JPS62269945A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体集積回路の製造に用いて好適なレジス
トパターンの形成方法、特に超微細パターンを高精度で
形成するレジストパターン形成方法に関する。

（従来の技術） 半導体集積回路の高密度化に伴ない、集積化すべさ回路
の最小パターン寸法もますます微細になってきており、
これに伴って、Ｉｇｍ程度或はサブミクロン以下の微細
レジストパターンを高精度で形成する技術が要求されて
きている。

解像度を高めて高精度でバターニングするために従来か
ら使用されているフォトリングラフィ技術の他に、電子
線、Ｘ線或はイオンビームを線源として用いたリングラ
フィ技術の開発も行われてきている。しかしながら、量
産性、経済性或いは作業性を考慮すると、光を用いたフ
ォトリングラフィ技ｆｉｒが有利である。

フォトリングラフィ技術よる高解像度のレジストパター
ンを形成するための種々の方法が提案されている。これ
らの方法のうち、文献：　「ジャーナル　オブ、バキュ
ウム　サイエンス　テクノロジ　（Ｊｏｕｒｎａｌ　　
ｏｆ　　Ｖａｃｃｕｍ　　５ｃｉｅｎｃｅ　　Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）Ｂ３（１）、Ｊ　ａｎ／Ｆｅｂ　　１９
８５、ｐ９３２３〜３２６」に開示されているコントラ
スト　エンハンスト　７ｆトリソゲラフ　イ（Ｃｏｎｔ
ｒａｓｔ　ＥｎｈａｎｃｅｄＰｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｉｃ　）技術（以下ＣＥＰＬ技術と略称する）に
よれば、簡単なプロセスの付加により高解像度のレジス
トパターンが形成出来るとして注目されている。

この発明の説明に先立ち、以下、このＣＥ　ＰＬ技術の
原理につき第５図を参照して説明する。

第５図（Ａ）〜（Ｅ）はＣＥＰＬ技術の原理を説明する
ための工程図であり、各図は断面図として概略的に示し
である。

まず、第５図（Ａ）に示すように、シリコンウェハ（シ
リコン基板）ｌｌ上にパターニングすべき下層レジスト
層１２を設け、この下層レジスト層１２上にコントラス
トエンハンスト７ｆｊ　（（：ｏｎｔｒａｓｔＥｎｈａ
ｎｃｅｍｅｎｔ　Ｌａ７ｅｒ）と称する薄膜状の感光層
１３（以下、ＣＥＬ膜とも称する場合がある。）を設け
る。このＣＥＬｎ’ｉは最初は露光波長に対する吸収が
大きいが、光照射によって漂白され露光量が大となるに
従って、吸収が小さくなり透過率が高くなる材料で形成
されている。

ところで、光がフォトマスク】４を通過すると５光の回
折及びフォーカシング効果によって光源に対しマスク１
４の陰の領域に光が達するため、フォトマスク１４の後
方の光強度分布は第５図（Ｂ）に示すような状態となり
、その結果フォトマスクの投影光像のコントラストが下
層レジスト層１２のコントラスト閾値よりも低くなって
しまい、充分満足し得る解像度でレジストのバターニン
グを行うことが出来ない。

そこで、このＣＥＰＬの原理では、第５図ＣＢ）に示す
ようなフォトマスク１４の光像をＣＥＬ膜１膜上３して
下層レジスト層１２に投影することによってレジスト層
１２の選択的露光を行う、このようにすると、第５図（
Ｃ）に示すように、光のドーズ量（Ｒ光量）が多くてＣ
ＥＬ膜１膜上３白された部分１３ａと、ドーズ量が少な
くて未漂白となる部分１３１）とが形成される。この光
の強度分布に応じた漂白（ブリーチング：　Ｂｌｅａｃ
ｈｉｎｇ）の差により。

このＣＥＬ膜１膜上３過率が部分的に大きく変り。

従って理想的な場合には透過光の強度分布が第５図（Ｄ
）に示すような状態となる。この時、このＣＥＩ、膜１
３を透過した光はコントテストが増強（エンハンスト）
されることになる、このコントラストが増強された光が
レジストＦ＃１２に照射されることによってレジスト層
１２の選択露光が行われるので、その後の現像処理を経
た後、第５図（Ｅ）に示すような綺麗でシャープな例え
ばポジ型レジストパターン１２ａが形成出来る。

