JP7453314B2 - マルチビーム検査装置 - Google Patents
マルチビーム検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7453314B2 JP7453314B2 JP2022172820A JP2022172820A JP7453314B2 JP 7453314 B2 JP7453314 B2 JP 7453314B2 JP 2022172820 A JP2022172820 A JP 2022172820A JP 2022172820 A JP2022172820 A JP 2022172820A JP 7453314 B2 JP7453314 B2 JP 7453314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multipolar
- array
- structures
- multipolar structure
- pole electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 35
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims description 73
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 53
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 58
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
- H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
- H01J2237/1516—Multipoles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
[0001] 本願は、2018年12月31日出願の米国出願第62/787,157号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
K=1+2i+n(4+2p)・・・(3)
上式でp、n、及びiは整数であり、i=1、2、・・・pであり、n=0、1、2、・・・∞である。いくつかの実施形態において、装置の光軸(例えば、図3Aの光軸304)から更に離れたマイクロ偏向器は、より多くの高次のオンアクシス成分を減少させるために、光軸に近いマイクロ偏向器よりも多数のポール電極を有するように構成可能である。
1.複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第1の多極構造であって、第1の多極構造はアレイの中心軸からの第1の半径シフトを有する、第1の多極構造と、
複数の多極構造のうちの第2の多極構造であって、第2の多極構造はアレイの中心軸からの第2の半径シフトを有する、第2の多極構造と、
を備え、
第1の半径シフトは第2の半径シフトより大きく、また第1の多極構造は第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
2.第1の多極構造は、複数の多極構造が複数の荷電粒子ビームを偏向させるときの偏向収差を減少させるために、第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、条項1に記載のアレイ。
3.第1の多極構造の複数のポール電極は、第1のドライバによって電気的に接続及び駆動され、また、
第2の多極構造の複数のポール電極は、第2のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
条項1及び2のいずれか一項に記載のアレイ。
4.第1のドライバ及び第2のドライバは、第1の多極構造及び第2の多極構造が、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、条項3に記載のアレイ。
5.第1の多極構造が第2の多極構造よりも大きな内径を有する、条項1から4のいずれか一項に記載のアレイ。
6.複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第1のグループの多極構造であって、第1のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第1のセットの半径シフトを有し、第1のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第1のグループの多極構造と、
複数の多極構造のうちの第2のグループの多極構造であって、第2のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第2のセットの半径シフトを有し、第2のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第2のグループの多極構造と、
を備え、
第1のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最低値は、第2のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最高値よりも大きく、第1のグループの多極構造は、第2のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
7.複数の多極構造が複数の荷電粒子ビームを偏向させるときの偏向収差を減少させるために、第1のグループの多極構造は第2のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備える、条項6に記載のアレイ。
8.第1のグループ又は第2のグループは1つの多極構造のみを備えることができる、条項6及び7のいずれか一項に記載のアレイ。
9.複数の多極構造のうちの第1のグループの多極構造は、
第1のドライバによって電気的に接続及び駆動される第1のサブグループの多極構造を備え、第1のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は等しいか又は実質的に等しい、
条項6から8のいずれか一項に記載のアレイ。
10.複数の多極構造のうちの第2のグループの多極構造は、
第2のドライバによって電気的に接続及び駆動される第2のサブグループの多極構造を備え、第2のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は等しいか又は実質的に等しい、
条項6から9のいずれか一項に記載のアレイ。
11.第1及び第2のドライバのうちの少なくとも1つは、対応する多極構造が、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、条項6から10のいずれか一項に記載のアレイ。
12.第1のグループのうちの1つの多極構造は、第2のグループのうちの1つの多極構造よりも大きな内径を有する、条項6から11のいずれか一項に記載のアレイ。
13.複数の荷電粒子ビームを偏向させるように構成された複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの多極構造の第1の層であって、第1の層は、アレイの中心軸からの第1の半径シフトを有する第1の多極構造、及び、アレイの中心軸からの第2の半径シフトを有する第2の多極構造を備え、第1の半径シフトは第2の半径シフトより大きく、また第1の多極構造は、第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、多極構造の第1の層と、
複数の多極構造のうちの多極構造の第2の層であって、第2の層は、アレイの中心軸からの第3の半径シフトを有する第3の多極構造を備える、多極構造の第2の層と、
を備える、複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
