JPH03134944A - 電子線装置 - Google Patents
電子線装置Info
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- JPH03134944A JPH03134944A JP1274533A JP27453389A JPH03134944A JP H03134944 A JPH03134944 A JP H03134944A JP 1274533 A JP1274533 A JP 1274533A JP 27453389 A JP27453389 A JP 27453389A JP H03134944 A JPH03134944 A JP H03134944A
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- energization
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 25
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、実現すべき任意のプローブ電流値に対して最
適開き角の電子線を試料に照射して試料の観察が可能な
電子線装置に関する。
適開き角の電子線を試料に照射して試料の観察が可能な
電子線装置に関する。
［従来の技術］
電子線プローブを試料に照射して試料の観察、分析を行
なう走査電子顕微鏡等の電子線装置においては、加速電
圧とプローブ電流Ｉｐを種々切換えて試料の観察が行わ
れている。
なう走査電子顕微鏡等の電子線装置においては、加速電
圧とプローブ電流Ｉｐを種々切換えて試料の観察が行わ
れている。
加速電圧またはプローブ電流を切換えた場合、分解能が
高く且つコントラストの高い良質な像が得られるように
、試料に照射される電子線プローブの開き角αｏｐｔを
調整するため、開き角制御が行なわれている。例えば従
来は、１段または２段の集束レンズと対物レンズの間に
配置された対物絞りの径を変えたり、一定の対物絞り径
に対して集束レンズによりビームの結像位置を集束レン
ズと対物絞りとの間で変えて粗い近似的な開き角制御を
行なったり、特公昭５６−１０７４０号公報に示される
ような開き角制御が行われていた。
高く且つコントラストの高い良質な像が得られるように
、試料に照射される電子線プローブの開き角αｏｐｔを
調整するため、開き角制御が行なわれている。例えば従
来は、１段または２段の集束レンズと対物レンズの間に
配置された対物絞りの径を変えたり、一定の対物絞り径
に対して集束レンズによりビームの結像位置を集束レン
ズと対物絞りとの間で変えて粗い近似的な開き角制御を
行なったり、特公昭５６−１０７４０号公報に示される
ような開き角制御が行われていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前記対物絞り径を変える方式では、目的
に応じてその都度絞り径を変える必要があるため面倒で
あり、プローブ電流に対し、第１と第２の集束レンズの
連動比が一定かまたはあまり変化しない２段集束レンズ
系において対物絞り径を一定にしておく方式では、全プ
ローブ電流域（例えばＩＱ−１２〜１Ｏ−５Ａ）に対し
て、開き角を理想的な値にするのは実現が困難である。
に応じてその都度絞り径を変える必要があるため面倒で
あり、プローブ電流に対し、第１と第２の集束レンズの
連動比が一定かまたはあまり変化しない２段集束レンズ
系において対物絞り径を一定にしておく方式では、全プ
ローブ電流域（例えばＩＱ−１２〜１Ｏ−５Ａ）に対し
て、開き角を理想的な値にするのは実現が困難である。
また、特公昭５６−１０７４０号公報に示されるような
開き角制御を行なう場合には、絞りの位置が第２集束レ
ンズの主面あるいは主面近傍にあるため、絞りの光源側
に分布するレンズ磁場が存在し、開き角制御レンズのレ
ンズ強度を変えると、前記絞りを通過する電流（照射電
流）が変化してしまう。
開き角制御を行なう場合には、絞りの位置が第２集束レ
ンズの主面あるいは主面近傍にあるため、絞りの光源側
に分布するレンズ磁場が存在し、開き角制御レンズのレ
ンズ強度を変えると、前記絞りを通過する電流（照射電
流）が変化してしまう。
そのため、照射電流を一定に保って開き角だけを変化さ
せ、その最適値を探すという操作ができない不都合があ
った。
せ、その最適値を探すという操作ができない不都合があ
った。
本発明は、上記問題点を考慮し、簡単な操作で実現すべ
き任意の加速電圧やプローブ電流値を有するプローブを
設定できると共に、自動的に最適の開き角で電子線プロ
ーブを試料に照射することのできる電子線装置を提供す
ることを目的としている。
き任意の加速電圧やプローブ電流値を有するプローブを
設定できると共に、自動的に最適の開き角で電子線プロ
