JP7148692B2 - 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 - Google Patents
複数の荷電粒子ビームを使用する装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7148692B2 JP7148692B2 JP2021150383A JP2021150383A JP7148692B2 JP 7148692 B2 JP7148692 B2 JP 7148692B2 JP 2021150383 A JP2021150383 A JP 2021150383A JP 2021150383 A JP2021150383 A JP 2021150383A JP 7148692 B2 JP7148692 B2 JP 7148692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- beamlets
- rotation
- beamlet
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title description 45
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 123
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 109
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 66
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 31
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 16
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 80
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 102100026451 Aldo-keto reductase family 1 member B10 Human genes 0.000 description 7
- 101000718041 Homo sapiens Aldo-keto reductase family 1 member B10 Proteins 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 101100491824 Caenorhabditis elegans arl-3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100379727 Caenorhabditis elegans arl-5 gene Proteins 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 101100537937 Caenorhabditis elegans arc-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100491817 Caenorhabditis elegans evl-20 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
- H01J37/141—Electromagnetic lenses
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/145—Combinations of electrostatic and magnetic lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
[0001] この出願は、2016年12月30日に出願された米国特許出願第62/440,493号の優先権を主張し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1.荷電粒子ビームを集束させるための集束力を有する回転防止レンズであって、
第1の磁界を生成し、回転防止レンズの光軸と位置合わせされるように構成された第1の磁気レンズと、
第2の磁界を生成し、光軸と位置合わせされるように構成された第2の磁気レンズと、を含み、
回転防止レンズの集束力が、第1の磁界及び第2の磁界を変化させることによって調整可能であり、第1の磁界及び第2の磁界が、光軸上で反対の方向を有する、回転防止レンズ。
2.集束力が、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら調整可能である、条項1に記載の回転防止レンズ。
3.回転角度がゼロである、条項2に記載の回転防止レンズ。
4.荷電粒子ビームを集束させるための集束力を有する回転防止レンズであって、
磁界を生成し、回転防止レンズの光軸と位置合わせされるように構成された磁気レンズと、
静電界を生成し、光軸と位置合わせされるように構成された静電レンズと、を含み、
磁界と静電界とが、少なくとも部分的に重複し、回転防止レンズの集束力が、磁界及び/又は静電界を変化させることによって調整可能である、回転防止レンズ。
5.集束力が、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら調整可能である、条項5に記載の回転防止レンズ。
6.回転角度がゼロである、条項5に記載の回転防止レンズ。
7.荷電粒子ビームを集束させるための集束力を有する可動回転防止レンズであって、
第1の磁界を生成し、可動回転防止レンズの光軸と位置合わせされるように構成された第1の磁気レンズと、
第2の磁界を生成し、光軸と位置合わせされるように構成された第2の磁気レンズと、
第3の磁界を生成し、光軸と位置合わせされるように構成された第3の磁気レンズと、を含み、
可動回転防止レンズの集束力及び主平面が、第1の磁界、第2の磁界及び/又は第3の磁界を変化させることによって調整可能であり、第1の磁界、第2の磁界及び第3の磁界のうちの2つが、光軸上で反対の方向を有する、可動回転防止レンズ。
8.集束力及び主平面が、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら調整可能である、条項7に記載の可動回転防止レンズ。
9.回転角度がゼロである、条項8に記載の可動回転防止レンズ。
10.荷電粒子ビームを集束させるための集束力を有する可動回転防止レンズであって、
可動回転防止レンズの光軸と位置合わせされるように構成された回転防止レンズと、
光軸と位置合わせされるように構成されたレンズと、を含み、
可動回転防止レンズの集束力及び主平面が、回転防止レンズの集束力及び/又はレンズの集束力を変化させることによって調整可能であり、主平面が、荷電粒子ビームを生成する供給源に対して調整可能である、可動回転防止レンズ。
