JPS62133444A - パタ−ン形成有機材料 - Google Patents
パタ−ン形成有機材料Info
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- JPS62133444A JPS62133444A JP60272724A JP27272485A JPS62133444A JP S62133444 A JPS62133444 A JP S62133444A JP 60272724 A JP60272724 A JP 60272724A JP 27272485 A JP27272485 A JP 27272485A JP S62133444 A JPS62133444 A JP S62133444A
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- JP
- Japan
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この材料は、エネルギー線に対する初期透過率が低く、
エネルギー線に対して漂白作用を付加させ完全に漂白し
た後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギ（Ｘ）、縦
軸透過率（Ｙ）とした特性式、Ｙ＝ムＸ＋Ｂとした場合
Ａが大で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、レジスト上に
塗布した後に露光することによって、従来の露光方法に
よる解像度の向上を改善する微細パターン形成に関する
ものである。
エネルギー線に対して漂白作用を付加させ完全に漂白し
た後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギ（Ｘ）、縦
軸透過率（Ｙ）とした特性式、Ｙ＝ムＸ＋Ｂとした場合
Ａが大で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、レジスト上に
塗布した後に露光することによって、従来の露光方法に
よる解像度の向上を改善する微細パターン形成に関する
ものである。
従来の技術
半導体集積回路の高集積化、高密度化は従来のリングラ
フィ技術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１
μｍ前後となってきており、この加工線幅を達成するに
は、高開口レンズ（高ＮＡ”１を有した縮小投影法によ
り紫外線露光する方法、基板上に直接描画する電子ビー
ム露光法、Ｘ線を用いたグロキシミティ露光法があげら
れる。
フィ技術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１
μｍ前後となってきており、この加工線幅を達成するに
は、高開口レンズ（高ＮＡ”１を有した縮小投影法によ
り紫外線露光する方法、基板上に直接描画する電子ビー
ム露光法、Ｘ線を用いたグロキシミティ露光法があげら
れる。
しかし、スループットを犠牲にすることなくパターン形
成するには前者の縮小投影法により紫外線露光する方法
が最良である。しかし紫外線露光の解像度Ｒは、次式の
レーレス則で示される。
成するには前者の縮小投影法により紫外線露光する方法
が最良である。しかし紫外線露光の解像度Ｒは、次式の
レーレス則で示される。
Ｒ＝０．６Ｘλ／Ｎ、ムｘ （１＋１／ｍ ）−−−−
・−（１）λ；波長 Ｎ、Ａ；レンズ開口度 ｍ；倍率 解像度を向上するには、短波長化、高Ｎ、Ａ化が考えら
れるが、現在可能な光学系の性能は例えばλが３６５ｎ
ｒｌ（ｉ−ライフ）、Ｎ、人が０．４とすると解像度Ｒ
はｏ、ｅμｍとなり、電子ビーム露光法、Ｘ線露光の解
像度より劣るとされている。
・−（１）λ；波長 Ｎ、Ａ；レンズ開口度 ｍ；倍率 解像度を向上するには、短波長化、高Ｎ、Ａ化が考えら
れるが、現在可能な光学系の性能は例えばλが３６５ｎ
ｒｌ（ｉ−ライフ）、Ｎ、人が０．４とすると解像度Ｒ
はｏ、ｅμｍとなり、電子ビーム露光法、Ｘ線露光の解
像度より劣るとされている。
しかし、１９８３年、米国ｅｘ社のＢ、Ｆ。
Ｇｒｉｆｆｉｎｇ ラはパターン形成用のレジスト上に
光強度プロファイルのコントラストを促進させるコント
ラスト・エンハンスド層を積層することによ−４）、
Ｎｏ １ 、 Ｊａｎ、 １ ９８３
） 。
光強度プロファイルのコントラストを促進させるコント
ラスト・エンハンスド層を積層することによ−４）、
Ｎｏ １ 、 Ｊａｎ、 １ ９８３
） 。
この発表によると通常の縮小投影法（λ：４３６ｎｍｌ
Ｎ、ム；０．３２ ）で０．４μｍまでの解像が可能と
報告している。
Ｎ、ム；０．３２ ）で０．４μｍまでの解像が可能と
報告している。
発明者らの研究の結果、コントラストをエンハンスする
ためのパターン形成有機膜の特性は次のように説明でき
る。
ためのパターン形成有機膜の特性は次のように説明でき
る。
一般的に縮小投影法における出力の光強度プロファイル
は、その光学レンズ系により加工される。
は、その光学レンズ系により加工される。
説明するとレチクルを通し紫外線の露光を行った場合、
回折のない理想的な入力光強度プロファイルは完全な矩
形波といえ、そのコントラス）Ｃは次式で 示される。その時、コントラストＣは１００％となる。
回折のない理想的な入力光強度プロファイルは完全な矩
形波といえ、そのコントラス）Ｃは次式で 示される。その時、コントラストＣは１００％となる。
その入力波形は光学レンズを通過することで、その光学
レンズ系の伝達関数によって、フーリエ変換した後、出
力波形として余弦波の形状に近くなりコントラストＣも
劣化する。このコントラストの劣化はパターン形状例え
ば解像度及びパターン形状に大きく影響する。ちなみに
レジストパターン解像に要するコントラストは、レジス
ト自身の特性より６０％以上とされ、コントラストＣ値
が６０％以下となるとパターン形成が不能となる。
レンズ系の伝達関数によって、フーリエ変換した後、出
力波形として余弦波の形状に近くなりコントラストＣも
劣化する。このコントラストの劣化はパターン形状例え
ば解像度及びパターン形状に大きく影響する。ちなみに
レジストパターン解像に要するコントラストは、レジス
ト自身の特性より６０％以上とされ、コントラストＣ値
が６０％以下となるとパターン形成が不能となる。
