CN112462572B - 光刻胶、光刻胶的图案化方法及生成印刷电路板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光刻胶，包括有机溶剂和钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为TixZryOzLn,其中，x、y、z分别独立地选自1～6中的任意整数，n选自5～30中的任意整数，L为有机物配体，所述有机物配体具有可自由基引发聚合的基团。本发明还公开了一种光刻胶的图案化方法。本发明还公开了一种印刷电路板的方法。

Description

光刻胶、光刻胶的图案化方法及生成印刷电路板的方法
技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域，特别是涉及一种光刻胶、光刻胶的图案化方法及生成印刷电路板的方法。
背景技术
随着大规模集成电路集成度的不断提高，其特征尺寸越来越小，加工尺寸已经进入纳米级。集成电路的发展需要光刻技术的支持，光刻胶/光致抗蚀剂是光刻技术最关键的基础材料。光刻胶是一类对光或者射线敏感的混合材料，通常由光刻胶主体材料、光敏剂、溶剂和其他一些添加剂等组成，光刻胶主体材料主要有成膜树脂、分子玻璃化合物、无机氧化物等几类。光刻胶经紫外光、电子束、离子束、准分子激光束、X射线等曝光源的照射或辐射，其溶解性、黏附性等性质发生明显变化，可以在适当的溶剂中显影形成光刻图形。
近年来，光刻图形越来越精细，光刻胶膜的厚度也逐渐减小，这就要求光刻胶不仅要具有好的抗刻蚀性质而且具有曝光前后溶解性差异大的特点。为了增强光刻胶的抗刻蚀性，已经开发了不同的含金属氧化物的光刻胶材料。然而，现有的金属氧化物容易与空气中的水反应，使得曝光区和非曝光区溶解性差异变化不大，造成光刻图形分辨率不高、线边缘粗糙度程度高。
发明内容
基于此，有必要针对传统光刻胶的光刻图形分辨率不高、线边缘粗糙度程度高的问题，提供一种光刻胶、光刻胶的图案化方法及生成印刷电路板的方法。
一种光刻胶，包括有机溶剂和钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为TixZryOzLn,其中，x、y、z分别独立地选自1～6中的任意整数，n选自5～30中的任意整数，L为有机物配体，所述有机物配体具有可自由基引发聚合的基团。
在其中一个实施例中，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为Ti2Zr6O6L20或Ti2Zr4O5L12。
在其中一个实施例中，所述钛锆氧化物纳米粒子在所述光刻胶中的质量百分数为1％～50％。
在其中一个实施例中，所述有机物配体为含有碳碳双键的有机物配体。
在其中一个实施例中，所述有机物配体选自丙烯酸、甲基丙烯酸和3,3-二甲基丙烯酸中的任意一种或多种。
在其中一个实施例中，所述光刻胶包括光致产酸剂，所述光致产酸剂能够在光照下分解形成光酸催化剂，所述光酸催化剂能够催化所述钛锆氧化物纳米粒子的团聚；和/或，所述光刻胶包括光引发剂，所述光引发剂能够引发所述钛锆氧化物纳米粒子的团聚。
在其中一个实施例中，所述有机溶剂选自丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、氯仿及二氯甲烷中的任意一种或多种。
一种光刻胶组合产品，包括所述的光刻胶以及显影剂。
在其中一个实施例中，所述显影剂选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-2-戊酮、甲基乙基酮、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、2-丁酮、2-庚酮、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种。
