JPH05343019A - 荷電粒子線装置およびその観察方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 試料を特定する識別情報を入力するだけで当
該試料に最適な装置条件が自動的に設定されるようにす
る。 【構成】 識別情報入力手段１０１からは試料を特定す
るための識別情報が入力される。装置条件記憶手段１０
２には、電子線装置１０７に関する各種の装置条件が、
識別情報に基づいて選択できるように記憶されている。
装置条件選択手段１０３は識別情報に応答した装置条件
を装置条件記憶手段１０２から選択する。選択された装
置条件は表示手段１０４上に表示される。装置条件変更
手段１０６からは、表示手段１０４上に表示された装置
条件の一部を変更する場合に、その変更のためのデータ
が入力される。装置条件設定手段１０５は装置条件に基
づいて電子線装置１０７の各部の設定値を自動的に調節
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子線装置および
その観察方法に係り、特に、試料を特定する識別情報を
入力するだけで当該試料に最適な装置条件が自動的に設
定されるようにした荷電粒子線装置およびその観察方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】試料表面で荷電粒子線のスポットを走査
し、このとき試料から放出される二次信号に基づいて走
査像を得る装置、例えば走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、Ｘ
線マイクロアナライザ（ＸＭＡまたはＥＰＭＡ）、ある
いはイオンマイクロアナライザ（ＩＭＡ）などの荷電粒
子線装置では、その試料構造や組成を忠実かつ明瞭に走
査像として表せるようにすることが極めて重要である。

【０００３】そして、このような荷電粒子線装置による
観察・分析では、各種の装置条件、例えば加速電圧、プ
ローブ電流、電子光学系のレンズ条件などが目的に応じ
て最適な値に設定されているか否かが走査像の画質に大
きな影響を及ぼす。

【０００４】したがって、荷電粒子線装置による観察・
分析では、試料に応じた最適な装置条件が選択されるよ
うにすることが非常に重要である。

【０００５】これまで、荷電粒子線装置による観察・分
析時、その試料に最適な装置条件はオペレータが経験に
基づいて試行錯誤を繰り返しながら設定していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来では
試料に最適な装置条件が操作者の経験に基づいて設定さ
れることが多かったため、いろいろな試料に対する装置
の最適条件を設定するのに時間がかかってしまったり、
操作者の熟練度により得られる観察データにバラツキが
生じ易いという問題があった。

【０００７】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解決し、試料に最適な装置条件の選択・設定を操作
者の経験に頼ることなく簡単かつ確実に行うことがで
き、バラツキの少ない観察データを得ることの可能な荷
電粒子線装置およびその観察方法を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、荷電粒子線を試料に照射し、試料
から二次的に発生する信号を検出して観察像を得る荷電
粒子線装置において、試料を特定するための識別情報を
入力する手段と、各種装置条件を識別情報に基づいて選
択できるように記憶する装置条件記憶手段と、前記入力
された識別情報に応答した装置条件を前記装置条件記憶
手段から選択する装置条件選択手段と、前記選択された
装置条件を自動設定する装置条件設定手段とを具備した
点に特徴がある。

【０００９】さらに、本発明では、荷電粒子線を試料に
照射し、試料から二次的に発生する信号を検出して観察
像を得る荷電粒子線装置の観察方法において、試料を特
定するための識別情報を入力し、前記入力された識別情
報に応答した装置条件を記憶手段から選択し、前記選択
された装置条件を自動設定して観察するようにした点に
特徴がある。

【００１０】

【作用】上記した各構成によれば、試料の識別情報を入
力するだけで当該試料に最適な装置条件が自動的に選択
されて設定されるようになる。

【００１１】

【実施例】初めに、本発明の基本概念を走査電子顕微鏡
（以下ＳＥＭと略す）を例にして説明する。

【００１２】各種試料の構造や組成を最高の分解能で忠
実に観察できるようにするためには、試料の種類（属
性）が何であるかを考慮して最適な装置条件を選択する
必要がある。ここでいう試料の種類（属性）とは、(1)
生物が非生物か、(2) 絶縁物が導電物か、(3) 放出ガス
が多いか少ないか、(4) 荷電粒子線ダメージを受けやす
いか否か、(5) 水分を多く含むか含まないか、(6) 温度
に対して強いか弱いか、(7) どの程度の倍率で見える構
造か、などである。