そこで、本発明者らの検討によるパターン形成有機膜の
特性曲線、つまり露光時間（露光エネルギー）の小なる
領域では紫外線に対する透過率が小さく （ｌｍ１ｎの
増加が少ない）、露光エネルギーの大なる領域では紫外
線に対する透過率が大きい（Ｉｍａｘの増加が多い）傾
向の膜に、前述の出力波形を通過させることによりコン
トラストＣ値が増大する傾向が発見される。これを更に
定量的に説明するため、米国ＩＢＭ社のＦ、Ｈ，Ｄｉｌ
ｌＥ Ｄ 、ＶＯＬ 、ＥＤ−２２）、Ｎｏ ７ 、Ｊ
ｕｌｙ 。
特性曲線、つまり露光時間（露光エネルギー）の小なる
領域では紫外線に対する透過率が小さく （ｌｍ１ｎの
増加が少ない）、露光エネルギーの大なる領域では紫外
線に対する透過率が大きい（Ｉｍａｘの増加が多い）傾
向の膜に、前述の出力波形を通過させることによりコン
トラストＣ値が増大する傾向が発見される。これを更に
定量的に説明するため、米国ＩＢＭ社のＦ、Ｈ，Ｄｉｌ
ｌＥ Ｄ 、ＶＯＬ 、ＥＤ−２２）、Ｎｏ ７ 、Ｊ
ｕｌｙ 。
１ｓ７５）の中でポジレジストの露光吸収項五にあられ
されるパラメータを使用する。一般的に人は 示され、コントラスト二ンノ・ンスにはＡ値が犬なる傾
向が望ましい。Ａを犬なる傾向にするにはｄ（膜厚）を
薄く、Ｔ （０１（初期透過率）、Ｔ（■）（最終透過
率）の比が犬になることが必要である。
されるパラメータを使用する。一般的に人は 示され、コントラスト二ンノ・ンスにはＡ値が犬なる傾
向が望ましい。Ａを犬なる傾向にするにはｄ（膜厚）を
薄く、Ｔ （０１（初期透過率）、Ｔ（■）（最終透過
率）の比が犬になることが必要である。
このような要求をみたし、又、プロセス的に簡略な水溶
性のコントラスト・エンノ・ンスト材料を、発明者らは
先に発表している。（水溶性ポリマーによるサブミクロ
／、フォトリングラフイー、笹子他、信学技報、５ＳＤ
８４−１４４（１９ａ４））。
性のコントラスト・エンノ・ンスト材料を、発明者らは
先に発表している。（水溶性ポリマーによるサブミクロ
／、フォトリングラフイー、笹子他、信学技報、５ＳＤ
８４−１４４（１９ａ４））。
第２図に、この発表にかかる従来の水溶性コントラスト
・エンハンスト材料を用いたりソグラフイについて説明
する。基板１上にレジスト２を回転塗布する。（第２図
（ａ））次にポジレジスト２上に従来のコントラスト・
エンノ）ンスト材料の層５を回転塗布する。（第２図（
ｂ））そして、縮小投影法により選択的に紫外線４を露
光する。（第２図（Ｃ））そして、通常のアルカリ現像
液によって、コントラスト・エンノ・ンスト層６を除去
すると同時にレジスト２のパターンを形成する。（第２
図（ｄ））発明が解決しようとする問題点 ところが、ここで従来のコントラスト・二ンハンスト材
料にプルラン、ポリビニルアルコールなどの気体透過性
の悪いポリマーを用いた場合には、露光時にレジスト中
より発生するＮ２ガスが、コントラスト・エンハンスト
層に取り込まれて泡６となってコントラスト・エンハン
スト層中に残るという問題点がある。（第２図（Ｃ））
このような泡６は、現像時に下地レジストパターンを劣
化させる要因となっている（第２図（ｄ））即ち、レジ
ストパターンのコントラストは向上するが、コントラス
ト・エンハンスト層中の泡の部分がレジストに転写され
て欠陥７になるわけである。
・エンハンスト材料を用いたりソグラフイについて説明
する。基板１上にレジスト２を回転塗布する。（第２図
（ａ））次にポジレジスト２上に従来のコントラスト・
エンノ）ンスト材料の層５を回転塗布する。（第２図（
ｂ））そして、縮小投影法により選択的に紫外線４を露
光する。（第２図（Ｃ））そして、通常のアルカリ現像
液によって、コントラスト・エンノ・ンスト層６を除去
すると同時にレジスト２のパターンを形成する。（第２
図（ｄ））発明が解決しようとする問題点 ところが、ここで従来のコントラスト・二ンハンスト材
料にプルラン、ポリビニルアルコールなどの気体透過性
の悪いポリマーを用いた場合には、露光時にレジスト中
より発生するＮ２ガスが、コントラスト・エンハンスト
層に取り込まれて泡６となってコントラスト・エンハン
スト層中に残るという問題点がある。（第２図（Ｃ））
このような泡６は、現像時に下地レジストパターンを劣
化させる要因となっている（第２図（ｄ））即ち、レジ
ストパターンのコントラストは向上するが、コントラス
ト・エンハンスト層中の泡の部分がレジストに転写され
て欠陥７になるわけである。
本発明は、コントラスト・エン・・ンスト材料として、
プロセス的に有利な水溶性で、かつ、レジスト上に塗布
後、露光時に下地レジストからのＮ２を泡として取り込
まないようなパターン形成有機材料を提供することを目
的とする。
プロセス的に有利な水溶性で、かつ、レジスト上に塗布
後、露光時に下地レジストからのＮ２を泡として取り込
まないようなパターン形成有機材料を提供することを目
的とする。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、前記問題点を解決するために、ガス透過性の
悪いプルラン、ポリビニルアルコール、セルロースなど
をパターン形成有機材料のメインポリマーとして用いた
ときに、ガス透鳥性の良いポリビニルピロリドン、ポリ
エチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、プルラ
ンアセテートなどを混入することにより、レジスト上に
塗布後露光時に下地レジストパターンに欠陥を与えない
ようなパターン形成有機材料を提供するものである。
悪いプルラン、ポリビニルアルコール、セルロースなど
をパターン形成有機材料のメインポリマーとして用いた
ときに、ガス透鳥性の良いポリビニルピロリドン、ポリ
エチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、プルラ
ンアセテートなどを混入することにより、レジスト上に
塗布後露光時に下地レジストパターンに欠陥を与えない
ようなパターン形成有機材料を提供するものである。
なお、カス透過性の悪い化合物と良い化合物の混合比は
任意であり、微量であってもガス透過性の良い化合物が
存在すれば、ガス透過性の悪い化合物の分子配列を乱す
ことができ、ガス透過性が急激に良くなることが認めら
れる。
任意であり、微量であってもガス透過性の良い化合物が