一种所述的光刻胶的图案化方法，包括以下步骤：
将所述光刻胶涂布在基底表面，除去所述光刻胶中的有机溶剂，在所述基底表面上形成预成膜层；
将光源透过掩膜照射在所述基底的预成膜层上进行曝光操作，使得预成膜层的曝光区域形成钛锆氧化物纳米粒子团聚体；
将显影剂施加在曝光后的预成膜层上，使得预成膜层上被掩膜遮挡的未曝光区域溶解于显影剂中，而预成膜层的曝光区域由于形成钛锆氧化物纳米粒子而保留在基底上。
在其中一个实施例中，所述曝光操作的曝光剂量为4mJ/cm2～50mJ/cm2。
在其中一个实施例中，所述基底选自硅板。
一种生成印刷电路板的方法，包括如下步骤：
按照所述的光刻胶的图案化方法制备硅板基底上具有图案化光刻胶层的预图案化板材；
利用干法或湿法刻蚀所述预图案化板材。
在传统的光刻胶中，虽然一些金属纳米粒子具有在光照下团聚的性能，但未被光照射的金属纳米粒子，由于会与空气中的水接触，造成金属纳米粒子不稳定，也会发生团聚，因此曝光和未曝光区域的溶解度差异变化不大。发明人发现，将钛锆复合形成的金属氧化物纳米粒子在空气中的性质更稳定，基本不会再受到空气湿度影响而团聚。因此，本发明的光刻胶中，钛锆氧化物纳米粒子在光照下团聚在显影液中溶解度降低，而未曝光区域钛锆氧化物纳米粒子不团聚在显影液中溶解，从而显影后能够将非曝光区域去除。钛和锆的配合提高了金属纳米粒子在空气中的稳定性，从而提高了非曝光区域和曝光区域的溶解度差异，提高光刻图形分辨率、降低线边缘粗糙度，尤其对于精密度要求较高的器件的光刻质量具有很大提升。
另外，钛锆氧化物纳米粒子具有可自由基聚合的有机物配体，一方面提高钛锆氧化物纳米粒子在有机溶剂中的分散性，另一方面有机物配体本身可在光照下发生聚合，从而有利于提高光刻胶曝光区和非曝光区的溶解度差异，有利于提高图案化的质量。
附图说明
图1为本发明实施例1的光学显微镜下的成像图形照片；
图2为本发明实施例1的光学显微镜下的成像图形照片；
图3为本发明实施例2的扫描电子显微镜下的成像图形照片；
图4为本发明对比例1的光学显微镜下的成像图形照片；
图5为本发明对比例2的光学显微镜下的成像图形照片。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明实施例提供一种光刻胶，包括有机溶剂和钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为TixZryOzLn,其中，x、y、z分别独立地选自1～6中的任意整数，n选自5～30中的任意整数，L为有机物配体，所述有机物配体具有可自由基引发聚合的基团。
在传统的光刻胶中，虽然一些金属纳米粒子具有在光照下团聚的性能，但未被光照射的金属纳米粒子，由于会与空气中的水接触，造成金属纳米粒子不稳定，也会发生团聚，因此曝光和未曝光区域的溶解度差异变化不大。发明人发现，将钛锆复合形成的金属氧化物纳米粒子在空气中的性质更稳定，基本不会再受到空气湿度影响而团聚。因此，本发明的光刻胶中，钛锆氧化物纳米粒子在光照下团聚在显影液中溶解度降低，而未曝光区域钛锆氧化物纳米粒子不团聚在显影液中溶解，从而显影后能够将非曝光区域去除。钛和锆的配合提高了金属纳米粒子在空气中的稳定性，从而提高了非曝光区域和曝光区域的溶解度差异，提高光刻图形分辨率、降低线边缘粗糙度，尤其对于精密度要求较高的器件的光刻质量具有很大提升。
另外，钛锆氧化物纳米粒子具有可自由基聚合的有机物配体，一方面提高钛锆氧化物纳米粒子在有机溶剂中的分散性，另一方面有机物配体本身可在光照下发生聚合，从而有利于提高光刻胶曝光区和非曝光区的溶解度差异，有利于提高图案化的质量。
钛锆氧化物纳米粒子中，有机物配体可以是包被在钛锆氧化物纳米粒子的表面，也可以是与金属离子共混在钛锆氧化物纳米粒子中。
钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为TixZryOzLn。x可选自1，x可选自2，x可选自3，x可选自4，x可选自5，x可选自6。y可选自1，x可选自2，x可选自3，x可选自4，x可选自5，x可选自6。z可选自1，x可选自2，x可选自3，x可选自4，x可选自5，x可选自6。x、y、z可以相同或不同，x、y、z可按照以上任意选择进行随意组合。
在一些实施例中，光刻胶中的钛锆氧化物纳米粒子的化学组成可以仅为一种，也可含有多种不同Ti、Zr、O、L比例的钛锆氧化物纳米粒子。
在一些实施例中，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式可以为Ti2Zr6O6L20或Ti2Zr4O5L12。在光刻胶中，可仅包括通式为Ti2Zr6O6L20的粒子，也可仅包括通式为Ti2Zr4O5L12的粒子，也可包括通式为Ti2Zr6O6L20和Ti2Zr4O5L12的两种粒子。
在一些实施例中，所述钛锆氧化物纳米粒子在所述光刻胶中的质量百分数为1％～50％。具体的，钛锆氧化物纳米粒子在光刻胶中的质量百分数可以为1％～5％、5％～10％、10％～15％、15％～20％、20％～25％、25％～30％、30％～35％、35％～40％、40％～45％或45％～50％。
在一些实施例中，所述有机物配体为含有碳碳双键的有机物配体。含有碳碳双键的有机物配体可在光照下发生碳碳双键自由基加成反应，使得钛锆氧化物纳米粒子聚合。一种钛锆氧化物纳米粒子中可含有一种、两种、三种或多于三种类型的有机物配体。在一实施例中，一种钛锆氧化物纳米粒子中可含有两种有机物配体，钛锆氧化物纳米粒子的可以表示为TixZryOzL1n1L2n2。在一实施例中，一种钛锆氧化物纳米粒子中可含有三种有机物配体，钛锆氧化物纳米粒子的可以表示为TixZryOzL1n1L2n2 L3n3。L1、L2、L3分别表示不同种类的有机物配体。在一些实施例中，所述有机物配体可选自丙烯酸AA、甲基丙烯酸MAA及3,3-二甲基丙烯酸DMAA中的任意一种或多种。
在一些实施例中，所述光刻胶包括光致产酸剂，所述光致产酸剂能够在光照下分解形成光酸催化剂，所述光酸催化剂能够催化所述钛锆氧化物纳米粒子的团聚。在一些实施例中，所述光刻胶包括光引发剂，所述光引发剂能够引发所述钛锆氧化物纳米粒子的团聚。在一些实施例中，光刻胶中包括所述光致产酸剂和所述光引发剂中的任意一种或两种的组合。在一些实施例中，光致产酸剂和所述光引发剂在所述光刻胶中的质量百分数可以为0～10％且不等于0，具体可以为0.01％～0.1％、0.1％～0.5％、0.5％～1％、1％～2％、2％～3％、3％～4％或4％～5％。在一些实施例中，光致产酸剂可选自光产酸剂选自N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、N-羟基琥珀酰亚胺三氟甲磺酸及N-羟基邻苯酰亚胺对甲苯磺酸中的一种或多种。在一些实施例中，光引发剂可选自香豆素类(例如7-二乙基氨基-3-(2′-苯并咪唑基)香豆素等)、安息香类(例如安息香双甲醚等)、烷基苯酮类(例如α，α-二乙氧基苯乙酮等)中的一种或多种。用于电子束光刻或极紫外光刻时，所述光刻胶可不加光致产酸剂。
光刻胶中的有机溶剂优选为钛锆氧化物纳米粒子溶解性很强的溶剂，钛锆氧化物纳米粒子完全溶解、充分分散在有机溶剂中，避免光刻胶中钛锆氧化物纳米粒子分散不均而导致曝光区域不同位置的聚合度不同，从而避免曝光区域聚合度不够的区域溶解在显影剂中。在一些实施例中，所述有机溶剂选自丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、氯仿及二氯甲烷中的任意一种或多种。
本发明实施例还提供一种光刻胶组合产品，包括上述任一实施例的光刻胶以及显影剂。光刻胶组合产品用于形成图案化的光刻胶。
