JP2503211B2

JP2503211B2 - レジストパタ−ン形成方法

Info

Publication number: JP2503211B2
Application number: JP11407986A
Authority: JP
Inventors: 勝晶海部; 眞樹小菅; 吉雄山下; 孝輝浅野; 健二小林
Original assignee: Fuji Yakuhin Kogyo KK; Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Fuji Yakuhin Kogyo KK; Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1986-05-19
Filing date: 1986-05-19
Publication date: 1996-06-05
Anticipated expiration: 2011-06-05
Also published as: JPS62269945A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は半導体集積回路の製造に用いて好適なレジ
ストパターンの形成方法、特に超微細パターンを高精度
で形成するレジストパターン形成方法に関する。

（従来の技術）半導体集積回路の高密度化に伴ない、集積化すべき回
路の最小パターン寸法もますます微細になってきてお
り、これに伴って、１μｍ程度或はサブミクロン以下の
微細レジストパターンを高精度で形成する技術が要求さ
れてきている。

解像度を高めて高精度でパターニングするために従来
から使用されているフォトリソグラフィ技術の他に、電
子線、Ｘ線或はイオンビームを線源として用いたリソグ
ラフィ技術の開発も行われてきている。しかしながら、
量産性、経済性或いは作業性を考慮すると、光を用いた
フォトリソグラフィ技術が有利である。

フォトリソグラフィ技術による高解像度のレジストパ
ターンを形成するための種々の方法が提案されている。
これらの方法のうち、文献：「ジャーナルオブ、バキ
ュウムサイエンスアンドテクノロジ（Journal of
Vaccum Science and Technology）B3（１）,Jan/Feb 1
985、pp323〜326」に開示されているコントラストエ
ンハンストフォトリソグラフィ（Contrast Enhanced
Photolithography）技術（以下CEPL技術と略称する）に
よれば、簡単なプロセスの付加により高解像度のレジス
トパターンが形成出来るとして注目されている。

この発明の説明に先立ち、以下、このCEPL技術の原理
につき第５図を参照して説明する。

第５図（Ａ）〜（Ｅ）はCEPL技術の原理を説明するた
めの工程図であり、各図は断面図として概略的に示して
ある。

まず、第５図（Ａ）に示すように、シリコンウエハ
（シリコン基板）11上にパターニングすべき下層レジス
ト層12を設け、この下層レジスト層12上にコントラスト
エンハンスト層（Contrast Enhancement Layer）と称す
る薄膜状の感光層13（以下、CEL膜とも称する場合があ
る。）を設ける。このCEL膜は最初は露光波長に対する
吸収が大きいが、光照射によって漂白され露光量が大と
なるに従って、吸収が小さくなり透過率が高くなる材料
で形成されている。

ところで、光がフォトマスク14を通過すると、光の回
折及びフォーカシング効果によって光源に対しマスク14
の陰の領域に光が達するため、フォトマスク14の後方の
光強度分布は第５図（Ｂ）に示すような状態となり、そ
の結果フォトマスクの投影光像のコントラストが下層レ
ジスト層12のコントラスト閾値よりも低くなってしま
い、充分満足し得る解像度でレジストのパターニングを
行うことが出来ない。

そこで、このCEPLの原理では、第５図（Ｂ）に示すよ
うなフォトマスク14の光像をCEL膜13を介して下層レジ
スト層12に投影することによってレジスト層12の選択的
露光を行う。このようにすると、第５図（Ｃ）に示すよ
うに、光のドーズ量（露光量）が多くてCEL膜13が漂白
された部分13aと、ドーズ量が少なくて未漂白となる部
分13bとが形成される。この光の強度分布に応じた漂白
（ブリーチング:Bleaching）の差により、このCEL膜13
の透過率が部分的に大きく変り、従って理想的な場合に
は透過光の強度分布が第５図（Ｄ）に示すような状態と
なる。この時、このCEL膜13を透過した光はコントラス
トが増強（エンハンスト）されることになる。このコン
トラストが増強された光がレジスト層12に照射されるこ
とによってレジスト層12の選択露光が行われるので、そ
の後の現像処理を経た後、第５図（Ｅ）に示すような綺
麗でシャープな例えばポジ型レジストパターン12aが形
成出来る。

