JP2009032691A - マルチビーム源 - Google Patents

Abstract

【課題】 低エミッタンスおよび均質な電流分布を持つ１組の粒子ビームレットを生成するマルチビーム源を提供する。
【解決手段】 エネルギ荷電粒子の複数のビームレット（１１２）を発生するためのマルチビーム源（１０１）は、荷電粒子の照明ビームを発生する照明システム（１０２）と、ビームの方向に見て照明システムの後に配置され、かつ照明ビームから複数のテレセントリックまたは均質なビームレット（１１２）を形成するように適応されたビーム形成システム（１０３）とを含む。前記ビーム形成システム（１０３）は、ビーム分割手段と電気ゾーン装置（１０９）とを含む。前記電気ゾーン装置は、異なる静電電位を印加されかつしたがってビームレットに影響を及ぼすように適応された複数の略平面状部分電極から構成される、複合電極（１１０）を含む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、複数のエネルギ荷電粒子のビームレットを発生するためのマルチビーム源であって、照明システムおよびビーム形成システムを備えたマルチビームソースに関する。

さらに、本発明は、そのようなマルチビーム源に使用するための電気的ゾーンプレート、およびそのようなマルチビーム源を使用してエネルギ荷電粒子のビームによってターゲットを照射するためのマルチビームリソグラフィのための装置に関する。

上記の種類のマルチビーム源は、リソグラフィシステムおよび顕微鏡検査システムのような、多種多様な用途に使用することができる。マルチビーム源を使用するシステムの中には、単一の源を使用して１つのビームを発生し、その後それを複数のビームに分割するものがある。そのようなシステムで使用される荷電粒子源は一般的に、規定された開き角を持つ荷電粒子ビーム、つまり発散ビームを出射する。発散ビームはしばしばコリメートすること、つまり均質なビームに変換することが必要である。大部分の用途では、射出された発散ビームを屈折させるために、レンズまたはレンズ組立体が使用される。そのようなマルチビーム源の改良は、現在、世界中の集中的な研究活動の対象である。

マルチビーム源の典型的な用途は、例えば半導体産業で異なる基板材料にパターンを作成するためのマルチビームリソグラフィシステムである。そのような装置は通常、エネルギ粒子の拡散ビームを発生する粒子源付きの照明システムと、前記ビームをテレセントリックなビームにするレンズシステムとを含み、テレセントリックなビームは、幅広ビームを複数のサブビームに分割するための異なる手段を照明する。光学投射システムにより、サブビームは、一般的にある種の基板、例えばシリコンウェハであるターゲットに集束される。そのような種類のシステムは、US2005/0161621A1、US2005/0211921A1、ならびに出願人／譲受人による２つの文書、すなわちUS6,989,546B2およびUS6,768,125に開示されている。しかし、これらのシステムは、光学システムが光光学システムであるかそれとも粒子光学システムであるかに関係なく、結像収差および歪みを生じるので、特定の欠点を有する。したがって、ターゲットに投射されたサブビームは不鮮明になり、サブビームのスポットサイズはもはや明確でなくなり、その結果ぼやけたパターンまたは画像が生じる。
US2005/0161621A1 US2005/0211921A1 US6,989,546B2 US6,768,125

粒子光学結像システムは、管、リング、もしくはダイアフラムとして、またはむしろそのような要素の列状の配列として形成された、２つまたは３つの回転対称な環状電極の形の静電レンズを使用し、少なくとも部分的に異なる電位状態にある前記環状電極の真ん中をビームが通過することが、公知かつ一般的な慣行である。このタイプのレンズは常に正の屈折力を有し、したがって焦点レンズである。さらに、それらは例外なく３次（またはより高次）の著しい収差を有し、それはレンズ幾何学の形状によってわずかに影響することができる。そのようなレンズセットを使用するシステムは、出願人／譲受人によるUS5,801,388に開示されている。
US5,801,388

発散レンズ（負の屈折力）を使用することによって、組み合わされた焦点レンズおよび発散レンズの配列によって発生する収差は、焦点レンズおよび発散レンズの３次（またはより高次）の収差への寄与の解消によって大幅に補償され、他の収差係数も可能な限り小さく維持される。環状電極だけで負の屈折力のレンズを達成することは不可能である。それどころか、板状電極または制御格子電極を使用し、そこにビームを通過させることが必要である。マスクの前および後にそれぞれ位置する環状電極と組み合わせて、リソグラフィ装置のマスクを使用して発散レンズを形成するシステムは、出願人／譲受人によるUS6,326,632B1に開示されている。
US6,326,632B1

焦点レンズのレンズエラーの結果、焦点レンズを備えかつ略テレセントリックなイオンビームを発生する照明システムは、例えば軸の近傍のビームは光軸と平行であるが、軸から遠いビームは多少収束または発散するという特徴を有する。マスクの外側領域では、特に、対物面における角度誤差（アパーチャプレートシステム）が基板における著しいランディング角度誤差を導く、（US6,768,125に記載されているような）大幅縮小光学システムと共に使用される場合、あるいは各コラムの各ビームの角度アラインメントが非常に重要である、平行マルチコラムアレイと共に使用される場合、これは像欠陥を導くであろう。これらのシャドウ効果を回避するための１つの解決策は、軸に対して適宜傾斜した構造オリフィスを作成することである。しかし、これは技術的観点から極めて高価である。焦点レンズ配列の下流に配置された追加の発散レンズは、これらの誤差を補正することを可能にすることができ、かつ軸から遠いビームの過度の収束は補償することができる。

そのような解決策は、M.J.van Bruggenらによる論文「Development of a multi-electron-beam source for sub-10nm electron beam induced deposition」J.Vac.Sci.Technol.B23(6)(2005),pp.2833-2839に記載されている。著者らはそこで、粒子の幅広ビームがアパーチャプレートにより１００個のサブビームに分割されるマルチビーム源を記載している。サブビームはマイクロレンズアレイによって個別に集束され、後続の電極と共に負レンズ効果を生じる。Van Bruggenらは、システムに内在する３次の幾何収差および１次の色収差の両方を補償することを目指している。しかし、そのようなシステムは、アパーチャプレートの不充分な照明のため、個別のビームおよび収差の補正をもたらすことができない。
「Development of a multi-electron-beam source for sub-10nm electron beam induced deposition」J.Vac.Sci.Technol.B23(6)(2005),pp.2833-2839

US2004/0232349A1は、本発明が関係するタイプのマルチビーム源を開示している。それは粒子源、収束手段、および光学システムの色収差の悪影響を防止するために粒子源と収束手段との間に配置されたレンズアレイを含む。レンズアレイは、レンズアレイの前および／または後に配置された環状電極と相互作用する穴を持つ実質的な平板である。US2004/0232349A1に開示された発明の変形では、穴および偏向器がビームレットと整列した少なくとも１つの偏向器アレイを追加的に含めることができ、それはそれぞれのビームの光軸からの偏向器の距離に比例する偏向効果を表わすことを可能にする。そのような配列のおかげで、ビームレットを個別に制御することができる。しかし、この解決策は、ビームレットの傾きに対応するように傾斜した穴を配分した特殊な形状のレンズアレイ、例えば凸板または複数の平板の積重ねを必要とするという大きい欠点を有する。さらにレンズアレイは、ビームレットに関して変化する状況に対し、ほとんど適応することができない。
US2004/0232349A1

類似の方法が、粒子露光装置用のパターン定義装置を開示する、出願人／譲受人によるUS7,084,411B2に記載されている。前記装置では、エネルギ荷電粒子のビームは、複数のアパーチャを各々に含む略平板状の形のパターン定義手段のシステムによって、複数のサブビームにパターン形成される。粒子露光装置に存在する個々の収差を補正するために、各アパーチャに対し、サブビームの経路を補正するための少なくとも２つの偏向電極が設けられる。電極は個別に、または集団で制御することができる。
US7,084,411B2

出願人／譲受人によるWO2006/084298には、荷電粒子露光装置における上記の結像収差および歪みに対する解決策が提示されている。該解決策は例えば、電子ビームを構造化するためにプログラム可能なアパーチャプレートシステムを使用する、マルチビーム直接描画のコンセプトが開示されている、出願人／譲受人によるUS6,768,125に記載されたＩＭＳのコンセプトのＰＭＬ２（「Projection Mask-Less Lithography」の略）に適用可能である。WO2006/084298は、３次より高いランクの収差誤差および／または歪みを補償し、または特定の収差係数を補正し、またはミスアラインメントを補正することのできる、発散レンズを設けることを記載している。該レンズは、複数の部分電極から構成される複合電極を構成し、様々な静電電位が印加されるように適応される、複数のアパーチャを持つ板状電極手段として実現される。この板状電極手段は、発散レンズおよび／または上述した結像の問題に対する特定の補償を実行する、単純でしかも効率的な手段を提供する静電ゾーンプレート（ＥＺＰ）を実現する。
WO2006/084298