14.第1の多極構造は、対応する荷電粒子ビームの偏向収差を減少させるために、第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、条項13に記載のアレイ。
15.第3の半径シフトは第1の半径シフトよりも小さい、条項13及び14のいずれか一項に記載のアレイ。
16.第3の半径シフトは第2の半径シフトよりも大きい、条項15に記載のアレイ。
17.第3の多極構造のポール電極の数は第2の多極構造よりも大きいか又は等しい、条項13から16のいずれか一項に記載のアレイ。
18.第3の多極構造のポール電極の数は第1の多極構造よりも小さいか又は等しい、条項13から16のいずれか一項に記載のアレイ。
19.第3の多極構造は第1の多極構造よりも多いか又は等しい数のポール電極を備える、条項13、14、16、及び17のいずれか一項に記載のアレイ。
20.複数の荷電粒子ビームのうちの1つは第1の層の多極構造によって偏向され、複数の荷電粒子ビームのうちの別の1つは第2の層の多極構造によって偏向される、条項13から19のいずれか一項に記載のアレイ。
21.複数の荷電粒子ビームのうちの1つは、第1の層の多極構造及び第2の層の多極構造によって順次偏向され、また第1の層の多極構造及び第2の層の多極構造は互いに位置合わせされる、条項13から19のいずれか一項に記載のアレイ。
22.複数の荷電粒子ビームのうちの第1のビームは、第1の層の多極構造によって偏向され、
複数の荷電粒子ビームのうちの第2のビームは、第2の層の多極構造によって偏向され、また、
複数の荷電粒子ビームのうちの第3のビームは、第1の層の多極構造及び第2の層の多極構造によって順次偏向される、
条項13から19のいずれか一項に記載のアレイ。
23.複数の多極構造のうちの各多極構造は、他の多極構造から電気的に遮蔽されるように電気的遮蔽キャビティ内部に配置される、条項13から22のいずれか一項に記載のアレイ。
24.第1の層の第1の多極構造は、第1の層の第2の多極構造よりも大きい内径を有する、条項13から23のいずれか一項に記載のアレイ。
25.第1の層の多極構造のうちの2つ以上は、
同じ数のポール電極を有し、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しく、また、
第1のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
条項13から24のいずれか一項に記載のアレイ。
26.第2の層の多極構造のうちの2つ以上は、
同じ数のポール電極を有し、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しく、また、
第2のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
条項13から25のいずれか一項に記載のアレイ。
27.条項13から26のいずれか一項に記載のアレイを備える、荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニット。
28.複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイを製造する方法であって、各多極構造は複数のポール電極を備え、方法は、
アレイの中心軸からの第1の半径シフトを有するように、第1の多極構造を形成すること、及び、
アレイの中心軸からの第2の半径シフトを有するように、第2の多極構造を形成することを含み、第1の半径シフトは第2の半径シフトより大きく、また第1の多極構造は第2の多極構造とは異なる数のポール電極を有する、
マイクロ構造偏向器アレイを製造する方法。
29.第1及び第2の多極構造の収差特徴に基づいて、第1の多極構造のポール電極の数及び第2の多極構造のポール電極の数を選択することを更に含む、条項28に記載の方法。
30.第1の多極構造のポール電極の数及び第2の多極構造のポール電極の数を選択することは、それらの電場の高次成分を減少させるために、対応する数のポール電極を選択することを含む、条項29に記載の方法。
31.第1の多極構造のポール電極の数は第2の多極構造よりも大きい、条項28から30のいずれか一項に記載の方法。
32.複数の多極構造を1つ以上の層内に配置することを更に含む、条項28から31のいずれか一項に記載の方法。
33.1つ以上の層のうちの第1の層内の1つの多極構造は、1つ以上の層のうちの第2の層内の1つの多極構造と位置合わせされる、条項32に記載の方法。
34.1つのドライバを共有するために多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、多極構造のサブセットは、
同じ数のポール電極を有し、また、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、
条項28から33のいずれか一項に記載の方法。
35.第1のドライバを共有するために、1つ以上の層のうちの第1の層内の多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、第1の層内の多極構造のサブセットは、
同じ数のポール電極を有し、また、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、
条項32から34のいずれか一項に記載の方法。
36.第2のドライバを共有するために、1つ以上の層のうちの第2の層内の多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、第2の層内の多極構造のサブセットは、同じ数のポール電極を有し、また、半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、条項32から35のいずれか一項に記載の方法。
37.複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第1のグループの多極構造であって、第1のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第1のセットの半径シフトを有し、第1のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第1のグループの多極構造と、
複数の多極構造のうちの第2のグループの多極構造であって、第2のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第2のセットの半径シフトを有し、第2のグループの各多極構造は同じ数の対応するポール電極を備える、第2のグループの多極構造と、
を備え、
第1のグループの多極構造は、第2のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備え、また、第1のグループ及び第2のグループの各々は1つ以上の多極構造を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
38.第1のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最低値は、第2のセットの半径シフトのうちの半径シフトの最高値よりも大きい、条項37に記載のアレイ。
39.複数の多極構造は、複数の荷電粒子ビームを実質的に同時に偏向させるように構成される、条項37に記載のアレイ。
40.第1のグループの多極構造は、
第1のドライバに電気的に接続され第1のドライバによって駆動される、第1のサブグループの多極構造を備え、第1のサブグループの多極構造の半径シフト及び配向角は実質的に等しい、条項39に記載のアレイ。
41.多極構造の第2のグループは、
第2のドライバに電気的に接続され、第2のドライバによって駆動される、多極構造の第2のサブグループを備え、多極構造の第2のサブグループの半径シフト及び配向角は等しいか又は実質的に等しい、条項40に記載のアレイ。