存在すれば、ガス透過性の悪い化合物の分子配列を乱す
ことができ、ガス透過性が急激に良くなることが認めら
れる。
作用
本発明のパターン形成有機材料を用いることにより、露
光時の泡によるレジストパターン劣化もなくなり、コン
トラストの向上した高解像・高精度のレジストパターン
が得うれた。
光時の泡によるレジストパターン劣化もなくなり、コン
トラストの向上した高解像・高精度のレジストパターン
が得うれた。
実施例
（その１）
プルランおよび、ポリビニルピロリドンをそれぞれ１０
ノを用いて２００ｃｃのプルラン、ポリビニルピロリド
ン混合水溶液を調整した。なお、この際それぞれのポリ
マーは水に対して、かくはんのみで室温（２６℃前後）
で容易に溶解した。
ノを用いて２００ｃｃのプルラン、ポリビニルピロリド
ン混合水溶液を調整した。なお、この際それぞれのポリ
マーは水に対して、かくはんのみで室温（２６℃前後）
で容易に溶解した。
この混合水溶液に対してＯ÷Ｎ２ なるジアゾ化合物を
１０ＩＰ溶解させてパターン形成有機材料とした。この
有機材料は３６５ｎｍ付近で吸収ピークを示し、３６５
ｎｍにおいてコントラストエンハンストの程度を示す係
数人は１０．０を示した。この材料を用いて、レジスト
パターン形成を行ったリングラフィ工程を第１図に示す
。半導体等の基板１上にレジスト２を回転塗布する。
１０ＩＰ溶解させてパターン形成有機材料とした。この
有機材料は３６５ｎｍ付近で吸収ピークを示し、３６５
ｎｍにおいてコントラストエンハンストの程度を示す係
数人は１０．０を示した。この材料を用いて、レジスト
パターン形成を行ったリングラフィ工程を第１図に示す
。半導体等の基板１上にレジスト２を回転塗布する。
（第１図（ａ））次にポジレジスト２上に本発明のパタ
ーン形成有機材料の層３を回転塗布する。（第１図（ｂ
））そして、縮小投影法により選択的に紫外線４を露光
する。（第１図（Ｃ））そして通常のアルカリ現像液に
よって、コントラスト・エンハンストの層である本発明
のパターン形成有機材料の層３を除去すると同時にレジ
ストパターン８を形成する。（第１図（ｄ））第１図（
Ｃ１において露光による泡の発生はみられないために、
第１図（ｄｌにおいてレジストパターンの欠陥は全くみ
られず、コントラストの向上した０、５μｍ解像のレジ
ストパターン８が得られた。
◆（その２） その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、なるジ
アゾ化合物を１０ノ溶解させてパターン形成有機材料と
した。この材料は、波長４３６ ｎ ｍ付近で吸収ピー
クを示し、４３６ ｎ ｍにおいて係数ムは、８．０を
示した。この材料を用いることにより、その１と同様の
方法で０．５μｍの高コントラスト、高解像のレジスト
パターンが得られた。
ーン形成有機材料の層３を回転塗布する。（第１図（ｂ
））そして、縮小投影法により選択的に紫外線４を露光
する。（第１図（Ｃ））そして通常のアルカリ現像液に
よって、コントラスト・エンハンストの層である本発明
のパターン形成有機材料の層３を除去すると同時にレジ
ストパターン８を形成する。（第１図（ｄ））第１図（
Ｃ１において露光による泡の発生はみられないために、
第１図（ｄｌにおいてレジストパターンの欠陥は全くみ
られず、コントラストの向上した０、５μｍ解像のレジ
ストパターン８が得られた。
◆（その２） その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、なるジ
アゾ化合物を１０ノ溶解させてパターン形成有機材料と
した。この材料は、波長４３６ ｎ ｍ付近で吸収ピー
クを示し、４３６ ｎ ｍにおいて係数ムは、８．０を
示した。この材料を用いることにより、その１と同様の
方法で０．５μｍの高コントラスト、高解像のレジスト
パターンが得られた。
（その３）
その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、Ｎ２−
■−）ｉＨ−■−Ｎ２なるジアゾ化合物を１０ノ溶解さ
せてパターン形成有機材料とした。この材料は、波長４
３６ｎｍ付近で吸収ピークを示し、４３６ｎｍにおいて
係数ムは、１ｏ、ｏを示した。
■−）ｉＨ−■−Ｎ２なるジアゾ化合物を１０ノ溶解さ
せてパターン形成有機材料とした。この材料は、波長４
３６ｎｍ付近で吸収ピークを示し、４３６ｎｍにおいて
係数ムは、１ｏ、ｏを示した。
この材料を用いることにより、その１と同様の方法で０
．５μｍの高コントラスト、高解像のレジストパターン
が得られた。
．５μｍの高コントラスト、高解像のレジストパターン
が得られた。
本発明のパターン形成有機材料は、水溶性有機物の混合
体であるベースポリマーとエネルギー線に対する退色性
を有した化合物を有したことを特徴とするものであるが
、水溶性有機物の混合体としては次のものが適用される
。すなわち混合体はプルランとポリビニルピロリドン、
プルランとポリエチレングリコール、フルランとポリエ
チレンオキサイド、ポリビニルアルコールとポリビニル
ピロリドン、ポリビニルアルコールとポリエチレングリ
コール、ポリビニルアルコールとポリエチレンオキサイ
ド、プルランとプルランアセテート、ポリビニルアルコ
ールとプルランアセテート、セルロースとポリビニルピ
ロリドン、セルロースとポリエチレングリコール、セル
ロースとポリエチレンオキサイド、セルロースとプルラ
ンアセテート、の組み合わせを少なくとも１つ含むもの
である。
体であるベースポリマーとエネルギー線に対する退色性
を有した化合物を有したことを特徴とするものであるが
、水溶性有機物の混合体としては次のものが適用される
。すなわち混合体はプルランとポリビニルピロリドン、
プルランとポリエチレングリコール、フルランとポリエ
チレンオキサイド、ポリビニルアルコールとポリビニル
ピロリドン、ポリビニルアルコールとポリエチレングリ
コール、ポリビニルアルコールとポリエチレンオキサイ
ド、プルランとプルランアセテート、ポリビニルアルコ
ールとプルランアセテート、セルロースとポリビニルピ
ロリドン、セルロースとポリエチレングリコール、セル
ロースとポリエチレンオキサイド、セルロースとプルラ
ンアセテート、の組み合わせを少なくとも１つ含むもの
である。
発明の効果
本発明によれば、露光・現像に際してのレジストパター
ン形成が欠陥なく、高コントラスト、高解像、高精度で
