JP7169452B2 - マルチビーム検査装置 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１８年１２月３１日出願の米国出願第６２／７８７，１５７号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本明細書に提供された実施形態は、一般に、マルチビーム検査装置に関し、より具体的には、改良されたソース変換ユニットを含むマルチビーム検査装置に関する。
[0003] 半導体集積回路（ＩＣ）チップを製造するとき、製造プロセス中に、パターン欠陥又は招かれざる粒子（残余物）が必然的にウェーハ又はマスク上に現れ、それによって歩留まりが減少する。例えば、招かれざる粒子は、ますます高度になるＩＣチップの性能要件を満たすように選定されたより小さなクリティカルフィーチャディメンションを伴うパターンにとって、厄介なものであり得る。
[0004] 荷電粒子ビームを用いるパターン検査ツールを使用して、欠陥又は招かれざる粒子が検出された。これらのツールは、典型的には走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を採用する。ＳＥＭにおいて、相対的に高いエネルギーを有する一次電子のビームは、相対的に低い着地エネルギーでサンプル上に着地するために減速され、サンプル上にプローブスポットを形成するために合焦される。この一次電子の合焦プローブスポットに起因して、表面から二次電子が生成される。二次電子は、サンプルとの一次電子の相互作用から生じる、後方散乱電子、二次電子、又はオージェ電子を含む。サンプル表面全体にわたるプローブスポットのスキャン及び二次電子の収集によって、パターン検査ツールはサンプル表面のイメージを取得することができる。
[0005] 本明細書において提供される実施形態は、粒子ビーム検査装置を開示し、より具体的には、複数の荷電粒子ビームを使用する検査装置を開示する。
[0006] いくつかの実施形態において、検査装置内のマイクロ構造偏向器アレイは複数の多極構造を含み、各多極構造は複数のポール電極を備える。マイクロ偏向器アレイは、アレイの中心軸からの第１の半径シフトを有する複数の多極構造のうちの第１の多極構造、及び、アレイの中心軸からの第２の半径シフトを有する複数の多極構造のうちの第２の多極構造を含む。第１の半径シフトは第２の半径シフトより大きい。更に、第１の多極構造は、複数の多極構造が複数の荷電粒子ビームを偏向させるときの偏向収差を減少させるために、第２の多極構造よりも多くの数のポール電極を備える。
[0007] いくつかの実施形態において、マイクロ構造偏向器アレイは、多極構造の１つ以上の層を含むことができる。複数の多極構造の第１の層は、アレイの中心軸からの第１の半径シフトを有する第１の多極構造、及び、アレイの中心軸からの第２の半径シフトを有する第２の多極構造を備える。第２の半径シフトは、第２の半径シフトより大きい。更に、第１の多極構造は、対応する荷電粒子ビームの偏向収差を減少させるために、第２の多極構造よりも多くの数のポール電極を備える。マイクロ構造偏向器アレイは、アレイの中心軸からの第３の半径シフトを有する第３の多極構造を備える、複数の多極構造のうちの多極構造の第２の層も含む。
[0008] いくつかの実施形態において、マイクロ構造偏向器アレイを製造する方法が提供される。マイクロ構造偏向器アレイは複数の多極構造を含み、各多極構造は複数のポール電極を備える。方法は、アレイの中心軸からの第１の半径シフトを有するように第１の多極構造を形成することを含む。方法は、アレイの中心軸からの第２の半径シフトを有するように第２の多極構造を形成することを更に含み、第１の半径シフトは第２の半径シフトより大きく、第１の多極構造は第２の多極構造とは異なる数のポール電極を有する。
[0009] 本発明の他の利点は、本発明の特定の実施形態が例示及び例として記載される、添付の図面に関した下記の説明から明らかとなろう。
[0010] 本開示の上記及び他の態様は、添付の図面に関した例示の実施形態の説明から明らかとなろう。
[0011]本開示の実施形態に一致する、例示の荷電粒子ビーム検査システムを示す概略図である。 [0012]本開示の実施形態に一致する、図１の例示の荷電粒子ビーム検査システムの一部である、例示のマルチビーム装置を示す概略図である。 [0013]本開示の実施形態に一致する、図１の例示の荷電粒子ビーム検査システムのソース変換ユニットの例示の構成を示す、例示のマルチビーム装置を示す概略図である。 [0014]図３Ａの例示のソース変換ユニットの一部である、３×３構造を伴う例示の多極構造アレイを示す概略図である。 [0015]多極構造内の半径及び接線の静電場の分布を示す図である。 [0016]例示の多極構造を示す概略図である。 [0016]例示の多極構造を示す概略図である。 [0016]例示の多極構造を示す概略図である。 [0016]例示の多極構造を示す概略図である。 [0016]例示の多極構造を示す概略図である。 [0017]本開示の実施形態に一致する、例示の多極構造アレイを示す概略図である。 [0018]本開示の実施形態に一致する、図６Ａの例示の多極構造アレイの多極構造のグループ化を示す概略図である。 [0019]本開示の実施形態に一致する、図６Ｂに示されるグループのサブグループ化を示す概略図である。 [0020]本開示の実施形態に一致する、多層を伴う例示の多極構造アレイを示す概略図である。 [0021]本開示の実施形態に一致する、図７Ａの多極構造アレイの例示の層を示す概略図である。 [0022]本開示の実施形態に一致する、多層を伴う例示の多極構造アレイを示す概略図である。 [0022]本開示の実施形態に一致する、多層を伴う例示の多極構造アレイを示す概略図である。 [0023]本開示の実施形態に一致する、図８Ａの多極構造アレイの例示の層を示す概略図である。 [0023]本開示の実施形態に一致する、図８Ａの多極構造アレイの例示の層を示す概略図である。 [0023]本開示の実施形態に一致する、図８Ａの多極構造アレイの例示の層を示す概略図である。 [0024]本開示の実施形態に一致する、多極構造アレイの例示の構成を製造する例示の方法を示すフローチャートである。
[0025] 次に、例示的実施形態について詳細に言及し、その例が添付の図面に示されている。下記の説明は添付の図面に言及するものであり、異なる図面内の同じ番号は、特に提示されていない限り同じか又は同様の要素を表す。例示的実施形態の下記の説明に示される実施例は、本発明に一致するすべての実施例を表すものではない。むしろ、添付の特許請求の範囲に記載される本発明に関する態様に一致する装置及び方法の単なる例である。
[0026] デバイスの物理サイズが減少する一方で、ＩＣチップ上のトランジスタ、キャパシタ、ダイオードなどの回路コンポーネントのパッキング密度を大幅に増加させることによって、電子デバイスの計算能力の強化を達成することができる。例えば、サムネイルサイズのスマートフォンのＩＣチップは、２０億個を超えるトランジスタを含むことができ、各トランジスタのサイズは人毛の１／１０００未満である。したがって、半導体ＩＣの製造は、個別の数百のステップを伴う複雑で時間のかかるプロセスであるのも当然のことである。たとえ１つのステップにおけるエラーであっても、最終製品の機能に劇的な影響を与える可能性がある。たとえ１つの「キラー欠陥」であっても、デバイス障害を引き起こす可能性がある。製造プロセスの目標は、プロセス全体の歩留まりを向上させることである。例えば、５０ステップのプロセスが７５％の歩留まりに達するためには、各個別のステップは９９．４％より高い歩留まりを有さなければならず、個別のステップの歩留まりが９５％の場合、プロセス全体の歩留まりは７％まで下落する。
[0027] ＩＣチップ製造施設において高いプロセス歩留まりが望ましい場合、１時間に処理されるウェーハの数として定義される高いウェーハスループットも不可欠である。欠陥を再調査するために特にオペレータの介入が不可欠である場合、高いプロセス歩留まり及び高いウェーハスループットは欠陥の存在によって影響を受ける可能性がある。したがって、高歩留まり及び低コストを維持するためには、（ＳＥＭ）などの検査ツールによる、高スループット検出並びにミクロ及びナノサイズの欠陥の識別が不可欠である。
[0028] ＳＥＭは、一次電子の合焦ビームを用いてサンプルの表面をスキャンする。一次電子はサンプルと相互作用し、二次電子を生成する。合焦ビームを用いてサンプルをスキャンすること、及びディテクタを用いて二次電子をキャプチャすることによって、ＳＥＭはサンプルのスキャンエリアのイメージを作成する。高スループット検査の場合、いくつかの検査システムは一次電子の複数の合焦ビームを使用する。複数の合焦ビームはウェーハの異なる部分を同時にスキャンすることができるため、マルチビーム検査システムは単一ビーム検査システムよりもはるかに高速でウェーハを検査することができる。
[0029] しかしながら、従来のマルチビーム検査システムにおいて、合焦ビームの数が増加することは、より多くのオフアクシスの（システムの一次光軸上にない）合焦ビームが採用されることを意味する。オフアクシス合焦ビームは、一次光軸からのその半径シフトと共に増加する収差を有し、したがって検査のために生成されるイメージの質を劣化させる。この収差の増加は、場合によっては、ウェーハの表面をスキャンするためにいくつかの電子ビームの方向を実質的に変更することが必要な結果である。電子ビームの数が増加するとき、いくつかの電子ビームはスキャニングデバイスの中心軸から離れてルーティングする必要がある。すべての電子ビームがウェーハの表面に直角に到達することを保証するために、これらの中心から外れた電子ビームは中心軸周辺の他の電子ビームよりも多く操作される。このより高水準の操作は、不鮮明で焦点の外れたサンプルウェーハのイメージを生じさせる可能性がある。本開示の一態様は、イメージ品質の劣化を最小限にするためにオフアクシス合焦ビームの収差を減少させるシステム及び方法に関する。これは、本質的に小収差のソース変換ユニットを使用することによって達成可能である。
[0030] 図面内のコンポーネントの相対寸法は、図が見やすいように誇張されている場合がある。下記の図面の説明では、同じか又は同様の参照番号は同じか又は同様のコンポーネント又はエンティティを指し、個々の実施形態に関する相違のみを説明する。本明細書で使用する際、具体的に明記されていない限り、「又は」という用語は、実行不可能な場合を除きすべての可能な組み合わせを包含する。例えば、データベースがＡ又はＢを含むことができると記載されている場合、具体的に明記されていないか又は実行不可能でない限り、データベースは、Ａ、又はＢ、又はＡ及びＢを含むことができる。第２の例として、データベースがＡ、Ｂ、又はＣを含むことができると記載されている場合、具体的に明記されていないか又は実行不可能でない限り、データベースは、Ａ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含むことができる。
[0031] 次に図１を参照すると、本開示の実施形態に一致する、例示の荷電粒子ビーム検査システム１００を示す概略図である。図１に示されるように、荷電粒子ビーム検査システム１００は、メインチャンバ１０、ロードロックチャンバ２０、電子ビームツール４０、及び機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）３０を含む。電子ビームツール４０は、メインチャンバ１０内に位置する。説明及び図面は電子ビームを対象としているが、実施形態は、本開示を特定の荷電粒子に限定するために使用されるものではないことを理解されよう。
[0032] ＥＦＥＭ３０は、第１のローディングポート３０ａ及び第２のローディングポート３０ｂを含む。ＥＦＥＭ３０は、追加のローディングポートを含んでもよい。第１のローディングポート３０ａ及び第２のローディングポート３０ｂは、例えば、ウェーハ（例えば、半導体ウェーハ又は他の材料で作られたウェーハ）又は検査すべきサンプル（以下、ウェーハ及びサンプルは集合的に「ウェーハ」と呼ぶ）を含む、ウェーハフロントオープニング統合ポッド（ＦＯＵＰ）を受け取ることができる。ＥＦＥＭ３０内の１つ以上のロボットアーム（図示せず）は、ウェーハをロードロックチャンバ２０へと移送する。