42.第1及び第2のドライバのうちの1つは、対応する多極構造がマルチビーム装置内の複数の荷電粒子ビームを偏向させることができるように構成され、更に複数の多極構造は、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として構成される、条項41に記載のアレイ。
43.第1のグループの多極構造は、第2のグループの多極構造よりも大きい内径を有する、条項37に記載のアレイ。
44.第1のグループ及び第2のグループはアレイの第1の層内に配置され、またアレイは、アレイの中心軸からの第3の半径シフトを有する第3のグループの多極構造を備える第2の層を更に備える、条項39に記載のアレイ。
45.第3の半径シフトは、第1のセットの半径シフト又は第2のセットの半径シフトとは異なる、条項44に記載のアレイ。
46.第3の多極構造のポール電極の数は、第1のグループの多極構造のうちの多極構造のポール電極の数とは異なるか又は等しい、条項45に記載のアレイ。
47.複数の荷電粒子ビームのうちの1つは第1の層の多極構造によって偏向され、また複数の荷電粒子ビームのうちの別の1つは第2の層の多極構造によって偏向される、条項45に記載のアレイ。
48.複数の荷電粒子ビームのうちの1つは、第1の層の多極構造及び第2の層の多極構造によって順次偏向され、また第1の層の多極構造及び第2の層の多極構造は互いに位置合わせされる、条項45に記載のアレイ。
49.複数の荷電粒子ビームのうちの第1のビームは、第1の層の多極構造によって偏向され、また第2の層のいずれの多極構造によっても偏向されず、
複数の荷電粒子ビームのうちの第2のビームは、第2の層の多極構造によって偏向され、また第2の層のいずれの多極構造によっても偏向されず、また、
複数の荷電粒子ビームのうちの第3のビームは、第1の層の多極構造及び第2の層の多極構造によって順次偏向される、
条項45に記載のアレイ。
50.荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニットであって、ソース変換ユニットは、複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイを備え、多極構造の各々は複数のポール電極を備え、アレイは、
複数の多極構造のうちの第1のグループの多極構造であって、第1のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第1のセットの半径シフトを有し、第1のグループの各多極構造は同じ数のポール電極を備える、第1のグループの多極構造と、
複数の多極構造のうちの第2のグループの多極構造であって、第2のグループの多極構造はアレイの中心軸からの第2のセットの半径シフトを有し、第2のグループの各多極構造は同じ数のポール電極を備える、第2のグループの多極構造と、
を備え、
第1のセットの半径シフトは第2のセットの半径シフトとは異なり、第1のグループの多極構造は第2のグループの多極構造よりも多数のポール電極を備え、また第1のグループ及び第2のグループの各々は1つ以上の多極構造を備える、
荷電粒子ビームシステム内のソース変換ユニット。
51.第1のグループ及び第2のグループはアレイの第1の層内に配置され、アレイは、アレイの中心軸からの第3の半径シフトを有する第3のグループの多極構造を備える第2の層を更に備える、条項50に記載のソース変換ユニット。
52.第1及び第2のドライバのうちの1つのドライバは、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、対応する多極構造がマルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、条項6から10のいずれか一項に記載のアレイ。
53.構成される第1及び第2のドライバのうちのドライバは、構成される第1及び第2のドライバのすべてを含む、条項52に記載のアレイ。
Claims (15)
- 複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、前記マイクロ構造偏向器アレイは、
複数の多極構造のうちの第1の多極構造であって、前記マイクロ構造偏向器アレイの中心軸からの第1の半径シフトを有する、第1の多極構造と、
複数の多極構造のうちの第2の多極構造であって、前記マイクロ構造偏向器アレイの中心軸からの第2の半径シフトを有する、第2の多極構造と、
を備え、
前記第1の半径シフトは前記第2の半径シフトより大きく、また前記第1の多極構造は前記第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、
複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。 - 前記第1の多極構造は、前記複数の多極構造が複数の荷電粒子ビームを偏向させるときの偏向収差を減少させるために、前記第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、
請求項1に記載のアレイ。 - 前記第1の多極構造の前記複数のポール電極は、第1のドライバによって電気的に接続及び駆動され、また、
前記第2の多極構造の前記複数のポール電極は、第2のドライバによって電気的に接続及び駆動される、
請求項1及び2のいずれか一項に記載のアレイ。 - 前記第1のドライバ及び前記第2のドライバは、前記第1の多極構造及び前記第2の多極構造が、複数の荷電粒子ビームを偏向させるために、マルチビーム装置内のイメージ形成要素又は事前屈曲マイクロ偏向器として機能できるように構成される、請求項3に記載のアレイ。
- 前記第1の多極構造が前記第2の多極構造よりも大きな内径を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載のアレイ。
- 複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイを製造する方法であって、各多極構造は複数のポール電極を備え、方法は、アレイの中心軸からの第1の半径シフトを有するように、第1の多極構造を形成すること、及び、
アレイの中心軸からの第2の半径シフトを有するように、第2の多極構造を形成することを含み、前記第1の半径シフトは前記第2の半径シフトより大きく、また前記第1の多極構造は前記第2の多極構造よりも多数のポール電極を有する、
マイクロ構造偏向器アレイを製造する方法。 - 前記第1の多極構造及び前記第2の多極構造の収差特徴に基づいて、前記第1の多極構造のポール電極の数及び前記第2の多極構造のポール電極の数を選択することを更に含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第1の多極構造のポール電極の数及び前記第2の多極構造のポール電極の数を選択することは、それらの電場の高次成分を減少させるために、対応する数のポール電極を選択することを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1の多極構造のポール電極の数は前記第2の多極構造よりも大きい、請求項6から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数の多極構造を1つ以上の層内に配置することを更に含む、請求項6から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上の層のうちの第1の層内の1つの多極構造は、前記1つ以上の層のうちの第2の層内の1つの多極構造と位置合わせされる、請求項10に記載の方法。
- 1つのドライバを共有するために多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、多極構造の前記サブセットは、
同じ数のポール電極を有し、また、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、
