TWI759664B - 多光束檢測裝置 - Google Patents

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TWI759664B
TWI759664B TW108145444A TW108145444A TWI759664B TW I759664 B TWI759664 B TW I759664B TW 108145444 A TW108145444 A TW 108145444A TW 108145444 A TW108145444 A TW 108145444A TW I759664 B TWI759664 B TW I759664B
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張乾
胡學讓
劉學東
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明揭示一種多光束檢測裝置，其包括一經改良之源轉換單元。該經改良之源轉換單元可包含一微結構偏轉器陣列，其包括複數個多極結構。該微結構偏轉器陣列可包含一第一多極結構，其具有自該陣列之一中心軸之一第一徑向移位；及一第二多極結構，其具有自該陣列之該中心軸的一第二徑向移位。該第一徑向移位大於該第二徑向移位，且該第一多極結構包含比該第二多極結構更大數目個極電極，以在該複數個多極結構偏轉複數個帶電粒子束時減少偏轉像差。

Description

多光束檢測裝置
本文中所提供之實施例大體上係關於一種多光束檢測裝置，且更特定地，係關於一種包括經改良之源轉換單元的多光束檢測裝置。
在製造半導體積體電路(integrated circuit；IC)晶片時，圖案缺陷或未經邀請的粒子(殘餘物)在製造製程期間不可避免地出現在晶圓或光罩上，藉此降低良率。舉例而言，對於具有較小臨界特徵尺寸之圖案，未經邀請的粒子可為棘手的，該等圖案已經採用來滿足對IC晶片之日益高階的效能要求。
已使用運用帶電粒子束之圖案檢測工具來偵測缺陷或未經邀請的粒子。此等工具通常使用掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)。在SEM中，具有相對高能量之初級電子束減速而以相對低導降能量導降於樣本上且經聚焦以在其上形成探測光點。由於初級電子之此經聚焦探測光點，故次級電子將自表面產生。次級電子可包含由初級電子與樣本之相互作用產生的反向散射電子、次級電子或歐傑(Auger)電子。藉由掃描樣本表面上方之探測光點且收集次級電子，圖案檢測工具可獲得樣本表面之影像。
本文中所提供之實施例揭示一種粒子束檢測裝置，且更特定地，揭示一種使用複數個帶電粒子束的檢測裝置。
在一些實施例中，檢測裝置中之微結構偏轉器陣列包括複數個多極結構，各多極結構包含複數個極電極。微偏轉器陣列包括複數個多極結構之第一多極結構，其具有自陣列之中心軸之第一徑向移位；及複數個多極結構之第二多極結構，其具有自陣列之中心軸之第二徑向移位。第一徑向移位大於第二徑向移位。此外，第一多極結構包含比第二多極結構更大數目個極電極以在複數個多極結構偏轉複數個帶電粒子束時減少偏轉像差。
在一些實施例中，微結構偏轉器陣列可包括多極結構之一或多個層。複數個多極結構之第一層包含第一多極結構，其具有自陣列之中心軸之第一徑向移位；及第二多極結構，其具有自陣列之中心軸之第二徑向移位。第一徑向移位大於第二徑向移位。此外，第一多極結構包含比第二多極結構更大數目個極電極以減少對應帶電粒子束之偏轉像差。微結構偏轉器陣列亦包括複數個多極結構之多極結構之第二層，該第二層包含具有自陣列之中心軸之第三徑向移位的第三多極結構。
在一些實施例中，提供一種製造微結構偏轉器陣列之方法。微結構偏轉器陣列包括複數個多極結構及包含複數個極電極的各多極結構。方法包含形成具有自陣列之中心軸之第一徑向移位的第一多極結構。方法進一步包含形成具有自陣列之中心軸之第二徑向移位的第二多極結構，其中第一徑向移位大於第二徑向移位且第一多極結構具有與第二多極結構不同數目個極電極。
本發明之其他優點將自與隨附圖式結合獲取之以下描述變得顯而易見，在該等隨附圖式中藉助於說明及實例闡述本發明之某些實施例。
10:主腔室
20:裝載鎖定腔室
30:設備前端模組
30a:第一裝載埠
30b:第二裝載埠
40:電子束工具
50:控制器
100:帶電粒子束檢測系統
201:電子源
202:初級電子束
203:初級光束交越
204:主光軸
207:樣本固持器
208:樣本
209:機動載物台
210:聚光器透鏡
211:初級細光束
212:初級細光束
213:初級細光束
220:源轉換單元
221:探測光點
222:探測光點
223:探測光點
230:主投影系統
231:物鏡
232:偏轉掃描單元
233:光束分離器
240:電子偵測器件
241:偵測元件
242:偵測元件
243:偵測元件
250:次級投影系統
251:次光軸
261:次級電子束
262:次級電子束
263:次級電子束
271:槍孔徑板
300:裝置
301:電子源
301S:源交越
302:初級電子束
304:主光軸
308:樣本
310:聚光器透鏡
311:細光束
312:細光束
313:細光束
320:源轉換單元
321:光束限制孔徑陣列
322:影像形成元件陣列
322_1:影像形成微偏轉器
322_2:影像形成微偏轉器
322_3:影像形成微偏轉器
323:預彎曲微偏轉器陣列
323_1:預彎曲微偏轉器
323_2:預彎曲微偏轉器
323_3:預彎曲微偏轉器
324:像差補償器陣列
328:徑向移位
329:徑向移位
331:物鏡
372:前細光束形成孔徑陣列
391:探測光點
392:探測光點
393:探測光點
511:電極
512:電極
513:電極
514:電極
604:光軸
622:多極結構陣列
622_1:微偏轉器
622_2:微偏轉器
622_3:微偏轉器
622_4:微偏轉器
622_5:微偏轉器
622_6:微偏轉器
622_7:微偏轉器
622_8:微偏轉器
622_9:微偏轉器
622_10:微偏轉器
622_11:微偏轉器
622_12:微偏轉器
622_13:微偏轉器
622_14:微偏轉器
622_15:微偏轉器
622_16:微偏轉器
622_17:微偏轉器
622_18:微偏轉器
622_19:微偏轉器
622_20:微偏轉器
622_21:微偏轉器
622_22:微偏轉器
622_23:微偏轉器
622_24:微偏轉器
622_25:微偏轉器
622_26:微偏轉器
622_27:微偏轉器
622_28:微偏轉器
622_29:微偏轉器
622_30:微偏轉器
622_31:微偏轉器
622_32:微偏轉器
622_33:微偏轉器
622_34:微偏轉器
622_35:微偏轉器
622_36:微偏轉器
622_37:微偏轉器
622_38:微偏轉器
622_39:微偏轉器
622_40:微偏轉器
622_41:微偏轉器
622_42:微偏轉器
622_43:微偏轉器
622_44:微偏轉器
622_45:微偏轉器
622_46:微偏轉器
622_47:微偏轉器
622_48:微偏轉器
622_49:微偏轉器
704:光軸
711:光束
712:光束
713:光束
714:光束
715:光束
722:多極結構陣列
722a:層
722a_1:微偏轉器
722a_2:微偏轉器
722a_3:微偏轉器
722a_4:微偏轉器
722a_5:微偏轉器
722b:層
722b_1:微偏轉器
722b_2:微偏轉器
722b_3:微偏轉器
722b_4:微偏轉器
722b_5:微偏轉器
750_1:微偏轉器
750_2:微偏轉器
750_3:微偏轉器
750_4:微偏轉器
750_5:微偏轉器
750_6:微偏轉器
750_7:微偏轉器
750_8:微偏轉器
750_9:微偏轉器
811:光束
812:光束
813:光束
814:光束
815:光束
822:多極結構陣列
822a:層
822a_1:微偏轉器
822a_2:光束路徑孔
822a_3:微偏轉器/光束路徑孔
822a_4:微偏轉器/光束路徑孔
822a_5:微偏轉器
822a_6:光束路徑孔
822a_7:微偏轉器
822a_8:光束路徑孔
822a_9:微偏轉器
822a_10:微偏轉器
822a_11:光束路徑孔
822a_12:微偏轉器
822a_13:光束路徑孔
822a_14:微偏轉器
822a_15:光束路徑孔
822a_16:微偏轉器
822a_17:光束路徑孔
822a_18:微偏轉器
