JPS6046026A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents

レジストパタ−ン形成方法

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JPS6046026A
JPS6046026A JP58154318A JP15431883A JPS6046026A JP S6046026 A JPS6046026 A JP S6046026A JP 58154318 A JP58154318 A JP 58154318A JP 15431883 A JP15431883 A JP 15431883A JP S6046026 A JPS6046026 A JP S6046026A
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JP
Japan
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resist
resist layer
layer
forming
mca
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JP58154318A
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Yoshikazu Tsujino
辻野　嘉一
Hisao Mori
久雄 森
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ〕産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造工程に用いられるレジス）パ
ターンの形成方法に関する。
口）従来技術 集積化された半導体装置の製造工程においては一般に−
ｒ−ツチングの保護膜としてレジスト材料いられる。レ
ジストにはポジ型とネガ型があり、一般にポジ型はネガ
型に比べて解像度は良いが感度が悪い。このため、ポジ
型レジストの感度の改良に関し、レジスト材料や増感剤
の研究が進められ、高感度化が図られている。
然し乍ら、増感剤をンジスト内に添加した状態でレジス
ト層を形成すると、レジスト層の現像時に増感剤が現像
液に溶出して現像液を劣化せしめると云う問題があった
。
ハ）発明の目的 本発明はこのような点に鑑みて為されたものであって、
現像液の劣化を招くことなく、レジストの感度を向上せ
しめることを目的とする。
二）発明の構成 本発明はレジスト層に多孔性を付与した後、露光、現像
する構成を採っている。
ホ）実施例 第１図乃至第３図は本発明レジストパターン形成方法を
工程順に示した断面図であって、これ等の図を用いて本
発明を詳述する。まず、酢酸メチルセロリルプ（以下Ｍ
ＣＡと称す）に２５％のボリメタクリル酸メチル（以下
ＰＭＭＡと称す）を溶解するとともに、このＰＭＭＡに
対し、１５％の粒状のテト９−ｎ−プチルアンモニクム
パークロレート（以下ＴｎＢＡＰと称す）を添加剤とし
て添加してポジ型レジストを調整する。このレジスト液
を半導体基板（１）上にレジスト膜厚が約０．５μｍに
なるように回転塗布し窒素雰囲気中１８０℃で６０分間
加熱してＴ　ｎ　Ｂ　Ａ　Ｐ　（２１を含むレジスト層
（３）を形成する（第１図）。次にこの基板をメチルア
ルコール中に常温で５分間浸漬してレジスト層（３）中
のＴｎＢＡＰｆ２１を抽出除去後常温で真空乾燥して多
数の孔（４１（４１・・・を有するレジスト層（３）を
得る（第２図）。しかる後、所望部分に加速電圧２０Ｋ
Ｖで電子線（５）を照射しＭＣＡを用いて２２℃で現像
して所望のンジストバターンを形成する（第６図）。こ
のとき、レジスト（３）は多孔性を有するため、現像液
であるＭＣＡがレジスト層Ｌ３）内にしみ込んで現像液
とレジストとの接触面積が大きくなり、僅か６分６０秒
の短時間で現像が完了した。従って結果として感度が上
昇することになる。また、現像時にＬ／レジスト層３）
は添加剤を含もしないので添加剤が現像液内に溶出する
ことは全くない。尚、この実験績、果を従来の場合とと
もに下表に示す。
表 へ）発明の効果 以上述べた如く、本発明レジスレでターン形成方法はレ
ジストに多孔性を与えているので、レジストと現像液の
接触面積が大さくなり、現像時間が短縮され、ひいては
感度の向上が図れる。また現像時にレジストは添加剤を
含有していないので現像液を劣化させることも無い。従
って、現像液の劣化を招く０となく・′ジ′ト″感度１
司上を図　することか出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は本発明レジストバクーン形成方法を
工程順に示す断面図である。 （２１−Ｔ　ｎ　Ｂ　Ａ　Ｐ　、　（３）・・・レジス
ト膜、１４１　！４１　・・・孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）基板上にレジスト層を設け、このレジスト膜を所望
    形状に露光、現像してレジストパターンを形成するに際
    し、基板上に粒子状の添加剤を含有したレジストを塗布
    し、この添加剤にのみ作用する溶媒を用いて添加剤を除
    去して上記レジスト層に多孔性を付与した後、所望パタ
    ーンの露光、現像を行うことを特徴としたレジストパタ
    ーン形成方法。
JP58154318A 1983-08-23 1983-08-23 レジストパタ−ン形成方法 Expired - Lifetime JPH0719061B2 (ja)

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JPS6046026A true JPS6046026A (ja) 1985-03-12
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0353470A2 (en) * 1988-08-01 1990-02-07 International Business Machines Corporation Method and composition for improving silylation of resists

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51111102A (en) * 1975-03-24 1976-10-01 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive printing plates
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JPS56156831A (en) * 1980-05-09 1981-12-03 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive printing plate
JPS5882241A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Sanyo Electric Co Ltd ポジ型放射線感応材料

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JPH0719061B2 (ja) 1995-03-06

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