本発明の目的は、低エミッタンスおよび均質な電流分布を持つ１組の粒子ビームレットを生じるマルチビーム源であって、既存のマルチビーム用途に存在する種々の収差効果を低減するように適応されたマルチビーム源を提供することである。エミッタンスとはここではビームの平行性の尺度を表わし、低エミッタンス粒子ビームとは、全ての個別ビームレットが、個別ビームの仮想源より著しく大きくはない共通仮想源から出射するように見える場合のビームであり、それはビームレットが小領域から出射すること、またはテレセントリックなビームの場合、ビームレットが略平行であること（無限遠の仮想源）を意味する。低エミッタンスのビームレットはしたがって横行速度の成分が小さく、かつ伝搬軸に対する角度の広がりが縮小する。本発明の別の目的は、投射システムまたはマルチレンズアレイの１例に関して、並行レンズシステムの結像誤差を補償するために、ビームレットの理想的な角度からのずれに対して補正可能／制御可能である、マルチビーム源を提供することである。

これらの目的は、冒頭に述べたマルチビーム源であって、照明システムが、エネルギ荷電粒子を発生しかつ前記粒子を幅広の照明ビームにするように適応され、かつビーム形成システムが、照明システムから出射する照明ビームによって照明されるように構成されると共に、ビームからエネルギ粒子の複数のビームレットを形成するように適応され、前記ビーム形成システムが、
‐ビームから複数のビームレットを形成するために粒子ビームのエネルギ粒子を通過させる複数のアパーチャを有するビーム分割手段と、
‐電気ゾーン装置の光軸に対し直角に向けられかつ粒子ビームが透過する領域を少なくともカバーする横寸法を有する２次元平面に沿って位置する複合電極を含み、前記複合電極が複数の略平面状の部分電極から構成され、前記部分電極が電気ゾーン装置の表面積の分割に従って相互に隣接して配置され、前記部分電極が異なる静電電位を印加されるように適応され、粒子ビームのエネルギ粒子を通過させる複数の開口をさらに含む電気ゾーン装置と、を備えた、マルチビーム源によって達成される。

電気ゾーン装置の複合電極、特に部分電極は、金属のような導電性材料で作ることが好ましい。しかし、静電界の存在する静電気環境に置かれた場合に明瞭な静電気境界を生じさせる、任意の材料を選択することができる。金属に代るものとして、充分な不純物添加が行なわれた半導体材料が挙げられる。部分電極は相互に隣接して配置されるが、それらは通常小さいギャップにより分離される。

本発明は、ビーム操作装置に頻繁に現われるビーム分割装置の不充分な照明を是正する効果的な解決策を提供する。ビーム形成システムを照射する照明ビームは、ビーム形成システムの全部を、つまりビーム形成装置の光軸から遠い部分をも照明するのに充分幅広い。粒子源によって放出される電流は、より効率的に処理することができる。さらに、それは、上記種類の光学システムの歪み及び収差誤差の処理を可能にする。一般的に、本発明はマルチビーム用途のビームレットを、それらの径方向および環状の画像歪みまたはそれらの方向のいずれかに関して、制御かつ／または補正する手段を提供する。ビーム形成システムは照明システムから分離されるので、マルチビーム源はビームレット軸に対する開口のずれへの許容差が増大する。

本発明は、ビーム分割手段の前の照明粒子ビームの補正（照明システムの収差誤差）のみならず、ビーム分割装置の後のビームの補正（投射システムの収差誤差）をも可能にする。本発明に係るマルチビーム源は、ホモセントリック（つまり共通仮想源から出射するように見える）、収束性（つまりビームの方向に見てマルチビーム源の下のどこかに位置する交差部に収束する）、またはテレセントリック／平行な、複数のビームレットを生成する。

本発明の目的はまた、上記のマルチビーム源で使用するための電気ゾーン装置であって、電気ゾーン装置全体をカバーする横寸法を有する複合電極を含み、前記複合電極が複数の略平面状の部分電極から構成され、前記部分電極が電気ゾーン装置の表面積の分割に従って相互に隣接して配置され、前記部分電極が異なる静電電位を印加されるように適用され、複数の開口をさらに含む電気ゾーン装置によっても達成される。

同様に、これらの目的は、エネルギ電荷粒子のビームによってターゲットを照射するためのマルチビームリソグラフィのための装置であって、エネルギ電荷粒子のビームから複数の実質的にテレセントリック／平行なビームレットを発生するための上記マルチビーム源と、ビームレットをターゲットの表面上に集束させるためにビームの方向に見てマルチビーム源の後に配置されたマルチビーム光学システムと、を含む装置によって達成される。

好ましくは、ビーム分割手段および電気ゾーン装置は連続した順序で配置され、電気ゾーン装置の開口はビーム分割手段のアパーチャと整列する。電気ゾーン装置はビーム分割手段の前または後に配置することができ、前者の場合、粒子ビームがビーム分割手段を照射する前に粒子ビームを補正することが可能になり、後者の場合、個々のビームレットまたはビームレット群の誤差の補正が可能になり、誤差はビーム分割手段によって、またはマルチビーム源の照明システムによって生じる。

本発明の変形例では、ビーム分割手段は電気ゾーン装置に、例えば平板状の形状に配列して、統合することができる。したがって、マルチビーム源のサイズは低減することができる。

マルチビーム源の用途に応じて、生成されるビームレットは、ホモセントリック（つまり共通仮想源から出射するように見える）、またはテレセントリックのいずれかとすることができる。どちらの変形例も実現可能である。

好ましくは、マルチビーム源で使用される荷電粒子はイオンである。これらは、例えばヘリウムイオン、水素イオン、または重イオンとすることができる。用語「重」とはここでは、Ｃより重いＯ、Ｎ、または希ガスＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅのような元素のイオンを指す。陽子または電子も使用することができる。

イオンの極めて短い波長のため、それらの使用は、例えばマルチビーム源をイオン光学システムと組み合わせて使用する場合、結合品質に関して種々の有利な特徴、特に非常に低い開口数を提供する。そのような場合、光学システムと基板との間の距離をかなり増大することができるので、例えば偏向ユニットのために大きい空間が得られるだけでなく、光学システムからのウェハ面の減結合が増強される。

本発明の１つの有利な実施形態では、少なくとも１つの追加電極、特に環状電極を設け、前記電極を電気ゾーン装置の近傍に、しかし前記電気ゾーン装置の複合電極の平面外に、配置する。環状電極は、電気ゾーン装置と組み合わせて静電レンズを形成することによって、像の歪みを補正するために使用することができる。環状電極は、粒子ビームの方向に見て電気ゾーン装置の前または後に配置することができる。少なくとも１つの追加電極は少なくとも１つの多極電極を含み、少なくとも１つの多極電極は電気ゾーン装置の複合電極の平面外に配置することが好ましい。

本発明の好適な実施形態では、電気ゾーン装置の部分電極は、電気ゾーン装置の各開口が、それぞれの開口に隣接して位置する１組の部分電極に関連付けられるように、配置される。部分電極の組は４つの部分電極を含むことが好都合である。開口の周囲に「スイレンの葉」に匹敵するように配置される部分電極のそのようなレイアウトは、それぞれの開口を交差するビームレットの個別制御を可能にし、したがって種々の結像の問題の是正を可能にする。部分電極の組は、該組に関連付けられる開口を交差するビームレットのみに影響するように設定される。その結果、組を形成する部分電極は小さい寸法を有する。開口の直径はそれらの相互距離と比較して小さいので、これは、現下の設定で、電気ゾーン装置の複合電極が、組単位で配置される複数の部分電極に分割され、組が電気ゾーン装置の開口に関連付けられ、隣接する組間の距離が大きいことを意味する。

本発明の別の実施形態では、少なくとも１つの電気ゾーン装置の複合電極の部分電極は、電気ゾーン装置の光軸を中心とする同心円状リングとして形成される。この解決策のおかげで、電気ゾーン装置の部分電極に異なる電位を印加することによって、電気ゾーン装置の複数の開口が影響を受けることがある。

電気ゾーン装置の部分電極の種々の配置が、特定の機能に応じて可能であり、かつ有用である。例えば、それらは電気ゾーン装置の光軸の周りに配置された扇状体として形成することができる。扇形の部分電極は、電気ゾーン装置の中心領域の周囲に配置することができ、前記中心領域は少なくとも１つのさらなる部分電極によって形成される。

少なくとも１つの電気ゾーン装置の隣接する部分電極の間のギャップに、抵抗性材料を設けることが好ましい。この解決策のおかげで、部分電極間の漂遊電界の作用を軽減することができる。絶縁誘電体材料を使用することによって、隣接する部分電極の異なる電位を分離することができ、隣接する開口の位置における全漂遊電界を低減させる、誘電分極を生成することができる。

部分電極のエッジで発生する漂遊電界の作用を排除する単純な方法は、電気ゾーン装置の開口を、それらが電気ゾーン装置の粒子電極の各々の領域内のみに存在するように配置することによって実現される。隣接する粒子電極の間のギャップから開口を離しておくことによって、漂遊電界のマイナス効果を回避することができる。

電気ゾーン装置の部分電極を制御するために、異なる静電電位を印加することによって部分電極を制御するように適応された電子回路を含むＣＭＯＳ層が、電気ゾーン装置内に設けられる。上記種類のＣＭＯＳ層の作成は周知の確立された技術であるので、そのような層を設けることにより、マルチビーム源の電気ゾーン装置それぞれの製造が容易化される。

