JP2002319532A - 荷電粒子線露光装置及びデバイスの製造方法並びに荷電粒子線応用装置 - Google Patents

荷電粒子線露光装置及びデバイスの製造方法並びに荷電粒子線応用装置

Info

Publication number
JP2002319532A
JP2002319532A JP2001124758A JP2001124758A JP2002319532A JP 2002319532 A JP2002319532 A JP 2002319532A JP 2001124758 A JP2001124758 A JP 2001124758A JP 2001124758 A JP2001124758 A JP 2001124758A JP 2002319532 A JP2002319532 A JP 2002319532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charged particle
particle beam
array
electron
electron optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001124758A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4647820B2 (ja
JP2002319532A5 (ja
Inventor
Masato Muraki
真人 村木
Yasunari Hayata
康成 早田
Shinichi Hashimoto
伸一 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Advantest Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Canon Inc
Advantest Corp
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc, Advantest Corp, Hitachi Ltd filed Critical Canon Inc
Priority to JP2001124758A priority Critical patent/JP4647820B2/ja
Priority to US10/125,439 priority patent/US6903353B2/en
Priority to TW091108248A priority patent/TW559883B/zh
Priority to DE60233994T priority patent/DE60233994D1/de
Priority to EP02252818A priority patent/EP1253619B1/en
Priority to KR10-2002-0021943A priority patent/KR100495651B1/ko
Publication of JP2002319532A publication Critical patent/JP2002319532A/ja
Publication of JP2002319532A5 publication Critical patent/JP2002319532A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4647820B2 publication Critical patent/JP4647820B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H01J2237/0437—Semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】縮小電子光学系の性能を上げずに、高精度なマ
ルチ荷電粒子線露光装置を提供する。 【解決手段】荷電粒子線を放射する荷電粒子源ＥＳと、
荷電粒子源ＥＳからの荷電粒子線を複数の荷電粒子線に
分割する複数の開口が配列されたアパーチャアレイＡＡ
と、アパーチャアレイＡＡからの複数の荷電粒子線によ
り略同一平面上に荷電粒子線源ＥＳの複数の中間像を形
成するための複数の電子レンズが配列されたレンズアレ
イＬＡと、複数の中間像が形成される平面上に位置し、
複数のブランカーを有するブランカーアレイＢＡと、荷
電粒子源ＥＳの像を基板に縮小投影する縮小電子光学系
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線露光装
置及びデバイスの製造方法並びに荷電粒子線応用装置に
係り、特に、複数の荷電粒子線を利用して基板にパター
ンを描画する荷電粒子線露光装置及びそれを利用したデ
バイスの製造方法、並びに荷電粒子線応用装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光装置には、電子ビームを
スポット状にして使用するポイントビーム型、サイズ可
変の矩形にして使用する可変矩形ビーム型、所望形状の
ビーム通過孔を有するステンシルマスクを作成してお
き、そのステンシルによってビームを所望形状にして使
用するステンシルマスク型等がある。
【０００３】ポイントビーム型は、微細なパターンを形
成するのに適しているが、非常にスループットが低いの
で、研究開発用にしか使用されない。可変矩形ビーム型
は、これより１〜２桁スループットが高いが、100nm程
度の微細パターンが高集積度で詰まったパターンを描画
する場合には、やはりスループットが低い。
【０００４】いかなるパターンでも描画が可能な方法と
して、２次元ブランキングアパーチャアレーを利用した
露光方法がある（例えば、実公昭56−19402号公報参
照）。これは、シリコン等の半導体結晶基板にビーム通
路用の複数の開口を２次元的に多数配置し、各開口の両
端に一対のブランキング電極を形成し、該電極間に電圧
を印加するか否かをパターンデータに従って制御する方
法である。すなわち、この方法では、複数の開口を各々
通過した複数のビームを直進させるか偏向させるかを個
別に制御することにより、該複数のビームを試料に照射
するか否かを個別に制御する。例えば、開口の両端の電
極のうち一方の電極をグランドに落とし、他方の電極に
電圧を印加すると、該開口を通過した電子ビームは偏向
されるので、ブランキングアパーチャアレーの下部に設
置されたアパーチャストップで遮断されてビームが試料
に照射されない。又、他方の電極に電圧を印加しない
と、開口を通過した電子ビームは偏向されないので、ブ
ランキングアパーチャアレーの下部に設置されたアパー
チャストップで遮断されずにビームが試料面に照射され
る。
【０００５】図９は、２次元ブランキングアパーチャア
レーの構成を概略的に示す図である。２次元ブランキン
グアパーチャアレーでは、複数の開口（AP）が２次元に
配置されており、各々の開口には一対の電極（EL）が形
成されている。２次元ブランキングアパーチャアレーに
は、複数の開口の電極に印加する電圧をパターンデータ
に従って個別に制御するための配線及び素子が形成され
ている。例えば、開口（AP）は、直径が２０μｍ、配列
ピッチが１００μｍであり、電極(EL)は、厚さが１０μ
ｍ、幅が１０μｍ、長さ（深さ方向）が５０μｍ程度で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、試料上を電子