請求項6から11のいずれか一項に記載の方法。 - 第1のドライバを共有するために、前記1つ以上の層のうちの第1の層内の多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、前記第1の層内の多極構造のサブセットは、
同じ数のポール電極を有し、また、
半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、
請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。 - 第2のドライバを共有するために、前記1つ以上の層のうちの第2の層内の多極構造のサブセットをグループ化することを更に含み、前記第2の層内の多極構造のサブセットは、同じ数のポール電極を有し、また、半径シフト及び配向角において等しいか又は実質的に等しい、請求項10から13のいずれか一項に記載の方法。
- 複数の荷電粒子ビームを偏向させるように構成された複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイであって、各多極構造は複数のポール電極を備え、前記マイクロ構造偏向器アレイは、
前記複数の多極構造のうちの多極構造の第1の層であって、前記第1の層は、アレイの中心軸からの第1の半径シフトを有する第1の多極構造、及び、アレイの中心軸からの第2の半径シフトを有する第2の多極構造を備え、前記第1の半径シフトは前記第2の半径シフトより大きく、また前記第1の多極構造は、前記第2の多極構造よりも多数のポール電極を備える、多極構造の前記第1の層と、前記複数の多極構造のうちの多極構造の第2の層であって、前記第2の層は、アレイの中心軸からの第3の半径シフトを有する第3の多極構造を備える、多極構造の前記第2の層と、
を備える、前記複数の多極構造を含むマイクロ構造偏向器アレイ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862787157P | 2018-12-31 | 2018-12-31 | |
US62/787,157 | 2018-12-31 | ||
JP2021533578A JP7169452B2 (ja) | 2018-12-31 | 2019-11-26 | マルチビーム検査装置 |
PCT/EP2019/082625 WO2020141031A1 (en) | 2018-12-31 | 2019-11-26 | Multi-beam inspection apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021533578A Division JP7169452B2 (ja) | 2018-12-31 | 2019-11-26 | マルチビーム検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023021984A JP2023021984A (ja) | 2023-02-14 |
JP7453314B2 true JP7453314B2 (ja) | 2024-03-19 |
Family
ID=68731978
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021533578A Active JP7169452B2 (ja) | 2018-12-31 | 2019-11-26 | マルチビーム検査装置 |
JP2022172820A Active JP7453314B2 (ja) | 2018-12-31 | 2022-10-28 | マルチビーム検査装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021533578A Active JP7169452B2 (ja) | 2018-12-31 | 2019-11-26 | マルチビーム検査装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11232928B2 (ja) |
EP (1) | EP3906578A1 (ja) |
JP (2) | JP7169452B2 (ja) |
KR (2) | KR102596926B1 (ja) |
CN (1) | CN113614873A (ja) |
IL (1) | IL284444A (ja) |
SG (1) | SG11202106369RA (ja) |
TW (2) | TW202223958A (ja) |
WO (1) | WO2020141031A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI783596B (zh) | 2017-10-02 | 2022-11-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 使用帶電粒子束之設備 |
KR102596926B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2023-11-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다중 빔 검사 장치 |
JP2022016779A (ja) * | 2020-07-13 | 2022-01-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置及びパターンの輪郭位置取得方法 |
TWI812991B (zh) * | 2020-09-03 | 2023-08-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子系統及操作帶電粒子系統之方法 |
EP3982390A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-13 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle system, aperture array, charged particle tool and method of operating a charged particle system |
US11501946B2 (en) | 2021-03-01 | 2022-11-15 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus |
DE102021116969B3 (de) | 2021-07-01 | 2022-09-22 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion |
WO2023237225A1 (en) | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Multi-beam charged particle imaging system with improved imaging of secondary electron beamlets on a detector |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000252207A (ja) | 1998-08-19 | 2000-09-14 | Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh | 粒子線マルチビームリソグラフイー |
US20160284505A1 (en) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of Plural Charged-Particle Beams |
JP2018513543A (ja) | 2016-04-13 | 2018-05-24 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