このＣＥＰＬ技術の原理によれば、ＣＥＬ膜１膜上３成
する材料の選択が重要な要素を成している。上述した文
献に開示されているＣＥＬ膜１膜上３漂白剤として水溶
性ジアゾニウム塩であるジフェニルアミン−ｐ−ジアゾ
ニウム硫酸塩を用い、これをバインダーポリマとしての
ポリビニルアルコールとともに水に溶解して、下層レジ
スト層１２上に塗布して形成していた。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述した文献に開示された材料を用いる
方法では、ジアゾニウム塩を水に溶解シて用いている。

このジアゾニウム塩は水により分解するため、ＣＥＬ塗
布溶液が長期間安定に保てないという問題点があった。

さらに、このＣＥＬ膜の波長４３６ｇｍにおける光照射
による漂白曲線は、第６図に横軸に露光量（ｍＪ／ｃｍ
２）及び縦軸に透過率（％）をプロットして示すように
、未露光部分での透過率が少なくても６０％と高く、従
ってコントラスト増強効果があまり大きくなく、これが
ため綺麗でシャープなレジストパターンの形成を期待出
来ないという問題点があった。

この発明の目的は、上述したような従来のＣＥＬ塗布溶
液の不安定性及びコントラスト増強効果に対する問題点
の解決を図ることが出来るレジスドパターン形成方法を
提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明のレジストパター
ン形成方法によれば、レジスト層に入射する光のコント
ラストを高める感光層を介してこのレジスト層を選択的
に露光し、然る後これら感光層及びレジスト層の現像処
理を行ってレジストパターンを形成するコントラストエ
ンハンストリングラフィ技術において。

ＣＥＬＭとしての感光層に光漂白剤として下記の一般式
で表わせられる芳香族炭化水素溶剤に可溶なジアゾニウ
ム塩を含ませ、このＣＥＬＪＩＱを用いて下層のレジス
ト層を露光することを＃徴とする。

Ｑ 但し、ここで、Ｃ，Ｈユ１ヤ１　は炭素数が４以上のア
ルキル基であり、Ｒはアルキル基、例えば、メチル基、
エチル基、ブチル基等である。

（作用） 光漂白剤として含ませるジアゾニウム塩は一般的に水の
存在でヒドロキシニウム塩となり、このヒドロキシニウ
ム塩からの分解が最も大きいと考えられる。このため、
室温で溶液の状態でジアゾニウム塩を安定に保つために
はジアゾニウム塩を水とまざらない炭化水素溶剤に溶解
すれば良い。

一般式に示したジアゾニウム塩は以下の（イ）及び（ロ
）に示す合成経路で製造される。

（イ） ＯＩ？ （ロ） 通常の方法で、ニトロ基を還元し、水成はアルコール中
でジアゾ化し、次にヘキサフルオロリン酸塩として単離
する。

この発明に用いるヘキサフルオロリン酸塩として例えば ■２，５−ジェトキシー４−ｐ−才クチルオキシフェニ
ルメルカプトベンゼンジアゾニウムへキサフルオロリン
酸塩 ■２．５−ジブトキシー４−ｐ−オクチルオキシフェニ
ルメルカプトベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロリン
酸塩 ■２．５−ジェトキシー４−Ｐ−ヘキシルオキシフェニ
ルメルカプトベンゼンジアゾニウムへキサフルオロリン
酸塩 ■２，５−ジェトキシー４−ｐ−ステアリルオキシフェ
ニルメルカプトベンゼンジアゾニウムへキサフルオロリ
ン酸塩 ■２，５−ジェトキシー４−ブチルオキシフェニルメル
カプトベンゼンジアゾニウムへキサフルオロリン酸塩 がある。

上述した一般式で示されるジアゾニウム塩はＣηＨ２ヤ
１の炭素数（ｎ≧４）が大きいアルキル基のため、ベン
ゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン及びそ他の
好適芳香族炭化水素溶剤に数％以上溶解する。従って、
この発明で用いるＣＥＬ膜の塗布溶液は水が含まれない
ため、水又はメチルセロソルブメタノールその他の極性
溶媒にとけるジアゾニウム塩より遥に分解しにくいため
、長時間安定である。

