SU938339A1 - Способ электронолитографии - Google Patents

Description

(5) СПОСОБ ЭЛЕКТРОНОЛИТОГРАФИИ

Изобретение относитс  к микроэле тронике, в частности к электронолит графии с применением негативных рез ; сторов и может на;1ти применение при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем. Известен способ электронолитографии , заключающийс  в приготовлении резистивного материала путем растворени  соответствующего полимера в растворителе, формировании тонкой полимерной пленки растворенного полимера на поверхности подложки , сушки на воздухе, прогревании полимерной пленки в течение 30 мин при , экспонировании оп ределенных участков полимера пучком электронов, про влении сло  электро норезиста, термообработки полученного резистивного изображени  lj. Экспонирование провод т при напр жении 10-30 кВ и дозе облучени  , что ведет к сильной засветке сло  электронорезиста электронами , отраженными от подложки в слои резиста, и расплыванию краев полученных рисунков под вли нием производимой после экспонировани  и про влени  термической обработки. Оба недостатка ухудшают разрешающую способность метода и привод т к увеличению размеров получаемых линий по сравнению с диаметром электронного зонда. Размер минимально возможной в этом случае линии прин то определ ть как сумму толщины электронорезиста и диаметра электронного зонда. Следовательно, при меньших толщинах электронорезиста вли ние обратноотраженных электронов меньше, Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению  вл етс  способ электронолитографии , включающий нанесение на подложку сло  негативного электронорезиста, его сушку, экспонирование , про вление и задубливание 2.

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Способ электронолитографии, включающий нанесение на подложку слоя негативного электронорезиста, его сушку, экспонирование, проявление и задублийание, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и производительности процесса, задубливание проводят путем облучения электронорезиста пучком электронов или рентгеновским излучением дозой энергии Gi = G_x-G,f, где G - доза энергии, обеспечивав ^г ющая полную полимеризацию электронорезиста;

   СЦ- доза энергии, которой проводят экспонирование электронорезиста.