WO2018197169A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple beams of charged particles |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5136167A (en) * | 1991-01-07 | 1992-08-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam lens and deflection system for plural-level telecentric deflection |
US5929454A (en) * | 1996-06-12 | 1999-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them |
US6274877B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
US6104035A (en) * | 1997-06-02 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam exposure apparatus and method |
US6552353B1 (en) * | 1998-01-05 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-electron beam exposure method and apparatus and device manufacturing method |
JP2001168018A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
JP2001283756A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
KR20020084291A (ko) * | 2000-04-04 | 2002-11-04 | 주식회사 아도반테스토 | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 복수의 전자빔을집속하는 다축전자렌즈, 반도체소자 제조방법 |
EP2365512A3 (en) | 2000-06-27 | 2012-01-04 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam |
JP4647820B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 |
JP4756776B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法 |
US6953938B2 (en) * | 2002-10-03 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus |
JP4167050B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法 |
US7129502B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-10-31 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for generating a plurality of beamlets |
JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
US7598594B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-10-06 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate |
JP4657740B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-03-23 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
EP1753010B1 (en) | 2005-08-09 | 2012-12-05 | Carl Zeiss SMS GmbH | Particle-optical system |
ATE545147T1 (de) | 2005-09-06 | 2012-02-15 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Untersuchungsverfahren und system für geladene teilchen |
TW201142905A (en) | 2009-10-26 | 2011-12-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Modulation device and charged particle multi-beamlet lithography system using the same |
NL2007604C2 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
EP2879155B1 (en) * | 2013-12-02 | 2018-04-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi-beam system for high throughput EBI |
EP2913838B1 (en) * | 2014-02-28 | 2018-09-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool |
KR20210132752A (ko) * | 2015-03-10 | 2021-11-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 복수의 하전 입자 빔을 이용하는 장치 |
US9607805B2 (en) * | 2015-05-12 | 2017-03-28 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US9620329B1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-04-11 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
US11302511B2 (en) | 2016-02-04 | 2022-04-12 | Kla Corporation | Field curvature correction for multi-beam inspection systems |
US10840056B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Multi-column scanning electron microscopy system |
US20190066972A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
JP7100152B2 (ja) * | 2018-05-01 | 2022-07-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | マルチビーム検査装置 |
US10483080B1 (en) * | 2018-07-17 | 2019-11-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