822a_19:光束路徑孔
822a_20:微偏轉器
822a_21:光束路徑孔
822a_22:微偏轉器
822a_23:光束路徑孔
822a_24:微偏轉器
822a_25:光束路徑孔
822b:層
822b_1:光束路徑孔
822b_2:微偏轉器/光束路徑孔
822b_3:微偏轉器/光束路徑孔
822b_4:微偏轉器/光束路徑孔
822b_5:光束路徑孔
822b_6:微偏轉器
822b_7:光束路徑孔
822b_8:微偏轉器
822b_9:光束路徑孔
822b_10:光束路徑孔
822b_11:微偏轉器
822b_12:光束路徑孔
822b_13:微偏轉器
822b_14:光束路徑孔
822b_15:微偏轉器
822b_16:光束路徑孔
822b_17:微偏轉器
822b_18:光束路徑孔
822b_19:微偏轉器
822b_20:光束路徑孔
822b_21:微偏轉器
822b_22:光束路徑孔
822b_23:微偏轉器
822b_24:光束路徑孔
822b_25:微偏轉器
822b_26:微偏轉器
822b_49:微偏轉器
910:步驟
920:步驟
930:步驟
940:步驟
em:極電極
E:電場
E 1 :第一階電場
E k :第K階電場
E r :徑向分量
E θ:切向分量
G1:群組1
G2:群組2
G3:群組3
G4:群組4
G4_SG1:微偏轉器
G4_SG2:微偏轉器
G4_SG3:微偏轉器
G4_SG4:微偏轉器
P:數目
r:徑向位置
R:半徑
V1:基極電壓
V2:基極電壓
X:軸
Y:軸
αk:方向角
β:分段角/分割角
本揭示內容之上述及其他態樣自結合隨附圖式進行的例示性實施例之描述將變得更顯而易見。
圖1為符合本揭示內容之實施例的說明例示性帶電粒子束檢測系統之示意圖。
圖2為符合本揭示內容之實施例的說明作為圖1之例示性帶電粒子束檢測系統之部分的例示性多光束裝置之示意圖。
圖3A為符合本揭示內容之實施例的說明圖1之例示性帶電粒子束檢測系統之源轉換單元之例示性組態的例示性多光束裝置之示意圖。
圖3B為作為圖3A之例示性源轉換單元之部分的具有3×3組態之例示性多極結構陣列的示意圖。
圖4為多極結構內之徑向及切向靜電場之分佈的說明。
圖5A、圖5B、圖5C、圖5D及圖5E為例示性多極結構之示意圖。
圖6A為符合本揭示內容之實施例的例示性多極結構陣列之示意圖。
圖6B示意性地說明符合本揭示內容之實施例的圖6A之例示性多極結構陣列之多極結構的分組。
圖6C示意性地說明符合本揭示內容之實施例的展示於圖 6B中之群組的子分組。
圖7A為符合本揭示內容之實施例的具有多個層之例示性多極結構陣列之示意圖。
圖7B為符合本揭示內容之實施例的圖7A之多極結構陣列之例示性層的示意圖。
圖8A及圖8B為符合本揭示內容之實施例的具有多個層之例示性多極結構陣列的示意圖。
圖8C、圖8D及圖8E為符合本揭示內容之實施例的圖8A之多極結構陣列的例示性層之示意圖。
圖9為說明符合本揭示內容之實施例的製造多極結構陣列之例示性組態的例示性方法之流程圖。
現在將詳細參考例示性實施例，在隨附圖式中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考隨附圖式，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或類似元件。闡述於例示性實施例之以下描述中之實施方式並不表示符合本發明的所有實施方式。實情為，其僅為符合關於所附申請專利範圍中所列舉之本發明的態樣的裝置及方法之實例。
可藉由顯著增加IC晶片上之電路組件(諸如電晶體、電容器、二極體等)之填集密度來實現電子器件之增強之計算能力，同時減小器件之實體大小。舉例而言，智慧型電話之IC晶片(其可為拇指甲大小)可包括超過20億個電晶體，每一電晶體之大小小於人類毛髮之1/1000。因此，半導體IC製造係具有數百個個別步驟之複雜且耗時製程並不出人意料。甚至一個步驟中之錯誤亦有可能顯著影響最終產品之功能。即使一個 「致命缺陷」亦可造成器件故障。製造製程之目標為改良製程之總良率。舉例而言，對於得到75%良率之50步驟製程，各個別步驟必須具有大於99.4%之良率，且若個別步驟良率為95%，則總製程良率下降至7%。
雖然在IC晶片製造設施中高製程良率係合乎需要的，但保持高晶圓產出量(經定義為每小時處理晶圓之數量)亦為必不可少的。高製程良率及高晶圓產出量可受缺陷之存在影響(尤其當需要操作員干預以用於檢閱缺陷時)。因此，藉由檢測工具(諸如SEM)進行高產出率偵測以及微米及奈米大小缺陷之識別對於維持高良率及低成本係至關重要的。
SEM運用初級電子之聚焦光束掃描樣本之表面。初級電子與樣本相互作用，且產生次級電子。藉由運用聚焦光束掃描樣本且運用偵測器捕獲次級電子，SEM產生樣本之經掃描區域的影像。對於高產出量檢測，檢測系統中之一些使用初級電子之多個聚焦光束。由於多個聚焦光束可在同一時間掃描晶圓之不同部分，故多光束檢測系統可以比單束檢測系統快得多之速度檢測晶圓。
在習知的多光束檢測系統中，然而，增加聚焦光束之數目意謂採用較多離軸(不在系統之主光軸上)聚焦光束。離軸聚焦光束具有其隨自主光軸之徑向移位增大而增大之像差，且因此降低產生用於檢測的影像之品質。在一些情況下，此像差增加係由於一些電子束之方向需要大體上改變以掃描晶圓表面。當電子束之數目增加時，需要將一些電子束自掃描裝置之中心軸引離。為了確保所有電子束以直角到達晶圓之表面處，此等偏心電子束比圍繞中心軸之其他電子束受控更多。此較高水準之操作可導致樣本晶圓之影像模糊及離焦。本揭示內容之一個態樣係關於減小離軸聚焦光束之像差以使影像品質之下降最小化的系統及方法。此可藉由使用 固有小像差源轉換單元來達成。
出於清楚起見，圖式中之組件之相對尺寸可經放大。在以下圖式描述內，相同或類似附圖標記係指相同或類似組件或實體，且僅描述關於個別實施例之差異。如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。舉例而言，若陳述資料庫可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則資料庫可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述資料庫可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則資料庫可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。
現在參看圖1，其為符合本揭示內容之實施例的說明例示性帶電粒子束檢測系統100之示意圖。如圖1中所展示，帶電粒子束檢測系統100包括主腔室10、裝載鎖定腔室20、電子束工具40及設備前端模組(equipment front end module；EFEM)30。電子束工具40定位於主腔室10內。雖然描述及附圖係針對電子束，但應瞭解，實施例並非用以將本揭示內容限制為特定帶電粒子。
EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b可例如接收含有待檢測之晶圓(例如半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣本(晶圓及樣本在下文中統稱為「晶圓」)的晶圓前開式單元匣(front opening unified pod；FOUP)。EFEM 30中之一或多個機器人臂(圖中未展示)將晶圓輸送至裝載鎖定腔室20。
裝載鎖定腔室20可連接至裝載鎖定真空泵系統(圖中未展示)，其移除裝載鎖定腔室20中之氣體分子以達到低於大氣壓力之第一壓 力。在達到第一壓力之後，一或多個機器人臂(圖中未展示)將晶圓自裝載鎖定腔室20輸送至主腔室10。主腔室10連接至主腔室真空泵系統(圖中未展示)，其移除主腔室10中之氣體分子以達到低於第一壓力之第二壓力。在達到第二壓力之後，晶圓經受電子束工具40進行之檢測。在一些實施例中，電子束工具40可包含單光束檢測工具。在其他實施例中，電子束工具40可包含多光束檢測工具。
控制器50以電子方式連接至電子束工具40。控制器50可為經組態以實行帶電粒子束檢測系統100之各種控制的電腦。控制器50亦可包括經組態以實行各種信號及影像處理功能之處理電路系統。雖然控制器50在圖1中經展示為在包括主腔室10、裝載鎖定腔室20及EFEM 30之結構外部，但應瞭解，控制器50可為該結構之部分。雖然本揭示內容提供容納電子束檢測工具之主腔室10的實例，但應注意，本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於容納電子束檢測工具之腔室。實情為，應瞭解，亦可將前述原理應用於在第二壓力下操作之其他工具。