[0033] ロードロックチャンバ２０は、大気圧より低い第１の圧力に達するようにロードロックチャンバ２０内の気体分子を除去する、ロードロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続可能である。第１の圧力に達した後、１つ以上のロボットアーム（図示せず）がウェーハをロードロックチャンバ２０からメインチャンバ１０へと移送する。メインチャンバ１０は、第１の圧力より低い第２の圧力に達するようにメインチャンバ１０内の気体分子を除去する、メインチャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続される。第２の圧力に達した後、ウェーハは電子ビームツール４０による検査を受ける。いくつかの実施形態において、電子ビームツール４０は単一ビーム検査ツールを備えることができる。他の実施形態において、電子ビームツール４０はマルチビーム検査ツールを備えることができる。
[0034] コントローラ５０は、電子ビームツール４０に電子的に接続される。コントローラ５０は、荷電粒子ビーム検査システム１００の様々な制御を実行するように構成されたコンピュータとすることができる。コントローラ５０は、様々な信号及びイメージ処理機能を実行するように構成された処理回路要素を含むこともできる。コントローラ５０は、図１において、メインチャンバ１０、ロードロックチャンバ２０、及びＥＦＥＭ３０を含む構造の外側にあるものとして示されているが、コントローラ５０は構造の一部であり得ることを理解されよう。本開示は電子ビーム検査ツールを収容するメインチャンバ１０の例を提供しているが、本開示の態様は、最も広義には、電子ビーム検査ツールを収容するチャンバに限定されないことに留意されたい。むしろ、前述の原理は、第２の圧力下で動作する他のツールにも適用可能であることを理解されよう。
[0035] 次に図２を参照すると、本開示の実施形態に一致する、図１の例示の荷電粒子ビーム検査システム１００の一部であるマルチビーム検査ツールを含む、例示の電子ビームツール４０を示す概略図である。マルチビーム電子ビームツール４０（本明細書では、装置４０とも呼ぶ）は、電子源２０１、ガンアパーチャプレート２７１、集光レンズ２１０、ソース変換ユニット２２０、一次投影システム２３０、電動式ステージ２０９、及び、検査すべきサンプル２０８（例えば、ウェーハ又はフォトマスク）を保持するために電動式ステージ２０９によって支持されるサンプルホルダ２０７を備える。マルチビーム電子ビームツール４０は、二次投影システム２５０及び電子検出デバイス２４０を更に備えることができる。一次投影システム２３０は対物レンズ２３１を備えることができる。電子検出デバイス２４０は、複数の検出要素２４１、２４２、及び２４３を備えることができる。ビームセパレータ２３３及び偏向スキャンユニット２３２は、一次投影システム２３０の内部に位置決めすることができる。
[0036] 電子源２０１、ガンアパーチャプレート２７１、集光レンズ２１０、ソース変換ユニット２２０、ビームセパレータ２３３、偏向スキャンユニット２３２、及び一次投影システム２３０は、装置４０の一次光軸２０４と位置合わせすることができる。二次投影システム２５０及び電子検出デバイス２４０は、装置４０の二次光軸２５１と位置合わせすることができる。
[0037] 電子源２０１は、カソード（図示せず）及び抽出器又はアノード（図示せず）を備えることができ、動作中、電子源２０１は一次電子をカソードから放出するように構成され、一次電子は、一次電子ビーム２０２を形成するために抽出機及び／又はアノードによって抽出又は加速され、一次ビームクロスオーバー（仮想又は現実）２０３を形成する。一次電子ビーム２０２は、一次ビームクロスオーバー２０３から放出されるように視覚化することができる。
[0038] ソース変換ユニット２２０は、イメージ形成要素アレイ（例えば、図３Ａのイメージ形成要素アレイ３２２）、収差補償器アレイ（例えば、図３Ａの収差補償器アレイ３２４）、ビーム制限アパーチャアレイ（例えば、図３Ａのビーム制限アパーチャアレイ３２１）、及び事前屈曲マイクロ偏向器アレイ（例えば、図３Ａの事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３）を備えることができる。いくつかの実施形態において、事前屈曲マイクロ偏向器アレイは、ビーム制限アパーチャアレイ、イメージ形成要素アレイ、及び収差補償器アレイに垂直に入るように、一次電子ビーム２０２の複数の一次ビームレット２１１、２１２、２１３を偏向させる。いくつかの実施形態において、集光レンズ２１０は、一次電子ビーム２０２を合焦させ、平行ビームになり、ソース変換ユニット２２０上に法線入射するように、設計される。イメージ形成要素アレイは、一次電子ビーム２０２の複数の一次ビームレット２１１、２１２、２１３に影響を与えるため、及び、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の各々について１つの、一次ビームクロスオーバー２０３の複数の並列イメージ（仮想又は現実）を形成するための、複数のマイクロ偏向器又はマイクロレンズを備えることができる。いくつかの実施形態において、収差補償器アレイは、フィールド曲率補償器アレイ（図示せず）及び非点収差補償器アレイ（図示せず）を備えることができる。フィールド曲率補償器アレイは、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３のフィールド曲率収差を補償するための、複数のマイクロレンズを備えることができる。非点収差補償器アレイは、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の非点収差を補償するための、複数のマイクロスティグメータを備えることができる。ビーム制限アパーチャアレイは、個々の一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の直径を制限するように構成可能である。図２は、一例として３つの一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３を示しており、ソース変換ユニット２２０は任意数の一次ビームレットを形成するように構成可能であることを理解されよう。コントローラ５０は、ソース変換ユニット２２０、電子検出デバイス２４０、一次投影システム２３０、又は電動式ステージ２０９などの、図１の荷電粒子ビーム検査システム１００の様々な部分に接続可能である。いくつかの実施形態において、下記でより詳細に説明するように、コントローラ５０は様々なイメージ及び信号処理機能を実行することができる。コントローラ５０は、荷電粒子ビーム検査システムの動作を管理するために、様々な制御信号を生成することもできる。
[0039] 集光レンズ２１０は、一次電子ビーム２０２を合焦するように構成される。集光レンズ２１０は、集光レンズ２１０の合焦力を変動させることによって、ソース変換ユニット２２０の下流にある一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の電流を調節するように更に構成可能である。代替として、電流は、個々の一次ビームレットに対応するビーム制限アパーチャアレイ内のビーム制限アパーチャの半径サイズを変更することによって、変化させることができる。電流は、ビーム制限アパーチャの半径サイズ及び集光レンズ２１０の合焦力の両方を変更することによって、変化させることができる。集光レンズ２１０は、その第１の原理面の位置が移動可能であるように構成可能な、可動集光レンズとすることができる。可動集光レンズは磁性を持つように構成可能であり、結果として、オフアクシスビームレット２１２及び２１３は回転角でソース変換ユニット２２０を照明することができる。回転角は、可動集光レンズの合焦力又は第１の主平面の位置と共に変化する。集光レンズ２１０は、集光レンズ２１０の合焦力が変化する一方で回転角は変化せずに維持するように構成可能な、回転防止集光レンズとすることができる。いくつかの実施形態において、集光レンズ２１０は可動回転防止集光レンズであり得、その第１の主平面の位置及びその合焦力が変動するときに、回転角は変化しない。
[0040] 対物レンズ２３１は、検査のためにビームレット２１１、２１２、及び２１３をサンプル２０８上に合焦させるように構成可能であり、現行の実施形態において、サンプル２０８の表面上に３つのプローブスポット２２１、２２２、及び２２３を形成することができる。ガンアパーチャプレート２７１は、動作時に、クーロン効果を低減させるために一次電子ビーム２０２の最外殻電子を遮断するように構成される。クーロン効果は、一次ビームレット２１１、２１２、２１３のプローブスポット２２１、２２２、及び２２３の各々のサイズを拡大し、したがって検査結果を損なう可能性がある。
[0041] ビームセパレータ２３３は、例えば、静電双極子場及び磁気双極子場（図２には図示せず）を生成する静電偏向器を備える、ウィーンフィルタとすることができる。動作時、ビームセパレータ２３３は、静電双極子場によって、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の個々の電子に静電力を及ぼすように構成可能である。静電力は、ビームセパレータ２３３の磁気双極子場によって個々の電子に及ぼされる磁力と、大きさは等しいが、方向は反対である。したがって一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３は、少なくとも実質的にゼロ偏向角で、少なくとも実質的に一直線に、ビームセパレータ２３３を通過することができる。
[0042] 偏向スキャンユニット２３２は、動作時に、サンプル２０８の表面のあるセクション内の個々のスキャン域にわたって、プローブスポット２２１、２２２、及び２２３をスキャンするために、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３を偏向させるように構成される。一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３又はサンプル２０８上のプローブスポット２２１、２２２、及び２２３の発生に応答して、電子がサンプル２０８から出現し、３つの二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を生成する。二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３の各々は、典型的には二次電子（≦５０ｅＶの電子エネルギーを有する）及び後方散乱電子（５０ｅＶと、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の着地エネルギーとの間の電子エネルギーを有する）を備える。ビームセパレータ２３３は、二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を二次投影システム２５０に向かって偏向させるように構成される。その後、二次投影システム２５０は、二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を電子検出デバイス２４０の検出要素２４１、２４２、及び２４３上に合焦させる。検出要素２４１、２４２、及び２４３は、対応する二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を検出するように、及び、例えば、サンプル２０８の対応するスキャン域のイメージを構築するためにコントローラ５０又は信号処理システム（図示せず）に送信される対応する信号を生成するように、配置される。
[0043] いくつかの実施形態において、検出要素２４１、２４２、及び２４３は、対応する二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３をそれぞれ検出し、イメージ処理システム（例えば、コントローラ５０）への対応する強度信号出力（図示せず）を生成する。いくつかの実施形態において、各検出要素２４１、２４２、及び２４３は、１つ以上のピクセルを含むことができる。検出要素の強度信号出力は、検出要素内のすべてのピクセルによって生成される信号の和であり得る。
[0044] いくつかの実施形態において、コントローラ５０は、イメージ獲得器（図示せず）、ストレージ（図示せず）を含む、イメージ処理システムを備えることができる。イメージ獲得器は１つ以上のプロセッサを備えることができる。例えばイメージ獲得器は、コンピュータ、サーバ、メインフレームホスト、端末、パーソナルコンピュータ、任意の種類のモバイルコンピューティングデバイスなど、又はそれらの組み合わせを備えることができる。イメージ獲得器は、とりわけ、導電体、光ファイバケーブル、ポータブルストレージ媒体、ＩＲ、ブルートゥース、インターネット、ワイヤレスネットワーク、ワイヤレス無線、又はそれらの組み合わせなどの媒体を介して、装置４０の電子検出デバイス２４０に通信可能に結合可能である。いくつかの実施形態において、イメージ獲得器は電子検出デバイス２４０から信号を受信して、イメージを構築することができる。したがってイメージ獲得器は、サンプル２０８のイメージを獲得することができる。イメージ獲得器は、等高線を生成すること、獲得したイメージ上にインジケータを重畳することなどの、様々な事後処理機能を実行することもできる。イメージ獲得器は、獲得したイメージの輝度及びコントラストの調節を実行するように構成可能である。いくつかの実施形態において、ストレージは、ハードディスク、フラッシュドライブ、クラウドストレージ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、他のタイプのコンピュータ可読メモリなどの、ストレージ媒体とすることができる。ストレージは、イメージ獲得器と結合可能であり、スキャンされたローイメージデータをオリジナルデータ及び事後処理されたイメージとして保存するために使用可能である。