本発明の変形例では、部分電極を制御すべく、それらに異なる静電電位を印加するために、直接配線を使用することができる。

本発明の有利な実施形態では、前記電気ゾーン装置の少なくとも１つは、粒子ビームの方向に沿って見たとき、ビーム分割手段の直前または直後に配置される。そのような電気ゾーン装置を追加電極と結合することにより、像歪みの補正を可能にする静電レンズを形成することが可能である。電気ゾーン装置およびビーム分割手段に異なる電位を印加することによって、追加電極を設けることなく、そのような効果を実現することができる。

本発明のさらに別の実施形態では、第１電気ゾーン装置は、粒子ビームの方向に沿って見たとき、ビーム分割手段（２つ以上存在する場合には、最初の１つ）の直前に配置され、第２電気ゾーン装置は、粒子ビームの方向に沿って見たとき、ビーム分割手段（２つ以上存在する場合には、最後の１つ）の直後に配置される。第１電気ゾーン装置はビーム分割手段すなわち複数のアパーチャの照明の最適化を可能にするので、そのような配置は、マルチビーム源の性能をかなり改善する。第２電気ゾーン装置は、ビーム分割手段によって生じる結像収差を補正するために使用することができる。電気ゾーン装置の各開口が、それぞれの開口に隣接して位置する１組の部分電極に関連付けられるように、電気ゾーン装置の部分電極を配置することが好ましい。そのような「スイレンの葉」配置を持つ少なくとも１つの電気ゾーン装置を使用することにより、結像収差の照明および／または補正をより効率的に達成することができる。

本発明はさらに、選択されたビームレットの通路をオフにするためのブランキング装置を含むマルチビーム源に関し、前記ブランキング装置は、複数の開口を含む略平板状の形状で実現され、開口を通して放射される粒子をそれらの公称経路外に偏向させるための制御可能な偏向手段が、各開口に設けられる。ブランキング装置の開口は、電気ゾーン装置またはビーム分割手段の例えばマルチビーム源に存在する他の開口と整列することが好都合である。ブランキング装置は、偏向手段を制御するためのＣＭＯＳ層を設けることが好都合である。経路外に偏向された粒子を捕集するために吸収面を設けることができる。

マルチビーム源は、マルチビーム源の幾何収差の補正のための少なくとも１つの補正レンズ配列を含み、略平板状の形状を有しかつ複数のオリフィスを含む補正レンズ配列が実現され、オリフィスは粒子ビームの方向に見てオリフィスの始めまたは終わりの開口空間を広げ、前記開口空間はそれぞれのビームレットを受け取ると補正レンズとして働くように構成され、前記開口空間はさらに、補正レンズ配列の領域上で変動する幅を有し、こうして変動する補正レンズ強度を規定し、補正レンズ配列は粒子ビームの方向に見て電気ゾーン装置の前または後に位置することが好ましい。

そのような補正レンズ配列は、像面分野の湾曲のような光学的欠陥を補正するために有用である。幾何収差は、補正レンズ配列の光軸からの距離により変化することが知られているので、装置を横切るオリフィスの開口空間の幅は、対応するオリフィスの横方向の位置によって変化する。補正レンズ配列は、粒子ビームの方向に見てビーム分割手段の前に位置することができ、したがってビーム分割手段のアパーチャへの粒子の入射角が局所的に変化する。代替的に、補正レンズ配列は、粒子ビームの方向に見てビーム分割手段の後に位置することができ、その場合、それはマルチビーム源の焦点レンズを偏移させるために使用することができる。

補正レンズ配列は電気ゾーン装置に隣接して位置し、電気ゾーン装置は、粒子ビームの方向に沿ってみたとき、補正レンズ配列の前または後に配置されることが好ましい。補正レンズ配列および電気ゾーン装置が異なる電位に保持されるときに、補正レンズを実現することができる。補正レンズ配列のオリフィスの開口空間の幅、およびそれに応じて電位を選択することによって、像歪みの補正を可能にする、予め定められた焦点の補正レンズを実現することができる。

エネルギ粒子の衝突ビームによって生じる損傷を受けにくくするために、照明システムに最も近い電気ゾーン装置は、電気ゾーン装置の後続の構造を衝突粒子ビームから保護するために、被覆層を設けることができる。前記被覆層は、導電性材料で作ることが好ましい。

上記の通り、本発明は、上記の種類のマルチビーム源で使用するための電気ゾーン装置にも関する。

そのような装置の有利な実施形態では、電気ゾーン装置の複数の開口の各開口が、それぞれの開口に隣接して位置する１組の部分電極に関連付けられるように、電気ゾーン装置の部分電極を配置する。部分電極の組は４つの部分電極を含み、こうして電極の「スイレンの葉」状の配置を実現することが好ましい。

特定の機能に応じて、電気ゾーン装置の部分電極の種々の配置が可能かつ有用である。例えば、それらは同心円状リングとして、電気ゾーン装置の光軸の周りに配置された扇状体として形作ることができる。扇形の部分電極は、電気ゾーン装置の中心領域の周囲に配置することができ、前記中心領域は１つのさらなる部分電極によって形成される。

隣接する部分電極間のギャップに抵抗性材料を設けるときに、優れた結果を得ることができる。そのような材料を設けることにより、部分電極のエッジに生じる漂遊電界を低減することが可能である。電気ゾーン装置の複数の開口の開口を、部分電極間のギャップにではなく、電気ゾーン装置の各々の部分電極の領域内のみに配置することにより、そのような漂遊電界のマイナス効果も低減することができる。

異なる静電電位を印加することによって電気ゾーン装置の部分電極を制御することができるように、電気ゾーン装置内にＣＭＯＳ層を設けることが好ましい。本発明のさらに別の変形例では、部分電極は、部分電極に異なる静電電位を印加するように適応された、直接配線を介して制御される。

後続の構造の保護を可能にするために、電気ゾーン装置は被覆層を設けることができる。被覆層は導電性材料で作ることが好ましい。

本発明はさらに、エネルギ荷電粒子の複数のビームレットを生成するためのマルチビーム源と、ビームレットをターゲットに集束させるためのマルチビーム光学システムとを含む、上記の種類のマルチビームリソグラフィのための装置に関する。そのようなターゲットは、例えば抵抗層で被覆されたシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）とすることができる。

本発明の１つの有利な実施形態では、マルチビームリソグラフィのための装置は、選択されたビームレットの通路をオフにするための少なくとも１つのブランキング手段を含み、前記ブランキング手段は複数の開口を有し、各開口は上記のマルチビーム源のそれぞれの開口／アパーチャと整列し、各開口はさらに、開口を通して放射された粒子をその経路からマルチビームリソグラフィ装置内の吸収面に偏向させるための制御可能な偏向手段を備え、前記ブランキング手段は、粒子ビームの方向に見てマルチビーム光学システムの前に位置し、かつ／またはマルチビーム光学システムに統合される。本発明の変形例では、マルチビームリソグラフィのための装置は上記のマルチビーム源を含み、略平板状の形状のブランキング装置がマルチビーム源内に設けられる。構造化されるターゲット上のビームレットの非常に正確な位置決めのため、ブランキング手段の使用は、ウェハステージの機械的位置決めの精度に対する要件の緩和を可能にする。これは生産費を削減し、かつリソグラフィセットアップのコンポーネントの調整のみならず、運転中の制御をも簡素化する。

本発明の別の実施形態では、各ビームレットのために偏向ユニットが設けられ、前記偏向ユニットは、ビームの方向に見てマルチビーム光学システムの内部または前に配置され、前記偏向ユニットは、ターゲット上の所望の位置に対してそれぞれのビームレットの個別の結像収差を補正するように、かつ／またはターゲット上の描画プロセス中にそれぞれのビームレットを配置するように、適応される。本発明の前記実施形態により、選択されたビームレットをそれらの通常の経路外に偏向させることによって、それらをブランキングすることも可能になる。偏向ユニットは静電多極子として実現することができる。

本発明の１つの有益な実施形態では、静電レンズアレイをマルチビーム光学システム内に配置する。このレンズアレイは、基板面におけるビーム径を調節するように働く。各ビームレットに対し、ビームレットの直径および／またはターゲット上のビームレットの位置を調整する手段として、静電レンズ配列を設けることが好ましい。これは、ビームレットが相互に同等になるように、ビームレットの調節をかなり容易にする。アレイの形または各ビームレット用の配列の形のいずれかのそのような静電レンズは、結像収差に対する補償を可能にする。例えば光学コラムに要求される全空間を低減するために、この静電レンズ配列は、マルチビーム光学システムの１つのそれぞれのレンズ内に統合されることが適切である。

以下で、本発明を図面に関連してさらに詳述する。

本発明は下述する実施形態に限定されず、それらは本発明の可能な実施形態を代表するものにすぎないことを理解されたい。一般的に、本書に記載する実施形態は、多くの異なる可能な実施形態の一部にすぎず、したがって本発明の範囲を限定するつもりは無いことを言明しなければならない。

図１は、図１で垂直下方に伝搬する粒子ビームの方向に見て、連続的に配置された照明システム１０２およびビーム形成システム１０３を含む、本発明に係るマルチビーム源１０１を示す。図の横方向の寸法は縮尺通りではない。