また、この発明の感光層に光漂白剤として含ませるジア
ゾニウム塩は露光量に応じた大きな透過率差を有するの
で、コントラスト増強効果が高く、よってＩＡＬｍ以下
の高解像度で綺麗でシャープなレジストパターンを形成
することが出来る。

また、この発明に用いるジアゾニウム塩は単独で塗布し
て感光層の皮膜を形成しても良いし、或いは好ましくは
露光波長付近に光吸収特性を有しないバインダと混合さ
せて塗！１ｊシて感光層の皮膜を形成しても良い。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明する
。尚、図はこの発明の要旨を理解出来る程度に概略的に
示してあり、各構成成分の寸法、形状、材料及び配置関
係は、特に限定して説明していない限りこの実施例にの
み限定されるものではない。

また、以下の実施例では、この発明の範囲内の好ましい
特定の条件及び数値例で説明するが、それらは単なる例
示であって、特に限定して説明していない限りこの発明
がそれらに限定されるものではないことを理解されたい
。

支ム亘ユ 既に説明したように、この発明のレジストパターンの形
成方法はコントラストエンハンストフォトリングラフィ
（ＣＥＰＬ）技術を用いる方法であり、その場合のコン
トラスト増強効果を生じさせるＣＥＬ材料として芳香族
炭化水素溶媒に可溶なジアゾニウム塩を用いている。

先ず、このジアゾニウム塩として２．５−ジェトキシ−
ｐ−オクチルオキシフェニルメルカプトベンゼンジアゾ
ニウムへキサフルオロリン酸塩（以下、単にＤＺ−１と
称する）のスペクトル特性及びブリーチング特性につき
説明する。

これら特性を調べるための感光層としてのＣＥＬ膜を次
のような条件の下で作成した。

この例では、（ＤＺ−１）の２ｇとバインダポリマとし
てのポリエステル樹脂（東洋紡製、バイロン＃２００　
（商品名））の１ｇとをモノクロロベンゼン１８ｇに溶
解しくＤＺ−１）の塗布溶液とした。この（ＤＺ−１）
溶液を１石英基板上にスピンコーティングした。続いて
、このコーティング皮膜を約６０℃の温度で約３０分間
ベーキングして乾燥させたところ、この（ＤＺ−１）膜
の膜厚は０．６５８Ｌｍと薄かった。

第２図はこの（ＤＺ−１）膜の吸収スペクトル特性を示
す曲線図で、横軸に波長（ｎｍ）及び縦軸に透過：ＪＡ
（％）を取って示し、図中実線で示す曲線工が露光前の
吸収スペクトルで破線■で示す曲線が露光後の吸収スペ
クトルである。この吸収スペクトル特性は上述のように
して作成されたＣＥＬ膜すなわち（ＤＺ−４）膜をｇ−
線で５００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した場合につい
ての結果であり、これら曲線１及び■からも理解出来る
ように、吸収係数はｇ−線（４３６ｎｍ）　で３．０ｇ
ｍ　　、ｈ−線（４０５ｎｍ）ｔ’５．７壓ｍ　及びｉ
−線（３６５ｎｍ）で４．３ｇｍ　　の値となった。こ
のように、紫外領域の広い範囲にわたって、（ＤＺ−１
）膜は著しく大きな吸収をもつことがわかる。

さらに、破線曲線■で示されるように、ｇ、ｈ−線で約
９０％以上またｉ−線で８０％以上の透過率までに大幅
に変化することがわかった。

次に、このＣＥＬ膜に紫外光を時間従って露光量を変え
て照射してその吸収スペクトルを測定したところ、第３
図に示すような結果を得た。第３図は（ＤＺ−１）膜の
ブリーチング特性を示す曲線図であり、横軸に露光量（
ｍＪ／ｃｍ２）及び縦軸に透過率（％）を取って示しで
ある。この図に示したデータはｇ−線（４３６ｎｍ）で
の透過率曲線である。この実験データからも理解出来る
ように、露光前の透過率は約ｌＯ〜１５％と低く、露光
量が約１００ｍＪ／ｃｍ２に達した後での透過率は約８
０％と高くなっており、ｇ−線で約２００　ｍ　Ｊ　／
　ｃ　ｍ　２以上となると９０％以上の透過率に達する
ことが理解出来る。このように、露光量に応じて透過率
が１０数％から９０％まで大幅に変化していることがわ
かる。

