TWI552188B - 多重荷電粒子束之遮沒裝置及多重荷電粒子束描繪方法 - Google Patents

多重荷電粒子束之遮沒裝置及多重荷電粒子束描繪方法 Download PDF

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Description

多重荷電粒子束之遮沒裝置及多重荷電粒子束描繪方法
本申請案，係以2013年11月12日時對於日本特許廳所申請的日本專利申請(特願2013-233821)作為基礎，而主張優先權。在該日本專利申請案中所記載之全部的內容，係被導入至本申請案中。
本發明，係有關於多重荷電粒子束之遮沒裝置以及多重荷電粒子束描繪方法，例如係有關於在多重束描繪中之遮沒裝置以及使用有該裝置之描繪方法。
擔負著半導體元件之細微化的進展之光微影技術，在半導體製造製程中，亦為唯一之產生圖案的極為重要之製程。近年來，伴隨著LSI之高積體化，對於半導體元件所要求之電路線寬幅亦係日益細微化。於此，電子線(電子束)描繪技術，係本質性地具備有優良之解析度，而進行有對於晶圓等來使用電子線而進行描繪。
例如，係存在著使用有多重束之描繪裝置。相較於藉由1根的電子束來進行描繪的情況，藉由使用多重束，由於係能夠一次地照射多數之束，因此係能夠使產率大幅度的提升。在此種多重束方式之描繪裝置中，例如，係使從電子槍所放出之電子束通過具有複數之孔的遮罩而形成多重束，並對於各束進行遮沒控制，並未被作遮沒之各束，係藉由光學系而被作縮小，並藉由偏向器而被作偏向，再照射至試料上之所期望的位置處。
於此，在多重束描繪中，係藉由照射時間來對於各個的束之照射量個別地作控制。為了以高精確度來對於該各束之照射量作控制，係有必要將進行束之ON/OFF的遮沒控制以高速來進行。在多重束方式之描繪裝置中，係在配置有多重束之各遮沒器的遮沒板處，搭載各束用之遮沒控制電路。又，在該各束用之控制電路中，係分別被組入有橫移暫存器，並對於從連接墊來將訊號輸入至在被配列成行列狀之複數之遮沒器之每一行處而被作了串聯連接之橫移暫存器處一事有所檢討。
於此，為了在N個的被作了串聯連接之橫移暫存器中傳輸資料，橫移暫存器係有必要進行N次的時脈動作。橫移暫存器之發熱量，係與每單位時間之時脈動作次數成正比。另一方面，若是束之根數增加，則配置在1行上之橫移暫存器的數量也會增加。因此，每單位時間之時脈動作次數會增加，發熱量亦會增加。其結果，遮沒平板之發熱量係會增加。遮沒平板係被配置在真空區域中， 進而，橫移暫存器，由於係被配置在遮沒平板之薄膜區域處，因此排熱效率係為低。故而，為了將此發熱量控制在容許值內，每單位時間之時脈動作次數係會受到限制。故而，係變得難以使其進行高速動作。進而，若是束之根數增加，而配置在1行上之橫移暫存器的數量增加，則在資料傳輸中係會成為耗費時間。從此觀點而言，亦會變得難以使其進行高速動作。
又，為了從連接墊而對於在每一行處被作了串聯連接的橫移暫存器輸入訊號，係有必要在遮沒板上配置與複數之遮沒器之行數相同數量的連接墊。故而，若是想要對於被配置在1行上的橫移暫存器進行分割並降低橫移暫存器數量，則相應於此，會產生將連接墊增加的必要。但是，被配置在遮沒板上之各遮沒器以及控制電路，由於係使用LSI之製造技術而作成，因此晶片尺寸之上限係成為20mm程度。故而，若是束之根數增加而使行數增加，則將與行數相對應之數量的連接墊配置在遮沒板之1邊上一事，係變得困難。例如，若是將束配列設為512×512，則束節距係成為32μm程度，連接墊之間隔會變得過窄，而成為難以作配置。故而，係亦對於連接墊數量之增加的抑制有所要求。
另外，作為與使用有橫移暫存器之遮沒機構有所關連的技術，係揭示有：在配置有橫移暫存器和開關之1個的電路處，並聯連接複數之遮沒器(電極)，並將此種構成之複數之電路依序連接於1根的資料線處，而進 行資料傳輸的技術(例如，參考日本特開2009-502033號公報)。但是，雖然在該技術中係並未有所提及，然而就算是在各電路中配置了與遮沒器數量相對應之橫移暫存器，也依然會成為需要多次的時脈動作次數，而仍難以針對當束根數增加而被配置在1行中的橫移暫存器之數量有所增加時的上述之問題作解決。
本發明之其中一種形態之多重荷電粒子束之遮沒裝置，其特徵為，係具備有：複數之橫移暫存器，係被配列為2維；和複數之資料送訊器，係於第2橫移暫存器群之每一者處而各被配置有1個，該第2橫移暫存器群，係將被配列為2維之前述複數之橫移暫存器中的分別並排於相同之行(row)或者是相同之列(column)上之第1橫移暫存器群，群組化為1以上之群組所成，各群組係更進而分別被次群組化為複數之次群組，在各次群組之每一者處，構成次群組之第3橫移暫存器群係被作串聯連接，複數之資料送訊器，係分別以使所對應之群組內的所有之次群組被並聯地作連接的方式，而被與各第3橫移暫存器群之每一者的被作了串聯連接之各1個作連接。
本發明之其中一種形態之多重荷電粒子束描繪方法，其特徵為，係使用對於由荷電粒子束所致之多重束中的分別所對應之束而個別地進行束之ON/OFF控制的複數之個別遮沒機構，來對於各束之每一者，而針對複 數次之照射的各次之照射，藉由該束用之個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換，並與對於各束之每一者而針對該複數次之照射的各次之照射而藉由個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換一事相互獨立地，而使用對於多重束之全體來整批地進行束之ON/OFF控制的共通遮沒機構，來以僅在與該照射相對應之照射時間中會成為束ON之狀態的方式而進行遮沒控制，複數之個別遮沒機構，係具備有：複數之橫移暫存器，係被配列為2維；和複數之資料送訊器，係於第2橫移暫存器群之每一者處而各被配置有1個，該第2橫移暫存器群，係將被配列為2維之複數之橫移暫存器中的分別並排於相同之行(row)或者是相同之列(column)上之第1橫移暫存器群，群組化為1以上之群組所成，各群組，係更進而分別被次群組化為複數之次群組，在各次群組之每一者處，構成次群組之第3橫移暫存器群係被作串聯連接，複數之資料送訊器，係分別以使所對應之群組內的所有之次群組被並聯地作連接的方式，而被與各第3橫移暫存器群之每一者的被作了串聯連接之各1個作連接。
20‧‧‧多重束
22‧‧‧孔
24、26‧‧‧電極
28‧‧‧序列、並列轉換部
29‧‧‧連接墊
30‧‧‧描繪區域
32‧‧‧條帶區域
40‧‧‧橫移暫存器
41‧‧‧控制電路
42‧‧‧暫存器
46‧‧‧放大器
47‧‧‧個別遮沒機構
48‧‧‧計數器
60‧‧‧面積密度算出部
62‧‧‧照射時間算出部
64‧‧‧階度值N算出部
65‧‧‧資料加工部
66‧‧‧位元轉換部
68‧‧‧傳輸處理部
72‧‧‧描繪控制部
100‧‧‧描繪裝置
101、340‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130‧‧‧偏向控制電路
139‧‧‧平台位置檢測器
140、142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧光圈構件
204‧‧‧遮沒平板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制光圈構件
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧反射鏡
圖1，係為對於在實施形態1中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。
圖2A和圖2B，係為對於在實施形態1中之光圈構件 的構成作展示之概念圖。
圖3，係為對於在形態1中之遮沒平板的構成作展示之剖面圖。
圖4A，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的薄膜區域內之構成的一部分作展示之上面概念圖。
圖4B，係為對於圖4A之控制電路41和10位元之並列配線的關係作更詳細之展示的圖。
圖5，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成之其中一例作展示之上面圖。
圖6A和圖6B，係為對於在實施形態1中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例和比較例中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。
圖7A和圖7B，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成之另外一例作展示之上面圖。
圖8，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成之另外一例作展示之上面圖。
圖9，係為對於在實施形態1中之個別遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。
圖10，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖。
圖11，係為用以對於在實施形態1中之描繪動作的其中一例作說明之概念圖。
圖12A~圖12C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。
圖13A~圖13C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。
圖14A~圖14C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。
圖15A~圖15C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。
圖16，係為對於在實施形態2中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。
圖17，係為對於在實施形態2中之遮沒平板的構成之其中一例作展示之上面圖。
圖18A和圖18B，係為對於在實施形態2中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例和比較例中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。
圖19，係為對於在實施形態2中之個別遮沒控制電路和共通遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。
圖20，係為對於在實施形態2中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖。
圖21，係為對於在實施形態2中之照射時間配列資料的一部分之其中一例作展示之圖。
圖22，係為針對在實施形態2中之關於1個擊射中的照射步驟之一部分的束ON/OFF切換動作作展示之流程圖。
圖23，係為用以對於在實施形態2中之遮沒動作作說明的概念圖。
圖24A和圖24B，係為對於在實施形態3中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例和比較例中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。
圖25，係為對於在實施形態3中之個別遮沒控制電路和共通遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。
圖26，係為針對在實施形態3中之關於1個擊射中的照射步驟之一部分的束ON/OFF切換動作作展示之流程圖。
圖27，係為對於在實施形態4中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。
圖28，係為對於在實施形態4中之個別遮沒控制電路和共通遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。
以下，在實施形態中，係針對將被作了串聯連接的橫移暫存器之時脈動作次數降低並可進行高速動作的遮沒裝置作說明。
又，以下，在實施形態中，係作為荷電粒子束之其中一例，而針對使用有電子束之構成作說明。但是，荷電粒子束，係並不被限定於電子束，亦可為離子束等之使用有荷電粒子之束。
實施形態1
圖1，係為對於在實施形態1中之描繪裝置的 構成作展示之概念圖。在圖1中，描繪裝置100，係具備有描繪部150和控制部160。描繪裝置100，係為多重荷電粒子束描繪裝置之其中一例。描繪部150，係具備有電子鏡筒102和描繪室103。在電子鏡筒102內，係被配置有電子槍201、照明透鏡202、光圈構件203、遮沒平板204、縮小透鏡205、限制光圈構件206、對物透鏡207、以及偏向器208。在描繪室103內，係被配置有XY平台105。在XY平台105上，於進行描繪時，係被配置有成為描繪對象基板之遮罩等的試料101。在試料101中，係包含有在製造半導體裝置時所使用之曝光遮罩、或者是被製造出半導體裝置之半導體基板(矽晶圓)等。又，在試料101中，係包含有被塗布了光阻之尚未被進行任何之描繪的空白光罩。在XY平台105上，係更進而被配置有XY平台105之位置測定用的反射鏡210。
控制部160，係具備有控制計算機110，記憶體112，偏向控制電路130，平台位置檢測器139以及磁碟裝置等之記憶裝置140、142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、平台位置檢測器139以及記憶裝置140、142，係經由未圖示之匯流排而被相互作連接。在記憶裝置140(記憶部)中，係從外部而被輸入有描繪資料並作儲存。
在控制計算機110內，係被配置有面積密度算出部60、照射時間T算出部62、資料加工部65、描繪控制部72、以及傳輸處理部68。面積密度算出部60、照 射時間T算出部62、資料加工部65、描繪控制部72以及傳輸處理部68之類的各功能，係可藉由電性電路等之硬體來構成，亦可藉由實行此些之功能的程式等之軟體來構成。或者是，亦可藉由硬體和軟體之組合來構成。在面積密度算出部60、照射時間T算出部62、資料加工部65、描繪控制部72以及傳輸處理部68處進行輸入輸出之資訊、以及演算中之資訊，係逐次地被儲存在記憶體112中。
於此，在圖1中，係記載有為了對於實施形態1作說明時所必要之構成。對於描繪裝置100而言，通常係亦可具備有必要之其他的構成。
圖2A和圖2B，係為對於在實施形態1中之光圈構件的構成作展示之概念圖。在圖2A中，於光圈構件203處，係以特定之配列節距而將縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)之孔(開口部)22形成為矩陣狀。在圖2A中，例如係被形成有512×8列之孔22。各孔22，係均被形成為相同尺寸形狀之矩形。或者是，亦可為相同外徑之圓形。於此，係對於針對y方向之各列而在x方向上分別被形成有A~H之8個的孔22之例子作展示。藉由使電子束200之一部分分別通過此些之複數之孔22，係成為形成有多重束20。於此，雖係針對縱橫(x，y方向)均為配置有2列以上之孔22的例子而作了展示，但是，係並不被限定於此。例如，亦可設為縱橫(x，y方向)之其中一者為複數列而另外一方僅為一 列。又，孔22之配列的設計，亦並非為被限定於如圖2A中一般之縱橫地配置為格子狀的情況。亦可如圖2B中所示一般，例如使縱方向(y方向)第1段之列和第2段之列的孔彼此在橫方向(x方向)上作尺寸a之偏移地來作配置。同樣的，亦可使縱方向(y方向)第2段之列和第3段之列的孔彼此在橫方向(x方向)上作尺寸b之偏移地來作配置。
圖3，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成作展示之剖面圖。
圖4A，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的薄膜區域內之構成的一部分作展示之上面概念圖。另外，在圖3和圖4A中，係並未使電極24、26和控制電路41之位置關係相互一致地來作記載。遮沒平板204，係如圖3中所示一般，在支持台33上，被配置有由矽等所成之半導體基板31。基板31之中央部，係從背面側起而被削薄，並被加工成較薄之膜厚h的薄膜區域30(第1區域)。將薄膜區域30作包圍之周圍，係成為較厚之膜厚H的外周區域32(第2區域)。薄膜區域30之上面和外周區域32之上面，係以會成為相同高度之位置或者是會成為實質性相同之高度位置的方式而被形成。基板31，係以外周區域32之背面而被保持於支持台33上。支持台33之中央部係開口，薄膜區域30之位置，係位置在支持台33之作了開口的區域處。
在薄膜區域30處，係於與圖2A和圖2B中所 示之光圈構件203之各孔22相對應的位置處，開口有使多重束之各束作通過的通過孔25(開口部)。又，在薄膜區域30上，係如圖3以及圖4A中所示一般，在各通過孔25之近旁位置處，包夾著所對應之通過孔25而分別配置有遮沒偏向用之電極24、26之組(遮沒器：遮沒偏向器)。又，在薄膜區域30上之各通過孔25的近旁處，係被配置有各通過孔25用之例如對於電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏輯電路)。各束用之2個的電極24、26之另外一方(例如，電極26)，係被作接地。又，如圖4A中所示一般，各控制電路41，係被連接有控制訊號用之例如10位元之並列配線。各控制電路41，除了例如10位元之並列配線以外，係亦被連接有時脈訊號線以及電源用之配線。時脈訊號線以及電源用之配線，係亦可將並列配線之一部分的配線作流用。針對構成多重束之各束的每一者，而分別構成有由電極24、26和控制電路41所致之個別遮沒機構47。又，在各束用之控制電路41內，係分別被配置有後述之橫移暫存器。故而，複數之橫移暫存器和複數之遮沒器，係被配置在基板31之膜厚為薄的薄膜區域30處。