11.集束力及び主平面が、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら調整可能である、条項10に記載の可動回転防止レンズ。
12.回転角度がゼロである、条項11に記載の可動回転防止レンズ。
13.レンズが静電レンズである、条項10に記載の可動回転防止レンズ。
14.レンズが磁気レンズである、条項10に記載の可動回転防止レンズ。
15.荷電粒子ビームを集束させるための集束力を有する可動回転防止レンズであって、
可動回転防止レンズの光軸と位置合わせされるように構成された第1の回転防止レンズと、
光軸と位置合わせされるように構成された第2の回転防止レンズと、を含み、
可動回転防止レンズの集束力及び主平面が、第1の回転防止レンズの集束力及び/又は第2の回転防止レンズの集束力を変化させることによって調整可能である、可動回転防止レンズ。
16.可動回転防止レンズの集束力及び主平面が、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら調整可能である、条項15に記載の可動回転防止レンズ。
17.回転角度がゼロである、条項16に記載の可動回転防止レンズ。
18.サンプルを観察するためのマルチビーム装置であって、
一次電子ビームを生成するように構成された電子源と、
一次電子ビームを集束させるように構成された集光レンズであって、回転防止レンズ又は可動回転防止レンズのうちの1つである集光レンズと、
一次電子ビームの多数のビームレットによって電子源の多数の像を形成するように構成された供給源変換ユニットと、
多数のビームレットを表面上に集束させ、表面上に多数のプローブスポットを形成するように構成された対物レンズと、
サンプルから多数のプローブスポットによって生成された多数の二次ビームを検出するように構成された多数の検出要素を有する電子検出デバイスと、
を含む、マルチビーム装置。
19.電子源と集光レンズとの間にあり、複数のビームレット形成アパーチャを含むビームレット事前形成メカニズムをさらに含む、条項18に記載のマルチビーム装置。
20.複数のビームレット形成アパーチャが、一次電子ビームを複数のビームレットに調節するように構成される、条項19に記載のマルチビーム装置。
21.集光レンズが、複数の回転角度で供給源変換ユニットに入射するように複数のビームレットを集束させるように構成される、条項20に記載のマルチビーム装置。
22.複数の回転角度が、多数のプローブスポットのプローブ電流を変化させる際に、変更しないまま又は実質的に変更しないままである、条項21に記載のマルチビーム装置。
23.複数のビームレットが、多数のビームレットを構成する、条項20~22の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
24.プローブ電流が、複数のビームレット形成アパーチャのサイズを変化させることによって変更することができる、条項19~23の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
25.供給源変換ユニットが、複数のビームレットを多数のビームレットに調節するように構成された多数のビーム制限開口を含む、条項20、23又は24に記載のマルチビーム装置。
26.プローブ電流が、集光レンズの集束力を調整することによって変更することができる、条項18~25の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
27.複数のビームレット形成アパーチャが、多数のプローブスポット内にはない電子の進行を妨げるように構成される、条項19~26の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
28.供給源変換ユニットが、多数の像を形成するために多数のビームレットを偏向させるように構成された像形成メカニズムを含む、条項18~27の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
29.像形成メカニズムが、多数の像を形成するために多数のビームレットを偏向させるように構成された多数の電子光学要素を含む、条項28に記載のマルチビーム装置。
30.多数のビームレットの偏向角度が、多数のプローブスポットの収差を低減するために個別に設定される、条項28又は29に記載のマルチビーム装置。
31.多数の電子光学要素が、多数のプローブスポットの軸外収差を補償するように構成される、条項29に記載のマルチビーム装置。
32.供給源変換ユニットが、多数のプローブスポットの軸外収差を補償するように構成されたビームレット補償メカニズムを含む、条項18~31の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
33.多数の電子光学要素及びビームレット補償メカニズムが共に、多数のプローブスポットの収差を補償する、条項32に記載のマルチビーム装置。
34.供給源変換ユニットの下方に位置付けられた偏向走査ユニットをさらに含む、条項29に記載のマルチビーム装置。
35.偏向走査ユニットが、多数のプローブスポットを走査するために多数のビームレットを偏向させるように構成される、条項34に記載のマルチビーム装置。
36.多数の電子光学要素が、多数のプローブスポットを走査するために多数のビームレットを偏向させるように構成される、条項34又は35に記載のマルチビーム装置。
37.偏向走査ユニット及び多数の電子光学要素が共に、多数のプローブスポットを走査するために多数のビームレットを偏向させるように構成される、条項34又は35に記載のマルチビーム装置。
38.多数の電子光学要素が、多数のプローブスポットを走査するために多数のビームレットを偏向させるように構成される、条項29に記載のマルチビーム装置。
39.多数のプローブスポットの1つ又は複数が、1つ又は複数の走査特徴において異なり得る、条項36~38の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
40.走査特徴の1つが、走査方向を含む、条項39に記載のマルチビーム装置。
41.走査特徴の1つが、走査サイズを含む、条項39に記載のマルチビーム装置。
42.走査特徴の1つが、走査速度を含む、条項39に記載のマルチビーム装置。
43.電子検出デバイスの前に置かれ、多数の二次ビームを多数の検出要素の方に偏向させるように構成された反走査偏向ユニットをさらに含む、条項36~39の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
44.荷電粒子ビームを集束させるための回転防止レンズを構成するための方法であって、
回転防止レンズの光軸と位置合わせされた第1の磁気レンズによって第1の磁界を生成することと、
これが光軸と位置合わせされた第2の磁気レンズによって第2の磁界を生成することと、
第1の磁界及び第2の磁界によって回転防止レンズの集束力を生成することであって、第1の磁界及び第2の磁界が、光軸上で反対の方向を有することと、
を含む、方法。
45.荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら第1の磁界及び第2の磁界を調整することによって集束力を変更することをさらに含む、条項44に記載の方法。
46.荷電粒子ビームを集束させるための回転防止レンズを構成するための方法であって、
磁気レンズによって磁界を生成することと、
静電レンズによって静電界を生成することと、
磁界及び/又は静電界によって回転防止レンズの集束力を生成することであって、磁界と静電界とが、少なくとも部分的に重複することと、
を含む、方法。
47.荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら磁界及び/又は静電界を調整することによって集束力を変更することをさらに含む、条項46に記載の方法。
48.荷電粒子ビームを集束させるための可動回転防止レンズを構成するための方法であって、
可動回転防止レンズの光軸と位置合わせされた第1の磁気レンズによって第1の磁界を生成することと、
光軸と位置合わせされた第2の磁気レンズによって第2の磁界を生成することと、
光軸と位置合わせされた第3の磁気レンズによって第3の磁界を生成することと、
第1の磁界、第2の磁界及び/又は第3の磁界によって可動回転防止レンズの集束力を生成することであって、第1の磁界、第2の磁界及び第3の磁界のうちの2つが、光軸上で反対の方向を有することと、
を含む、方法。
49.荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら第1の磁界、第2の磁界及び/又は第3の磁界を調整することによって、集束力を変更し、可動回転防止レンズの主平面を移動することをさらに含む、条項48に記載の方法。
50.サンプルを観察するためのマルチビーム装置を構成するための方法であって、
電子源と集光レンズとの間に位置付けられたビームレット事前形成メカニズムによって、電子源からの一次電子ビームを複数のビームレットに調節することと、
供給源変換ユニットによって、複数のビームレットを使用して電子源の多数の像を形成することと、
多数の像をサンプルに投影することによって、サンプル上に多数のプローブスポットを形成することと、
多数のプローブスポットのプローブ電流を変更する際に複数のビームレットの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持するように集光レンズを調整することであって、集光レンズが、回転防止レンズ又は可動回転防止レンズのうちの1つであることと、
を含む、方法。
51.サンプル上の多数のプローブスポットを走査するように供給源変換ユニットを調整することをさらに含む、条項50に記載の方法。
52.荷電粒子ビームを集束させるための回転防止レンズを構成するための方法をマルチビーム装置に実行させるために、マルチビーム装置の1つ又は複数のプロセッサによって実行可能な命令セットを格納する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、方法が、
第1の磁界を生成するように第1の磁気レンズに指示することであって、第1の磁気レンズが、回転防止レンズの光軸と位置合わせされることと、
第2の磁界を生成するように第2の磁気レンズに指示することであって、第2の磁気レンズが、光軸と位置合わせされることと、を含み、
第1の磁界及び第2の磁界が、回転防止レンズの集束力を生成し、
第1の磁界及び第2の磁界が、光軸上で反対の方向を有する、非一時的なコンピュータ可読媒体。
53.マルチビーム装置の1つ又は複数のプロセッサによって実行可能な命令セットが、
集束力を調整するために、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら第1の磁界及び第2の磁界を調整することをマルチビーム装置にさらに実行させる、条項52に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
54.荷電粒子ビームを集束させるための回転防止レンズを構成するための方法をマルチビーム装置に実行させるために、マルチビーム装置の1つ又は複数のプロセッサによって実行可能な命令セットを格納する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、方法が、
磁界を生成するように磁気レンズに指示することと、
静電界を生成するように静電レンズに指示することと、を含み、
磁界及び/又は静電界が、回転防止レンズの集束力を生成し、
磁界と静電界とが、少なくとも部分的に重複する、非一時的なコンピュータ可読媒体。
55.マルチビーム装置の1つ又は複数のプロセッサによって実行可能な命令セットが、をマルチビーム装置にさらに実行させる、条項54に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
56.集束力を変更するために、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら磁界及び/又は静電界を調整すること。
57.荷電粒子ビームを集束させるための可動回転防止レンズを構成するための方法をマルチビーム装置に実行させるために、マルチビーム装置の1つ又は複数のプロセッサによって実行可能な命令セットを格納する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、方法が、
第1の磁界を生成するように第1の磁気レンズに指示することであって、第1の磁気レンズが、可動回転防止レンズの光軸と位置合わせされることと、
第2の磁界を生成するように第2の磁気レンズに指示することであって、第2の磁気レンズが、光軸と位置合わせされることと、
第3の磁界を生成するように第3の磁気レンズに指示することであって、第3の磁気レンズが、光軸と位置合わせされることと、を含み、
第1の磁界、第2の磁界及び/又は第3の磁界が、可動回転防止レンズの集束力を生成し、
第1の磁界、第2の磁界及び第3の磁界のうちの2つが、光軸上で反対の方向を有する、非一時的なコンピュータ可読媒体。
58.マルチビーム装置の1つ又は複数のプロセッサによって実行可能な命令セットが、
集束力を変更し、可動回転防止レンズの主平面を移動するために、荷電粒子ビームの回転角度を変更しないまま又は実質的に変更しないまま保持しながら第1の磁界、第2の磁界及び/又は第3の磁界を調整することをマルチビーム装置にさらに実行させる、条項57に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
Claims (26)