[0045] いくつかの実施形態において、イメージ獲得器は、電子検出デバイス２４０から受信したイメージング信号に基づいて、サンプルの１つ以上のイメージを獲得することができる。イメージング信号は、荷電粒子イメージングを行うためのスキャン動作に対応することができる。獲得したイメージは、複数のイメージング域を含む単一のイメージとすることができる。単一イメージをストレージ内に記憶することができる。単一イメージは、複数の領域に分割可能なオリジナルイメージとすることができる。領域の各々は、サンプル２０８の特徴を含む１つのイメージング域を含むことができる。獲得したイメージは、時系列にわたって複数回サンプリングされたサンプル２０８の単一イメージング域の複数のイメージを含むことができる。複数イメージをストレージ内に記憶することができる。いくつかの実施形態において、コントローラ５０は、サンプル２０８の同じロケーションの複数のイメージを用いてイメージ処理を実行するように構成可能である。
[0046] いくつかの実施形態において、コントローラ５０は、検出された二次電子の分布を取得するための測定回路要素（例えば、アナログデジタル変換器）を含むことができる。検出時間ウィンドウ中に収集された電子分布データは、ウェーハ表面に入射する一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の各々の対応するスキャン経路データと組み合わせて、検査中のウェーハ構造のイメージを再構築するために使用可能である。再構築されたイメージは、サンプル２０８の内部又は外部構造の様々な特徴を明らかにするために使用可能であり、それによって、ウェーハ内に存在し得る任意の欠陥を明らかにするために使用可能である。
[0047] いくつかの実施形態において、コントローラ５０は、サンプル２０８の検査中にサンプル２０８を移動させるように電動式ステージ２０９を制御することができる。いくつかの実施形態において、コントローラ５０は、電動式ステージ２０９がサンプル２０８を一定の速さである方向に連続的に移動できるようにすることができる。他の実施形態において、コントローラ５０は、電動式ステージ２０９が、スキャンプロセスのステップに依存して、サンプル２０８の移動速度を経時的に変更できるようにすることができる。
[0048] 図２は、装置４０が３つの一次電子ビームを使用するように示されているが、装置４０は２つ以上の一次電子ビームが使用可能であることを理解されよう。本開示は、装置４０において使用される一次電子ビームの数を制限するものではない。
[0049] 次に、図３Ａを参照すると、本開示の実施形態に一致する、図１の例示の荷電粒子ビーム検査システムのソース変換ユニットの例示の構成を示す、例示のマルチビーム装置の概略図である。いくつかの実施形態において、装置３００は、電子源３０１、事前ビームレット形成アパーチャアレイ３７２、集光レンズ３１０（図２の集光レンズ２１０と同様）、ソース変換ユニット３２０（図２のソース変換ユニット１２０と同様）、対物レンズ３３１（図２の対物レンズ２３１と同様）、及びサンプル３０８（図２のサンプル２０８と同様）を備えることができる。電子源３０１、事前ビームレット形成アパーチャアレイ３７２、集光レンズ３１０、ソース変換ユニット３２０、及び対物レンズ３３１は、装置の一次光軸３０４と位置合わせされる。電子源３０１は、一次光軸３０４に沿って、ソースクロスオーバー（仮想又は現実）３０１Ｓと共に、一次電子ビーム３０２を生成する。事前ビームレット形成アパーチャアレイ３７２は、クーロン効果を低減させるために、一次電子ビーム３０２の最外殻電子をカットする。一次電子ビーム３０２は、事前ビームレット形成機構の事前ビームレット形成アパーチャアレイ３７２によって、３つのビームレット３１１、３１２、及び３１３にトリミングすることができる。
[0050] いくつかの実施形態において、ソース変換ユニット３２０は、一次電子ビーム３０２のビームレット３１１、３１２、及び３１３を制限するように構成されたビーム制限アパーチャを伴う、ビームレット制限アパーチャアレイ３２１を含むことができる。ソース変換ユニット３２０は、ソースクロスオーバー３０１Ｓの仮想イメージを形成するために、ビームレット３１１、３１２、及び３１３を光軸３０４に向かって偏向させるように構成された、イメージ形成マイクロ偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３を伴うイメージ形成要素アレイ３２２を含むこともできる。仮想イメージは、対物レンズ３３１によってサンプル３０８上に投影され、サンプル３０８上にプローブスポット３９１、３９２、及び３９３を形成する。ソース変換ユニット３２０は、プローブスポット３９１、３９２、及び３９３の収差を補償するように構成された、収差補償器アレイ３２４を更に備えることができる。いくつかの実施形態において、収差補償器アレイ３２４は、プローブスポット３９１、３９２、及び３９３のフィールド曲率収差をそれぞれ補償するように構成されたマイクロレンズを備える、フィールド曲率補償器アレイ（図示せず）を含むことができる。いくつかの実施形態において、収差補償器アレイ３２４は、プローブスポット３９１、３９２、及び３９３の非点収差をそれぞれ補償するように構成されたマイクロスティグメータを備える、非点収差補償器アレイ（図示せず）を含むことができる。
[0051] いくつかの実施形態において、ソース変換ユニット３２０は、ビームレット３１１、３１２、及び３１３をそれぞれビームレット制限アパーチャアレイ３２１上に法線入射するように屈曲させるために、事前屈曲マイクロ偏向器３２３＿１、３２３＿２、及び３２３＿３を伴う事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３を更に備えることができる。いくつかの実施形態において、集光レンズ３１０は、３つのビームレット３１１、３１３、及び３１３を、一次光軸３０４に沿った平行ビームになり、ソース変換ユニット３２０上に垂直に入射するように、合焦させることができる。
[0052] いくつかの実施形態において、イメージ形成要素アレイ３２２、収差補償器アレイ３２４、及び事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３は、マイクロ偏向器、マイクロレンズ、又はマイクロスティグメータの複数の層を備えることができる。
[0053] ソース変換ユニット３２０において、一次電子ビーム３０２のビームレット３１１、３１２、及び３１３は、それぞれ、イメージ形成要素アレイ３２２のマイクロ偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３によって、一次光軸３０４に向けて偏向される。ビームレット３１１はマイクロ偏向器３２２＿１に到達するのに先立って、すでに光軸３０４上にあり得、したがってビームレット３１１はマイクロ偏向器３２２＿１によって偏向されなくてよいことを理解されよう。
[0054] 対物レンズ３３１は、ビームレットをサンプル３０８の表面上に合焦させ、すなわち、３つの仮想イメージをサンプル表面上に投影する。３つのビームレット３１１～３１３によってサンプル表面上に形成される３つのイメージは、サンプル表面上に３つのプローブスポット３９１、３９２、及び３９３を形成する。ビームレット３１１～３１３の偏向角は、対物レンズ３３１に起因する３つのプローブスポット３９１～３９３のオフアクシス収差を低減させるように調節され、したがって３つの偏向されたビームレットは、対物レンズ３３１の前焦点を通過するか又はこれに接近する。
[0055] マイクロ偏向器（例えば、イメージ形成要素アレイ３２２内のマイクロ偏向器）によって偏向されるビームレットの偏向角は、ビームレットの半径シフト（すなわち、光軸３０４から対応するビームレットまでの距離）に対応する。半径シフトが増加するにつれて偏向角は増加する。同じ半径シフトを有するビームレットは、同じか又は実質的に同じ偏向角を有する。例えば、図３Ｂの３×３アレイ構成を伴う例示の多極構造アレイに示されるように、マイクロ偏向器３２２＿２の偏向角と、マイクロ偏向器３２２＿３の偏向角とは、それらの半径シフト３２８及び３２９が同じである場合、等しいものとすることができる。更に、ビームレットの偏向方向は、それらの対応する半径シフト方向に関連する。更にビームレットの収差（例えば、フィールド曲率収差及び非点収差）は、半径シフトが増加するにつれて増加する。同じか又は実質的に同じ半径シフトを有するビームレットの収差、及び非点収差の方向は、それらの半径シフトの方向に関連する。
[0056] 図３Ｂは、合計９つのビームレットを同時に偏向可能な、３×３イメージ形成マイクロ偏向器アレイ構成を示す。ビームレットの数が増加するにつれて、アレイのサイズも同様に増加する。したがって、大きなイメージ形成マイクロ偏向器アレイでは、ビームレットのいくつかは、装置の光軸（例えば、図３Ａの光軸３０４）から更に離れて位置することになり、それに応じてその偏向角が増加する。マイクロ偏向器によって生成される偏向収差は、それらの偏向角と共に増加する。したがって、対応するプローブスポットの不均一性は、ビームレットの数と共に増加する。図３Ｂは一例としてイメージ形成マイクロ偏向器アレイを示しているが、偏向収差とアレイのサイズとの間の同様の関係が他のタイプのマイクロ偏向器アレイにも存在し得ることを理解されよう。
[0057] 次に図４を参照すると、偏向器内の１次電場Ｅ１の半径及び接線の静電場の分布を示す図である。中心軸を備える偏向器内部の空間点（ｒ，θ）における電場Ｅの半径及び接線成分Ｅｒ及びＥθは、それぞれ数式（１）及び（２）として表すことができる。
Figure 0007169452000001
Ｋ次電場Ｅｋの強度及び方向角αｋは、Ｅｋ＝ｋ・ｒｋ－１・ｄｋ及びαｋ＝ｋθである。ｄｋは、中心軸上のＫ次成分であるか、又はＫ次オンアクシス成分と呼ばれる。したがって、図４に示されるＥ１は、Ｅ１＝ｄ１及びαｋ＝θである。１次電場Ｅ１の強度及び方向は、ｒ又はθと共に変化しない。したがって、１次電場（すなわち、Ｅ１場又はｄ１成分）は、電子ビームを偏向させることが望ましく、他の高次のオンアクシス成分（例えば、ｄ２ｎ＋１）は低減されるかあるいは消去される必要がある。偏向角が大きくなるほど、Ｅ１場がより強くなるか、又はｄ１成分が必要になる。
[0058] 多等極偏向器は、中心軸及び偶数のポール電極（例えば、２、４、６、８、１０など）を伴う多極構造偏向器として定義することができる。偏向器の中心軸に対して垂直なセクションにおいて、すべてのポール電極の内部輪郭は半径Ｒを有する円内にあり、セグメント角βを用いて等しくセグメント化される。例えば、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、及び図５Ｅは、それぞれ４、６、８、１０、及び１２のポール電極と、９０°、６０°、４５°、３６°、及び３０°のセグメント角βとを伴う、偏向器を示す。
[0059] 多等極偏向器内の、数Ｐ、分割角β、及びポール電極ｅｍの電位は、ｄ２ｎ＋１をできる限り小さくしながら、ｄ１を生成するように構成可能である。ポール電極ｅｍはＸ軸反時計回りからカウントされる。例えば図５Ａにおいて、電極５１１、５１２、５１３、及び５１４は、それぞれｅ１、ｅ２、ｅ３、及びｅ４である。表１は、Ｘ軸に対して平行なＥ１を生成するために各電極ｅｍに印加可能な相対励起電圧の励起設定を示す。表１に従い、表２は、ポール電極の数に関する電場のオンアクシス成分を示す。表１の相対励起電圧の設定を、表３に示されるように、１つ以上のポール電極を介して回転させることによって、Ｅ１はそれに応じてセグメント角βの１つ以上の倍数だけ回転する。表３において、表１の励起設定は４極偏向器及び６極偏向器はセグメント角の１倍、８極偏向器及び１０極偏向器はセグメント角の２倍、１２極偏向器はセグメント角の３倍、回転される。表１及び表３の励起設定を組み合わせて、表４に示されるように、表１のベース電圧Ｖ１及び表３のベース電圧Ｖ２を調節することで、任意の方向及び任意の強度のＥ１を生成することが可能であり、ポール電極の数に関した電場のオンアクシス成分は表２と同じである。更に、表２に示されるように、より多数のポール電極を伴う偏向器を使用することによって、電場の高次成分のいくつかを消去することができる。