行うことができ、結果として半導体素子の微細化１歩留
まり向上につながり、工業的価値が高い。
ン形成が欠陥なく、高コントラスト、高解像、高精度で
行うことができ、結果として半導体素子の微細化１歩留
まり向上につながり、工業的価値が高い。
第１図ｉａｌ〜［ｄｌは本発明によるパターン形成有機
材料を用いた場合のレジストパターンを形成する方法の
実施例の工程断面図、第２図（ａｌ〜（ｄｉは従来のパ
ターン形成有機材料を用いた場合のレジストパターンを
形成する方法の従来例の工程断面図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・本発明のパターン
形成有機材料。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 手続補正書 昭和６１年２ 月２６日 １事件の表示 昭和６０年特許願第２７２７２４号 ２発明の名称 パターン形成有機材料 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ７、補正の内容 （１） 発明の名称「パターン形成有機材料」をクイ
セイユウキマク クイ七イ
「パターン形成有機膜およびパターン形成明 細
書 １、発明の名称 パターン形成有機膜およびパターン形成方法２、特許請
求の範囲 パターン形成有機膜。 坐・ 一ン形成方法。 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 この発明は、エネルギー線に対する初期透過率が低く、
エネルギー線に対して漂白作用を付加させ完全に漂白し
た後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギー（イ）、
縦軸透過率■とした特性式、Ｙ−ＡＸ＋Ｂ とした場
合Ａが犬で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、レジスト上
に塗布した後に露光することによって、従来の露光方法
による解像度の向上を改善する微細パターン形成に関す
るものである。 従来の技術 半導体集積回路の高集積化、高密度化は従来のりソグラ
フィ技術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１
μｍ前後となってきており、この加工線幅を達成するに
は、高開口レンズ（高ＮＡ）を有した縮小投影法により
紫外線露光する方法、基板上に直接描画する電子ビーム
露光法、Ｘ線を用いたプロキシミティ露光があげられる
。 しかし、スループットを犠牲にすることなくパターン形
成するには前者の縮小投影法により紫外線露光する方法
が最良である。しかし紫外線露光の解像度Ｒは、次式の
レース則で示される。 Ｒ＝ｏ、ｓｘλ／Ｎ、Ａｘ（１＋１／ｍ） 川−・−
−−−・・・−（１）λ；波長 Ｎ、Ａ；レンズ開口度 ｍ；倍率 解像度を向上するには、短波長化、高Ｎ、Ａ化が考えら
れるが、現在可能な光学系の性能は例えばλが３６５ｎ
ｍ （ｉ−ライフ）、Ｎ、Ａが０．４とすると解像度Ｒ
は０．８μｍとなり、電子ビーム露光法、Ｘ線露光の解
像度より劣るとされている。 しかし、１９８３年、米国ＧＥ社のＢ、Ｆ、 Ｇｒｉｆ
ｆｉｎｇらはパターン形成用のレジスト上に光強度プロ
フッイルのコントラストを促進させるコントラスト・工
／ハ／スト層を積層することにより、解像度及びパター
ン形状の改善を図る方法を発表した〔コントラスト エ
ンハンスト フォトリングラフィ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
）。 Ｂ、Ｆ、グリフイン他 アイイーイーイー−ＥＤ、ＥＤ
Ｌ−４巻（Ｂ、Ｆ、Ｇｒｉｆｆｉｎｇ ｅｔ ａｌ、
ＩＥＥＥ−ＥＤ、ＶＯＬ。 ＥＤＬ−４）、ＡＩ 、Ｊａｎ、１９８３］０この発表
によると通常の縮小投影法（λ：４３６ｎｍ、Ｎ、Ａｇ
ｏ、３２） で０．４ｐｍまでの解像が可能と報告し
ている〇 発明者らの研究の結果、コントラストをエンハンスする
ためのパターン形成有機膜の特性は次のように説明でき
る。 一般的に縮小投影法における出力の光強度プロファイル
は、その光学レンズ系により加工される。 説明するとレチクルを通し紫外線の露光を行った場合、
回折のない理想的な入力元強度プロファイルは完全な矩
形波といえ、そのコントラストＣは次式で 示される。その時、コントラストＣは１００％となる。 レチクルを通過した光の入力波形は光学レンズを通過す
ることで、その光学レンズ系の伝達関数によって、７−
リエ変換され、レンズを通過した光の出力波形は余弦波
の形状に近くなりコントラストＣも劣化する。このコン
トラストの劣化パターン形状例えば解像度及びパターン
形状に大きく影響する。ちなみにレジストパターン解像
に要するコントラストは、レジスト自身の特性から６０
チ以上とされ、コントラストＣ値が６０チ以下となると
パターン形成が不能となる。 そこで、露光時間（露光エネルギー）の小なる領域では
紫外線に対する透過率が小さく（１ｍｌユの増加が少な
い）、露光エネルギーの大なる領域では紫外線に対する
透過率が大きい（Ｉｍａ！の増加が多い）傾向の膜に、
レンズを通過した前述の出力波形の光を通過させること
によりコントラストＣ値が増大する。これを更に定量的
に説明するため、米国ＩＢＭ社のＦ、Ｈ，Ｄｉｌｌらの
報告〔キャラクタライゼーション オプ ポジティブ
フォトレジスト（Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ
ｏｆ ＰｏｓｉｔｉｖｅＰｈｏｔｏｒｅｓｉｇｔ）、Ｆ
、Ｈ，ディル他、アイイーイーイー−ＥＤ、ＥＤ−２２
巻（Ｆ、 Ｈ，Ｄｉｌｌ ｅｔ ａｌ、 Ｉ Ｅ ＥＥ
−ＥＤ、ＶＯＬ 、ＥＤ−２２）、ＡＴ 、Ｊｕｌｙ
、１９７５］の中でポジレジストの露光吸収環Ａにあら
れされるパラメータを使用する。一般的にＡは示され、
コントラストエン・・ンスにはＡ値が大なる傾向が望ま
しい。Ａを大なる傾向にするにはｄ（膜厚）を薄く、Ｔ
（０） （初期透過率）、Ｔ（ｏｏ）（最終透過率）
の比が大になることが必要である。 このような要求をみたし、又、プロセス的に簡略なより
すぐれた水溶性のコントラスト・エンハンスト材料を、
発明者らは先に発表している（水溶性ポリマーによるサ
ブミクロン・フォトリソグラフィー、笹子他、信学技報
