DE60233994D1 - Ladungsträgerteilchenstrahl-Belichtungsgerät und dessen Anwendungverfahren zur Herstellung von Vorrichtungen - Google Patents

Ladungsträgerteilchenstrahl-Belichtungsgerät und dessen Anwendungverfahren zur Herstellung von Vorrichtungen

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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3996267B2 (ja) * 1998-05-12 2007-10-24 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置
JP2001284230A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2001283756A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4947841B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP4947842B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP4585661B2 (ja) 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
US6768125B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
US6953938B2 (en) * 2002-10-03 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus
US7098468B2 (en) * 2002-11-07 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Raster frame beam system for electron beam lithography
EP2293316B1 (de) * 2003-02-14 2012-04-04 Mapper Lithography IP B.V. Vorratskathode
JP4421836B2 (ja) * 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
CN100543920C (zh) * 2003-05-28 2009-09-23 迈普尔平版印刷Ip有限公司 带电粒子小射束曝光系统
JP4738723B2 (ja) * 2003-08-06 2011-08-03 キヤノン株式会社 マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法
EP1668662B1 (de) * 2003-09-05 2012-10-31 Carl Zeiss SMT GmbH Optische partikelsysteme und anordnungen und optische partikelkomponenten für solche systeme und anordnungen
JP4313145B2 (ja) 2003-10-07 2009-08-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
DE10351059B4 (de) 2003-10-31 2007-03-01 Roth & Rau Ag Verfahren und Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberflächen
GB2414111B (en) * 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
JP4477436B2 (ja) * 2004-06-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP4634076B2 (ja) * 2004-06-30 2011-02-16 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
DE102004052995A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-11 Leica Microsystems Lithography Gmbh Vorrichtung zur Strukturierung eines Partikelstrahls
JP4657740B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
WO2006084298A1 (en) * 2005-02-11 2006-08-17 Ims Nanofabrication Ag Charged-particle exposure apparatus with electrostatic zone plate
JP4171479B2 (ja) 2005-06-28 2008-10-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置及び荷電粒子線応用方法
EP1941528B9 (de) * 2005-09-06 2011-09-28 Carl Zeiss SMT GmbH Teilchenoptische Anordnung mit teilchenoptischer Komponente
EP2050118A1 (de) * 2006-07-25 2009-04-22 Mapper Lithography IP B.V. Optisches system mit mehreren strahlengeladenen teilchen
US8134135B2 (en) * 2006-07-25 2012-03-13 Mapper Lithography Ip B.V. Multiple beam charged particle optical system
EP2019415B1 (de) * 2007-07-24 2016-05-11 IMS Nanofabrication AG Mehrfachstrahlquelle
JP5619629B2 (ja) * 2008-02-26 2014-11-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. 投影レンズ構成体
JP5486163B2 (ja) * 2008-03-19 2014-05-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画システム及び描画装置のパラメータ監視方法
JP5587299B2 (ja) * 2008-05-23 2014-09-10 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. 結像システム
JP5634052B2 (ja) 2009-01-09 2014-12-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
KR101714005B1 (ko) 2010-07-13 2017-03-09 삼성전자 주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 노광 장치
JP5463429B2 (ja) * 2013-05-08 2014-04-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子描画システム及び荷電粒子描画装置のパラメータ監視方法
CN106463347B (zh) * 2014-06-13 2020-09-15 英特尔公司 即时电子束对准
JP6553973B2 (ja) * 2014-09-01 2019-07-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
DE102015202172B4 (de) 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
JP6703092B2 (ja) 2015-07-22 2020-06-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 複数荷電粒子ビームの装置
US11302511B2 (en) * 2016-02-04 2022-04-12 Kla Corporation Field curvature correction for multi-beam inspection systems
US10418324B2 (en) 2016-10-27 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
EP3559752A4 (de) * 2016-12-23 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. Herstellung von einzigartigen chips mit einem lithografiesystem mit mehreren ladungsträgerteilstrahlen
US11062874B2 (en) * 2016-12-30 2021-07-13 Asml Netherlands B.V. Apparatus using multiple charged particle beams
TWI742223B (zh) * 2017-01-14 2021-10-11 美商克萊譚克公司 電子束系統及方法,以及掃描電子顯微鏡