Figure 0007169452000002
Figure 0007169452000003
Figure 0007169452000004
Figure 0007169452000005
[0060] 例えば、表２に示されるように、４等極偏向器はすべて高次の成分ｄ２ｎ＋１を有する。これに対して、６等極偏向器は高次成分のいくつかを有さない（例えば、ｄ３、ｄ９、及びｄ１５）。１２等極偏向器の場合、多くの高次成分がなくなる（例えば、ｄ３、ｄ５、ｄ７、ｄ９、ｄ１５、及びｄ１７）。一般に、高次成分は、偏向器の極数に応じてある期間ゼロになる。例えば、ゼロ成分の次数ｋは、下記の数式（３）に示されるように極数（Ｐ＝４＋２ｐ）に依存する。
Ｋ＝１＋２ｉ＋ｎ（４＋２ｐ）・・・（３）
上式でｐ、ｎ、及びｉは整数であり、ｉ＝１、２、・・・ｐであり、ｎ＝０、１、２、・・・∞である。いくつかの実施形態において、装置の光軸（例えば、図３Ａの光軸３０４）から更に離れたマイクロ偏向器は、より多くの高次のオンアクシス成分を減少させるために、光軸に近いマイクロ偏向器よりも多数のポール電極を有するように構成可能である。
[0061] 非ゼロ成分ｄｋの場合、対応する電場Ｅｋ（ｒ，θ）は、偏向器の半径位置ｒ及び内径Ｒ並びに第１の成分ｄ１の比率のｋ－１乗数で共に変化する。したがって、Ｅｋは、比率を減少させることによって減少させることができる。いくつかの実施形態において、装置の光軸（例えば、図３Ａの光軸３０４）から更に離れたマイクロ偏向器は、非ゼロの電場Ｅｋを減少させるために、軸に近いマイクロ偏向器よりも大きな内径を有するように構成可能である。
[0062] 次に図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃを参照すると、本開示の実施形態に一致する、例示の多極構造アレイ６２２を示す概略図である。多極構造アレイ６２２は、ソース変換ユニット（図３Ａのソース変換ユニット３２０など）の一部とすることができる。特に、多極構造アレイ６２２は、イメージ形成要素アレイ（図３Ａのイメージ形成要素アレイ３２２など）、又は事前屈曲マイクロ偏向器アレイ（図３Ａの事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３など）とすることができる。いくつかの実施形態において、多極構造アレイ６２２は、複数のマイクロ偏向器６２２＿１～６２２＿４９を備えることができる。この７×７アレイ構成では、サンプル表面上にプローブスポットを形成するために４９の荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）を同時に偏向させることができる。いくつかの実施形態において、アレイの中央に位置するマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器６２２＿１）の中心軸は、検査装置の光軸６０４（図３Ａの光軸３０４など）と位置合わせすることができる。図６Ａ、図６Ｂ、及び図６Ｃは７×７構成を伴う多極構造アレイの位置実施形態を示しているが、アレイは任意のサイズであってよいことを理解されよう。
[0063] ４９のマイクロ偏向器６２２＿１～６２２＿４９のうちのいくつかはアレイ構造の外側部分に位置し、他よりも光軸６０４から更に離れ、それによってより大きな半径シフトを有する。例えば、４つの角のマイクロ偏向器（すなわち、マイクロ偏向器６２２＿２９、６２２＿３５、６２２＿４１、及び６２２＿４７）は光軸６０４から最も遠くに位置し、最も大きな偏向角を生成しなければならない可能性がある。更に、マイクロ偏向器６２２＿１からマイクロ偏向器６２２＿２６へとＸ軸に沿って右へ移動するとき、対応する半径シフト（光軸６０４からの距離）は増加する。
[0064] これらの外側マイクロ偏向器によって生成される電場の高次成分を減少させるため、及びしたがって、結果として生じる偏向収差及び対応するプローブスポットの不均一性を減少させるために、より多数のポール電極を伴うマイクロ偏向器を使用して、対応するビームを偏向させることができる。加えて、より大きな半径シフトを伴うマイクロ偏向器の内径Ｒは、より小さな半径シフトを伴うマイクロ偏向器の内径Ｒよりも大きい。したがって、図６Ａに示されるようにＸ軸に沿って移動するマイクロ偏向器６２２＿１は、６極を備えることができ、マイクロ偏向器６２２＿２は８極を備えることができ、マイクロ偏向器６２２＿１０は１０極を備えることができ、またマイクロ偏向器６２２＿２６は１２極を備えることができる。いくつかの実施形態において、マイクロ偏向器６２２＿２の内径Ｒはマイクロ偏向器６２２＿１より大きいものであり得、マイクロ偏向器６２２＿１０の内径Ｒはマイクロ偏向器６２２＿２より大きいものであり得、またマイクロ偏向器６２２＿２６の内径Ｒはマイクロ偏向器６２２＿１０より大きいものであり得る。
[0065] 図６Ｂは、光軸からの半径シフトへの近接に基づくマイクロ偏向器の例示的グループ化を示す。例えば、＜５０％範囲内の半径シフト差を有するマイクロ偏向器を、１グループに分類することができる。いくつかの実施形態において、あるグループのすべてのマイクロ偏向器は同じタイプのマイクロ偏向器を使用することができる。例えば、グループ１（図６ＢではＧ１として注記される）は、アレイの中央のマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器６２２＿１）を含み、６極マイクロ偏向器を含むことができる。グループ２（図６ＢではＧ２として注記される）は、グループ１を取り囲む８つのマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器６２２＿２～６２２＿９）を含み、８極マイクロ偏向器を含むことができる。グループ３（図６ＢではＧ３として注記される）は、グループ２を取り囲む１６のマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器６２２＿１０～６２２＿２５）を含み、１０極マイクロ偏向器を含むことができる。グループ４（図６ＢではＧ４として注記される）は、グループ４を取り囲む２４のマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器６２２＿２６～６２２＿４９）を含み、１２極マイクロ偏向器を含むことができる。
[0066] 図６Ｂでは、異なるグループは異なる数の極を伴うマイクロ偏向器を含むが、いくつかの異なるグループは同じ数の極を伴うマイクロ偏向器を含んでもよいことを理解されよう。例えば、いくつかの実施形態において、グループ１及びグループ２におけるマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器６２２＿１～６２２＿９）は、偏向収差の差がグループ１とグループ２との間の許容範囲内にある場合、すべて６極マイクロ偏向器を使用することができる。こうした実施形態において、グループ３及びグループ４は、８極、１０極、１２極、又はそれ以上などの、より多数の極を伴うマイクロ偏向器を使用することができる。
[0067] 図６Ａに関して前述したように、４つの角のマイクロ偏向器（すなわち、マイクロ偏向器６２２＿２９、６２２＿３５、６２２＿４１、及び６２２＿４７）などの、装置の光軸６０４からの同じ半径シフトを伴うマイクロ偏向器の場合、対応するビームについての偏向角は等しいか又は実質的に等しいものとすることができる。更に、同じ偏向角を伴うマイクロ偏向器は、同じ配向角を有するように構成可能である。したがって、多極構造アレイ６２２において、同じか又は実質的に同じ半径シフト及び同じか又は実質的に同じ配向角を有する多極偏向器のグループは、（様々な制御機能、例えば、各電極のための励起電圧を生成すること、偏向特徴を制御すること、及び制御信号をマイクロ偏向器へ送ることを、実行する）共通ドライバを共有するために、グループ化することができる。同じ偏向角を伴う対応するビームを偏向させるように構成された複数のマイクロ偏向器について、共通ドライバを共有することによって、電圧の共通セットをグループ内のすべてのマイクロ偏向器にルーティングすることができるため、アレイ構成内の接続回路数を減少させることができる。ドライバ共有技法の例は米国出願第６２／６６５，４５１号に見られ、その全体が参照により組み込まれている。
[0068] 図６Ｃは、所望の偏向角に基づくマイクロ偏向器のグループの例示のサブグループ化を示す。グループ４のマイクロ偏向器の中で、同じか又は実質的に同じ半径シフトを有するマイクロ偏向器をまとめてサブグループ化し、共通ドライバを共有することができる。例えば、Ｇ４＿ＳＧ１と注記された（角にある）４つのマイクロ偏向器を、サブグループ１としてまとめてグループ化することができる。同様に、Ｇ４＿ＳＧ２と注記された（サブグループ１の隣の）８つのマイクロ偏向器を、サブグループ２としてまとめてグループ化することが可能であり、Ｇ４＿ＳＧ３と注記された（サブグループ２の隣の）８つのマイクロ偏向器を、サブグループ３としてまとめてグループ化することが可能であり、Ｇ４＿ＳＧ４と注記された（Ｘ軸又はＹ軸上の）４つのマイクロ偏向器を、サブグループ４としてまとめてグループ化することが可能である。各サブグループ内のマイクロ偏向器は同じか又は実質的に同じ半径シフトを有し（及びしたがって同じ偏向角を有し）、また同じ数の極を有するため、サブグループ内のそれらのマイクロ偏向器は共通ドライバに接続することができる。
[0069] 次に図７Ａを参照すると、本開示の実施形態に一致する、多層を伴う例示の多極構造アレイ７２２を示す概略図である。多極構造アレイ７２２は、ソース変換ユニット（図３Ａのソース変換ユニット３２０など）の一部とすることができる。特に、多極構造アレイ７２２は、イメージ形成要素アレイ（図３Ａのイメージ形成要素アレイ３２２など）又は事前屈曲マイクロ偏向器アレイ（図３Ａの事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３など）として機能することができる。
[0070] いくつかの実施形態において、多極構造アレイ７２２は、層７２２ａ及び７２２ｂなどの多極構造の複数の層を備えることができ、また各層は複数の多極構造（例えば、マイクロ偏向器）を備えることができる。例えば、層７２２ａはマイクロ偏向器７２２ａ＿１～７２２ａ＿５を備えることができる。同様に、層７２２ｂはマイクロ偏向器７２２ｂ＿１～７２２ｂ＿５を備えることができる。いくつかの実施形態において、層の中心は装置の光軸７０４と位置合わせすることができる。各層の中央にあるマイクロ偏向器（例えば、７２２ａ＿１及び７２２ｂ＿１）の中心は、光軸７０４と位置合わせすることができる。
[0071] いくつかの実施形態において、各層から１つの１対のマイクロ偏向器はまとめて位置合わせ可能であり、対応するビームを偏向させることができる。例えば、７２２ａ＿１及び７２２ｂ＿１の両方がビーム７１１を偏向させることができる。同様に、７２２ａ＿２及び７２２ｂ＿２の両方がビーム７１２を偏向させることができ、７２２ａ＿３及び７２２ｂ＿３の両方がビーム７１３を偏向させることができ、７２２ａ＿４及び７２２ｂ＿４の両方がビーム７１４を偏向させることができ、また７２２ａ＿５及び７２２ｂ＿５の両方がビーム７１５を偏向させることができる。多層構成では、１対のマイクロ偏向器が単一ビームを順次偏向させるため、各マイクロ偏向器の所望の偏向角は単一層構成におけるよりも小さくなる可能性がある。
[0072] いくつかの実施形態において、対のマイクロ偏向器は同じ数の極を有する同じタイプのマイクロ偏向器を使用することができる。例えば、マイクロ偏向器７２２ａ＿１及び７２２ｂ＿１はどちらも８極マイクロ偏向器を備える。他の実施形態において、対のマイクロ偏向器は異なるタイプのマイクロ偏向器を使用することができる。例えば、マイクロ偏向器７２２ａ＿４は１２極マイクロ偏向器を使用することができ、マイクロ偏向器７２２ｂ＿４は１０極マイクロ偏向器を使用することができる。