- サンプルを観察するためのマルチビーム装置であって、
一次電子ビームを生成するように構成された電子源と、
前記一次電子ビームを集束させるように構成された集光レンズであって、回転防止レンズ又は可動回転防止レンズのうちの1つである集光レンズと、
前記一次電子ビームの多数のビームレットによって前記電子源の多数の像を形成するように構成された供給源変換ユニットと、
前記多数のビームレットを表面上に集束させ、前記表面上に多数のプローブスポットを形成するように構成された対物レンズと、
前記サンプルから前記多数のプローブスポットによって生成された多数の二次ビームを検出するように構成された多数の検出要素を有する電子検出デバイスと、
を含む、マルチビーム装置。 - 前記電子源と前記集光レンズとの間にあり、複数のビームレット形成アパーチャを含むビームレット事前形成メカニズムをさらに含む、請求項1に記載のマルチビーム装置。
- 前記複数のビームレット形成アパーチャが、前記一次電子ビームを複数のビームレットに調節するように構成される、請求項2に記載のマルチビーム装置。
- 前記集光レンズが、複数の回転角度で前記供給源変換ユニットに入射するように前記複数のビームレットを集束させるように構成される、請求項3に記載のマルチビーム装置。
- 前記複数の回転角度が、前記多数のプローブスポットのプローブ電流を変化させる際に、変更しないまま又は実質的に変更しないままである、請求項4に記載のマルチビーム装置。
- 前記複数のビームレットが、前記多数のビームレットを構成する、請求項3~5の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記プローブ電流が、複数のビームレット形成アパーチャのサイズを変化させることによって変更することができる、請求項2~6の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記供給源変換ユニットが、前記複数のビームレットを前記多数のビームレットに調節するように構成された多数のビーム制限開口を含む、請求項3、6又は7に記載のマルチビーム装置。
- 前記プローブ電流が、前記集光レンズの集束力を調整することによって変更することができる、請求項1~8の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記複数のビームレット形成アパーチャが、前記多数のプローブスポット内にはない電子の進行を妨げるように構成される、請求項2~9の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記供給源変換ユニットが、前記多数の像を形成するために前記多数のビームレットを偏向させるように構成された像形成メカニズムを含む、請求項1~10の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記像形成メカニズムが、前記多数の像を形成するために前記多数のビームレットを偏向させるように構成された多数の電子光学要素を含む、請求項11に記載のマルチビーム装置。
- 前記多数のビームレットの偏向角度が、前記多数のプローブスポットの収差を低減するために個別に設定される、請求項11又は12に記載のマルチビーム装置。
- 前記多数の電子光学要素が、前記多数のプローブスポットの軸外収差を補償するように構成される、請求項12に記載のマルチビーム装置。
- 前記供給源変換ユニットが、前記多数のプローブスポットの軸外収差を補償するように構成されたビームレット補償メカニズムを含む、請求項1~14の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記多数の電子光学要素及び前記ビームレット補償メカニズムが共に、前記多数のプローブスポットの収差を補償する、請求項15に記載のマルチビーム装置。
- 前記供給源変換ユニットの下方に位置付けられた偏向走査ユニットをさらに含む、請求項12に記載のマルチビーム装置。
- 前記偏向走査ユニットが、前記多数のプローブスポットを走査するために前記多数のビームレットを偏向させるように構成される、請求項17に記載のマルチビーム装置。
- 前記多数の電子光学要素が、前記多数のプローブスポットを走査するために前記多数のビームレットを偏向させるように構成される、請求項17又は18に記載のマルチビーム装置。
- 前記偏向走査ユニット及び前記多数の電子光学要素が共に、前記多数のプローブスポットを走査するために前記多数のビームレットを偏向させるように構成される、請求項17又は18に記載のマルチビーム装置。
- 前記多数の電子光学要素が、前記多数のプローブスポットを走査するために前記多数のビームレットを偏向させるように構成される、請求項12に記載のマルチビーム装置。
- 前記多数のプローブスポットの1つ又は複数が、1つ又は複数の走査特徴において異なり得る、請求項19~21の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
- 前記走査特徴の1つが、走査方向を含む、請求項22に記載のマルチビーム装置。
- 前記走査特徴の1つが、走査サイズを含む、請求項22に記載のマルチビーム装置。
- 前記走査特徴の1つが、走査速度を含む、請求項22に記載のマルチビーム装置。
- 前記電子検出デバイスの前に置かれ、前記多数の二次ビームを前記多数の検出要素の方に偏向させるように構成された反走査偏向ユニットをさらに含む、請求項19~22の何れか一項に記載のマルチビーム装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022151436A JP7427740B2 (ja) | 2016-12-30 | 2022-09-22 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
JP2024008438A JP2024028581A (ja) | 2016-12-30 | 2024-01-24 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662440493P | 2016-12-30 | 2016-12-30 | |
US62/440,493 | 2016-12-30 | ||
JP2019530771A JP6946432B2 (ja) | 2016-12-30 | 2017-12-22 | 回転防止レンズ及びその調整方法並びにマルチビーム装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019530771A Division JP6946432B2 (ja) | 2016-12-30 | 2017-12-22 | 回転防止レンズ及びその調整方法並びにマルチビーム装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022151436A Division JP7427740B2 (ja) | 2016-12-30 | 2022-09-22 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022000858A JP2022000858A (ja) | 2022-01-04 |
