入L電位。如此一來，CMOS反相器電路的輸出會成為正的電位，而成為射束OFF狀態。
此外，同一時期，從偏向控制電路130會有示意第k個分割擊發的照射時間之共通ON/OFF控制訊號被輸出至共通遮沒機構的邏輯電路131的暫存器50。如此一來，在共通遮沒用的暫存器50，第k個分割擊發的共通ON/OFF控制訊號會被讀入。
接著，從偏向控制電路130會有第1次(群組1用)的擊發訊號被輸出至共通遮沒機構的邏輯電路131的計數器電路52。如此一來，共通遮沒用的計數器電路44，僅在存儲於共通遮沒用的暫存器50之共通ON/OFF控制訊號所示意之時間，對共通放大器54輸出射束ON訊號。然後，一旦經過共通ON/OFF控制訊號示意之時間，便對共通放大器54輸出射束OFF訊號。
然後，為了第k個分割擊發，已經從群組1、2的射束用的放大器46遵照ON/OFF控制訊號而對控制電極24施加設為射束ON或射束OFF之偏向電位。該狀態下，藉由共通遮沒用的偏向器212，控制本次的分割擊發的照射時間。也就是說，僅在計數器電路44輸出射束ON 訊號之期間，不將多射束20全體做遮沒偏向，而使其可通過限制孔徑206。反之，除此之外的時間，會將多射束20全體做遮沒偏向，藉由限制孔徑206將多射束20全體遮蔽。如此一來，群組1的第k個分割擊發(擊發k1)與群組2的第k個分割擊發(擊發k2)會同時執行。
該情形下，無需於擊發k1之後執行擊發k2，故能夠移往下一第(k+1)個分割擊發。藉由該手法，對於例如在資料傳送時間內無法依序做複數個群組的分割擊發之照射時間(例如512△)的分割擊發，只要全電流量不超出閾值，則針對全部的分割擊發，能夠在資料傳送時間內完成複數個群組的分割擊發。
此外，如圖23所示，像拆分成2群組之割擊發、及拆分成4群組之分割擊發這般，將群組數依每一擊發(或分割擊發)設為可變亦佳。該情形下，只要調整暫存器43的群組劃分即可。
此外，如圖14A與圖14B所示般，更佳是不設為2群組而設為4群組，以相鄰射束於行及列方向隸屬於相異群組的方式被群組化。如此一來，相較於僅於行或列方向排除來自相鄰射束的庫侖效應的影響之情形，能夠進一步排除庫侖效應的影響。
像以上這樣，按照實施形態2，能夠不增加資料傳送量而降低射束電流量的和。故，能夠抑制多射束描繪的產出的劣化，同時抑制庫侖效應。是故，能夠避免或減低庫侖效應所造成之多射束像的所謂暈開或位置偏差。
以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。上述例子中，揭示了對各像素進行各1次擊發或複數個分割擊發之情形，但並不限於此。亦可更進行L道次的多重描繪。例如，只要針對L道次的多重描繪的各道次，進行擊發或複數個分割擊發即可。
此外，若為負阻劑則受到射束照射之區域會留下成為阻劑圖樣，因此不僅針對實質的圖樣，針對該不存在實質的圖樣之區域也會描繪。因此，較佳是針對不存在實質的圖樣之區域(尺寸精度低也無妨之區域)，將群組數設為1，而針對存在實質的圖樣之區域(要求尺寸精度高之區域)，將群組數設定為2以上。
此外，上述例子中，是像緩衝暫存器45、緩衝暫存器42、及暫存器43這樣使用暫存器作為記憶裝置，但並不限於此。亦可使用記憶體來代替暫存器。
此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100之控制部構成雖省略其記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構成。
其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有多重帶電粒子束曝光裝置及方法，均包含於本發明之範圍。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態 僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。

Claims (11)