このCEPL技術の原理によれば、CEL膜13を形成する材
料の選択が重要な要素を成している。上述した文献に開
示されているCEL膜13は光漂白剤として水溶性ジアゾニ
ウム塩であるジフェニルアミン−ｐ−ジアゾニウム硫酸
塩を用い、これをバインダーポリマとしてのポリビニル
アルコールとともに水に溶解して、下層レジスト層12上
に塗布して形成していた。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上述した文献に開示された材料を用い
る方法では、ジアゾニウム塩を水に溶解して用いてい
る。このジアゾニウム塩は水により分解するため、CEL
塗布溶液が長期間安定に保てないという問題点があっ
た。

さらに、このCEL膜の波長436μｍにおける光照射によ
る漂白曲線は、第６図に横軸に露光量（mJ/cm²）及び縦
軸に透過率（％）をプロットして示すように、未露光部
分での透過率が少なくても60％と高く、従ってコントラ
スト増強効果があまり大きくなく、これがため綺麗でシ
ャープなレジストパターンの形成を期待出来ないという
問題点があった。

この発明の目的は、上述したような従来のCEL塗布溶
液の不安定性及びコントラスト増強効果に対する問題点
の解決を図ることが出来るレジストパターン形成方法を
提供することにある。

（問題点を解決するための手段）この目的の達成を図るため、この発明のレジストパタ
ーン形成方法によれば、レジスト層に入射する光のコン
トラストを高める感光層を介してこのレジスト層を選択
的に露光し、然る後これら感光層及びレジスト層の現像
処理を行ってレジストパターンを形成するコントラスト
エンハンストリソグラフィ技術において、 CEL膜としての感光層に光漂白剤として下記の一般式
で表わせられる芳香族炭化水素溶剤に可溶なジアゾニウ
ム塩を含ませ、このCEL膜を用いて下層のレジスト層を
露光することを特徴とする。

但し、ここで、CnH₂n₊₁は炭素数が４以上のアルキル
基であり、Ｒはアルキル基、例えば、メチル基、エチル
基、ブチル基等である。

（作用）光漂白剤として含ませるジアゾニウム塩は一般的に水
の存在でヒドロキシニウム塩となり、このヒドロキシニ
ウム塩からの分解が最も大きいと考えられる。このた
め、室温で溶液の状態でジアゾニウム塩を安定に保つた
めにはジアゾニウム塩を水とまざらない炭化水素溶剤に
溶解すれば良い。

一般式に示したジアゾニウム塩は以下の（イ）及び
（ロ）に示す合成経路で製造される。

（ロ）通常の方法で、ニトロ基を還元し、水或はアルコール
中でジアゾ化し、次にヘキサフルオロリン酸塩として単
離する。

この発明に用いるヘキサフルオロリン酸塩として例え
ば 2,5−ジエトキシ−４−ｐ−オクチルオキシフェニル
メルカプトベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロリン酸
塩 2,5−ジブトキシ−４−ｐ−オクチルオキシフェニル
メルカプトベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロリン酸
塩 2,5−ジエトキシ−４−ｐ−ヘキシルオキシフェニル
メルカプトベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロリン酸
塩 2,5−ジエトキシ−４−ｐ−ステアリルオキシフェニ
ルメルカプトベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロリン
酸塩 2,5−ジエトキシ−４−ブチルオキシフェニルメルカ
プトベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロリン酸塩がある。

上述した一般式で示されるジアゾニウム塩はCnH₂n₊₁
の炭素数（ｎ≧４）が大きいアルキル基のため、ベンゼ
ン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン及びそ他の好
適芳香族炭化水素溶剤に数％以上溶解する。従って、こ
の発明で用いるCEL膜の塗布溶液は水が含まれないた
め、水又はメチルセロソルブメタノールその他の極性溶
媒にとけるジアゾニウム塩より遥に分解しにくいため、
長時間安定である。

また、この発明の感光層に光漂白剤として含ませるジ
アゾニウム塩は露光量に応じた大きな透過率差を有する
ので、コントラスト増強効果が高く、よって１μｍ以下
の高解像度で綺麗でシャープなレジストパターンを形成
することが出来る。

また、この発明に用いるジアゾニウム塩は単独で塗布
して感光層の皮膜を形成しても良いし、或いは好ましく
は露光波長付近に光吸収特性を有しないバインダと混合
させて塗布して感光層の皮膜を形成しても良い。

（実施例）以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明す
る。尚、図はこの発明の要旨を理解出来る程度に概略的
に示してあり、各構成成分の寸法、形状、材料及び配置
関係は、特に限定して説明していない限りこの実施例に
のみ限定されるものではない。