ビームで走査して、１００ｎｍの線幅を有するパターン
を描画する際、試料上の電子ビームのサイズを２５ｎｍ
以下にすることが必要とされている。
【０００７】しかしながら、現状では、製造上の理由に
より、ブランカーアレイの開口の大きさは、１０μｍ×
１０μｍが限界である。したがって、そのような開口で
形状が規定された電子ビームを縮小電子光学系で縮小し
て２５ｎｍ以下にするには、縮小電子光学系の縮小倍率
を400倍にする必要があり、現実的に難しい。
【０００８】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、その１つの側面は、縮小電子光学系を性能を
上げることなく、微小なパターンの描画を実現すること
を目的とする。
【０００９】また、本発明の他の側面は、縮小電子光学
系の性能を上げることなく、複数の制御可能な微細な荷
電粒子線を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面は、
複数の荷電粒子線を利用して基板にパターンを描画する
荷電粒子線露光装置に係り、荷電粒子線を放射する荷電
粒子源と、前記荷電粒子線源の複数の中間像を実質的に
１つの平面上に形成する電子光学素子と、前記複数の中
間像を各々形成している複数の荷電粒子線を遮断するか
否かを個別に制御する複数のブランカーが配列されたブ
ランカーアレイと、前記電子光学素子によって形成され
た中間像を基板上に縮小投影する縮小電子光学系とを備
え、前記ブランカーアレイは、前記平面上に配置されて
いることを特徴とする。
【００１１】本発明の好適な実施の形態によれば、この
荷電粒子線露光装置は、前記ブランカーアレイと前記縮
小電子光学系との間に配置された補正レンズアレイを更
に備え、前記補正レンズアレイには、前記電子光学素子
によって形成される複数の中間像の虚像を前記縮小電子
光学系の収差に応じた位置に各々形成する複数の電子レ
ンズが配列されていることが好ましい。
【００１２】また、本発明の好適な実施の形態によれ
ば、前記ブランカーアレイに配列された各ブランカー
は、遮断すべき荷電粒子線を偏向させる一方で遮断すべ
きでない荷電粒子線を偏向させず、前記補正レンズアレ
イは、前記ブランカーアレイに配列された複数のブラン
カーを各々通過した複数の荷電粒子線のうち偏向された
荷電粒子線を遮断する一方で偏向されなかった荷電粒子
線を通過させるストッパアレイを有することが好まし
い。
【００１３】また、本発明の好適な実施の形態によれ
ば、前記ブランカーアレイに配列された各ブランカー
は、遮断すべき荷電粒子線を偏向させる一方で遮断すべ
きでない荷電粒子線を偏向させず、前記荷電粒子線露光
装置は、前記ブランカーアレイに配列された複数のブラ
ンカーを各々通過した複数の荷電粒子線のうち偏向され
た荷電粒子線を遮断する一方で偏向されなかった荷電粒
子線を通過させるストッパアレイを更に備えることが好
ましい。
【００１４】また、本発明の好適な実施の形態によれ
ば、前記電子光学素子は、前記荷電粒子線から放射され
る荷電粒子線を通過させる複数の開口が配列されたアパ
ーチャアレイと、前記複数の開口を各々通過した複数の
荷電粒子線により前記平面上に前記複数の中間像を形成
する複数の電子レンズが配列されたレンズアレイとを有
することが好ましい。
【００１５】本発明の第2の側面は、デバイスの製造方
法に係り、基板に感光材を塗布する工程と、上記の荷電
粒子線露光装置により前記感光材が塗布された基板にパ
ターンを描画する工程と、パターンが描画された前記基
板上の感光材を現像する工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１６】本発明の第３の側面は、荷電粒子線応用装
置に係り、荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、前記荷
電粒子線源の複数の中間像を実質的に１つの平面上に形
成する電子光学素子と、前記複数の中間像を各々形成し
ている複数の荷電粒子線を遮断するか否かを個別に制御
する複数のブランカーが配列されたブランカーアレイ
と、前記電子光学素子によって形成された中間像を基板
上に縮小投影する縮小電子光学系とを備え、前記ブラン
カーアレイは、前記平面上に配置されていることを特徴
とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】荷電粒子線を利用する露光装置の
一例として、以下では電子ビーム露光装置の例を示す。
なお、本発明は、電子ビームを利用する露光装置に限ら
れず、例えばイオンビームを利用する露光装置にも同様
に適用できる。
【００１８】図１は、本発明の好適な実施形態に係る電
子ビーム露光装置の概略構成を示す図である。
【００１９】この電子ビーム露光装置では、荷電粒子線
のソースとして電子銃１が採用されている。電子銃１
は、カソード1ａ、グリッド1b、アノード1cよりなり、
カソード1aから放射された電子は、グリッド1bとアノー
ド1cとの間でクロスオーバ像を形成する。以下では、こ
のクロスオーバ像を電子源ESという。
【００２０】この電子源ESから放射される電子線は、コ
ンデンサーレンズ光学系2によりほぼ平行な電子ビーム
にされた後にマルチビーム形成光学系3に照射される。
コンデンサーレンズ２は、典型的には3枚の開口電極か
らなる電子レンズ（ユニポテンシャルレンズ）で構成さ
れる。
【００２１】マルチビーム形成光学系3は、光軸AXに沿
って、電子銃１側から順に配置された、アパーチャアレ
イAA、デフレクターアレイDA、レンズアレイLA、ブラン
カーアレイBA、補正レンズアレイCLAで構成される。マ
ルチビーム形成光学系3の詳細な構成については後述す
る。
【００２２】マルチビーム形成光学系3は、電子源ESの
中間像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学
系4によってウエハ（試料）５上に縮小投影され、これ
によりウエハ5上に電子源ESの像が形成される。
【００２３】縮小電子光学系4は、第１投影レンズ41(4
3)と第２投影レンズ42(44)とからなる対称磁気ダブレッ
トで構成される。第１投影レンズ41(43)の焦点距離をf
1、第２投影レンズ42(44)の焦点距離をf2とすると、こ
の２つのレンズ間距離はf1+f2になっている。光軸上AX
上の物点は第１投影レンズ41(43)の焦点位置にあり、そ
の像点は第２投影レンズ42(44)の焦点位置にある。この
像は-f2/f1に縮小される。また、２つのレンズ磁界を互
いに逆方向に作用する様に決定することにより、理論上
は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ収差、像面
湾曲収差、軸上色収差の５つの収差を除いて他のザイデ
ル収差および回転と倍率に関する色収差が打ち消され
る。
【００２４】偏向器6は、マルチビーム形成光学系3から
の複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源ESの像
をウエハ5上でX,Y方向に略同一の変位量だけ変位させ
る。偏向器6は、図示はされていないが、偏向幅が広い
場合に用いられる主偏向器と、偏向幅が狭い場合に用い
られる副偏向器とで構成されており、主偏向器は典型的
には電磁型偏向器で、副偏向器は典型的には静電型偏向
器である。
【００２５】ダイナミックフォーカスコイル7は、偏向
器6を作動させた際に発生する偏向収差による電子源ES
の像のフォーカス位置のずれを補正し、ダイナミックス
ティグコイル8は、偏向により発生する偏向収差の非点
収差を補正する。
【００２６】θ-Ｚステージ９は、ウエハ5を載せて、光
軸AX(Ｚ軸）方向とＺ軸回りの回転方向とに運動する。
θ-Ｚステージ９には、ステージ基準板10が固設されて
いる。
【００２７】ＸＹステージ１1は、θ-Ｚステージ９を光
軸AX(Ｚ軸）と直交するＸＹ方向に移動させる。
【００２８】反射電子検出器12は、電子ビームによって
ステージ基準板10上のマークが照射された際に生じる反
射電子を検出する。
【００２９】次に、図２を参照しながら図１に示す電子
ビーム露光装置に搭載されたマルチビーム形成光学系3
について説明する。
【００３０】図２に示すように、マルチビーム形成光学
系3は、典型的には、アパーチャアレイAA、デフレクタ
ーアレイDA、レンズアレイLA、ブランカーアレイBA、補
正レンズアレイCLAで構成される。
【００３１】アパーチャアレイAAは、基板に複数の開口
が形成されたものである。コンデンサーレンズ２によっ
てほぼ平行にされた１つの電子ビームは、これらの複数
の開口を通過する際に複数の電子ビームに分割される。
【００３２】デフレクターアレイDAは、アパーチャアレ
イAAで分割された複数の電子ビームを個別に偏向する偏
向器を一枚の基板上に複数形成したものである。この基
板は、複数の開口を有する。また、この基板には、各開
口を挟んでそれぞれ４対の電極が設けられている。つま
り、各開口には、偏向機能を有する８極の偏向電極が設
けられている。また、この基板上には、偏向電極を個別
に動作させための配線が形成されている。
【００３３】レンズアレイLAは、基本的には、各々複数
の開口電極を有する３枚の基板で構成される。そして、
上、中、下の各々１つの開口電極で１つの電子レンズ
（いわゆるユニポテンシャルレンズ）が構成される。す
なわち、レンズアレイLAは、二次元的に配列された複数
の電子レンズを有する。これらの複数の電子レンズの光
学特性（焦点距離等）が同一になるように、上、中、下
の開口電極には各々同一の電位が与えられる。
【００３４】ブランカーアレイBAは、複数の電子ビーム
を個別に偏向させる複数の偏向器を１枚の基板上に形成
したものである。その１つの偏向器の詳細を図３に示
す。基板31には、開口APと、該開口APを挟んだ一対の偏
向電極32とが設けられている。また、基板31には、複数
の偏向電極32を個別に制御して複数の電子ビームの偏向
を個別に制御するための配線(W)が形成されている。
【００３５】補正レンズアレイCLAは、同一平面内に複
数の電子レンズを2次元的に配列して形成された電子レ
ンズアレイである第１電子レンズアレイALA1及び第２電
子レンズアレイALA２と、ストッパアレイSAとで構成さ
れる。
【００３６】図４は、第１電子光学系アレイALA1を説明
する図である。第１電子レンズアレイALA1は、複数の開
口に各々対応して形成された複数のドーナツ状電極が配
列された３枚の電極、すなわち上部電極板UE、中間電極
板CE、下部電極板LEを有する。3枚の電極板は絶縁物を
介在させて積層されている。XY座標が共通の上、中、下
電極板の各ドーナツ状電極が、一つの電子レンズ（いわ
ゆるユニポテンシャルレンズ）ULとして機能する。各電
子レンズULの上、下電極板のドーナツ状電極の全てが共
通の配線（ｗ）でCLA制御回路１１１に接続され、同一
の電位に設定されている。なお、この例では、上部、下
部のドーナツ状電極の電位は、電子ビームの加速電位と
して作用する。
【００３７】一方、各電子レンズの中間電極板のドーナ
ツ状電極は、個別の配線（ｗ）でCLA制御回路111に接続
され、各々所望の電位に設定されている。これにより、
各電子レンズULの電子光学的パワー（焦点距離）を所望
の値に設定することができる。第２電子レンズアレイAL
A２も第１電子レンズアレイALA1と同様の構造及び機能
を有する。
【００３８】ストッパアレイSAは、アパーチャアレイAA
と同様の構造を有する。
【００３９】ここで、図２を参照しながらマルチビーム
形成光学形３の機能について説明する。コンデンサーレ
ンズ２を通過した略平行な電子ビームは、アパーチャア
レイAAによって、複数の電子ビームに分割される。分割
された複数の電子ビームは、それらに各々対応する、レ
ンズアレイLAの複数の電子レンズを介して、ブランカー
アレイBA上に、電子源ESの複数の中間像を形成する。こ
れらの中間像は、アパーチャアレイAAの開口やデフレク
ターアレイDAの開口のサイズではなく、電子源（クロス
オーバ像）ESのサイズに依存する。そして、電子源ESの
サイズを小さくすることは比較的容易であるため、ウエ
ハ５上に形成される電子源ESの像のサイズを例えば２５
ｎｍ以下にすることができる。レンズアレイLAの複数の
電子レンズにより、電子源ESの複数の中間像（実像）が
略同一平面上に形成され、その平面上にブランカーアレ
イBAの偏向点が位置するようにブランカーアレイBAが配
置されている。
【００４０】ブランカーアレイBAの複数の開口を通過し
た複数の電子ビームは、それらに各々対応する補正レン
ズアレイCLAの複数の電子レンズを介して、縮小電子光
学系４に入射する。ここで、補正レンズアレイCLAに配
列された各電子レンズＵＬは、ブランカーアレイBAの面
内に形成されている電子源ESの複数の中間像の虚像を形
成する。すなわち、２つのレンズからなる各電子レンズ
ULの前側焦点位置から外れた位置に電子源ESの中間像が
形成される。さらに、電子ビームが縮小電子光学系４を
通過する際に生じる像面湾曲をキャンセルする位置にそ
れらの中間像（実像）の虚像が形成されるように、各電
子レンズＵＬを構成する2つのレンズの焦点距離が調整
される。
【００４１】ブランカーアレイBAで偏向された電子ビー
ムは、補正レンズアレイCLA内に設けられたストッパア
レイSAによって遮断されるため、ウエハ５には照射され
ない。一方、ブランカーアレイBAで偏向されない電子ビ
ームは、補正レンズアレイCLA内に設けられたストッパ
アレイSAによって遮断されないため、ウエハ５には照射
される。
【００４２】次に、図５を参照しながら本実施形態の電
子ビーム露光装置のシステム構成を説明する。DA制御回
路１１0は、デフレクターアレイDAを構成する複数の偏
向器（偏向電極）を個別に制御する制御回路、CLA制御
回路１１１は、補正レンズアレイCLAを構成する複数の
電子レンズULの焦点距離を個別に制御する制御回路、BA
制御回路１１１は、ブランカーアレイBAを構成する複数
のブランキング電極のon/offを個別に制御する制御回路
である。
【００４３】D_STIG制御回路１13は、ダイナミックステ
ィグコイル8を制御して縮小電子光学系4の非点収差を制
御する制御回路、D_FOCUS制御回路１14は、ダイナミッ
クフォーカスコイル７を制御して縮小電子光学系4のフ
ォーカスを制御する制御回路、偏向制御回路１15は偏向
器6を制御する制御回路、光学特性制御回路１16は、縮
小電子光学系4の光学特性（倍率、歪曲）を調整する制
御回路である。反射電子検出回路１１７は、反射電子検
出器１２からの信号より反射電子量を求める回路であ
る。
【００４４】ステージ駆動制御回路１１７は、θ-Zステ
ージ９を駆動制御し、かつＸＹステージ１１の位置を検
出するレーザ干渉計LIMと共同してＸＹステージ1１の駆
動を制御する制御回路である。
【００４５】制御系１20は、露光制御データ（例えば、
描画パターンデータを含む）が記憶されたメモリ121か
ら該データを読み出してそれに基づいて、上記複数の制
御回路を制御する。制御系１20は、インターフェース12
2を介して電子ビーム露光装置全体をコントロールするC
PU１23によって制御される。
【００４６】図６を参照しながら本実施形態の電子ビー
ム露光装置の露光動作について説明する。
【００４７】制御系120は、メモリ121から露光制御デー
タに基づいて、偏向制御回路115に命じ、偏向器6によっ
て、複数の電子ビームを偏向させるとともに、BA制御回
路115に命じ、ウエハ5に描画すべきパターン（描画パタ
ーンデータ）に応じてブランカーアレイBAの複数のブラ
ンキング電極を個別にon/offさせる。この時、ＸＹステ
ージ11はｙ方向に連続移動しており、ＸＹステージ11の
移動に対して複数の電子ビームが追従するように、偏向
器6によって複数の電子ビームを偏向させる。そして、
各電子ビームは、図６に示すように、ウエハ5上の対応
する要素露光領域（EF)を走査露光する。各電子ビーム
の要素露光領域（EF)は、２次元に隣接するように設定
されており、その結果、同時に露光される複数の要素露
光領域（EF）で構成されるサブフィールド（SF）が同時
に露光される。
【００４８】制御系120は、サブフィールド(SF1)を露光
後、次のサブフィールド(SF2)を露光する為に、偏向制
御回路115に命じ、偏向器6によって、ステージ走査方向
（ｙ方向）と直交する方向（x方向）に複数の電子ビー
ムを偏向させる。この時、偏向によってサブフィールド
が変わることにより、各電子ビームが縮小電子光学系４
を介して縮小投影される際の収差も変わる。そこで、制
御系120は、LAU制御回路112、D_STIG制御回路113、及び
D_FOCUS制御回路114に命じ、変化した収差を補正するよ
うに、レンズアレイユニットLAU、ダイナミックスティ
グコイル8、及びダイナミックフォーカスコイル７を調
整する。そして、再度、前述したように、各電子ビーム
が対応する要素露光領域（EF）を露光することにより、
サブフィールド２(SF2)を露光する。そして、図６に示
すように、サブフィールド（SF1〜SF6）を順次露光して
ウエハ5にパターンを露光する。その結果、ウエハ5上に
おいて、ステージ走査方向（ｙ方向）と直交する方向
（ｘ方向）に並ぶサブフィールド（ SF1〜SF6）で構成
されるメインフィールド（MF）が露光される。
【００４９】制御系120は、図６に示すメインフィール
ド１（MF1）を露光後、偏向制御回路115に命じ、順次、
ステージ走査方向（ｙ方向）に並ぶメインフィールド
（MF2、MF3、MF4…）に複数の電子ビームを偏向させる
と共に露光し、その結果、図６に示すように、メインフ
ィールド（ MF2、 MF3、MF4…）で構成されるストライ
プ（STRIPE1）を露光する。そして、 ＸＹステージ11を
ｘ方向にステップさせ、次のストライプ（STRIPE2）を
露光する。
【００５０】次に上記の電子ビーム露光装置に代表され
る本発明の露光装置を利用したデバイスの生産方法を説
明する。
【００５１】図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ス
テップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パタ
ーンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料
を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが
入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、
これが出荷（ステップ７）される。
【００５２】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンが形成される。
【００５３】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コスト
に製造することができる。
【００５４】本発明の他の応用分野として、例えば図２
に示すような構成により生成される複数の荷電粒子線を
用いて、半導体基板上に形成されたパターンの寸法を計
測する測長装置、パターンの状態を観察する顕微装置並
びにパターンの欠陥を検査する検査装置等の荷電粒子線
応用装置が上げられる。
【００５５】
【発明の効果】本発明の１つの側面によれば、例えば、
縮小電子光学系の性能を上げずに、微小なパターンの描
画が可能な荷電粒子線描画装置を提供することができ
る。また、この装置を利用してデバイスを製造すれば、
従来以上に高精度なデバイスを製造することができる。
【００５６】また、本発明の他の側面によれば、生成さ
れる複数の荷電粒子線により短時間で測長、観察、検査
を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施形態の電子ビーム露光装置
の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示すマルチビーム電子光学系３の詳細構
成を説明する図である。
【図３】デフレクターアレイDAの１つの偏向器を説明す
る図である。
【図４】第１電子光学系アレイALA1を説明する図であ
る。
【図５】図１に示す電子ビーム露光装置のシステム構成
を説明する図である。
【図６】露光領域及び露光方法を説明する図である。
【図７】微小デバイスの製造フローを説明する図であ
る。
【図８】ウエハプロセスを説明する図である。
【図９】従来のマルチ荷電粒子線露光装置のブランカー
アレイを説明する図である。
【符号の説明】
１ 電子銃 ２ コンデンサーレンズ ３ 補正電子光学系 ４ 縮小電子光学系 ５ ウエハ ６ 偏向器 ７ ダイナミックフォーカスコイル ８ ダイナミックスティグコイル ９ θ-Ｚステージ １０ 基準板 １１ XYステージ ２１、２２ ユニポテンシャルレンズ １１0 DA制御回路 １１1 CLA制御回路 １１２ BA制御回路 １１３ D_STIG制御回路 １１４ D_FOCUS制御回路 １１５ 偏向制御回路 １１６ 光学特性制御回路 １１７ ステージ駆動制御回路１７ １２０ 制御系 １２１ メモリ １２２ インターフェース １２３ CPU AA アパーチャアレイ DA デフレクターアレイ LA レンズアレイ CLA 補正レンズアレイ BA ブランカーアレイ SA ストッパアレイ
フロントページの続き (72)発明者 村木 真人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 早田 康成 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 橋本 伸一 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA10 CA16 EA01 GB01 LA10 5C034 BB03 BB08 5F056 AA07 AA33 EA03 EA04 EA05 EA06

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の荷電粒子線を利用して基板にパタ
    ーンを描画する荷電粒子線露光装置であって、 荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、 前記荷電粒子線源の複数の中間像を実質的に１つの平面
    上に形成する電子光学素子と、 前記複数の中間像を各々形成している複数の荷電粒子線
    を遮断するか否かを個別に制御する複数のブランカーが
    配列されたブランカーアレイと、 前記電子光学素子によって形成された中間像を基板上に
    縮小投影する縮小電子光学系と、 を備え、前記ブランカーアレイは、前記平面上に配置さ
    れていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
  2. 【請求項２】 前記ブランカーアレイと前記縮小電子光
    学系との間に配置された補正レンズアレイを更に備え、
    前記補正レンズアレイには、前記電子光学素子によって
    形成される複数の中間像の虚像を前記縮小電子光学系の
    収差に応じた位置に各々形成する複数の電子レンズが配
    列されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒
    子線露光装置。
  3. 【請求項３】 前記ブランカーアレイに配列された各ブ
    ランカーは、遮断すべき荷電粒子線を偏向させる一方で
    遮断すべきでない荷電粒子線を偏向させず、 前記補正レンズアレイは、前記ブランカーアレイに配列
    された複数のブランカーを各々通過した複数の荷電粒子
    線のうち偏向された荷電粒子線を遮断する一方で偏向さ
    れなかった荷電粒子線を通過させるストッパアレイを有
    することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の荷
    電粒子線露光装置。
  4. 【請求項４】 前記ブランカーアレイに配列された各ブ
    ランカーは、遮断すべき荷電粒子線を偏向させる一方で
    遮断すべきでない荷電粒子線を偏向させず、 前記荷電粒子線露光装置は、前記ブランカーアレイに配
    列された複数のブランカーを各々通過した複数の荷電粒
    子線のうち偏向された荷電粒子線を遮断する一方で偏向
    されなかった荷電粒子線を通過させるストッパアレイを
    更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
    載の荷電粒子線露光装置。
  5. 【請求項５】 前記電子光学素子は、 前記荷電粒子線から放射される荷電粒子線を通過させる
    複数の開口が配列されたアパーチャアレイと、 前記複数の開口を各々通過した複数の荷電粒子線により
    前記平面上に前記複数の中間像を形成する複数の電子レ
    ンズが配列されたレンズアレイと、 を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいず
    れか１項に記載の荷電粒子線露光装置。
  6. 【請求項６】 デバイスの製造方法であって、 基板に感光材を塗布する工程と、 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の荷電粒子
    線露光装置により前記感光材が塗布された基板にパター
    ンを描画する工程と、 パターンが描画された前記基板上の感光材を現像する工
    程と、 を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
  7. 【請求項７】 荷電粒子線を放射する荷電粒子源と、 前記荷電粒子線源の複数の中間像を実質的に１つの平面
    上に形成する電子光学素子と、 前記複数の中間像を各々形成している複数の荷電粒子線
    を遮断するか否かを個別に制御する複数のブランカーが
    配列されたブランカーアレイと、 前記電子光学素子によって形成された中間像を基板上に
    縮小投影する縮小電子光学系と、 を備え、前記ブランカーアレイは、前記平面上に配置さ
    れていることを特徴とする荷電粒子線応用装置。
JP2001124758A 2001-04-23 2001-04-23 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP4647820B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001124758A JP4647820B2 (ja) 2001-04-23 2001-04-23 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
US10/125,439 US6903353B2 (en) 2001-04-23 2002-04-19 Charged particle beam exposure apparatus, device manufacturing method, and charged particle beam applied apparatus
DE60233994T DE60233994D1 (de) 2001-04-23 2002-04-22 Ladungsträgerteilchenstrahl-Belichtungsgerät und dessen Anwendungverfahren zur Herstellung von Vorrichtungen
EP02252818A EP1253619B1 (en) 2001-04-23 2002-04-22 Charged particle beam exposure apparatus and device manufacturing method using same
TW091108248A TW559883B (en) 2001-04-23 2002-04-22 Charged particle beam exposure apparatus, device manufacturing method, and charged particle beam applied apparatus
KR10-2002-0021943A KR100495651B1 (ko) 2001-04-23 2002-04-22 하전입자선노광장치와 디바이스의 제조방법 및하전입자선응용장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001124758A JP4647820B2 (ja) 2001-04-23 2001-04-23 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002319532A true JP2002319532A (ja) 2002-10-31
JP2002319532A5 JP2002319532A5 (ja) 2008-06-05
JP4647820B2 JP4647820B2 (ja) 2011-03-09

Family

ID=18974092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001124758A Expired - Fee Related JP4647820B2 (ja) 2001-04-23 2001-04-23 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6903353B2 (ja)
EP (1) EP1253619B1 (ja)
JP (1) JP4647820B2 (ja)
KR (1) KR100495651B1 (ja)
DE (1) DE60233994D1 (ja)
TW (1) TW559883B (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019436A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及びデバイス製造方法
US7105842B2 (en) 2003-10-07 2006-09-12 Hitachi High-Technologies Corporation Method of charged particle beam lithography and equipment for charged particle beam lithography
JP2007500948A (ja) * 2003-05-28 2007-01-18 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子ビームレット露光システム
US7378668B2 (en) 2005-06-28 2008-05-27 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for applying charged particle beam
JP2008530737A (ja) * 2005-02-11 2008-08-07 アイエムエス ナノファブリケーション エージー 静電ゾーンプレートを備える荷電粒子曝露
JP2009032691A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Ims Nanofabrication Ag マルチビーム源
JP2009231333A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nuflare Technology Inc 描画システム及び描画装置のパラメータ監視方法
JP2011521465A (ja) * 2008-05-23 2011-07-21 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 結像システム
JP2013157637A (ja) * 2013-05-08 2013-08-15 Nuflare Technology Inc 荷電粒子描画システム及び荷電粒子描画装置のパラメータ監視方法
US8624205B2 (en) 2009-01-09 2014-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Charged particle beam writing apparatus and device production method
US8817234B2 (en) 2010-07-13 2014-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical device and exposure apparatus including the same
JP2018520495A (ja) * 2015-07-22 2018-07-26 エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. 複数荷電粒子ビームの装置
KR20190005134A (ko) * 2017-07-05 2019-01-15 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 및 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 이미징하거나 조명하는 방법
US10658158B2 (en) 2017-12-14 2020-05-19 Nuflare Technology, Inc. Aperture set for multi-beam
JP2020536347A (ja) * 2017-10-02 2020-12-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子ビームを用いた装置
JP2022000858A (ja) * 2016-12-30 2022-01-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 複数の荷電粒子ビームを使用する装置

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3996267B2 (ja) * 1998-05-12 2007-10-24 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2001283756A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4947842B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP2001284230A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4585661B2 (ja) 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4947841B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
US6768125B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
US6953938B2 (en) 2002-10-03 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus
US7098468B2 (en) * 2002-11-07 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Raster frame beam system for electron beam lithography
ATE399366T1 (de) * 2003-02-14 2008-07-15 Mapper Lithography Ip Bv Abgabevorrichtungs-kathode
JP4421836B2 (ja) * 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4738723B2 (ja) * 2003-08-06 2011-08-03 キヤノン株式会社 マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法
KR101051370B1 (ko) 2003-09-05 2011-07-22 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 입자광 시스템 및 장치와 이와 같은 시스템 및 장치용입자광 부품
DE10351059B4 (de) * 2003-10-31 2007-03-01 Roth & Rau Ag Verfahren und Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberflächen
GB2414111B (en) * 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
JP4477436B2 (ja) * 2004-06-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
DE102004052995A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-11 Leica Microsystems Lithography Gmbh Vorrichtung zur Strukturierung eines Partikelstrahls
JP4657740B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP5663717B2 (ja) * 2005-09-06 2015-02-04 カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｇｍｂｈ 荷電粒子システム
EP2405459A1 (en) * 2006-07-25 2012-01-11 Mapper Lithography IP B.V. A multiple beam charged particle optical system
US8134135B2 (en) * 2006-07-25 2012-03-13 Mapper Lithography Ip B.V. Multiple beam charged particle optical system
KR101570974B1 (ko) * 2008-02-26 2015-11-23 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 투사 렌즈 배열체
WO2015191108A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 Intel Corporation Ebeam align on the fly
JP6553973B2 (ja) * 2014-09-01 2019-07-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
DE102015202172B4 (de) 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
US11302511B2 (en) 2016-02-04 2022-04-12 Kla Corporation Field curvature correction for multi-beam inspection systems
US10079206B2 (en) 2016-10-27 2018-09-18 Mapper Lithography Ip B.V. Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
CN114355733B (zh) * 2016-12-23 2024-03-15 Asml荷兰有限公司 使用带电粒子多小束光刻系统制造独特芯片
TWI742223B (zh) * 2017-01-14 2021-10-11 美商克萊譚克公司 電子束系統及方法，以及掃描電子顯微鏡
US10242839B2 (en) * 2017-05-05 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation Reduced Coulomb interactions in a multi-beam column
US10347460B2 (en) * 2017-03-01 2019-07-09 Dongfang Jingyuan Electron Limited Patterned substrate imaging using multiple electron beams
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
CN112055886A (zh) 2018-02-27 2020-12-08 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 带电粒子多束系统及方法
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
JP7169452B2 (ja) * 2018-12-31 2022-11-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． マルチビーム検査装置
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
JP6954943B2 (ja) * 2019-03-15 2021-10-27 日本電子株式会社 荷電粒子線装置
EP4088301A1 (en) 2020-01-06 2022-11-16 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
JP7409946B2 (ja) * 2020-04-13 2024-01-09 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295419A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及びその装置
JPH09245708A (ja) * 1996-03-04 1997-09-19 Canon Inc 電子ビーム露光装置とその露光方法
JPH10335223A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JPH11195590A (ja) * 1998-01-05 1999-07-21 Canon Inc マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
WO1999057745A1 (en) * 1998-05-07 1999-11-11 Etec Systems, Inc. Charged particle beam illumination of blanking aperture array

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE421832B (sv) 1979-04-18 1982-02-01 Pharos Ab Anordning for att registrera topografin hos den chargerade massan i en masugn
US5830612A (en) * 1996-01-24 1998-11-03 Fujitsu Limited Method of detecting a deficiency in a charged-particle-beam exposure mask
DE69738276T2 (de) 1996-03-04 2008-04-03 Canon K.K. Elektronenstrahl-Belichtungsgerät, Belichtungsverfahren und Verfahren zur Erzeugung eines Objekts
JPH09320960A (ja) * 1996-03-25 1997-12-12 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置
JP3927620B2 (ja) 1996-06-12 2007-06-13 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3796317B2 (ja) 1996-06-12 2006-07-12 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US5929454A (en) 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
JP3728015B2 (ja) 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
US5981954A (en) 1997-01-16 1999-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
JP3689516B2 (ja) 1997-01-29 2005-08-31 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
JPH10214779A (ja) 1997-01-31 1998-08-11 Canon Inc 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
US6107636A (en) 1997-02-07 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and its control method
US6104035A (en) 1997-06-02 2000-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Electron-beam exposure apparatus and method
JP3787417B2 (ja) 1997-06-11 2006-06-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JP2000049071A (ja) 1998-07-28 2000-02-18 Canon Inc 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
JP2000093825A (ja) 1998-09-21 2000-04-04 Oomiya Seisakusho:Kk 籾殻粉砕機
JP2000251827A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Nikon Corp 照明光学系
JP3859404B2 (ja) * 1999-09-27 2006-12-20 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置およびパターン描画方法並びに記録媒体
US6566664B2 (en) * 2000-03-17 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295419A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及びその装置
JPH09245708A (ja) * 1996-03-04 1997-09-19 Canon Inc 電子ビーム露光装置とその露光方法
JPH10335223A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JPH11195590A (ja) * 1998-01-05 1999-07-21 Canon Inc マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
WO1999057745A1 (en) * 1998-05-07 1999-11-11 Etec Systems, Inc. Charged particle beam illumination of blanking aperture array

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101168200B1 (ko) * 2003-05-28 2012-07-25 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 대전 입자 빔렛 노광 시스템
JP2007500948A (ja) * 2003-05-28 2007-01-18 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子ビームレット露光システム
US7105842B2 (en) 2003-10-07 2006-09-12 Hitachi High-Technologies Corporation Method of charged particle beam lithography and equipment for charged particle beam lithography
JP2006019436A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及びデバイス製造方法
JP4634076B2 (ja) * 2004-06-30 2011-02-16 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JP2008530737A (ja) * 2005-02-11 2008-08-07 アイエムエス ナノファブリケーション エージー 静電ゾーンプレートを備える荷電粒子曝露
US8304749B2 (en) 2005-02-11 2012-11-06 Ims Nanofabrication Ag Charged-particle exposure apparatus with electrostatic zone plate
US7378668B2 (en) 2005-06-28 2008-05-27 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for applying charged particle beam
US8183543B2 (en) 2007-07-24 2012-05-22 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam source
JP2009032691A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Ims Nanofabrication Ag マルチビーム源
JP2009231333A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nuflare Technology Inc 描画システム及び描画装置のパラメータ監視方法
JP2011521465A (ja) * 2008-05-23 2011-07-21 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 結像システム
US8624205B2 (en) 2009-01-09 2014-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Charged particle beam writing apparatus and device production method
US8817234B2 (en) 2010-07-13 2014-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical device and exposure apparatus including the same
JP2013157637A (ja) * 2013-05-08 2013-08-15 Nuflare Technology Inc 荷電粒子描画システム及び荷電粒子描画装置のパラメータ監視方法
US11587758B2 (en) 2015-07-22 2023-02-21 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
JP2018520495A (ja) * 2015-07-22 2018-07-26 エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. 複数荷電粒子ビームの装置
US11887807B2 (en) 2015-07-22 2024-01-30 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
US10879031B2 (en) 2015-07-22 2020-12-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
JP2022000858A (ja) * 2016-12-30 2022-01-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 複数の荷電粒子ビームを使用する装置
JP7148692B2 (ja) 2016-12-30 2022-10-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 複数の荷電粒子ビームを使用する装置
KR20190005134A (ko) * 2017-07-05 2019-01-15 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 및 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 이미징하거나 조명하는 방법
KR102109963B1 (ko) 2017-07-05 2020-05-12 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 및 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 이미징하거나 조명하는 방법
US10784072B2 (en) 2017-07-05 2020-09-22 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Aberration-corrected multibeam source, charged particle beam device and method of imaging or illuminating a specimen with an array of primary charged particle beamlets
TWI751556B (zh) * 2017-07-05 2022-01-01 德商Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司 用於以初級帶電粒子小束陣列檢查樣本的帶電粒子束裝置
JP7286630B2 (ja) 2017-10-02 2023-06-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子ビームを用いた装置
JP2020536347A (ja) * 2017-10-02 2020-12-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子ビームを用いた装置
US11670477B2 (en) 2017-10-02 2023-06-06 Asml Netherlands B.V. Apparatus using charged particle beams
US11961697B2 (en) 2017-10-02 2024-04-16 Asml Netherlands B.V. Apparatus using charged particle beams
US10658158B2 (en) 2017-12-14 2020-05-19 Nuflare Technology, Inc. Aperture set for multi-beam

Also Published As

Publication number Publication date
TW559883B (en) 2003-11-01
JP4647820B2 (ja) 2011-03-09
KR20020082769A (ko) 2002-10-31
DE60233994D1 (de) 2009-11-26
US6903353B2 (en) 2005-06-07
KR100495651B1 (ko) 2005-06-16
EP1253619A3 (en) 2007-11-14
EP1253619B1 (en) 2009-10-14
EP1253619A2 (en) 2002-10-30
US20020160311A1 (en) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4647820B2 (ja) 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
US6472672B1 (en) Electron beam exposure apparatus and its control method
US6137113A (en) Electron beam exposure method and apparatus
JP3796317B2 (ja) 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
EP0794552B1 (en) Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US6515409B2 (en) Charged-particle beam exposure apparatus, exposure system, control method therefor, and device manufacturing method
US6552353B1 (en) Multi-electron beam exposure method and apparatus and device manufacturing method
US5939725A (en) Electron beam exposure apparatus
JP2001168018A (ja) 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
US6657210B1 (en) Electron beam exposure method, a method of constructing exposure control data, and a computer-readable medium
JP2001168017A (ja) 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JPH1187206A (ja) 電子ビーム露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
US20060017019A1 (en) Charged particle beam exposure apparatus, charged particle beam exposure method and device manufacturing method
JP5159035B2 (ja) レンズアレイ及び該レンズアレイを含む荷電粒子線露光装置
JP3834271B2 (ja) マルチ荷電ビームレンズ及びこれを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2004165499A (ja) 電子レンズ、その電子レンズを用いた荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法
JP4018197B2 (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JP3647143B2 (ja) 電子ビーム露光装置及びその露光方法
JP2008066359A (ja) 荷電ビームレンズアレイ、露光装置及びデバイス製造方法
JPH11195589A (ja) マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
JPH11195590A (ja) マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
JP4252813B2 (ja) 荷電ビーム用レンズ、荷電ビーム露光装置及びデバイス製造方法
JP4143204B2 (ja) 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP2001332473A (ja) 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP4402077B2 (ja) 荷電粒子線レンズアレイ、露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080422

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101126

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101209

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4647820

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees