JPH09245703A - 荷電粒子ビームの軸合わせ装置 - Google Patents
荷電粒子ビームの軸合わせ装置Info
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- JPH09245703A JPH09245703A JP5567996A JP5567996A JPH09245703A JP H09245703 A JPH09245703 A JP H09245703A JP 5567996 A JP5567996 A JP 5567996A JP 5567996 A JP5567996 A JP 5567996A JP H09245703 A JPH09245703 A JP H09245703A
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- charged particle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電粒子ビームの光路長を短くすることがで
きる荷電粒子ビームの軸合わせ装置を実現する。 【構成】 操作回路１８を操作して各アライメント駆動
回路９，１０，１１，１２を制御し、一次電子ビーム
（ＥＢ）の軸合わせを行う。次に、入力回路１７により
集束レンズ２の励磁強度の変化を指示すると、集束レン
ズ制御ユニット１４、駆動回路８を介して集束レンズ２
の励磁強度が任意に変えられる。集束レンズ制御ユニッ
ト１４から上段アライメントコイル１５には、集束レン
ズ２の励磁強度に応じた信号が供給される。上段アライ
メントコイル制御ユニット１５は、励磁強度に応じた電
子ビームの回転角θの値と最初に軸合わせをしたときの
初期のコイル設定値とから、補正されたコイル設定値を
演算する。この演算結果はアライメント駆動回路９，１
０を介してアライメントコイル６に供給される。
きる荷電粒子ビームの軸合わせ装置を実現する。 【構成】 操作回路１８を操作して各アライメント駆動
回路９，１０，１１，１２を制御し、一次電子ビーム
（ＥＢ）の軸合わせを行う。次に、入力回路１７により
集束レンズ２の励磁強度の変化を指示すると、集束レン
ズ制御ユニット１４、駆動回路８を介して集束レンズ２
の励磁強度が任意に変えられる。集束レンズ制御ユニッ
ト１４から上段アライメントコイル１５には、集束レン
ズ２の励磁強度に応じた信号が供給される。上段アライ
メントコイル制御ユニット１５は、励磁強度に応じた電
子ビームの回転角θの値と最初に軸合わせをしたときの
初期のコイル設定値とから、補正されたコイル設定値を
演算する。この演算結果はアライメント駆動回路９，１
０を介してアライメントコイル６に供給される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査電子顕微鏡やイオ
ンビーム装置などの装置において、電子ビームやイオン
ビームの軸合わせを行う装置に関する。
ンビーム装置などの装置において、電子ビームやイオン
ビームの軸合わせを行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し
た一次電子ビームを集束レンズや対物レンズ等で試料上
に細く集束し、更に、試料上の電子ビームの照射位置を
２次元的に走査している。この場合、電子銃から発生し
加速された電子ビームの照射方向が、電子光学系の中心
軸に沿っていなければならない。
た一次電子ビームを集束レンズや対物レンズ等で試料上
に細く集束し、更に、試料上の電子ビームの照射位置を
２次元的に走査している。この場合、電子銃から発生し
加速された電子ビームの照射方向が、電子光学系の中心
軸に沿っていなければならない。
【０００３】このため、電子ビームの軸合わせが必要と
なる。図１は電子ビームの軸合わせを行う構成を示して
おり、１が電子銃のエミッタであり、エミッタ１以外の
構成要素は除かれている。２はエミッタ１から発生し加
速された一次電子ビーム（ＥＢ）を集束する集束レンズ
である。電子銃と集束レンズ２との間には、一次電子ビ
ーム（ＥＢ）の軸補正をするための２段のアライメント
コイル３，４が配置されている。
なる。図１は電子ビームの軸合わせを行う構成を示して
おり、１が電子銃のエミッタであり、エミッタ１以外の
構成要素は除かれている。２はエミッタ１から発生し加
速された一次電子ビーム（ＥＢ）を集束する集束レンズ
である。電子銃と集束レンズ２との間には、一次電子ビ
ーム（ＥＢ）の軸補正をするための２段のアライメント
コイル３，４が配置されている。
【０００４】このような構成でエミッタ１からの一次電
子ビーム（ＥＢ）は、エミッタが中心軸Ｏに一致しない
場合、電子光学系の中心軸Ｏからある角度で放射され
る。この斜めに放射された電子ビームは、電子光学系中
心軸Ｏに一致させるか、少なくとも中心軸Ｏと平行にし
なければならない。このため、第１のアライメントコイ