、５ＳＤ８４−１ａ４（１９８４））。第２図に、この
発表にかかる従来の水溶性コントラスト・エンハンスト
材料を用いたリングラフィについて説明する。基板１上
にレジスト２を回転塗布する（第２図（ａ））。次にポ
ジレジスト２上に従来のコントラスト・エンハンスト材
料の層５を回転塗布する（第２図（ｂ））。そして、縮
小投影法により選択的に紫外線４を露光する（第２図（
Ｃ））。そして、通常のアルカリ現像液によって、コン
トラスト・エンハンスト層６を除去すると同時にレジス
ト２のパターンを形成する（第２図（ｄ））。 発明が解決しようとする問題点 ところが、前述の本発明者らのコントラスト・エンハン
スト材料としてプルラン、ポリビニルアルコールなどの
気体透過性の悪いポリマーを用いた場合には、露光時に
その下のレジスト２中より発生するＮ２ガス等が、レジ
スト上のコントラスト・エンハンスト層６に取り込まれ
て壱〇となってコントラスト・エンハンスト層中に残る
という問題点がある（第２図（Ｃ））。このような壱〇
は、現像時に下地レジストパターンを劣化させる要因と
なっている（第２図（ｄ））。ａち、レジストパターン
のコントラストは向上するが、コントラスト・エンハン
スト層中の泡の部分がレジストに転写されて欠陥７にな
るわけであって、このことは微細なレジストパターン形
成にとって極めて不都合であることが判明した。 本発明は、コントラスト・エンハンスト層として、プロ
セス的に有利な水溶性で、かつ、レジスト上に塗布後、
露光時に下地レジストからのＮ２等を泡として取り込ま
ないようなパターン形成用有機膜を用い、歩留り良く超
微細なレジストパターンを形成することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、前記問題点を解決するために、ガス透過性の
悪いプルラン、ポリビニルアルコール、セルロースなど
の水溶性化合物をパターン形成有機材料のメインポリマ
ーとして用い、さらにガス透過性の良いポリビニルピロ
リドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサ
イド、プルランアセテートなどの水浴性化合物とレジス
トｍ光用の光に対して退色性全Ｍする化合物とを混入し
を た水溶性有機膜をレジスト上に塗布した積層ノ良ゝ用い
るものである。さらに本発明はこの積層膜を選択的に露
光したのち、現像液にて水溶性有機膜を除去すると同時
に前記レジストの一部を選択的に除去してレジストパタ
ーンを形成する方法を提供するものである。 作 用 本発明を用いて、ガス透過性の悪い水溶性の有機物に、
微量のガス透過性の良い水溶性化合物を存在させること
により、ガス透過性の悪い水溶性化合物の分子配列を乱
すことができ、ガス透過性が急漱に良くなる。なお、ガ
ス透過性の悪い水溶性化合物と良い水溶性化合物の混入
比は任意である。したがって、露光時のレジストからの
気泡をレジスト上の水溶性有機膜に取り込むことがない
タメ、レジスト上にコントラスト・エンハンスト層を形
成する方法を用いた場合の泡による劣化ががく、コント
ラストの向上した高解像度、高精度の微細なレジストパ
ターンの形成が可能となる。 実施例 （その１） ガス透過性の悪いプルランおよびプルランよりもガス透
過性の良いポリビニルピロリドンをそれぞれ１０ｐを用
いて２００ｃｃ のプルラン、ポリビニルピロリドン
混合水溶液を調整した。なお、この際それぞれのポリマ
ーは水に対して、かくはんのみで室＠（２６°Ｃ前後）
で容易に溶解した。 なるジアゾ化合物を１０？溶鮮させてパターン形成有機
材料とした。この有機材料は３８５ｎｍ付近で吸収ピー
クを示し、３８５ｎｍにおいてコントラスト・エンハン
ストの程度を示す係数Ａは１０．０を示した。この材料
を用いて、レジストパターン形成を行った本発明の一実
施例のリングラフィ工程を第１図に示す。半導体等の基
板１上にポジレジスト２を回転塗布する（第１図（ａ）
）。次にポジレジスト２上に上記水溶液よりなる水溶性
のノ（ターン形成有機材料の層３を回転塗布する（第１
図中））。そして、縮小投影法により選択的に紫外線４
をパターン露光する（第１図（Ｃ））。そしてポジレジ
ストの通常の現像液すなわちアルカリ現像液によって、
コントラスト・エンハンストの層であるパターン形成有
機材料の層３を除去すると同時に第１図（ｄ）に示すご
とくレジスト３の紫外線照射部を選択的に除去しレジス
トパターン８を形成する。層３は水溶性であるため、ア
ルカリ現像液で容易に除去され、通常のポジレジストの
現像工程を何ら変更する必要がない。第１図（Ｃ）にお
いて露光による泡の発生はみられないために、第１図（
ｄ）において形成されたレジストパターン８の欠陥は全
くみられず、コントラストの向上したＯ、Ｓμｔｎ解像
のレジストパターン８が得られた。 （その２） その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、１０３
Ｈ７ １Ｃ３Ｈ７ なるジアゾ化合物を１０Ｓ’溶解させてパターン形成有
機材料とした。この材料は、波長４３６ｎｍ付近で吸収
ピークを示し、４３６ｎｍにおいて係数Ａは、Ｓ、Ｏを
示した。この材料を用いることにより、その１と同様の
方法で０．５μｍの高コントラスト、高解像のレジスト
パターンが得られた。 （その３） その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、１ｏｙ
溶解させてパターン形成有機材料とした。 この材料は、波長４３６ｎｍ付近で吸収ピークを示し、
４３６ｎｍ において係数Ａは、１０．０を示した。 この材料を用いることにより、その１と同様の方法で０
．６μｍの高コントラスト、高解像のレジストパターン
が得られた。 本発明に用いるパターン形成有機材料は、ガス透過性の
異なる水溶性有機物の混合体であるベースポリマーと露
光用のエネルギー線に対する退色性を有した化合物を有
したものを用いることができるが、水溶性有機物の混合
体としては次のものも適用できる。すなわち混合体はプ
ルランとポリビニルピロリドン、プルランとポリエチレ
ングリコーノペプルランとポリエチレンオキサイド、ポ
リビニルアルコールとポリビニルピロリドン、ポリビニ
ルアルコールとポリエチレングリコール、ポリビニルア
ルコールとポリエチレンオキサイド−プルランとプルラ
ンアセテート、ポリビニルアルコールドフルランアセテ
ート、セルロースとポリビニルピロリドン、セルロース
とポリエチレングリコール、セルロースとポリエチレン
オキサイド、セルロースとプルランアセテート、の組み
合わせを少なくとも１つ含むもの等を用いることができ
る。 発明の効果 本発明によれば、超微細なレジストパターン形成時の露
光・現像に際して、レジストパターン形成が欠陥なく、
高コントラスト、高解像、高精度で行うことができ、か
つ、現像プロセスの複雑化をもたらすこともなく、半導
体素子の微細化２歩留まり向上につながり、半導体装置
の製造に犬なる工業的価値を発揮するものである。 ４、図面の簡単な説明 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例のレジストパ
ターンを形成する方法の実施例の工程断面図、第２図（
ａ）〜（ｄ）は従来のパターン形成有機材料を用いた場
合のレジストパターンを形成する方法の従来例の工程断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト、３
・・・・・・パターン形成有機膜、８・・・・・・レジ
ストパターン。
材料を用いた場合のレジストパターンを形成する方法の
実施例の工程断面図、第２図（ａｌ〜（ｄｉは従来のパ
ターン形成有機材料を用いた場合のレジストパターンを
形成する方法の従来例の工程断面図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・本発明のパターン
形成有機材料。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 手続補正書 昭和６１年２ 月２６日 １事件の表示 昭和６０年特許願第２７２７２４号 ２発明の名称 パターン形成有機材料 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ７、補正の内容 （１） 発明の名称「パターン形成有機材料」をクイ
セイユウキマク クイ七イ
「パターン形成有機膜およびパターン形成明 細
書 １、発明の名称 パターン形成有機膜およびパターン形成方法２、特許請
求の範囲 パターン形成有機膜。 坐・ 一ン形成方法。 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 この発明は、エネルギー線に対する初期透過率が低く、
エネルギー線に対して漂白作用を付加させ完全に漂白し
た後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギー（イ）、
縦軸透過率■とした特性式、Ｙ−ＡＸ＋Ｂ とした場
合Ａが犬で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、レジスト上
に塗布した後に露光することによって、従来の露光方法
による解像度の向上を改善する微細パターン形成に関す
るものである。 従来の技術 半導体集積回路の高集積化、高密度化は従来のりソグラ
フィ技術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１
μｍ前後となってきており、この加工線幅を達成するに
は、高開口レンズ（高ＮＡ）を有した縮小投影法により
紫外線露光する方法、基板上に直接描画する電子ビーム
露光法、Ｘ線を用いたプロキシミティ露光があげられる
。 しかし、スループットを犠牲にすることなくパターン形
成するには前者の縮小投影法により紫外線露光する方法
が最良である。しかし紫外線露光の解像度Ｒは、次式の
レース則で示される。 Ｒ＝ｏ、ｓｘλ／Ｎ、Ａｘ（１＋１／ｍ） 川−・−
−−−・・・−（１）λ；波長 Ｎ、Ａ；レンズ開口度 ｍ；倍率 解像度を向上するには、短波長化、高Ｎ、Ａ化が考えら
れるが、現在可能な光学系の性能は例えばλが３６５ｎ
ｍ （ｉ−ライフ）、Ｎ、Ａが０．４とすると解像度Ｒ
は０．８μｍとなり、電子ビーム露光法、Ｘ線露光の解
像度より劣るとされている。 しかし、１９８３年、米国ＧＥ社のＢ、Ｆ、 Ｇｒｉｆ
ｆｉｎｇらはパターン形成用のレジスト上に光強度プロ
フッイルのコントラストを促進させるコントラスト・工
／ハ／スト層を積層することにより、解像度及びパター
ン形状の改善を図る方法を発表した〔コントラスト エ
ンハンスト フォトリングラフィ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
）。 Ｂ、Ｆ、グリフイン他 アイイーイーイー−ＥＤ、ＥＤ
Ｌ−４巻（Ｂ、Ｆ、Ｇｒｉｆｆｉｎｇ ｅｔ ａｌ、
ＩＥＥＥ−ＥＤ、ＶＯＬ。 ＥＤＬ−４）、ＡＩ 、Ｊａｎ、１９８３］０この発表
によると通常の縮小投影法（λ：４３６ｎｍ、Ｎ、Ａｇ
ｏ、３２） で０．４ｐｍまでの解像が可能と報告し
ている〇 発明者らの研究の結果、コントラストをエンハンスする
ためのパターン形成有機膜の特性は次のように説明でき
る。 一般的に縮小投影法における出力の光強度プロファイル
は、その光学レンズ系により加工される。 説明するとレチクルを通し紫外線の露光を行った場合、
回折のない理想的な入力元強度プロファイルは完全な矩
形波といえ、そのコントラストＣは次式で 示される。その時、コントラストＣは１００％となる。 レチクルを通過した光の入力波形は光学レンズを通過す
ることで、その光学レンズ系の伝達関数によって、７−
リエ変換され、レンズを通過した光の出力波形は余弦波
の形状に近くなりコントラストＣも劣化する。このコン
トラストの劣化パターン形状例えば解像度及びパターン
形状に大きく影響する。ちなみにレジストパターン解像
に要するコントラストは、レジスト自身の特性から６０
チ以上とされ、コントラストＣ値が６０チ以下となると
パターン形成が不能となる。 そこで、露光時間（露光エネルギー）の小なる領域では
紫外線に対する透過率が小さく（１ｍｌユの増加が少な
い）、露光エネルギーの大なる領域では紫外線に対する
透過率が大きい（Ｉｍａ！の増加が多い）傾向の膜に、
レンズを通過した前述の出力波形の光を通過させること
によりコントラストＣ値が増大する。これを更に定量的
に説明するため、米国ＩＢＭ社のＦ、Ｈ，Ｄｉｌｌらの
報告〔キャラクタライゼーション オプ ポジティブ
フォトレジスト（Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ
ｏｆ ＰｏｓｉｔｉｖｅＰｈｏｔｏｒｅｓｉｇｔ）、Ｆ
、Ｈ，ディル他、アイイーイーイー−ＥＤ、ＥＤ−２２
巻（Ｆ、 Ｈ，Ｄｉｌｌ ｅｔ ａｌ、 Ｉ Ｅ ＥＥ
−ＥＤ、ＶＯＬ 、ＥＤ−２２）、ＡＴ 、Ｊｕｌｙ
、１９７５］の中でポジレジストの露光吸収環Ａにあら
れされるパラメータを使用する。一般的にＡは示され、
コントラストエン・・ンスにはＡ値が大なる傾向が望ま
しい。Ａを大なる傾向にするにはｄ（膜厚）を薄く、Ｔ
（０） （初期透過率）、Ｔ（ｏｏ）（最終透過率）
の比が大になることが必要である。 このような要求をみたし、又、プロセス的に簡略なより
すぐれた水溶性のコントラスト・エンハンスト材料を、
発明者らは先に発表している（水溶性ポリマーによるサ
ブミクロン・フォトリソグラフィー、笹子他、信学技報
、５ＳＤ８４−１ａ４（１９８４））。第２図に、この
発表にかかる従来の水溶性コントラスト・エンハンスト
材料を用いたリングラフィについて説明する。基板１上
にレジスト２を回転塗布する（第２図（ａ））。次にポ
ジレジスト２上に従来のコントラスト・エンハンスト材
料の層５を回転塗布する（第２図（ｂ））。そして、縮
小投影法により選択的に紫外線４を露光する（第２図（
Ｃ））。そして、通常のアルカリ現像液によって、コン
トラスト・エンハンスト層６を除去すると同時にレジス
ト２のパターンを形成する（第２図（ｄ））。 発明が解決しようとする問題点 ところが、前述の本発明者らのコントラスト・エンハン
スト材料としてプルラン、ポリビニルアルコールなどの
気体透過性の悪いポリマーを用いた場合には、露光時に
その下のレジスト２中より発生するＮ２ガス等が、レジ
スト上のコントラスト・エンハンスト層６に取り込まれ
て壱〇となってコントラスト・エンハンスト層中に残る
という問題点がある（第２図（Ｃ））。このような壱〇
は、現像時に下地レジストパターンを劣化させる要因と
なっている（第２図（ｄ））。ａち、レジストパターン
のコントラストは向上するが、コントラスト・エンハン
スト層中の泡の部分がレジストに転写されて欠陥７にな
るわけであって、このことは微細なレジストパターン形
成にとって極めて不都合であることが判明した。 本発明は、コントラスト・エンハンスト層として、プロ
セス的に有利な水溶性で、かつ、レジスト上に塗布後、
露光時に下地レジストからのＮ２等を泡として取り込ま
ないようなパターン形成用有機膜を用い、歩留り良く超
微細なレジストパターンを形成することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、前記問題点を解決するために、ガス透過性の
悪いプルラン、ポリビニルアルコール、セルロースなど
の水溶性化合物をパターン形成有機材料のメインポリマ
ーとして用い、さらにガス透過性の良いポリビニルピロ
リドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサ
イド、プルランアセテートなどの水浴性化合物とレジス
トｍ光用の光に対して退色性全Ｍする化合物とを混入し
を た水溶性有機膜をレジスト上に塗布した積層ノ良ゝ用い
るものである。さらに本発明はこの積層膜を選択的に露
光したのち、現像液にて水溶性有機膜を除去すると同時
に前記レジストの一部を選択的に除去してレジストパタ
ーンを形成する方法を提供するものである。 作 用 本発明を用いて、ガス透過性の悪い水溶性の有機物に、
微量のガス透過性の良い水溶性化合物を存在させること
により、ガス透過性の悪い水溶性化合物の分子配列を乱
すことができ、ガス透過性が急漱に良くなる。なお、ガ
ス透過性の悪い水溶性化合物と良い水溶性化合物の混入
比は任意である。したがって、露光時のレジストからの
気泡をレジスト上の水溶性有機膜に取り込むことがない
タメ、レジスト上にコントラスト・エンハンスト層を形
成する方法を用いた場合の泡による劣化ががく、コント
ラストの向上した高解像度、高精度の微細なレジストパ
ターンの形成が可能となる。 実施例 （その１） ガス透過性の悪いプルランおよびプルランよりもガス透
過性の良いポリビニルピロリドンをそれぞれ１０ｐを用
いて２００ｃｃ のプルラン、ポリビニルピロリドン
混合水溶液を調整した。なお、この際それぞれのポリマ
ーは水に対して、かくはんのみで室＠（２６°Ｃ前後）
で容易に溶解した。 なるジアゾ化合物を１０？溶鮮させてパターン形成有機
材料とした。この有機材料は３８５ｎｍ付近で吸収ピー
クを示し、３８５ｎｍにおいてコントラスト・エンハン
ストの程度を示す係数Ａは１０．０を示した。この材料
を用いて、レジストパターン形成を行った本発明の一実
施例のリングラフィ工程を第１図に示す。半導体等の基
板１上にポジレジスト２を回転塗布する（第１図（ａ）
）。次にポジレジスト２上に上記水溶液よりなる水溶性
のノ（ターン形成有機材料の層３を回転塗布する（第１
図中））。そして、縮小投影法により選択的に紫外線４
をパターン露光する（第１図（Ｃ））。そしてポジレジ
ストの通常の現像液すなわちアルカリ現像液によって、
コントラスト・エンハンストの層であるパターン形成有
機材料の層３を除去すると同時に第１図（ｄ）に示すご
とくレジスト３の紫外線照射部を選択的に除去しレジス
トパターン８を形成する。層３は水溶性であるため、ア
ルカリ現像液で容易に除去され、通常のポジレジストの
現像工程を何ら変更する必要がない。第１図（Ｃ）にお
いて露光による泡の発生はみられないために、第１図（
ｄ）において形成されたレジストパターン８の欠陥は全
くみられず、コントラストの向上したＯ、Ｓμｔｎ解像
のレジストパターン８が得られた。 （その２） その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、１０３
Ｈ７ １Ｃ３Ｈ７ なるジアゾ化合物を１０Ｓ’溶解させてパターン形成有
機材料とした。この材料は、波長４３６ｎｍ付近で吸収
ピークを示し、４３６ｎｍにおいて係数Ａは、Ｓ、Ｏを
示した。この材料を用いることにより、その１と同様の
方法で０．５μｍの高コントラスト、高解像のレジスト
パターンが得られた。 （その３） その１で示した同様同量の混合水溶液に対して、１ｏｙ
溶解させてパターン形成有機材料とした。 この材料は、波長４３６ｎｍ付近で吸収ピークを示し、
４３６ｎｍ において係数Ａは、１０．０を示した。 この材料を用いることにより、その１と同様の方法で０
．６μｍの高コントラスト、高解像のレジストパターン
が得られた。 本発明に用いるパターン形成有機材料は、ガス透過性の
異なる水溶性有機物の混合体であるベースポリマーと露
光用のエネルギー線に対する退色性を有した化合物を有
したものを用いることができるが、水溶性有機物の混合
体としては次のものも適用できる。すなわち混合体はプ
ルランとポリビニルピロリドン、プルランとポリエチレ
ングリコーノペプルランとポリエチレンオキサイド、ポ
リビニルアルコールとポリビニルピロリドン、ポリビニ
ルアルコールとポリエチレングリコール、ポリビニルア
ルコールとポリエチレンオキサイド−プルランとプルラ
ンアセテート、ポリビニルアルコールドフルランアセテ
ート、セルロースとポリビニルピロリドン、セルロース
とポリエチレングリコール、セルロースとポリエチレン
オキサイド、セルロースとプルランアセテート、の組み
合わせを少なくとも１つ含むもの等を用いることができ
る。 発明の効果 本発明によれば、超微細なレジストパターン形成時の露
光・現像に際して、レジストパターン形成が欠陥なく、
高コントラスト、高解像、高精度で行うことができ、か
つ、現像プロセスの複雑化をもたらすこともなく、半導
体素子の微細化２歩留まり向上につながり、半導体装置
の製造に犬なる工業的価値を発揮するものである。 ４、図面の簡単な説明 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例のレジストパ
ターンを形成する方法の実施例の工程断面図、第２図（
ａ）〜（ｄ）は従来のパターン形成有機材料を用いた場
合のレジストパターンを形成する方法の従来例の工程断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト、３
・・・・・・パターン形成有機膜、８・・・・・・レジ
ストパターン。
Claims (3)
- （１）水溶性有機物の混合体であるベースポリマーとエ
ネルギー線に対する退色性を有した化合物を有したこと
を特徴とするパターン形成有機材料。 - （２）水溶性有機物の混合体が、プルランとポリビニル
ピロリドン、プルランとポリエチレングリコール、プル
ランとポリエチレンオキサイド、ポリビニルアルコール
とポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールとポリ
エチレングリコール、ポリビニルアルコールとポリエチ
レンオキサイド、プルランとプルランアセテート、ポリ
ビニルアルコールとプルランアセテート、セルロースと
ポリビニルピロリドン、セルロースとポリエチレングリ
コール、セルロースとポリエチレンオキサイド、セルロ
ースとプルランアセテート、の組み合わせを少なくとも
１つ含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
のパターン形成有機材料。 - （３）水溶性有機物の混合体のうち、一方がガス透過性
の悪いもの、一方がガス透過性の良いものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成
有機材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60272724A JPS62133444A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | パタ−ン形成有機材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60272724A JPS62133444A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | パタ−ン形成有機材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133444A true JPS62133444A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17517894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60272724A Pending JPS62133444A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | パタ−ン形成有機材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133444A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108334A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | コントラスト向上用組成物 |
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| EP1557719A2 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically amplified resist and pattern formation method |
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
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| JPS61118741A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | フオトレジスト材料 |
| JPS61179535A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPS61179434A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成有機膜 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60272724A patent/JPS62133444A/ja active Pending
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