【００１３】一方、装置側では、以下のような各種の装
置条件が重要なファクターとなり、これらを上記した試
料の属性に応じて最適な値に設定する必要がある。 (1) 加速電圧 (2) ビーム電流 (3) 走査方法 (4) 真空度 (5) 像観察のための検出手段 (6) 光軸合わせ (7) 記録方法 そして本発明は、上述した各種装置条件が試料に応じて
自動的に最適な値に設定されるようにして、常に最適な
装置条件で試料観察が行えるようにするものである。

【００１４】図１は本発明の機能ブロック図、図２はそ
の動作を説明するためのフローチャートである。

【００１５】識別情報入力手段１０１からは、試料を特
定するための識別情報がオペレータのキー操作によって
適宜の手法により入力される。装置条件記憶手段１０２
には、電子線装置１０７の加速電圧、プローブ電流、電
子光学系のレンズ条件などの各種の装置条件が、識別情
報に基づいて選択できるように記憶されている。

【００１６】装置条件選択手段１０３は、識別情報入力
手段１０１から入力された識別情報に応答した装置条件
を装置条件記憶手段１０２から選択する。選択された装
置条件は表示手段１０４上に表示される。装置条件変更
手段１０６からは、選択されて表示手段１０４上に表示
された装置条件の一部を変更する場合に、その変更のた
めのデータがオペレータのキー操作によって入力され
る。装置条件設定手段１０５は、前記選択された装置条
件あるいはその後変更された装置条件に基づいて、電子
線装置１０７の各部の設定値を自動的に調節する。

【００１７】このような構成において、ステップＳ１で
は、観察したい試料を特定するための識別情報がオペレ
ータによって識別情報入力手段１０１から入力される。
識別情報の入力は、試料名を直接入力するキーワード入
力方式、試料の属性を入力するフリーキーワード方式、
あるいは予めプログラムで組まれたメニューに従って一
覧表示された属性情報の中から該当する項目を選択する
メニュー選択方式、あるいはこれらの各方式を適宜に結
合した方式のいずれであっても良い。

【００１８】試料に関する識別情報の入力が完了する
と、ステップＳ２では、装置条件選択手段１０３が前記
識別情報に基づいて装置条件記憶手段１０２を検索し、
当該識別情報に応答した装置条件を選択する。

【００１９】ステップＳ３では、装置条件選択手段１０
３によって選択された装置条件が表示手段１０４上に一
覧表示される。

【００２０】なお、装置条件選択手段１０３によって選
択された装置条件は、識別情報で特定された試料を観察
する場合の最適条件となるものであるが、これらは必ず
しも一意的に決まるものではなく、ある程度の選択肢が
必要な場合もある。そこで、表示された装置条件の一部
を変更する場合には、ステップＳ４において装置条件変
更手段１０６から該当する装置条件を変更するためのデ
ータを入力する。

【００２１】以上のようにして装置条件が確定すると、
ステップＳ５では、装置条件設定手段１０５によって電
子線装置１０７の各部が前記装置条件に設定される。ス
テップＳ６では走査像の表示、観察、写真撮影などが行
われる。

【００２２】ステップＳ７では、装置条件がプリンタへ
出力されると共に装置条件記憶装置１０２へも転送され
る。記憶装置１０２では、必要に応じて当該装置条件を
前記識別情報に応答した装置条件として登録する。