また、以下の実施例では、この発明の範囲内の好まし
い特定の条件及び数値例で説明するが、それらは単なる
例示であって、特に限定して説明していない限りこの発
明がそれらに限定されるものではないことを理解された
い。

実施例Ｉ既に説明したように、この発明のレジストパターンの
形成方法はコントラストエンハンストフォトリソグラフ
ィ（CEPL）技術を用いる方法であり、その場合のコント
ラスト増強効果を生じさせるCEL材料として芳香族炭化
水素溶媒に可溶なジアゾニウム塩を用いている。

先ず、このジアゾニウム塩として2,5−ジエトキシ−
ｐ−オクチルオキシフェニルメルカプトベンゼンジアゾ
ニウムヘキサフルオロリン酸塩（以下、単にDZ-1と称す
る）のスペクトル特性及びブリーチング特性につき説明
する。

これら特性を調べるための感光層としてのCEL膜を次
のような条件の下で作成した。

この例では、（DZ-1）の2gとバインダポリマとしての
ポリエステル樹脂（東洋紡製、バイロン＃200（商品
名））の1gとをモノクロロベンゼン18gに溶解し（DZ-
1）の塗布溶液とした。この（DZ-1）溶液を、石英基板
上にスピンコーティングした。続いて、このコーティン
グ皮膜を約60℃の温度で約30分間ベーキングして乾燥さ
せたところ、この（DZ-1）膜の膜厚は0.65μｍと薄かっ
た。

第２図はこの（DZ-1）膜の吸収スペクトル特性を示す
曲線図で、横軸に波長（nm）及び縦軸に透過率（％）を
取って示し、図中実線で示す曲線Ｉが露光前の吸収スペ
クトルで破線IIで示す曲線が露光後の吸収スペクトルで
ある。この吸収スペクトル特性は上述のようにして作成
されたCEL膜すわち（DZ-1）膜をｇ−線で500mJ/cm²の露
光量で露光した場合についての結果であり、これら曲線
Ｉ及びIIからも理解出来るように、吸収係数はｇ−線
（436nm）で3.0μm^-1、ｈ−線（405nm）で5.7μm^-1及び
ｉ−線（365nm）で4.3μm^-1の値となった。このよう
に、紫外領域の広い範囲にわたって、（DZ-1）膜は著し
く大きな吸収をもつことがわかる。

さらに、破線曲線IIで示されるように、g,h−線で約9
0％以上またｉ−線で80％以上の透過率までに大幅に変
化することがわかった。

次に、このCEL膜に紫外光を時間従って露光量を変え
て照射してその吸収スペクトルを測定したところ、第３
図に示すような結果を得た。第３図は（DZ-1）膜のブリ
ーチング特性を示す曲線図であり、横軸に露光量（mJ/c
m²）及び縦軸に透過率（％）を取って示してある。この
図に示したデータはｇ−線（436nm）での透過率曲線で
ある。この実験データからも理解出来るように、露光前
の透過率は約10〜15％と低く、露光量が約100mJ/cm²に
達した後での透過率は約80％と高くなっており、ｇ−線
で約200mJ/cm²以上となると90％以上の透過率に達する
ことが理解出来る。このように、露光量に応じて透過率
が10数％から90％まで大幅に変化していることがわか
る。

従って、この（DZ-1）膜をCEL膜すなわち感光層とし
て用いて下層のレジスト層のパターニングを行えば、こ
の（DZ-1）膜によってマスクパターンの光像のコントラ
スト増強効果が顕著に現われるので、従来のCEL膜を用
いて形成する場合よりも綺麗でシャープなレジストパタ
ーンを形成出来ると期待出来る。

次に、上述したと同様な条件の下で形成した（DZ-1）
膜をCEL膜として用いてレジストパターンを形成する方
法につき説明する。

第１図（Ａ）〜（Ｅ）はこの発明のレジストパターン
形成方法の説明に供する工程図であり、各工程段階の構
成成分を断面図として示してある。

先ず、この実施例で使用した下地層31はSi基板（シリ
コンウエハ）とし、その上側に任意好適なポジ型或はネ
ガ型レジスト膜32を設ける。この実施例では、レジスト
膜32としてポジ型レジスト（シップレー社製のMP1400-2
7（商品番号））をスピンナーでSi基板31上に塗布した
後、ホットプレート上で105℃の温度で60秒間ベーキン
グを行って膜厚1.5μｍの下層レジスト膜32を形成した
（第１図（Ａ））。