現參考圖2，其為符合本揭示內容之實施例的說明包括作為圖1之例示性帶電粒子束檢測系統100之部分的多光束檢測工具之例示性電子束工具40的示意圖。多光束電子束工具40(在本文中亦稱為裝置40)包含電子源201、槍孔徑板271、聚光器透鏡210、源轉換單元220、主投影系統230、機動載物台209及樣本固持器207，該樣本固持器207由機動載物台209支撐以固持待檢測之樣本208(例如，晶圓或光罩)。多束電子束工具40可進一步包含次級投影系統250及電子偵測器件240。主投影系統230可包含物鏡231。電子偵測器件240可包含複數個偵測元件241、242及243。光束分離器233及偏轉掃描單元232可安置於主投影系統230內 部。
電子源201、槍孔徑板271、聚光器透鏡210、源轉換單元220、光束分離器233、偏轉掃描單元232及主投影系統230可與裝置40之主光軸204對準。次級投影系統250及電子偵測器件240可與裝置40之次光軸251對準。
電子源201可包含陰極(圖中未展示)及提取器或陽極(圖中未展示)，其中在操作期間，電子源201經組態以自陰極發射初級電子且初級電子藉由提取器及/或陽極提取或加速以形成初級電子束202，該初級電子束202形成初級光束交越(虛擬或真實的)203。初級電子束202可經視覺化為自初級光束交越203發射。
源轉換單元220可包含影像形成元件陣列(例如圖3A之影像形成元件陣列322)、像差補償器陣列(例如圖3A之像差補償器陣列324)、光束限制孔徑陣列(例如圖3A之光束限制孔徑陣列321)及預彎曲微偏轉器陣列(例如圖3A之預彎曲微偏轉器陣列323)。在一些實施例中，預彎曲微偏轉器陣列偏轉初級電子束202之複數個初級細光束211、212，213以法向進入光束限制孔徑陣列、影像形成元件陣列及像差補償器陣列。在一些實施例中，聚光器透鏡210經設計以將初級電子束202聚焦成為平行光束且法向入射至源轉換單元220上。影像形成元件陣列可包含複數個微偏轉器或微透鏡以影響初級電子束202之複數個初級細光束211、212、213且形成初級光束交越203之複數個平行影像(虛擬或真實的)，一個平行影像關於初級細光束211、212及213中之每一者。在一些實施例中，像差補償器陣列可包含場彎曲補償器陣列(圖中未展示)及像散補償器陣列(圖中未展示)。場彎曲補償器陣列可包含複數個微透鏡以補償初級細光束211、 212及213之場彎曲像差。像散補償器陣列可包含複數個微像散校正器以補償初級細光束211、212及213之散光像差。光束限制孔徑陣列可經組態以限制個別初級細光束211、212及213之直徑。圖2展示三個初級細光束211、212及213作為一實例，且應瞭解，源轉換單元220可經組態以形成任何數目個初級細光束。控制器50可連接至圖1之帶電粒子束檢測系統100之各種部件，諸如源轉換單元220、電子偵測器件240、初級投影系統230或機動載物台209。在一些實施例中，如下文將進一步詳細地解釋，控制器50可執行各種影像及信號處理功能。控制器50亦可產生各種控制信號以管控帶電粒子束檢測系統之操作。
聚光器透鏡210經組態以聚焦初級電子束202。聚光器透鏡210可經進一步組態以藉由改變聚光器透鏡210之聚焦倍率來調整源轉換單元220下游的初級細光束211、212及213之電流。或者，可藉由更改光束限制孔徑陣列內之對應於個別初級細光束的光束限制孔徑之徑向大小來改變電流。可藉由更改射束限制孔徑之徑向大小及聚光器透鏡210之聚焦倍率兩者來改變電流。聚光器透鏡210可係可經組態以使得其第一主平面之位置可移動的可移動聚光器透鏡。可移動聚光器透鏡可經組態為磁性的，此可使得離軸細光束212及213以旋轉角照明源轉換單元220。旋轉角隨著可移動聚光器透鏡之聚焦倍率或第一主平面之位置而改變。聚光器透鏡210可為反旋轉聚光器透鏡，其可經組態以在改變聚光器透鏡210之聚焦倍率時保持旋轉角不變。在一些實施例中，聚光器透鏡210可為可移動反旋轉聚光器透鏡，其中當其聚焦倍率及第一主平面之位置改變時旋轉角並未改變。
物鏡231可經組態以將細光束211、212及213聚焦於樣本 208上以供檢測，且在當前實施例中在樣本208之表面上形成三個探測光點221、222及223。槍孔徑板271在操作中經組態以阻擋初級電子束202之周邊電子以減小庫侖(Coulomb)效應。庫侖效應可放大初級細光束211、212、213之探測光點221、222及223中之每一者的大小，且因此使檢測解析度降低。
光束分離器233可例如為韋恩(Wien)濾波器，其包含產生靜電偶極子場及磁偶極子場(在圖2中皆未展示)之靜電偏轉器。在操作中，光束分離器233可經組態以由靜電偶極子場對初級細光束211、212及213之個別電子施加靜電力。靜電力與由光束分離器233之磁偶極子場對個別電子施加之磁力的量值相等但方向相反。初級細光束211、212及213可因此以至少大體上零偏轉角至少大體上筆直地通過光束分離器233。
偏轉掃描單元232在操作中經組態以使初級細光束211、212及213偏轉以跨樣本208之表面之區段中的個別掃描區域來掃描探測光點221、222及223。回應於樣本208上之初級細光束211、212及213或探測光點221、222及223的入射，電子自樣本208顯現且產生三個次級電子束261、262及263。次級電子束261、262及263中之每一者通常包含次級電子(具有
Figure 108145444-A0305-02-0014-29
50eV之電子能量)及反向散射電子(具有介於50eV與初級細光束211、212及213之導降能量之間的電子能量)。光束分離器233經組態以使次級電子束261、262及263朝向次級投影系統250偏轉。次級投影系統250隨後將次級電子束261、262及263聚焦於電子偵測器件240之偵測元件241、242及243上。偵測元件241、242及243經配置以偵測對應次級電子束261、262及263且產生對應信號，該等信號經發送至控制器50或信號處理系統(圖中未展示)，例如以構建樣本208之對應經掃描區域的影像。
在一些實施例中，偵測元件241、242及243分別偵測對應次級電子束261、262及263，且產生去至影像處理系統(例如，控制器50)的對應強度信號輸出(圖中未展示)。在一些實施例中，每一偵測元件241、242及243可包含一或多個像素。偵測元件之強度信號輸出可為藉由偵測元件內之所有像素產生的信號之總和。
在一些實施例中，控制器50可包含影像處理系統，該影像處理系統包括影像獲取器(圖中未展示)、儲存器(圖中未展示)。影像獲取器可包含一或多個處理器。舉例而言，影像獲取器可包含電腦、伺服器、大型電腦主機、終端機、個人電腦、任何種類之行動計算器件及其類似者，或其組合。影像獲取器可經由諸如以下各者之媒體通信耦接至裝置40之電子偵測器件240：電導體、光纖纜線、可攜式儲存媒體、紅外線(IR)、藍芽、網際網路、無線網路、無線電，以及其他，或其組合。在一些實施例中，影像獲取器可自電子偵測器件240接收信號，且可構建影像。影像獲取器可因此獲取樣本208之影像。影像獲取器亦可執行各種後處理功能，諸如產生輪廓、在所獲取影像上疊加指示符及其類似者。影像獲取器可經組態以執行對所獲取影像之亮度及對比度等的調整。在一些實施例中，儲存器可為諸如以下各者之儲存媒體：硬碟、快閃驅動器、雲端儲存器、隨機存取記憶體(random access memory；RAM)、其他類型之電腦可讀記憶體及其類似者。儲存器可與影像獲取器耦接，且可用於保存作為原始影像的經掃描原始影像資料及經後處理影像。
在一些實施例中，影像獲取器可基於自電子偵測器件240接收之成像信號而獲取樣本之一或多個影像。成像信號可對應於用於進行帶電粒子成像之掃描操作。所獲取影像可為包含複數個成像區域之單一影 像。單一影像可儲存於儲存器中。單一影像可為可劃分為複數個區域之原始影像。區域中之每一者可包含一個含有樣本208之特徵的成像區域。所獲取影像可包含按一時間序列取樣多次的樣本208之單一成像區域的多個影像。多個影像可儲存於儲存器中。在一些實施例中，控制器50可經組態以利用樣本208之同一部位之多個影像執行影像處理步驟。
在一些實施例中，控制器50可包括量測電路系統(例如類比轉數位轉換器)以獲得經偵測次級電子的分佈。在偵測時間窗期間所收集之電子分佈資料與入射於晶圓表面上之初級細光束211、212及213中之每一者的對應掃描路徑資料組合可用以重構建受檢測晶圓結構之影像。經重構建影像可用以顯露樣本208之內部或外部結構的各種特徵，且藉此可用以顯露可能存在於晶圓中的任何缺陷。
在一些實施例中，控制器50可控制機動載物台209以在樣本208之檢測期間移動樣本208。在一些實施例中，控制器50可使得機動載物台209能夠在一方向上以一恆定速度連續地移動樣本208。在其他實施例中，控制器50可使得機動載物台209能夠依據掃描製程之步驟隨時間改變樣本208之移動的速度。
雖然圖2展示裝置40使用三個初級電子束，但應瞭解，裝置40可使用兩個或更多數目個初級電子束。本揭示內容並不限制用於裝置40中之初級電子束之數目。
現參考圖3A，其為符合本揭示內容之實施例的說明圖1之例示性帶電粒子束檢測系統之源轉換單元之例示性組態的例示性多光束裝置之示意圖。在一些實施例中，裝置300可包含電子源301、前細光束形成孔徑陣列372、聚光器透鏡310(與圖2之聚光器透鏡210相似)、源轉換 單元320(與圖2之源轉換單元120相似)、物鏡331(與圖2之物鏡231)相似及樣本308(與圖2之樣本208相似)。電子源301、前細光束形成孔徑陣列372、聚光器透鏡310、源轉換單元320及物鏡331與裝置之主光軸304對準。電子源301產生沿著主光軸304且具有源交越(虛擬或真實)301S之初級電子束302。前細光束形成孔徑陣列372切割初級電子束302之周邊電子以減少庫侖效應。初級電子束302可由前細光束形成機構之前細光束形成孔徑陣列372修整成三個細光束311、312及313。
在一些實施例中，源轉換單元320可包括具有光束限制孔徑之細光束限制孔徑陣列321，該光束限制孔徑經組態以限制初級電子束302之細光束311、312及313。源轉換單元320亦可包括具有影像形成微偏轉器322_1、322_2及322_3之影像形成元件陣列322，該等影像形成微偏轉器經組態以將細光束311、312及313朝向光軸304偏轉以形成源交越301S之虛擬影像。虛擬影像藉由物鏡331投影至樣本308上且在其上形成探測光點391、392及393。源轉換單元320可進一步包含經組態以補償探測光點391、392及393之像差的像差補償器陣列324。在一些實施例中，像差補償器陣列324可包括具有微透鏡之場彎曲補償器陣列(圖中未展示)，該等微透鏡分別經組態以補償探測光點391、392及393之場彎曲像差。在一些實施例中，像差補償器陣列324可包括具有微像散校正器之像散補償器陣列(圖中未展示)，該等微像散校正器分別經組態以補償探測光點391、392及393之散光像差。
在一些實施例中，源轉換單元320可進一步包含具有預彎曲微偏轉器323_1、323_2及323_3之預彎曲微偏轉器陣列323以分別彎曲細光束311、312及313從而法向入射至細光束限制孔徑陣列321上。在一 些實施例中，聚光器透鏡310可使三個細光束311、312及313聚焦以成為沿著主光軸304且垂直入射至源轉換單元320上之平行光束。
在一些實施例中，影像形成元件陣列322、像差補償器陣列324及預彎曲微偏轉器陣列323可包含微偏轉器、微透鏡或微像散校正器之多個層。
在源轉換單元320中，初級電子束302之細光束311、312及313分別由影像形成元件陣列322之微偏轉器322_1、322_2及322_3朝向主光軸304偏轉。應理解，細光束311可在到達微偏轉器322_1之前已在光軸304上；因此，細光束311可不由微偏轉器322_1偏轉。
物鏡331將細光束聚焦於樣本308之表面上，亦即將三個虛擬影像投影至樣本表面上。由樣本表面上之三個細光束311至313形成之三個影像在該樣本表面上形成三個探測光點391、392及393。調整細光束311至313之偏轉角以減小由物鏡331所致之三個探測光點391至393之離軸像差，且三個經偏轉細光束因此傳送通過或接近於物鏡331之前部焦點。
由微偏轉器(例如影像形成元件陣列322中之微偏轉器)偏轉之細光束的偏轉角與細光束之徑向移位(亦即，自光軸304至對應細光束之距離)對應。偏轉角隨著徑向移位增大而增大。具有相同徑向移位之細光束具有相同或大體上相同之偏轉角。舉例而言，如圖3B中之具有3×3陣列組態之例示性多極結構陣列所展示，微偏轉器322_2之偏轉角可與微偏轉器322_3之偏轉角相等(在其徑向移位328及329相同之情況下)。此外，細光束之偏轉方向與其對應徑向移位方向相關。此外，細光束之像差(例如，場彎曲像差及散光像差)隨著徑向移位增大而增大。具有相同或大體上相同徑向移位之細光束之像差為相同或大體上相同的，且散光像差之方 向與其徑向移位之方向相關。
圖3B展示3×3影像形成微偏轉器陣列組態，其可同時偏轉總計九個細光束。隨著細光束之數目增加，陣列之大小亦隨之增大。因此，在大的影像形成微偏轉器陣列中，一些細光束將離裝置之光軸(例如圖3A之光軸304)更遠定位且其偏轉角因而增加。由微偏轉器產生之偏轉像差隨著其偏轉角增大而增大。因此，對應探測光點之不均勻性隨著細光束之數目增加而增加。雖然圖3B展示影像形成微偏轉器陣列作為實例，但應理解，偏轉像差與陣列之大小之間的類似關係可存在於其他類型之微偏轉器陣列中。
現參考圖4，其為偏轉器內之第一階電場E 1 之徑向及切向靜電場的分佈之說明。具有中心軸線之偏轉器內部之空間點(r,θ)處的電場E之徑向及切向分量E r 及E θ可分別表示為等式(1)及(2)：
Figure 108145444-A0305-02-0019-1
Figure 108145444-A0305-02-0019-2
第K階電場E k 之強度及方向角αk為E k =k．r k-1．d k 且α k =kθ。d k 為中心軸線上之第K階分量或稱為第K階軸上分量。因此，展示於圖4中之E 1 為E 1=d 1，且α k =θ。第一階電場E 1 之強度及方向未隨著r或θ改變。因此，需要第一階電場(亦即E 1 場或d 1 分量)來偏轉電子束，且需要減少或甚至去除其他較高階軸上分量(例如d 2n+1 )。偏轉角愈大，則將需要愈強E 1 場或d 1 分量。
多等極偏轉器可定義為具有中心軸線及偶數個極電極(例如2、4、6、8、10等等)之多極結構偏轉器。在法向於偏轉器之中心軸線的 區段中，所有極電極之內部輪廓呈具有半徑R且使用分段角β平均分段之圓。舉例而言，圖5A、圖5B、圖5C、圖5D及圖5E分別展示具有四個、六個、八個、十個及十二個極電極以及90°、60°、45°、36°及30°之分段角β的偏轉器。
多等極偏轉器中之極電極em之數目P、分割角β及電位可經組態以產生d1同時使d2n+1儘可能小。極電極em自X軸逆時針計數。舉例而言，在圖5A中，電極511、512、513及514分別為e1、e2、e3及e4。表1展示相對激勵電壓之激勵設定，該相對激勵電壓可施加至各電極em以產生平行於X軸之E 1 。根據表1，表2展示關於極電極之數目之電場的軸上分量。如表3中所展示，藉由一或多個極電極旋轉表1中之相對激勵電壓之設定，E1將相應地旋轉分段角β一或多次。在表3中，表1中之激勵設定針對4極偏轉器及6極偏轉器之分段角旋轉一次，針對8極偏轉器及10極偏轉器之分段角旋轉兩次，針對12極偏轉器之分段角旋轉三次。如表4中所展示，結合表1及表3中之激勵設定且調整表1之基極電壓V1及表3之基極電壓V2，可產生在任何方向上及具有任何強度之E 1 ，且關於極電極之數目的電場之軸上分量與表2相同。此外，如表2中所展示，可藉由使用具有較高數目個極電極之偏轉器去除電場之一些較高階分量。
Figure 108145444-A0305-02-0020-3
Figure 108145444-A0305-02-0021-4
Figure 108145444-A0305-02-0021-5
Figure 108145444-A0305-02-0021-6
舉例而言，如表2中所展示，4等極偏轉器具有所有較高階分量d 2n+1 。相比之下，6等極偏轉器不具有一些較高階分量(例如d 3 、d 9 及d 15 )。使用12等極偏轉器，許多較高階分量消失(例如d 3 、d 5 、d 7 、d 9 、d 15 及d 17 )。一般而言，較高階分量在一段時間內取決於偏轉器之極數目而變為零。舉例而言，零分量之階k取決於如在以下方程式(3)中所展示之極數目(P=4+2p)：K=1+2i+n(4+2p)........................(3)； 其中p、n及i為整數，i=1、2、...p，且n=0、1、2、...∞。在一些實施例中，離裝置之光軸(例如圖3A之光軸304)更遠之微偏轉器可經組態以具有比接近於光軸之微偏轉器更大數目個極電極從而減少更多之高階軸上分量。
對於非零分量d k ，對應電場E k (r,θ)隨著偏轉器之徑向位置r與內半徑R之比率的k-1冪數以及第一分量d1而改變。因此，Ek可藉由降低比率而減小。在一些實施例中，離裝置之光軸(例如圖3A之光軸304)較遠之微偏轉器可經組態以具有比接近於軸線之微偏轉器更大之內半徑以減少非零電場Ek。
現參考圖6A、圖6B及圖6C，該等圖式為符合本揭示內容之實施例的例示性多極結構陣列622之示意圖。多極結構陣列622可為源轉換單元之部分(諸如圖3A之源轉換單元320)。特定而言，多極結構陣列622可為影像形成元件陣列(諸如圖3A之影像形成元件陣列322)或預彎曲微偏轉器陣列(諸如圖3A之預彎曲微偏轉器陣列323)。在一些實施例中，多極結構陣列622可包含複數個微偏轉器622_1至622_49。使用此7×7陣列組態，可同時偏轉四十九個帶電粒子束(例如電子束)以形成樣本表面上之探測光點。在一些實施例中，定位於陣列(例如微偏轉器622_1)之中部中之微偏轉器的中心軸線可與檢測裝置之光軸604(諸如圖3A之光軸304)對準。雖然圖6A、圖6B及圖6C展示具有7×7組態之多極結構陣列之實施 例，但應理解陣列可為任何大小。
四十九個微偏轉器622_1至622_49中之一些位於陣列結構之外部部分上且比其他微偏轉器離光軸604更遠，進而具有更大徑向移位。舉例而言，四個邊角處之微偏轉器(亦即微偏轉器622_29、622_35、622_41及622_47)離光軸604最遠定位且可不得不產生最大偏轉角。此外，當沿著X軸自微偏轉器622_1至微偏轉器622_26右移時，對應徑向移位(自光軸604之距離)增大。
為了減少由此等外部微偏轉器產生之電場的較高階分量，且因此減少對應探測光點之所得偏轉像差及不均勻性，具有較大數目個極電極的微偏轉器可用以偏轉對應光束。此外，具有較大徑向移位之微偏轉器之內半徑R可大於具有較小徑向移位之彼等者。因此，沿著如圖6A中所展示之X軸移動，微偏轉器622_1可包含六個極，微偏轉器622_2可包含八個極，微偏轉器622_10可包含十個極，且微偏轉器622_26可包含十二個極。在一些實施例中，微偏轉器622_2之內半徑R可大於微偏轉器622_1，微偏轉器622_10之內半徑R可大於微偏轉器622_2，且微偏轉器622_26之內半徑R可大於微偏轉器622_10。
圖6B說明基於自光軸之徑向移位之鄰近度的微偏轉器之例示性分組。舉例而言，可將具有<50%範圍內之徑向移位差異之微偏轉器分類成一個群組。在一些實施例中，群組之全部微偏轉器可使用相同類型之微偏轉器。舉例而言，群組1(在圖6B中標註為G1)包含陣列之中部中之微偏轉器(例如微偏轉器622_1)，其可包含6極微偏轉器。群組2(在圖6B中標註為G2)包含八個環繞群組1之微偏轉器(例如微偏轉器622_2至622_9)，該等微偏轉器可包含8極微偏轉器。群組3(在圖6B中標註為G3) 包含十六個環繞群組2之微偏轉器(例如微偏轉器622_10至622_25)，該等微偏轉器可使用10極微偏轉器。群組4(在圖6B中標註為G4)包含二十四個環繞群組4之微偏轉器(例如微偏轉器622_26至622_49)，該等微偏轉器可包含12極微偏轉器。
雖然在圖6B中，不同群組包含具有不同數目個極之微偏轉器，但應理解，一些不同群組可包含具有相同數目個極的微偏轉器。舉例而言，在一些實施例中，若偏轉像差之差異在群組1與群組2之間的可接受範圍內，則群組1及群組2中之微偏轉器(例如微偏轉器622_1至622_9)可全部使用6極微偏轉器。在此類實施例中，群組3及群組4可使用具有較高數目個極(諸如8極、10極、12極或更大)的微偏轉器。
如前關於圖6A所描述，對於具有自裝置之光軸604之相同徑向移位的該等微偏轉器，諸如在四個邊角處之微偏轉器(亦即微偏轉器622_29、622_35、622_41及622_47)，對應光束之偏轉角可相等或大體上相等。此外，具有相同偏轉角之該等微偏轉器可經組態以具有相同定向角。因此，在多極結構陣列622中，具有相同或大體上相同徑向移位及相同或大體上相同定向角之多極偏轉器的群組可經分組以共用共同驅動器(其執行各種控制功能，例如，產生用於各電極之激勵電壓、控制偏轉特性及驅動微偏轉器之控制信號)。藉由共用複數個微偏轉器(其經組態以偏轉具有相同偏轉角之對應光束)的共同驅動器，可減少陣列組態中之連接電路之數目，此係因為可將共同電壓集合佈線至群組中之全部微偏轉器。驅動器共用技術之實例可見於美國申請案第62/665,451號中，其以全文引用的方式併入本文中。
圖6C說明基於所要偏轉角之微偏轉器的群組之例示性子分 組。在群組4之微偏轉器當中，具有相同或大體上相同徑向移位之微偏轉器可經子分組在一起且共用共同驅動器。舉例而言，標註為G4_SG1之四個微偏轉器(在邊角處之者)可經一起分組為子群組1。同樣地，標註為G4_SG2之八個微偏轉器(子群組1之相鄰者)可經一起分組為子群組2；標註為G4_SG3之八個微偏轉器(子群組2之相鄰者)可經一起分組為子群組3；且標註為G4_SG4之四個微偏轉器(X軸或Y軸上之者)可經一起分組為子群組4。由於各子群組中之微偏轉器具有相同或大體上相同之徑向移位(且因此具有相同偏轉角)且具有相同數目個極，子群組中之該等微偏轉器可連接至共同驅動器。
現參考圖7A，其為符合本揭示內容之實施例之具有多個層的例示性多極結構陣列722之示意圖。多極結構陣列722可為源轉換單元之部分(諸如圖3A之源轉換單元320)。特定而言，多極結構陣列722可為影像形成元件陣列(諸如圖3A之影像形成元件陣列322)或預彎曲微偏轉器陣列(諸如圖3A之預彎曲微偏轉器陣列323)。
在一些實施例中，多極結構陣列722可包含多極結構之複數個層，諸如層722a及722b，且各層可包含複數個多極結構(例如微偏轉器)。舉例而言，層722a可包含微偏轉器722a_1至722a_5。同樣地層722b可包含微偏轉器722b_1至722b_5。在一些實施例中，該等層之中心可與裝置之光軸704對準。各層(例如722a_1及722b_1)之中部中之微偏轉器的中心可與光軸704對準。
在一些實施例中，一對微偏轉器(一者來自各層)可一起對準且可偏轉對應光束。舉例而言，722a_1及722b_1兩者可偏轉光束711。同樣地，722a_2及722b_2兩者可偏轉光束712；722a_3及722b_3兩者可 偏轉光束713；722a_4及722b_4兩者可偏轉光束714；且722a_5及722b_5兩者可偏轉光束715。在多層組態中，由於一對微偏轉器串聯偏轉單個光束，故各微偏轉器之所要偏轉角可小於單層組態中之所要偏轉角。
在一些實施例中，該對微偏轉器可使用具有相同數目個極的相同類型之微偏轉器。舉例而言，微偏轉器722a_1及722b_1皆可包含8極微偏轉器。在其他實施例中，該對微偏轉器可使用不同類型之微偏轉器。舉例而言，雖然微偏轉器722a_4可使用12極微偏轉器，但微偏轉器722b_4可使用10極微偏轉器。
現參考圖7B，其為符合本揭示內容之實施例之圖7A之多極結構陣列的例示性層之示意圖。隨著光束之數目增大，多極結構陣列之大小亦增大。在微偏轉器之大的陣列中，因此，光束中之一些將離裝置之光軸(例如圖3A之光軸304)更遠定位。位於陣列之外邊緣處之微偏轉器的偏轉角亦因此增大。由於大偏轉角，故由位於外邊緣處之此等微偏轉器偏轉之光束可遭受更大偏轉像差，進而增大對應探測光點之大小及不均勻性。如關於圖6A所描述，為了減少由此等微偏轉器產生之電場之較高階分量(進而減小對應探測光點之所得偏轉像差及不均勻性)，具有較大數目個極電極的微偏轉器可用以偏轉對應光束。相同方法可同樣用於多層微偏轉器陣列。
圖7B展示符合本揭示內容之實施例之3×3微偏轉器陣列的實例。陣列可為多層微偏轉器陣列之一層，諸如圖7A之陣列722之層722a或722b。如關於圖6A及圖6B所描述，九個微偏轉器750_1至750_9可基於徑向移位分組。舉例而言，第一群組可包含微偏轉器750_1，其具有九個微偏轉器中之最低徑向移位。第二群組可包括X及Y軸上之微偏轉器(例如 微偏轉器750_2、750_4、750_6、750_8)，該等微偏轉器具有比第一群組(例如微偏轉器750_1)更大之徑向移位。第三群組可包括四個邊角處之微偏轉器(例如微偏轉器750_3、750_5、750_7、750_9)，該等微偏轉器具有自光軸704之最大徑向移位。因此，第一群組(微偏轉器751_1)、第二群組(微偏轉器750_2、750_4、750_6、750_8)及第三群組(微偏轉器750_3、750_5、750_7、750_9)可分別包含6極微偏轉器、8極微偏轉器及12極微偏轉器以減少電場之較高階分量，進而降低對應探測光點的所得偏轉像差及不均勻性。雖然圖7B展示3×3陣列組態，但應理解，陣列可為任何大小。此外，雖然圖7B展示各自具有不同類型之微偏轉器之三個群組，但應理解，陣列可包含微偏轉器之群組與類型之任何組合。
此外，關於圖6C所描述之驅動器共用技術亦可運用至多層微偏轉器陣列。舉例而言，第一群組(微偏轉器750_1)可連接第一驅動器且由該第一驅動器驅動。同樣地，由於該等微偏轉器具有相同偏轉角，第二群組中之全部微偏轉器(微偏轉器750_2、750_4、750_6，750_8)可連接第二驅動器且由該第二驅動器驅動。同樣地，第三群組中之全部微偏轉器(微偏轉器750_3、750_5、750_7，750_9)可連接第三驅動器且由該第三驅動器驅動。
現參考圖8A及圖8B，該等圖式為符合本揭示內容之實施例之具有多個層的例示性多極結構陣列之示意圖。多極結構陣列822可為源轉換單元之部分(諸如圖3A之源轉換單元320)。特定而言，多極結構陣列822可為影像形成元件陣列(諸如圖3A之影像形成元件陣列322)或預彎曲微偏轉器陣列(諸如圖3A之預彎曲微偏轉器陣列323)。
在一些具有複數個微偏轉器之實施例中，一些粒子束可由 一個層中之微偏轉器偏轉，而其他粒子束可由另一層中之微偏轉器偏轉。舉例而言，光束811、814及815可由層822a之微偏轉器822a_1、822a_3及822a_5偏轉，而光束812及813可由層822b之微偏轉器822b_2及822b_3偏轉。與在微偏轉器之完整設定封裝至一個層中相比，藉由在一個層中置放一些微偏轉器及在另一層中置放其他微偏轉器，可減少連接各層中之極之電路。因此，此可改良電安全且亦可降低多極結構陣列之設計及製造製程的複雜度。
在一些實施例中，層822a及822b可包括光束路徑孔822a_2、822a_3、822b_1、822b_4及822b_5，該等光束路徑孔使光束傳送通過而不偏轉。如圖8B中所展示，由於光束路徑孔窄於微偏轉器(例如光束路徑孔822a_3之寬度窄於微偏轉器822a_1之寬度)，故陣列822之總體寬度可藉由以如圖8A及圖8B中所展示之交替形式置放微偏轉器來減小。
現參考圖8C、圖8D及圖8E，該等圖式說明符合本揭示內容之實施例的可在圖8A之多極結構陣列822內使用之例示性層的示意圖。隨著光束之數目增大，多極結構陣列之大小亦增大。在微偏轉器之大的陣列中，因此，一些光束將離裝置之光軸(例如圖3A之光軸304)更遠定位。位於結構陣列822之外邊緣處之微偏轉器的偏轉角亦因此增大。由於大偏轉角，故由位於外邊緣處之此等微偏轉器偏轉之光束可遭受更大偏轉像差，進而增大對應探測光點之大小及不均勻性。如關於圖6A所描述，為了減少由此等微偏轉器產生之電場之較高階分量，進而減小對應探測光點之所得偏轉像差及不均勻性，具有較高數目個極電極的微偏轉器可用以偏轉對應光束。相同方法可同樣用於多層微偏轉器陣列(比如圖8A之陣列 822)。
圖8C展示一對例示性微偏轉器陣列層，其可同時偏轉25個粒子束(5×5組態)。在此實施例中，微偏轉器(諸如圖8B之微偏轉器822a_1、822a_4、822a_5)及光束路徑孔(諸如圖8B之光束路徑孔822a_2及822a_3)替代地配置於各層中，以此方式使得一個粒子束僅在一個層中由微偏轉器偏轉。舉例而言，層822a包含微偏轉器822a_1、822a_3、822a_5、822a_7、822a_9、822a_10、822a_12、822a_14、822a_16、822a_18、822a_20、822a_22，822a_24及光束路徑孔822a_2、822a_4、822a_6、822a_8、822a_11、822a_13、822a_15、822a_17、822a_19、822a_21、822a_23，822a_25。同樣地，層822b包含微偏轉器822b_2、822b_4、822b_6、822b_8、822b_11、822b_13、822b_15、822b_17、822b_19、822b_21、822b_23，822b_25，及光束路徑孔822b_1、822b_3、822b_5、822b_7、822b_9、822b_10、822b_12、822b_14、822b_16、822b_18、822b_20、822b_22，822b_24。因此，25個光束中之13個由層822a之微偏轉器偏轉，而剩餘12個光束由層822b之微偏轉器偏轉。
如同前述實施例，具有相同或類似徑向移位(例如在<50%範圍內之徑向移位差異)之微偏轉器可經一起分組且具有某一數目個極電極以減少偏轉像差。舉例而言，在層822a中，微偏轉器822a_1為6極微偏轉器，微偏轉器822a_3、822a_5、822a_7及822a_9為8極微偏轉器，且微偏轉器822a_10、822a_12、822a_14、822a_16、822a_18、822a_20、822a_22及822a_24為10極微偏轉器。同樣地，在層822b中，微偏轉器822b_2、822b_4、822b_6及822b_8為8極微偏轉器，且微偏轉器 822b_11、822b_13、822b_15、822b_17、822b_19、822b_21、822b_23及822b_25為10極微偏轉器。雖然圖8C展示5×5陣列組態，但應理解，陣列可為任何大小。亦應理解，陣列組態可包含微偏轉器之群組與類型之任何組合。
此外，關於圖6C及圖7B所描述之驅動器共用技術亦可運用至此實施例。舉例而言，在層822b中，第一群組中之全部微偏轉器(微偏轉器822b_2、822b_4、822b_6，822b_8)可連接第一驅動器且由該第一驅動器驅動，此係因為該等微偏轉器具有相同偏轉角及相同數目個極電極。同樣地，第二群組中之全部微偏轉器(微偏轉器822b_11、822b_13、822b_15、822b_17、822b_19、822b_21、822b_23及822b_25)可連接第二驅動器且由該第二驅動器驅動。
圖8D及圖8E展示可同時偏轉四十九個粒子束(7×7組態)之微偏轉器陣列層之另一實施例。在此實施例中，具有某一數目個極電極之微偏轉器置放於一個層中。舉例而言，具有六個極或十個極之全部微偏轉器置放於圖8D之層822a中，而具有八個極及十二個極之全部微偏轉器置放於圖8E之層822b中。在總計四十九個光束當中，十七個光束由層822a偏轉，剩餘三十二個光束由層822b偏轉。在層822a中，第一群組包括中部中的可包含六個極的微偏轉器822a_1。第二群組包括可包含十個極的微偏轉器822a_10至822a_25。同樣地，在層822b中，第三群組包括可包含八個極的微偏轉器822b_2至822b_9。第四群組包括可包含十二個極的微偏轉器822b_26至822b_49。此外，關於圖6C及圖7B所描述之驅動器共用技術亦可運用至此實施例。舉例而言，在圖8E之層822b中，放置於X或Y軸中之一者上之第三群組中之四個微偏轉器(例如微偏轉器822b_2、 822b_4、822b_6，822b_8)可連接一個共同驅動器且由該共同驅動器驅動，此係因為該等微偏轉器具有相同偏轉角、相同定向角及相同數目個極電極。同樣地，放置於邊角上之第三群組中之其他四個微偏轉器(例如微偏轉器822b_3、822b_5、822b_7，822b_9)可連接另一共同驅動器且由該共同驅動器驅動。
現參考圖9，其為說明符合本揭示內容之實施例的製造多極結構陣列之例示性組態的例示性方法之流程圖。在一些實施例中，多極結構陣列可使用半導體製造製程來製造。在一些實施例中，多極結構陣列可包含微偏轉器陣列，諸如圖6A之微偏轉器陣列622。在一些實施例中，多極結構陣列可包含複數個微偏轉器，諸如圖6A之微偏轉器622_1至622_49。為了減少由微偏轉器產生之電場的較高階分量，進而減小對應探測光點之所得偏轉像差及不均勻性，具有較大數目個極電極之微偏轉器可用以偏轉離檢測裝置之光軸更遠的對應光束。舉例而言，具有比第二多極結構(諸如圖6A之微偏轉器622_3)更大之徑向移位(亦即離光軸更遠)的第一多極結構(諸如圖6A之微偏轉器622_29)可包含具有比第二微偏轉器更大數目個極電極的微偏轉器。
在步驟910中，第一多極結構之極電極之數目基於第一多極結構之偏轉像差特性來組態。在步驟920中，第二多極結構之極電極之數目基於第二多極結構之偏轉像差特性來組態。步驟920中之第二多極結構所選擇之極電極的數目小於步驟910中之第一多極結構所選擇之極電極的數目。
在步驟930中，第一多極結構形成於具有自陣列之中心軸之第一徑向移位的位置處。在步驟940中，第二多極結構形成於具有自陣 列之中心軸之第二徑向移位的位置處。第一多極結構之光軸與位置之間的距離大於第二多極結構之光軸與位置之間的距離。因此，第一多極結構具有比第二多極結構更大之徑向移位。
應理解，第一多極結構及第二多極結構可為如上文關於例如圖6B所描述之多極結構的獨立群組之部分。此外應理解，第一多極結構及第二多極結構可位於如上文關於例如圖8C所描述之分離層上。
可使用以下條項來進一步描述實施例：
1.一種微結構偏轉器陣列，其包括複數個多極結構，各多極結構包含複數個極電極，該陣列包含：複數個多極結構之第一多極結構，第一多極結構具有自陣列之中心軸之第一徑向移位；及複數個多極結構之第二多極結構，第二多極結構具有自陣列之中心軸之第二徑向移位，其中第一徑向移位大於第二徑向移位，且第一多極結構包含比第二多極結構更大數目個極電極。
2.如條項1之陣列，其中第一多極結構包含比第二多極結構更大數目個極電極以在複數個多極結構偏轉複數個帶電粒子束時減小偏轉像差。
3.如條項1及2中任一項之陣列，其中：第一多極結構之複數個極電極電連接第一驅動器且由該第一驅動器驅動，且第二多極結構之複數個極電極電連接第二驅動器且由該第二驅動器驅動。
4.如條項3之陣列，其中第一驅動器及第二驅動器經組態以使第一多 極結構及第二多極結構能夠在多光束裝置中充當影像形成元件或預彎曲微偏轉器以偏轉複數個帶電粒子束。
5.如條項1至4中任一項之陣列，其中第一多極結構具有大於第二多極結構之內徑。
6.一種微結構偏轉器陣列，其包括複數個多極結構，各多極結構包含複數個極電極，該陣列包含：複數個多極結構之多極結構之第一群組，多極結構之第一群組具有自陣列之中心軸的徑向移位之第一集合，其中第一群組之各多極結構包含相同數目之對應極電極；及複數個多極結構之多極結構之第二群組，多極結構之第二群組具有自陣列之中心軸的徑向移位之第二集合，其中第二群組之各多極結構包含相同數目之對應極電極，其中徑向移位之第一集合之最低徑向移位值高於徑向移位之第二集合之最高徑向移位值，且第一群組之多極結構包含比第二群組之多極結構更大數目個極電極。
7.如條項6之陣列，其中第一群組之多極結構包含比第二群組之第二多極結構更大數目個極電極以在複數個多極結構偏轉複數個帶電粒子束時減少偏轉像差。
8.如條項6及7中任一項之陣列，其中第一群組或第二群組僅可包含一個多極結構。
9.如條項6至8中任一項之陣列，其中複數個多極結構之多極結構之第一群組包含：多極結構之第一子群組，其電連接第一驅動器且由該第一驅動器驅 動，其中多極結構之第一子群組之徑向移位及定向角相等或大體上相等。
10.如條項6至9中任一項之陣列，其中複數個多極結構之多極結構之第二群組包含：多極結構之第二子群組，其電連接第二驅動器且由該第二驅動器驅動，其中多極結構之第二子群組之徑向移位及定向角相等或大體上相等。
11.如條項6至10中任一項之陣列，其中第一驅動器及第二驅動器中之至少一者經組態以使得對應多極結構能夠在多光束裝置中充當影像形成元件或預彎曲微偏轉器以偏轉複數個帶電粒子束。
12.如條項6至11中任一項之陣列，其中第一群組之一個多極結構具有大於第二群組之一個多極結構的內徑。
13.一種微結構偏轉器陣列，其包括經組態以偏轉複數個帶電粒子束之複數個多極結構，各多極結構包含複數個極電極，該陣列包含：複數個多極結構之第一層多極結構，第一層包含具有自陣列之中心軸之第一徑向移位的第一多極結構及具有自陣列之中心軸之第二徑向移位的第二多極結構，其中第一徑向移位大於第二徑向移位，且第一多極結構包含比第二多極結構更大數目個極電極；及複數個多極結構之第二層多極結構，第二層包含具有自陣列之中心軸之第三徑向移位的第三多極結構。
14.如條項13之陣列，其中第一多極結構包含比第二多極結構更大數目個極電極以減少對應帶電粒子束之偏轉像差。
15.如條項13及14中任一項之陣列，其中第三徑向移位小於第一徑向移位。
16.如條項15之陣列，其中第三徑向移位大於第二徑向移位。
17.如條項13至16中任一項之陣列，其中第三多極結構之極電極之數目大於或等於第二多極結構。
18.如條項13至16中任一項之陣列，其中第三多極結構之極電極之數目小於或等於第一多極結構。
19.如條項13、14、16及17中任一項之陣列，其中第三多極結構包含比第一多極結構更多或相等數目個極電極。
20.如條項13至19中任一項之陣列，其中複數個帶電粒子束中之一者由第一層之多極結構偏轉，且複數個帶電粒子束中的另一者由第二層之多極結構偏轉。
21.如條項13至19中任一項之陣列，其中複數個帶電粒子束中之一者由串聯的第一層之多極結構及第二層之多極結構偏轉，且第一層之多極結構與第二層之多極結構彼此對準。
22.如條項13至19中任一項之陣列，其中：複數個帶電粒子束之第一光束由第一層之多極結構偏轉，複數個帶電粒子束之第二光束由第二層之多極結構偏轉，且複數個帶電粒子束之第三光束由串聯的第一層之多極結構及第二層之多極結構偏轉。
23.如條項13至22中任一項之陣列，其中複數個多極結構之各多極結構置放在電屏蔽腔室內部以與其他多極結構電屏蔽。
24.如條項13至23中任一項之陣列，其中第一層之第一多極結構具有大於第二層之第二多極結構之內徑。
25.如條項13至24中任一項之陣列，其中第一層之多極結構中之兩者或更多者： 具有相同數目個極電極，在徑向移位及定向角上相等或大體上相等，且電連接第一驅動器且由該第一驅動器驅動。
26.如條項13至25中任一項之陣列，其中第二層之多極結構中之兩者或更多者：具有相同數目個極電極，在徑向移位及定向角上相等或大體上相等，且電連接第二驅動器且由該第二驅動器驅動。
27.一種位於帶電粒子束系統中之源轉換單元，其包含如條項13至26中任一項之陣列。
28.一種製造包括複數個多極結構之微結構偏轉器陣列之方法，各多極結構包含複數個極電極，該方法包含：形成具有自陣列之中心軸之第一徑向移位的第一多極結構；及形成具有自陣列之中心軸之第二徑向移位的第二多極結構，其中第一徑向移位大於第二徑向移位且第一多極結構具有與第二多極結構不同數目個極電極。
29.如條項28之方法，其進一步包含基於第一多極結構及第二多極結構之像差特性而選擇第一多極結構之極電極之數目及第二多極結構之極電極之數目。
30.如條項29之方法，其中選擇第一多極結構之極電極之數目及第二多極結構之極電極之數目包含選擇對應極電極數目以減少其電場之高階分量。
31.如條項28至30中任一項之方法，其中第一多極結構之極電極之 數目大於或等於第二多極結構。
32.如條項28至31中任一項之方法，其進一步包含將複數個多極結構置放於一或多個層中。
33.如條項32之方法，其中一或多個層之第一層中的一個多極結構與一或多個層之第二層中之一個多極結構對準。
34.如條項28至33中任一項之方法，其進一步包含分組多極結構之子集以共用一個驅動器，其中多極結構之子集：具有相同數目個極電極，且在徑向移位及定向角上相等或大體上相等。
35.如條項32至34中任一項之方法，其進一步包含分組一或多個層之第一層中之多極結構的子集以共用第一驅動器，其中第一層中之多極結構的子集：具有相同數目個極電極，且在徑向移位及定向角上相等或大體上相等。
36.如條項32至35中任一項之方法，其進一步包含分組一或多個層之第二層中之多極結構的子集以共用第二驅動器，其中第二層中之多極結構之子集：具有相同數目個極電極，且在徑向移位及定向角上相等或大體上相等。
37.一種微結構偏轉器陣列，其包括複數個多極結構，各多極結構包含複數個極電極，該陣列包含：複數個多極結構之多極結構之第一群組，多極結構之第一群組具有自陣列之中心軸的徑向移位之第一集合，其中第一群組之各多極結構包含相同數目之對應極電極；及 複數個多極結構之多極結構之第二群組，多極結構之第二群組具有自陣列之中心軸的徑向移位之第二集合，其中第二群組之各多極結構包含相同數目之對應極電極，其中第一群組之多極結構包含比第二群組之多極結構更大數目個極電極，且其中第一群組及第二群組中之每一者包含一或多個多極結構。
38.如條項37之陣列，其中徑向移位之第一集合之最低徑向移位值高於徑向移位之第二集合之最高徑向移位值。
39.如條項37之陣列，其中複數個多極結構經組態以大體上同時偏轉複數個帶電粒子束。
40.如條項39之陣列，其中多極結構之第一群組包含：多極結構之第一子群組，其電連接至第一驅動器且由該第一驅動器驅動，其中多極結構之第一子群組之徑向移位與定向角大體上相等。
41.如條項40之陣列，其中多極結構之第二群組包含：多極結構之第二子群組，其電連接至第二驅動器且由該第二驅動器驅動，其中多極結構之第二子群組之徑向移位及定向角相等或大體上相等。
42.如條項41之陣列，其中第一驅動器及第二驅動器中之一者經組態以使對應多極結構能夠偏轉多光束裝置中的複數個帶電粒子束，且其中複數個多極結構進一步經組態為多光束裝置中之影像形成元件或預彎曲微偏轉器。
43.如條項37之陣列，其中第一群組之多極結構具有大於第二群組之多極結構的內徑。
44.如條項39之陣列，其中第一群組及第二群組配置於陣列之第一 層中，且其中陣列進一步包含第二層，該第二層包含具有自陣列之中心軸之第三徑向移位的多極結構之第三群組。
45.如條項44之陣列，其中第三徑向移位不同於徑向移位之第一集合或徑向移位之第二集合。
46.如條項45之陣列，其中第三多極結構之極電極之數目與多極結構之第一群組之多極結構的極電極之數目不同或相等。
47.如條項45之陣列，其中複數個帶電粒子束中之一者由第一層之多極結構偏轉，且複數個帶電粒子束中的另一者由第二層之多極結構偏轉。
48.如條項45之陣列，其中複數個帶電粒子束中之一者由串聯的第一層之多極結構及第二層之多極結構偏轉，且第一層之多極結構與第二層之多極結構彼此對準。
49.如條項45之陣列，其中：複數個帶電粒子束之第一光束由第一層之多極結構偏轉，而不由第二層的任何多極結構偏轉，複數個帶電粒子束之第二光束由第二層之多極結構偏轉，而不由第二層的任何多極結構偏轉，且複數個帶電粒子束之第三光束由串聯的第一層之多極結構及第二層之多極結構偏轉。
50.一種位於帶電粒子束系統中之源轉換單元，其中源轉換單元包含包括複數個多極結構的微結構偏轉器陣列，多極結構中之每一者包含複數個極電極，該陣列包含：複數個多極結構之多極結構之第一群組，多極結構之第一群組具有 自陣列之中心軸的徑向移位之第一集合，其中第一群組之各多極結構包含相同數目個極電極；及複數個多極結構之多極結構之第二群組，多極結構之第二群組具有自陣列之中心軸的徑向移位之第二集合，其中第二群組之各多極結構包含相同數目個極電極，其中徑向移位之第一集合與徑向移位之第二集合不同，其中第一群組之多極結構包含比第二群組之多極結構更大數目個極電極，且其中第一群組及第二群組中之每一者包含一或多個多極結構。
51.如條項50之源轉換單元，其中第一群組及第二群組配置於陣列之第一層中，陣列進一步包含第二層，該第二層包含具有自陣列之中心軸之第三徑向移位的多極結構之第三群組。
52.如條項6至10中任一項之陣列，其中第一驅動器及第二驅動器之驅動器經組態以使得對應多極結構能夠在多光束裝置中充當影像形成元件或預彎曲微偏轉器以偏轉複數個帶電粒子束。
53.如條項52之陣列，其中正經組態之第一驅動器及第二驅動器之驅動器包括全部正經組態之第一驅動器及第二驅動器。
雖然已經結合各種實施例描述了本發明，但自本說明書之考量及本文中揭示之本發明之實踐，本發明之其他實施例對於熟習此項技術者將顯而易見。僅希望說明書及實例視為例示性的，其中本發明之真正範疇及精神藉由以下申請專利範圍指示。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述一般進行修改。
604:光軸
622:多極結構陣列
622_1:微偏轉器
622_2:微偏轉器
622_3:微偏轉器
622_4:微偏轉器
622_5:微偏轉器
622_6:微偏轉器
622_7:微偏轉器
622_8:微偏轉器
622_9:微偏轉器
622_10:微偏轉器
622_11:微偏轉器
622_12:微偏轉器
622_13:微偏轉器
622_14:微偏轉器
622_15:微偏轉器
622_16:微偏轉器
622_17:微偏轉器
622_18:微偏轉器
622_19:微偏轉器
622_20:微偏轉器
622_21:微偏轉器
622_22:微偏轉器
622_23:微偏轉器
622_24:微偏轉器
622_25:微偏轉器
622_26:微偏轉器
622_27:微偏轉器
622_28:微偏轉器
622_29:微偏轉器
622_30:微偏轉器
622_31:微偏轉器
622_32:微偏轉器
622_33:微偏轉器
622_34:微偏轉器
622_35:微偏轉器
622_36:微偏轉器
622_37:微偏轉器
622_38:微偏轉器
622_39:微偏轉器
622_40:微偏轉器
622_41:微偏轉器
622_42:微偏轉器
622_43:微偏轉器
622_44:微偏轉器
622_45:微偏轉器
622_46:微偏轉器
622_47:微偏轉器
622_48:微偏轉器
622_49:微偏轉器
X:軸
Y:軸

Claims (15)

  1. 一種微結構偏轉器陣列，其包括複數個多極結構，各多極結構包含複數個極電極，該陣列包含： 該複數個多極結構之多極結構之一第一群組，多極結構之該第一群組具有自該陣列之一中心軸的徑向移位之一第一集合，其中該第一群組之各多極結構包含相同數目的對應極電極；及 該複數個多極結構之多極結構之一第二群組，多極結構之該第二群組具有自該陣列之該中心軸的徑向移位之一第二集合，其中該第二群組之各多極結構包含相同數目之對應極電極， 其中該第一群組之一多極結構包含比該第二群組之一多極結構更大數目個極電極，且其中該第一群組及該第二群組中之每一者包含一或多個多極結構。
  2. 如請求項1之陣列，其中徑向移位之該第一集合之最低徑向移位值高於徑向移位之該第二集合之最高徑向移位值。
  3. 如請求項1之陣列，其中該複數個多極結構經組態以大體上同時偏轉複數個帶電粒子束。
  4. 如請求項3之陣列，其中多極結構之該第一群組包含： 多極結構之一第一子群組，其電連接至一第一驅動器且由該第一驅動器驅動，其中多極結構之該第一子群組之徑向移位與定向角大體上相等。
  5. 如請求項4之陣列，其中多極結構之該第二群組包含： 多極結構之一第二子群組，其電連接至一第二驅動器且由該第二驅動器驅動，其中多極結構之該第二子群組之徑向移位與定向角大體上相等。
  6. 如請求項5之陣列，其中該第一驅動器及該第二驅動器之一驅動器經組態以使對應多極結構能夠偏轉一多光束裝置中之該複數個帶電粒子束，且其中該複數個多極結構進一步經組態為該多光束裝置中之影像形成元件或預彎曲微偏轉器。
  7. 如請求項1之陣列，其中該第一群組之一多極結構具有大於該第二群組之一多極結構的一內徑。
  8. 如請求項3之陣列，其中該第一群組及該第二群組經配置於該陣列之一第一層中，且其中該陣列進一步包含一第二層，該第二層包含具有自該陣列之該中心軸之一第三徑向移位的多極結構之一第三群組。
  9. 如請求項8之陣列，其中該第三徑向移位不同於徑向移位之該第一集合或徑向移位之該第二集合。
  10. 如請求項8之陣列，其中該第三多極結構之極電極之數目與多極結構之該第一群組之一多極結構的極電極之數目不同或相等。
  11. 如請求項8之陣列，其中該複數個帶電粒子束中之一者由該第一層之一多極結構偏轉，且該複數個帶電粒子束中的另一者由該第二層之一多極結構偏轉。
  12. 如請求項8之陣列，其中該複數個帶電粒子束中之一者由串聯的該第一層之一多極結構及該第二層之一多極結構偏轉，且該第一層之該多極結構與該第二層之該多極結構彼此對準。
  13. 如請求項8之陣列，其中： 該複數個帶電粒子束之一第一光束由該第一層之一多極結構偏轉，而不由該第二層的任何多極結構偏轉， 該複數個帶電粒子束之一第二光束由該第二層之一多極結構偏轉，而不由該第二層的任何多極結構偏轉，且 該複數個帶電粒子束之一第三光束由串聯的該第一層之一多極結構及該第二層之一多極結構偏轉。
  14. 一種位於一帶電粒子束系統中之源轉換單元，其中該源轉換單元包含一微結構偏轉器陣列，其包括複數個多極結構，該等多極結構中之每一者包含複數個極電極，該陣列包含： 該複數個多極結構之多極結構之一第一群組，多極結構之該第一群組具有自該陣列之一中心軸的徑向移位之一第一集合，其中該第一群組中之各多極結構包含相同數目的極電極；及 該複數個多極結構之多極結構之一第二群組，多極結構之該第二群組具有自該陣列之該中心軸的徑向移位之一第二集合，其中該第二群組之各多極結構包含相同數目個極電極， 其中徑向移位之該第一集合與徑向移位之該第二集合不同，其中該第一群組之一多極結構包含比該第二群組之一多極結構更大數目的極電極，且其中該第一群組及該第二群組中之每一者包含一或多個多極結構。
  15. 如請求項14之源轉換單元，其中該第一群組及該第二群組經配置於該陣列之一第一層中，該陣列進一步包含一第二層，其包含具有自該陣列之該中心軸之一第三徑向移位的多極結構之一第三群組。
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