圖4B，係為對於圖4A之控制電路41和10位元之並列配線的關係作更詳細之展示的圖。作為控制電路41之一部分，橫移暫存器40係被設置在並列配線上，此之輸出係被與束控制電路41之主電路43(電位供給電路)的輸入和下一個的束之控制電路41之橫移暫存器40 的輸入作連接。在圖4B之例中，例如係展示有10位元之橫移暫存器40，在對應於複數位元之各橫移暫存器40內，可進行1次1個位元的資料傳輸之資料橫移傳輸機構45，係因應於橫移暫存器40之對應位元的數量而在並列配線上被並聯地作配置。在橫移暫存器40內之所有的資料橫移傳輸機構45處，係被輸入有相同之時脈，在每一時脈處，資料係被移動至下一個的橫移暫存器40內之各資料橫移傳輸機構45處。例如，若是身為對應於1位元之橫移暫存器，則當然的，係被配置有1個的資料橫移傳輸機構45。在各束之曝光時間資料分別被傳送到了相符合之束之控制電路41之橫移暫存器40上的狀態下，將橫移暫存器40上之值讀出至主電路43處，之後，進行曝光動作。
又，在膜厚為厚之外周區域32上，係如圖3中所示一般，被配置有藉由序列、並列轉換部28(資料送訊器之其中一例)和受訊從偏向控制電路130而來之與描繪資料相對應之控制訊號的連接墊29所構成的複數之組。
通過各通過孔之電子束20，係分別獨立地藉由被施加至該些成對之2個的電極24、26處之電壓而被作偏向。藉由此偏向而進行遮沒控制。換言之，複數之遮沒器，係分別透過複數之橫移暫存器中之所對應之束用的橫移暫存器而被作控制，並使多重束中之所對應之束分別作遮沒偏向。如此這般，複數之遮沒器，係進行在通過了 光圈構件203之複數之孔22(開口部)的多重束中之分別所對應的束之遮沒偏向。
圖5，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成之其中一例作展示之上面圖。基板31，係當從上方作觀察時被形成為矩形，且中央部之薄膜區域30亦係被形成為矩形。而，在薄膜區域30內，複數之個別遮沒機構47係被配列為2維。例如，係被配置為行列狀。在圖5之例中，例如，係展示有被配列為8行×8列之複數之個別遮沒機構47。在各個別遮沒機構47之控制電路41內，係分別被配置有後述之橫移暫存器。又，薄膜區域30內之全部束用之複數之橫移暫存器，係構成被作了串聯連接的複數之組。
在圖5之例中，係藉由沿著並列配線而在每一行處並排於直線上(橫向並排)之複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器，來形成群組(行之組)。例如，如圖5中所示一般，係藉由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第2行的以「B」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第3行的以「C」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第4行的以「D」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣 的，係藉由第5行的以「E」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第6行的以「F」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第7行的以「G」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第8行的以「H」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。
之後，於被作了群組化的橫移暫存器群之每一者中，各配置1個的序列、並列轉換部28(資料送訊器之其中一例)。又，於各序列、並列轉換部28處，係各被配置有1個的連接墊29。另外，當對於遮沒平板之基板31並非為輸入單端訊號而是輸入差動訊號的情況時，係將從一對之連接墊所輸入了的訊號轉換為單端訊號並輸入至序列、並列轉換部28中。
在圖5之例中，雖係針對於每一行處，而將被配列為2維之複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器中之分別沿著並列配線而在直線上作並排的橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)群組化為1個群組(行之組)的例子來作了展示，但是，係並不被限定於此。亦可使分別在直線上而並排之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)被群組化為2以上之群組(行之組)，並構成各群組之橫移暫存器群(第2橫移暫存器群)。亦即是，在圖5之例中， 係對於第1橫移暫存器群和第2橫移暫存器群為代表相同之橫移暫存器群的情況作展示。
如此這般，複數之序列、並列轉換部28，係在使被配列為2維之複數之橫移暫存器中的分別在直線上而並排之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)被群組化為1以上之群組後的橫移暫存器群(第2橫移暫存器群)之每一者處，而各被配置1個。
又，例如，在藉由每一行之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)所構成的各群組(行之組)處，相對應之序列、並列轉換部28係藉由並列配線而被作連接。在複數之序列、並列轉換部28之各序列、並列轉換部28處，連接墊29係分別藉由單一配線而被作連接。
在圖5之例中，雖係將序列、並列轉換部28和橫移暫存器之間的連接簡略化而展示有4位元之並列配線，但是，係被以與後述之圖6A和圖6B相同之位元數的配線，例如以20位元之並列配線而被作連接。
在圖5之例中，沿著薄膜區域30之4邊中的左邊，係被配置有以「A」來作標示之序列、並列轉換部28A和連接墊29A之組、和以「C」來作標示之序列、並列轉換部28C和連接墊29C之組、和以「E」來作標示之序列、並列轉換部28E和連接墊29E之組、和以「G」來作標示之序列、並列轉換部28G和連接墊29G之組。沿著薄膜區域30之4邊中的右邊，係被配置有以「B」來作標示之序列、並列轉換部28B和連接墊29B之組、和以 「D」來作標示之序列、並列轉換部28D和連接墊29D之組、和以「F」來作標示之序列、並列轉換部28F和連接墊29F之組、和以「H」來作標示之序列、並列轉換部28H和連接墊29H之組。
又，各群組之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群或者是第2橫移暫存器群)，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。在圖5之例中，每一行之群組(行之組)的橫移暫存器群，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。
例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「A1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「A2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第2行的以「B」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「B1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「B2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群 (第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第3行的以「C」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「C1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「C2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第4行的以「D」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「D1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「D2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第5行的以「E」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「E1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「E2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群 (第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第6行的以「F」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「F1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「F2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第7行的以「G」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「G1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「G2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖5中所示一般，由從上側起之第8行的以「H」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「H1」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「H2」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群 (第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
圖6A和圖6B，係為對於在實施形態1中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例和比較例中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。在圖6A以及圖6B中，針對控制電路41內之橫移暫存器40以外的電路，係省略圖示。在比較例中，如同圖6A中所示一般，係對於將每一行之群組的橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)全部作了串聯連接的情況時之一部分作展示。在圖6A之例中，例如，係針對將圖5中所示之從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40的全部，藉由10位元之並列配線來作了串聯連接的情況作展示。序列、並列轉換部28，係藉由10位元之並列配線，而被與每一行的群組之橫移暫存器群的其中一者(序列、並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。另外，在圖6A之例中，係針對8個的個別遮沒機構47中之5個的個別遮沒機構47作展示，其餘則係省略圖示。又，在圖6A之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列、並列轉換部28者起來定義為束1、束2、…。在圖6A所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有8個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束8處，係成為需要進行8次的時脈動作。故而，在圖6A之例中，於1次之束擊射中，例如係成為需要8次的時脈動作。
如同上述一般，為了在N個的被作了串聯連接之橫移暫存器中進行資料傳輸，橫移暫存器係有必要進行N次的時脈動作。橫移暫存器之發熱量，係與每單位時間之時脈動作次數成正比。另一方面，若是束之根數增加，則配置在1行上之橫移暫存器的數量也會增加。因此，每單位時間之時脈動作次數會增加，發熱量亦會增加。其結果，遮沒平板之發熱量係會增加。遮沒平板係被配置在真空區域中，進而，橫移暫存器，由於係被配置在遮沒平板之薄膜區域處，因此排熱效率係為低。故而，為了將此發熱量控制在容許值內，每單位時間之時脈動作次數係會受到限制。故而，係變得難以使其進行高速動作。進而，若是束之根數增加，而配置在1行上之橫移暫存器的數量增加，則在資料傳輸中係會成為耗費時間。從此觀點而言，亦會變得難以使其進行高速動作。
相對於此，在實施形態1中，如同圖6B中所示一般，係對於將每一行之群組中的次群組之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)作了串聯連接的情況時之一部分作展示。例如，係將以「A1」來標示之次群組之例如4個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由10位元之並列配線來作串聯連接。同時，例如，係將以「A2」來標示之次群組之例如4個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由10位元之並列配線來作串聯連接。序列、並列轉換部28，係藉由20位元之並列配線，而被與每一行的群組之橫移暫存器群中的每一次群組之各一者(每一次群 組之序列、並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。針對其他之次群組，亦為相同。
換言之，各序列、並列轉換部28，係藉由在橫移暫存器40所進行資料處理之位元數上乘上次群組之數量後的數量之並列配線，來分別與所對應的群組內之各次群組的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)作連接。
另外，在圖6B之例中，與圖6A相同的，係針對8個的個別遮沒機構47中之5個的個別遮沒機構47作展示，其餘則係省略圖示。又，在圖6B之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列、並列轉換部28者起來定義為束1、束2、…。在圖6B所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有8個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束8處，由於藉由被作了串聯連接之各4個的橫移暫存器40所構成之2個的次群組係被作並聯連接，因此，係成為僅需要進行4次的時脈動作即可。故而，當次群組數量為K時，係能夠將時脈動作降低至1/K。於此，係能夠將時脈動作降低至1/2。
故而，係能夠將每單位時間之時脈動作次數降低，而能夠抑制(或者是降低)發熱量。其結果，係能夠抑制(或者是降低)遮沒平板之發熱量。故而，係能夠使其進行高速動作。進而，就算束之根數增加並導致配置在1行上之橫移暫存器的數量增加，亦可藉由將次群組之 數量增加，而成為能夠達成遮沒平板之發熱量之抑制以及高速動作。例如，就算是在束之根數有所增加的情況時，也能夠不使時脈動作次數增加，並使發熱量成為1/K。或者是，係能夠以相同之發熱量而進行K倍的高速動作。
進而，在實施形態1中，係於各群組之每一者處，連接1組的序列、並列轉換部28和連接墊29之組。因此，就算是使次群組之數量增加，亦能夠並不使序列、並列轉換部28和連接墊29之組數增加。故而，係能夠避免像是連接墊之間隔變得過窄而成為難以作配置之類的問題。
進而，在實施形態1中，如圖5以及圖6B中所示一般，若是各次群組內之被作了串聯連接的橫移暫存器群之各橫移暫存器40係被以相同之節距來作配置，則為理想。藉由此，係能夠使次群組內之被作串聯連接的橫移暫存器間之配線長度實質性地成為相同。故而，係能夠使阻抗相互一致，而能夠使相對於時脈之訊號的傳輸延遲成為均一。故而，係能夠使訊號之傳達時序相互一致。進而，在實施形態1中，如圖5中所示一般，例如，針對被配列成8行×8列之複數的個別遮沒機構47之各行，係以會交互成為第1次群組(A1、B1、…、H1)和第2次群組(A2、B2、…、H2)的方式，來將個別遮沒機構47(換言之，橫移暫存器40)以相同之節距來作配置。故而，針對在遮沒平板204上而被配列為2維之所有的橫移暫存器，係能夠使被作串聯連接的橫移暫存器間之配線長 度實質性地成為相同。故而，在多重束之各擊射資料的傳輸中，係能夠使訊號之傳達延遲成為均一，而成為能夠達成傳輸速度之提昇或者是能夠降低傳輸錯誤的發生。