照明システム１０２は、粒子源１０４および抽出レンズアレイ１０５を含む。マルチビーム源で使用される荷電粒子は、ヘリウムイオンのようなイオンであることが好ましいが、重イオンを使用することもできる。陽子または電子も同様に使用することができる。粒子源１０４から出射する粒子は、抽出レンズアレイ１０５によって発散ビーム１０６に形成される。通常、静電レンズまたは電磁レンズとして実現されるコリメートレンズ１０７は、照明システム１０２から出射する粒子の略均質なビーム１０６´を生成する。レンズの使用は、色収差および球面収差を引き起こし、したがって粒子ビームの品質を低下させるという欠点を有する。この事実のため、略均質なビーム１０６´の外側境界付近の粒子の軌道は、マルチビーム源１０１の光軸１１３に対してわずかに傾斜する。

ビーム形成システム１０３は、環状電極１０８および電気ゾーン装置１０９を含む。ビーム形成システム１０３は、照明システム１０２から出射する略均質な粒子ビーム１０６´から複数のビームレット１１２を形成する。粒子ビーム１０６´は、ビームから生成される全ての個別ビームレット１１２に対する許容誤差の範囲内で充分に均一な粒子流が得られるように、その幅全体にわたって均質であることが好ましい。環状電極１０８は電気ゾーン装置１０９と共に、印加される電位によって負の屈折力のレンズ（発散レンズ）または正の屈折力のレンズ（収束レンズ）を形成する。環状電極１０８は多極電極として実現することができる。

電気ゾーン装置１０９は、マルチビーム源１０１の光軸１１３に対し直角に向けられた２次元平面に沿って配置された、複合電極１１０（図１には象徴的に示すだけである）を含む。さらに、電気ゾーン装置１０９は、均質な粒子ビーム１０６´の粒子が電気ゾーン装置１０９を通過させ、こうしてマルチビーム源１０１から出射するビームレット１１２を形成させる、複数の開口を含む。図１〜３に示すビームレットは、ビーム形成システム１０３で生成される通常大量のビームレットの代表にすぎない。

複合電極１１０は相互に隣接して配列される複数の部分電極から構成され、以下でさらに詳述するように、部分電極の間にギャップが設けられる。部分電極は、環状電極１０８と共に静電レンズを形成して電気ゾーン装置１０９の開口を通過する粒子に影響を及ぼすために、異なる静電電位が印加されるように適応される。複合電極１１０は、電気ゾーン装置１０９の一部分だけが均質な部分ビーム１０６´によって照射されるという事実に関係なく、電気ゾーン装置１０９の領域全体に及ぶ。

部分電極は、電気ゾーン装置１０９の開口と整列ししたがって、静電電位がそれぞれの部分電極に印加されたときに、同時に影響を受ける複数の開口を含む、電気ゾーン装置１０９の面積の大部分に及ぶかもしれない（図４ａ〜４ｃ参照）。しかし、各部分電極が１つの開口のみに関連付けられ、前記部分電極から構成される複合電極１１０が電気ゾーン装置１０９の面積の小領域、例えば電気ゾーン装置１０９の開口が位置する領域に限定されるような実施形態が可能であることを指摘することは、それだけの価値がある。

マルチビーム源１０１から出射するビームレット１１２はホモセントリックであり、すなわち、図１で垂直下方に伝搬するビームの方向に見て粒子源１０４の上に位置する仮想源１４５から出射するように見える。共通仮想源１４５からのビームレット１１２の見かけの出射は結果的に、ビームレット１１２をマルチビーム源１０１の光軸１１３に対して傾斜させ、傾斜角は光軸１１３からのビームレットの距離と共に増大する。

図１ａは、照明システム１０２´およびビーム形成システム１０３´を持つマルチビーム源１０１´を示し、セットアップは図１と全く同一である。しかし、図１ａでは、ビーム形成システム１０３´は、マルチビーム源１０１´から出射するビームレット１１２´が略テレセントリック／平行になるように構成される。

しかし、マルチビーム源１０１から出射するビームレット１１２が収束するように、すなわちビームの方向に見てマルチビーム源１０１の下のどこかに位置する交差部で収束するように、コリメートレンズ１０７、環状電極１０８、および電気ゾーン装置１０９を配置することが可能である。

図２は、再び照明システム２０２およびビーム形成システム２０３を含む、マルチビーム源２０１の変形例を示す。照明システム２０２は、図１に示したものに匹敵し、粒子源２０４、抽出レンズアレイ２０５、およびコリメートレンズ２０７を含む。しかし、ビーム形成システム２０３は異なる。環状電極２０８および電気ゾーン装置２０９に加えて、それは、粒子ビームの方向に見て連続的に配置されるビーム分割手段２１１を含む。

ビーム分割手段２１１は略平板状の形を有し、粒子ビームのエネルギ粒子を通過させる複数のアパーチャを含む。ビーム分割手段２１１および電気ゾーン装置２０９は、電気ゾーン装置２０９の複数の開口の各開口が、ビーム分割手段２１１の複数のアパーチャのアパーチャと整列するように配置される。図１に関連して述べた通り、図２に示すコリメートレンズ２０７は、略均質なビーム２０６′がマルチビーム源２０１の光軸２１３に対して傾斜することによって、光学収差を引き起こす。環状電極２０８および電気ゾーン装置２０９の組合せは、照明システム２０２のレンズによって導入される結像誤差の補正をもたらす。また、それはビーム分割手段２１１の均質な照明を可能し、こうして粒子光学システムの共有の問題、すなわち光軸１１３からの距離が増加するにつれて照明が低下し、結果的にシャドウ効果が生じることが解決される。

電気ゾーン装置２０９は後続の装置の照明を改善することに役立ち、実質的にテレセントリック／平行なビームレット２１２の形成は後続のビーム分割手段２１１によって実行されるので、電気ゾーン装置２０９の開口の幅は通常、ビーム分割手段２１１のアパーチャの幅より大きい。これは、ビーム分割手段２１１のアパーチャの充分な照明を確実にする。

図３は、照明システム３０２およびビーム形成システム３０３を含むマルチビーム源３０１の別の変形例を示す。照明システム３０２は粒子源３０４と、発散ビーム３０６を形成する抽出レンズアレイ３０５とによって形成され、発散ビームはコリメートレンズ３０７によってコリメートされる。

環状電極３０８は電気ゾーン装置３０９と共に、ブランキング装置３１４の略均質な照明をもたらし、環状電極３０８、電気ゾーン装置３０９、およびブランキング装置３１４は粒子ビームの方向に見て連続した順序で配置される。

図２とは対照的に、略テレセントリック／平行なビームレット３１２の形成はここでは、それぞれのビームレット３１２、３１７の追加処理を可能にするブランキング装置３１４によって達成される。

ブランキング装置３１４は略平板状の形に実現され、粒子ビームの粒子がブランキング装置３１４に通過することを可能にする複数の開口を含む。ブランキング装置３１４は、開口が電気ゾーン装置３０９のそれぞれの開口と整列するように配置される。

ブランキング装置３１４の全ての開口は、それぞれの開口を通過する粒子ビームレットを偏向させるように適応されている一対の電極３１５、３１６に関連付けられる。この目的のために、一方の電極はアクティブ偏向電極３１６として働き、他方の電極は接地電極３１５として働く。偏向電極３１６が付勢されると、つまり電極に電圧が印加されると、偏向電極３１６のそばを通過するビームレットはその公称経路外に偏向される。ビームレットの制御が全てのグループに対して同期して実行されるように、電極をグループ単位で編成することができる。これは電極の給電および制御要素を低減し、かつ同時にクロストーク効果のリスクを低減する。図３は、複数の偏向されない平行なビームレット３１２と、それぞれの電極３１５、３１６の対によって偏向され、したがってマルチビーム源３０１の光軸３１３に対して傾斜した、２つの乱されたビームレット３１７を模範的に示す。

電極３１５、３１６は、電極が関連付けられる開口の周囲に形成された凹部に位置する。それらの高さは、それらがその中に製造されるブランキング装置３１４の表面から突出しないように選択される。電極３１５、３１６はよく確立されたリソグラフィ技術によって形成することができる。

図１〜３のビーム形成システム１０３、２０３、３０３の構成要素の順序は、多くの可能な配列の少数例に過ぎず、それらの変形例を図９〜１３に示す。

電気ゾーン装置１０９、２０９、３０９は、異なる仕方で実現することができる。図４ａ〜４ｃは、異なる模範的変形例を示す。図４ａは、電気ゾーン装置４０９の平面図を示す。それは、中心部分電極４１９の周囲の円形同心部分電極４１８から構成される、平面状の基本的に２次元の複合電極を特徴とする。電気ゾーン装置４０９の複数の開口は、中心部分電極４１９を含むフィールド４２０に位置する。分かり易くするために、図４ａには開口が示されていない。部分電極４１８、４１９には異なる静電電位を印加することができる。相互絶縁のため、および漂遊電界の影響を軽減するために、部分電極４１８、４１９の間にギャップ４２１が設けられる。

図４ｂは、電気ゾーン装置４０９′の部分電極４１８′の異なる配列を示す。複合電極の領域はここでは、開口が位置するフィールド４２０′内に延びる扇形電極４１８′に分割される。

図４ｃの平面図は、部分電極４１８″のモザイク状集合を持つ電気ゾーン装置４０９″のさらに別の変形例を示す。矩形の部分電極４１８″は、開口が位置するフィールド４２０″内および好ましくはそれを超えた領域もカバーする。電界は、電気ゾーン装置４０９″に２次元座標系が割り当てられると仮定して、電気ゾーン装置４０９″の両方の次元に、すなわちｘｙ方向に制御することができる。

電気ゾーン装置５０９の概略的構成を図５に示す。それは、そのような装置の詳細縦断面図を示す。装置の説明を容易にするために、ここでは上側ＴＳおよび下側ＢＳの用語を使用する。２つの側のこれらの用語は、入射粒子ビームに対する電気ゾーン装置の向きには関係ない。どちらの側もそれらの衝突してくるビームの方向に向けることができる。

電気ゾーン装置５０９のバルクは、３つの層５２４、５２５、５２６で被覆されたシリコン板５２３によって形成される。

頂部、例えば上側ＴＳに位置するのは、セグメント化電極層５２４の形の複合電極である。それは、電気ゾーン装置５０９の開口５２２を通過するビームレットの経路に影響を及ぼすために、異なる静電電位を印加することのできる、部分電極５１８を実現する。部分電極の幾つかの可能な配置を図４ａ〜４ｃに示すが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。電極層５２４には、異なる部分電極５１８によって覆われるゾーンの間にギャップ５２１が設けられる。これらのギャップは、静電電位が印加されたときに漂遊電界を発生させる、隣接する部分電極５１８の相互影響を軽減するのに役立つ。前記漂遊電界に対処する別の方法は、ギャップ５２１に抵抗性材料５２１′を充填することによって実現される。この解決策のおかげで、部分電極の間に生じる漂遊電界の影響を軽減することができる。絶縁誘電体材料を使用することにより、隣接する部分電極５１８の異なる電位を分離することができ、かつ隣接する開口５２２の位置における全漂遊電界を軽減させる誘電分極を生じることができる。分かり易くするために、図５は、空いたままのギャップ５２１のみならず、抵抗性材料５２１′で充填されたギャップ５２１をも示す。通常、１つの装置では２つの変形の一方だけが実現されるが、２つの変形の組合せを実現することも可能である。

電極層５２４の下には、絶縁層５２４が位置する。この層の厚さは、電極層５２４の部分電極に静電電位を印加するための給電線（図示せず）をも収容することができるように、充分に選択される。一般的に、その目的のためにＣＭＯＳ層が使用される。しかし、直接配線（図示せず）を介して部分電極５１８に静電電位を供給することも可能である。直接配線とはここでは、全ての電極に、電位を印加するためのそれ自体の給電線が設けられることを示す。この場合、給電線を収容する必要が無いので、より小さい厚さの絶縁材を絶縁層５２５に使用することができる。

絶縁層５２５の下に、下側ＢＳの方向から発生する電界から部分電極５１８を遮蔽する、導電層５２６が位置する。

図４ａ〜４ｃは、複合電極が装置の全表面にわたって延び、かつ部分電極が間に小さいギャップだけをおいて相互に隣接して配置された、電気ゾーン装置の実施形態を示す。図６はさらに別の実施形態を示す。電気ゾーン装置６０９の複合電極は、パッド６４１の形の複数の部分電極として実現される。さらによく理解するために、前記形の部分電極を以下では「パッド」と呼ぶ。図６で、パッド６４１は、電気ゾーン装置６０９の開口が位置するフィールド６２０内のみに位置する。見易くするために、開口および部分電極のサイズおよび個数は縮尺通りではない。

電気ゾーン装置６０９の複数の開口の全ての開口には、部分電極を形成する１組のパッド６４１が設けられる。そのような組に属するパッド６４１は相互に隣接して配置され、静電電位を印加されるように適応される。全てのパッド６４１に静電電位を独立に供給することができる。パッド６４１は、パッド６４１が位置する電気ゾーン装置６０９の開口を交差する粒子ビームレットに影響を及ぼすように適応される。電極に印加される静電電位に応じて、それはビームレットを反発させるかまたは引き寄せる。この解決策のおかげで、ビームレットの経路に個別に影響を及ぼし、かつ例えばその経路が電気ゾーン装置の光軸と厳密に平行でない開口によって影響されるときに、ビームレットの色収差または球面収差または他の欠陥を補正することが可能である。図４ａ〜４ｃに示した実施形態の場合のように、追加の環状電極を設ける必要は無い。

図６ａは、電気ゾーン装置６０９′のさらに別の実施形態を示す。それは、本発明の２つの態様に係る複合電極を同時に含む。第１の複合電極は、漂遊電界の影響を低減するために小さいギャップ６２１によって相互に分離される複数の円形同心部分電極６１８から構成された、実質的に２次元の層として実現される。第２の複合電極は、フィールド６２０′に位置するパッド６４１′の形の複数の部分電極により形成される。パッド６４１′は円形同心部分電極６１８の上に形成されるが、それらの間に絶縁層を設けることが有利である。各パッド６４１′は、電気ゾーン装置６０９′の開口に関連付けられる。分かり易くするために、第１の複合電極の部分電極６１８の間のギャップ６２１の近傍には、開口もパッド６４１′も存在しないことを言及する。図６ａに示した電気ゾーン装置６０９′の有利な特徴を充分に活用するために、それは環状電極と組み合わせる必要がある。

図７は、図６に示した電気ゾーン装置６０９のフィールド６２０の平面図の詳細を示す。図７は、それぞれの組のパッド７４１を持つ開口７２２のサンプルを示す。本実施例では、１組に４つのパッド７４１が含まれる。開口７２２は２次の形状を有し、パッド７４１は開口７２２の両側に配置され、該配置は「スイレンの葉」に類似する。しかし、本発明は下述する実施形態に限定されず、それは単に可能な実施形態の１つを表わすにすぎないことを理解されたい。１組当たりのパッド７４１は異なる個数のみならず、円形または矩形のような開口７２２の他の形状も可能である。パッド７４１の隣接する組の間の領域は空いたまま残しておくか、または絶縁材または誘電体材料を設けるかのいずれかとすることができる。

図７ａは、図７の線Ａ−Ａに沿って切った電気ゾーン装置７０９の詳細縦断面図を示す。シリコン板７２３は３つの層７４２，７２５、７２６で被覆される。導電層７２６は、シリコン板７２３から発生する電界から他の層を遮蔽する。絶縁層７２５は、「スイレンの葉」層７４２を形成するパッド７４１を制御しかつそれに給電するために必要な、例えばストリップ導体の形の給電線７２７を収容する。パッド７４１の各々は、電気ゾーン装置７０９内を貫通して延びかつビームレットの形のエネルギ粒子の移動を可能にする、開口７２２に関連付けられる。ビームレットの経路は、それぞれのパッド７４１に静電電位を印加することによって影響させることができる。絶縁層７２５は、配線を収容するのに最も適したＣＭＯＳ層として実現することが好ましく、そのようなＣＭＯＳ層の形成も半導体産業でよく確立されたプロセスである。給電線７２７を電界から遮蔽するために、給電線７２７の上下に遮蔽導体７２８が設けられる。

図７および７ａに示された構成は、電気ゾーン装置７０９のそれぞれの開口７２２を通過する各ビームレットの個別の取扱いを可能にする。したがって、例えば電気ゾーン装置７０９の開口の機械的欠陥によるビームレットの位置ずれを補正することができる。

図８は、図６ａに示す電気ゾーン装置６０９′のフィールド６２０′の詳細平面図を示す。第１の複合電極の部分電極８１８はここでは、小さいギャップ８２１によって分離される。部分電極８１８の上に、各開口８２２の周囲に「スイレンの葉」状に４つ１組に配置されたパッド８４１が位置する。ギャップ８２１の幅は通常約１μｍになり、それは一般的に、規則的な２Ｄの並進アレイ状に配置されるアパーチャ間の距離より一般的にずっと小さい。小さいギャップ８２１は、おそらくアパーチャまたは「スイレンの葉」の間の空間を蛇行しながら、（例えば、アパーチャの間隔がギャップによって変化しない図５に示すように）ギャップ領域の並進対称性を破ることなく、アパーチャ間に配置することもできる。

図８ａは、図８の平面図の電気ゾーン装置８０９の線Ｂ−Ｂに沿った詳細縦断面図を示す。

シリコン板８２３は、図８ａに示した配置に従って下から上に説明する、異なる層で被覆される。導電層８２６は、シリコン板８２３から発生する電界から他の層を遮蔽する。絶縁層８２５は、部分電極８１８および「スイレンの葉」８４１のための配線を収容する。図８ａには「スイレンの葉」８４１のための給電線８２７だけが示され、部分電極８１８のための配線は図示されていないが、同様に絶縁層８２５内に位置している。遮蔽導体８２８は、給電線８２７を電界から遮蔽するために、給電線８２７の上下に設けられる。同様の遮蔽装置が、部分電極８１８の配線のためにも設けられるが、分かり易くするために図８ａには示されていない。絶縁層はＣＭＯＳ層として実現することが好ましい。

絶縁層の上に、第１の複合電極を形成し、従ってギャップ８２１によって分離される部分電極８１８を含む、電極層８２４が設けられる。電極層８２４と「スイレンの葉」層８４２との間には、「スイレンの葉」８４１が部分電極８１８の電界によって影響されるのを防止するために、第２の絶縁層８４３が設けられる。「スイレンの葉」８４１は各々、電気ゾーン装置８０９の開口８２２に関連付けられ、開口８２２はエネルギ粒子が電気ゾーン装置８０９を通過することを可能にする。