显影剂与光刻胶是相互匹配的，用于溶解未曝光的光刻胶。在一些实施例中，所述显影剂选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-2-戊酮、甲基乙基酮、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、2-丁酮、2-庚酮、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种。
本发明实施例还提供一种上述任一实施例的光刻胶的图案化方法，包括以下步骤：
将所述光刻胶涂布在基底表面，除去所述光刻胶中的有机溶剂，在所述基底表面上形成预成膜层；
将光源透过掩膜照射在所述基底的预成膜层上进行曝光操作，使得预成膜层的曝光区域形成钛锆氧化物纳米粒子团聚体；
将显影剂施加在曝光后的预成膜层上，使得预成膜层上被掩膜遮挡的未曝光区域溶解于显影剂中，而预成膜层的曝光区域由于形成钛锆氧化物纳米粒子而保留在基底上。
在一些实施例中，所述曝光操作的曝光剂量为4mJ/cm2～1000mJ/cm2。曝光剂量应控制在合适的范围内，曝光剂量过小则能量过低不利于曝光区域钛锆氧化物纳米粒子的聚合，不利于形成曝光区域和非曝光区域溶解度的差异，显影效果差。相对于裸露的钛锆氧化物，含有有机物配体的纳米粒子的聚合更容易进行，曝光剂量过大则可能会造成有机物配体直接从金属氧化物上脱落形成碎片，钛锆氧化物纳米粒子不再能够发生有机溶物配体的碳碳双键自由基加成反应，降低曝光区域的聚合度。
在一些实施例中，显影剂主要用于溶解未聚合的钛锆氧化物纳米粒子。曝光区域钛锆氧化物纳米粒子发生碳碳双键自由基聚合而形成团聚体或者脱落有机物配体的金属氧化物在自由基引发下聚合为金属氧化物团聚体。曝光区域的团聚体在显影剂中不溶解于显影剂中或者曝光区域的团聚体在显影剂中的溶解度小，即使部分溶解也能够使得曝光区域仍然被团聚体覆盖。显影液与光刻胶中的有机溶剂可以相同或不同。优选的，钛锆氧化物纳米粒子在显影液中的溶解性小于在光刻胶有机溶剂中的溶解性，避免钛锆氧化物纳米粒子曝光后聚合度不够而溶解于显影液中，使得曝光区域溶解或部分溶解，造成曝光图案不精准。在一些实施例中，显影剂可选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种。在一些实施例中，显影的温度可以为室温，例如为20℃～30℃。
在一实施例中，除有机溶剂后的预成膜层的厚度可以为10nm～500nm。具体的，预成膜层的厚度可以为10nm～50nm、50nm～100nm、100nm～150nm、150nm～200nm、200nm～250nm、250nm～300nm、300nm～350nm、350nm～400nm、400nm～450nm或450nm～500nm。
在一些实施例中，所述基底选自硅板，可用于集成电路板制备。还可根据实际需求选择其他不溶于显影剂的基底。
在一些实施例中，关于掩膜，深紫外及更长波长光源为透射掩膜，极紫外为反射掩膜，电子束根据软件所设图形曝光。
本发明实施例还提供一种生成印刷电路板的方法，包括如下步骤：
按照所述的光刻胶的图案化方法制备硅板基底上具有图案化光刻胶层的预图案化板材；
利用干法或湿法刻蚀所述预图案化板材，所述硅板基底的具有光刻胶层的区域未被刻蚀，而没有光刻胶层的区域被刻蚀。
以下为具体实施例。
以下实施例均需要注意全程避光。
1.称取适量的钛锆氧化物纳米粒子TixZryOzLn(有机物配体L选自丙烯酸、甲基丙烯酸和3,3-二甲基丙烯酸中的任意一种或多种)和光致产酸剂(包括：N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、N-羟基琥珀酰亚胺三氟甲磺酸、N-羟基邻苯酰亚胺对甲苯磺酸等)和溶剂(如：丙二醇单甲醚醋酸酯、氯仿及二氯甲烷等)以一定比例(其中钛锆氧化物纳米粒子质量百分比为1％-50％，光致产酸剂质量百分比为0-10％)配置成一定浓度(溶液中固含量为1.0wt％-50wt％)的光刻胶溶液，震荡溶解，滤胶后待用。
2.设置匀胶机的转速、时间(与涂布胶膜厚度相关)，取少量光刻胶溶液旋涂于硅片表面，除溶剂制得预成膜层。
3.将预成膜层置于紫外光源下，设置曝光剂量＝光强*时间，4mJ/cm2～1000mJ/cm2等，透过掩膜(预先设定的图案)进行曝光操作。
4.曝光完成后，取出硅片，室温下采用有机溶剂(显影剂可选择：甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、正己烷或环己烷中的任意一种或多种)显影。这种强溶解性极性转换使得显影后，未曝光区域溶解而曝光区域保留，将掩膜图形成功转移到硅片表面。
5.显影完成后，氮气枪吹干硅片，待用。
6.光学显微镜或扫描电镜下观察成像图形。
具体实施例和对比例的光刻胶的组成及显影剂选自如下：
实施例1：
晶体合成：
Ti2Zr4O4(OMc)16：1.901g钛酸四丁酯，2.681g 80％正丁醇锆的正丁醇溶液和4.095g甲基丙烯酸混合，室温密闭存放，一定时间后得晶体Ti4Zr4O6(OBu)4(OMc)16。0.5gTi4Zr4O6(OBu)4(OMc)16溶于二氯甲烷，加入0.088g乙酰丙酮，搅拌30分钟，除去易挥发物，粗产物为Ti2Zr4O4(OMc)16和Ti(OBu)2(acac)2的混合物，粗产物溶于二氯甲烷，结晶分离得Ti2Zr4O4(OMc)16。
0.5g金属氧化物纳米粒子Ti2Zr4O4(OMc)12和0.05g光致产酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸溶于9.45g溶剂丙二醇单甲醚醋酸酯，用孔径0.22μm的滤头过滤。将适量过滤后的光刻胶溶液滴在硅片表面，以2000r/min的转速匀胶，时间1分钟。在100℃烘干溶剂，时间1分钟。用波长为254nm的低压汞灯曝光，曝光剂量为50mJ/cm2，用甲苯显影，硅片表面用氮气吹干，用光学显微镜观察光刻图形。该实施例光学显微镜下的成像图形如图1和图2所示。
实施例2：
0.5g金属氧化物纳米粒子Ti2Zr4O4(OMc)12与Ti(OBu)2(acac)2的混合物和0.05g光致产酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸溶于9.45g溶剂丙二醇单甲醚醋酸酯，用孔径0.22μm的滤头过滤。将适量过滤后的光刻胶溶液滴在硅片表面，以2000r/min的转速匀胶，时间1分钟。在100℃烘干溶剂，时间1分钟。用波长为254nm的低压汞灯曝光，曝光剂量为20mJ/cm2，用甲苯显影，硅片表面用氮气吹干，用扫描电子显微镜观察光刻图形。该实施例光学显微镜下的成像图形如图3所示。
实施例3：光刻胶的组成：5g钛锆氧化物纳米粒子Ti3Zr5O3(DMAA)22，0.05g光致产酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸，4.45g溶剂二氯甲烷。显影剂选自对甲苯、邻二甲苯和间二甲苯混合物。
实施例4：光刻胶的组成：1g钛锆氧化物纳米粒子Ti4Zr3O2(AA)10(MAA)10，0.1g光致产酸剂N-羟基邻苯酰亚胺对甲苯磺酸，8.9g溶剂氯仿。显影剂选自对二甲苯。
实施例5：光刻胶的组成：2.5g钛锆氧化物纳米粒子Ti6Zr6O6(AA)10(DMAA)10，0.08g光致产酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸，7.42g溶剂二氯甲烷。显影剂选自对二甲苯。
对比例1：
1g钛酸异丙酯与2.37g甲基丙烯酸混合，搅拌5分钟，加入2mL正丙醇，搅拌10分钟，加入1.23g水和2mL正丙醇，搅拌30分钟，除去溶剂后得到含Ti的纳米粒子TiOC。