進而，在實施形態1中，如同圖5中所示一般，若是於各群組之每一者中，該群組內之複數之次群組，係分別藉由相同數量之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)而被作群組化，則為理想。若是在次群組之間而橫移暫存器數量為相異，則在進行各擊射時，動作速度會被律速為橫移暫存器數量為多之次群組的時脈動作次數。故而，藉由如同實施形態1一般地而將次群組間之橫移暫存器數量統一，係能夠降低時脈動作次數。
圖7A和圖7B，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成之另外一例作展示之上面圖。在上述之圖5之例中，係針對沿著薄膜區域30之4邊中的左邊和右邊之2邊來配置了序列、並列轉換部28和連接墊29之組的情況來作了展示，但是，係並不被限定於此。如圖7A和圖7B中所示一般，亦可成為沿著薄膜區域30之4邊中的左邊之1邊來配置序列、並列轉換部28和連接墊29之組的情況。只要因應於薄膜區域30之尺寸和行數，來選擇是要將序列、並列轉換部28和連接墊29之組配置在1邊上或者是例如分成左右2邊來配置即可。
圖8，係為對於在實施形態1中之遮沒平板的構成之另外一例作展示之上面圖。在圖8之例中，於每一行中，係藉由於各行所並排(橫向並排)之複數之個別遮 沒機構47中的一次跳開k個地、例如一次跳開1個地所配置的複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器，來構成1個的群組。例如，如圖8中所示一般，係藉由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第2行的以「B」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第3行的以「C」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第4行的以「D」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第5行的以「E」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第6行的以「F」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第7行的以「G」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第8行的以「H」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。
又，在圖8之例中，係藉由在每1行處而各作了1列的偏移之例如4個的個別遮沒機構47，來構成1個的群組。例如，如圖8中所示一般，第1行、第3行、第5行、第7行之各群組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第1列、第3列、第5列、第7列之個別遮沒機 構47來構成之。第2行、第4行、第6行、第8行之組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第2列、第4列、第6列、第8列之個別遮沒機構47來構成之。
又，在圖8之例中，更進而，於每一列中，係藉由於各列所並排(縱向並排)之複數之個別遮沒機構47中的一次跳開k'個地、例如一次跳開1個地所配置的複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器，來構成1個的群組。例如，如圖5中所示一般，係藉由從左側起之第1列的以「a」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第2列的以「b」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第3列的以「c」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第4列的以「d」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第5列的以「e」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第6列的以「f」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第7列的以「g」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。同樣的，係藉由第8列的以「h」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組。
又，在圖8之例中，係藉由在每1列處而各作了1行的偏移之例如4個的個別遮沒機構47，來構成群組。例如，如圖8中所示一般，第1列、第3列、第5列、第7列之群組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第2行、第4行、第6行、第8行之個別遮沒機構47來構成之。第2列、第4列、第6列、第8列之群組之4個的個別遮沒機構47，例如係藉由第1行、第3行、第5行、第7行之個別遮沒機構47來構成之。
藉由如同上述一般地來構成，在每一行之各群組(在圖8之例中，係為8組)和每一列之各群組(在圖8之例中，係為8組)，係以不會在相互之間而使個別遮沒機構47(內部之橫移暫存器)被重複作適用的方式(不會相互重複的方式)，來作組合。
之後，於被作了群組化的橫移暫存器群之每一者中，各配置1個的序列、並列轉換部28(資料送訊器之其中一例)。又，於各序列、並列轉換部28處，係各被配置有1個的連接墊29。
於圖8中之複數之序列、並列轉換部28，係沿著將複數之橫移暫存器全體作包圍的薄膜區域30(矩形區域)之4邊而被作配置。
在複數之序列、並列轉換部28之各序列、並列轉換部28處，連接墊29係分別藉由單一配線而被作連接。換言之，複數之連接墊29，係分別與複數之序列、並列轉換部28的1個相互成組，並藉由單一配線而被與 相互成組之序列、並列轉換部28作連接。又，複數之連接墊29，係沿著薄膜區域30之4邊而被作配置。
在圖8之例中，沿著薄膜區域30之4邊中的左邊，係被配置有以「A」來作標示之序列、並列轉換部28A和連接墊29A之組、和以「C」來作標示之序列、並列轉換部28C和連接墊29C之組、和以「E」來作標示之序列、並列轉換部28E和連接墊29E之組、和以「G」來作標示之序列、並列轉換部28G和連接墊29G之組。沿著薄膜區域30之4邊中的右邊，係被配置有以「B」來作標示之序列、並列轉換部28B和連接墊29B之組、和以「D」來作標示之序列、並列轉換部28D和連接墊29D之組、和以「F」來作標示之序列、並列轉換部28F和連接墊29F之組、和以「H」來作標示之序列、並列轉換部28H和連接墊29H之組。
又，沿著薄膜區域30之4邊中的上邊，係被配置有以「b」來作標示之序列、並列轉換部28b和連接墊29b之組、和以「d」來作標示之序列、並列轉換部28d和連接墊29d之組、和以「f」來作標示之序列、並列轉換部28f和連接墊29f之組、和以「h」來作標示之序列、並列轉換部28h和連接墊29h之組。沿著薄膜區域30之4邊中的下邊，係被配置有以「a」來作標示之序列、並列轉換部28a和連接墊29a之組、和以「c」來作標示之序列、並列轉換部28c和連接墊29c之組、和以「e」來作標示之序列、並列轉換部28e和連接墊29e之 組、和以「g」來作標示之序列、並列轉換部28g和連接墊29g之組。
又，各群組之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群或者是第2橫移暫存器群)，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。在圖8之例中，每一行之群組(行之組)的橫移暫存器群，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。每一列之群組(列之組)的橫移暫存器群，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。
例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「A1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「A2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第2行的以「B」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「B1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「B2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第3行的以「C」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「C1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「C2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第4行的以「D」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「D1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「D2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第5行的以「E」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「E1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「E2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第6行的以「F」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「F1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「F2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第7行的以「G」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「G1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「G2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從上側起之第8行的以「H」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「H1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「H2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第1列的以「a」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「a1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「a2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第2列的以「b」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「b1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「b2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第3列的以「c」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「c1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「c2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第4列的以「d」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「d1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「d2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第5列的以「e」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「e1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「e2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第6列的以「f」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「f1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「f2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第7列的以「g」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「g1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「g2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖8中所示一般，由從左側起之第8列的以「h」來標示之例如4個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「h1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「h2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
又，針對群組A，例如，係將以「A1」來標示之次群組之例如2個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由10位元之並列配線來作串聯連接。同時，例如，係將以「A2」來標示之次群組之例如2個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由10位元之並列配線來作串聯連接。序列、並列轉換部28A，係藉由20位元之並列配線，而被與群組A之橫移暫存器群中的每一次群組之各一者(每一次群組之序列、並列轉換部28A側之端部的 橫移暫存器40)作連接。針對其他之次群組，亦為相同。
在圖8之例中，雖係將序列、並列轉換部28和橫移暫存器之間的連接簡略化而展示有4位元之並列配線，但是，係被以與圖6A和圖6B相同之位元數的配線，例如以20位元之並列配線而被作連接。
在圖8所示之構成中，係將第1行之例如8個的個別遮沒機構47，分成以「A」所標示之群組A和列的群組b、d、f、h。換言之，第1行之例如8個的橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)，係具備有群組A(1個的群組)之所有的橫移暫存器群(第2橫移暫存器群)、和其他之複數之群組b、d、f、h的橫移暫存器群(第2橫移暫存器群)中之1個。因此，群組A，係藉由4個的個別遮沒機構47來構成。在此點上，亦同樣的，相較於將第1行之例如8個的個別遮沒機構47設為1個群組的情況，係能夠使橫移暫存器數量成為1/2。進而，為了使用4個的橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束4處，由於藉由被作了串聯連接之各2個的橫移暫存器40所構成之2個的次群組係被作並聯連接，因此，係成為僅需要進行2次的時脈動作即可。故而，當次群組數量為K時，係能夠將時脈動作降低至1/K。於此，係能夠將時脈動作降低至1/2。故而，相較於將第1行之例如8個的個別遮沒機構47設為1個群組的情況，係能夠使時脈動作降低至1/(2K)。
故而，係能夠相較於圖5之例而更進一步將每單位時間之時脈動作次數降低，而能夠抑制(或者是降低)發熱量。其結果，係能夠抑制(或者是降低)遮沒平板之發熱量。故而，係能夠使其進行高速動作。