電気ゾーン装置８０９の多くの開口８２２をカバーする延長部分電極８１８と、各組が１つの開口８２２だけに関連付けられた「スイレンの葉」８４１の組との組合せにより、ビーム全体／全てのビームレットの結像収差の補正のみならず、個別ビームレットの小さい位置ずれの補正も可能になる。

図９ないし１３は、本発明に係るマルチビーム源のビーム形成システムの異なる実施形態を示す。図９で、荷電粒子の略均質なビーム９０６′は第１の環状電極９０８を通過し、例えば上記実施形態の１つに従って形成された電気ゾーン装置９０９に衝突する。電気ゾーン装置９０９の異なる層を衝突ビームのエネルギ粒子から保護するために、他の層の上の衝突ビームの最も近くに保護層（図示せず）を設けることができる。電気ゾーン装置９０９は環状電極９０８と組み合わせて、ビーム９０６′の光学収差を補正し、かつ同時に略均等なビーム９０６′を複数のビームレットにする。さらにそれは、粒子ビームの方向に見て電気ゾーン装置９０９の後に配置される、後続のビーム分割手段９１１の照明を改善するのに適する。ビーム分割手段９１１は、所望の直径を持つエネルギ粒子の実質的にテレセントリック／平行なビームレットを形成する。ビームレットは、第２の環状電極９０８′と組み合わせて静電レンズを形成する第２の電気ゾーン装置９０９′を通過する。このレンズは結像収差の補正を可能にする。使用する電気ゾーン装置の変形例によっては、「スイレンの葉」配列を用いる電気ゾーン装置が使用される場合、個別ビームレットの経路に影響を及ぼすことさえ可能である。

図１０は、補正レンズ配列１０２９および電気ゾーン装置１００９を持つ配列の断面図を示す。環状電極の代わりに、電気ゾーン装置１００９が補正レンズ配列１０２９と組み合わせて、照明システムの幾何収差を補正するための静電レンズを形成する。その目的のために、補正レンズ配列１０２９および電気ゾーン装置１００９は異なる静電電位に維持される。補正レンズ配列１０２９は、複数のオリフィスを持つ略平板状の形を有し、各オリフィスは、ビームの方向に見て補正レンズ配列１０２９の後に位置する電気ゾーン装置１００９の複数の開口のそれぞれの開口と整列する。

図１０ａは、図１０に示した補正レンズ配列１０２９′の詳細を幾つかのオリフィス１０４４と共に示す。オリフィスの幅は、配列の断面全体にわたって変化する。

入射ビームの方向に向けられるオリフィス１０４４の部分の第１の幅ｗ１は、開口表面に位置する第２の幅ｗ２よりずっと小さい。第１の幅ｗ１と第２の幅ｗ２の比、および厚さｔ１のみならず、補正レンズ配列１０２９、１０２９′および電気ゾーン装置１００９に印加される静電電位も、後者の２つの組合せによって形成されるレンズの強度を規定する。

オリフィス１０４４の位置の補正レンズ配列１０２９′の光軸からの偏位が大きければ大きいほど、それを通過するビームレットの軸は、電気ゾーン装置の光軸に対して大きく傾斜し、補正が必要になる。したがって、オリフィスの幅ｗ１、ｗ２は、対応するオリフィスの横方向の位置に応じて、電気ゾーン装置の領域全体にわたって変化する。補正レンズ配列が電気ゾーン装置１００９の前に位置する図１０に示す実施形態では、電気ゾーン装置への粒子の入射角が局所的に変化する。この解決策のおかげで、電気ゾーン装置の照明を改善し、かつ結像収差の補正を行なうことが可能になる。

図１１〜１３は、選択されたビームレットの公称経路を調整するために使用される、ブランキング手段を使用するビーム形成システムの異なる実施形態を示す。全ての実施形態は、第１の環状電極、第１の電気ゾーン装置、ビーム分割手段、第２の電気ゾーン装置、および第２の環状電極を含む。ビーム形成システムの部品の順序は基本的に図１１〜１３と同一であるが、他の順序も同様に可能であるので、これは本発明をどのような形でも限定することを意図していないことを指摘しなければならない。

図１１は、荷電粒子１１０６′の幅広のビームが第１の環状電極１１０８を通過し、電気ゾーン装置１１０９を照射する、ビーム形成システム１１０３を示す。ビームの方向に見て電気ゾーン装置の後に、ビーム分割手段１１１１が位置する。ビーム分割手段の後に、第２の環状電極１１０８′と組み合わされた第２の電気ゾーン装置１１０９′が続く。

ビーム分割手段１１１１の全てのアパーチャは、異なる静電電位が印加されてそれによってそれぞれのアパーチャを通過するビームレットの経路に影響を及ぼす電界が生じるように適応された１対の電極１１１５、１１１６に関連付けられる。電極１１１５、１１１６の一方は接地電極１１１５として働き、他方の電極はアクティブ偏向電極１１１６である。電極は、入射ビームレットとは反対側に向けられたビーム分割手段１１１１の表面に位置することが好ましい。電極１１１５、１１１６を用いて、第２の電気ゾーン装置１１０９′の開口につながる公称経路の外に向けることによって、選択されたビームレットを遮り、それらを第２の電気ゾーン装置１１０９′に衝突させ、そこに吸収させることが可能になる。その目的のために、第２の電気ゾーン装置１１０９′の入射ビームレットに向けられた表面に、吸収層（図示せず）を設けることができる。別の可能な実施形態では、その目的のために別個の吸収層（図示せず）を設けることができる。

図１１で、電極１１１５、１１１６は、ビーム分割手段の一体的部分ではないという意味で、ビーム分割手段１１１１の表面「上」に位置するように描かれている。そのような電極は、電気メッキの現状技術を使用して、垂直成長によって形成することができる。

図１２および１３の構成に示したブランキング手段は、別の方法で形成される。図１２は、図１１の構成と同一部品を含むビーム形成システム１２０３を示すが、ビーム分割手段１２１１は、電極１２１５、１２１６を収容する各アパーチャの周りの凹部１２３０を特徴とする。この実施形態の電極１２１５、１２１６は、例えば公知のエッチング技術を適用することによって形成することができる。図１３は、電極およびそれぞれの凹部が第１の電気ゾーン装置１３０９に形成されるビーム形成システム１３０３を示す。分かり易くするために、図には示さない変形例として、ビーム形成システムに別個のブランキング装置を含めることも可能であることを指摘しておく。また、記載した事例の各々において、ビーム分割を電気ゾーン装置によって継承し、こうして複合「ビーム分割手段電気ゾーン装置」を提供することによって、自己完結的なビーム分割手段を旧弊とすることもできることを指摘しなければならない。

上記の種類のマルチビーム源は、多種多様な目的に適している。１つの可能な用途は、例えば半導体産業において、異なる基板材料にパターンを生成するためのマルチビームリソグラフィシステムにある。

図１４は、出願人／譲受人による米国特許ＵＳ６，７６８，１２５Ｂ２に開示された、そのようなリソグラフィシステム１４３１を示す。ＰＭＬ２（「Projection Mask-Less Lithography#2」の略）と呼ばれる概念は基本的に、照明システム１４０２、パターン定義装置１４３２、投射システム１４３４、および基板１４３３を持つターゲットステーション１４３５を含む。分かり易くするために、図１４に示す構成要素は縮尺通りではない。

照明システム１４０２は、図１４で垂直下方に伝搬するリソグラフィビームを生成する。ビームは、異なる種類のエネルギ荷電粒子から構成することができる。電子以外に、これらは例えばヘリウムイオン、水素イオン、または重イオンとすることができる。ここで重イオンとは、Ｃより重いＯ、Ｎ、または希ガスＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅのような元素のイオンを指す。パターン定義装置１４３２は相互に上下に積み重ねた複数の平板を含み、それらの間にアパーチャアレイ手段（アパーチャ板）および偏向アレイ手段（ブランキング板）が存在する。平板は各々複数の開口を含み、異なる平板の開口は相互に整列する。別個の平板が定義された距離を置いて、例えばケーシング内に一緒に取り付けられる。パターン定義装置１４３２は、基板１４３３上に投射される、ビームレットから構成されるビームパターンを定義する。偏向アレイ手段により、ビームレットはそれらの公称経路外に偏向させ、こうしてブランキングさせ、ターゲット面に到達しないようにすることができる。ビームレットは、止め板１４３６によって吸収されるように偏向させることができる。静電レンズまたは電磁レンズによって、投射システム１４３４は、パターン定義装置１４３２によって提供されるパターンを基盤１４３３上に表示する。

上記の種類のリソグラフィ装置は種々の問題を有する。例えば、パターン定義装置１４３２の平板の照明は、特にリソグラフィシステム１４３１の光軸１４１３から遠い領域では不充分であるかもしれない。また、静電レンズまたは電磁レンズの使用は、球面収差および色収差のような光学エラーを引き起こす。