【００２３】以下、図面を参照しながら本発明の一実施
例を詳細に説明する。

【００２４】図３は、本発明の一実施例であるＳＥＭの
概略構成図であり、ここでは、特に２段電磁レンズ縮小
系からなる電界放出形ＳＥＭを示している。

【００２５】同図において、電界放出陰極４および静電
レンズ５等から成る電界放出形電子銃６から放出された
電子ビーム７は、コンデンサレンズ８及び対物レンズ９
により試料ステージ１０上の試料１１表面で極めて細い
電子線プローブ１２に収束される。

【００２６】電子線プローブ１２は、偏向コイル電源１
３により付勢される偏向コイル１４で偏向されて試料面
上で走査される。電子線プローブ１２の走査により試料
面から発生した二次電子１５は二次電子検出器１６に導
かれる。なお、試料１１からの信号として反射電子を検
出する場合は反射電子検出器（図示せず）が、また透過
電子を検出する場合は透過電子検出器（図示せず）がそ
れぞれ試料１１の上方あるいは下方に配置される。

【００２７】前記二次電子検出器１６により検出された
信号は増幅回路１７により増幅され、映像信号として陰
極線管（Cathode Ray Tube：以下、ＣＲＴと略す）１８
ａ、１８ｂに送られる。

【００２８】走査像の倍率調整は、倍率制御回路１９に
よって電子線プローブ１２の試料面上での走査幅を可変
し、この走査幅とＣＲＴ１８ａ、１８ｂのスクリーン幅
との比を調整することにより行われる。

【００２９】また、走査像を記録したい場合は、カメラ
装置２０でＣＲＴ１８ｂの表示像を撮影するか、あるい
は信号制御回路２１およびメモリ回路２２により画像を
記憶する。さらには、中央制御装置（ＣＰＵ）２３を介
してハードディスク２４や光ディスク２５あるいは光磁
気ディスク２６などの外部記憶装置３に記憶する。

【００３０】以下、上記した構成の電子顕微鏡における
装置条件の設定方法を図６のフローチャートを参照しな
がら説明する。

【００３１】ステップＳ１１では、試料を特定する識別
情報の入力方式として、キーワード入力方式、メニュー
選択方式、フリーキーワード入力方式のいずれかを選択
するための画面がＣＲＴ１８ａ上に表示される。

【００３２】ここで、オペレータが操作卓２７を操作し
てキーワード入力方式を選択すると、ステップＳ１２で
は、観察したい試料名として、例えば“杉の花粉”ある
いは“Ｓｉ基板フォトレジスト”といった具体的な名称
を操作卓２７から直接入力する。なお、各試料名に対し
て特定のコード番号などが割り当てられていれば、当該
コード番号を試料名の代わりに入力することも可能であ
る。

【００３３】ステップＳ１３では、前記入力された試料
名に基づいて中央制御装置２３の内部メモリ又は外部記
憶装置３のデータファイルが検索される。入力した試料
名に対応したデータファイルが存在すれば当該処理はス
テップＳ１４からステップＳ２３へ進み、データファイ
ルが存在しなければステップＳ１１へ戻る。

【００３４】一方、ステップＳ１１においてフリーキー
ワード入力方式を選択すると、ステップＳ１５では、試
料が“杉の花粉”であれば“植物”、“Ｓｉ基板フォト
レジスト”であれば“半導体”といった試料の属性を操
作卓２７から入力する。なお、入力する試料の属性は１
つに限定されず、当該試料が所属する多数の属性を入力
するほうが、最適な装置条件を確実に選択できるように
なる。

【００３５】ステップＳ１６では、前記入力された試料
の属性に基づいて中央制御装置２３の内部メモリ又は外
部記憶装置３のデータファイルが検索される。入力した
属性に対応したデータファイルが存在すれば当該処理は
ステップＳ１７からステップＳ２３へ進み、データファ
イルが存在しなければステップＳ１１へ戻る。

【００３６】さらに、ステップＳ１１においてメニュー
選択方式が選択されると、ステップＳ１８では、例えば
図４に示したような階層構造のメニューがＣＲＴ１８ａ
に表示される。