進而，在圖8之例中，由於係沿著薄膜區域30(矩形區域)之4邊來作配置，因此，相較於對1邊作利用的情況或者是對2邊作利用的情況，係能夠將可配置區域擴廣。故而，就算是在多重束之束根數有所增加的情況時，亦能夠避免像是連接墊之間隔變得過窄而成為難以作配置之類的問題。
進而，如圖8中所示一般，若是於各群組之每一者中，該群組內之複數之次群組，係分別藉由相同數量之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)而被作次群組化，則為理想。若是在次群組之間而橫移暫存器數量為相異，則在進行各擊射時，動作速度會被律速為橫移暫存器數量為多之次群組的時脈動作次數。故而，藉由如同實施形態1一般地而將次群組間之橫移暫存器數量統一，係能夠降低時脈動作次數。
圖9，係為對於在實施形態1中之個別遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。在圖9中，在被配置於描繪裝置100本體內的遮沒平板204處之個別遮沒控制用之各控制電路41中，係被配置有橫移暫存器40、暫存器42、計數器48、以及放大器46。在實施形態1中，係藉由例如10位元的控制訊號來對於各束用之個別遮沒控 制進行控制。另外，如圖9中所示一般，當將圖3中所示之遮沒平板204搭載於描繪裝置100中時，若是以使被形成有控制電路41和電極24、26之面成為朝上的方式來作配置，則為理想。在圖9之例中，圖4B中所示之主電路43，例如係相當於暫存器42、計數器48以及放大器46。
圖10，係為對於在實施形態1中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖。在圖10中，於實施形態1中之描繪方法，係實施圖案面積密度算出工程(S102)、擊射時間(照射時間)T算出工程(S104)、照射時間配列資料加工工程(S109)、照射時間配列資料輸出工程(S110)、資料傳輸工程(S112)、描繪工程(S114)、判定工程(S124)之一連串的工程。
作為圖案面積密度算出工程(S102)，面積密度算出部60，係從記憶裝置140而讀出描繪資料，並針對試料101之描繪區域、或者是對於將被作描繪之晶片區域假想分割成網格狀後之複數之網格區域的各網格區域之每一者，而算出被配置在其內部之圖案的面積密度。例如，首先，係將試料101之描繪區域、或者是將被作描繪之晶片區域，以特定之寬幅來分割成短籤狀之條帶區域。之後，將各條帶區域假想分割成上述之複數之網格區域。網格區域之尺寸，例如，若是設為束尺寸，或是設為束尺寸以下之尺寸，則為理想。例如，若是設為10nm程度之尺寸，則為理想。面積密度算出部60，例如，係針對條帶區域之每一者，而從記憶裝置140來讀出所對應之描繪 資料，並將在描繪資料內所定義的複數之圖形圖案分配至網格區域中。之後，只要算出在每一網格區域中所配置的圖形圖案之面積密度即可。
作為擊射時間(照射時間)T算出工程(S104)，照射時間算出部62，係針對特定之尺寸的網格區域之每一者，而算出每一擊射中之電子束的照射時間T(擊射時間，或者是亦稱作曝光時間，以下亦同)。在進行多重描繪的情況時，係只要算出在各階層中之每一擊射的電子束之照射時間T即可。成為基準之照射時間T，若是與所算出之圖案的面積密度成正比地來求取，則為合適。又，最終所算出的照射時間T，若是身為相當於藉由照射量之調整來針對起因於未圖示之近接效果、重疊效果、旋轉效果等之會引發尺寸變動的現象而導致的尺寸變動量而進行了修正之修正後的照射量之時間，則為合適。對於照射時間T作定義之複數之網格區域、和對於圖案之面積密度作定義之複數之網格區域，係可構成為相同之尺寸，亦可藉由相異之尺寸來構成。在以相異之尺寸來構成的情況時，係只要在藉由線性內插等來對於面積密度作了內插之後，再求取出各照射時間T即可。每一網格區域之照射時間T，係被定義於照射時間映射中，照射時間映射，例如係被儲存在記憶裝置142中。
在照射時間配列資料加工工程(S109)中，資料加工部65，係將被儲存在記憶裝置142中之各束所照射的網格區域之照射時間讀出，並對於被作了串聯連接 的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)的每一者，而將所對應的束之照射時間之資料轉換為10位元之資料，再以會以藉由所對應之次群組的複數之橫移暫存器40來作傳輸之順序而作並排的方式來進行加工。係以使從被作了串聯連接的複數之橫移暫存器之次群組中之後段側之橫移暫存器用的資料起來依序作並排的方式，而進行配列加工。又，係以將該次群組之資料於每一群組之各者中而作整合的方式來進行配列加工。例如，係在每一群組之各者處，以使各次群組之資料依序作並排的方式來進行配列加工。
作為照射時間配列資料輸出工程(S110)，傳輸處理部68，係針對各束之每一擊射，而將照射時間配列資料輸出至偏向控制電路130處，該照射時間配列資料，係以在每一群組之各者處而使各次群組之資料依序作並排，並且成為會沿著在各次群組內而被作串聯連接的複數之橫移暫存器的配列之順序的方式，而被作了加工。
作為資料傳輸工程(S112)，偏向控制電路130，係針對每一擊射，而對於與分別被配置有各群組內之橫移暫存器的各群組相對應之控制電路41，來輸出照射時間配列資料。照射時間配列資料，係被作序列傳輸。
在實施形態1中，如圖9中所示一般，在控制電路41中，由於係使用有橫移暫存器40，因此，在進行資料傳輸時，偏向控制電路130，係於每一群組之各者處，將使各次群組之資料依序作了並排並且在各次群組內使構成相同之次組的各10位元之資料以被作了串聯連接 之橫移暫存器40的配列順序(或者是辨識號碼順序)來作了並排的資料，資料傳輸至遮沒平板204之各群組用的連接墊29處。各連接墊29，係將被序列傳輸而來之訊號(第1訊號)輸出至所對應的序列、並列轉換部28處。各序列、並列轉換部28，係將被序列傳輸而來之訊號(第1訊號)，轉換為每一束之10位元的並列訊號(被作並列傳輸之第2訊號)，並對於每一次群組之各者，而將10位元之並列訊號資料傳輸至所對應之控制電路41處。又，係輸出同步用之時脈訊號(CLK1)以及資料讀出用之讀取訊號(read)。各束之橫移暫存器40，係依據時脈訊號(CLK1)，而從上位側起，依序將資料1次10位元地來傳輸至下一個的橫移暫存器40處。
接著，各束之暫存器42，若是被輸入讀取訊號(read)，則各束之暫存器42係從橫移暫存器40而將各個束之資料讀入。各束之個別暫存器42，若是被輸入10位元之資料，則係依據該資料來對於計數器48輸出ON/OFF訊號。而，在計數器48處，若是暫存器42之訊號為ON，則係對於照射時間作計數，並在照射時間的期間中，對於放大器46輸出ON訊號。之後，放大器46，在受訊ON訊號的期間中，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加ON電壓。於其以外的期間，計數器48，係對於放大器46輸出OFF訊號，放大器46，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加OFF電壓。
作為描繪工程(S114)，描繪部150，係在各 束之每一擊射中，實施所符合之照射時間的描繪。具體而言，係如同下述一般地而動作。
從電子槍201(放出部)所放出之電子束200，係藉由照明透鏡202而略垂直地對於光圈構件203全體作照明。在光圈構件203處，係被形成有矩形之複數的孔(開口部)，電子束200，係對於包含有複數之孔的全部孔之區域作照明。被照射至複數之孔的位置處之電子束200的各一部分，係藉由分別通過此光圈構件203之複數之孔，而形成例如矩形形狀之複數之電子束(多重束)20a~e。此些多重束20a~e，係通過遮沒平板204之分別所對應的遮沒器(第1偏向器：個別遮沒機構)內。此些遮沒器，係分別使個別地通過之電子束20作偏向(進行遮沒偏向)。
通過了遮沒平板204後之多重束20a~e，係藉由縮小透鏡205而被縮小，並朝向被形成在限制光圈構件206處之中心的孔而前進。於此，藉由遮沒平板204之遮沒器而作了偏向的電子束20，其位置係從限制光圈構件206(遮沒光圈構件)之中心的孔而偏離，並被限制光圈構件206所遮沒。另一方面，並未藉由遮沒平板204之遮沒器而作偏向的電子束20，係如圖1中所示一般，通過限制光圈構件206之中心的孔。藉由此些之個別遮沒機構的ON/OFF，而進行遮沒控制，束之ON/OFF係被作控制。如此這般，限制光圈構件206，係將藉由個別遮沒機構而以成為束OFF之狀態的方式來作了偏向之各束作 遮沒。並且，藉由從成為束ON起直到成為束OFF為止所形成的通過了限制光圈構件206之束，來形成1次之擊射的束。通過了限制光圈構件206之多重束20，係藉由對物透鏡207而作了對焦，並成為所期望之縮小率的圖案像，再藉由偏向器208，來使通過了限制光圈構件206之各束(多重束20全體)整批地偏向至相同方向處，並照射至各束之在試料101上的各別之照射位置處。又，例如當XY平台105正在作連續移動時，係以使束之照射位置追隨於XY平台105之移動的方式，來藉由偏向器208而進行控制。從平台位置檢測器139來朝向XY平台105上之反射鏡210照射雷射光，並使用其之反射光來測定XY平台105之位置。在一次中被作了照射的多重束20，理想上，係會成為以在光圈構件203之複數之孔的配列節距上乘上了上述之所期望之縮小率後的節距來作並排。描繪裝置100，係以將擊射束連續地依序逐次作照射之光柵掃描方式來進行描繪動作，在描繪所期望之圖案時，係因應於圖案，而將必要之束藉由遮沒控制而控制為束ON。
作為判定工程(S124)，描繪控制部72，係判定全部之擊射是否已結束。之後，若是全部擊射均結束，則結束動作，若是全部之擊射尚未結束，則係回到照射時間配列資料加工工程(S109)，並反覆進行從照射時間配列資料加工工程(S109)起直到判定工程(S124)為止之工程，直到全部擊射均結束為止。
圖11，係為用以對於在實施形態1中之描繪 動作的其中一例作說明之概念圖。如圖11中所示一般，試料101之描繪區域30，例如，係朝向y方向而以特定之寬幅來假想分割成短籤狀之複數的條帶區域32。此些之各條帶區域32，係成為描繪單位區域。首先，使XY平台105移動，並以在第1個條帶區域32之左端或者是較其更左側的位置處而位置有藉由1次之多重束20的照射所能夠照射之照射區域34的方式來作調整，而開始描繪。在對於第1個條帶區域32進行描繪時，係藉由使XY平台105例如朝向-x方向移動，來相對性地朝向x方向進行描繪。XY平台105，係以特定之速度而例如作連續移動。在第1個的條帶區域32之描繪結束後，使平台位置朝向-y方向移動，並以使照射區域34相對性地在y方向上而位置於第2個的條帶區域32之右端或者是較其更右側之位置處的方式，來進行調整，此次，係藉由使XY平台105例如朝向x方向移動，來朝向-x方向而同樣地進行描繪。在第3個的條帶區域32處，係朝向x方向進行描繪，在第4個的條帶區域3處，係朝向-x方向而進行描繪，藉由如此這般地一面交互改變方向一面進行描繪，係能夠縮短描繪時間。但是，係並不被限定於一面交互地改變方向一面進行描繪的情況，在對於各條帶區域32進行描繪時，係亦可設為朝向相同之方向而進行描繪。在1次的擊射中，係以藉由通過光圈構件203之各孔22一事所形成的多重束，而一次性地形成與各孔22相同數量之複數之擊射圖案。
圖12A~圖12C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。在圖12A~圖12C之例中，例如，係針對在x、y方向上使用4×4的多重束來於條帶內進行描繪的例子作展示。在圖12A~圖12C之例中，例如，係針對在y方向上而以多重束全體之照射區域的約2倍之寬幅來將條帶區域作了分割的例子作展示。並且，係針對在x方向或者是y方向上，而一面一次一個網格地來使照射位置偏移，一面以4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)來使多重束全體之1個的照射區域結束曝光(描繪)的情況作展示。首先，針對條帶區域之上側的區域作描繪。在圖12A中，係針對以1次的擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)所照射了的網格區域作展示。接著，如圖12B中所示一般，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第2次之擊射(複數之照射步驟之合計)。接著，如圖12C中所示一般，朝向x方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第3次之擊射(複數之照射步驟之合計)。
圖13A~圖13C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之其中一例作說明之概念圖。在圖13A~圖13C中，係對於圖12C之後續作展示。接著，如圖13A中所示一般，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。藉由該4次之擊射(1個擊射係 為複數之照射步驟的合計)來使多重束全體之1個的照射區域結束曝光(描繪)。接著，針對條帶區域之下側的區域作描繪。如圖13B中所示一般，針對條帶區域之下側的區域，進行第1次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第2次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，朝向x方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第3次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，朝向y方向而使位置偏移至尚未被照射之網格區域處，並進行第4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。藉由以上之動作，條帶區域中之多重束的照射區域之第1列的描繪係結束。之後，只要如圖13C中所示一般，在x方向上移動，並針對多重束之照射區域的第2列而同樣地進行描繪即可。藉由反覆進行以上之動作，係能夠對於條帶區域全體進行描繪。
圖14A~圖14C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。在圖14A~圖14C之例中，例如，係針對在x、y方向上使用4×4的多重束來於條帶內進行描繪的例子作展示。在圖14A~圖14C之例中，係針對使各束間之距離遠離，並例如在y方向上而以與多重束全體之照射區域同等或者是更些許廣的寬幅來將條帶區域作了分割的例子作展示。並且，係針對在x方向或者是y方向上，而一面一次一個網格地來 使照射位置偏移，一面以16次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)來使多重束全體之1個的照射區域結束曝光(描繪)的情況作展示。在圖14A中，係針對以1次的擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)所照射了的網格區域作展示。接著，如圖14B中所示一般，一面朝向y方向而在尚未被照射之網格區域中使位置1次1個網格地來作偏移，一面依序進行第2、3、4次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，如圖14C中所示一般，朝向x方向而在尚未被照射之網格區域中使位置1次1個網格地來作偏移，並進行第5次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。接著，一面朝向y方向而使位置1次1個網格地來作偏移，一面依序進行第6、7、8次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)。
圖15A~圖15C，係為用以對於在實施形態1中之條帶內的描繪動作之另外一例作說明之概念圖。在圖15A~圖15C中，係對於圖14C之後續作展示。如圖15A中所示一般，只要與在圖13A~圖13C中所說明了的動作相同地，而反覆依序進行剩餘之第9~16次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)即可。在圖14A~圖14C、圖15A~圖15C之例中，例如係針對進行多重描繪(多重度=2)的情況作展示。在此種情況中，係朝向x方向作多重束全體之照射區域之約1/2的尺寸之移動，並如圖15B中所示一般，進行多重描繪之第2層的第1次之 擊射(1個擊射係為複數之照射步驟的合計)。以下，只要如同在圖14B以及圖14C中所作了說明一般，依序進行多重描繪之第2層的第2~8次之各擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)，並如圖15C中所示一般，與在圖14B以及圖14C中所說明了的動作相同地，反覆依序進行剩餘之第9~16次之擊射(1個擊射係為複數之照射步驟之合計)即可。
如同上述一般，若依據實施形態1，則係將被作了串聯連接的橫移暫存器之時脈動作次數降低，而可進行高速動作。
實施形態2
在實施形態1中，雖係針對藉由10位元的控制訊號來對於個別遮沒用之控制電路41進行控制的情況來作了說明，但是，係並不被限定於此。在實施形態2中，例如，係針對藉由1位元的控制訊號來進行控制的情況作說明。
圖16，係為對於在實施形態2中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。在圖16中，描繪裝置100，係具備有描繪部150和控制部160。描繪裝置100，係為多重荷電粒子束描繪裝置之其中一例。描繪部150，係具備有電子鏡筒102和描繪室103。在電子鏡筒102內，係被配置有電子槍201、照明透鏡202、光圈構件203、遮沒平板204、縮小透鏡205、偏向器212、限制光圈構件 206、對物透鏡207、以及偏向器208。在描繪室103內，係被配置有XY平台105。在XY平台105上，於進行描繪時，係被配置有成為描繪對象基板之遮罩等的試料101。在試料101中，係包含有在製造半導體裝置時所使用之曝光遮罩、或者是被製造出半導體裝置之半導體基板(矽晶圓)等。又，在試料101中，係包含有被塗布了光阻之尚未被進行任何之描繪的空白光罩。在XY平台105上，係更進而被配置有XY平台105之位置測定用的反射鏡210。
控制部160，係具備有控制計算機110，記憶體112，偏向控制電路130，邏輯電路132，平台位置測定部139以及磁碟裝置等之記憶裝置140、142。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、平台位置測定部139以及記憶裝置140、142，係經由未圖示之匯流排而被相互作連接。在記憶裝置140(記憶部)中，係從外部而被輸入有描繪資料並作儲存。
在控制計算機110內，係被配置有面積密度算出部60、照射時間算出部62、階度值算出部64、位元轉換部66、資料加工部65、描繪控制部72、以及傳輸處理部68。面積密度算出部60、照射時間算出部62、階度值算出部64、位元轉換部66、資料加工部65、描繪控制部72以及傳輸處理部68之類的各功能，係可藉由電性電路等之硬體來構成，亦可藉由實行此些之功能的程式等之軟體來構成。或者是，亦可藉由硬體和軟體之組合來構 成。在面積密度算出部60、照射時間算出部62、階度值算出部64、位元轉換部66、資料加工部65、描繪控制部72以及傳輸處理部68處進行輸入輸出之資訊、以及演算中之資訊，係逐次地被儲存在記憶體112中。
於此，在圖16中，係記載有為了對於實施形態2作說明時所必要之構成。對於描繪裝置100而言，通常係亦可具備有必要之其他的構成。又，以下，除了特別作說明之點以外，係與實施形態1相同。例如，在實施形態2中之光圈構件的構成，係可採用與在圖2A以及圖2B中所說明者相同之構成。又，圖2A和圖2B之說明，亦係適用於實施形態2。對於在實施形態2中之遮沒平板的構成作展示之剖面圖，係與圖3相同。又，圖3之說明，亦係適用於實施形態2。對於在實施形態2中之遮沒平板的薄膜區域內之構成的一部分作展示之上面概念圖，係與圖4相同。又，圖4之說明，亦係適用於實施形態2。
圖17，係為對於在實施形態2中之遮沒平板的構成之其中一例作展示之上面圖。基板31，係當從上方作觀察時被形成為矩形，且中央部之薄膜區域30亦係被形成為矩形。而，在薄膜區域30內，複數之個別遮沒機構47係被配列為2維。例如，係被配置為行列狀。在圖17之例中，係與圖5相同的，例如，係展示有被配列為8行×8列之複數之個別遮沒機構47。在各個別遮沒機構47之控制電路41內，係分別被配置有橫移暫存器。又，薄膜區域30內之全部束用之複數之橫移暫存器，係 構成被作了串聯連接的複數之組。
在圖17之例中，係於每一行處，藉由在各行處作並排(橫向並排)之複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器，來形成群組(行之組)。例如，如圖17中所示一般，係藉由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第2行的以「B」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第3行的以「C」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第4行的以「D」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第5行的以「E」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第6行的以「F」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第7行的以「G」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。同樣的，係藉由第8行的以「H」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器，來構成1個的群組(行之組)。
之後，於被作了群組化的橫移暫存器群之每一者中，各配置1個的序列、並列轉換部28(資料送訊 器之其中一例)。又，於各序列、並列轉換部28處，係各被配置有1個的連接墊29。
在圖17之例中，雖係針對於每一行處，而將被配列為2維之複數之個別遮沒機構47內的橫移暫存器中之分別在直線上作並排的橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)群組化為1個群組(行之組)的例子來作了展示，但是，係並不被限定於此。亦可使分別在直線上而並排之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)被群組化為2以上之群組(行之組)，並構成各群組之橫移暫存器群(第2橫移暫存器群)。亦即是，在圖17之例中，係對於第1橫移暫存器群和第2橫移暫存器群為代表相同之橫移暫存器群的情況作展示。
如此這般，複數之序列、並列轉換部28，係在使被配列為2維之複數之橫移暫存器中的分別在直線上而並排之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)被群組化為1以上之群組後的橫移暫存器群(第2橫移暫存器群)之每一者處，而各被配置1個。
又，例如，在藉由每一行之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)所構成的各群組(行之組)處，相對應之序列、並列轉換部28係藉由例如4位元之並列配線而被作連接。在複數之序列、並列轉換部28之各序列、並列轉換部28處，連接墊29係分別藉由單一配線而被作連接。
在圖17之例中，沿著薄膜區域30之4邊中 的左邊，係被配置有以「A」來作標示之序列、並列轉換部28A和連接墊29A之組、和以「C」來作標示之序列、並列轉換部28C和連接墊29C之組、和以「E」來作標示之序列、並列轉換部28E和連接墊29E之組、和以「G」來作標示之序列、並列轉換部28G和連接墊29G之組。沿著薄膜區域30之4邊中的右邊，係被配置有以「B」來作標示之序列、並列轉換部28B和連接墊29B之組、和以「D」來作標示之序列、並列轉換部28D和連接墊29D之組、和以「F」來作標示之序列、並列轉換部28F和連接墊29F之組、和以「H」來作標示之序列、並列轉換部28H和連接墊29H之組。
又，各群組之橫移暫存器群(第1橫移暫存器群或者是第2橫移暫存器群)，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。在圖17之例中，每一行之群組(行之組)的橫移暫存器群，係更進而分別被次群組化為複數之次群組。
例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「A1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「A2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以 「A3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「A4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第2行的以「B」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「B1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「B2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「B3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「B4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第3行的以「C」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「C1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「C2」來標示之例如2個 的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「C3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「C4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第4行的以「D」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「D1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「D2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「D3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「D4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第5行的以「E」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「E1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫 存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「E2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「E3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「E4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第6行的以「F」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「F1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「F2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「F3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「F4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第7行的以「G」來標示之例如8個的個別遮沒機 構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「G1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「G2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「G3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「G4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
同樣的，例如，如圖17中所示一般，由從上側起之第8行的以「H」來標示之例如8個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群，係藉由由以「H1」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「H2」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「H3」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。又，係藉由由以「H4」來標示之例如2個的個別遮沒機構47內之橫移暫存器所成的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)，來構成1個的次群組。
圖18A和圖18B，係為對於在實施形態2中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例和比較例中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。在圖18A以及圖18B中，針對控制電路41內之橫移暫存器40以外的電路，係省略圖示。在比較例中，如同圖18A中所示一般，係對於將每一行之群組的橫移暫存器群(第1橫移暫存器群)全部作了串聯連接的情況時之一部分作展示。在圖18A之例中，例如，係針對將圖17中所示之從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40的全部，藉由1位元之單一配線來作了串聯連接的情況作展示。序列、並列轉換部28，係藉由1位元之配線，而被與每一行的群組之橫移暫存器群的其中一者(序列、並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。於此情況，由於係並不需要進行序列、並列轉換，因此，係亦可將序列、並列轉換部28自身作省略。另外，在圖18A之例中，係針對8個的個別遮沒機構47中之6個的個別遮沒機構47作展示，其餘則係省略圖示。又，在圖18A之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列、並列轉換部28者起來定義為束1、束2、…。在圖18A所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有8個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束8處，係成為需要進行8次的時脈動作。故而，在圖18A之例中，於1次之束擊 射中，例如係成為需要8次的時脈動作。
如同上述一般，為了在N個的被作了串聯連接之橫移暫存器中進行資料傳輸，橫移暫存器係有必要進行N次的時脈動作。橫移暫存器之發熱量，係與每單位時間之時脈動作次數成正比。另一方面，若是束之根數增加，則配置在1行上之橫移暫存器的數量也會增加。因此，每單位時間之時脈動作次數會增加，發熱量亦會增加。其結果，遮沒平板之發熱量係會增加。遮沒平板係被配置在真空區域中，進而，橫移暫存器，由於係被配置在遮沒平板之薄膜區域處，因此排熱效率係為低。故而，為了將此發熱量控制在容許值內，每單位時間之時脈動作次數係會受到限制。故而，係變得難以使其進行高速動作。進而，若是束之根數增加，而配置在1行上之橫移暫存器的數量增加，則在資料傳輸中係會成為耗費時間。從此觀點而言，亦會變得難以使其進行高速動作。
相對於此，在實施形態2中，如同圖18B中所示一般，係對於將每一行之群組中的次群組之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)作了串聯連接的情況時之一部分作展示。例如，係將以「A1」來標示之次群組之例如2個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由1位元之單一配線來作串聯連接。同時，例如，係將以「A2」來標示之次群組之例如2個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由1位元之單一配線來作串聯連接。序列、並列轉換部28，係藉由4位元之並列配線，而被與每一行的群 組之橫移暫存器群中的每一次群組之各一者(每一次群組之序列、並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。針對其他之次群組，亦為相同。
換言之，各序列、並列轉換部28，係藉由在橫移暫存器40所進行資料處理之位元數上乘上次群組之數量後的數量之並列配線，來分別與所對應的群組內之各次群組的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)作連接。
另外，在圖18B之例中，與圖18A相同的，係針對8個的個別遮沒機構47中之6個的個別遮沒機構47作展示，其餘則係省略圖示。又，在圖18B之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列、並列轉換部28者起來定義為束1、束2、…。在圖18B所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有8個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束8處，由於藉由被作了串聯連接之各2個的橫移暫存器40所構成之4個的次群組係被作並聯連接，因此，係成為僅需要進行2次的時脈動作即可。故而，當次群組數量為K時，係能夠將時脈動作降低至1/K。於此，係能夠將時脈動作降低至1/4。
故而，係能夠將每單位時間之時脈動作次數降低，而能夠抑制(或者是降低)發熱量。其結果，係能夠抑制(或者是降低)遮沒平板之發熱量。故而，係能夠使其進行高速動作。進而，就算束之根數增加並導致配置 在1行上之橫移暫存器的數量增加，亦可藉由將次群組之數量增加，而成為能夠達成遮沒平板之發熱量之抑制以及高速動作。例如，就算是在束之根數有所增加的情況時，也能夠不使時脈動作次數增加，並使發熱量成為1/K。或者是，係能夠以相同之發熱量而進行K倍的高速動作。
進而，在實施形態2中，係於各群組之每一者處，連接1組的序列、並列轉換部28和連接墊29之組。因此，就算是使次群組之數量增加，亦能夠並不使序列、並列轉換部28和連接墊29之組數增加。故而，係能夠避免像是連接墊之間隔變得過窄而成為難以作配置之類的問題。
進而，在實施形態2中，如圖17以及圖18B中所示一般，若是各次群組內之被作了串聯連接的橫移暫存器群之各橫移暫存器40係被以相同之節距來作配置，則為理想。藉由此，係能夠使次群組內之被作串聯連接的橫移暫存器間之配線長度實質性地成為相同。故而，係能夠使阻抗相互一致，而能夠使相對於時脈之訊號的傳輸延遲成為均一。故而，係能夠使訊號之傳達時序相互一致。進而，在實施形態2中，如圖17中所示一般，例如，針對被配列成8行×8列之複數的個別遮沒機構47之各行，係以將第1次群組(A1、B1、…、H1)和第2次群組(A2、B2、…、H2)和第3次群組(A3、B3、…、H3)以及第4次群組(A4、B4、…、H4)一個一個地依序作並排並且反覆進行此種配列的方式，來將個別遮沒機構 47(換言之，橫移暫存器40)以相同之節距來作配置。故而，針對在遮沒平板204上而被配列為2維之所有的橫移暫存器，係能夠使被作串聯連接的橫移暫存器間之配線長度實質性地成為相同。故而，在多重束之各擊射資料的傳輸中，係能夠使訊號之傳達延遲成為均一，而成為能夠達成傳輸速度之提昇或者是能夠降低傳輸錯誤的發生。
進而，在實施形態2中，如同圖17中所示一般，若是於各群組之每一者中，該群組內之複數之次群組，係分別藉由相同數量之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)而被作群組化，則為理想。若是在次群組之間而橫移暫存器數量為相異，則在進行各擊射時，動作速度會被律速為橫移暫存器數量為多之次群組的時脈動作次數。故而，藉由如同實施形態2一般地而將次群組間之橫移暫存器數量統一，係能夠降低時脈動作次數。
圖19，係為對於在實施形態2中之個別遮沒控制電路和共通遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。在圖19中，在被配置於描繪裝置100本體內的遮沒平板204處之個別遮沒控制用之各邏輯電路41中，係被配置有橫移暫存器40、暫存器42、以及AND演算器44(邏輯積演算器)。另外，AND演算器44，係為用以當在暫存器動作中發生有問題的情況時而將個別遮沒全部強制性地設為OFF者，在實施形態2中，係亦可將此省略。在實施形態2中，係藉由1位元之控制訊號，來對於在先前技術中例如藉由10位元的控制訊號而被作控制的 各束用之個別遮沒控制進行控制。亦即是，在橫移暫存器40、暫存器42以及AND演算器44處，係被輸入輸出有1位元之控制訊號。由於控制訊號之資訊量係為少，因此係能夠將控制電路之設置面積縮小。換言之，就算是當在設置空間為窄之遮沒平板204上配置邏輯電路的情況時，亦能夠以更小之束節距來配置更多的束。藉由此，係能夠使透過遮沒平板之電流量增加，亦即是能夠使描繪之產率提昇。
又，在共通遮沒用之偏向器212中，係被配置有放大器，在邏輯電路132中，係被配置有暫存器50以及計數器52(擊射時間控制部之其中一例)。此些，由於係並非同時地進行複數之相異的控制，而僅需要進行ON/OFF控制之單一電路即可，因此，就算是在配置用以使其高速地進行回應之電路的情況時，也不會產生設置空間和電路之使用電流的限制之問題。故而，此放大器，相較於能夠在遮沒光圈上所實現的放大器，係大幅度地以更高速來動作。此放大器，係藉由例如10位元的控制訊號而進行控制。亦即是，在暫存器50以及計數器52處，係被輸入輸出有例如10位元之控制訊號。
在實施形態2中，係使用上述之由個別遮沒控制用之各邏輯電路41所致的束ON/OFF控制、以及由對於多重束全體而整批地進行遮沒控制之共通遮沒控制用之邏輯電路132所致的束ON/OFF控制，此兩者之控制，來進行各束之遮沒控制。
圖20，係為對於在實施形態2中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖。在圖20中，係實施圖案面積密度算出工程(S102)、擊射時間(照射時間)T算出工程(S104)、階度值N算出工程(S106)、2進位數轉換工程(S108)、照射時間配列資料加工工程(S109)、照射時間配列資料輸出工程(S110)、對象位數之資料傳輸工程(S112)、由對象位數之照射時間所致之描繪工程(S114)、判定工程(S120)、位數變更工程(S122)、判定工程(S124)之一連串的工程。由對象位數之照射時間所致之描繪工程(S114)，係作為其之內部工程，而實施個別束ON/OFF切換工程(S116)和共通束ON/OFF切換工程(S118)之一連串的工程。
作為圖案面積密度算出工程(S102)，面積密度算出部60，係從記憶裝置140而讀出描繪資料，並針對試料101之描繪區域、或者是對於將被作描繪之晶片區域假想分割成網格狀後之複數之網格區域的各網格區域之每一者，而算出被配置在其內部之圖案的面積密度。例如，首先，係將試料101之描繪區域、或者是將被作描繪之晶片區域，以特定之寬幅來分割成短籤狀之條帶區域。之後，將各條帶區域假想分割成上述之複數之網格區域。網格區域之尺寸，例如，若是設為束尺寸，或是設為束尺寸以下之尺寸，則為理想。例如，若是設為10nm程度之尺寸，則為理想。面積密度算出部60，例如，係針對條帶區域之每一者，而從記憶裝置140來讀出所對應之描繪 資料，並將在描繪資料內所定義的複數之圖形圖案分配至網格區域中。之後，只要算出在每一網格區域中所配置的圖形圖案之面積密度即可。
作為擊射時間(照射時間)T算出工程(S104)，照射時間算出部62，係針對特定之尺寸的網格區域之每一者，而算出每一擊射中之電子束的照射時間T(擊射時間，或者是亦稱作曝光時間，以下亦同)。在進行多重描繪的情況時，係只要算出在各階層中之每一擊射的電子束之照射時間T即可。成為基準之照射時間T，若是與所算出之圖案的面積密度成正比地來求取，則為合適。又，最終所算出的照射時間T，若是身為相當於藉由照射量之調整來針對起因於未圖示之近接效果、重疊效果、旋轉效果等之會引發尺寸變動的現象而導致的尺寸變動量而進行了修正之修正後的照射量之時間，則為合適。對於照射時間T作定義之複數之網格區域、和對於圖案之面積密度作定義之複數之網格區域，係可構成為相同之尺寸，亦可藉由相異之尺寸來構成。在以相異之尺寸來構成的情況時，係只要在藉由線性內插等來對於面積密度作了內插之後，再求取出各照射時間T即可。每一網格區域之照射時間T，係被定義於照射時間映射中，照射時間映射，例如係被儲存在記憶裝置142中。
作為階度值N算出工程(S106)，階度值算出部64，係算出在使用特定之最低有效位元△來對於在照射時間映射中所定義的每一網格區域之照射時間T進行 定義時的整數之階度值N。照射時間T，係藉由以下之式(1)而作定義。
(1)T=△N
故而，階度值N，係定義為將照射時間T除以最低有效位元△所得到的整數之值。最低有效位元△，係可進行各種之設定，例如，係可定義為1ns(奈秒)等。最低有效位元△，例如若是使用1~10ns之值，則為理想。△，係代表當以計數器來進行控制的情況時之時脈週期等之控制上的最低有效位元。
作為2進位數轉換工程(S108)，位元轉換部66，係針對每一擊射，而將多重束之各束的照射時間(於此，係為階度值N)轉換為預先所設定了的n位數之2進位數之值。例如，若是N=50，則由於50=21+24+25，因此，例如若是轉換為10位數之2進位數之值，則係成為"0000110010"。例如，若是N=500，則同樣的，係成為"0111110100"。例如，若是N=700，則同樣的，係成為"1010111100"。例如，若是N=1023，則同樣的，係成為"1111111111"。各束之照射時間，係相當於在每一擊射中各束會成為進行照射的網格區域中所定義的照射時間。依據此，照射時間T，係藉由以下之式(2)而作定義。
ak，係代表當將階度值N以2進位數來作了定義的情況時之各位數之值(1或0)。位數n，係只要是2位數以上即可，但是，較理想係為4位數以上，更理想係以8位數以上為佳。
在實施形態2中，係於各束之每一擊射中，將該束之照射，分割成作為當將轉換後的2進位數之各位數之值分別以10進位數來作了定義的情況時所相當之照射時間來將各位數作了組合的位數n次之照射。換言之，係將1個擊射，分割成△a020、△a121、…△ak2k、…△an-12n-1之各照射時間的複數之照射步驟。當設為位數n=10的情況時，1個擊射係被分割成10次的照射步驟。
例如，當設為位數n=10的情況時，若是N=700，則第10位數(第10位元)之照射時間係成為△×512。第9位數(第9位元)之照射時間係成為△×0=0。第8位數(第8位元)之照射時間係成為△×128。第7位數(第7位元)之照射時間係成為△×0=0。第6位數(第6位元)之照射時間係成為△×32。第5位數(第5位元)之照射時間係成為△×16。第4位數(第4位元)之照射時間係成為△×8。第3位數(第3位元)之照射時間係成為△×4。第2位數(第2位元)之照射時間係成為△×0=0。第1位數(第1位元)之照射時間係成為△×0=0。
而，例如當從位數為大者起而依序進行照射的情況時，例如若是設為△=1ns，則第1次之照射步驟係 成為512ns(束ON)之照射。第2次之照射步驟，係成為0ns(束OFF)之照射。第3次之照射步驟，係成為128ns(束ON)之照射。第4次之照射步驟，係成為0ns(束OFF)之照射。第5次之照射步驟，係成為32ns(束ON)之照射。第6次之照射步驟，係成為16ns(束ON)之照射。第7次之照射步驟，係成為8ns(束ON)之照射。第8次之照射步驟，係成為4ns(束ON)之照射。第9次之照射步驟，係成為0ns(束OFF)之照射。第10次之照射步驟，係成為0ns(束OFF)之照射。
如同上述一般，在實施形態2中，係於各束之每一擊射中，將該束之照射，分割成作為當將轉換後的2進位數之所對應之位數之值以10進位數來作了定義的情況時所相當之照射時間來將各位數之照射時間作了組合的位數n次之照射(分割擊射)。之後，如同後述一般，將與各位數分別相互對應之照射時間的束，依序對於試料101進行照射(分割擊射)。
作為照射時間配列資料加工工程(S109)，資料加工部65，係對於被作了串聯連接的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)之每一者，而將所對應的束之照射時間之資料以會以藉由所對應之次群組的複數之橫移暫存器40來作傳輸之順序而作並排的方式來進行加工。係以使從被作了串聯連接的橫移暫存器之次群組中之後段側之橫移暫存器用的資料起來依序作並排的方式，而進行配列加工。又，係以將該次群組之資料於每一群組之各者中而 作整合的方式來進行配列加工。例如，係在每一群組之各者處，以使各次群組之資料依序作並排的方式來進行配列加工。
作為照射時間配列資料輸出工程(S110)，傳輸處理部68，係針對各束之每一擊射，而將被轉換為2進位數資料並且使順序被作了加工的照射時間配列資料輸出至偏向控制電路130處。
作為對象位數之資料傳輸工程(S112)，偏向控制電路130，係針對每一擊射，而對於各束用之邏輯電路41輸出照射時間配列資料。又，與此相互同步地，偏向控制電路130，係對於共通遮沒用之邏輯電路132輸出各照射步驟之時序資料。
圖21，係為對於在實施形態2中之照射時間配列資料的一部分之其中一例作展示之圖。在圖21中，係針對關於在構成多重束之束中的例如束1~4之特定之擊射的照射時間配列資料之一部分作展示。在圖21之例中，針對束1~4，係對於從第k位元(第k位數)之照射步驟起直到第k-3位元(第k-3位數)之照射步驟為止的照射時間配列資料作展示。在圖21之例中，針對束1，係對於從第k位元(第k位數)起直到第k-3位元(第k-3位數)為止的照射步驟，而展示有資料"1101"。針對束2，係對於從第k位元(第k位數)起直到第k-3位元(第k-3位數)為止的照射步驟，而展示有資料"1100"。針對束3，係對於從第k位元(第k位數)起直 到第k-3位元(第k-3位數)為止的照射步驟，而展示有資料"0110"。針對束4，係對於從第k位元(第k位數)起直到第k-3位元(第k-3位數)為止的照射步驟，而展示有資料"0111"。
在實施形態2中，如圖19中所示一般，在邏輯電路41中，由於係使用有橫移暫存器40，因此，在進行資料傳輸時，偏向控制電路130，係將相同位元(相同位數)之資料以束之配列順序(或者是辨識號碼順序)來資料傳輸至遮沒平板204之各邏輯電路41處。又，係輸出同步用之時脈訊號(CLK1)、資料讀出用之讀取訊號(read)、以及閘極訊號(BLK)。在圖21之例中，例如，作為束1~4之第k位元(第k位數)之資料，係從較後面之束側起而傳輸"0011"之各1位元的資料。各束之橫移暫存器40，係依據時脈訊號(CLK1)，而從上位側起，依序將資料傳輸至下一個的橫移暫存器40處。例如，束1~4之第k位元(第k位數)之資料，係藉由4次的時脈訊號，而在束1之橫移暫存器40處儲存有身為1位元的資料之"1"。在束2之橫移暫存器40處，係儲存有身為1位元的資料之"1"。在束3之橫移暫存器40處，係儲存有身為1位元的資料之"0"。在束4之橫移暫存器40處，係儲存有身為1位元的資料之"0"。
接著，各束之暫存器42，若是被輸入讀取訊號(read)，則各束之暫存器42係從橫移暫存器40而將各個束之第k位元(第k位數)之資料讀入。在圖21之 例中，作為第k位元(第k位數)之資料，在束1之暫存器42處，係儲存有身為1位元的資料之"1"。作為第k位元(第k位數)之資料，在束2之暫存器42處，係儲存有身為1位元的資料之"1"。作為第k位元(第k位數)之資料，在束3之暫存器42處，係儲存有身為1位元的資料之"0"。作為第k位元(第k位數)之資料，在束4之暫存器42處，係儲存有身為1位元的資料之"0"。各束之個別暫存器42，若是被輸入第k位元(第k位數)之資料，則係依據該資料來對於AND演算器44輸出ON/OFF訊號。若是第k位元(第k位數)之資料係為"1"，則係輸出ON訊號，若是為"0"，則係輸出OFF訊號。之後，在AND演算器44處，若是BLK訊號係為ON訊號，而暫存器42之訊號係為ON，則係對於放大器46輸出ON訊號，放大器46，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加ON電壓。於其以外的情況，AND演算器44，係對於放大器46輸出OFF訊號，放大器46，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加OFF電壓。
而，在該第k位元(第k位數)之資料正被進行處理的期間中，偏向控制電路130，係將下一個的第k-1位元(第k-1位數)之資料以束之配列順序(或者是辨識號碼順序)來資料傳輸至遮沒平板204之各邏輯電路41處。在圖21之例中，例如，作為束1~4之第k-1位元(第k-1位數)之資料，係從較後面之束側起而傳輸"1111"之各1位元的資料。各束之橫移暫存器40，係依據 時脈訊號(CLK1)，而從上位側起，依序將資料傳輸至下一個的橫移暫存器40處。例如，束1~4之第k-1位元(第k-1位數)之資料，係藉由4次的時脈訊號，而在束1之橫移暫存器40處儲存有身為1位元的資料之"1"。在束2之橫移暫存器40處，係儲存有身為1位元的資料之"1"。在束3之橫移暫存器40處，係儲存有身為1位元的資料之"1"。在束4之橫移暫存器40處，係儲存有身為1位元的資料之"1"。接著，根據第k-1位元(第k-1位數)之讀取訊號，各束之暫存器42，係只要從橫移暫存器40而將各個束之第k-1位元(第k-1位數)之資料讀入即可。以下，係只要同樣的而一直前進至第1位元(第1位數)之資料處理即可。
於此，針對圖19中所示之AND演算器44，係亦可作省略。但是，當在邏輯電路41內之各元件的某些元件發生故障並導致成為無法設為束OFF的狀態之情況時，係有著能夠藉由配置AND演算器44而將束控制為OFF的效果。又，在圖19中，雖係使用將橫移暫存器構成為串聯的1位元之資料傳輸路徑，但是，藉由設置複數之並列之傳輸路徑來謀求傳輸之高速化一事係亦為有效。
作為由對象位數之照射時間所致的描繪工程(S114)，係實施在各束之每一擊射中而分割成了複數的照射步驟之照射中的對象位數(例如第k位元(第k位數))之照射時間的描繪。
圖22，係為針對在實施形態2中之關於1個 擊射中的照射步驟之一部分的束ON/OFF切換動作作展示之流程圖。在圖22中，例如，係針對在構成多重束之複數之束中的1個束(束1)作展示。束1之從第k位元(第k位數)起直到第k-3位元(第k-3位數)為止的照射時間配列資料，在圖21之例中，係表示為"1101"。首先，藉由第k位元(第k位數)之讀取訊號的輸入，個別暫存器42(個別暫存器1)，係依據所儲存之第k位元(第k位數)的資料，而輸出ON/OFF訊號。在圖22中，係成為ON輸出。在實施形態2中，由於係為1位元之訊號，因此，個別暫存器42，係成為維持資料輸出，直到下一個的第k-1位元(第k-1位數)之資料被讀入為止。
第k位元(第k位數)之資料，由於係身為ON資料，因此，個別放大器46(個別放大器1)係輸出ON電壓，並對於束1用之遮沒電極24施加ON電壓。另一方面，在共通遮沒用之邏輯電路132內，係依據10位元之各照射步驟之時序資料，而對於ON/OFF進行切換。在共通遮沒機構處，係僅在各照射步驟之照射時間而輸出ON訊號。例如，若是設為△=1ns，則第1次之照射步驟(例如，第10位數(第10位元))之照射時間係成為△×512=512ns。第2次之照射步驟(例如，第9位數(第9位元))之照射時間係成為△×256=256ns。第3次之照射步驟(例如，第8位數(第8位元))之照射時間係成為△×128=128ns。以下，同樣的，係僅在各位數(各 位元)之照射時間而成為ON。在邏輯電路132內，若是於暫存器50處被輸入有各照射步驟之時序資料，而暫存器50輸出第k位數(第k位元)之ON資料，則計數器52係對於第k位數(第k位元)之照射時間進行計數，並以在經過了該照射時間時會成為OFF的方式來作控制。
又，在共通遮沒機構處，係相對於個別遮沒機構之ON/OFF切換，而在經過了放大器46之電壓安定時間(settling time)S1/S2之後，進行ON/OFF切換。在圖22之例中，在個別放大器1成為了ON之後，於經過了從OFF而切換為ON時之個別放大器1之安定時間S1之後，共通放大器係成為ON。藉由此，係能夠將在個別放大器1之上揚時的不安定之電壓下所進行之束照射排除。又，共通放大器，係在第k位數(第k位元)之照射時間經過後而成為OFF。其結果，實際之束，當個別放大器和共通放大器均成為ON的情況時，係成為束ON，並被照射至試料101處。故而，共通放大器之ON時間，係以會成為實際之束之照射時間的方式而被作控制。換言之，共通遮沒機構係成為對於照射時間作規定。亦即是，藉由計數器52(照射時間控制部)，共通放大器以及偏向器212係以對於照射時間作規定的方式而被作控制。另一方面，當個別放大器1成為OFF時而共通放大器成為ON的情況時，於個別放大器1成為了OFF之後，於經過了從ON而切換為OFF時之個別放大器1之安定時間S2 之後，共通放大器係成為ON。藉由此，係能夠將在個別放大器1之下挫時的不安定之電壓下所進行之束照射排除。又，如同圖22中所記載一般，個別放大器動作，若是設為在使共通放大器成為了OFF之後再開始，則係能夠排除不安定的動作，而能夠實施確實之束照射。
如同上述一般，作為個別束ON/OFF切換工程(S116)，係藉由複數之個別遮沒機構(遮沒平板204等)，而對於多重束中之各別所對應的束來進行束之ON/OFF控制，在每一束之各者處，係針對第k位數(第k位元)之照射步驟(照射)，而藉由該束用之個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換。在圖22之例中，第k-1位數(第k-1位元)之照射步驟，由於係並非身為束OFF，因此，係並未進行從ON而至OFF之切換，但是，當然的，例如，若是第k-1位數(第k-1位元)之照射步驟係身為束OFF，則係進行從ON而至OFF之切換。
又，作為共通束ON/OFF切換工程(S118)，除了在每一束之各者處，針對第k位數(第k位元)之照射步驟(照射)，而藉由個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換的動作以外，亦使用共通遮沒機構(邏輯電路132以及偏向器212等)，來對於多重束之全體而整批地進行束之ON/OFF控制，並以僅在對應於第k位數(第k位元)之照射步驟(照射)的照射時間中而成為束ON之狀態的方式，來進行遮沒控制。
如同上述一般，在遮沒平板204處，由於在 電路之設置面積和使用電流上係有所限制，因此係會成為簡易之放大電路。因此，在將個別放大器之安定時間縮短一事上，亦有所限制。相對於此，在共通遮沒機構處，係能夠在鏡筒之外，搭載具有充分大之使用電流以及電路規模的高精確度之放大電路。故而，係能夠將共通放大器之安定時間縮短。因此，在實施形態2中，係於藉由個別遮沒機構而設為了束ON之後(或者是在對象位數之讀取訊號輸出後)，於經過了安定時間之後，藉由共通遮沒機構來設為束ON，藉由此，係能夠將遮沒平板上之個別放大器的電壓不安定時間以及包含有串訊(crosstalk)之雜訊成分排除，並且能夠以高精確度之照射時間來進行遮沒動作。
作為判定工程(S120)，描繪控制部72，係判定是否針對照射時間配列資料而結束了所有位數之資料的傳輸。當尚未結束的情況時，係前進至位數變更工程(S122)。當已結束的情況時，係前進至判定工程(S124)。
作為位數變更工程(S122)，描繪控制部72，係對於對象位元(位數)作變更。例如，係將對象位數從第k位數(第k位元)而變更為第k-1位數(第k-1位元)。之後，回到對象位數之資料傳輸工程(S112)。之後，針對第k-1位數(第k-1位元)之處理，實施對象位數之資料傳輸工程(S112)~位數變更工程(S122)之處理。之後，同樣的反覆進行上述處理，直到在判定工程 (S120)中判定針對照射時間配列資料而結束了所有位數之資料的傳輸為止。
在圖22之例中，在第k位元(第k位數)之照射步驟用之束ON時間的經過後，第k-1位數(第k-1位元)之讀取訊號係被輸入至暫存器42中。針對束1，在暫存器42處，由於第k-1位數(第k-1位元)之資料係為"1"，因此係接著成為ON輸出。故而，係成為個別放大器1之輸出之ON，ON電壓係被施加於個別遮沒用之電極24處。而，同樣的，在經過了個別放大器1之安定時間後，藉由共通遮沒機構來設為束ON。而，在經過了第k-1位數(第k-1位元)之照射時間後，藉由共通遮沒機構來設為束OFF。
接著，在第k-1位數(第k-1位元)之照射步驟用之束ON時間的經過後，第k-2位數(第k-2位元)之讀取訊號係被輸入至暫存器42中。針對束1，在暫存器42處，由於第k-2位數(第k-2位元)之資料係為"0"，因此係切換為OFF輸出。故而，個別放大器1之輸出係成為OFF，OFF電壓係被施加於個別遮沒用之電極24處。而，同樣的，在經過了個別放大器1之安定時間後，藉由共通遮沒機構來設為束ON。但是，由於個別放大器1輸出係為OFF，因此，其結果，束1係成為束OFF。而，在經過了第k-2位數(第k-2位元)之照射時間後，藉由共通遮沒機構來設為束OFF。
接著，在第k-2位數(第k-2位元)之照射步 驟用之束ON時間的經過後，第k-3位數(第k-3位元)之讀取訊號係被輸入至暫存器42中。針對束1，在暫存器42處，由於第k-3位數(第k-3位元)之資料係為"1"，因此係切換為ON輸出。故而，係成為個別放大器1之輸出之ON，ON電壓係被施加於個別遮沒用之電極24處。而，同樣的，在經過了個別放大器1之安定時間後，藉由共通遮沒機構來設為束ON。此時，由於個別放大器1輸出係為ON，因此，其結果，束1係成為束ON。而，在經過了第k-3位數(第k-3位元)之照射時間後，藉由共通遮沒機構來設為束OFF。
如同上述一般，係使用對於多重束中之各別所對應的束來個別地進行束之ON/OFF控制的複數之個別遮沒機構，來在每一束之各者處，針對與位數之數量相同次數的照射(位數次之照射步驟)之各次的照射，而藉由該束用之個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換。又，同時地，除了在每一束之各者處，針對與位數之數量相同次數的照射(位數次之照射步驟)之各次的照射，而藉由個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換的動作以外，亦使用對於多重束之全體而整批地進行束之ON/OFF控制之共通遮沒機構，而以僅在對應於該位數之照射的照射時間中而成為束ON之狀態的方式，來進行遮沒控制。藉由該些個別遮沒機構和共通遮沒機構之切換動作，係將分別與各位數相互對應之照射時間的束依序對於試料101進行照射。
從電子槍201(放出部)所放出之電子束200，係藉由照明透鏡202而略垂直地對於光圈構件203全體作照明。在光圈構件203處，係被形成有矩形之複數的孔(開口部)，電子束200，係對於包含有複數之孔的全部孔之區域作照明。被照射至複數之孔的位置處之電子束200的各一部分，係藉由分別通過此光圈構件203之複數之孔，而形成例如矩形形狀之複數之電子束(多重束)20a~e。此些多重束20a~e，係通過遮沒平板204之分別所對應的遮沒器(第1偏向器：個別遮沒機構)內。此些遮沒器，係分別使個別地通過之電子束20作偏向(進行遮沒偏向)。
圖23，係為用以對於在實施形態2中之遮沒動作作說明的概念圖。通過了遮沒平板204後之多重束20a~e，係藉由縮小透鏡205而被縮小，並朝向被形成在限制光圈構件206處之中心的孔而前進。於此，藉由遮沒平板204之遮沒器而作了偏向的電子束20，其位置係從限制光圈構件206(遮沒光圈構件)之中心的孔而偏離，並被限制光圈構件206所遮沒。另一方面，並未藉由遮沒平板204之遮沒器而作偏向的電子束20，若是並未被偏向器212(共通遮沒機構)而作偏向，則係如圖1中所示一般，通過限制光圈構件206之中心的孔。藉由此些之個別遮沒機構的ON/OFF和共通遮沒機構的ON/OFF之組合，而進行遮沒控制，束之ON/OFF係被作控制。如此這般，限制光圈構件206，係將藉由個別遮沒機構或者 是共通遮沒機構而以成為束OFF之狀態的方式來作了偏向之各束作遮蔽。並且，藉由從成為束ON起直到成為束OFF為止所形成的通過了限制光圈構件206之束，來形成將1次之擊射更進而作了分割的照射步驟之束。通過了限制光圈構件206之多重束20，係藉由對物透鏡207而作了對焦，並成為所期望之縮小率的圖案像，再藉由偏向器208，來使通過了限制光圈構件206之各束(多重束20全體)整批地偏向至相同方向處，並照射至各束之在試料101上的各別之照射位置處。又，例如當XY平台105正在作連續移動時，係以使束之照射位置追隨於XY平台105之移動的方式，來藉由偏向器208而進行控制。在一次中被作了照射的多重束20，理想上，係會成為以在光圈構件203之複數之孔的配列節距上乘上了上述之所期望之縮小率後的節距來作並排。描繪裝置100，係以將擊射束連續地依序逐次作照射之光柵掃描方式來進行描繪動作，在描繪所期望之圖案時，係因應於圖案，而將必要之束藉由遮沒控制而控制為束ON。
作為判定工程(S124)，描繪控制部72，係判定全部之擊射是否已結束。之後，若是全部擊射均結束，則結束動作，當全部之擊射尚未結束的情況時，則係回到階度值N算出工程(S106)，並反覆進行從階度值N算出工程(S106)起直到判定工程(S124)為止之工程，直到全部擊射均結束為止。
在實施形態2中之描繪動作，係與圖11以及 圖11中之說明相同。又，在實施形態2中之條帶內的描繪動作之其中一例，係可適用與在圖12A~圖15C中所作了說明的內容相同之內容。
如同上述一般，若依據實施形態2，則除了能夠發揮實施形態1之效果以外，亦能夠更進而在維持電路設置空間之限制的同時而使照射時間控制之精確度乃至於照射量控制之精確度有所提昇。又，個別遮沒機構之邏輯電路41，由於係為1位元之資料量，因此亦能夠對於消耗電力作抑制。
實施形態3
在上述之實施形態2中，雖係針對將n次之照射步驟用之資料例如以從較大者起之順序來進行資料傳輸的情況而作了說明，但是，係並不被限定於此。在實施形態3中，係針對將複數之照射步驟用之資料作組合並進行傳輸的情況作說明。在實施形態3中之裝置的構成，係與圖16相同。又，對於在實施形態3中之遮沒平板的構成之其中一例作展示之上面圖，係與圖17相同。另外，在圖17中，雖係對於以4位元之並列配線來作連接的情況而作了展示，但是，在實施形態3中，係如同後述一般，以8位元之並列配線而被作連接。又，對於在實施形態3中之描繪方法的重要部分工程作展示之流程圖，係與圖20相同。又，以下，除了特別作說明之處以外，其他內容係與實施形態2相同。
藉由將各束之第k-1位數(第k-1位元)之ON/OFF資料的傳輸與第k位元(第k位數)之照射步驟並列地來進行，係能夠將資料傳輸之時間包含在照射步驟之照射時間中。但是，由於若是k變得越小則照射步驟之照射時間會變得越短，因此，要將第k-1位數(第k-1位元)之ON/OFF資料的傳輸包含在照射步驟之照射時間內一事係會逐漸變得困難。因此，在實施形態3中，係將照射時間為長之位數和照射時間為短之位數作群組化。藉由此，係能夠將下一個群組之資料傳輸時間，包含在照射步驟中之被作了群組化的照射時間之合計內。群組化，若是以使被作了群組化之照射時間的合計間之差會更接近於均一化的方式，來設定複數之群組，則為理想。例如，若是以像是第n位數(第n位元)和第1位數(第1位元)之群組、第n-1位數(第n-1位元)和第2位數(第2位元)之群組、第n-2位數(第n-2位元)和第3位數(第3位元)之群組、…的方式，來進行群組化，則為理想。如此這般，係能夠藉由例如2位元的控制訊號來對於各束用之個別遮沒控制進行控制。
圖24A和圖24B，係為對於在實施形態3中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例和比較例中之橫移暫存器群的連接狀態之其中一例作展示之圖。在圖24A以及圖24B中，針對控制電路41內之橫移暫存器40以外的電路，係省略圖示。在比較例中，如同圖24A中所示一般，係對於將每一行之群組的橫移暫存器群(第1橫移暫 存器群)全部作了串聯連接的情況時之一部分作展示。在圖24A之例中，例如，係針對將圖17中所示之從上側起之第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40的全部，藉由2位元之並列配線來作了串聯連接的情況作展示。序列、並列轉換部28，係藉由2位元之並列配線，而被與每一行的群組之橫移暫存器群的其中一者(序列、並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。另外，在圖24A之例中，係針對8個的個別遮沒機構47中之6個的個別遮沒機構47作展示，其餘則係省略圖示。又，在圖24A之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列、並列轉換部28者起來定義為束1、束2、…。在圖24A所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有8個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束8處，係成為需要進行8次的時脈動作。故而，在圖24A之例中，於1次之束擊射中，例如係成為需要8次的時脈動作。
相對於此，在實施形態3中，如同圖24B中所示一般，係對於將每一行之群組中的次群組之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)作了串聯連接的情況時之一部分作展示。例如，係將以「A1」來標示之次群組之例如2個的個別遮沒機構47之橫移暫存器40，藉由2位元之並列配線來作串聯連接。同時，例如，係將以「A2」來標示之次群組之例如2個的個別遮沒機構47之橫移暫存器 40，藉由2位元之並列配線來作串聯連接。序列、並列轉換部28，係藉由8位元之並列配線，而被與每一行的群組之橫移暫存器群中的每一次群組之各一者(每一次群組之序列、並列轉換部28側之端部的橫移暫存器40)作連接。針對其他之次群組，亦為相同。
換言之，各序列、並列轉換部28，係藉由在橫移暫存器40所進行資料處理之位元數上乘上次群組之數量後的數量之並列配線，來分別與所對應的群組內之各次群組的橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)作連接。
另外，在圖24B之例中，與圖24A相同的，係針對8個的個別遮沒機構47中之6個的個別遮沒機構47作展示，其餘則係省略圖示。又，在圖24B之例中，係將通過第1行的以「A」來標示之例如8個的個別遮沒機構47之各束，例如從較接近序列、並列轉換部28者起來定義為束1、束2、…。在圖24B所示之構成中，當在第1行之「A」中例如被配置有8個的個別遮沒機構47的情況時，為了使用橫移暫存器40來將遮沒訊號一直傳輸至束8處，由於藉由被作了串聯連接之各2個的橫移暫存器40所構成之4個的次群組係被作並聯連接，因此，係成為僅需要進行2次的時脈動作即可。故而，當次群組數量為K時，係能夠將時脈動作降低至1/K。於此，係能夠將時脈動作降低至1/4。
故而，係能夠將每單位時間之時脈動作次數降低，而能夠抑制(或者是降低)發熱量。其結果，係能 夠抑制(或者是降低)遮沒平板之發熱量。故而，係能夠使其進行高速動作。進而，就算束之根數增加並導致配置在1行上之橫移暫存器的數量增加，亦可藉由將次群組之數量增加，而成為能夠達成遮沒平板之發熱量之抑制以及高速動作。例如，就算是在束之根數有所增加的情況時，也能夠不使時脈動作次數增加，並使發熱量成為1/K。或者是，係能夠以相同之發熱量而進行K倍的高速動作。