[0073] 次に図７Ｂを参照すると、本開示の実施形態に一致する、図７Ａの多極構造アレイの例示の層を示す概略図である。ビームの数が増加するにつれて、多極構造のサイズも同様に増加する。したがって、大きなアレイのマイクロ偏向器において、ビームのいくつかは装置の光軸（例えば、図３Ａの光軸３０４）から更に離れて位置することになる。それに応じて、アレイの外縁に位置するマイクロ偏向器の偏向角も増加する。外縁に位置するこれらのマイクロ偏向器によって偏向されるビームは、大きな偏向角により、より高い偏向収差を受ける可能性があり、それによって、対応するプローブスポットのサイズ及び不均一性が増加する。図６Ａに関連して説明したように、これらのマイクロ偏向器によって生成される電場の高次成分を減少させる（それによって、結果として生じる偏向収差及び対応するプローブスポットの不均一性を減少させる）ために、より多数のポール電極を伴うマイクロ偏向器を使用して、対応するビームを偏向させることができる。同じ手法は、多層マイクロ偏向器にも同様に利用可能である。
[0074] 図７Ｂは、本開示の実施形態に一致する、３×３マイクロ偏向器アレイの一例を示す。アレイは、図７Ａのアレイ７２２の層７２２ａ又は７２２ｂなどの、多層マイクロ偏向器アレイの層とすることができる。図６Ａ及び図６Ｂに関して説明したように、半径シフトに基づいて９つのマイクロ偏向器７５０＿１～７５０＿９をグループ化することができる。例えば第１のグループは、９つのマイクロ偏向器の中で最も低い半径シフトを有するマイクロ偏向器７５０＿１を含むことができる。第２のグループは、第１のグループ（例えば、マイクロ偏向器７５０＿１）より高い半径シフトを有する、Ｘ軸及びＹ軸上のマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器７５０＿２、７５０＿４、７５０＿６、７５０＿８）を含むことができる。第３のグループは、光軸７０４から最大の半径シフトを有する、４つの角にあるマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器７５０＿３、７５０＿５、７５０＿７、７５０＿９）を含むことができる。したがって、第１のグループ（マイクロ偏向器７５１＿１）、第２のグループ（マイクロ偏向器７５０＿２、７５０＿４、７５０＿６、７５０＿８）、及び第３のグループ（マイクロ偏向器７５０＿３、７５０＿５、７５０＿７、７５０＿９）は、それぞれ、電場の高次成分を減少させ、それによって、結果として生じる偏向収差及び及び対応するプローブスポットの不均一性を減少させるために、６極マイクロ偏向器、８極マイクロ偏向器、及び１２極マイクロ偏向器を含むことができる。図７Ｂは３×３アレイ構成を示すが、アレイは任意のサイズであってよいことを理解されよう。更に、図７Ｂは各々が異なるタイプのマイクロ偏向器を有する３つのグループを示すが、アレイは任意のグループ及びタイプのマイクロ偏向器の組み合わせを含むことができることを理解されよう。
[0075] 更に、図６Ｃに関して説明したドライバ共有技法は、多層マイクロ偏向器アレイにも適用可能である。例えば、第１のグループ（マイクロ偏向器７５０＿１）は第１のドライバによって接続及び駆動可能である。同様に、第２のグループ内のすべてのマイクロ偏向器（マイクロ偏向器７５０＿２、７５０＿４、７５０＿６、７５０＿８）は、それらのマイクロ偏向器が同じ偏向角を有するため、第２のドライバによって接続及び駆動可能である。同様に、第３のグループ内のすべてのマイクロ偏向器（マイクロ偏向器７５０＿３、７５０＿５、７５０＿７、７５０＿９）は、第３のドライバによって接続及び駆動可能である。
[0076] 次に図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、本開示の実施形態に一致する、多層を伴う例示の多極構造アレイを示す概略図である。多極構造アレイ８２２は、ソース変換ユニット（図３Ａのソース変換ユニット３２０など）の一部とすることができる。特に、多極構造アレイ８２２は、イメージ形成要素アレイ（図３Ａのイメージ形成要素アレイ３２２など）又は事前屈曲マイクロ偏向器アレイ（図３Ａの事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３など）として機能することができる。
[0077] 複数のマイクロ偏向器を伴ういくつかの実施形態において、粒子ビームのいくつかは１つの層内のマイクロ偏向器によって偏向可能であるが、他の粒子ビームは別の層内のマイクロ偏向器によって偏向可能である。例えば、ビーム８１１、８１４、及び８１５は層８２２ａのマイクロ偏向器８２２ａ＿１、８２２ａ＿４、及び８２２ａ＿５によって偏向可能であるが、ビーム８１２及び８１３は層８２２ｂのマイクロ偏向器８２２ｂ＿２及び８２２ｂ＿３によって偏向可能である。マイクロ偏向器のうちのいくつかを１つの層内に配置し、他のマイクロ偏向器を別の層内に配置することによって、マイクロ偏向器の全セットを１つの層内にパッキングすることに比べて、各層内の極を接続する回路を減少させることができる。したがってこれが、電気的安全性を向上させ、また多極構造アレイの設計及び製造プロセスの複雑さも低減させることができる。
[0078] いくつかの実施形態において、層８２２ａ及び８２２ｂはビーム経路ホール８２２ａ＿２、８２２ａ＿３、８２２ｂ＿１、８２２ｂ＿４、８２２ｂ＿５を含むことができ、これらは偏向なしにビームを通過させる。図８Ｂに示されるように、ビーム経路ホールはマイクロ偏向器よりも狭い（例えば、ビーム経路ホール８２２ａ＿３の幅はマイクロ偏向器８２２ａ＿１の幅よりも狭い）ため、図８Ａ及び図８Ｂに示されるようにマイクロ偏向器を交互に配置することによって、アレイ８２２全体の幅を減少させることができる。
[0079] 次に図８Ｃ、図８Ｄ、及び図８Ｅを参照すると、本開示の実施形態に一致する、図８Ａの多極構造アレイ８２２内で使用可能な例示の層を示す概略図である。ビーム数が増加するにつれて、多極構造アレイのサイズも同様に増加する。したがってマイクロ偏向器の大きなアレイでは、いくつかのビームは装置の光軸（例えば、図３Ａの光軸３０４）から更に離れて位置する。それに従って、構造アレイ８２２の外縁に位置するマイクロ偏向器の偏向角も増加する。外縁に位置するこれらのマイクロ偏向器によって偏向されるビームは、大きな偏向角により、より高い偏向収差を受ける可能性があり、それによって対応するプローブスポットのサイズ及び不均一性が増加する。図６Ａに関して説明したように、これらのマイクロ偏向器によって生成される電場の高次成分を減少させ、それによって、結果として生じる偏向収差及び対応するプローブスポットの不均一性を減少させるために、より多数のポール電極を伴うマイクロ偏向器を使用して対応するビームを偏向させることができる。同じ手法は、図８Ａのアレイ８２２のような多層マイクロ偏向器アレイにも同様に利用可能である。
[0080] 図８Ｃは、２５の粒子ビーム（５×５構成）を同時に偏向可能なマイクロ偏向器アレイ層の例示の対を示す。この実施形態では、マイクロ偏向器（図８Ｂのマイクロ偏向器８２２ａ＿１、８２２ａ＿４、８２２ａ＿５など）及びビーム経路ホール（図８Ｂのビーム経路ホール８２２ａ＿２及び８２２ａ＿３など）は、１つの粒子ビームが１つの層内のみでマイクロ偏向器によって偏向されるように、各層内で交互に配置される。例えば、層８２２ａは、マイクロ偏向器８２２ａ＿１、８２２ａ＿３、８２２ａ＿５、８２２ａ＿７、８２２ａ＿９、８２２ａ＿１０、８２２ａ＿１２、８２２ａ＿１４、８２２ａ＿１６、８２２ａ＿１８、８２２ａ＿２０、８２２ａ＿２２、８２２ａ＿２４、及び、ビーム経路ホール８２２ａ＿２、８２２ａ＿４、８２２ａ＿６、８２２ａ＿８、８２２ａ＿１１、８２２ａ＿１３、８２２ａ＿１５、８２２ａ＿１７、８２２ａ＿１９、８２２ａ＿２１、８２２ａ＿２３、８２２ａ＿２５を備える。同様に、層８２２ｂは、マイクロ偏向器８２２ｂ＿２、８２２ｂ＿４、８２２ｂ＿６、８２２ｂ＿８、８２２ｂ＿１１、８２２ｂ＿１３、８２２ｂ＿１５、８２２ｂ＿１７、８２２ｂ＿１９、８２２ｂ＿２１、８２２ｂ＿２３、８２２ｂ＿２５、及び、ビーム経路ホール８２２ｂ＿１、８２２ｂ＿３、８２２ｂ＿５、８２２ｂ＿７、８２２ｂ＿９、８２２ｂ＿１０、８２２ｂ＿１２、８２２ｂ＿１４、８２２ｂ＿１６、８２２ｂ＿１８、８２２ｂ＿２０、８２２ｂ＿２２、８２２ｂ＿２４を備える、したがって、２５のビームのうちの１３のビームは層８２２ａのマイクロ偏向器によって偏向されるが、残りの１２のビームは層８２２ｂのマイクロ偏向器によって偏向される。
[0081] 前述の実施形態のように、同じか又は同様の半径シフト（例えば、＜５０％範囲内の半径シフト差）を伴うマイクロ偏向器は、偏向収差を減少させるために、まとめてグループ化すること、及び特定数のポール電極を有することが可能である。例えば、層８２２ａにおいて、マイクロ偏向器８２２ａ＿１は６極マイクロ偏向器であり、マイクロ偏向器８２２ａ＿３、８２２ａ＿５、８２２ａ＿７、及び８２２ａ＿９は８極マイクロ偏向器であり、マイクロ偏向器８２２ａ＿１０、８２２ａ＿１２、８２２ａ＿１４、８２２ａ＿１６、８２２ａ＿１８、８２２ａ＿２０、８２２ａ＿２２、及び８２２ａ＿２４は１０極マイクロ偏向器である。同様に、層８２２ｂにおいて、マイクロ偏向器８２２ｂ＿２、８２２ｂ＿４、８２２ｂ＿６、及び８２２ｂ＿８は８極マイクロ偏向器であり、マイクロ偏向器８２２ｂ＿１１、８２２ｂ＿１３、８２２ｂ＿１５、８２２ｂ＿１７、８２２ｂ＿１９、８２２ｂ＿２１、８２２ｂ＿２３、及び８２２ｂ＿２５は１０極マイクロ偏向器である。図８Ｃは５×５アレイ構成を示しているが、アレイは任意のサイズであってよいことを理解されよう。また、アレイ構成は任意のグループ及びサイズのマイクロ偏向器の組み合わせを含むことができることを理解されよう。
[0082] 更に、図６Ｃ及び図７Ｂに関して説明したドライバ共有技法は本実施形態にも適用可能である。例えば層８２２ｂにおいて、第１のグループ内のすべてのマイクロ偏向器（マイクロ偏向器８２２ｂ＿２、８２２ｂ＿４、８２２ｂ＿６、８２２ｂ＿８）は、それらのマイクロ偏向器が同じ偏向角及び同じ数のポール電極を有するため、第１のドライバによって接続及び駆動可能である。同様に、第２のグループ内のすべてのマイクロ偏向器（マイクロ偏向器８２２ｂ＿１１、８２２ｂ＿１３、８２２ｂ＿１５、８２２ｂ＿１７、８２２ｂ＿１９、８２２ｂ＿２１、８２２ｂ＿２３、及び８２２ｂ＿２５）は、第２のドライバによって接続及び駆動可能である。
[0083] 図８Ｄ及び図８Ｅは、４９の粒子ビーム（７×７構成）を同時に偏向可能なマイクロ偏向器アレイ層の別の実施形態を示す。この実施形態において、特定数のポール電極を伴うマイクロ偏向器が１つの層内に配置される。例えば、６極又は１０極を伴うすべてのマイクロ偏向器は図８Ｄの層８２２ａ内に配置され、８極及び１２極を伴うすべてのマイクロ偏向器は図８Ｅの層８２２ｂ内に配置される。合計４９のビームの中で、１７のビームは層８２２ａによって偏向され、残りの３２のビームは層８２２ｂによって偏向される。層８２２ａにおいて、第１のグループは、６極を備えることが可能なマイクロ偏向器８２２ａ＿１を中央に含む。第２のグループは、１０極を備えることが可能なマイクロ偏向器８２２ａ＿１０～８２２ａ＿２５を含む。同様に、層８２２ｂにおいて、第３のグループは、８極を備えることが可能なマイクロ偏向器８２２ｂ＿２～８２２ｂ＿９を含む。第４のグループは、１２極を備えることが可能なマイクロ偏向器８２２ｂ＿２６～８２２ｂ＿４９を含む。更に、図６Ｃ及び図７Ｂに関して説明したドライバ共有技法は本実施形態にも適用可能である。例えば、図８Ｅの層８２２ｂにおいて、Ｘ軸又はＹ軸のうちの１つの上に位置決めされた第３のグループ内の４つのマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器８２２ｂ＿２、８２２ｂ＿４、８２２ｂ＿６、８２２ｂ＿８）は、それらのマイクロ偏向器が同じ偏向角、同じ配向角、及び同じ数のポール電極を有するため、１つの共通ドライバによって接続及び駆動可能である。同様に、角に位置決めされた第３のグループ内の他の４つのマイクロ偏向器（例えば、マイクロ偏向器８２２ｂ＿３、８２２ｂ＿５、８２２ｂ＿７、８２２ｂ＿９）は、別の共通ドライバによって接続及び駆動可能である。
[0084] 次に図９を参照すると、本開示の実施形態に一致する、多極構造アレイの例示の構成を製造する例示の方法を示すフローチャートである。いくつかの実施形態において、多極構造アレイは半導体製作プロセスを使用して製造可能である。いくつかの実施形態において、多極構造アレイは、図６Ａのマイクロ偏向器アレイ６２２などのマイクロ偏向器アレイを含むことができる。いくつかの実施形態において、多極構造アレイは、図６Ａのマイクロ偏向器６２２＿１～６２２＿４９などの複数のマイクロ偏向器を備えることができる。マイクロ偏向器によって生成された電場の高次成分を減少させ、それによって、結果として生じる偏向収差及び対応するプローブスポットの不均一性を減少させるために、より多数のポール電極を伴うマイクロ偏向器を使用して、検査装置の光軸から更に離れた対応するビームを偏向させることができる。例えば、第２の多極構造（図６Ａのマイクロ偏向器６２２＿３など）よりも高い半径シフトを有する（すなわち、光軸から更に離れた）第１の多極構造（図６Ａのマイクロ偏向器６２２＿２９など）は、第２のマイクロ偏向器よりも多数のポール電極を伴うマイクロ偏向器を備えることができる。
[0085] ステップ９１０において、第１の多極構造のポール電極の数は、第１の多極構造の偏向収差特徴に基づいて構成される。ステップ９２０において、第２の多極構造のポール電極の数は、第２の多極構造の偏向収差特徴に基づいて構成される。ステップ９２０において第２の多極構造用に選択されるポール電極の数は、ステップ９１０において第１の多極構造用に選択されるポール電極の数よりも少ない。
[0086] ステップ９３０において、第１の多極構造は、アレイの中心軸からの第１の半径シフトを伴うロケーションにおいて形成される。ステップ９４０において、第２の多極構造は、アレイの中心軸からの第２の半径シフトを伴うロケーションにおいて形成される。光軸と第１の多極構造のロケーションとの間の距離は、光軸と第２の多極構造のロケーションとの間の距離よりも大きい。したがって、第１の多極構造は、第２の多極構造よりも大きい半径シフトを有する。
[0087] 第１及び第２の多極構造は、例えば図６Ｂに関して上記で説明した多極構造の別々のグループの一部とすることができることを理解されよう。更に、第１及び第２の多極構造は、例えば図８Ｃに関して上記で説明した別々の層上に位置することができることを理解されよう。
[0088] 下記の条項を使用して、実施形態を更に説明することができる。
１．複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第１の多極構造であって、第１の多極構造はアレイの中心軸からの第１の半径シフトを有する、第１の多極構造と、
複数の多極構造のうちの第２の多極構造であって、第２の多極構造はアレイの中心軸からの第２の半径シフトを有する、第２の多極構造と、
を備え、
第１の半径シフトは第２の半径シフトより大きく、また第１の多極構造は第２の多極構造よりも多数のポール電極を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
２．第１の多極構造は、複数の多極構造が複数の荷電粒子ビームを偏向させるときの偏向収差を減少させるために、第２の多極構造よりも多数のポール電極を備える、条項１に記載のアレイ。
３．第１の多極構造の複数のポール電極は、第１のドライバによって電気的に接続及び駆動され、また、
第２の多極構造の複数のポール電極は、第２のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
条項１及び２のいずれか一項に記載のアレイ。
４．第１のドライバ及び第２のドライバは、第１の多極構造及び第２の多極構造が、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、条項３に記載のアレイ。
５．第１の多極構造が第２の多極構造よりも大きな内径を有する、条項１から４のいずれか一項に記載のアレイ。
６．複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第１のグループの多極構造であって、第１のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第１のセットの半径シフトを有し、第１のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第１のグループの多極構造と、
複数の多極構造のうちの第２のグループの多極構造であって、第２のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第２のセットの半径シフトを有し、第２のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第２のグループの多極構造と、
を備え、
第１のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最低値は、第２のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最高値よりも大きく、第１のグループの多極構造は、第２のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
７．複数の多極構造が複数の荷電粒子ビームを偏向させるときの偏向収差を減少させるために、第１のグループの多極構造は第２のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備える、条項６に記載のアレイ。
８．第１のグループ又は第２のグループは１つの多極構造のみを備えることができる、条項６及び７のいずれか一項に記載のアレイ。
９．複数の多極構造のうちの第１のグループの多極構造は、
第１のドライバによって電気的に接続及び駆動される第１のサブグループの多極構造を備え、第１のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は等しいか又は実質的に等しい、
条項６から８のいずれか一項に記載のアレイ。
１０．複数の多極構造のうちの第２のグループの多極構造は、
第２のドライバによって電気的に接続及び駆動される第２のサブグループの多極構造を備え、第２のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は等しいか又は実質的に等しい、
条項６から９のいずれか一項に記載のアレイ。
１１．第１及び第２のドライバのうちの少なくとも１つは、対応する多極構造が、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、条項６から１０のいずれか一項に記載のアレイ。
１２．第１のグループのうちの１つの多極構造は、第２のグループのうちの１つの多極構造よりも大きな内径を有する、条項６から１１のいずれか一項に記載のアレイ。
１３．複数の荷電粒子ビームを偏向させるように構成された複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの多極構造の第１の層であって、第１の層は、アレイの中心軸からの第１の半径シフトを有する第１の多極構造、及び、アレイの中心軸からの第２の半径シフトを有する第２の多極構造を備え、第１の半径シフトは第２の半径シフトより大きく、また第１の多極構造は、第２の多極構造よりも多数のポール電極を備える、多極構造の第１の層と、
複数の多極構造のうちの多極構造の第２の層であって、第２の層は、アレイの中心軸からの第３の半径シフトを有する第３の多極構造を備える、多極構造の第２の層と、
を備える、複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
１４．第１の多極構造は、対応する荷電粒子ビームの偏向収差を減少させるために、第２の多極構造よりも多数のポール電極を備える、条項１３に記載のアレイ。
１５．第３の半径シフトは第１の半径シフトよりも小さい、条項１３及び１４のいずれか一項に記載のアレイ。
１６．第３の半径シフトは第２の半径シフトよりも大きい、条項１５に記載のアレイ。
１７．第３の多極構造のポール電極の数は第２の多極構造よりも大きいか又は等しい、条項１３から１６のいずれか一項に記載のアレイ。
１８．第３の多極構造のポール電極の数は第１の多極構造よりも小さいか又は等しい、条項１３から１６のいずれか一項に記載のアレイ。
１９．第３の多極構造は第１の多極構造よりも多いか又は等しい数のポール電極を備える、条項１３、１４、１６、及び１７のいずれか一項に記載のアレイ。
２０．複数の荷電粒子ビームのうちの１つは第１の層の多極構造によって偏向され、複数の荷電粒子ビームのうちの別の１つは第２の層の多極構造によって偏向される、条項１３から１９のいずれか一項に記載のアレイ。
２１．複数の荷電粒子ビームのうちの１つは、第１の層の多極構造及び第２の層の多極構造によって順次偏向され、また第１の層の多極構造及び第２の層の多極構造は互いに位置合わせされる、条項１３から１９のいずれか一項に記載のアレイ。
２２．複数の荷電粒子ビームのうちの第１のビームは、第１の層の多極構造によって偏向され、
複数の荷電粒子ビームのうちの第２のビームは、第２の層の多極構造によって偏向され、また、
複数の荷電粒子ビームのうちの第３のビームは、第１の層の多極構造及び第２の層の多極構造によって順次偏向される、
条項１３から１９のいずれか一項に記載のアレイ。
２３．複数の多極構造のうちの各多極構造は、他の多極構造から電気的に遮蔽されるように電気的遮蔽キャビティ内部に配置される、条項１３から２２のいずれか一項に記載のアレイ。
２４．第１の層の第１の多極構造は、第１の層の第２の多極構造よりも大きい内径を有する、条項１３から２３のいずれか一項に記載のアレイ。
２５．第１の層の多極構造のうちの２つ以上は、
同じ数のポール電極を有し、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しく、また、
第１のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
条項１３から２４のいずれか一項に記載のアレイ。
２６．第２の層の多極構造のうちの２つ以上は、
同じ数のポール電極を有し、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しく、また、
第２のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
条項１３から２５のいずれか一項に記載のアレイ。
２７．条項１３から２６のいずれか一項に記載のアレイを備える、荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニット。
２８．複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイを製造する方法であって、各多極構造は複数のポール電極を備え、方法は、
アレイの中心軸からの第１の半径シフトを有するように、第１の多極構造を形成すること、及び、
アレイの中心軸からの第２の半径シフトを有するように、第２の多極構造を形成することを含み、第１の半径シフトは第２の半径シフトより大きく、また第１の多極構造は第２の多極構造とは異なる数のポール電極を有する、
マイクロ構造偏向器アレイを製造する方法。
２９．第１及び第２の多極構造の収差特徴に基づいて、第１の多極構造のポール電極の数及び第２の多極構造のポール電極の数を選択することを更に含む、条項２８に記載の方法。
３０．第１の多極構造のポール電極の数及び第２の多極構造のポール電極の数を選択することは、それらの電場の高次成分を減少させるために、対応する数のポール電極を選択することを含む、条項２９に記載の方法。
３１．第１の多極構造のポール電極の数は第２の多極構造よりも大きい、条項２８から３０のいずれか一項に記載の方法。
３２．複数の多極構造を１つ以上の層内に配置することを更に含む、条項２８から３１のいずれか一項に記載の方法。
３３．１つ以上の層のうちの第１の層内の１つの多極構造は、１つ以上の層のうちの第２の層内の１つの多極構造と位置合わせされる、条項３２に記載の方法。
３４．１つのドライバを共有するために多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、多極構造のサブセットは、
同じ数のポール電極を有し、また、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、
条項２８から３３のいずれか一項に記載の方法。
３５．第１のドライバを共有するために、１つ以上の層のうちの第１の層内の多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、第１の層内の多極構造のサブセットは、
同じ数のポール電極を有し、また、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、
条項３２から３４のいずれか一項に記載の方法。
３６．第２のドライバを共有するために、１つ以上の層のうちの第２の層内の多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、第２の層内の多極構造のサブセットは、同じ数のポール電極を有し、また、半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、条項３２から３５のいずれか一項に記載の方法。
３７．複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第１のグループの多極構造であって、第１のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第１のセットの半径シフトを有し、第１のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第１のグループの多極構造と、