続いて、上述した（DZ-1）2g及びバインダポリマとし
てのポリエステル樹脂（東洋紡製、バイロン＃200（商
品名））1gをモノクロロベンゼン18gに溶解して（DZ-
1）のCEL塗布溶液を作り、この溶液をスピンナーでレジ
スト層32上に塗布し、然る後、循環式オーブンで60℃の
温度で60秒間ベーキングを行い、よって膜厚0.6μｍのC
EL膜33を感光層として形成した（第１図（Ｂ））。

次に、このCEL膜33を介して下層レジスト層32に対
し、フォトマスク34のマスクパターンを、水銀ランプか
らの約350〜450nmの帯域の波長の紫外線40でドーズ量を
450mJ/cm²として照射した（第１図（Ｃ））。波長領域
を350〜450nmの範囲としたのは、この波長領域外ではレ
ジストの感度が低下し、かつ、CELの吸収スペクトル特
性及びブリーチング特性が悪くなってしまうからであ
る。また、露光装置としてこれに何等限定されるもので
はないが、パーキンエルマー社製の商品番号500HTの1:1
反射投影型露光装置を用いた。図中紫外線40で露光され
たCEL膜33及びレジスト膜32の部分を33a及び32aでそれ
ぞれ示し、また、未露光部分を33b及び32bでそれぞれ示
す。

この紫外線照射により、フォトマスク34の光透過領域
から直接CEL膜33に照射される光の光量は450mJ/cm²であ
るのでその部分での光透過率は約95％程度となる。しか
し、マスク34によって光が遮蔽される領域では光量が少
なくなるので、両領域の境界から光の陰となるCEL膜33
の部分での透過率は急激に低下し、マスクの陰の中心付
近では透過率は零に近くなり、従ってこのCEL膜33を介
して光の照射を受けるレジスト層32の部分32aと、受け
ないレジスト層32の部分32bとの境界での光強度はシャ
ープにすなわち実質的に階段的に変化する。

この露光後、先ず、CEL膜33の除去を行った。（DZ-
1）の塗布膜の除去液としては下層レジスト層32に悪影
響を及ぼさない溶媒例えばこの実施例ではモノクロロベ
ンゼンを用い、これをCEL膜33に、室温で10秒間スプレ
ーを行ってCEL膜33を除去した（第１図（Ｄ））。

次に、シクロヘキサンでリンスを行い、その後、レジ
スト層32の現像を任意好適な現像液を用いて通常の方法
で行う。この実施例では例えばメタルフリーのアルカリ
現像液（例えば、OFPR現像液（東京応化製品の商品名）
を水で1:1に希釈したもの）にウエハごと浸漬させるこ
とにより現像を行った。この場合現像液の温度を23℃と
しかつ浸漬時間を60秒とした。この現像処理によって、
露光部分32aが除去されかつ未露光部分32bが残存して第
１図（Ｅ）に示すようなポジ型レジストパターンが形成
された。

このようにして形成したレジストパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察して調べたところ、1.5μｍ
のラインアンドスペースよりも大きいパターンでは、パ
ターンの側壁部が基板面に対し垂直に近い急峻な状態で
形成されており、従って、断面形状がほぼ矩形の綺麗で
シャープなレジストパターンが得られた。また、１μｍ
のラインアンドスペースも得られた。

比較例Ｉ比較例として、上述した実施例で使用した（DZ-1）膜
をレジスト層上に設けずに、同一材料のレジスト層に対
し上述した実施例の場合と同一の露光、現像その他の処
理でパターン形成を行った。尚、その時の露光量は150m
J/cm²とした。

この比較例で得られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡で同様にして観察したところ、パターンの側壁部
の基板面に対する傾斜は上述の実施例で得られたパター
ンの場合よりも緩く、従って、断面形状がほぼ台形に近
かった。また、比較例では実施例ほどには綺麗でシャー
プなレジストパターンが得られなかった。また、実施例
と同様な１μｍのラインアンドスペースを得ようとする
と、レジスト層の膜厚が実施例の場合の膜厚の半分以下
となってしまい、レジスト層としての機能を期待出来な
いことがわかった。

実施例II 次に、このジアゾニウム塩として2,5−ジ−ブトキシ
−ｐ−オクチルオキシフェニルメルカプトベンゼンジア
ゾニウムヘキサフルオロリン酸塩（以下、単にDZ-2と称
する）のブリーチング特性を調べるため、次のような条
件の下で感光層といしてのCEL膜を作成した。

この例では、（DZ-2）2gと実施例Ｉで用いたバインダ
ポリマとしてのポリエステル樹脂1gをモノクロロベンゼ
ン18gに溶解し（DZ-2）の塗布溶液とした。この（DZ-
2）塗布溶液を、石英基板上にスピンコーティングし
た。続いて、このコーティング皮膜を約60℃の温度で約
30分間ベーキングして乾燥させたところ、この（DZ-2）
膜の膜厚は0.6μｍと薄かった。

この（DZ-2）膜のブリーチング特性を第４図に横軸に
露光量（mJ/cm²）を取り、縦軸に透過率（％）を取って
示した。このブリーチング特性からも理解出来るよう
に、（DZ-2）膜の場合も、約100mJ/cm²の露光量で、透
過率が約90％と大きくなる。また、この（DZ-2）膜の吸
収スペクトル特性を示していないが、実施例Ｉの場合と
同様な傾向を示すことが推測される。

次に、上述したと同様な条件の下で形成した（DZ-2）
膜をCEL膜として用いて実施例Ｉと同様な第１図（Ａ）
〜（Ｅ）に示した処理工程を経てレジストパターンを形
成した場合につき説明する。

先ず、この実施例IIにおいても下地層31をSi基板（シ
リコンウエハ）とし、その上側に実施例Ｉの場合と同様
に、レジスト膜32としてポジ型レジスト（シップレー社
製のMP1400-27（商品番号））をスピンナーでSi基板31
上に塗布した後、ベーキングを行って膜厚1.5μｍの下
層レジスト膜32を形成した（第１図（Ａ））。

続いて、上述した（DZ-2）2g及びバインダポリマとし
てのポリエステル樹脂（東洋紡製、バイロン＃200（商
品名））1gをモノクロロベンゼン18gに溶解して（DZ-
2）のCEL塗布溶液を作り、この溶液をスピンナーでレジ
スト層32上に塗布し、然る後、実施例Ｉと同様にベーキ
ングを行い、よって膜厚0.6μｍのCEL膜33を感光層とし
て形成した（第１図（Ｂ））。

次に、このCEL膜33を介して下層レジスト層32に対
し、フォトマスク34のマスクパターンを、水銀ランプか
らの約350〜450nmの帯域の波長の紫外線40でドーズ量を
800mJ/cm²として照射した（第１図（Ｃ））。波長領域
を350〜450nmの範囲としたのは、実施例Ｉの場合と同じ
理由による。

また、露光装置としてこれに何等限定されるものでは
ないが、1/5縮小投影型アライナ（NA＝0.35）を用い
た。

この露光後、先ず、CEL膜33の除去を行った。（DZ-
2）のCEL膜の除去液としては下層レジスト層32に悪影響
を及ぼさない溶媒例えばこの実施例ではモノクロロベン
ゼンを用い、これをCEL膜33に、室温で10秒間スプレー
を行ってCEL膜33を除去した（第１図（Ｄ））。

次に、実施例Ｉと同様にシクロヘキサンでリンスを行
い、その後、レジスト層32の現像を任意好適な現像液を
用いて通常の方法で行う。この実施例では例えば実施例
Ｉの場合と同様なアルカリ現現像液（温度を23℃）で浸
漬時間を60秒としして現像を行った。この現像処理によ
って、露光部分32aが除去されかつ未露光部分32bが残存
して第１図（Ｅ）に示すようなポジ型レジストパターン
が形成された。

このようにして形成したレジストパターンの断面形状
を走査型電子顕微鏡で観察して調べたところ、パターン
の側壁部が基板面に対し垂直に近い急峻な状態で形成さ
れており、従って、断面形状がほぼ矩形で0.6μｍのラ
インアンドスペースの綺麗でシャープなレジストパター
ンが得られた。

比較例II 比較例として、上述した実施例IIで使用した（DZ-2）
膜をレジスト層上に設けずに、同一材料のレジスト層に
対し上述した実施例の場合と同一の露光、現像その他の
処理でパターン形成を行った。尚、その時の露光量は13
0mJ/cm²とした。

この比較例で得られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡で同様にして観察したところ、パターンの側壁部
の基板面に対する傾斜は上述の実施例で得られたパター
ンの場合よりも緩く、従って、断面形状がほぼ台形に近
かった。また、0.7μｍのパターンは形成出来たが、0.6
μｍのパターンは形成出来なかった。

上述した説明からも理解出来るように、この発明で用
いた芳香族炭化水素の溶剤に可溶なジアゾニウム塩はレ
ジストパターン形成に際してCEL材として用いて極めて
好適である。

また、芳香族炭化水素の溶剤に可溶なジアゾニウム塩
がg,h及びｉ−線に対する吸収係数が大きいので、実施
例のような広い帯域の波長に対しての解像度１μｍであ
ることから理解出来るように、これらの単一波長の光の
みでの露光によってサブミクロン以下の解像度を期待出
来る。

この発明は上述した実施例のみに限定されるものでは
なく、多くの変形又は変更を行い得ること明らかであ
る。

例えば、この発明に用いる芳香族炭化水素溶剤に可溶
なジアゾニウム塩は実施例Ｉ及びIIに述べた種類のヘキ
サフルオロリン酸塩にのみ限定されるものではなく、こ
れらと同一の効果が得られる他の種類のヘキサフルオロ
リン酸塩であっても良いこと明らかである。

また、この発明に用いるジアゾニウム塩の塗布溶液を
作るための芳香族炭化水素溶剤としてはモノクロロベン
ゼン以外の任意好適な溶媒を用いることが出来る。ま
た、ジアゾニウム塩を含む感光層の現像液としてはモノ
クロロベンゼン以外の、レジストに影響を及ぼさない他
の任意好適な現像液を使用出来る。さらに、ジアゾニウ
ム塩を含む感光層のための塗布、露光及び除去条件はも
とより、その他の種々の条件は設計に応じて任意に設定
出来る。また、レジスト層上に直接CEL膜を形成しない
で、任意好適な材料から成る薄膜を介して形成しても良
い。

また、レジストとしてネガ型のレジスト材料を用いれ
ば、ネガ型レジストパターンを形成することが出来る。

（発明の効果）上述した説明からも明らかなように、この発明のレジ
ストパターン形成方法によれば、芳香族炭化水素の溶剤
に可溶なジアゾニウム塩を光漂白剤として感光層に含ま
せ、この感光層をCEL膜として用いてレジストパターン
の形成を行うものである。このジアゾニウム塩を芳香族
炭化水素溶剤に溶解させて塗布溶液を形成し、この塗布
溶液中でジアゾニウム塩は分解を起すことがなく極めて
安定であり、従って長時間の保存に充分耐える。

さらに、このジアゾニウム塩を含む感光層は従来の感
光層の場合よりもコントラスト増強効果が著しく大であ
るので、この発明による感光層をレジスト層の上側に設
けるのみで、通常のレジストのみではパターニングが困
難であった高解像度すなわち１μｍ以下の解像度でのレ
ジストパターンを容易に解像出来る。また、このような
高解像度を通常の1:1反射投影型露光装置或は1/5縮小投
影型アライナを用いて得ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｅ）はこの発明のレジストパターン形
成方法の説明に供する工程図、第２図はこの発明のレジストパターン形成方法の第一実
施例の説明に供するジアゾニウム塩（DZ-1）の吸収スペ
クトル特性曲線図、第３図はこの発明のレジストパターン形成方法の第一実
施例の説明に供するジアゾニウム塩（DZ-1）のブリーチ
ング特性曲線図、第４図はこの発明のレジストパターン形成方法の第二実
施例の説明の供するジアゾニウム塩（DZ-2）のブリーチ
ング特性曲線図、第５図はCEL膜を用いたレジストパターン形成方法の原
理を説明するための工程図、第６図は従来のCEL膜のブリーチング特性を示す曲線図
である。 31……下地層、32……レジスト層 32a……（レジスト層の）露光部分 32b……（レジスト層の）未露光部分 33……CEL膜 33a……（CEL膜の）露光部分 33b……（CEL膜の）未露光部分 34……フォトマスク、40……紫外線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山下吉雄東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内 (72)発明者浅野孝輝東京都港区麻布台１丁目９番17号冨士薬品工業株式会社内 (72)発明者小林健二東京都港区麻布台１丁目９番17号冨士薬品工業株式会社内 (56)参考文献特開昭60−238829（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−190331（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】レジスト層に入射する光のコントラストを
高める感光層を介して前記レジスト層を選択的に露光
し、然る後前記感光層及びレジスト層の現像処理を行っ
てレジストパターンを形成するに当り、芳香族炭化水素溶剤に可溶な、下記の一般式但し、 CnH₂n₊₁は炭素数が４以上のアルキル基Ｒはアルキル基で表わされるジアゾニウム塩を光漂白剤として含む感光
層を用いたことを特徴とするレジストパターン形成方
法。