【００３７】ステップＳ１９〜Ｓ２１では、オペレータ
が表示されたメニューを参照しながら［１．試料の種
類］、［２．試料の作製方法］、［３．試料の観察・分
析法］に関して試料に該当する項目の番号、記号をキー
操作あるいは音声入力等の適宜の手法により入力する。
なお、本実施例では［１．試料の種類］および［２．試
料の作製方法］は階層構造となっている。

【００３８】なお、図中の［４．装置条件］は、後に詳
述するように自動的に設定された装置条件を変更する場
合に選択される項目であり、メニュー選択方式に特有の
項目ではない。また、装置条件の真空度は鏡体試料室の
必要な到達真空度を意味し、真空度を直接制御すること
を意味するものではない。また、倍率は観察に適切な倍
率範囲であり、オペレータが可変することができる。さ
らに、分解能は計算上のスポットサイズである。プロー
ブ電流および照射角は加速電圧やＢＭ絞り、対物レンズ
絞り、コンデンサレンズ条件などによって変化するが、
電子光学的に計算することは可能であり、中央制御装置
２３で瞬時に計算し、表示できるようになっている。

【００３９】ステップＳ２２では、各項目で選択された
内容に基づいて中央制御装置２３の内部メモリ又は外部
記憶装置３のデータファイルが検索される。ステップＳ
２３では、検索されたデータファイルすなわち当該試料
に最適な装置条件がＣＲＴ１８ａ上に表示される。

【００４０】図７は、上記のようにして設定された装置
条件の表示内容を示した図であり、ここでは、選択され
る装置条件が試料によってどのように異なるかを示すた
めに、試料が『杉の花粉』である場合に選択される装置
条件と『Ｓｉ基板フォトレジスト』である場合に選択さ
れる装置条件とを並べて示している。

【００４１】例えば両者の加速電圧を比較すると、『Ｓ
ｉ基板フォトレジスト』では『杉の花粉』よりも低く
（１／２０）抑えられ、試料破壊が考慮されていること
が確認できる。

【００４２】上記のようにして装置条件が表示される
と、オペレータがＣＲＴ１８ａを参照して装置条件を確
認し、いずれかの項目に変更の必要があれば当該処理は
ステップＳ２４からステップＳ２５へ進む。ステップＳ
２５ではオペレータが当該項目に関するデータを操作卓
２７から入力して装置条件の一部を変更する。

【００４３】以上のようにして最適な装置条件が確定す
ると、ステップＳ２６では、例えば次のような順序で装
置条件が装置にセットされる。 (1) 排気ポンプ２８などの真空排気系を制御する排気系
制御回路２９が作動して真空度を制御する。 (2) 電子銃用の高圧電源３０を制御する高圧制御回路３
１が作動し、電界放出陰極４から放出されるエミッショ
ン電流３２、静電レンズ５に印加されるエミッション引
出し電圧（Ｖ1 ）および電子の加速電圧（Ｖ0 ）を制御
する。 (3) 電子銃６から放出された電子ビーム７が試料１１上
に照射されたときのプローブ電流を試料１１とアースＥ
との間に設けたプローブ電流検出回路ｐＡで検出し、プ
ローブ電流値が最大となるようにプローブ電流制御回路
３５と連動して電子銃光軸を機械的に動かす（図示して
いないが、電子銃軸調整つまみを人の手を介さずに駆動
できる電子銃軸駆動装置が取付けられている）。又は電
子銃６の光軸近傍に設けた、例えば静電偏向板のような
偏向手段（図示せず）により、電子銃と鏡体全体の電子
光学的軸が合うように電気的なアライメントを行う。

【００４４】なお、プローブ電流の代わりに電子銃６の
下方に設けたビームモニタ装置３６およびビームモニタ
（ＢＭ）制御回路３７により、電子ビーム７が最大値を
示すように電子銃光軸のアライメントを行うようにして
も良い。 (4) コンデンサレンズ８を励磁し、電子線プローブ１２
のプローブ電流値が最大となるようにコンデンサレンズ
軸駆動手段（図示せず）によりレンズ軸を調整する。又
は、コンデンサレンズ電源３８およびコンデンサレンズ
制御回路３９により、レンズ電流値を少し増減させたと
きに試料１１の画像がＣＲＴ１８ａのほぼ中心上で同心
円的にぼけるようにレンズ軸駆動手段によりレンズ軸を
調整する。

【００４５】この時、同心円的にぼけるか否かの判断
は、いったん操作者の判断にゆだねるようにしてもよい
し、前記信号制御回路２１およびメモリ回路２２により
コンデンサレンズ電流値の増減をＮ回繰り返したときの
各々の画像を記憶しておき、ＣＲＴ１８ａの中心付近で
の像が最もシャープになるときの記憶画面に近づくよ
う、自動的にレンズ軸が調整されるようにしても良い。 (5) 対物レンズ９を励磁し、上記(4) と同様の方法で電
子線プローブ１２の電流値が最大となるように、あるい
は対物レンズ電源４０、対物レンズ制御回路４１、及び
信号制御回路２１とメモリ回路２２とを組み合わせてＣ
ＲＴ１８ａの中心付近で同心円的に像がぼけるように対
物レンズ９のレンズ軸を調整する。

【００４６】なお、装置設計上、電子銃軸、対物レンズ
軸、コンデンサレンズ軸の少なくとも１つが機械的に固
定されている場合がある。このような場合は、固定され
ている方の軸調整は省略してもよく、また、軸調整の順
序は上記(3) 、(4) 、(5) の順序にこだわらなくても良
く、機械的に固定されているレンズ軸に対し、可動軸の
方を電子光学的中心軸に合うように調整できるようにな
っていればよい。 (6) 対物絞り装置４２および対物絞り制御回路４３、な
らびにビームモニタ装置３６およびビームモニタ制御回
路３７に関しても前記(4) 、(5) と同様の光軸調整を行
う。 (7) 電子光学的な軸調整終了後、試料１１を観察するの
に適切な試料傾斜角を設定する。これは、試料ステージ
駆動電源４４とステージ制御回路４５により設定され
る。ただし、試料傾斜角には装置設計上の制約があり、
またいろいろと角度を変えて観察したい場合もあるの
で、傾斜角の最終設定は操作者の判断を介するようにプ
ログラムを組むようにしておくことが望ましい。

【００４７】以上のようにして装置条件の設定が終了す
ると、ステップＳ２７では前記設定された装置条件で得
られた走査像がメモリ２２に記憶されると共にＣＲＴ１
８ａに表示される。

【００４８】なお、上記した例では拡大倍率が自動設定
されず、表示された装置条件（図４参照）に示された最
適範囲内でオペレータが適宜に調節するが、本発明はこ
れのみに限定されず、観察に適した倍率に自動設定され
るようにしても良い。

【００４９】ステップＳ２８では、同一の試料を装置条
件を変化させて比較するか否かの選択が行われ、比較を
行う場合はステップＳ２９へ進む。

【００５０】ステップＳ２９では、オペレータが変更す
る装置条件の項目およびデータを操作卓２７から入力し
て装置条件を変更する。ステップＳ３０では、変更前の
装置条件による走査像がメモリ２２から読み出されてＣ
ＲＴ１８ａ、１８ｂの例えば右半分に表示され、変更後
の装置条件による走査像が左半分に表示される。したが
って、オペレータはどの装置条件をどのように変更すれ
ば走査像がどのように変化するのかを具体的に確認する
ことができるので、最適な装置条件を簡単かつ確実に設
定できるようになる。

【００５１】ステップＳ３１において走査像の比較が終
了し、最適な装置条件が確定すると、ステップＳ３２で
は装置条件変更前および変更後のいずれかの走査像を選
択する。ステップＳ３３では、選択された走査像がＣＲ
Ｔ１８ａ、１８ｂの全面に表示される。

【００５２】ステップＳ３４では、表示された走査像に
基づいて観察や記録が行われる。ステップＳ３５では、
前記ステップＳ２９において変更した装置条件を当該試
料に応じた最適な装置条件として新たに登録したり、従
来の装置条件を更新したりするか否か、すなわち学習を
実行するか否かをオペレータが判断し、学習する場合
は、ステップＳ３６において当該装置条件をファイルに
登録／更新する。

【００５３】本実施例によれば、試料名や試料の属性と
いった、試料を特定するための識別情報を登録するだけ
で当該試料の観察に最適な装置条件が自動的に設定され
るようになるので、最適条件での試料観察が簡単かつ確
実に行えるようになる。

【００５４】また本実施例では、識別情報に基づいて自
動的に選択された装置条件を容易に変更することができ
るので、各試料の状態に応じて装置条件を微調整するこ
とも可能になる。

【００５５】さらに本実施例では、異なった装置条件で
得られた走査像を同時に表示できるようにしたので、よ
り最適な装置条件を簡単に見出だすことができるように
なる。しかも本実施例では、このようにして得られた装
置条件を当該試料に関する最適装置条件として改めて登
録することにより学習効果を得ることができるので、使
い勝手がさらに向上する。

【００５６】なお、図４に示したメニューでは項目を２
段階に階層づけしたが、さらに細かく階層づけしてもか
まわない。また、試料１１に対して最適装置条件が設定
された後の像観察において、オートフォーカスやオート
スティグマ、さらに微細なオートアライメント、自動明
るさ・コントラスト調整などは、最近のほとんどのＳＥ
Ｍに標準装備されているので、これらを中央制御装置２
３を介してワンタッチで自動調整できるようにしても良
い。

【００５７】図５は本発明の第２実施例であるインレン
ズタイプの走査電子顕微鏡の概略構成図であり、前記と
同一の符号は同一または同等部分を表している。

【００５８】図５において、第１コンデンサレンズ８ａ
にさらに第２コンデンサレンズ８ｂが追加され、対物レ
ンズ９と合わせて三段電磁レンズ系をなし、試料１１へ
の電子線プローブ１２の照射角およびプローブ電流が、
より精度良く制御できるように構成されている。また、
対物レンズギャップ内には反射電子検出器４７が設けら
れ、光軸から出し入れ自在な状態で支持されている。

【００５９】さらに、対物レンズ９の下方には透過電子
検出器４８が設けられ、透過走査電子像（ＳＴＥＭ像）
も観察できるようになっている。また、対物レンズ９の
上方にはエネルギ分散形Ｘ線検出器（ＥＤＸ）４９が取
り行けられている。

【００６０】このような構成により、二次電子像のみで
はなく、反射電子像、透過電子像、Ｘ線分析などの観察
・分析も可能となり、試料に対するより適切な観察・分
析方法が拡大適用できるようになる。

【００６１】なお、本発明は前述した実施例に限定され
ないことはもちろんであり、例えば透過形電子顕微鏡、
Ｘ線マイクロアナライザ、ＳＥＭ機能と融合した走査形
トンネル顕微鏡、電子ビームテスタ、イオンマイクロア
ナライザなど、各種の荷電粒子線装置及びその類似装置
に適用しても同様の効果を奏しうる。

【００６２】また、上記した実施例では、試料名や試料
の属性等に応答して読み出される装置条件は予めメモリ
等の記憶装置に登録されているものとして説明したが、
本発明はこれのみに限定されるものではなく、オペレー
タが自由に作成して記憶装置に登録できるようにしても
良い。