0.5g金属氧化物纳米粒子TiOC和和0.05g光致产酸剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸溶于9.45g溶剂丙二醇单甲醚醋酸酯，用孔径0.22μm的滤头过滤。将适量过滤后的光刻胶溶液滴在硅片表面，以2000r/min的转速匀胶，时间1分钟。在100℃烘干溶剂，时间1分钟。用波长为254nm的低压汞灯曝光，曝光剂量为50mJ/cm2，用甲苯显影，硅片表面用氮气吹干，用光学显微镜观察光刻图形。该实施例光学显微镜下的成像图形如图4所示。
对比例2：与对比例1基本相同，区别仅在于曝光剂量为120mJ/cm2。该对比例光学显微镜下的成像图形如图5所示。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种光刻胶，其特征在于，包括有机溶剂和钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为TixZryOzLn,其中，x、y、z分别独立地选自1～6中的任意整数，n选自5～30中的任意整数，L为有机物配体，所述有机物配体具有可自由基引发聚合的基团。
2.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为Ti2Zr6O6L20或Ti2Zr4O5L12。
3.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述钛锆氧化物纳米粒子在所述光刻胶中的质量百分数为1％～50％。
4.根据权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述有机物配体为含有碳碳双键的有机物配体。
5.根据权利要求4所述的光刻胶，其特征在于，所述有机物配体选自丙烯酸、甲基丙烯酸和3,3-二甲基丙烯酸中的任意一种或多种。
6.根据权利要求1～5任一项所述的光刻胶，其特征在于，所述光刻胶包括光致产酸剂，所述光致产酸剂能够在光照下分解形成光酸催化剂，所述光酸催化剂能够催化所述钛锆氧化物纳米粒子的团聚；和/或，所述光刻胶包括光引发剂，所述光引发剂能够引发所述钛锆氧化物纳米粒子的团聚。
7.根据权利要求1～5任一项所述的光刻胶，其特征在于，所述有机溶剂选自丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、氯仿及二氯甲烷中的任意一种或多种。
8.一种光刻胶的图案化方法，包括以下步骤：
将权利要求1～7任一项所述光刻胶涂布在基底表面，除去所述光刻胶中的有机溶剂，在所述基底表面上形成预成膜层；
将光源透过掩膜照射在所述基底的预成膜层上进行曝光操作，使得预成膜层的曝光区域形成钛锆氧化物纳米粒子团聚体；
将显影剂施加在曝光后的预成膜层上，使得预成膜层上被掩膜遮挡的未曝光区域溶解于显影剂中，而预成膜层的曝光区域由于形成钛锆氧化物纳米粒子而保留在基底上。
9.根据权利要求8所述的光刻胶的图案化方法，其特征在于，所述显影剂选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-2-戊酮、甲基乙基酮、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇乙醚、丙二醇单醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、2-丁酮、2-庚酮、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种。
10.根据权利要求8所述的光刻胶的图案化方法，其特征在于，所述曝光操作的曝光剂量为4mJ/cm2～1000mJ/cm2。
11.根据权利要求8所述的光刻胶的图案化方法，其特征在于，所述基底选自硅板。
12.生成印刷电路板的方法，其特征在于，包括如下步骤：
按照权利要求8～11任一项所述的光刻胶的图案化方法制备硅板基底上具有图案化光刻胶层的预图案化板材；
利用干法或湿法刻蚀所述预图案化板材。
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