US10242839B2 (en) * 2017-05-05 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation Reduced Coulomb interactions in a multi-beam column
US10347460B2 (en) * 2017-03-01 2019-07-09 Dongfang Jingyuan Electron Limited Patterned substrate imaging using multiple electron beams
US10176965B1 (en) * 2017-07-05 2019-01-08 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Aberration-corrected multibeam source, charged particle beam device and method of imaging or illuminating a specimen with an array of primary charged particle beamlets
JP7286630B2 (ja) * 2017-10-02 2023-06-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 荷電粒子ビームを用いた装置
JP6977528B2 (ja) 2017-12-14 2021-12-08 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム用アパーチャセット
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
WO2019166331A2 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
KR102596926B1 (ko) * 2018-12-31 2023-11-01 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 다중 빔 검사 장치
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
JP6954943B2 (ja) * 2019-03-15 2021-10-27 日本電子株式会社 荷電粒子線装置
DE102019005362A1 (de) 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
CA3163655A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Marco Jan-Jaco Wieland Charged particle assessment tool, inspection method
JP7409946B2 (ja) * 2020-04-13 2024-01-09 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置
WO2024156469A1 (en) 2023-01-25 2024-08-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam particle microscope with improved multi-beam generator for field curvature correction and multi-beam generator
DE102023101774A1 (de) 2023-01-25 2024-07-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Auslegen eines Vielstrahl-Teilchenstrahlsystems mit monolithischen Bahnverlaufskorrekturplatten, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE421832B (sv) 1979-04-18 1982-02-01 Pharos Ab Anordning for att registrera topografin hos den chargerade massan i en masugn
JPH01295419A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光方法及びその装置
US5830612A (en) * 1996-01-24 1998-11-03 Fujitsu Limited Method of detecting a deficiency in a charged-particle-beam exposure mask
US5834783A (en) * 1996-03-04 1998-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JP3647128B2 (ja) * 1996-03-04 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置とその露光方法
JPH09320960A (ja) * 1996-03-25 1997-12-12 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置
JP3927620B2 (ja) 1996-06-12 2007-06-13 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US5929454A (en) 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
JP3796317B2 (ja) 1996-06-12 2006-07-12 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3728015B2 (ja) 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
US5981954A (en) 1997-01-16 1999-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
JP3689516B2 (ja) 1997-01-29 2005-08-31 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
JPH10214779A (ja) 1997-01-31 1998-08-11 Canon Inc 電子ビーム露光方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
US6107636A (en) 1997-02-07 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and its control method
US6104035A (en) 1997-06-02 2000-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Electron-beam exposure apparatus and method
JPH10335223A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JP3787417B2 (ja) 1997-06-11 2006-06-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JPH11195590A (ja) * 1998-01-05 1999-07-21 Canon Inc マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
US6157039A (en) * 1998-05-07 2000-12-05 Etec Systems, Inc. Charged particle beam illumination of blanking aperture array
JP2000049071A (ja) 1998-07-28 2000-02-18 Canon Inc 電子ビーム露光装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
JP2000093825A (ja) 1998-09-21 2000-04-04 Oomiya Seisakusho:Kk 籾殻粉砕機
JP2000251827A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Nikon Corp 照明光学系
JP3859404B2 (ja) * 1999-09-27 2006-12-20 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置およびパターン描画方法並びに記録媒体
US6566664B2 (en) * 2000-03-17 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020082769A (ko) 2002-10-31
US6903353B2 (en) 2005-06-07
JP4647820B2 (ja) 2011-03-09
EP1253619B1 (de) 2009-10-14
EP1253619A3 (de) 2007-11-14
EP1253619A2 (de) 2002-10-30
JP2002319532A (ja) 2002-10-31
US20020160311A1 (en) 2002-10-31
TW559883B (en) 2003-11-01
KR100495651B1 (ko) 2005-06-16

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