ル３により電子ビームを中心軸Ｏの方向に偏向し、更
に、第２のアライメントコイル４により電子ビームを中
心軸Ｏと一致させるように再度偏向する。すなわち、ア
ライメントコイル３，４により電子ビームのチルト・シ
フト動作を行って軸合わせを行う。
子ビーム（ＥＢ）は、エミッタが中心軸Ｏに一致しない
場合、電子光学系の中心軸Ｏからある角度で放射され
る。この斜めに放射された電子ビームは、電子光学系中
心軸Ｏに一致させるか、少なくとも中心軸Ｏと平行にし
なければならない。このため、第１のアライメントコイ
ル３により電子ビームを中心軸Ｏの方向に偏向し、更
に、第２のアライメントコイル４により電子ビームを中
心軸Ｏと一致させるように再度偏向する。すなわち、ア
ライメントコイル３，４により電子ビームのチルト・シ
フト動作を行って軸合わせを行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の構成では、第１
と第２のアライメントコイル３，４と集束レンズ２を電
子ビーム光軸に沿って配置することから、電子光学系の
長さが長くなり、走査電子顕微鏡の構造が大型化する。
アライメントコイルを集束レンズ２の磁場内に配置すれ
ば、電子ビームの光路長を短くできるが、良く知られて
いるように、電子ビームは磁場内で回転する。
と第２のアライメントコイル３，４と集束レンズ２を電
子ビーム光軸に沿って配置することから、電子光学系の
長さが長くなり、走査電子顕微鏡の構造が大型化する。
アライメントコイルを集束レンズ２の磁場内に配置すれ
ば、電子ビームの光路長を短くできるが、良く知られて
いるように、電子ビームは磁場内で回転する。
【０００６】従って、集束レンズ２の特定の励磁条件で
電子ビームの軸合わせを行っても、集束レンズの磁場の
強度を変えると、電子ビームの回転角が変化し、軸合わ
せの状態が変化してしまって、再び軸合わせ動作を行わ
ねばならず、結果的にアライメントコイルを集束レンズ
磁場内に配置できない。更に、アライメントコイルの設
置場所によっては、レンズ配置による特性（性能）や、
外部環境（外部磁場）等の影響による弊害が起こりやす
い。
電子ビームの軸合わせを行っても、集束レンズの磁場の
強度を変えると、電子ビームの回転角が変化し、軸合わ
せの状態が変化してしまって、再び軸合わせ動作を行わ
ねばならず、結果的にアライメントコイルを集束レンズ
磁場内に配置できない。更に、アライメントコイルの設
置場所によっては、レンズ配置による特性（性能）や、
外部環境（外部磁場）等の影響による弊害が起こりやす
い。
【０００７】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、荷電粒子ビームの光路長を短くす
ることができる荷電粒子ビームの軸合わせ装置を実現す
るにある。
もので、その目的は、荷電粒子ビームの光路長を短くす
ることができる荷電粒子ビームの軸合わせ装置を実現す
るにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビームの軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集
束するレンズ磁場の中に荷電粒子ビームの軸合わせを行
うための偏向手段を配置し、偏向手段による荷電粒子ビ
ームの偏向量を集束レンズ磁場の強度に応じて変化させ
るように構成したことを特徴としている。
荷電粒子ビームの軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集
束するレンズ磁場の中に荷電粒子ビームの軸合わせを行
うための偏向手段を配置し、偏向手段による荷電粒子ビ
ームの偏向量を集束レンズ磁場の強度に応じて変化させ
るように構成したことを特徴としている。
【０００９】請求項１の発明に基づく荷電粒子ビームの
軸合わせ装置は、レンズ磁場内に配置された荷電粒子ビ
ームの軸合わせを行う偏向手段による荷電粒子ビームの
偏向量をレンズの磁場強度に応じて変化させる。
軸合わせ装置は、レンズ磁場内に配置された荷電粒子ビ
ームの軸合わせを行う偏向手段による荷電粒子ビームの
偏向量をレンズの磁場強度に応じて変化させる。
【００１０】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビームの
軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場
の中に第１の偏向手段を配置し、レンズ磁場の外側に第
２の偏向手段を配置して、第１と第２の偏向手段により
荷電粒子ビームの軸合わせを行うと共に、第１の偏向手
段による荷電粒子ビームの偏向量を集束レンズ磁場の強
度に応じて変化させるように構成したことを特徴として
いる。
軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場