ーブを試料に照射することのできる電子線装置を提供す
ることを目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明は、電子銃と、第１及び第２の集束レンズと、対
物レンズと、前記第２集束レンズと対物レンズとの間に
設けられた絞りと、前記電子銃から放出された電子線が
前記各レンズによって集束されて照射される試料とを備
えた電子線装置において、前記対物レンズと前記絞りと
の間に配置された開き角制御用収束レンズと、実現すべ
きプローブ電流値と加速電圧を表す信号に基づいて前記
第１．第２集束レンズの励磁電流値を該プローブ電流値
と加速電圧に対応した値に自動的に制御するための手段
と、該第１．第２集束レンズの励磁の状態に応じて開き
角制御用集束レンズの励磁強度を自動的に制御するため
の手段を備えることを特徴としている。
物レンズと、前記第２集束レンズと対物レンズとの間に
設けられた絞りと、前記電子銃から放出された電子線が
前記各レンズによって集束されて照射される試料とを備
えた電子線装置において、前記対物レンズと前記絞りと
の間に配置された開き角制御用収束レンズと、実現すべ
きプローブ電流値と加速電圧を表す信号に基づいて前記
第１．第２集束レンズの励磁電流値を該プローブ電流値
と加速電圧に対応した値に自動的に制御するための手段
と、該第１．第２集束レンズの励磁の状態に応じて開き
角制御用集束レンズの励磁強度を自動的に制御するため
の手段を備えることを特徴としている。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図で
ある。
１図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図で
ある。
第１図において、１は第１集束レンズ、２は第２の集束
レンズ、３は対物レンズ、４は試料、５は絞り、６は開
き角制御用集束レンズ（静電形レンズ）、７は電子銃、
８は操作卓、９は制御部、１０乃至１３はレンズ電源、
１４は二次電子検出器、１５は増幅器、１６はＣＲＴ、
１７はメモリである。
レンズ、３は対物レンズ、４は試料、５は絞り、６は開
き角制御用集束レンズ（静電形レンズ）、７は電子銃、
８は操作卓、９は制御部、１０乃至１３はレンズ電源、
１４は二次電子検出器、１５は増幅器、１６はＣＲＴ、
１７はメモリである。
第１図において電子銃７から電子ビームが放出されると
、このビームが第１集束レンズ１、第２集束レンズ２、
開き角制御レンズ６及び対物レンズ３によって試料４に
照射される。ここで、前記開き角制御レンズ６は試料４
に電子線が照射される際の開き角θを制御するためのも
ので、ヒステリシスが無く焦点距離設定の再現性の良い
静電形レンズであることが望ましい。
、このビームが第１集束レンズ１、第２集束レンズ２、
開き角制御レンズ６及び対物レンズ３によって試料４に
照射される。ここで、前記開き角制御レンズ６は試料４
に電子線が照射される際の開き角θを制御するためのも
ので、ヒステリシスが無く焦点距離設定の再現性の良い
静電形レンズであることが望ましい。
さて、この試料に照射されるプローブ電流Ｉｐは加速電
圧が与えられた場合、半径ｒａｐの絞り５と第１集束レ
ンズ１及び第２集束レンズ２の励磁強度によって決めら
れている。ここで、第１及び第２集束レンズの焦点距離
を調節すると、絞り５を通過する電子ビームの強度を任
意の値に調整することができる。この場合、該絞り５よ
り後方のレンズ系（開き角制御レンズ６の主面後方）に
は何等絞りが配置されていないため、前記第１及び第２
集束レンズの焦点距離を調節した場合であっても、前記
絞り５を通過する電子ビームのみによってプローブ電流
が決定されることになる。
圧が与えられた場合、半径ｒａｐの絞り５と第１集束レ
ンズ１及び第２集束レンズ２の励磁強度によって決めら
れている。ここで、第１及び第２集束レンズの焦点距離
を調節すると、絞り５を通過する電子ビームの強度を任
意の値に調整することができる。この場合、該絞り５よ
り後方のレンズ系（開き角制御レンズ６の主面後方）に
は何等絞りが配置されていないため、前記第１及び第２
集束レンズの焦点距離を調節した場合であっても、前記
絞り５を通過する電子ビームのみによってプローブ電流
が決定されることになる。
加速電圧はｖｌからＶｌｌまでｍ段階に切換えられるよ
うになっている。又、プローブ電流は１１からｒｎまで
ｎ段階に切換えられるようになっている。メモリ１７に
はプローブ電流をＩｔからＩｎまでの任意の値に設定す
るために必要なレンズ１．２の励磁値を表すデータが記
憶されている。
うになっている。又、プローブ電流は１１からｒｎまで
ｎ段階に切換えられるようになっている。メモリ１７に
はプローブ電流をＩｔからＩｎまでの任意の値に設定す
るために必要なレンズ１．２の励磁値を表すデータが記
憶されている。
これらデータはＶｌからｖＩｏまでのいずれの加速電圧
が設定された場合にも対応できるようにテーブルとして
記憶されている。
が設定された場合にも対応できるようにテーブルとして
記憶されている。
又、メモリ１７には加速電圧とプローブ電流の種々の組
み合わせが選択された夫々の場合に対して、最適な開き
角で電子線ＥＢが試料に照射されるのに必要な開き角制
御レンズ６のレンズ電圧指定データが記憶されている。
み合わせが選択された夫々の場合に対して、最適な開き
角で電子線ＥＢが試料に照射されるのに必要な開き角制
御レンズ６のレンズ電圧指定データが記憶されている。
更に又、メモリ１７には開き角制御レンズ６の指定され
たレンズ強度に対して、電子線を試料上にフォーカスす
るために必要な対物レンズの励磁電流を指定するデータ
が記憶されている。このデータも設定される加速電圧値
とプローブ電流値の全ての組み合わせに対応できるよう
テーブルとして記憶されている。
たレンズ強度に対して、電子線を試料上にフォーカスす
るために必要な対物レンズの励磁電流を指定するデータ
が記憶されている。このデータも設定される加速電圧値
とプローブ電流値の全ての組み合わせに対応できるよう
テーブルとして記憶されている。
次に、開き角制御レンズ６の電圧値を指定するデータと
対物レンズ３の励磁値を指定するデータをどのように作
成するか説明する。
対物レンズ３の励磁値を指定するデータをどのように作
成するか説明する。
プローブ電流を指定するための集束レンズ１゜２の励磁
指定データを作成した後、加速電圧をある値Ｖｌ、プロ
ーブ電流をある値Ｉｊに設定して、開き角制御レンズ６
のレンズ電圧値を種々の値に設定し、設定の都度対物レ
ンズ３の励磁電流を調整して焦点合わせを行い、高分解
能でＳ／Ｎ比の良い像が観察できるレンズ６の電圧値と
レンズ３の励磁電流値の組み合わせを捜し出す。この高
分解能でＳ／Ｎ比の良い像が観察できる状態においては
、試料４に照射される電子線の径ｒ方向の電流密度分布
は第２図（ａ）に示すようなフリンジ部に殆ど密度分布
を生じないものとなる。尚、第２図（ｂ）はレンズ６の
開き角が適切でない場合の電流密度分布を示している。
指定データを作成した後、加速電圧をある値Ｖｌ、プロ
ーブ電流をある値Ｉｊに設定して、開き角制御レンズ６
のレンズ電圧値を種々の値に設定し、設定の都度対物レ
ンズ３の励磁電流を調整して焦点合わせを行い、高分解
能でＳ／Ｎ比の良い像が観察できるレンズ６の電圧値と
レンズ３の励磁電流値の組み合わせを捜し出す。この高
分解能でＳ／Ｎ比の良い像が観察できる状態においては
、試料４に照射される電子線の径ｒ方向の電流密度分布
は第２図（ａ）に示すようなフリンジ部に殆ど密度分布
を生じないものとなる。尚、第２図（ｂ）はレンズ６の
開き角が適切でない場合の電流密度分布を示している。
この作業により、高分解能でＳ／Ｎ比の良い像が観察で
きたら、その場合におけるレンズ６の電圧値ＬＶｉｊを
メモリ１７に記憶させる。又、このときのレンズ３の励
磁電流値Ｄｌｊをメモリ１７に記憶させる。同様にして
加速電圧とプローブ電流の全ての組み合わせに対して最
適なレンズ６の電圧値とレンズ３の励磁電流値を求めて
記憶させる。第３図はこのようにして記憶されたレンズ
６の最適なレンズ電圧値テーブルを示しており、第４図
は対物レンズ３の最適な励磁電流値テーブルを示してい
る。
きたら、その場合におけるレンズ６の電圧値ＬＶｉｊを
メモリ１７に記憶させる。又、このときのレンズ３の励
磁電流値Ｄｌｊをメモリ１７に記憶させる。同様にして
加速電圧とプローブ電流の全ての組み合わせに対して最
適なレンズ６の電圧値とレンズ３の励磁電流値を求めて
記憶させる。第３図はこのようにして記憶されたレンズ
６の最適なレンズ電圧値テーブルを示しており、第４図
は対物レンズ３の最適な励磁電流値テーブルを示してい
る。
このような構成において、操作者が操作卓８を用いて加
速電圧を例えばＶＵ、プローブ電流をＩＶにするよう指
示すると、制御部９は指示された加速電圧Ｖｕで電子線
が加速されるように電子銃７に制御信号を送ると共に、
制御部９はメモリ１７に記憶されている第１．第２集束
レンズ１，２の励磁電流を指示するデータのうち加速電
圧Ｖｕ。
速電圧を例えばＶＵ、プローブ電流をＩＶにするよう指
示すると、制御部９は指示された加速電圧Ｖｕで電子線
が加速されるように電子銃７に制御信号を送ると共に、
制御部９はメモリ１７に記憶されている第１．第２集束
レンズ１，２の励磁電流を指示するデータのうち加速電
圧Ｖｕ。
プローブ電流１ｖに対応するデータを読み出し、これら
読み出されたデータに基づいて第１．第２集束レンズ１
，２の励磁電源１０．１１を制御する。従って、第１．
第２の集束レンズ１． ２は加速電圧Ｖｕのもとで、プ
ローブ電流がＩｖになるように励磁される。更に、制御