従って、この（ＤＺ−１）膜をＣＥＬＩりすなわち感光
層として用いて下層のレジスト層のパターニングを行え
ば、この（ＤＺ−１）膜によってマスクパターンの光像
のコントラスト増強効果が顕著に現われるので、従来の
ＣＥＬ膜を用いて形成する場合よりも綺麗でシャープな
レジストパターンを形成出来ると期待出来る。

次に、上述したと同様な条件の下で形成した（ＤＺ−１
）膜をＣＥＬ膜として用いてレジストパターンを形成す
る方法につき説明Ｔる。

第１図（Ａ）〜（Ｅ）はこの発明のレジストパターン形
成方法の説明に供する工程図であり、各工程段階の構成
成分を断面図として示しである。

先ず、この実施例で使用した下地層３１はＳｉ基板（シ
リコンウェハ）とし、その上側に任意好適なポジ型或は
ネガ型レジスト膜３２を設ける。この実施例では、レジ
スト膜３２としてポジ型レジスト（シラプレー社製のＭ
Ｐ１４００−２７　（商品番号））をスピンナーでＳＮ
基板３１上に塗布した後、ホットプレート上で１０５℃
の温度で６０秒間へ一キングを行って膜厚１．５μｍの
下層レジスト膜３２を形成した（第１図（Ａ））。

続いて、上述した（ＤＺ−１）２ｇ及びバインダポリマ
としてのポリエステル樹脂（東洋紡製、バイｏ７＃２０
０（Ｆｍｔ品名））Ｉｇをモノクロロベンゼン１８ｇに
溶解して（ＤＺ−１）のＣＥＬ塗布溶液を作り、この溶
液をスピンナーでレジスト層３２上に塗布し、然る後、
循環式オーブンで６０℃の温度で６０秒間へ一キングを
行い、よって膜厚０．６ルｍのＣＥＬ膜３膜長３光層と
して形成した（第１図（Ｂ））。

次に、このＣＥＬ膜３膜長３して下層レジスト層３２に
対し、フォトマスク３４のマスクパターンを、水銀ラン
プからの約３５０〜４５０ｎｍの帯域の波長の紫外線４
０でドーズ量を４５０ｍＪ／ｃｍ２として照射した（第
１図（Ｃ））、波長田域を３５０〜４５０ｎｍの範囲と
したのは、この波長領域外ではレジストの感度が低下し
、かつ、ＣＥＬの吸収スペクトル特性及びブリーチング
特性が悪くなってしまうからである。また、露光装置と
してこれに何等限定されるものではないが、パーキンエ
ルマー社製の商品番号５００ＨＴの１：１反射投影型露
光装置を用いた０図中紫外線４ｏで露光されたＣＥＬ膜
３膜長３レジスト膜３２の部分を３３ａ及び３２ａでそ
れぞれ示し、また、未露光部分を３３ｂ及び３２ｂでそ
れぞれ示す。

この紫外線照射により、フォトマスク３４の光透過領域
から直接ＣＥＬ膜３３に照射される光の光量は４５０ｍ
Ｊ／ｃｍ２であるのでその部分での光透過率は約９５％
程度となる。しかし、マスク３４によって光が遮蔽され
る領域では光量が少なくなるので、両領域の境界から光
の陰となるＣＥＬ膜３膜長３分での透過率は急激に低下
し、マスクの陰の中心付近では透過率は零に近くなり、
従ってこのＣＥＬ膜３膜長３して光の照射を受けるレジ
スト層３２の部分３２ａと、受けないレジスト層３２の
部分３２ｂ　との境界での光強度はシャープにすなわち
実質的に階段的に変化する。