前記問題は、照明システム１４０２の代わりに本発明に係るマルチビーム源を使用したときに、大幅に軽減することができる。マルチビームリソグラフィシステム１５３１が示された図１５に、そのような構成を示す。分かり易くするために、構成要素はここでは縮尺通りには示されていない。マルチビーム源１５０１は、ターゲットステーション１５３５で投影システム１５３４によって基板１５３３に投影される複数のビームレットを生成するために提供される。原則的に、上述したマルチビーム源１５０１のいずれかをここで使用することができる。図１５に示した実施形態では、電気ゾーン装置１５０９を環状電極１５０８と共に設けることにより、ビームの方向に見て電気ゾーン装置１５０９に連続的に配置されるビーム分割手段１５１１の照明の改善を可能にする。ビーム分割手段１５１１は、図１１〜１３と同様に、選択されたビームレットのブランキングを可能にするために、ブランキング手段を含むことができる。

図１６は、先行技術のさらに別のマルチビームリソグラフィシステム１６３１を示す。そのようなシステムは、出願人／譲受人による米国特許ＵＳ６，９８９，５４６Ｂ２に開示されている。リソグラフィ装置１６３１は、ターゲットステーション１６３５に位置するレジスト被覆ウェハ基板１６３３上に構造を描画するように適応される。該装置は、粒子源１６０４を持つ照明システム１６０２、およびエネルギ荷電粒子の照明ビームを生成するコリメータ光学システムを含む。追加結像要素と共に静電アパーチャ板１６３８の配列を含むマルチビーム光学システム１６３７が、照明システム１６０２の後に位置する。アパーチャ板１６３８はビームを複数のビームレットにし、アパーチャ板１６３８は、ビームレットの各々が連続的にウェハ基板１６３３上に高集束強度に集束するように設計される。明瞭にするために、図１６には少数のビームレットしか示されていない。ビームレットの集束特性を例えばビーム径に関して個別に調整し、かつ照明システム１６０２によって導入される収差を補正するために、例えばアパーチャ板１６３８の間に静電レンズ１６３９の配列が設けられる。ビームの方向に見てアパーチャ板１６３８の後に配置される、各ビームレット用の個別偏向ユニットを含む多極配列１６４０は、ビームレットをさらに例えばウェハ基板１６３３の位置に対して調整することを可能にする。

図１６に示す構成は、それぞれのビームレットの個別の結像収差の補正を可能にする。しかし、リソグラフィシステム１６３１の性能は、照明システム１６０２の代わりに本発明に係るマルチビーム源を使用することによって、改善することができる。

図１７は、マルチビーム源１７０１、追加結像要素と共に複数の静電アパーチャ板１７３８を持つマルチビーム光学システム１７３７、およびターゲットステーション１７３５上のウェハ基板１７３３を含む、改善されたマルチビームリソグラフィ装置１７３１を示す。本発明に係るマルチビーム源１７０１の使用は、静電アパーチャ板１７３８の照明の改善のみならず、照明システムが静電レンズまたは電磁レンズを使用するコリメータ光学システムと組み合わされた、図１６に示す構成で生じる結像収差の低減をも可能にする。

本発明に係るマルチビーム源を設けることにより、静電レンズ１７３９の配置は旧弊になるように思われるが、それが残りの結像収差のみならず、使用される平板または装置のいずれかの機械的な欠陥によって導入される誤差をも補正することを可能にするので、図１７ではそれを依然として使用する。そのような欠陥として、マルチビームリソグラフィ装置１７３１の光軸１７１３と厳密に平行でない開口またはアパーチャの軸、または異なる平板および装置の整列誤差が挙げることができる。また、基板１７３３上のビームレットの正確な位置決めのために、各ビームレット用の個別偏向ユニットを含む多極配列１７４０も提供される。

上記説明は、好適な実施形態の動作を例証するために含めるものであって、本発明の範囲を限定するつもりはないことを理解されたい。上記説明から、本発明の精神および範囲に含まれる多くの変形例が当業者には明らかであろう。

図１は、実質的にホモセントリックなビームレットを生成する、本発明に係るマルチビーム源の略縦断面図である。 図１ａは、テレセントリックなビームレットを生成する、本発明に係るマルチビーム源の略縦断面図である。 図２は、マルチビーム源の変形例の縦断面図である。 図３は、マルチビーム源のさらに別の変形例の縦断面図である。 図４ａ−４ｃは、電気ゾーン装置の３つの設計の平面図である。 図５は、電気ゾーン装置の詳細断面図である。 図６は、「スイレンの葉」配置の部分電極を持つ電気ゾーン装置の実施形態の平面図である。 図６ａは、「スイレンの葉」構成の部分電極および同心円の形の部分電極の組合せを持つ電気ゾーン装置の実施形態の平面図である。 図７は、図６の電気ゾーン装置の詳細平面図である。 図７ａは、図７の線Ａ−Ａに沿った詳細断面図である。 図８は、図６ａの電気ゾーン装置の詳細平面図である。 図８ａは、図８の線Ｂ−Ｂに沿った詳細断面図である。 図９は、本発明に係るマルチビーム源のビーム形成システムの１つの設計の縦断面図である。 図１０は、本発明に係るマルチビーム源のビーム形成システムの１つの設計の縦断面図である。 図１０ａは、図１０に示した設計の詳細を示す断面図である。 図１１は、本発明に係るマルチビーム源のビーム形成システムの１つの設計の縦断面図である。 図１２は、本発明に係るマルチビーム源のビーム形成システムの別の設計の縦断面図である。 図１３は、本発明に係るマルチビーム源のビーム形成システムのさらに別の設計の縦断面図である。 図１４は、先行技術に係るマルチビームリソグラフィのための装置のレイアウトの縦断面図である。 図１５は、図１４の適用に対応する、本発明に係るマルチビーム源を持つマルチビームリソグラフィのための装置の縦断面図である。 図１６は、先行技術に係るマルチビームリソグラフィのための別の装置のレイアウトの縦断面図である。 図１７は、図１６の適用に対応する、本発明に係るマルチビーム源を持つマルチビームリソグラフィのための装置の断面図である。

Claims (44)