  1. 一種多重帶電粒子束曝光方法，其特徵為，對裝載有：基板，形成有供使用了帶電粒子束的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔；及複數個個別遮沒機構，配置於前述基板，將前述多射束的各射束予以個別地遮沒偏向；的遮沒裝置，統一傳送前述多射束的各射束的ON/OFF控制訊號，藉由裝載於前述遮沒裝置之前述複數個個別遮沒機構，對於前述多射束被群組化成複數個群組之每一群組一面切換照射時間點，一面循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號將前述多射束照射至描繪對象基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多重帶電粒子束曝光方法，其中，針對前述多射束的同時期的擊發的射束電流量的合計會超出閾值之擊發，係對每一前述群組一面切換照射時間點一面照射前述多射束，針對前述射束電流量的合計不會超出前述閾值之前述多射束的同時期的擊發，係對每一前述群組不切換照射時間點而循著被統一傳送之各射束的ON/OFF控制訊號照射前述多射束。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之多重帶電粒子束曝光方法，其中，將被統一傳送至前述遮沒裝置之前述多射束的各射束的ON/OFF控制訊號，各自暫時地存儲於前述遮 沒裝置內的複數個第1記憶裝置當中相對應之第1記憶裝置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之多重帶電粒子束曝光方法，其中，存儲於前述複數個第1記憶裝置之，前述被統一傳送之前述多射束的各射束的ON/OFF控制訊號當中，將一部分的射束的ON/OFF控制訊號暫時地存儲於前述遮沒裝置內的複數個第2記憶裝置，前述被統一傳送之前述多射束的各射束的ON/OFF控制訊號當中，將剩餘部分的射束的ON/OFF控制訊號和對前述複數個第2記憶裝置之存儲錯開時期而暫時地存儲於前述遮沒裝置內的複數個第3記憶裝置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之多重帶電粒子束曝光方法，其中，於前述一部分的射束的ON/OFF控制訊號存儲於前述複數個第2記憶裝置之期間，前述複數個第3記憶裝置的資訊被重置。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之多重帶電粒子束曝光方法，其中，於前述剩餘部分的射束的ON/OFF控制訊號存儲於前述複數個第3記憶裝置之期間，前述複數個第2記憶裝置的資訊被重置。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之多重帶電粒子束曝光方 法，其中，於前述一部分的射束的ON/OFF控制訊號存儲於前述複數個第2記憶裝置，而前述複數個第3記憶裝置的資訊被重置之狀態下，從前述複數個第2記憶裝置與前述複數個第3記憶裝置讀出被存儲之資訊。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之多重帶電粒子束曝光方法，其中，於前述剩餘部分的射束的ON/OFF控制訊號存儲於前述複數個第3記憶裝置，而前述複數個第2記憶裝置的資訊被重置之狀態下，從前述複數個第2記憶裝置與前述複數個第3記憶裝置讀出被存儲之資訊。
  9. 一種多重帶電粒子束的遮沒裝置，其特徵為，具備：基板，以陣列狀形成有供使用了帶電粒子束的多射束的各個相對應的射束通過之複數個通過孔；及將前述多射束群組化成複數個群組之複數個記憶裝置，配置於前述基板內部，暫時地存儲被統一傳送之前述多射束的各射束的ON/OFF控制訊號；及複數個切換電路，配置於前述基板內部，分別連接至前述複數個記憶裝置，循著存儲於相對應的記憶裝置之前述ON/OFF控制訊號來切換二元值的電位；及具有2個電極之複數個電極對，各自配置在前述基板上，且在包夾著前述複數個通過孔當中相對應的通過孔而相向之位置，以藉由各自相對應的切換電路而被切換之電位，將前述多射束的相對應射束予以個別地遮沒偏向； 前述複數個記憶裝置，對每一群組一面錯開時期一面將存儲於該記憶裝置內之前述ON/OFF控制訊號輸出至相對應的切換電路。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之遮沒裝置，其中，針對前述多射束的同時期的擊發的射束電流量的合計會超出閾值之擊發，係對每一前述群組一面錯開時期一面讓存儲於各記憶裝置內之前述ON/OFF控制訊號被輸出至相對應的切換電路，針對前述射束電流量的合計不會超出前述閾值之擊發，係對每一前述群組不錯開時期，讓存儲於各記憶裝置內之前述ON/OFF控制訊號被輸出至相對應的切換電路。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之遮沒裝置，其中，前述複數個記憶裝置，以相鄰射束隸屬於相異群組的方式進行群組化。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734211B (zh) * 2018-10-30 2021-07-21 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7026502B2 (ja) * 2017-12-26 2022-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP6995648B2 (ja) * 2018-01-30 2022-01-14 株式会社日立ハイテク 計測検査装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4458372B2 (ja) 2006-06-07 2010-04-28 キヤノン株式会社 マルチビーム荷電粒子線装置及びマルチビーム荷電粒子線の制御方法およびデバイス製造方法
EP2190003B1 (en) 2008-11-20 2014-10-01 IMS Nanofabrication AG Constant current multi-beam patterning
CN104795303B (zh) * 2009-05-20 2017-12-05 迈普尔平版印刷Ip有限公司 用于处理图案数据的方法
JP2013016744A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Canon Inc 描画装置及びデバイスの製造方法
JP6230881B2 (ja) * 2013-11-12 2017-11-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6190254B2 (ja) * 2013-12-04 2017-08-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TW201618153A (zh) * 2014-09-03 2016-05-16 Nuflare Technology Inc 多重帶電粒子束的遮沒裝置，多重帶電粒子束描繪裝置，及多重帶電粒子束的不良射束遮蔽方法
KR102358009B1 (ko) * 2015-11-10 2022-02-04 삼성전자주식회사 빔 투사 장치 및 빔 투사 장치를 이용하여 빔을 투사하는 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734211B (zh) * 2018-10-30 2021-07-21 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
US11545339B2 (en) 2018-10-30 2023-01-03 Nuflare Technology, Inc. Multi-charged particle beam writing apparatus, and multi-charged particle beam writing method

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