KR102596926B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2023-11-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다중 빔 검사 장치 |
JP7409946B2 (ja) * | 2020-04-13 | 2024-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置 |
US11183364B1 (en) * | 2020-06-12 | 2021-11-23 | Fei Company | Dual beam microscope system for imaging during sample processing |
US11501946B2 (en) * | 2021-03-01 | 2022-11-15 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of influencing a charged particle beam, multipole device, and charged particle beam apparatus |
-
2019
- 2019-11-26 KR KR1020217020110A patent/KR102596926B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-26 JP JP2021533578A patent/JP7169452B2/ja active Active
- 2019-11-26 EP EP19812749.0A patent/EP3906578A1/en active Pending
- 2019-11-26 KR KR1020237037193A patent/KR20230154103A/ko active Application Filing
- 2019-11-26 CN CN201980087246.8A patent/CN113614873A/zh active Pending
- 2019-11-26 WO PCT/EP2019/082625 patent/WO2020141031A1/en unknown
- 2019-11-26 SG SG11202106369RA patent/SG11202106369RA/en unknown
- 2019-12-12 TW TW111107419A patent/TW202223958A/zh unknown
- 2019-12-12 TW TW108145444A patent/TWI759664B/zh active
- 2019-12-27 US US16/729,190 patent/US11232928B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-28 IL IL284444A patent/IL284444A/en unknown
-
2022
- 2022-01-24 US US17/583,176 patent/US20220216029A1/en active Pending
- 2022-10-28 JP JP2022172820A patent/JP7453314B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000252207A (ja) | 1998-08-19 | 2000-09-14 | Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh | 粒子線マルチビームリソグラフイー |
US20160284505A1 (en) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of Plural Charged-Particle Beams |
JP2018513543A (ja) | 2016-04-13 | 2018-05-24 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
WO2018197169A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple beams of charged particles |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202032610A (zh) | 2020-09-01 |
US20220216029A1 (en) | 2022-07-07 |
JP2022515354A (ja) | 2022-02-18 |
WO2020141031A1 (en) | 2020-07-09 |
KR102596926B1 (ko) | 2023-11-01 |
EP3906578A1 (en) | 2021-11-10 |
IL284444A (en) | 2021-08-31 |
KR20210096205A (ko) | 2021-08-04 |
JP7169452B2 (ja) | 2022-11-10 |
TW202223958A (zh) | 2022-06-16 |
US11232928B2 (en) | 2022-01-25 |
KR20230154103A (ko) | 2023-11-07 |
CN113614873A (zh) | 2021-11-05 |
US20200211811A1 (en) | 2020-07-02 |
TWI759664B (zh) | 2022-04-01 |
SG11202106369RA (en) | 2021-07-29 |
JP2023021984A (ja) | 2023-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7453314B2 (ja) | マルチビーム検査装置 | |
US11538655B2 (en) | Multi-beam inspection apparatus | |
CN112567493A (zh) | 用于多个带电粒子束的装置 | |
JP7427794B2 (ja) | 荷電粒子操作デバイス | |
WO2019170421A1 (en) | Multi-beam inspection apparatus with improved detection performance of signal electrons | |
JP2024050537A (ja) | 静電レンズ設計 | |
US20210193437A1 (en) | Multiple charged-particle beam apparatus with low crosstalk | |
EP3985710A1 (en) | Aperture patterns for defining multi-beams | |
US20230109236A1 (en) | Manipulator, manipulator array, charged particle tool, multi-beam charged particle tool, and method of manipulating a charged particle beam | |
WO2023126116A1 (en) | A beam manipulator in charged particle-beam apparatus | |
WO2023078620A2 (en) | Multiple charged-particle beam apparatus and methods of operating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221124 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7453314 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |