JPH01283824A - ポジ型フォトレジスト - Google Patents
ポジ型フォトレジストInfo
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- JPH01283824A JPH01283824A JP11300488A JP11300488A JPH01283824A JP H01283824 A JPH01283824 A JP H01283824A JP 11300488 A JP11300488 A JP 11300488A JP 11300488 A JP11300488 A JP 11300488A JP H01283824 A JPH01283824 A JP H01283824A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive photoresist
- wafer
- resistivity
- conductive
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野１
本発明は、光感光性樹脂例えばポジ型フォトレジストの
添加成分に関する。 〔発明の概要〕 本発明はポジ型フォトレジストにおいて、導電性物質を
１０６〜ＬｏｌｌΩ・ｃｍの抵抗率になるよう添加する
ことにより、イオン注入時のチャージアップ現象を防止
したものである。 〔従来の技術］ レジストをマスキング材としてイオン注入する場合、ビ
ーム電流密度を制限する、或いはエレクトロンフラッド
ガンを使ってウェハー帯電を防止している。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、前述の従来技術では、注入時間が長くなりスル
ーブツトがダウンする、或いは新たな投資が必要になる
と共にその管理がたいへんになる、という問題点を有す
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもので
、その目的とするところはイオン注入時のチャージアッ
プ防止のために、導電性を有するポジ型フォトレジスト
を提供することにある。
添加成分に関する。 〔発明の概要〕 本発明はポジ型フォトレジストにおいて、導電性物質を
１０６〜ＬｏｌｌΩ・ｃｍの抵抗率になるよう添加する
ことにより、イオン注入時のチャージアップ現象を防止
したものである。 〔従来の技術］ レジストをマスキング材としてイオン注入する場合、ビ
ーム電流密度を制限する、或いはエレクトロンフラッド
ガンを使ってウェハー帯電を防止している。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、前述の従来技術では、注入時間が長くなりスル
ーブツトがダウンする、或いは新たな投資が必要になる
と共にその管理がたいへんになる、という問題点を有す
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもので
、その目的とするところはイオン注入時のチャージアッ
プ防止のために、導電性を有するポジ型フォトレジスト
を提供することにある。
本発明のポジ型フォトレジストは、導電性物質を１０１
〜１０１２Ω・ｃｍの抵抗率になるよう添加することに
より、ポジ型レジストに導電性をもたせたことを特徴と
する特 〔作 用１ 本発明の上記の構成によれば、イオン注入時にレジスト
表面の帯Ｗｆｆｉが増加することによる絶縁膜の静電破
壊現象がなくなる。 ［実 施 例］ 以下、本発明ついて実施例に基づき詳細に説明する。 第１図はウェーハー上ｌにカーボンを添加することで抵
抗率を１０８Ω・ｃｔｒｌとしたポジ型フォトレジスト
２を塗布し、フォトリングラフィでパターニングしたも
のである。これを第２図の如く、大電流イオン注入機の
ディスク３にセットする。 この時、ウェハー１はＳＵＳ或いはＡ１等の金属で構成
されるクランブリング４で固定される。 次に第３図の如く、ボロン或いはリン等のイオンビーム
５を照射し、ウェハー１にイオン注入を行なう。この際
、ポジ型フォトレジスト２に帯電したイオン６は、導電
性フォトレジスト２を介してディスク３からグランドに
流れ込み、結果的に帯電による絶縁膜破壊は発生しない
。 ポジ型フォトレジストにカーボンを添加しても、レジス
トの耐熱性及び解像性が劣化することはない、また、レ
ジストばくりに際してはイオン注入によって形成された
変質層のみを０□プラズマで灰化し、その後硫酸＋過酸
化水素水等の溶液で除去することで、ウェハー内部への
金属汚染は防止できる。 また、カーボン以外のシリコン等の導電性物質であれば
同一の効果を有することは明白である。 〔発明の効果］ 以上述べたように、ポジ型フォトレジストに１０６〜１
０１２Ω・ＣＩ＋の抵抗率となるような導電性物質を添
加させることにより、レジストが導電性となり、イオン
注入の際の静電破壊が防止できるという効果を有する。
〜１０１２Ω・ｃｍの抵抗率になるよう添加することに
より、ポジ型レジストに導電性をもたせたことを特徴と
する特 〔作 用１ 本発明の上記の構成によれば、イオン注入時にレジスト
表面の帯Ｗｆｆｉが増加することによる絶縁膜の静電破
壊現象がなくなる。 ［実 施 例］ 以下、本発明ついて実施例に基づき詳細に説明する。 第１図はウェーハー上ｌにカーボンを添加することで抵
抗率を１０８Ω・ｃｔｒｌとしたポジ型フォトレジスト
２を塗布し、フォトリングラフィでパターニングしたも
のである。これを第２図の如く、大電流イオン注入機の
ディスク３にセットする。 この時、ウェハー１はＳＵＳ或いはＡ１等の金属で構成
されるクランブリング４で固定される。 次に第３図の如く、ボロン或いはリン等のイオンビーム
５を照射し、ウェハー１にイオン注入を行なう。この際
、ポジ型フォトレジスト２に帯電したイオン６は、導電
性フォトレジスト２を介してディスク３からグランドに
流れ込み、結果的に帯電による絶縁膜破壊は発生しない
。 ポジ型フォトレジストにカーボンを添加しても、レジス
トの耐熱性及び解像性が劣化することはない、また、レ
ジストばくりに際してはイオン注入によって形成された
変質層のみを０□プラズマで灰化し、その後硫酸＋過酸
化水素水等の溶液で除去することで、ウェハー内部への
金属汚染は防止できる。 また、カーボン以外のシリコン等の導電性物質であれば
同一の効果を有することは明白である。 〔発明の効果］ 以上述べたように、ポジ型フォトレジストに１０６〜１
０１２Ω・ＣＩ＋の抵抗率となるような導電性物質を添
加させることにより、レジストが導電性となり、イオン
注入の際の静電破壊が防止できるという効果を有する。
第１図〜第３図は本発明の実施例による導電性ポジレジ
ストをイオン注入に適用した主要断面図である。 ｌ・・・ウェーハー ２・・・導電性ポジレジスト ３・・・イオン注入機ディスク ４・・・クランブリング ５・・・イオンビーム ６・・・帯電イオン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）笛 １ 図 第２図 第３図
ストをイオン注入に適用した主要断面図である。 ｌ・・・ウェーハー ２・・・導電性ポジレジスト ３・・・イオン注入機ディスク ４・・・クランブリング ５・・・イオンビーム ６・・・帯電イオン 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）笛 １ 図 第２図 第３図
Claims (1)
- ノボラック樹脂をベースとして構成されるポジ型フォ
トレジストにおいて、該樹脂に導電性物質を１０＾６〜
１０＾１＾２Ω・ｃｍの抵抗率になるよう添加させ、該
レジストに導電性をもたせたことを特徴とするポジ型フ
ォトレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11300488A JPH01283824A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | ポジ型フォトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11300488A JPH01283824A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | ポジ型フォトレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283824A true JPH01283824A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14601031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11300488A Pending JPH01283824A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | ポジ型フォトレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283824A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8269931B2 (en) | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US8946864B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-02-03 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11300488A patent/JPH01283824A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8269931B2 (en) | 2009-09-14 | 2012-09-18 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9048179B2 (en) | 2009-09-14 | 2015-06-02 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US8946864B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-02-03 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same |
| US9324579B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-26 | The Aerospace Corporation | Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates |
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