複数の多極構造のうちの第２のグループの多極構造であって、第２のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第２のセットの半径シフトを有し、第２のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第２のグループの多極構造と、
を備え、
第１のグループの多極構造は、第２のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備え、また、第１のグループ及び第２のグループの各々は１つ以上の多極構造を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
３８．第１のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最低値は、第２のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最高値よりも大きい、条項３７に記載のアレイ。
３９．複数の多極構造は、複数の荷電粒子ビームを実質的に同時に偏向させるように構成される、条項３７に記載のアレイ。
４０．第１のグループの多極構造は、
第１のドライバに電気的に接続され第１のドライバによって駆動される、第１のサブグループの多極構造を備え、第１のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は実質的に等しい、条項３９に記載のアレイ。
４１．多極構造の第２のグループは、
第２のドライバに電気的に接続され、第２のドライバによって駆動される、多極構造の第２のサブグループを備え、多極構造の第２のサブグループの半径シフト及び配向角は等しいか又は実質的に等しい、条項４０に記載のアレイ。
４２．第１及び第２のドライバのうちの１つは、対応する多極構造がマルチビーム装置内の複数の荷電粒子ビームを偏向させることができるように構成され、更に複数の多極構造は、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として構成される、条項４１に記載のアレイ。
４３．第１のグループの多極構造は、第２のグループの多極構造よりも大きい内径を有する、条項３７に記載のアレイ。
４４．第１のグループ及び第２のグループはアレイの第１の層内に配置され、またアレイは、アレイの中心軸からの第３の半径シフトを有する第３のグループの多極構造を備える第２の層を更に備える、条項３９に記載のアレイ。
４５．第３の半径シフトは、第１のセットの半径シフト又は第２のセットの半径シフトとは異なる、条項４４に記載のアレイ。
４６．第３の多極構造のポール電極の数は、第１のグループの多極構造のうちの多極構造のポール電極の数とは異なるか又は等しい、条項４５に記載のアレイ。
４７．複数の荷電粒子ビームのうちの１つは第１の層の多極構造によって偏向され、また複数の荷電粒子ビームのうちの別の１つは第２の層の多極構造によって偏向される、条項４５に記載のアレイ。
４８．複数の荷電粒子ビームのうちの１つは、第１の層の多極構造及び第２の層の多極構造によって順次偏向され、また第１の層の多極構造及び第２の層の多極構造は互いに位置合わせされる、条項４５に記載のアレイ。
４９．複数の荷電粒子ビームのうちの第１のビームは、第１の層の多極構造によって偏向され、また第２の層のいずれの多極構造によっても偏向されず、
複数の荷電粒子ビームのうちの第２のビームは、第２の層の多極構造によって偏向され、また第２の層のいずれの多極構造によっても偏向されず、また、
複数の荷電粒子ビームのうちの第３のビームは、第１の層の多極構造及び第２の層の多極構造によって順次偏向される、
条項４５に記載のアレイ。
５０．荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニットであって、ソース変換ユニットは、複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイを備え、多極構造の各々は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第１のグループの多極構造であって、第１のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第１のセットの半径シフトを有し、第１のグループの各多極構造は同じ数のポール電極を備える、第１のグループの多極構造と、
複数の多極構造のうちの第２のグループの多極構造であって、第２のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第２のセットの半径シフトを有し、第２のグループの各多極構造は同じ数のポール電極を備える、第２のグループの多極構造と、
を備え、
第１のセットの半径シフトは第２のセットの半径シフトとは異なり、第１のグループの多極構造は第２のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備え、また第１のグループ及び第２のグループの各々は１つ以上の多極構造を備える、
荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニット。
５１．第１のグループ及び第２のグループはアレイの第１の層内に配置され、アレイは、アレイの中心軸からの第３の半径シフトを有する第３のグループの多極構造を備える第２の層を更に備える、条項５０に記載のソース変換ユニット。
５２．第１及び第２のドライバのうちの１つのドライバは、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、対応する多極構造がマルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、条項６から１０のいずれか一項に記載のアレイ。
５３．構成される第１及び第２のドライバのうちのドライバは、構成される第１及び第２のドライバのすべてを含む、条項５２に記載のアレイ。
[0089] 以上、本発明を様々な実施形態に関連して説明してきたが、当業者であれば、本明細書で開示される本発明の仕様及び実施を考察することから、本発明の他の実施形態が明らかとなろう。仕様及び例は単なる例として考察されるものであり、本発明の真の範囲及び趣旨は、下記の特許請求の範囲によって示されることが意図される。
[0090] 上記の説明は限定的ではなく例示的なものであることが意図される。したがって、当業者であれば、下記に記載される特許請求の範囲を逸脱することなく、説明のように修正が実行可能であることを理解されよう。

Claims (15)

  1. 複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、前記アレイは、
    前記複数の多極構造のうちの第１のグループの多極構造であって、前記第１のグループの多極構造は前記アレイの中心軸からの第１のセットの半径シフトを有し、前記第１のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第１のグループの多極構造と、
    前記複数の多極構造のうちの第２のグループの多極構造であって、前記第２のグループの多極構造は前記アレイの前記中心軸からの第２のセットの半径シフトを有し、前記第２のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第２のグループの多極構造と、
    を備え、
    前記第１のグループの多極構造は、前記第２のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備え、また、前記第１のグループ及び前記第２のグループの各々は１つ以上の多極構造を備える、
    複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
  2. 前記第１のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最低値は、前記第２のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最高値よりも大きい、請求項１に記載のアレイ。
  3. 前記複数の多極構造は、複数の荷電粒子ビームを実質的に同時に偏向させるように構成される、請求項１に記載のアレイ。
  4. 前記第１のグループの多極構造は、
    第１のドライバに電気的に接続され第１のドライバによって駆動される、第１のサブグループの多極構造を備え、前記第１のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は実質的に等しい、請求項３に記載のアレイ。
  5. 前記第２のグループの多極構造は、
    第２のドライバに電気的に接続され第２のドライバによって駆動される、第２のサブグループの多極構造を備え、前記第２のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は実質的に等しい、請求項４に記載のアレイ。
  6. 前記第１及び第２のドライバのうちの１つのドライバは、対応する多極構造がマルチビーム装置内の前記複数の荷電粒子ビームを偏向させることができるように構成され、更に前記複数の多極構造は、前記マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として構成される、請求項５に記載のアレイ。
  7. 前記第１のグループの多極構造は、前記第２のグループの多極構造よりも大きい内径を有する、請求項１に記載のアレイ。
  8. 前記第１のグループ及び前記第２のグループは前記アレイの第１の層内に配置され、また前記アレイは、前記アレイの前記中心軸からの第３の半径シフトを有する第３のグループの多極構造を備える第２の層を更に備える、請求項３に記載のアレイ。
  9. 前記第３の半径シフトは、前記第１のセットの半径シフト又は前記第２のセットの半径シフトとは異なる、請求項８に記載のアレイ。
  10. 前記第３の多極構造のポール電極の数は、前記第１のグループの多極構造のうちの多極構造のポール電極の数とは異なるか又は等しい、請求項８に記載のアレイ。
  11. 前記複数の荷電粒子ビームのうちの１つは前記第１の層の多極構造によって偏向され、また前記複数の荷電粒子ビームのうちの別の１つは前記第２の層の多極構造によって偏向される、請求項８に記載のアレイ。
  12. 前記複数の荷電粒子ビームのうちの１つは、前記第１の層の多極構造及び前記第２の層の多極構造によって順次偏向され、また前記第１の層の前記多極構造及び前記第２の層の前記多極構造は互いに位置合わせされる、請求項８に記載のアレイ。
  13. 前記複数の荷電粒子ビームのうちの第１のビームは、前記第１の層の多極構造によって偏向され、また前記第２の層のいずれの多極構造によっても偏向されず、
    前記複数の荷電粒子ビームのうちの第２のビームは、前記第２の層の多極構造によって偏向され、また前記第１の層のいずれの多極構造によっても偏向されず、また、
    前記複数の荷電粒子ビームのうちの第３のビームは、前記第１の層の多極構造及び前記第２の層の多極構造によって順次偏向される、
    請求項８に記載のアレイ。
  14. 荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニットであって、前記ソース変換ユニットは、複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイを備え、前記多極構造の各々は複数のポール電極を備え、前記アレイは、
    前記複数の多極構造のうちの第１のグループの多極構造であって、前記第１のグループの多極構造は前記アレイの中心軸からの第１のセットの半径シフトを有し、前記第１のグループの各多極構造は同じ数のポール電極を備える、第１のグループの多極構造と、
    前記複数の多極構造のうちの第２のグループの多極構造であって、前記第２のグループの多極構造は前記アレイの前記中心軸からの第２のセットの半径シフトを有し、前記第２のグループの各多極構造は同じ数のポール電極を備える、第２のグループの多極構造と、
    を備え、
    前記第１のセットの半径シフトは前記第２のセットの半径シフトとは異なり、前記第１のグループの多極構造は前記第２のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備え、また前記第１のグループ及び前記第２のグループの各々は１つ以上の多極構造を備える、
    荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニット。
  15. 前記第１のグループ及び前記第２のグループは前記アレイの第１の層内に配置され、前記アレイは、前記アレイの前記中心軸からの第３の半径シフトを有する第３のグループの多極構造を備える第２の層を更に備える、請求項１４に記載のソース変換ユニット。

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102649183B1 (ko) 2017-10-02 2024-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 빔들을 사용하는 장치
CN113614873A (zh) * 2018-12-31 2021-11-05 Asml荷兰有限公司 多束检查装置
JP2022016779A (ja) * 2020-07-13 2022-01-25 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターンの輪郭位置取得方法
EP3982390A1 (en) * 2020-10-08 2022-04-13 ASML Netherlands B.V. Charged particle system, aperture array, charged particle tool and method of operating a charged particle system
TWI812991B (zh) * 2020-09-03 2023-08-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 帶電粒子系統及操作帶電粒子系統之方法
US11501946B2 (en) 2021-03-01 2022-11-15 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus
DE102021116969B3 (de) 2021-07-01 2022-09-22 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion
WO2023237225A1 (en) 2022-06-10 2023-12-14 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle imaging system with improved imaging of secondary electron beamlets on a detector

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009505384A (ja) 2005-08-09 2009-02-05 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 粒子光学系
JP2009507352A (ja) 2005-09-06 2009-02-19 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 荷電粒子検査方法及び荷電粒子システム
US20160284505A1 (en) 2015-03-25 2016-09-29 Hermes Microvision Inc. Apparatus of Plural Charged-Particle Beams
WO2018197169A1 (en) 2017-04-28 2018-11-01 Asml Netherlands B.V. An apparatus using multiple beams of charged particles

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136167A (en) * 1991-01-07 1992-08-04 International Business Machines Corporation Electron beam lens and deflection system for plural-level telecentric deflection
US5929454A (en) * 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
US6274877B1 (en) * 1997-05-08 2001-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
US6104035A (en) * 1997-06-02 2000-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Electron-beam exposure apparatus and method
US6552353B1 (en) * 1998-01-05 2003-04-22 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron beam exposure method and apparatus and device manufacturing method
US6989546B2 (en) * 1998-08-19 2006-01-24 Ims-Innenmikrofabrikations Systeme Gmbh Particle multibeam lithography
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
JP2001283756A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
JP4451041B2 (ja) * 2000-04-04 2010-04-14 株式会社アドバンテスト 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法
TWI294632B (en) 2000-06-27 2008-03-11 Ebara Corp Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device
JP4647820B2 (ja) * 2001-04-23 2011-03-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
JP4756776B2 (ja) * 2001-05-25 2011-08-24 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法
US6953938B2 (en) * 2002-10-03 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus
JP4167050B2 (ja) * 2002-12-13 2008-10-15 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法
CN1759465B (zh) 2003-03-10 2010-06-16 迈普尔平版印刷Ip有限公司 用于产生多个小波束的装置
JP2004363085A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
US7598594B2 (en) * 2004-12-20 2009-10-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate
JP4657740B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
NL2005583C2 (en) * 2009-10-26 2014-09-04 Mapper Lithography Ip Bv Modulation device and charged particle multi-beamlet lithography system using the same.
NL2007604C2 (en) * 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
EP2879155B1 (en) * 2013-12-02 2018-04-25 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-beam system for high throughput EBI
EP2913838B1 (en) * 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
KR102014868B1 (ko) * 2015-03-10 2019-08-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전 입자 빔을 이용하는 장치
WO2016145458A1 (en) 2015-03-10 2016-09-15 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9607805B2 (en) * 2015-05-12 2017-03-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9620329B1 (en) * 2015-11-20 2017-04-11 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device
US11302511B2 (en) 2016-02-04 2022-04-12 Kla Corporation Field curvature correction for multi-beam inspection systems
US10840056B2 (en) * 2017-02-03 2020-11-17 Kla Corporation Multi-column scanning electron microscopy system
US20190066972A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
IL277822B1 (en) * 2018-05-01 2024-04-01 Asml Netherlands Bv Multi-beam test rig
US10483080B1 (en) * 2018-07-17 2019-11-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
CN113614873A (zh) * 2018-12-31 2021-11-05 Asml荷兰有限公司 多束检查装置
JP7409946B2 (ja) * 2020-04-13 2024-01-09 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置
US11183364B1 (en) * 2020-06-12 2021-11-23 Fei Company Dual beam microscope system for imaging during sample processing
US11501946B2 (en) * 2021-03-01 2022-11-15 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009505384A (ja) 2005-08-09 2009-02-05 カール ツァイス エスエムエス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 粒子光学系
JP2009507352A (ja) 2005-09-06 2009-02-19 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 荷電粒子検査方法及び荷電粒子システム
US20160284505A1 (en) 2015-03-25 2016-09-29 Hermes Microvision Inc. Apparatus of Plural Charged-Particle Beams
WO2018197169A1 (en) 2017-04-28 2018-11-01 Asml Netherlands B.V. An apparatus using multiple beams of charged particles

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