進而，在實施形態3中，係於各群組之每一者處，連接1組的序列、並列轉換部28和連接墊29之組。因此，就算是使次群組之數量增加，亦能夠並不使序列、並列轉換部28和連接墊29之組數增加。故而，係能夠避免像是連接墊之間隔變得過窄而成為難以作配置之類的問題。
進而，在實施形態3中，與實施形態2相同的，如圖17以及圖24B中所示一般，若是各次群組內之被作了串聯連接的橫移暫存器群之各橫移暫存器40係被以相同之節距來作配置，則為理想。藉由此，係能夠使次群組內之被作串聯連接的橫移暫存器間之配線長度實質性地成為相同。故而，係能夠使阻抗相互一致，而能夠使相對於時脈之訊號的傳輸延遲成為均一。故而，係能夠使訊號之傳達時序相互一致。進而，在實施形態3中，如圖17中所示一般，例如，針對被配列成8行×8列之複數的個別遮沒機構47之各行，係以將第1次群組(A1、B1、…、H1)和第2次群組(A2、B2、…、H2)和第3 次群組(A3、B3、…、H3)以及第4次群組(A4、B4、…、H4)一個一個地依序作並排並且反覆進行此種配列的方式，來將個別遮沒機構47(換言之，橫移暫存器40)以相同之節距來作配置。故而，針對在遮沒平板204上而被配列為2維之所有的橫移暫存器，係能夠使被作串聯連接的橫移暫存器間之配線長度實質性地成為相同。故而，在多重束之各擊射中，係能夠使相對於時脈之訊號的傳達延遲成為均一。
進而，在實施形態3中，如同圖17中所示一般，若是於各群組之每一者中，該群組內之複數之次群組，係分別藉由相同數量之橫移暫存器群(第3橫移暫存器群)而被作群組化，則為理想。若是在次群組之間而橫移暫存器數量為相異，則在進行各擊射時，動作速度會被律速為橫移暫存器數量為多之次群組的時脈動作次數。故而，藉由如同實施形態2一般地而將次群組間之橫移暫存器數量統一，係能夠降低時脈動作次數。
圖25，係為對於在實施形態3中之個別遮沒控制電路和共通遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。在圖25中，在被配置於描繪裝置100本體內的遮沒平板204處之個別遮沒控制用之各邏輯電路41中，係更進而被追加有選擇器48，並且，係藉由例如2位元之控制訊號來對於各束用之各別遮沒控制進行控制，除此之外，係與圖19相同。於此，例如，係針對將2個的照射步驟作組合並設定1個的群組的情況作展示。因此，作為 群組內之各照射步驟用，係使用1次1位元之控制訊號。故而，在每一群組處係使用2位元之控制訊號。就算是將控制訊號設為2位元，束ON/OFF用之控制電路，亦能夠相較於以10位元來進行照射量控制之電路而將邏輯電路自身作大幅度的縮小化。故而，在(藉由共通遮沒機構之使用)使遮沒控制之回應性提昇的同時，亦能夠將(在遮沒平板上之電路的)設置面積縮小。換言之，就算是當在設置空間為窄之遮沒平板204上配置邏輯電路的情況時，亦能夠實現更小之束節距，並同時使照射量控制之精確度提昇。
圖26，係為針對在實施形態3中之關於1個擊射中的照射步驟之一部分的束ON/OFF切換動作作展示之流程圖。在圖26中，例如，係針對在構成多重束之複數之束中的1個束(束1)作展示。於此，例如，係針對束1之從第n位數(第n位元)和第1位數(第1位元)之群組起直到第n-1位數(第n-1位元)和第2位數(第2位元)之群組為止的照射步驟作展示。照射時間配列資料，例如，係針對當第n位數(第n位元)為"1"、第1位數(第1位元)為"1"、第n-1位數(第n-1位元)為"0"、第2位數(第2位元)為"1"的情況作展示。
首先，藉由第n位數(第n位元)和第1位數(第1位元)之群組的讀取訊號之輸入，個別暫存器42(個別暫存器訊號1(第n位數)以及個別暫存器訊號2(第1位數))，係依據所儲存之第n位元(第n位 數)和第1位元(第1位數)的資料，而將ON/OFF訊號並列地(作為並列傳輸送訊地)而輸出。在實施形態3中，由於係為2位元訊號，因此係有必要對於訊號作選擇並進行切換。
在圖26中，首先，藉由選擇器48，個別暫存器訊號1之資料係被選擇，第n位元(第n位數)之ON訊號係被輸出至個別放大器處。接著，個別暫存器42之輸出，係藉由選擇器48之切換而使個別暫存器訊號2之資料被選擇，並從第n位元(第n位數)之輸出而切換至第1位元(第1位數)之輸出。以下，係與每一照射步驟處，而依序反覆進行此一切換。
第n位元(第n位數)之資料，由於係身為ON資料，因此，個別放大器46(個別放大器1)係輸出ON電壓，並對於束1用之遮沒電極24施加ON電壓。另一方面，在共通遮沒用之邏輯電路132內，係依據10位元之各照射步驟之時序資料，而對於ON/OFF進行切換。在共通遮沒機構處，係僅在各照射步驟之照射時間而輸出ON訊號。例如，若是設為△=1ns，則第1次之照射步驟(例如，第10位數(第10位元))之照射時間係成為△×512=512ns。第2次之照射步驟(例如，第1位數(第1位元))之照射時間係成為△×1=1ns。第3次之照射步驟(例如，第9位數(第9位元))之照射時間係成為△×256=256ns。第4次之照射步驟(例如，第2位數(第2位元))之照射時間係成為△×2=2ns。以下，同樣 的，係僅在各群組之位數(各位元)之照射時間而成為ON。在邏輯電路132內，若是於暫存器50處被輸入有各照射步驟之時序資料，則暫存器50係輸出第k位數(第k位元)之ON資料，計數器52係對於第k位數(第k位元)之照射時間進行計數，並以在經過了該照射時間時會成為OFF的方式來作控制。以下，係於每一群組而依序進行束之照射。
如同上述一般，若依據實施形態3，則係能夠將資料傳輸時間包含在照射步驟中之被作了群組化的照射時間之合計內。
另外，在上述之實施形態3中，雖係採用將2個的資料之切換使用選擇器來進行切換的構成，但是，就算是採用並不使用選擇器地而依序藉由橫移暫存器來進行傳輸，亦為有效。
又，在上述之實施形態3中，雖係針對將2個照射步驟作了群組化的情況之形態而作了說明，但是，係並不被限定於此。例如，當將3個照射步驟作了群組化的情況時，係能夠使資料傳輸時間和照射步驟中之被作了群組化的照射時間之合計時間更為均一化。進而，若是將被作群組化之照射步驟增加，則係能夠達成更進一步之均一化。例如，當將照射步驟設為2進位數之各位數的情況時，若是將進行群組化之照射步驟設為3個或4個，則係能夠得到充分的均一化效果。但是，若是增加個數，則係會相應於此個數之增加而使所需要的暫存器數量增加，其 結果，會成為亦導致電路面積有所增加，因此，關於要將幾個照射步驟作群組化一事，若是因應於需求而適宜作選擇，則為理想。
具體性之實施形態，係並不被限定於上述之內容，而可依據「構成為能夠將群組資料之傳輸時間包含在照射步驟中之被作了群組化的照射時間之合計內」之本發明的要旨，來選擇各種的實施形態。
實施形態4
在上述之實施形態2、3中，雖係使用個別遮沒控制用之遮沒平板204和共通遮沒控制用之偏向器212，來對於各束之每一者，而針對將1個擊射作了分割的複數次之照射的各次之照射步驟(分割擊射)來進行了遮沒控制，但是，係並不被限定於此。在實施形態4中，係針對下述一般之構成作說明：亦即是，並不使用共通遮沒用之偏向器212地，而使用個別遮沒控制用之遮沒平板204，來對於各束之每一者，而針對將1個擊射作了分割的複數次之照射的各次之照射步驟來進行遮沒控制。
圖27，係為對於在實施形態4中之描繪裝置的構成作展示之概念圖。在圖27中，除了並不存在有偏向器212、以及邏輯電路132之輸出為被與遮沒平板204作連接之點以外，其他構成係與圖16相同。又，對於在實施形態4中之遮沒平板的構成之其中一例作展示之上面圖，係與圖17相同。又，對於在實施形態4中之描繪方 法的重要部分工程作展示之流程圖，係與圖20相同。以下，除了特別作說明之點以外，其他內容係與實施形態2相同。
圖28，係為對於在實施形態4中之個別遮沒控制電路和共通遮沒控制電路的內部構成作展示之概念圖。在圖28中，除了並不存在有偏向器212、以及在AND演算器44(邏輯積電路)處係代替從偏向控制電路130而來之訊號而被輸入有邏輯電路132之輸出訊號之點以外，其他內容係與圖19相同。
作為個別束ON/OFF控制工程(S116)，係使用對於多重束中之各別所對應的束來個別地輸出束之ON/OFF控制訊號的具備有橫移暫存器40和個別暫存器42之複數之邏輯電路(第1邏輯電路)，來在每一束之各者處，針對複數次之照射的各次之照射，而藉由該束用之邏輯電路(第1邏輯電路)來輸出束之ON/OFF控制訊號(第1ON/OFF控制訊號)。具體而言，如同上述一般，各束之個別暫存器42，若是被輸入第k位元(第k位數)之資料，則係依據該資料來對於AND演算器44輸出ON/OFF訊號。若是第k位元(第k位數)之資料係為"1"，則係輸出ON訊號，若是為"0"，則係輸出OFF訊號。
又，作為共通束ON/OFF切換工程(S118)，係在各束之每一者處，針對複數次之照射的各次之照射，而藉由個別遮沒用之邏輯電路來進行束之ON /OFF控制訊號的切換，之後，使用對於多重束之全體而整批性地輸出束之ON/OFF控制訊號的邏輯電路132(第2邏輯電路)，來以會僅在與該照射相對應之照射時間中而成為束ON之狀態的方式，而輸出束之ON/OFF訊號(第2ON/OFF控制訊號)。具體而言，在共通遮沒用之邏輯電路132內，係依據10位元之各照射步驟之時序資料，而對於ON/OFF進行切換。邏輯電路132，係將該ON/OFF控制訊號輸出至AND演算器44處。在邏輯電路132處，係僅在各照射步驟之照射時間而輸出ON訊號。
之後，作為遮沒控制工程，AND演算器44，係當個別束用之ON/OFF控制訊號和共通束用之ON/OFF控制訊號均身為ON控制訊號的情況時，針對該束而以會僅在與該照射相對應之照射時間中而成為束ON之狀態的方式來進行遮沒控制。AND演算器44，當個別束用和共通束用之ON/OFF控制訊號均身為ON控制訊號的情況時，係對於放大器46輸出ON訊號，放大器46，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加ON電壓。於其以外的情況，AND演算器44，係對於放大器46輸出OFF訊號，放大器46，係對於個別遮沒偏向器之電極24施加OFF電壓。如此這般，個別遮沒偏向器之電極24(個別遮沒機構)，當個別束用和共通束用之ON/OFF控制訊號均身為ON控制訊號的情況時，係針對該束而以會僅在與該照射相對應之照射時間中而成為束ON之狀態的方式 來個別地進行束之ON/OFF控制。
另外，個別遮沒電路，由於係被配置在遮沒平板之廣大的範圍中，因此，起因於由電路所致的延遲或者是由配線長度所致的延遲，會導致在個別遮沒電路之動作中而無可避免地產生時間性之偏差，但是，若是構成為在起因於此種回應速度之偏差而導致的個別遮沒電路之動作已收斂之處再從共通遮沒機構來供給束ON訊號，則係能夠避免起因於個別之電路的延遲等所導致的不安定之束照射。
如同上述一般，就算是並不使用共通遮沒用之偏向器212地而僅使用個別遮沒控制用之遮沒平板204，亦能夠與實施形態1相同地而維持電路設置空間之限制。又，個別遮沒用之邏輯電路41，由於係為1位元之資料量，因此亦能夠對於消耗電力作抑制。又，係亦有著能夠將共通遮沒用之偏向器212省略的優點。
另外，在本實施形態中，共通遮沒用之邏輯電路132，雖然係亦可獨立地來製作，但是，係亦能夠設置在遮沒平板之周邊部分處並作為一體性構造之積體電路來製作之。若是設置在遮沒平板之周邊部分處，則係能夠將其與個別遮沒電路間之配線長度縮短，而有著成為易於進行正確的時序控制之優點。
另外，在上述之例中，雖係針對個別遮沒用之邏輯電路41乃身為1位元之資料量的情況來作了展示，但是，係並不被限定於此，實施形態4之構成，係亦 可針對如同實施形態3一般之2位元之資料量的情況作適用。又，實施形態4之構成，係亦可適用在其他實施形態中。
以上，係一面參考具體例一面針對實施形態作了說明。但是，本發明，係並不被限定於此些之具體例。在上述之例中，雖係針對在橫移暫存器40處被輸入有10位元之控制訊號的情況來作了展示，但是，位元數係只要適宜作設定即可。例如，係亦可使用2位元或者是3位元~9位元之控制訊號。在此種情況時，在各次群組中之被作串聯連接之橫移暫存器40彼此間，以及被作串聯連接之橫移暫存器40的端部之橫移暫存器40與序列、並列轉換部28之間，係只要藉由所設定了的位元數之並列配線來作連接即可。另外，係亦可使用11位元以上之控制訊號。
又，針對裝置構成或控制手法等之對於本發明之說明而言並非為直接必要的部份等，係省略記載，但是，係可適宜選擇所需要之裝置構成或控制手法並使用之。例如，針對控制描繪裝置100之控制部構成，雖係省略記載，但是，當然的，係適宜選擇所需要之控制部構成並作使用。
除此之外，具備有本發明之要素並且可為同業者所適宜進行設計變更的所有之多重荷電粒子束描繪裝置以及方法，均係被包含在本發明之範圍內。
28‧‧‧序列、並列轉換部
29‧‧‧連接墊
40‧‧‧橫移暫存器
47‧‧‧個別遮沒機構

Claims (12)

  1. 一種多重荷電粒子束之遮沒裝置，其特徵為，係具備有：複數之橫移暫存器，係被配列為2維；和複數之資料送訊器，係於第2橫移暫存器群之每一者處而各被配置有1個，該第2橫移暫存器群，係將被配列為2維之前述複數之橫移暫存器中的分別並排於相同之行(row)或者是相同之列(column)上之第1橫移暫存器群，群組化為1以上之群組所成，第2橫移暫存器群之各者，係更進而分別被次群組化為複數之次群組，在各次群組之每一者處，構成次群組之第3橫移暫存器群係被作串聯連接，前述複數之資料送訊器，係分別以使所對應之群組內的所有之次群組被並聯地作連接的方式，而被與各第3橫移暫存器群之每一者的被作了串聯連接之各1個作連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，各次群組內之被作了串聯連接的第3橫移暫存器群之各橫移暫存器，係被以相同之節距來作配置。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，於各群組之每一者中，該群組內之複數之次群組，係分別藉由相同數量之第3橫移暫存器群而被作群組化。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述複數之資料送訊器，係藉由在橫移暫存器所進行資料處理之位元數上乘上次群組之數量後的數量之並列配線，來 與所對應的群組內之各第3橫移暫存器群作連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述第1橫移暫存器群，係具備有1個的群組之前述第2橫移暫存器群之全部、和其他之複數的群組之前述第2橫移暫存器群中的1個。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述第2橫移暫存器群，係藉由前述第1橫移暫存器群中之各隔著k個所配置的複數之橫移暫存器群所構成。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之裝置，其中，前述第2橫移暫存器群，係藉由前述第1橫移暫存器群中之各隔著1個所配置的複數之橫移暫存器群所構成。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述第3橫移暫存器群，係分別藉由前述第2橫移暫存器群中之被作了串聯連接的複數之橫移暫存器所構成。
  9. 如申請專利範圍第6項所記載之裝置，其中，前述第3橫移暫存器群，係藉由在以各隔著n個所配置的複數之橫移暫存器群而構成的前述第2橫移暫存器群中之被作了串聯連接的複數之橫移暫存器所構成。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述複數之資料送訊器，係分別藉由1個或一對之連接墊和1個的序列、並列轉換部所成之組，而構成之。
  11. 如申請專利範圍第1項所記載之裝置，其中，前述複數之資料送訊器，係分別具備有將被作了序列傳輸之訊號作輸出的連接墊、和將從前述連接墊而來之第1訊號 轉換為並列傳輸之第2訊號並作輸出的序列、並列轉換部。
  12. 一種多重荷電粒子束描繪方法，其特徵為：係使用對於由荷電粒子束所致之多重束中的分別所對應之束而個別地進行束之ON/OFF控制的複數之個別遮沒機構，來對於各束之每一者，而針對複數次之照射的各次之照射，藉由該束用之個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換，並與對於各束之每一者而針對前述複數次之照射的各次之照射而藉由前述個別遮沒機構來進行束之ON/OFF切換一事相互獨立地，而使用對於前述多重束之全體來整批地進行束之ON/OFF控制的共通遮沒機構，來以僅在與該照射相對應之照射時間中會成為束ON之狀態的方式而進行遮沒控制，前述複數之個別遮沒機構，係具備有：複數之橫移暫存器，係被配列為2維；和複數之資料送訊器，係於第2橫移暫存器群之每一者處而各被配置有1個，該第2橫移暫存器群，係將被配列為2維之前述複數之橫移暫存器中的分別並排於相同之行(row)或者是相同之列(column)上之第1橫移暫存器群，群組化為1以上之群組所成，第2橫移暫存器群之各者，係更進而分別被次群組化為複數之次群組，在各次群組之每一者處，構成次群組之第3橫移暫存器群係被作串聯連接，前述複數之資料送訊器，係分別以使所對應之群組內 的所有之次群組被並聯地作連接的方式，而被與各第3橫移暫存器群之每一者的被作了串聯連接之各1個作連接。
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