この露光後、先ず、ＣＥＬ膜３膜長３去を行った。（Ｄ
Ｚ−１）の塗布膜の除去液としては下層レジスト層３２
に悪影響を及ぼさない溶媒例えばこの実施例ではモノク
ロロベンゼンを用い、これをＣＥＬ膜３膜長３室温で１
０秒間スプレーを行ってＣＥＬ膜３膜長３去した（第１
図（Ｄ））。

次に、シクロヘキサンでリンスを行い、その後、レジス
ト層３２の現像を任意好適な現像液を用いて通常の方法
で行う。この実施例では例えばメタルフリーのアルカリ
現像液（例えば、０ＦＰＲ現像液（東京応化製品の商品
名）を水で１コ１に希釈したもの）にウェハごと浸漬さ
せることにより現像を行った。この場合現像液の温度を
２３℃としかつ浸漬時間を６０秒とした。この現像処理
によって、露光部分３２ａが除去されかつ未露光部分３
２ｂが残存して第１図（Ｅ）に示すようなポジ型レジス
トパターンが形成された。

このようにして形成したレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察して調べたところ、１．５ｇｍ
のラインアンドスペースよりも大きいパターンでは、パ
ターンの側壁部が基板面に対し垂直に近い急峻な状態で
形成されており、従って、断面形状がほぼ矩形の綺麗で
シャープなレジストパターンが得られた。また、Ｉｇｍ
のラインアンドスペースも得られた。

血狡貞」 比較例として、上述した実施例で使用した（ＤＺ−１）
Ｍをレジスト層上に設けずに、同一材料のレジスト層に
対し上述した実施例の場合と同一の露光、現像その他の
処理でパターン形成を行った。尚、その時の露光量は１
５０＝ａＪ／ｃｍ２とした。

この比較例で得られたレジストパターンを走査型電子顕
微鏡で同様にして観察したところ、パターンの側壁部の
基板面に対する傾斜は上述の実施例で得られたパターン
の場合よりも緩く、従って、断面形状がほぼ台形に近か
った。また、比較例では実施例はどには綺麗でシャープ
なレジストパターンが得られなかった。また、実施例と
同様な１ｇｒｎのラインアンドスペースを得ようとする
と、レジスト層の膜厚が実施例の場合の膜厚の半分以下
となってしまい、レジスト層としての機能を期待出来な
いことがわかった。

支工廻」 次に、このジアゾニウム塩として２，５−ジ−ブトキシ
−ｐ−オクチルオキシフェニルメルカプトベンゼンジア
ゾニウムヘキサフルオロリン酸塩（以下、単にＤＺ−２
と称する）のブリーチング特性を調べるため、次のよう
な条件の下で感光層といしてのＣＥＬ膜を作成した。

この例では、（ＤＺ−２）２ｇと実施例Ｉで用いたバイ
ンダポリマとしてのポリエステル樹脂１ｇ１ｔモノクロ
ロベンゼン１８ｇに溶解しくＤＺ−２）の塗布溶液とし
た。この（Ｄ　Ｚ　−２）塗布溶液を、石英基板上にス
ピンコーティングした。

続いて、このコーティング皮膜を約６０℃の温度で約３
０分間ベーキングして乾燥させたところ、この（ＤＺ−
２）膜の膜厚は０．６ｐｍと薄かった。

この（Ｄ　Ｚ　−２）膜のブリーチング特性を第４図に
横軸に露光量（ｍＪ／ｃｍ２）を取り、縦軸に透過率（
％）を取って示した。このブリーチング特性からも理解
出来るように、（ＤＺ−２）膜の場合も、約Ｌ　ＯＯｍ
　Ｊ　／　ｃ　ｍ　２の露光量で、透過率が約９０％と
大きくなる。また、この（ＤＺ−２）膜の吸収スペクト
ル特性を示していないが、実施例■の場合と同様な傾向
を示すことが推測される。

次に、上述したと同様な条件の下で形成した（ＤＺ−２
）膜をＣＥＬ膜として用いて実施例工と同様な第１図（
Ａ）〜（Ｅ）に示した処理工程を経てレジストパターン
を形成そた場合につき説明する。