1. 照明システム（１０２）およびビーム形成システム（１０３）を含む、エネルギ荷電粒子のビームレット（１１２）を発生するためのマルチビーム源（１１０）であって、
   前記照明システム（１０２）が、エネルギ荷電粒子を発生しかつ前記粒子を幅広の照明ビームに形成するように適応され、かつ
   前記ビーム形成システム（１０３）が、前記照明システムから出射する照明ビームによって照明されるように構成されると共に、ビームからエネルギ粒子の複数のビームレット（１１２）を形成するように適応され、前記ビーム形成システムが、
   ‐ビームから複数のビームレットを形成するために粒子ビームのエネルギ粒子を通過させる複数のアパーチャを有するビーム分割手段と、
   ‐電気ゾーン装置の光軸（１１３）に対し直角に向けられかつ前記粒子ビームが透過する領域を少なくともカバーする横寸法を有する２次元平面に沿って位置する複合電極（１１０）を含み、前記複合電極が複数の略平面状の部分電極から構成され、前記部分電極が電気ゾーン装置の表面積の分割に従って相互に隣接して配置され、前記部分電極が異なる静電電位を印加されるように適応され、前記粒子ビームのエネルギ粒子を通過させる複数の開口をさらに含む電気ゾーン装置と、を含んで成る、マルチビーム源（１０１）。
2. 前記ビーム分割手段および前記電気ゾーン装置が連続した順序で配置され、前記電気ゾーン装置の前記開口が前記ビーム分割手段の前記アパーチャと整列する、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１）。
3. 前記ビーム分割手段が前記電気ゾーン装置に統合される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１）。
4. 前記マルチビーム源によって生成される前記複数のビームレット（１１２、２１２、３１２）が実質的にホモセントリックである、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１、１５０１、１７０１）。
5. 前記マルチビーム源によって生成される前記複数のビームレット（１１２）が実質的にテレセントリックである、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１）。
6. 前記荷電粒子がイオンである、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１）。
7. 少なくとも１つの追加電極、特に環状電極（１０８）を有し、前記電極が前記電気ゾーン装置（１０９）の近傍に、しかし前記電気ゾーン装置の前記複合電極（１１０）の平面外に配置される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１）。
8. 前記少なくとも１つの追加電極が少なくとも１つの多極電極を含み、前記少なくとも１つの多極電極が前記電気ゾーン装置（１０９）の前記複合電極（１１０）の平面外に配置される、請求項７に記載のマルチビーム源（１０１）。
9. 前記電気ゾーン装置の各開口（７２２）が、それぞれの開口に隣接して位置する１組の部分電極（７１８、７４１）に関連付けられるように、前記電気ゾーン装置（７０９）の前記部分電極（７１８、７４１）が配置される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１）。
10. 前記組の部分電極（７１８、７４１）が４つの部分電極を含む、請求項９に記載のマルチビーム源（１０１）。
11. 前記少なくとも１つの電気ゾーン装置（４０９、４０９′、４０９″、６０９′）の前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、６１８）が、前記電気ゾーン装置の光軸を中心とする同心円状リングとして形作られる、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
12. 前記少なくとも１つの電気ゾーン装置（４０９、４０９′、４０９″、６１８）の前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、６１８）が、前記電気ゾーン装置の光軸の周りに配置される扇状体として形作られる、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
13. 前記少なくとも１つの電気ゾーン装置（４０９、４０９′、４０９″、６１８′）の前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、６１８）が扇形であり、前記電気ゾーン装置の中心領域の周りに配置され、前記中心領域が少なくとも１つのさらなる中心部分電極（４１９）によって形成される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
14. 前記少なくとも１つの電気ゾーン装置（４０９、４０９′、４０９″、５０９、６０９′、８０９）の隣接する部分電極（４１８、４１８′、４１８″、５１８、６１８、８１８）の間のギャップ（４２１，５２１、６２１、８２１）に抵抗性材料（５２１′）が設けられる、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
15. 前記電気ゾーン装置（５０９、７０９、８０９）の前記複数の開口の開口（５２２、７２２、８２２）が，前記電気ゾーン装置の前記部分電極の各々の領域内にのみ存在する、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
16. 異なる静電電位を印加することによって前記電気ゾーン装置（５０９、８０９）の前記部分電極（５１８、８１８）を制御するための電子回路を含むＣＭＯＳ層（５２５、８２５）が、前記電気ゾーン装置（５０９、８０９）内に設けられた、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
17. 前記電気ゾーン装置の前記部分電極（４１８、６１８、６４１）が、前記部分電極に異なる静電電位を印加するように適応された直接配線を介して制御される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
18. 前記電気ゾーン装置（２０９、９０９、９０９′、１１０９、１１０９′）の少なくとも１つが、前記粒子ビームの方向に沿って見たとき、ビーム分割手段（２１１、９１１、１１１１）の直前または直後に配置される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
19. 第１の電気ゾーン装置（２０９、９０９、１１０９）が、前記粒子ビームの方向に沿って見たとき、前記ビーム分割手段（２１１、９１１、１１１１）（複数存在する場合は最初の１つ）の直前に配置され、かつ第２の電気ゾーン装置（９０９′、１１０９′）が、前記粒子ビームの方向に沿って見たとき、前記ビーム分割手段（２１１、９１１、１１１１）（複数存在する場合は最後の１つ）の直後に配置される、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
20. 前記電気ゾーン装置の複数の開口の各開口（５２２、７２２）が、前記それぞれの開口に隣接して位置する前記部分電極の組に関連付けられるように、前記電気ゾーン装置（５０９、７０９）の前記部分電極（５１８、７１８）が配置される、請求項１９に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
21. 選択されたビームレットの通路をオフにするためのブランキング装置（２１４、３１４）を含み、前記ブランキング装置（２１４、３１４）が複数の開口を含む略平板状の形状で実現され、前記開口を通して放射される粒子をそれらの公称経路外に偏向させるための少なくとも１つの制御可能な偏向手段（３１５）が各開口に設けられる、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
22. 前記ブランキング装置（２１４、３１４）に、前記偏向手段（３１５、３１６）を制御するためのＣＭＯＳ層が設けられる、請求項２１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
23. 前記マルチビーム源の幾何収差の補正のために少なくとも１つの補正レンズ配列（１０２９、１０２９′）を含み、実現される前記補正レンズ配列（１０２９、１０２９′）は略平板状の形状を有し、かつ複数のオリフィス（１０４４）を含み、前記オリフィス（１０４４）は前記粒子ビームの方向に見て前記オリフィス（１０４４）の始めまたは終わりの開口空間を拡幅し、前記開口空間はそれぞれのビームレットを受け取ると補正レンズとして働くように構成され、前記開口空間はさらに前記補正レンズ配列の領域上で変動する幅を有し、こうして変動する補正レンズ強度を規定し、前記補正レンズ配列（１０２９、１０２９′）が前記粒子ビームの方向に見て前記電気ゾーン装置の前または後に位置する、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
24. 前記補正レンズ配列（１０２９、１０２９′）が電気ゾーン装置に隣接して位置し、前記電気ゾーン装置（１００９）が、前記粒子ビームの方向に沿って見て、前記補正レンズ配列（１０２９、１０２９′）の前または後に配置される、請求項２３に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
25. 前記電気ゾーン装置（１０９、２０９、３０９）に被覆体が設けられる、請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
26. 前記被覆層が導電性材料で作られる、請求項２５に記載のマルチビーム源（１０１、２０１、３０１）。
27. 請求項１に記載のマルチビーム源（１０１、２０１）で使用するための電気ゾーン装置（１０９、２０９）であって、前記電気ゾーン装置が前記電気ゾーン装置全体をカバーする横方向の寸法を有する複合電極（１１０）を含み、前記複合電極が複数の略平面状部分電極から構成され、前記部分電極が、前記電気ゾーン装置の表面積の分割に従って相互に隣接して配置され、前記部分電極が異なる静電電位を印加されるように適応され、前記電気ゾーン装置がさらに複数の開口を含んで成る、電気ゾーン装置（１０９、２０９）。
28. 前記電気ゾーン装置の複数の開口の各開口（５２２、７２２、８２２）が前記それぞれの開口に隣接して位置する１組の部分電極に関連付けられるように、前記電気ゾーン装置の前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、５１８、７１８、８１８）が配置される、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（４０９、５０９、７０９、８０９）。
29. 前記部分電極の組が４つの部分電極を含む、請求項２８に記載の電気ゾーン装置（４０９、５０９、７０９、８０９）。
30. 前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、５１８、７１８、８１８）が同心円状リングとして形作られる、請求項２９に記載の電気ゾーン装置（４０９、５０９、７０９、８０９）。
31. 前記部分電極が前記電気ゾーン装置の光軸の周りに配置されたセクタとして形作られる、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（１０９、２０９）。
32. 前記部分電極が扇形であり、前記電気ゾーン装置の中心領域の周りに配置され、前記中心領域が少なくとも１つのさらなる中心部分電極（４１９）によって形成される、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（１０９、２０９）。
33. 隣接する部分電極（４１８、４１８′、４１８″、５１８）の間のギャップ（４２１、５２１）に抵抗性材料（５２１′）が設けられる、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（４０９）。
34. 前記電気ゾーン装置の複数の開口の開口（５２２、７２２、８２２、１０２２）が、前記電気ゾーン装置の前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、５１８、６１８、７１８、８１８）の各々の領域内にのみ存在し、前記部分電極間のギャップ（４２１，５２１、６２１，８２１）には存在しない、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（３０９、３０９′、３０９″、４０９）。
35. 異なる静電電位を印加することによって前記電気ゾーン装置の前記部分電極（５１８、８１８）を制御するために、前記電気ゾーン装置内にＣＭＯＳ層（５２５、８２５）が設けられる、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（５０９、８０９）。
36. 前記部分電極（４１８、４１８′、４１８″、５１８、７１８、８１８）が、前記部分電極に異なる静電電位を印加するように適応された直接配線を介して制御される、請求項２７に記載の電気ゾーン装置（４０９、５０９、７０９、８０９）。
37. 前記電気ゾーン装置の後続する構造を保護するために被覆層が設けられる、請求項２７に記載の電気ゾーン装置。
38. 前記被覆層が導電性材料で作られる、請求項３７に記載の電気ゾーン装置。
39. エネルギ荷電粒子のビームによってターゲット（１４３３、１５３３、１６３３、１７３３）を照射するためのマルチビームリソグラフィのための装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）であって、
    ‐エネルギ荷電粒子の前記ビームから複数の実質的にテレセントリック／平行なビームレットを発生するための、請求項１に記載のマルチビーム源（１５０１、１７０１）と、
    ‐前記ビームレットを前記ターゲットの表面上に集束させるために、前記ビームの方向に見て、前記マルチビーム源の後に配置されたマルチビーム光学システム（１６３７、１７３７）と、を含む装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）。
40. 選択されたビームレットの通路をオフにするための少なくとも１つのブランキング手段が設けられ、前記ブランキング手段が複数の開口を有し、各開口が請求項１に記載のマルチビーム源のビーム分割手段のそれぞれのアパーチャに対応し、前記開口を通して放射される粒子をそれらの経路から前記マルチビームリソグラフィ装置内の吸収面に偏向させるための制御可能な偏向手段が各開口に設けられ、前記ブランキング手段が、前記粒子ビームの方向に見て前記マルチビーム光学システムの前に配置され、かつ／または前記マルチビーム光学システムに統合される、請求項３９に記載の装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）。
41. 請求項２１に記載のブランキング装置を備えたマルチビーム源（１５０１、１７０１）を使用する、請求項３９に記載の装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）。
42. 各ビームレットに対し偏向ユニット（１６３９，１７３９、１６４０、１７４０）が設けられ、前記偏向ユニットが前記ビームの方向に見て前記マルチビーム光学システム内またはその前に配置され、前記偏向ユニットがそのそれぞれのビームレットの個別の結像収差を前記ターゲット上の所望の位置に対して補正するように、かつ／または前記ターゲット上の描画プロセス中にそれぞれのビームレットを配置するように、適応される前記ターゲットの描画プロセス中にそのそれぞれのビームレットを配置するように、
    請求項３９に記載の装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）。
43. 前記マルチビーム光学システム内に静電レンズアレイ（１６３９、１７３９）が配置される、請求項３９に記載の装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）。
44. 各ビームレットに対し、前記ビームレットの直径および／または前記ターゲット上の前記ビームレットの位置を調整するための手段として、静電レンズ配列（１６３９、１７３９）が設けられる、請求項３９に記載の装置（１４３１、１５３１、１６３１、１７３１）。

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