【００６３】

【発明の効果】上記したように、本発明によれば次のよ
うな効果が達成される。 (1) 試料名や試料の属性といった、試料を特定するため
の識別情報を登録するだけで、当該試料の観察に最適な
装置条件が自動的に設定されるようになるので、試料の
最適条件での観察が簡単かつ確実に行えるようになる。 (2) 識別情報に基づいて自動的に選択された装置条件を
容易に変更することができるので、各試料の状態に応じ
て装置条件の微調整も可能になる。 (3) 異なった装置条件で得られた走査像を同時に表示で
きるようにしたので、より最適な装置条件を簡単に見出
だすことができるようになる。しかも、このようにして
得られた装置条件を当該試料に関する最適装置条件とし
て改めて登録することにより学習効果を得ることができ
るので、使い勝手がさらに向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の機能ブロック図である。

【図２】 図１の動作を説明するためのフローチャート
である。

【図３】 本発明の一実施例であるＳＥＭの概略構成図
である。

【図４】 本発明によるメニュー画面の一例を示した図
である。

【図５】 本発明の第２実施例であるＳＥＭの概略構成
図である。

【図６】 図３の動作を説明するためのフローチャート
である。

【図７】 装置条件の表示例を示した図である。

【符号の説明】

３…外部記憶装置、６…電界放出形電子銃、７…電子ビ
ーム、１１…試料、１２…電子線プローブ、１８ａ、１
８ｂ…ＣＲＴ、２１…信号制御回路、２２…メモリ回
路、２３…中央制御装置、２７…操作卓、２９…排気系
制御回路、３１…高圧制御回路、３５…プローブ電流制
御回路、３９…コンデンサレンズ制御回路、４１…対物
レンズ制御回路、４３…対物絞り制御回路、１０１…識
別情報入力手段、１０２…装置条件記憶手段、１０３…
装置条件選択手段、１０４…表示手段、１０５…装置条
件設定手段、１０６…装置条件変更手段、１０７…電子
線装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中泉 泰 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所那珂工場内 (72)発明者 羽崎 栄市 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所那珂工場内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 荷電粒子線を試料に照射し、試料から二
   次的に発生する信号を検出して観察像を得る荷電粒子線
   装置において、 試料を特定するための識別情報を入力する手段と、 各種装置条件を識別情報に基づいて選択できるように記
   憶する装置条件記憶手段と、 前記入力された識別情報に応答した装置条件を前記装置
   条件記憶手段から選択する装置条件選択手段と、 前記選択された装置条件を自動設定する装置条件設定手
   段とを具備したことを特徴とする荷電粒子線装置。
2. 【請求項２】 前記識別情報は試料名であることを特徴
   とする請求項１記載の荷電粒子線装置。
3. 【請求項３】 前記識別情報は試料の属性を表す少なく
   とも１つの属性情報であることを特徴とする請求項１記
   載の荷電粒子線装置。
4. 【請求項４】 属性情報を一覧表示する手段をさらに具
   備し、識別情報の入力は、一覧表示された属性情報の少
   なくとも１つを指定することにより行われるようにした
   ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線装置。
5. 【請求項５】 前記選択された装置条件を表示する手段
   をさらに具備したことを特徴とする請求項１ないし請求
   項４のいずれかに記載の荷電粒子線装置。
6. 【請求項６】 前記選択された装置条件の少なくとも一
   部を変更する手段をさらに具備したことを特徴とする請
   求項１ないし請求項５のいずれかに記載の荷電粒子線装
   置。
7. 【請求項７】 前記変更された装置条件を前記装置条件
   記憶手段に記憶する手段をさらに具備したことを特徴と
   する請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の荷電粒
   子線装置。
8. 【請求項８】 第１の装置条件による観察像および第２
   の装置条件による観察像を同時に表示する手段をさらに
   具備したことを特徴とする請求項１ないし請求項７のい
   ずれかに記載の荷電粒子線装置。
9. 【請求項９】 荷電粒子線を試料に照射し、試料から二
   次的に発生する信号を検出して観察像を得る荷電粒子線
   装置の観察方法において、 試料を特定するための識別情報を入力し、 前記入力された識別情報に応答した装置条件を記憶手段
   から選択し、 前記選択された装置条件を自動設定して観察するように
   したことを特徴とする荷電粒子線装置の観察方法。