先ず、この実施例■においても下地層３ＬをＳｉ基板（
シリコンウェハ）とし、その上側に実施例工の場合と同
様に、レジスト膜３２としてポジ型レジスト（シラプレ
ー社製のＭＰ１４００−２７（商品番号））をスピンナ
ーでＳｉ基板３１上に塗布した後、ベーキングを行って
膜厚１．５ｐｍの下層レジスト膜３２を形成した（第１
図（Ａ））。

続いて、上述した（ＤＺ−２）２ｇ及びバインダポリマ
としてのポリエステル樹脂（東洋紡製。

へイロン＃２００　（商品名））Ｉｇをモノクロロベン
ゼン１８ｇに溶解して（Ｄ　Ｚ　−２）のＣＥＬ塗布溶
液を作り、この溶液をスピンナーでレジスト層３２上に
塗布し、然る後、実施例工と同様にベーキングを行い、
よって膜厚０．６ｇｍのＣＥＬ膜３膜上３光層として形
成した（第１図（Ｂ））。

次に、このＣＥＬＩＩ％３３を介して下層レジスト層３
２に対し、フォトマスク３４のマスクパターンを、水銀
ランプからの約３５０〜４５０ｎｍの帯域の波長の紫外
線４０でドーズ量を８００　ｍ　Ｊ　／　ｃ　ｍ２とし
て照射した（第１図（Ｃ））、波長領域を３５０〜４５
０ｎｍの範囲としたのは、実施例工の場合と同じ理由に
よる。

また、露光装置としてこれに何等限定されるものではな
いが、１１５縮小投影型アライナ（ＮＡ＝０．３５）を
用いた。

この露光後、先ず、ＣＥＬｌｌｆｉ３３の除去を行った
。　　（Ｄ　Ｚ　−２）のＣＥＬＩＩ＊の除去液として
は下層レジスト層３２に悪影響を及ぼさない溶媒例えば
この実施例ではモノクロロベンゼンを用い、これをＣＥ
Ｌ１５１３Ｇに、室温で１０秒間スプレーを行ってＣＥ
Ｌ膜３膜上３去した（第１図（Ｄ））。

次に、実施例Ｉと同様にシクロヘキサンでリンスを行い
、その後、レジスト層３２の現像を任意好適な現像液を
用いて通常の方法で行う。この実施例では例えば実施例
工の場合と同様なアルカリ現現像液（温度を２３℃）で
浸漬時間を６０秒としして現像を行った。この現像処理
によって、露光部分３２ａが除去されかつ未露光部分３
２１）が残存して第１図（Ｅ）に示すようなポジ型レジ
ストパターンが形成された。

このようにして形成したレジストパターンの断面形状を
走査型電子顕微鏡で観察して調べたところ、パターンの
側壁部が基板面に対し垂直に近い急峻な状態で形成され
ており、従って、断面形状がほぼ矩形で０．６ｇｍのラ
インアンドスペースの綺麗でシャープなレジストパター
ンが得られた。

比１む九Ｊ 比較例として、上述した実施例■で使用した（Ｄ　Ｚ　
−２）膜をレジスト層上に設けずに１間−材料のレジス
ト層に対し上述した実施例の場合と同一の露光、現像そ
の他の処理でパターン形成を行った。尚、その時の露光
量は１３０ｍＪ／ｃｍ２とした。

この比較例で得られたレジストパターンを走査型電子顕
微鏡で同様にして観察したところ、パターンの側壁部の
基板面に対する傾斜は上述の実施例で得られたパターン
の場合よりも緩く、従って、断面形状がほぼ台形に近か
った。また、０．７ｇｍのパターンは形成出来たが、０
．６Ｂｍのパターンは形成出来なかった。

上述した説明からも理解出来るように、この発明で用い
た芳香族炭化水素の溶剤に可溶なジアゾニウム塩はレジ
ストパターン形成に際してＣＥＬ材として用いて極めて
好適である。

また、芳香族炭化水素の溶剤に可溶なジアゾニウム塩が
ｇ、ｈ及びｉ−線に対する吸収係数が大きいので、実施
例のような広い帯域の波長に対しての解像度１ｊＬｍで
あることから理解出来るように、これらの単一波長の光
のみでの露光によってサブミクロン以下の解像度を期待
出来る。

この発明は上述した実施例のみに限定されるものではな
く、多くの変形又は変更を行い得ること明らかである。

例えば、この発明に用いる芳香族炭化水素溶剤に可溶な
ジアゾニウム塩は実施例Ｉ及ブ■に述べた種類のヘキサ
フルオロリン酸塩にのみ限定されるものではなく、これ
らと同一の効果が得られる他の種類のヘキサフルオロリ
ン酸塩であっても良いこと明らかである。

また、この発明に用いるジアゾニウム塩の塗布溶液を作
るための芳香族炭化水素溶剤としてはモノクロロベンゼ
ン以外の任意好適な溶媒を用いることが出来る。また、
ジアゾニウム塩を含む感光層の現像液としてはモノクロ
ロベンゼン以外の、レジストに影響を及ぼさない他の任
意好適な現像液を使用出来る。さらに、ジアゾニウム塩
を含む感光層のための塗布、露光及び除去条件はもとよ
り、その他の種々の条件は設計に応じて任意に設定出来
る。また、レジスト層上に直接ＣＥＬ膜を形成しないで
、任意好適な材料から成るＳ膜を介して形成しても良い
。

また、レジストとしてネガ型のレジスト材料を用いれば
、ネガ型レジストパターンを形成することが出来る。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明のレジス
トパターン形成方法によれば、芳香族炭化水素の溶剤に
可溶なジアゾニウム塩を光漂白剤として感光層に含ませ
、この感光層をＣＥＬ膜として用いてレジストパターン
の形成を行うものだろ、このジアゾニウム塩を芳香族炭
化水素溶剤に溶解させて塗布溶液を形成し、この塗布溶
液中でジアゾニウム塩は分解を起すことがなく極めて安
定であり、従って長時間の保存に充分耐える。

さらに、このジアゾニウム塩を含む感光層は従来の感光
層の場合よりもコントラスト増強効果が著しく大である
ので、この発明による感光層をレジスト層の上側に設け
るのみで、通常のレジストのみではバターニングが困難
であった高解像度すなわち１ｇｍ以下の解像度でのレジ
ストパターンを容易に解像出来る。また、このような高
解像度を通常の１：１反射投影型露光装置或は１１５１
ｉｉ小投影型アライナを用いて得ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｅ）はこの発明のレジストパターン形
成方法の説明に供する工程図、 第２図はこの発明のレジストパターン形成方法の第一実
施例の説明に、供するジアゾニウム塩（ＤＺ−１）の吸
収スペクトル特性曲線図、第３図はこの発明のレジスト
パターン形成方法の第一実施例の説明に供するジアゾニ
ウム塩（ＤＺ−１）のブリーチング特性曲線図、 第４図はこの発明のレジストパターン形成方法の第二実
施例の説明の供するジアゾニウム塩（ＤＺ−２）のブリ
ーチング特性曲線図、 ８５図はＣＥＬ膜を用いたレジストパターン形成方法の
原理を説明するための工程図、第６図は従来のＣＥＬ膜
のブリーチング特性を示す曲線図である。 ３１・・・下地層、　　　　　３２・・・レジスト層３
２ａ・・・（レジスト層の）露光部分３２ｂ・・・（レ
ジスト層の）未露光部分３３・・・ＣＥＬ膜 ３３ａ・・・（ＣＥＬ膜の）露光部分 ３３ｂ・・・（ＣＥＬＩＩｉの）未露光部分３４・・・
フォトマスク、　　４０・・・紫外線。 特許出願人　　　　沖電気工業株式会社同　　　　　上
　　　　冨士薬品工業株式会社電１　　　ダ ＾へ 二ニ 一ノ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＼ノブ
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Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レジスト層に入射する光のコントラストを高める
   感光層を介して前記レジスト層を選択的に露光し、然る
   後前記感光層及びレジスト層の現像処理を行ってレジス
   トパターンを形成するに当り、 芳香族炭化水素溶剤に可溶な、下記の一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼ 但し、 Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１は炭素数が４以上のアルキル
   基Ｒはアルキル基 で表わされるジアゾニウム塩を光漂白剤として含む感光
   層を用いたことを特徴とするレジストパターン形成方法
   。