の中に第１の偏向手段を配置し、レンズ磁場の外側に第
２の偏向手段を配置して、第１と第２の偏向手段により
荷電粒子ビームの軸合わせを行うと共に、第１の偏向手
段による荷電粒子ビームの偏向量を集束レンズ磁場の強
度に応じて変化させるように構成したことを特徴として
いる。
【００１１】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビームの
軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場
の中に配置された第１の偏向手段とレンズ磁場の外側に
配置された第２の偏向手段により荷電粒子ビームの軸合
わせを行うと共に、第１の偏向手段による荷電粒子ビー
ムの偏向量を集束レンズ磁場の強度に応じて変化させ
る。
軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場
の中に配置された第１の偏向手段とレンズ磁場の外側に
配置された第２の偏向手段により荷電粒子ビームの軸合
わせを行うと共に、第１の偏向手段による荷電粒子ビー
ムの偏向量を集束レンズ磁場の強度に応じて変化させ
る。
【００１２】
【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形
態を詳細に説明する。図２，図３は本発明の基本的な考
え方を説明するための図であり、図１と同一構成要素に
は同一番号が付されている。この図２，図３の例では、
１段のアライメントコイル５が、集束レンズ２の磁場内
に配置されている。エミッタ１から斜めに放射された一
次電子ビーム（ＥＢ）は、集束レンズ２の磁場によって
集束されると共に、アライメントコイル５によって電子
光学系の中心軸Ｏと平行に軸合わせされる。
態を詳細に説明する。図２，図３は本発明の基本的な考
え方を説明するための図であり、図１と同一構成要素に
は同一番号が付されている。この図２，図３の例では、
１段のアライメントコイル５が、集束レンズ２の磁場内
に配置されている。エミッタ１から斜めに放射された一
次電子ビーム（ＥＢ）は、集束レンズ２の磁場によって
集束されると共に、アライメントコイル５によって電子
光学系の中心軸Ｏと平行に軸合わせされる。
【００１３】図２の下部の円は、集束レンズ２の磁場を
通過した電子ビームの位置を示すためのものであり、中
心軸Ｏから離れた位置Ａを電子ビームは通過する。な
お、この時のアライメントコイル５による電子ビームの
軸合わせのための補正値を（ｘ，ｙ）とする。
通過した電子ビームの位置を示すためのものであり、中
心軸Ｏから離れた位置Ａを電子ビームは通過する。な
お、この時のアライメントコイル５による電子ビームの
軸合わせのための補正値を（ｘ，ｙ）とする。
【００１４】図２の状態で集束レンズ２の励磁強度を変
えると、電子ビームの集束レンズ磁場内の回転角は変化
し、図３の状態となる。すなわち、集束レンズ２の磁場
を通過した電子ビームの位置は、アライメントコイル５
への設定値がｘ，ｙであると角度θ回転し、Ｂの位置を
通過する。
えると、電子ビームの集束レンズ磁場内の回転角は変化
し、図３の状態となる。すなわち、集束レンズ２の磁場
を通過した電子ビームの位置は、アライメントコイル５
への設定値がｘ，ｙであると角度θ回転し、Ｂの位置を
通過する。
【００１５】この際、Ｂの位置を通過する電子ビームを
初期状態と同じＡの位置を通過させるためには、Ｘ方向
のアライメント設定値をｘ1 、Ｙ方向のアライメント設
定値をｙ2 とする必要がある。この（ｘ，ｙ）と
（ｘ1 ，ｙ1 ）との関係は、次式で定義することができ
る。
初期状態と同じＡの位置を通過させるためには、Ｘ方向
のアライメント設定値をｘ1 、Ｙ方向のアライメント設
定値をｙ2 とする必要がある。この（ｘ，ｙ）と
（ｘ1 ，ｙ1 ）との関係は、次式で定義することができ
る。
【００１６】ｘ1 ＝ｘ・ｃｏｓθ−ｙ・ｓｉｎθ ｙ1 ＝ｙ・ｃｏｓθ＋ｘ・ｓｉｎθ なお、上記関係式は、コイル５に流す電流の向きを逆に
すると、次の関係式となる。
すると、次の関係式となる。
【００１７】ｘ1 ＝ｘ・ｃｏｓθ＋ｙ・ｓｉｎθ ｙ1 ＝ｙ・ｃｏｓθ−ｘ・ｓｉｎθ ここで、回転角を収束レンズ２の励磁強度と関連させて
記憶しておき、各レンズ強度のときに上記式によって求
めたｘ1 ，ｙ1 の値をアライメントコイル５に供給すれ
ば、どのような励磁強度での回転角であっても、常に、
電子ビームは初期に設定したＡの位置を通過することに
なる。
記憶しておき、各レンズ強度のときに上記式によって求
めたｘ1 ，ｙ1 の値をアライメントコイル５に供給すれ
ば、どのような励磁強度での回転角であっても、常に、
電子ビームは初期に設定したＡの位置を通過することに
なる。
【００１８】このように、アライメントコイル５を集束
レンズ２の磁場内に配置しても、常に正確に軸合わせを
行うことができ、その結果、電子ビームの光路長を短く
することができると共に、レンズ配置の自由度を持たせ
ることが可能となる。また、アライメントコイルが集束
レンズ磁場内に配置されるので、外部環境（外部磁場
等）による影響を受けずらくなる。
レンズ２の磁場内に配置しても、常に正確に軸合わせを
行うことができ、その結果、電子ビームの光路長を短く
することができると共に、レンズ配置の自由度を持たせ
ることが可能となる。また、アライメントコイルが集束
レンズ磁場内に配置されるので、外部環境（外部磁場
等）による影響を受けずらくなる。
【００１９】図４は本発明の他の実施の形態を示してお
り、この形態では、２段のアライメントコイルの内、一
方が集束レンズ磁場内に配置されている。図において、
２段のアライメントコイル６，７の内、一方のコイル６
が集束レンズ２の磁場内に配置されている。集束レンズ
２には、駆動回路８から励磁電流が供給されている。
り、この形態では、２段のアライメントコイルの内、一
方が集束レンズ磁場内に配置されている。図において、
２段のアライメントコイル６，７の内、一方のコイル６
が集束レンズ２の磁場内に配置されている。集束レンズ
２には、駆動回路８から励磁電流が供給されている。
【００２０】また、アライメントコイル６のＸコイルに
はＸアライメント駆動回路９からアライメント電流が供
給され、アライメントコイル６のＹコイルにはＹアライ
メント駆動回路１０からアライメント電流が供給され
る。更に、アライメントコイル７のＸコイルにはＸアラ
イメント駆動回路１１からアライメント電流が供給さ
れ、アライメントコイル７のＹコイルにはＹアライメン
ト駆動回路１２からアライメント電流が供給される。
はＸアライメント駆動回路９からアライメント電流が供
給され、アライメントコイル６のＹコイルにはＹアライ
メント駆動回路１０からアライメント電流が供給され
る。更に、アライメントコイル７のＸコイルにはＸアラ
イメント駆動回路１１からアライメント電流が供給さ
れ、アライメントコイル７のＹコイルにはＹアライメン
ト駆動回路１２からアライメント電流が供給される。
【００２１】集束レンズ駆動回路８は、ＣＰＵ（中央処
理装置）１３内の集束レンズ制御ユニット１４からの制
御信号により駆動され、駆動回路９，１０は、ＣＰＵ１
３内の上段アライメントコイル制御ユニット１５からの
制御信号により駆動され、駆動回路１１，１２は、ＣＰ
Ｕ１３内の下段アライメントコイル制御ユニット１６か
らの制御信号により駆動される。
理装置）１３内の集束レンズ制御ユニット１４からの制
御信号により駆動され、駆動回路９，１０は、ＣＰＵ１
３内の上段アライメントコイル制御ユニット１５からの
制御信号により駆動され、駆動回路１１，１２は、ＣＰ
Ｕ１３内の下段アライメントコイル制御ユニット１６か
らの制御信号により駆動される。
【００２２】ＣＰＵ１３内の集束レンズ制御ユニット１
４には、入力回路１７から集束レンズ２の励磁強度に応
じた信号が供給され、制御ユニット１４は、入力信号に
応じて集束レンズ駆動回路８を制御する。また、上段ア
ライメントコイル制御ユニット１５と下段アライメント
コイル制御ユニット１６とは、操作回路１８によって操
作され、各制御ユニット１５，１６は、操作回路１８の
操作に応じて各アライメント駆動回路９，１０，１１，
１２を制御する。なお、集束レンズの励磁強度に応じた
信号は、制御ユニット１４から上段アライメントコイル
制御ユニット１５に供給される。このような構成の動作
を次に説明する。
４には、入力回路１７から集束レンズ２の励磁強度に応
じた信号が供給され、制御ユニット１４は、入力信号に
応じて集束レンズ駆動回路８を制御する。また、上段ア
ライメントコイル制御ユニット１５と下段アライメント
コイル制御ユニット１６とは、操作回路１８によって操
作され、各制御ユニット１５，１６は、操作回路１８の
操作に応じて各アライメント駆動回路９，１０，１１，
１２を制御する。なお、集束レンズの励磁強度に応じた
信号は、制御ユニット１４から上段アライメントコイル
制御ユニット１５に供給される。このような構成の動作
を次に説明する。
【００２３】まず、特定の集束レンズの励磁強度のとき
に、操作回路１８を操作して各アライメント駆動回路
９，１０，１１，１２を制御し、一次電子ビームＥＢの
軸合わせを行う。次に、入力回路１７により集束レンズ
２の励磁強度の変化を指示すると、集束レンズ制御ユニ
ット１４、駆動回路８を介して集束レンズ２の励磁強度
が任意に変えられる。この時、一次電子ビーム（ＥＢ）
は、集束レンズ２の磁場の強度の変化に応じて回転する
ことは前に述べた。
に、操作回路１８を操作して各アライメント駆動回路
９，１０，１１，１２を制御し、一次電子ビームＥＢの
軸合わせを行う。次に、入力回路１７により集束レンズ
２の励磁強度の変化を指示すると、集束レンズ制御ユニ
ット１４、駆動回路８を介して集束レンズ２の励磁強度
が任意に変えられる。この時、一次電子ビーム（ＥＢ）
は、集束レンズ２の磁場の強度の変化に応じて回転する
ことは前に述べた。
【００２４】集束レンズ制御ユニット１４から上段アラ
イメントコイル１５には、集束レンズ２の励磁強度（磁
場の強さ）に応じた信号が供給される。このユニット１
５には予め励磁強度に応じた電子ビームの回転角θの情
報が記憶されている。この回転角θの値は、磁場の強度
により演算で予め求めることができるし、あるいは、各
磁場強度のときの電子ビームの回転角を実際に測定し、
その測定値を記憶させるようにしても良い。
イメントコイル１５には、集束レンズ２の励磁強度（磁
場の強さ）に応じた信号が供給される。このユニット１
５には予め励磁強度に応じた電子ビームの回転角θの情
報が記憶されている。この回転角θの値は、磁場の強度
により演算で予め求めることができるし、あるいは、各
磁場強度のときの電子ビームの回転角を実際に測定し、
その測定値を記憶させるようにしても良い。
【００２５】上段アライメントコイル制御ユニット１５
では、この回転角θの値と最初に軸合わせをしたときの
初期のコイル設定値とから、前記した関係式により補正
されたコイル設定値を演算する。この演算結果はアライ
メント駆動回路９を介してアライメントコイル６のＸ方
向コイルに供給され、Ｙアライメント駆動回路１０を介
してアライメントコイル６のＹ方向コイルに供給され
る。この結果、集束レンズ２の励磁条件が変化しても、
常にアライメントコイル６によって電子ビームは一定の
位置に偏向され、常にアライメントコイル６，７により
正確な軸合わせが行われる。
では、この回転角θの値と最初に軸合わせをしたときの
初期のコイル設定値とから、前記した関係式により補正
されたコイル設定値を演算する。この演算結果はアライ
メント駆動回路９を介してアライメントコイル６のＸ方
向コイルに供給され、Ｙアライメント駆動回路１０を介
してアライメントコイル６のＹ方向コイルに供給され
る。この結果、集束レンズ２の励磁条件が変化しても、
常にアライメントコイル６によって電子ビームは一定の
位置に偏向され、常にアライメントコイル６，７により
正確な軸合わせが行われる。
【００２６】なお、上記したアライメントコイル６への
設定値を求める場合、関係式で常に演算を行わず、上段
アライメントコイル制御ユニット１５中に、集束レンズ
の励磁強度（回転角）とコイル６への設定値とのテーブ
ルを用意し、このテーブルの値に基づいてコイル６への
設定値を取り出すようにしても良い。
設定値を求める場合、関係式で常に演算を行わず、上段
アライメントコイル制御ユニット１５中に、集束レンズ
の励磁強度（回転角）とコイル６への設定値とのテーブ
ルを用意し、このテーブルの値に基づいてコイル６への
設定値を取り出すようにしても良い。
【００２７】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビームの
軸合わせを例に説明したが、荷電粒子ビームの軸合わせ
にも本発明を適用することができる。また、軸合わせを
行うための偏向手段として、コイルを用いたが、静電偏
向手段を用いても良い。
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビームの
軸合わせを例に説明したが、荷電粒子ビームの軸合わせ
にも本発明を適用することができる。また、軸合わせを
行うための偏向手段として、コイルを用いたが、静電偏
向手段を用いても良い。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に基づく
荷電粒子ビームの軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集
束するレンズ磁場の中に荷電粒子ビームの軸合わせを行
うための偏向手段を配置し、偏向手段による荷電粒子ビ
ームの偏向量を集束レンズ磁場の強度に応じて変化させ
るように構成したので、電子光路長を短くすることがで
き、走査電子顕微鏡などの荷電粒子ビーム装置全体をコ
ンパクト化することに効果を有する。また、集束レンズ
等の配置の自由度を増すことができる。更に、アライメ
ントコイルが集束レンズ磁場内に配置されるので、外部
環境（外部磁場等）による影響を受けずらくなる。
荷電粒子ビームの軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集
束するレンズ磁場の中に荷電粒子ビームの軸合わせを行
うための偏向手段を配置し、偏向手段による荷電粒子ビ
ームの偏向量を集束レンズ磁場の強度に応じて変化させ
るように構成したので、電子光路長を短くすることがで
き、走査電子顕微鏡などの荷電粒子ビーム装置全体をコ
ンパクト化することに効果を有する。また、集束レンズ
等の配置の自由度を増すことができる。更に、アライメ
ントコイルが集束レンズ磁場内に配置されるので、外部
環境（外部磁場等）による影響を受けずらくなる。
【００２９】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビームの
軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場
の中に第１の偏向手段を配置し、レンズ磁場の外側に第
２の偏向手段を配置して、第１と第２の偏向手段により
荷電粒子ビームの軸合わせを行うと共に、第１の偏向手
段による荷電粒子ビームの偏向量を集束レンズ磁場の強
度に応じて変化させるように構成したので、請求項１の
発明と同様な効果を有する。
軸合わせ装置は、荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場
の中に第１の偏向手段を配置し、レンズ磁場の外側に第
２の偏向手段を配置して、第１と第２の偏向手段により
荷電粒子ビームの軸合わせを行うと共に、第１の偏向手
段による荷電粒子ビームの偏向量を集束レンズ磁場の強
度に応じて変化させるように構成したので、請求項１の
発明と同様な効果を有する。
【図１】従来の電子ビームの軸合わせ装置を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】本発明の原理を説明するための図である。
【図４】本発明に基づく電子ビームの軸合わせ装置の一
例を示す図である。
例を示す図である。
２ 集束レンズ ６，７ アライメントコイル ８ 集束レンズ駆動回路 ９，１０，１１，１２ アライメントコイル駆動回路 １３ ＣＰＵ １４ 集束レンズ制御ユニット １５，１６ アライメントコイル制御ユニット １７ 入力回路 １８ 操作回路
Claims (2)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場の
中に荷電粒子ビームの軸合わせを行うための偏向手段を
配置し、偏向手段による荷電粒子ビームの偏向量を集束
レンズ磁場の強度に応じて変化させるように構成した荷
電粒子ビームの軸合わせ装置。 - 【請求項２】 荷電粒子ビームを集束するレンズ磁場の
中に第１の偏向手段を配置し、レンズ磁場の外側に第２
の偏向手段を配置して、第１と第２の偏向手段により荷
電粒子ビームの軸合わせを行うと共に、第１の偏向手段
による荷電粒子ビームの偏向量を集束レンズ磁場の強度
に応じて変化させるように構成した荷電粒子ビームの軸
合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5567996A JPH09245703A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 荷電粒子ビームの軸合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5567996A JPH09245703A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 荷電粒子ビームの軸合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09245703A true JPH09245703A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13005590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5567996A Withdrawn JPH09245703A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 荷電粒子ビームの軸合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09245703A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2011009127A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置 |
| JP2013254736A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 可動コンデンサーレンズを備えた高輝度電子銃 |
| WO2018122176A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple charged particle beams |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP5567996A patent/JPH09245703A/ja not_active Withdrawn
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