部９はメモリ１７に記憶されている開き角制御レンズ６
の電圧値を指示するデータのうち、加速電圧Ｖｕ、プロ
ーブ電流１ｖに対応するデータＬＶｕｖを読み出し、こ
のデータに基づいてレンズ電源１２よりレンズ６に電圧
を与えると共に、加速電圧ＶＵ、プローブ電流Ｉｖに対
応するレンズ３の励磁指定データＤＵＶを読み出し、こ
のデータに基づいてレンズ３を励磁する。その結果、加
速電圧Ｖｕのもとで、電流値１ｖを有する電子線が最適
な開き角で試料４に照射される。従って、二次電子検出
器１４よりの検出信号に基づいて試料像をＣＲＴ１６に
表示すれば、自動的に高分解能でＳ／Ｎ比の良い像を観
察することが可能となる。
読み出されたデータに基づいて第１．第２集束レンズ１
，２の励磁電源１０．１１を制御する。従って、第１．
第２の集束レンズ１． ２は加速電圧Ｖｕのもとで、プ
ローブ電流がＩｖになるように励磁される。更に、制御
部９はメモリ１７に記憶されている開き角制御レンズ６
の電圧値を指示するデータのうち、加速電圧Ｖｕ、プロ
ーブ電流１ｖに対応するデータＬＶｕｖを読み出し、こ
のデータに基づいてレンズ電源１２よりレンズ６に電圧
を与えると共に、加速電圧ＶＵ、プローブ電流Ｉｖに対
応するレンズ３の励磁指定データＤＵＶを読み出し、こ
のデータに基づいてレンズ３を励磁する。その結果、加
速電圧Ｖｕのもとで、電流値１ｖを有する電子線が最適
な開き角で試料４に照射される。従って、二次電子検出
器１４よりの検出信号に基づいて試料像をＣＲＴ１６に
表示すれば、自動的に高分解能でＳ／Ｎ比の良い像を観
察することが可能となる。
尚、上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず、変形
して実施することができる。
して実施することができる。
例えば、上述した実施例においては、対物レンズ３の励
磁電流指定データをテーブルとして記憶させるようにし
たが、試料面の凹凸に合わせて対物レンズ３の焦点を更
に微調整しなければならない場合もあるため、対物レン
ズ３の励磁指定ブタは記憶させること無く、その都度手
動にて調整するようにしても良い。
磁電流指定データをテーブルとして記憶させるようにし
たが、試料面の凹凸に合わせて対物レンズ３の焦点を更
に微調整しなければならない場合もあるため、対物レン
ズ３の励磁指定ブタは記憶させること無く、その都度手
動にて調整するようにしても良い。
又、上述した実施例においては、開き角制御レンズとし
て静電形レンズを用いたが、これに代えて磁界形レンズ
を用いることもできる。
て静電形レンズを用いたが、これに代えて磁界形レンズ
を用いることもできる。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明においては、電
子銃と、第１及び第２の集束レンズと、対物レンズと、
前記第２集束レンズと対物レンズとの間に設けられた絞
りと、前記電子銃から放出０ された電子線が前記各レンズによって集束されて照射さ
れる試料とを備えた電子線装置において、前記対物レン
ズと前記絞りとの間に配置された開き角制御用収束レン
ズと、実現すべきプローブ電流値と加速電圧を表す信号
に基づいて前記第１゜第２集束レンズの励磁電流値を該
プローブ電流値と加速電圧に対応した値に自動的に制御
するための手段と、該第１．第２集束レンズの励磁の状
態と加速電圧に応じて開き角制御用集束レンズの励磁強
度を自動的に制御するための手段を備えるようにしたた
め、加速電圧とプローブ電流を任意に設定した場合に、
簡単に最適な開き角で電子線プローブを試料に照射して
、高分解能でＳ／Ｎ比の良い像を常に観察することが可
能になる。
子銃と、第１及び第２の集束レンズと、対物レンズと、
前記第２集束レンズと対物レンズとの間に設けられた絞
りと、前記電子銃から放出０ された電子線が前記各レンズによって集束されて照射さ
れる試料とを備えた電子線装置において、前記対物レン
ズと前記絞りとの間に配置された開き角制御用収束レン
ズと、実現すべきプローブ電流値と加速電圧を表す信号
に基づいて前記第１゜第２集束レンズの励磁電流値を該
プローブ電流値と加速電圧に対応した値に自動的に制御
するための手段と、該第１．第２集束レンズの励磁の状
態と加速電圧に応じて開き角制御用集束レンズの励磁強
度を自動的に制御するための手段を備えるようにしたた
め、加速電圧とプローブ電流を任意に設定した場合に、
簡単に最適な開き角で電子線プローブを試料に照射して
、高分解能でＳ／Ｎ比の良い像を常に観察することが可
能になる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図
であり、第２図は試料照射電子線の開き角とこの電子線
の電流密度分布との関係を説明するための図、第３図は
開き角制御レンズのレンズ電圧を指示するデータのテー
ブルを示す図、第４図は対物レンズの励磁値を指示する
データのテーブルを示す図である。 １：第１集束レンズ ３：対物レンズ ５：絞り ７：電子銃、 ９：制御部 １０、 １１． １２゜ １５：増幅器 １７：メモリ ２：第２の集束レンズ ４：試料 ６：開き角制御レンズ ８：操作卓 １６ ： ＣＲＴ １３：レンズ電源
であり、第２図は試料照射電子線の開き角とこの電子線
の電流密度分布との関係を説明するための図、第３図は
開き角制御レンズのレンズ電圧を指示するデータのテー
ブルを示す図、第４図は対物レンズの励磁値を指示する
データのテーブルを示す図である。 １：第１集束レンズ ３：対物レンズ ５：絞り ７：電子銃、 ９：制御部 １０、 １１． １２゜ １５：増幅器 １７：メモリ ２：第２の集束レンズ ４：試料 ６：開き角制御レンズ ８：操作卓 １６ ： ＣＲＴ １３：レンズ電源
Claims (1)
- 電子銃と、第１及び第２の集束レンズと、対物レンズと
、前記第２集束レンズと対物レンズとの間に設けられた
絞りと、前記電子銃から放出された電子線が前記各レン
ズによって集束されて照射される試料とを備えた電子線
装置において、前記対物レンズと前記絞りとの間に配置
された開き角制御用収束レンズと、実現すべきプローブ
電流値と加速電圧を表す信号に基づいて前記第１，第２
集束レンズの励磁電流値を該プローブ電流値と加速電圧
に対応した値に自動的に制御するための手段と、該第１
，第２集束レンズの励磁と加速電圧の状態に応じて開き
角制御用集束レンズの励磁強度を自動的に制御するため
の手段を備えることを特徴とする電子線装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274533A JP2685603B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 電子線装置 |
| US07/599,658 US5124556A (en) | 1989-10-20 | 1990-10-18 | Charged particle beam apparatus |
| GB9022701A GB2237926B (en) | 1989-10-20 | 1990-10-18 | Charged particle beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274533A JP2685603B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 電子線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03134944A true JPH03134944A (ja) | 1991-06-07 |
| JP2685603B2 JP2685603B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=17543032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274533A Expired - Fee Related JP2685603B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 電子線装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5124556A (ja) |
| JP (1) | JP2685603B2 (ja) |
| GB (1) | GB2237926B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010086723A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594798A (ja) * | 1991-05-21 | 1993-04-16 | Jeol Ltd | 焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置 |
| JPH05343019A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置およびその観察方法 |
| GB2404782B (en) * | 2003-08-01 | 2005-12-07 | Leica Microsys Lithography Ltd | Pattern-writing equipment |
| JP2006313704A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
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