JP7148692B2 true JP7148692B2 (ja) | 2022-10-05 |
Family
ID=61094384
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019530771A Active JP6946432B2 (ja) | 2016-12-30 | 2017-12-22 | 回転防止レンズ及びその調整方法並びにマルチビーム装置 |
JP2021150383A Active JP7148692B2 (ja) | 2016-12-30 | 2021-09-15 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
JP2022151436A Active JP7427740B2 (ja) | 2016-12-30 | 2022-09-22 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
JP2024008438A Pending JP2024028581A (ja) | 2016-12-30 | 2024-01-24 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019530771A Active JP6946432B2 (ja) | 2016-12-30 | 2017-12-22 | 回転防止レンズ及びその調整方法並びにマルチビーム装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022151436A Active JP7427740B2 (ja) | 2016-12-30 | 2022-09-22 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
JP2024008438A Pending JP2024028581A (ja) | 2016-12-30 | 2024-01-24 | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11062874B2 (ja) |
EP (2) | EP4250334A3 (ja) |
JP (4) | JP6946432B2 (ja) |
KR (3) | KR102392700B1 (ja) |
CN (2) | CN116313708A (ja) |
IL (1) | IL267670A (ja) |
TW (4) | TWI684197B (ja) |
WO (1) | WO2018122176A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015202172B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
KR20200007103A (ko) * | 2015-11-30 | 2020-01-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 복수의 하전된 입자 빔의 장치 |
KR102480232B1 (ko) * | 2016-01-27 | 2022-12-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 복수의 하전 입자 빔들의 장치 |
US11289304B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus using multiple beams of charged particles |
KR102505631B1 (ko) | 2017-09-07 | 2023-03-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 복수의 하전 입자 빔에 의한 샘플 검사 방법 |
JP7053805B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-04-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 複数の荷電粒子ビームを用いてサンプルを検査する方法 |
KR102444511B1 (ko) | 2017-09-29 | 2022-09-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 샘플 검사에서 이미지 콘트라스트 향상 |
DE102018202428B3 (de) * | 2018-02-16 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
DE102018202421B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
WO2019166331A2 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle beam system and method |
US10811215B2 (en) | 2018-05-21 | 2020-10-20 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Charged particle beam system |
WO2020030483A1 (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus for multiple charged-particle beams |
DE102018007455B4 (de) | 2018-09-21 | 2020-07-09 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt |
DE102018007652B4 (de) | 2018-09-27 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen |
DE102018124044B3 (de) | 2018-09-28 | 2020-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
WO2020099095A1 (en) | 2018-11-16 | 2020-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Electromagnetic compound lens and charged particle optical system with such a lens |
WO2020135963A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus for multiple charged-particle beams |
TWI743626B (zh) | 2019-01-24 | 2021-10-21 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品 |
CN111477530B (zh) | 2019-01-24 | 2023-05-05 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法 |
EP3948922A1 (en) | 2019-03-29 | 2022-02-09 | ASML Netherlands B.V. | Multi-beam inspection apparatus with single-beam mode |
EP3977501A1 (en) * | 2019-05-28 | 2022-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Multiple charged-particle beam apparatus |
DE102019004124B4 (de) * | 2019-06-13 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen sowie seine Verwendung und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System |
WO2021104991A1 (en) | 2019-11-28 | 2021-06-03 | Asml Netherlands B.V. | Multi-source charged particle illumination apparatus |
WO2022023232A1 (en) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for signal electron detection in an inspection apparatus |
TWI812991B (zh) * | 2020-09-03 | 2023-08-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子系統及操作帶電粒子系統之方法 |
WO2022063540A1 (en) * | 2020-09-22 | 2022-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Anti-scanning operation mode of secondary-electron projection imaging system for apparatus with plurality of beamlets |
US20240079204A1 (en) | 2020-12-24 | 2024-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Operation methods of 2d pixelated detector for an apparatus with plural charged-particle beams and mapping surface potentials |
WO2023160959A1 (en) | 2022-02-23 | 2023-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Beam manipulation using charge regulator in a charged particle system |
EP4266347A1 (en) | 2022-04-19 | 2023-10-25 | ASML Netherlands B.V. | Method of filtering false positives for a pixelated electron detector |
JP2023172433A (ja) * | 2022-05-24 | 2023-12-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射方法 |
WO2024017717A1 (en) | 2022-07-21 | 2024-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Enhanced edge detection using detector incidence locations |
WO2024033071A1 (en) | 2022-08-08 | 2024-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Particle detector with reduced inter-symbol interference |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002319532A (ja) | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びデバイスの製造方法並びに荷電粒子線応用装置 |
JP2007110087A (ja) | 2005-09-13 | 2007-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線装置及び電子線照射パターン生成方法 |
US20160268096A1 (en) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of Plural Charged-Particle Beams |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2115976A (en) | 1982-02-26 | 1983-09-14 | Philips Electronic Associated | Charged particle beam apparatus |
US4544847A (en) * | 1983-07-28 | 1985-10-01 | Varian Associates, Inc. | Multi-gap magnetic imaging lens for charged particle beams |
GB2192092A (en) * | 1986-06-25 | 1987-12-31 | Philips Electronic Associated | Magnetic lens system |
JPH09245703A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの軸合わせ装置 |
WO2001075947A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille elctronique multi-axiale, une lentille electronique multi-axiale pour la focalisation de faisceaux d'electrons, et procede de fabrication de dispositif semi-conducteur |
WO2002001597A1 (fr) | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Ebara Corporation | Appareil d'inspection a faisceau de particules chargees et procede de fabrication d'un dispositif utilisant cet appareil d'inspection |
WO2002037527A1 (fr) * | 2000-11-02 | 2002-05-10 | Ebara Corporation | Appareil a faisceau electronique et procede de production de dispositif utilisant cet appareil |
JP4041742B2 (ja) | 2001-05-01 | 2008-01-30 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置及び該電子線装置を用いたデバイス製造方法 |
US7041988B2 (en) | 2002-05-10 | 2006-05-09 | Advantest Corp. | Electron beam exposure apparatus and electron beam processing apparatus |
JP2003332206A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-21 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム処理装置 |
JP2005032588A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡用磁界型対物レンズ |
DE102004019834B4 (de) * | 2004-04-23 | 2007-03-22 | Vistec Electron Beam Gmbh | Korrekturlinsen-System für ein Partikelstrahl-Projektionsgerät |
TWI477925B (zh) | 2011-10-04 | 2015-03-21 | Nuflare Technology Inc | Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method |
JP5970213B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
EP2706554B1 (en) * | 2012-09-10 | 2016-05-25 | Fei Company | Method of using a compound particle-optical lens |
EP2722868B1 (en) | 2012-10-16 | 2018-02-21 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Octopole device and method for spot size improvement |
EP2816585A1 (en) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam system and method of operating thereof |
JP6571092B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2019-09-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ビームデリバリ装置及び方法 |
US9263233B2 (en) * | 2013-09-29 | 2016-02-16 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same |
US9607805B2 (en) * | 2015-05-12 | 2017-03-28 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP6684586B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2020-04-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム装置 |
-
2017
- 2017-12-22 CN CN202310393035.5A patent/CN116313708A/zh active Pending
- 2017-12-22 CN CN201780081259.5A patent/CN110352469B/zh active Active
- 2017-12-22 JP JP2019530771A patent/JP6946432B2/ja active Active
- 2017-12-22 KR KR1020197022327A patent/KR102392700B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-22 KR KR1020227014069A patent/KR102581991B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-22 KR KR1020237032087A patent/KR20230140601A/ko active Application Filing
- 2017-12-22 EP EP23184135.4A patent/EP4250334A3/en active Pending
- 2017-12-22 US US16/474,027 patent/US11062874B2/en active Active
- 2017-12-22 EP EP17836032.7A patent/EP3563400A1/en not_active Ceased
- 2017-12-22 WO PCT/EP2017/084429 patent/WO2018122176A1/en unknown
- 2017-12-28 TW TW106146133A patent/TWI684197B/zh active
- 2017-12-28 TW TW109100368A patent/TWI748319B/zh active
- 2017-12-28 TW TW110140345A patent/TWI795054B/zh active
- 2017-12-28 TW TW112103159A patent/TWI829519B/zh active
-
2019
- 2019-06-26 IL IL267670A patent/IL267670A/en unknown
-
2021
- 2021-07-12 US US17/373,766 patent/US20220005665A1/en active Pending
- 2021-09-15 JP JP2021150383A patent/JP7148692B2/ja active Active
-
2022
- 2022-09-22 JP JP2022151436A patent/JP7427740B2/ja active Active
-
2024
- 2024-01-24 JP JP2024008438A patent/JP2024028581A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002319532A (ja) | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びデバイスの製造方法並びに荷電粒子線応用装置 |
JP2007110087A (ja) | 2005-09-13 | 2007-04-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線装置及び電子線照射パターン生成方法 |
US20160268096A1 (en) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of Plural Charged-Particle Beams |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4250334A3 (en) | 2023-12-06 |
KR20230140601A (ko) | 2023-10-06 |
JP2022000858A (ja) | 2022-01-04 |
US20220005665A1 (en) | 2022-01-06 |
JP2024028581A (ja) | 2024-03-04 |
EP3563400A1 (en) | 2019-11-06 |
KR20220054914A (ko) | 2022-05-03 |
CN110352469B (zh) | 2023-05-02 |
WO2018122176A1 (en) | 2018-07-05 |
TWI748319B (zh) | 2021-12-01 |
TWI684197B (zh) | 2020-02-01 |
IL267670A (en) | 2019-08-29 |
KR102581991B1 (ko) | 2023-09-22 |
KR20190099316A (ko) | 2019-08-26 |
CN116313708A (zh) | 2023-06-23 |
JP6946432B2 (ja) | 2021-10-06 |
TW202345189A (zh) | 2023-11-16 |
EP4250334A2 (en) | 2023-09-27 |
US20190333732A1 (en) | 2019-10-31 |
US11062874B2 (en) | 2021-07-13 |
TWI795054B (zh) | 2023-03-01 |
TW202030760A (zh) | 2020-08-16 |
TWI829519B (zh) | 2024-01-11 |
KR102392700B1 (ko) | 2022-04-29 |
TW202232554A (zh) | 2022-08-16 |
TW201841186A (zh) | 2018-11-16 |
CN110352469A (zh) | 2019-10-18 |
JP7427740B2 (ja) | 2024-02-05 |
JP2022174308A (ja) | 2022-11-22 |
JP2020503644A (ja) | 2020-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7148692B2 (ja) | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 | |
US11398368B2 (en) | Apparatus of plural charged-particle beams | |
US10062541B2 (en) | Apparatus of plural charged-particle beams | |
CN111681939B (zh) | 多个带电粒子束的装置 | |
TWI650550B (zh) | 用於高產量電子束檢測(ebi)的多射束裝置 | |
US11302514B2 (en) | Apparatus for multiple charged-particle beams | |
US20230223233A1 (en) | Charged particle system, aperture array, charged particle tool and method of operating a charged particle system | |
TW201929027A (zh) | 多帶電粒子束裝置及用於觀測樣品表面之方法 | |
TWI787802B (zh) | 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法 | |
TW202318469A (zh) | 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211004 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220824 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220826 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7148692 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |